JP7473216B2

JP7473216B2 - レーザ半田付け装置

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Publication number: JP7473216B2
Application number: JP2021074631A
Authority: JP
Inventors: 明夫白井
Original assignee: マイクロエッヂプロセス株式会社
Priority date: 2021-03-12
Filing date: 2021-04-27
Publication date: 2024-04-23
Anticipated expiration: 2041-04-27
Also published as: JP2022140181A

Description

本発明は、レーザビームを半田付け箇所に照射して電子部品を所定の箇所に半田付けするレーザ半田付け装置に関する。

特許文献１（特開２０１８－１７６２４７号公報）は、半田付けポイントが目標温度に加熱されるようにレーザ光の出力を精度良く制御し、それによって、品質の高い半田付けを行うことを目的とするもので、レーザ光を、予め定められた所定の制御波形に沿って出力し、放射温度計で測定される半田付けポイントの測定温度が予め定められた上限温度を上回らない場合には制御波形に沿った制御を継続し、側手インドが上限温度を上回る場合には、制御波形に沿った制御を中断してレーザ光の出力を落とすレーザ式半田付け装置を開示する。

特許文献２（特開２０１９－１３０５８４号公報）に開示されるレーザ半田付け装置は、プリント配線板上の電子部品の左右両側で第１および第２の側面端子と第１および第２のパッドとの間に介在する半田に対して、制御部の制御の下で第１及び第２のレーザ照射部よりそれぞれのレーザ出力を独立に制御可能な第１及び第２のレーザ光を集光照射するものである。

特許文献３（特開２０２０－２５９８５号公報）に開示される半田付けシステムは、少なくとも第１のビームと第２のビームを発生し、前記第１のビームを半田付け領域の第１の要素にガイドし、前記第２のビームを前記半田付け領域の第２の要素にガイドするマルチビームスキャナ半田付けプロセス中、少なくとも前記第１の要素の第１の温度と前記第２の要素の第２の温度を同時に検出するセンサ、及び前記第１の温度と前記第２の温度が実質的に異なるという条件において、前記第１のビームと前記第２のビームのパラメータを調整する制御装置を含むシステムであることが開示される。

特許文献４（特開平１１－３４７７６２号公報）は、管体の支持物への溶接に当たり、レーザビームを２つの光路に分割したツインビームを得る光学系を有する溶接ヘッドを、上記管体の端面にて管体厚さ方向の２カ所を同時に溶接するよう上記端面周囲に沿って移動させるようにしたシール溶接法を開示する。

特許文献５（特許第２９０２５５０号公報）は、レーザビームを伝送し、出射する光伝送系と、稜で接する複数の面を有し、複数の面に入射するレーザビームの面積比によりレーザビームを分割するビーム分割手段と、前記ビーム分割手段を可動に支持する支持手段とを有し、光伝送系から出射されるレーザビームを可変分割比で分割するビーム分割部と、ビーム分割部から出射される複数のレーザビームに対して共通の集光レンズ部であり、複数のレーザビームを異なる位置に集光させる集光レンズ部と、前記ビーム分割部と前記集光レンズ部とを一体的に同時に回転させる回転駆動機構とを有するレーザ加工機を開示する。

特開２０１８－１７６２４７号公報特開２０１９－１３０５８４号公報特開２０２０－２５９８５号公報特開平１１－３４７７６２号公報特許第２９０２５５０号公報

従来、放射温度計によって半田付けポイントの温度をリアルタイムで測定し、その測定温度が目標温度になるようにレーザ光の出力を制御していたが、様々な原因によって測定温度にばらつきが発生するためにレーザ光の出力を目標温度に合わせて高精度に制御することは難しく、半田付けポイントが適正な温度に加熱されず半田不良が生じるケースがあった。

このため、例えば特許文献１に開示されるレーザ半田付け装置においては、半田付けポイントを予熱する第１工程と、供給された半田をレーザ光により溶融させて半田付けポイントに拡散させる第２工程と、半田付けポイントに拡散した半田をレーザ光で後加熱する第３工程とを有し、半田付けポイントを目標温度に加熱するために必要なレーザ光の出力及び照射時間に基づいて、レーザ光の出力及び照射時間を制御するための制御波形を設定するとともに、目標温度より高い上限温度を設定し、前記第１、第２、第３の工程に沿って半田付けを行う際に、前記レーザ光の出力及び照射時間を前記制御波形に基づいて波形制御すると共に、半田付けポイントの温度を放射温度計により測定して前記上限温度と比較し、測定温度が上限温度より低い場合は、そのまま波形制御を行い、測定温度が上限温度を上回った場合は、前記波形制御を解除してレーザ光の出力を低下させる制御を行うものである。

