JP7471156B2 - 極端紫外光集光ミラー及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
極端紫外光集光ミラー及び電子デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7471156B2 JP7471156B2 JP2020112007A JP2020112007A JP7471156B2 JP 7471156 B2 JP7471156 B2 JP 7471156B2 JP 2020112007 A JP2020112007 A JP 2020112007A JP 2020112007 A JP2020112007 A JP 2020112007A JP 7471156 B2 JP7471156 B2 JP 7471156B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- extreme ultraviolet
- ultraviolet light
- protective film
- multilayer reflective
- network
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 105
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 82
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 80
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N Arsenious Acid Chemical compound O1[As]2O[As]1O2 GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 SbO3 Chemical compound 0.000 claims description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Inorganic materials O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N phosphorus trioxide Inorganic materials O1P(O2)OP3OP1OP2O3 VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 51
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 10
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N stannane Chemical compound [SnH4] KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000080 stannane Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLOIXGFLXPCOGW-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Sn] Chemical compound [Ti].[Sn] BLOIXGFLXPCOGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
- G21K1/062—Devices having a multilayer structure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
- G03F7/70175—Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
本開示は、極端紫外光集光ミラー及び電子デバイスの製造方法に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。
Muralidharan, B.G., Agrawal, D.C. Sol-Gel derived TiO2-SiO2 fibres. J Sol-Gel Sci Technol 9, 85-93 (1997). https://doi.org/10.1007/BF02439339
本開示の一態様による極端紫外光集光ミラーは、基板と、基板上に設けられ、極端紫外光を反射する多層反射膜と、多層反射膜上に設けられる保護膜と、を備え、保護膜は、アモルファスの酸化チタンに網目形成酸化物が混合された混合膜を含む。
また、本開示の他の一態様による極端紫外光集光ミラーは、基板と、基板上に設けられ、極端紫外光を反射する多層反射膜と、多層反射膜上に設けられる保護膜と、を備え、保護膜は、２層以上のアモルファスの酸化チタン層と２層以上の網目形成酸化物層とが交互に積層された多層膜を含む。