また、特許文献２において、温度測定工程が、第１および第２のレーザ光の照射中に第１及び第２の端子付近の半田よりそれぞれ発生する赤外線を受光して光電変換によりそれらの半田の温度を表す第１及び第２の測定温度信号を生成し、レーザ出力制御工程が、前記第１および第２の測定紫雲号を基準値と比較し、それぞれの比較結果に応じて第１及び第２のレーザ光のレーザ出力を独立に二値制御するものであり、前記第１および第２のレーザ光のレーザ出力をレーザ照射の開始から一定のレートで増大させ、前記第１の測定温度信号が前記基準温度に対応する基準値に到達した時以後はその到達時のレーザ出力値またはその付近に保持されるように前記第１のレーザ光のレーザ出力を制御し、前記第２の測定温度信号が前記基準温度に対応する基準値に到達した時以後はその到達時のレーザ出力値またはその付近に保持されるように前記第２のレーザ光のレーザ出力を制御するようにしたものである。

さらに、特許文献３において、センサは、第１のビームがガイドされる半田付け領域の第１の要素の第１の温度と、第２のビームがガイドされる半田付け領域の第２の要素の第２の温度を同時に検出し、制御装置は、前記第１の温度と前記第２の温度が実質的に異なるという条件において、前記第１のビームと前記第２のビームのパラメータを調整するものである。

特許文献４では、管体の支持物への溶接に当たり、レーザビームを２つの光路に分割したツインビームを得る光学系を有する溶接ヘッドを、上記管体の端面にて管体厚さ方向の２カ所を同時に溶接するよう上記端面周囲に沿って移動させるものであり、特許文献５では、主レーザビームと補助レーザビームとからなるツインビームを出射するものであり、屋根型プリズムを左右に移動させることにより、主レーザビームと補助レーザビームの強度を調整できるものである。

以上のように、従来技術において、レーザ光が照射される箇所の温度を検出し、この検出温度にしたがってレーザ光の出力を制御する場合、半田付け箇所の熱容量に伴って温度上昇の速度が異なり、半田付け箇所の周縁が以上に高温になる場合がある。半田付け箇所が異常な高温となった場合、半田付けされる箇所に連設される基板配線の熔解による断線や、電子部品の熱による破壊などが生じる恐れがある。また、Ｐｂフリーの半田の使用が要望される昨今では、Ｐｂフリーの半田は、従来のＳｎ－Ｐｂ半田の融点１８３℃に対して融点が２００℃～２２０℃と高いものが多いため、電子部品への熱影響も大きくなる傾向にある。

さらに、通常、電子部品、特にＩＣなどでは、急激な温度上昇による熱衝撃によって、半導体のチップ破壊が起こる可能性があり、またアルミ電解コンデンサなどでは、熱影響によって静電容量の低下、推定寿命の低下などの不具合が生じる。

以上のことから、本発明は、半田付け箇所の近傍にある熱耐性が低い箇所の温度を検出し、この検出温度を一つのパラメータとして温度制御を行うことができるレーザ半田付け装置を提供することにある。

本発明は、所定の半田付け箇所にレーザ光を照射するレーザ光照射装置と、前記半田付け箇所の温度を検出する温度検出装置と、前記半付け箇所周縁の映像を撮影する撮影装置とによって少なくとも構成されるレーザ半田付け装置において、前記半田付け近傍の電子部品の温度を検出する近傍温度検出装置と、該近傍温度検出装置によって検出された検出温度が電子部品に規定される温度以上とならないように、前記レーザ光照射装置を制御する制御装置とを具備することにある。

また、前記レーザ光照射装置は、所定の波長のレーザ光を発生させるレーザ発生装置と、該レーザ発生装置により発生した所定の波長のレーザ光を半田付け箇所に導くレーザ光ガイド機構とによって構成されることが望ましい。

さらに、前記レーザ光照射装置は、所定の波長のレーザ光を発生させるレーザ発生装置と、該レーザ発生装置により発生した所定の波長のレーザ光を分光する分光手段と、該分光手段によって分光されたレーザ光を、所定の間隔で位置する２カ所の半田付け位置に照射するレーザ光ガイド機構とによって構成されることが望ましい。