本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光し、極端紫外光生成装置は、内部空間にレーザ光が集光され、レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、ターゲット物質のプラズマ化により放射される極端紫外光を集光する極端紫外光集光ミラーと、を備え、極端紫外光集光ミラーは、基板と、基板上に設けられ、極端紫外光を反射する多層反射膜と、多層反射膜上に設けられる保護膜と、を備え、保護膜は、アモルファスの酸化チタンに網目形成酸化物が混合された混合膜を含む。
また、本開示の他の一態様による電子デバイスの製造方法は、極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光し、極端紫外光生成装置は、内部空間にレーザ光が集光され、レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、ターゲット物質のプラズマ化により放射される極端紫外光を集光する極端紫外光集光ミラーと、を備え、極端紫外光集光ミラーは、基板と、基板上に設けられ、極端紫外光を反射する多層反射膜と、多層反射膜上に設けられる保護膜と、を備え、保護膜は、２層以上のアモルファスの酸化チタン層と２層以上の網目形成酸化物層とが交互に積層された多層膜を含む。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。
図２は、極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。
図３は、比較例におけるＥＵＶ光集光ミラーの断面図である。
図４は、実施形態１のＥＵＶ光集光ミラーにおける保護膜の概略を示す拡大図である。
図５は、図４の保護膜における厚み方向での網目形成酸化物の濃度の一例を示す図である。
図６は、図４の保護膜における厚み方向での網目形成酸化物の濃度の他の例を示す図である。
図７は、実施形態２のＥＵＶ光集光ミラーにおける保護膜の一例の断面を示す模式図である。
図８は、実施形態２のＥＵＶ光集光ミラーにおける保護膜の他の例の断面を示す模式図である。
１．概要
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．比較例のＥＵＶ光集光ミラーの説明
４．１ 構成
４．２ 課題
５．実施形態１のＥＵＶ光集光ミラーの説明
５．１ 構成
５．２ 作用・効果
６．実施形態２のＥＵＶ光集光ミラーの説明
６．１ 構成
６．２ 作用・効果
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．比較例のＥＵＶ光集光ミラーの説明
４．１ 構成
４．２ 課題
５．実施形態１のＥＵＶ光集光ミラーの説明
５．１ 構成
５．２ 作用・効果
６．実施形態２のＥＵＶ光集光ミラーの説明
６．１ 構成
６．２ 作用・効果
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．概要
本開示の実施形態は、極端紫外と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置で用いられる極端紫外光集光ミラー及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
本開示の実施形態は、極端紫外と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置で用いられる極端紫外光集光ミラー及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
２．電子デバイスの製造装置の説明
図１は、電子デバイスの製造装置を示す模式図である。図１に示すように、本例の電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
図１は、電子デバイスの製造装置を示す模式図である。図１に示すように、本例の電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
３．極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
極端紫外光生成装置について説明する。図２は、本例の極端紫外光生成装置１００の全体の概略構成例を示す模式図である。図２に示すように、本例のＥＵＶ光生成装置１００には、レーザ装置ＬＤが接続されている。本例のＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ装置１０、プロセッサＰＲ、及びレーザ光デリバリ光学系３０を主な構成として含む。
３．１ 構成
極端紫外光生成装置について説明する。図２は、本例の極端紫外光生成装置１００の全体の概略構成例を示す模式図である。図２に示すように、本例のＥＵＶ光生成装置１００には、レーザ装置ＬＤが接続されている。本例のＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ装置１０、プロセッサＰＲ、及びレーザ光デリバリ光学系３０を主な構成として含む。