さらにまた、前記分光手段は、前記温度検出手段によって検出される少なくとも２カ所の半田付け箇所の温度のバランスが良好となるように分光することが望ましい。また前記分光手段は、レーザ光の入射側に稜線を有するプリズムであり、前記稜線が前記レーザ光の入射側に対して左右に移動可能であることが望ましい。

尚、前記電子部品としては、半田付けされる部分からの熱伝導による熱影響を受ける電子部品、いわゆる基板に実装されるＩＣ、抵抗、コンデンサなどであり、さらに基板配線それ自体であることが望ましい。両側に一定間隔に半田付け箇所を有する電子部品の場合、分光手段によってレーザを分光して一度に半田付けすることが効率的であるが、半田付け箇所の間に位置する電子部品が熱影響を受けないように電子部品の温度上昇を観察することが必要である。

また、電子部品、特にＩＣなどでは、急激な温度上昇による熱衝撃によって、半導体のチップ破壊が起こる可能性があり、またアルミ電解コンデンサなどでは、熱影響によって静電容量の低下、推定寿命の低下などの不具合が生じるため、それぞれ半田付けする対象の電子部品に耐熱温度を設定し、前記温度検出装置において検出された電子部品の温度が耐熱温度を超えないように、レーザ発生装置の出力を制御するものである。

また、本発明に係る制御装置は、電子部品の温度に基づくレーザ光の出力制御を行うとともに、半田付け箇所の温度についても、半田付け箇所の温度に基づいてレーザ光の出力制御を行うことが望ましい。特にレーザ光を分光したツインレーザによる半田付けの場合、それぞれの半田付け箇所の熱容量が異なる場合など、ツインレーザのそれぞれの強度を調整する必要があるが、分光手段によって容易にそれぞれの強度を調整可能となるものである。

本発明によれば、半田付け箇所からの熱影響を受ける電子部品の温度を検出し、この温度に基づいてレーザ発生装置の出力を制御するようにしたことから、半田付け箇所からの熱伝導による電子部品の破損等を防止することができるものである。

図１は、本発明の実施例１に係るレーザ半田付け装置の概略構成図である。図２は、実施例１に係るレーザ半田付け装置の半田付け箇所近傍の撮像エリア、レーザエリア及びセンサエリアを示した説明図である。図３は、本発明の実施例２に係るレーザ半田付け装置の概略構成図である。図４（ａ）は、実施例２に係るレーザ半田付け装置の半田付け箇所近傍の撮像エリア、レーザエリア及びセンサエリアを示した説明図であり、図４（ｂ）はその側面図である。図５（ａ）は、左側のレーザビームを強くした場合のプリズムによる分光を示した説明図であり、図５（ｂ）は分光による撮像エリア、レーザエリア及びセンサエリアを示した説明図である。図６（ａ）は、右側のレーザビームを強くした場合のプリズムによる分光を示した説明図であり、図６（ｂ）は分光による撮像エリア、レーザエリア及びセンサエリアを示した説明図である。図７は、本発明の実施例３に係るレーザ半田付け装置の概略構成図である。図８は、本発明のレーザ半田付け装置の制御の一例を示したフローチャート図である。

以下、この発明の実施例について図面により説明する。

本発明の実施例に係るレーザ半田付け装置１は、所定の波長のレーザ光を発生させるレーザ発生装置１０と、赤外線を受光して温度を検出する温度検出装置２０と、半田付け箇所近傍の所定の範囲から生じる可視光を受光する撮影装置３０と、前記レーザ発生装置１０により発生した所定の波長のレーザ光をレーザエリア（半田付け箇所）７０に導くレーザ光ガイド機構４０と、レーザエリア（半田付け箇所）７０からの映像を撮影装置３０に導く映像ガイド機構５０と、前記レーザエリア（半田付け箇所）近傍７０の所望の位置（温度検出エリア）７６から放出される赤外線を前記温度検出装置２０まで導く赤外線ガイド機構６０を具備する。

前記レーザ発生装置１０のレーザ軸は、波長８００～１１００ｎｍ帯の一般的な波長帯を使用するもので、半導体レーザ、ファイバーレーザなどが代表的である。前記レーザ軸の入力方法は、取り回しが良いファイバー伝送が、利便性が良く、光源を離れた場所に設置できる。ファイバーから放出されるレーザ光はコリメートレンズ１１により平行光に光学的に変換される。