チャンバ装置１０は、密閉可能な容器である。チャンバ装置１０はサブチャンバ１５を含み、サブチャンバ１５にはターゲット供給部４０が設けられている。ターゲット供給部４０は、タンク４１と、ノズル４２とを含む。ターゲット供給部４０は、ドロップレットＤＬをチャンバ装置１０の内部空間に供給するよう構成され、例えば、サブチャンバ１５の壁を貫通するように取り付けられている。ドロップレットＤＬは、ターゲットとも呼ばれ、ターゲット供給部４０から供給される。
タンク４１は、その内部にドロップレットＤＬとなるターゲット物質を貯蔵する。ターゲット物質は、スズを含む。また、タンク４１の内部は、ガス圧を調節する圧力調節器４３と配管を介して連通している。また、タンク４１にはヒータ４４が取り付けられている。ヒータ４４は、ヒータ電源４５から供給される電流により、タンク４１を加熱する。この加熱により、タンク４１内のターゲット物質は溶融する。
ノズル４２は、タンク４１に取り付けられ、ターゲット物質を吐出する。ノズル４２には、ピエゾ素子４６が取り付けられている。ピエゾ素子４６は、ピエゾ電源４７に電気的に接続されており、ピエゾ電源４７から印加される電圧で駆動される。このピエゾ素子４６の動作により、ノズル４２から吐出されるターゲット物質はドロップレットＤＬにされる。
また、チャンバ装置１０には、ターゲット回収部１４が設けられている。ターゲット回収部１４は不要なドロップレットＤＬを回収する。
チャンバ装置１０の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔は、ウィンドウ１２によって塞がれ、ウィンドウ１２をレーザ装置ＬＤから出射されるパルス状のレーザ光３０１が透過する。
また、チャンバ装置１０内には、レーザ集光光学系１３が配置されている。レーザ集光光学系１３は、レーザ光集光ミラー１３Ａおよび高反射ミラー１３Ｂを有する。レーザ光集光ミラー１３Ａは、ウィンドウ１２を透過するレーザ光３０１を反射して集光する。高反射ミラー１３Ｂは、レーザ光集光ミラー１３Ａが集光する光を反射する。レーザ光集光ミラー１３Ａおよび高反射ミラー１３Ｂの位置は、レーザ光マニュピレータ１３Ｃにより、チャンバ装置１０内でのレーザ集光位置がプロセッサＰＲから指定された位置になるように調節される。
チャンバ装置１０の内部には、概ね回転楕円面形状の反射面５５を有するＥＵＶ光集光ミラー５０が配置される。ＥＵＶ光集光ミラー５０は、ＥＵＶ光を反射するミラーであり、ＥＵＶ光に対して第１焦点及び第２焦点を有する。ＥＵＶ光集光ミラー５０は、例えば、第１焦点がプラズマ生成領域ＡＲに位置し、第２焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置される。ＥＵＶ光集光ミラー５０の中央部には貫通孔５０Ｈが設けられ、貫通孔５０Ｈをレーザ光３０１が通過する。
また、ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ装置１０の内部空間と露光装置２００の内部空間とを連通させる接続部１９を含む。接続部１９の内部には、アパーチャが形成された壁が設けられる。この壁は、アパーチャがＥＵＶ光集光ミラー５０の第２焦点に位置するように配置されることが好ましい。
また、ＥＵＶ光生成装置１００は、圧力センサ２６を含む。圧力センサ２６は、チャンバ装置１０の内部空間の圧力を計測する。また、ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ装置１０に取り付けられるターゲットセンサ２７を含む。ターゲットセンサ２７は、例えば撮像機能を有し、ドロップレットＤＬの存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成される。
レーザ装置ＬＤは、バースト動作する光源であるマスターオシレータを含む。マスターオシレータは、バーストオンでパルス状のレーザ光３０１を出射する。マスターオシレータは、例えば、ヘリウムや窒素等が炭酸ガス中に混合された気体を放電によって励起することで波長１０．６μｍのレーザ光を出射するＣＯ２レーザ装置である。また、マスターオシレータは、Ｑスイッチ方式により、パルス状のレーザ光３０１を出射してもよい。また、マスターオシレータは、光スイッチや偏光子等を有してもよい。なお、バースト動作とは、バーストオン時に連続したパルス状のレーザ光３０１を所定の繰り返し周波数で出射し、バーストオフ時にレーザ光３０１の出射を抑制する動作である。
レーザ装置ＬＤから出射するレーザ光３０１は、レーザ光デリバリ光学系３０で進行方向が調節される。レーザ光デリバリ光学系３０は、レーザ光３０１の進行方向を調節するための複数のミラー３０Ａ，３０Ｂを含み、これらミラー３０Ａ，３０Ｂの少なくとも１つの位置が不図示のアクチュエータで調節される。このようにミラー３０Ａ，３０Ｂの少なくとも１つの位置が調節されることで、レーザ光３０１がウィンドウ１２から適切にチャンバ装置１０内に伝搬し得る。