レーザ光ガイド機構４０は、前記コリメートレンズ１１により平行光に変換されたレーザ光を９０°横方向に全反射させるために４５°傾斜して配置された全反射ミラー４１と、該全反射ミラー４１に対峙して４５°傾斜して配置され、前記全反射ミラー４１によって全反射されたレーザ光を半田付け箇所方向に反射させる第１のダイクロイックフィルタ４２と、集光レンズ（コリメートレンズ）４３とによって構成される。

前記撮影装置３０は、前記レーザエリア（半田付け箇所）７０からの可視光帯を受光して映像化するもので、レーザエリア（半田付け箇所）７０からの可視光は、映像ガイド機構５０を介して撮影装置３０に入力される。映像ガイド機構５０は、集光レンズ４３、第２のダイクロイックフィルタ４２、第２のダイクロイックフィルタ５１及び全反射ミラー５２及び集光レンズ５３によって構成されるもので、可視光は、集光レンズ４３及び第１のダイクロイックフィルタ４２を透過するとともに、縦方向において第１のダイクロイックフィルタ４２に対向して４５°傾斜して配置された第２のダイクロイックフィルタ５１において全反射され、さらに横方向において第２のダイクロイックフィルタ５１に対向して４５°傾斜して配置された全反射ミラー５２によって全反射されて前記撮影装置３０に入力される。尚、５４は位置調整機構である。

前記温度検出装置２０は、前記電子部品７１の半田付け箇所７１の温度を検出するとともに、赤外線ガイド機構６０を介して前記レーザエリア（半田付け箇所）７０の近傍の電子部品７１からその温度に対応して生じる赤外線を受光してその電子部品７１の温度を検出する近傍温度検出装置２１を兼ねるもので、電子部品７１から発生する２～２．５μｍ帯の赤外線は、赤外線ガイド機構６０を構成する前記集光レンズ４３，第１のダイクロイックフィルタ４２及び第２のダイクロイックフィルタ５１を透過し、集光レンズ６１で集光されて前記温度検出装置２０に到達する。尚、６２は位置調整装置である。尚、第１のダイクロイックフィルタ４２はレーザ光のみを全反射させるものであり、第２のダイクロイックフィルタ５１は可視光のみを全反射させるものである。

図２は、撮影装置３０において撮影された撮影範囲７５と、電子部品７１に焦点があった温度検出装置２０の温度検出エリア７６と、基板配線７４上に仮接合された半田箇所７３と電子部品７１の端子７２とを半田付けするためにレーザ光が照射されるレーザエリア（半田付け箇所）７０を示したものである。

以上の構成により、撮影装置３０において撮影された映像に基づいて、温度検出エリア６は、位置調整機構（煽り機構）６２によって第１のダイクロイックフィルタ４２への入射角を調整することにより、レーザエリア７０又はレーザ光近傍の温度検出エリア７６にフォーカスを移動させることができるものである。

温度検出装置３０において電子部品７１の温度を検出し、この検出された温度が、例えば電子部品７１の耐熱温度又は設定温度を超えないように、レーザ発生装置１０の出力を制御するようにして、半田付けの熱による電子部品７１の破損等の不具合を防止することができるものである。

本発明の実施例２に係るツインレーザ半田付け装置１Ａは、例えば図３に示すように、レーザ発生装置１０と、コリメートレンズ１１、全反射ミラー４１、第１のダイクロイックフィルタ４２及び集光レンズ４３からなり、さらに分光用プリズム８０を具備するレーザ光ガイド機構４０とによって構成され、所定の間隔で位置する２カ所の半田付け位置にレーザ光を照射するレーザ光照射装置１２を具備する。また、ツインレーザ半田付け装置１Ａは、さらに前記半田付け箇所の温度を検出する温度検出装置２０と、前記半付け箇所周縁の映像を撮影する撮影装置３０とを具備する。

さらに本発明のツインレーザ半田付け装置１Ａは、前記半田付け近傍の電子部品７１の温度を検出する近傍温度検出装置２１と、該近傍温度検出装置２１によって検出された検出温度が、電子部品７１に規定される温度以上とならないように、前記レーザ光発生装置１０を制御する制御装置とを具備するものである。

さらに、前記レーザ光照射装置１２は、前記レーザ発生装置１０により発生した所定の波長のレーザ光を分光する分光手段として、分光用プリズム８０を具備する。この分光用プリズム８０は、前記レーザ発生装置１０と対峙する側にレーザ光を分割する稜線８１を有し、この稜線８１を境として前記レーザ発生装置１０から出力されるレーザ光を左右に分光するものである。

前記分光用プリズム８０によって分光されたツインビームは、前記レーザ光ガイド機構４０を介して、例えば図４（ａ）及び（ｂ）で示すように、電子部品７１の両側に突出する端子７２ａ，７２ｂと電子部品７１の半田付け箇所７３ａ，７３ｂに照射される。尚、レーザ光は、それぞれレーザエリア７０ａ，７０ｂとして示される。

通常、２カ所の半田付け箇所７３ａ，７３Ｂの熱容量が同一の場合には、ツインビームの出力が左右均一となるように分光用プリズム８０を配置する。また、左側の半田付け箇所７３ａの熱容量が大きい場合、半田付け箇所７３ａの温度上昇が右側の半田付け箇所７３ｂに比べて遅くなるため、図５（ａ）で示すように、分光用プリズムを左側に移動させて左側へのレーザビームの分光割合を右側のレーザビームに比して大きくすることによって、図５（ｂ）で示すように、右側の半田付け箇所７３ｂへのレーザビームを抑えて左側の半田付け箇所７３ａのレーザビームを強くすることができるため、左右の半田付け状態を均一にすることができるものである。

また、図６（ａ），（ｂ）は、図５で示す場合と反対に、右側の半田付け箇所７３ｂの熱容量が大きい場合、半田付け箇所７３ｂの温度上昇が左側の半田付け箇所７３ａに比べて遅くなるため、分光用プリズムを右側に移動させて右側へのレーザビームの分光割合を左側のレーザビームに比して大きくすることによって、左側の半田付け箇所７３ａへのレーザビームを抑えて右側の半田付け箇所７３ｂのレーザビームを強くすることができるため、左右の半田付け状態を均一にすることを示すものである。

本発明の実施例３に係るツインビーム半田付け装置１Ｂは、前記レーザビーム照射装置１２において、コリメートレンズ１１によって平行光に変換されたレーザビームを分光するように、コリメートレンズ１１の後流側に、分光用プリズム８０’を配置したことを特徴とするものである。

尚、実施例３においても実施例２の場合と同様に、実施例１と同一の箇所又は同一の効果を奏する箇所には同一の符号を付してその説明を省略する。したがって、実施例３に係るツインビーム半田付け装置１Ｂにおいても、実施例２に係るツインビーム半田付け装置１Ａと同様の効果を奏するものである。

上述した実施例２及び３に係るツインビーム半田付け装置１Ａ，１Ｂの制御は、例えば図８に示すようなフローチャートで示されるものである。

ステップ１００から開始される制御において、ステップ１１０において、例えば左側の半田付け箇所７３ａの温度Ｔａが検出され、ステップ１２０において、右側の半田付け箇所７３ｂの温度Ｔｂが検出され、ステップ１３０において、電子部品７１の温度Ｔｃが検出される。

ステップ１４０において、左右の半田付け箇所７３ａ，７３ｂの温度ＴａとＴｂが比較され、温度Ｔａが高い場合には、ステップ１６０に進んで分光用プリズム８０（８０’）を右側に移動させて右側のレーザビームの分光比を大きくして、例えば図６（ａ），（ｂ）で示すように左側半田付け箇所７３ａへのレーザビームを小さく、右側半田付け箇所の７３ｂへのレーザビームを大きくして左右のバランスを取るようにするものである。

また、ステップ１４０の判定において、温度Ｔａが高くない場合には、ステップ１５０に進んで温度Ｔａが温度Ｔｂより小さいか否かが判定される。ステップ１５０の判定において温度Ｔａが温度Ｔｂよりも小さい場合には、ステップ１７０に進んで分光用プリズム８０（８０’）を左側に移動させて左側のレーザビームの分光比を大きくして、例えば図５（ａ），（ｂ）で示すように右側半田付け箇所７３ｂへのレーザビームを小さく、左側半田付け箇所の７３ａへのレーザビームを大きくして左右のバランスを取るようにするものである。

以上の制御によって、左右のレーザビームのバランスが取れると、ステップ１４０及びステップ１５０の判定において温度Ｔａと温度Ｔｂが等しくなることから、ステップ１８０に進んで、ステップ１３０で検出された電子部品７１の温度Ｔｃが所定値αより大きいか否かが判定される。前記所定値αは、その電子部品７１の限界温度、許容温度などから設定されることが望ましい。