プロセッサＰＲは、制御プログラムが記憶された記憶装置と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（中央処理装置）とを含む処理装置である。プロセッサは本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。本例では、このプロセッサＰＲは、ＥＵＶ光生成装置１００全体を制御するよう構成され、さらにレーザ装置ＬＤをも制御する。プロセッサＰＲは、圧力調節器４３、ヒータ電源４５、ピエゾ電源４７、圧力センサ２６、及びターゲットセンサ２７等と電気的に接続されている。プロセッサＰＲには、圧力センサ２６で計測されたチャンバ装置１０の内部空間の圧力に係る信号や、ターゲットセンサ２７によって撮像されたドロップレットＤＬのイメージデータに係る信号や、露光装置２００からのバースト信号等が入力する。プロセッサＰＲは、上記イメージデータ等を処理するよう構成され、例えば、ドロップレットＤＬが出力されるタイミング、ドロップレットＤＬの出力方向等を制御するよう構成される。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、他の制御が追加されてもよい。
また、チャンバ装置１０には、エッチングガスをチャンバ装置１０の内部空間に供給するガス供給部７３が配置されている。ガス供給部７３は、配管を介してエッチングガスを供給するガス供給タンク７４に接続されている。上記のようにターゲット物質はスズを含むため、エッチングガスは、例えば水素ガス濃度が３％程度のバランスガスである。バランスガスには、窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスが含まれてもよい。なお、ガス供給部７３とガス供給タンク７４との間の配管には、不図示の供給ガス流量調節部が設けられてもよい。
ガス供給部７３は、円錐台の側面状の形状をしており、コーンと呼ばれる場合がある。ガス供給部７３のガス供給口はＥＵＶ光集光ミラー５０に設けられた貫通孔５０Ｈに挿入され、ガス供給部７３は当該貫通孔５０ＨからエッチングガスをＥＵＶ光集光ミラー５０から離れる方向に供給する。また、レーザ光３０１は、ガス供給部７３を介して、上記のようにＥＵＶ光集光ミラー５０の貫通孔５０Ｈを通過する。従って、ガス供給部７３のウィンドウ１２側はレーザ光３０１が透過可能な構成である。
ドロップレットＤＬを構成するターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲでプラズマ化するとスズの微粒子及びスズの荷電粒子が生じる。ガス供給部７３から供給されるエッチングガスは、これら微粒子及び荷電粒子を構成するスズと反応する水素を含む。スズが水素と反応すると常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ４）になる。
また、チャンバ装置１０には、一対の排気口１０Ｅが設けられている。それぞれの排気口１０Ｅは、例えばチャンバ装置１０の壁の互いに対向する位置に設けられている。残留ガスは、ターゲット物質のプラズマ化により生じたスズの微粒子及び荷電粒子と、それらがエッチングガスと反応したスタンナンと、未反応のエッチングガスとを含む。なお、荷電粒子の一部はチャンバ装置１０内で中性化するが、この中性化した荷電粒子も残留ガスに含まれる。この残留ガスが排気される排気口１０Ｅは排気管に接続されており、排気管は、排気装置７５に接続されている。従って、排気口１０Ｅから排気される残留ガスは、排気管を介して排気装置７５に流入する。
３．２ 動作
ＥＵＶ光生成装置１００では、例えば、新規導入時やメンテナンス時等において、チャンバ装置１０内の大気が排気される。その際、大気成分の排気のために、チャンバ装置１０内のパージと排気とを繰り返してもよい。パージガスには、例えば、窒素やアルゴンなどの不活性ガスが用いられることが好ましい。チャンバ装置１０内の大気が排気された後、チャンバ装置１０内の圧力が所定の圧力以下になると、プロセッサＰＲは、ガス供給部７３からチャンバ装置１０内へのエッチングガスの導入を開始する。このときプロセッサＰＲは、チャンバ装置１０の内部空間の圧力が所定の圧力に維持されるように、排気口１０Ｅから排気装置７５にチャンバ装置１０の内部空間内の気体を排気させながら、不図示の流量調節器を制御してもよい。プロセッサＰＲは、圧力センサ２６で計測されたチャンバ装置１０の内部空間の圧力にかかる信号に基づいて、チャンバ装置１０の内部空間内の圧力を略一定に保つ。このときのチャンバ装置１０の内部空間内の圧力は、例えば１０Ｐａ～８０Ｐａの範囲内である。
ＥＵＶ光生成装置１００では、例えば、新規導入時やメンテナンス時等において、チャンバ装置１０内の大気が排気される。その際、大気成分の排気のために、チャンバ装置１０内のパージと排気とを繰り返してもよい。パージガスには、例えば、窒素やアルゴンなどの不活性ガスが用いられることが好ましい。チャンバ装置１０内の大気が排気された後、チャンバ装置１０内の圧力が所定の圧力以下になると、プロセッサＰＲは、ガス供給部７３からチャンバ装置１０内へのエッチングガスの導入を開始する。このときプロセッサＰＲは、チャンバ装置１０の内部空間の圧力が所定の圧力に維持されるように、排気口１０Ｅから排気装置７５にチャンバ装置１０の内部空間内の気体を排気させながら、不図示の流量調節器を制御してもよい。プロセッサＰＲは、圧力センサ２６で計測されたチャンバ装置１０の内部空間の圧力にかかる信号に基づいて、チャンバ装置１０の内部空間内の圧力を略一定に保つ。このときのチャンバ装置１０の内部空間内の圧力は、例えば１０Ｐａ～８０Ｐａの範囲内である。
また、プロセッサＰＲは、タンク４１内のターゲット物質を融点以上の所定温度に加熱するために、ヒータ電源４５から電流を供給してヒータ４４を昇温する。その後、不図示の温度センサからの出力に基づいて、ヒータ電源４５からヒータ４４へ供給する電流量を調整し、ターゲット物質の温度を所定温度に制御する。なお、所定温度は、ターゲット物質としてスズが用いられる場合、例えば２５０℃～２９０℃の範囲内の温度である。
また、プロセッサＰＲは、ノズル４２のノズル孔から溶融したターゲット物質が所定の速度で出力するように、圧力調節器４３によってタンク４１内の圧力を制御する。ノズル４２の孔から吐出するターゲット物質はジェットの形態をとってもよい。このとき、プロセッサＰＲは、ドロップレットＤＬを生成するために、ピエゾ電源４７を介してピエゾ素子４６に所定波形の電圧を印加する。ピエゾ素子４６の振動は、ノズル４２を経由してノズル４２の孔から出力されるターゲット物質のジェットへと伝搬し得る。ターゲット物質のジェットは、この振動により所定周期で分断され、ターゲット物質から液滴のドロップレットＤＬが生成される。
また、プロセッサＰＲは、発光トリガをレーザ装置ＬＤに出力する。発光トリガが入力されると、レーザ装置ＬＤは、例えば波長１０．６μｍのパルス状のレーザ光３０１を出射する。出射されたレーザ光３０１は、レーザ光デリバリ光学系３０とウィンドウ１２とを経由して、レーザ集光光学系１３に入射する。このとき、プロセッサＰＲは、レーザ光３０１がプラズマ生成領域ＡＲで集光するように、レーザ集光光学系１３のレーザ光マニュピレータ１３Ｃを制御する。また、プロセッサＰＲは、ドロップレットＤＬにレーザ光３０１が照射されるように、ターゲットセンサ２７からの信号に基づいて、レーザ装置ＬＤからレーザ光３０１を出射させる。このため、レーザ光集光ミラー１３Ａで集光されるレーザ光３０１は、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットＤＬに照射される。この照射により生成されたプラズマから、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を含む光が放射される。
プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ光集光ミラー５０で反射されて、中間集光点ＩＦで集光された後、露光装置２００に入射する。なお、ドロップレットＤＬに照射されるレーザ光３０１の一部は、ドロップレットＤＬで反射して、その一部がＥＵＶ光集光ミラー５０で回折され、回折されたレーザ光３０１は、アパーチャへの伝搬が抑制される。
また、ターゲット物質がプラズマ化する際、上記のように荷電微粒子や電気的に中性な微粒子が生じる。これら微粒子の一部は、排気口１０Ｅに流入する。例えば、不図示の磁場発生部等が設けられ、プラズマ生成領域ＡＲで生じる荷電微粒子を排気口１０Ｅに収束させるための磁場が発生されてもよい。この場合、荷電微粒子は、磁場からローレンツ力を受けることで、磁力線に沿って螺旋軌道を描いて収束しながら排気口１０Ｅに誘導され、その多くが排気口１０Ｅに流入する。また、チャンバ装置１０内に拡散した微粒子の他の一部はＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５に付着する。反射面５５に付着した微粒子の一部は、ガス供給部７３から供給されるエッチングガスと反応し、この反応により所定の生成物となる。上記のように、ターゲット物質がスズであってエッチングガスが水素を含むガスである場合、生成物は常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ４）である。エッチングガスとの反応により得られた生成物は、未反応のエッチングガスの流れにのり排気口１０Ｅに流入する。排気口１０Ｅに流入した微粒子や残留ガスは、排気装置７５で無害化等の所定の排気処理が施される。
４．比較例のＥＵＶ光集光ミラーの説明
次に、上記のＥＵＶ光生成装置１００における比較例のＥＵＶ光集光ミラー５０を説明する。以下の説明では、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。
次に、上記のＥＵＶ光生成装置１００における比較例のＥＵＶ光集光ミラー５０を説明する。以下の説明では、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。
４．１ 構成
図３は、本比較例におけるＥＵＶ光集光ミラー５０の断面図である。図３に示すようにＥＵＶ光集光ミラー５０は、基板５１と、多層反射膜５２と、保護膜５３とを備える。