ステップ１８０の判定において、電子部品７１の温度Ｔｃが所定値αよりも高い場合には、ステップ１９０に進んでレーザ発生装置１０の出力を減少させて、電子部品７１への温度影響を防止する。また電子部品７１の温度Ｔｃが所定値α以下の場合には、ステップ２００に進んで電子部品７１の半田付け箇所７３ａ，７３ｂの半田付けが完了した場合には、ステップ２００で制御を完了させ、また半田付けが完了していない場合には、ステップ１１０に戻って温度制御を継続するものである。

以上のように、本発明によれば、実施例１のレーザ半田付け装置１、実施例２及び３のツインビームレーザ半田付け装置１Ａ，１Ｂにおいて、電子部品７１の温度を検出して、レーザビームの強度を調整することができるため、半田付けによって生じる電子部品７１の熱影響を抑制又は防止できるものである。これによって、せっかく半田付けが完了した電子部品が熱影響によって実は不良品となったことを防止できると共に、電子部品の寿命を延ばすことができるものである。

１レーザ半田付け装置
１Ａ，１Ｂツインレーザ半田付け装置
１０レーザ発生装置
１１コリメートレンズ
２０温度検出装置
２１近傍温度検出装置
３０撮影装置
４０レーザ光ガイド機構
４１全反射ミラー
４２第１のダイクロイックフィルタ
４３集光レンズ
５０映像ガイド機構
５１第２のダイクリイックフィルタ
５２全反射ミラー
５３集光レンズ
５４位置調整機構
６０赤外線ガイド機構
６１集光レンズ
６２位置調整機構
７０，７０ａ，７０ｂレーザエリア
７１電子部品
７２，７２ａ，７２ｂ端子
７３，７３ａ，７３ｂ半田付け箇所
７４，７４ａ，７４ｂ基板配線
７５映像エリア
７６温度検出エリア
８０分光用プリズム

Claims

所定の半田付け箇所にレーザ光を照射するレーザ光照射装置と、前記半田付け箇所の温度を検出する温度検出装置と、前記半田付け箇所周縁の映像を撮影する撮影装置と、前記レーザ光照射装置より発生した所定の波長のレーザ光を半田付け箇所に導くレーザガイド機構と、半田付け箇所からの映像を、前記撮影装置に導く映像ガイド機構と、前記半田付け箇所の所望の位置から放出される赤外線を温度検出装置まで導く赤外線ガイド機構とによって少なくとも構成されるレーザ半田付け装置において、
前記温度検出装置は、近傍温度検出装置として、前記半田付け近傍の電子部品から発生する赤外線を前記赤外線ガイド機構を介して受信し、該電子部品の温度を検出すること、
前記温度検出装置によって検出された検出温度が、電子部品に規定される温度以上とならないように、前記レーザ光照射装置を制御する制御装置とを具備すること、
前記レーザガイド機構は、前記レーザ光照射装置から発生するレーザ光を平行光に変換するコリメートレンズと、該平行光を９０°横方向に全反射させる全反射ミラーと、該全反射ミラーによって反射されたレーザ光を半田付け箇所方向に反射させる第１のダイクロイックフィルタと、レーザ光をハンダ付け箇所に集光させる集光レンズとによって構成されること、
前記映像ガイド機構は、半田付け箇所周縁の映像エリアからの可視光を集光する集光レンズと、可視光を透過させる第１のダイクロイックフィルタと、可視光のみを全反射させる第２のダイクロイックフィルタと、可視光の方向を９０°変える全反射ミラーと、可視光を集光させる集光レンズとによって構成されること、及び、
前記赤外線ガイド機構は、前記半田付け近傍の電子部品に対向して配置される集光レンズと、レーザ光のみを全反射させる第１のダイクロイックフィルタと、可視光のみを全反射させる第２のダイクロイックフィルタと、通過した赤外線のみを集光する集光レンズとによって構成されることを特徴とするレーザ半田付け装置。
前記レーザ光照射装置は、所定の波長のレーザ光を発生させるレーザ発生装置と、該レーザ発生装置により発生した所定の波長のレーザ光を分光する分光手段を具備すること、前記レーザガイド機構は、前記分光手段によって分光されたレーザ光を、所定の間隔で位置する２カ所の半田付け位置に照射することを特徴とする請求項１記載のレーザ半田付け装置。
前記分光手段は、前記温度検出装置によって検出される少なくとも２カ所の半田付け箇所の温度のバランスが良好となるように分光することを特徴とする請求項２記載のレーザ半田付け装置。
前記分光手段は、レーザ光の入射側に稜線を有するプリズムであり、前記稜線が前記レーザ光の入射側に対して左右に移動可能であることを特徴とする請求項３記載のレーザ半田付け装置。