図３は、本比較例におけるＥＵＶ光集光ミラー５０の断面図である。図３に示すようにＥＵＶ光集光ミラー５０は、基板５１と、多層反射膜５２と、保護膜５３とを備える。
基板５１は、図２に示すＥＵＶ光集光ミラー５０と概ね同じ形状であり、反射面５５側の一方の面が概ね回転楕円形状に窪んだ形状をしている。具体的には、この一方の面は、第１焦点であるプラズマ生成領域ＡＲとこの第１焦点と異なる位置の第２焦点である中間集光点ＩＦとが共役関係となる楕円面形状をしている。
基板５１の上記一方の面上には、多層反射膜５２が設けられている。本比較例の多層反射膜５２は、シリコン層５２Ｓと、モリブデン層５２Ｍとが交互に積層されて成る。なお、基板５１の一方の面上に不図示のニッケル－金めっき層が設けられ、この層上に多層反射膜５２が設けられてもよい。本例では、多層反射膜５２の最表面の層はシリコン層５２Ｓである。多層反射膜５２の層数は、例えば、５０層以上１００層以下であることが好ましい。波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光１０１に対して、シリコン層５２Ｓの実屈折率は０．９９であり、モリブデン層５２Ｍの実屈折率は０．９２である。なお、多層反射膜５２に用いられる層は、シリコンやモリブデン以外の層でもよい。この場合、一方の層の実屈折率は波長１３．５ｎｍの光に対して０．９８以上で、他方の層の実屈折率は波長１３．５ｎｍの光に対して０．９５以下であることが好ましい。
多層反射膜５２上には、保護膜５３が設けられている。従って、多層反射膜５２における最表面のシリコン層５２Ｓは、保護膜５３と接する。保護膜５３は、アモルファスの酸化チタンから成る。保護膜５３の一方の表面は、チャンバ装置１０の内部空間に露出している。
ドロップレットＤＬのプラズマ化の際に生じた微粒子のうち、ＥＵＶ光集光ミラー５０の保護膜５３の表面に向かう微粒子は、上記のように、ガス供給部７３から供給されるガスと反応することで、所定の生成物となる。一部の微粒子は保護膜５３に付着するが、保護膜５３を構成する酸化チタンはエッチング性能に優れ、スズの保護膜５３への付着を抑制する。
４．２ 課題
ＥＵＶ光生成装置１００を使用すると、プラズマ生成領域ＡＲから放射されるＥＵＶ光や他の波長の光の一部を吸収することで、保護膜５３の温度は上昇する。このように保護膜５３の温度が上昇した状態で、プラズマ生成領域ＡＲから放出される高速のスズイオンが保護膜５３に衝突することで、保護膜５３においてチタン－スズ合金が生成されて、酸化チタンが結晶化し得る。また、温度が上昇した保護膜５３が高温・高濃度のスタンナンガスや水素ガスに暴露されることで、酸化チタンが結晶化し得る。また、保護膜５３の温度が上昇した状態で、保護膜５３の表面近傍において発生する水素プラズマやラジカルの衝突により生じる水素脆化により酸化チタンが結晶化し得る。酸化チタンの結晶化では、まず、結晶核が生成され、この結晶核が成長してサイズの大きな酸化チタン結晶となる。従って、ＥＵＶ光生成装置１００の長時間の使用により、サイズの大きな多数の酸化チタンの結晶がいたるところに生成され得る。このとき生じる酸化チタンの結晶は、ルチル型或いはアナターゼ型である。
ＥＵＶ光生成装置１００を使用すると、プラズマ生成領域ＡＲから放射されるＥＵＶ光や他の波長の光の一部を吸収することで、保護膜５３の温度は上昇する。このように保護膜５３の温度が上昇した状態で、プラズマ生成領域ＡＲから放出される高速のスズイオンが保護膜５３に衝突することで、保護膜５３においてチタン－スズ合金が生成されて、酸化チタンが結晶化し得る。また、温度が上昇した保護膜５３が高温・高濃度のスタンナンガスや水素ガスに暴露されることで、酸化チタンが結晶化し得る。また、保護膜５３の温度が上昇した状態で、保護膜５３の表面近傍において発生する水素プラズマやラジカルの衝突により生じる水素脆化により酸化チタンが結晶化し得る。酸化チタンの結晶化では、まず、結晶核が生成され、この結晶核が成長してサイズの大きな酸化チタン結晶となる。従って、ＥＵＶ光生成装置１００の長時間の使用により、サイズの大きな多数の酸化チタンの結晶がいたるところに生成され得る。このとき生じる酸化チタンの結晶は、ルチル型或いはアナターゼ型である。
保護膜５３を構成する酸化チタンが結晶化すると、保護膜５３の表面が荒れ、保護膜５３の表面でＥＵＶ光が散乱し易くなり、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射性能が低下する原因となり得る。また、酸化チタンが結晶化すると、保護膜５３の酸化チタンに粗密が生じ、保護膜５３のガスバリア性能が低下して、保護膜５３と多層反射膜５２との間に水素ブリスタ等が生じる場合がある。この水素ブリスタは多層反射膜５２を劣化させ得、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射性能が低下する原因となり得る。
そこで、以下の実施形態では、ＥＵＶ光の反射率の低下を抑制し得るＥＵＶ光集光ミラー５０が例示される。
５．実施形態１のＥＵＶ光集光ミラーの説明
次に、実施形態１のＥＵＶ光集光ミラー５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。なお、以下、ターゲット物質の材料がスズであり、ガス供給部７３から供給されるガスが水素を含む場合を例に説明をする。
次に、実施形態１のＥＵＶ光集光ミラー５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。なお、以下、ターゲット物質の材料がスズであり、ガス供給部７３から供給されるガスが水素を含む場合を例に説明をする。
５．１ 構成
図４は、本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０における保護膜５３の概略を示す拡大図である。図４に示すように、本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０は、全体の各層の配置等は比較例の構成はＥＵＶ光集光ミラー５０と同じであるが、保護膜５３がアモルファスの酸化チタンに網目形成酸化物が混合された混合膜を含む点において、比較例のＥＵＶ光集光ミラー５０と異なる。
図４は、本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０における保護膜５３の概略を示す拡大図である。図４に示すように、本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０は、全体の各層の配置等は比較例の構成はＥＵＶ光集光ミラー５０と同じであるが、保護膜５３がアモルファスの酸化チタンに網目形成酸化物が混合された混合膜を含む点において、比較例のＥＵＶ光集光ミラー５０と異なる。
網目形成酸化物としては、ＳｉＯ２，Ｂ２Ｏ３，ＧｅＯ２，Ｐ２Ｏ５，Ａｓ２Ｏ３，ＳｂＯ３，Ｂｉ２Ｏ３，Ｐ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｓｂ２Ｏ５，Ｃｂ２Ｏ５，ＳＯ３，ＺｒＯ２が挙げられる。上記混合膜は、これら網目形成酸化物の少なくとも１つが酸化チタンに混合されて成る。中でもＳｉＯ２は、他の網目形成酸化物よりも酸素ブロック性能が高い。従って、酸化チタンに混合される網目形成酸化物はＳｉＯ２であることが好ましい。
保護膜５３の厚みは、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。保護膜５３の厚みが２ｎｍ以上であれば、多層反射膜５２にスズの微粒子等が達することを抑制し得、また、水素が多層反射膜５２に達することを抑制し得る。保護膜５３の厚みが２０ｎｍ以下であれば、保護膜５３におけるＥＵＶ光の吸収量を抑えることができ、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射率の低下を抑制することができる。
図５は、図４の保護膜５３における厚み方向での網目形成酸化物の濃度の一例を示す図である。図５では、横軸が保護膜５３の厚み方向を示し、０が保護膜５３の表面の位置を示し、Ｉが保護膜５３と多層反射膜５２との界面の位置を示す。図５で示す例では、保護膜５３における網目形成酸化物の濃度は、厚み方向において一定である。従って、本例では、保護膜５３全体が混合膜から成る。図５では、この濃度がＣで示されている。この場合、保護膜５３における網目形成酸化物の濃度は、１ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。網目形成酸化物の濃度が５０ｍｏｌ％以下であることで、保護膜５３に付着するスズのエッチング性能を十分に発揮し得、ＥＵＶ光の保護膜５３の透過率の低下が抑制され得る。なお、網目形成酸化物がＳｉＯ２である場合、この濃度は、２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であることが、酸化チタンの結晶化を効果的に抑制する観点から好ましい。
図６は、図４の保護膜５３における厚み方向での網目形成酸化物の濃度の他の例を図５と同様の方法で示す図である。図６に示すように、本例では、保護膜５３における網目形成酸化物の濃度は、保護膜５３の表面側よりも多層反射膜５２側において高い。具体的には、保護膜５３の表面では、網目形成酸化物が含まれずに酸化チタンが１００％である。そして、表面側から多層反射膜５２側に向かって網目形成酸化物の濃度が徐々に高くなり、保護膜５３と多層反射膜５２との界面では、酸化チタンが含まれずに網目形成酸化物が１００％である。従って、本例では、保護膜５３における最表面及び保護膜５３と多層反射膜５２との界面を除いて、混合膜であると理解できる。保護膜５３の表面において酸化チタンが１００％であることで、スズのエッチング性能をより効果的に高くし得る。また、酸化チタンの結晶化は、保護膜５３の表面側よりも多層反射膜５２側で生じ易い。従って、表面側から多層反射膜５２側に向かって網目形成酸化物の濃度が徐々に高くなることで、酸化チタンの結晶化をより効果的に抑制し得る。また、酸化チタンの結晶化は、保護膜５３と多層反射膜５２との界面近傍で最も多く発生する傾向にある。従って、保護膜５３と多層反射膜５２との界面において網目形成酸化物が１００％であることで、酸化チタンの結晶化をより効果的に抑制し得る。なお、本例では、保護膜５３における網目形成酸化物の濃度が保護膜５３の表面側よりも多層反射膜５２側の方において高ければ、保護膜５３の表面において網目形成酸化物が含まれてもよい。同様に、保護膜５３と多層反射膜５２との界面において酸化チタンが含まれてもよい。
５．２ 作用・効果
本実施形態の保護膜５３は、アモルファスの酸化チタンに網目形成酸化物が混合された混合膜を含む。酸化チタンに網目形成酸化物が混合されることで、酸化チタンに結晶核が生成されたとしても、当該結晶核は網目形成酸化物で囲まれる。このため、酸化チタンの結晶核が生成されたとしても、結晶核同士の接触を抑制することができる。また、網目形成酸化物により、チタン及び酸素イオンの移動度を抑制することができる。従って、酸化チタンの結晶核が成長することを抑制することができる。また、酸化チタンの結晶核の成長が抑制されれば、当該結晶核の生成と消失とが繰り返される。従って、酸化チタンの結晶核の成長が抑制されることで、結晶核が増えることが抑制され得、成長する結晶核の出現が抑制され得る。
本実施形態の保護膜５３は、アモルファスの酸化チタンに網目形成酸化物が混合された混合膜を含む。酸化チタンに網目形成酸化物が混合されることで、酸化チタンに結晶核が生成されたとしても、当該結晶核は網目形成酸化物で囲まれる。このため、酸化チタンの結晶核が生成されたとしても、結晶核同士の接触を抑制することができる。また、網目形成酸化物により、チタン及び酸素イオンの移動度を抑制することができる。従って、酸化チタンの結晶核が成長することを抑制することができる。また、酸化チタンの結晶核の成長が抑制されれば、当該結晶核の生成と消失とが繰り返される。従って、酸化チタンの結晶核の成長が抑制されることで、結晶核が増えることが抑制され得、成長する結晶核の出現が抑制され得る。
本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０では、酸化チタンの結晶核が大きくなることが抑制されることで、保護膜５３の表面でのＥＵＶ光の散乱や、保護膜５３のガスバリア性能の低下が抑制される。従って、本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０は、ＥＵＶ光の反射率の低下を抑制し得る。
６．実施形態２のＥＵＶ光集光ミラーの説明
次に、実施形態２のＥＵＶ光集光ミラー５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態２のＥＵＶ光集光ミラー５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
６．１ 構成
図７は、本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０における保護膜５３の一例の断面を示す模式図である。図７に示すように、本実施形態の保護膜５３は、アモルファスの酸化チタン層５３Ｔと網目形成酸化物層５３Ｇとが交互に積層された多層膜を含む点において、比較例のＥＵＶ光集光ミラー５０と異なる。本実施形態では、保護膜５３全体が多層膜から成る。保護膜５３の層数は、図７に示される層数に限定されず、酸化チタン層５３Ｔ及び網目形成酸化物層５３Ｇがそれぞれ２層以上であり、酸化チタン層５３Ｔと網目形成酸化物層５３Ｇとの合計が１００層以下であることが好ましい。
図７は、本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０における保護膜５３の一例の断面を示す模式図である。図７に示すように、本実施形態の保護膜５３は、アモルファスの酸化チタン層５３Ｔと網目形成酸化物層５３Ｇとが交互に積層された多層膜を含む点において、比較例のＥＵＶ光集光ミラー５０と異なる。本実施形態では、保護膜５３全体が多層膜から成る。保護膜５３の層数は、図７に示される層数に限定されず、酸化チタン層５３Ｔ及び網目形成酸化物層５３Ｇがそれぞれ２層以上であり、酸化チタン層５３Ｔと網目形成酸化物層５３Ｇとの合計が１００層以下であることが好ましい。
本実施形態の網目形成酸化物として、実施形態１で例示した網目形成酸化物と同様のものが挙げられる。網目形成酸化物層５３Ｇのそれぞれは、これら網目形成酸化物の少なくとも１つから成る。例えば、１つの網目形成酸化物層５３Ｇに２種類以上の網目形成酸化物が含有されてもよく、２つの網目形成酸化物層５３Ｇに含有される網目形成酸化物の種類が異なってもよい。網目形成酸化物層５３Ｇを構成する網目形成酸化物としては、実施形態１で説明した理由と同様の理由から、ＳｉＯ２であることが好ましい。
本実施形態の保護膜５３の厚みは、実施形態１の保護膜５３の厚みと同様であることが、実施形態１で説明した理由と同様の理由から好ましい。
本例では、それぞれの酸化チタン層５３Ｔの厚みは互いに等しく、また、それぞれの網目形成酸化物層５３Ｇの厚みは互いに等しい。また、それぞれの酸化チタン層５３Ｔ及びそれぞれの網目形成酸化物層５３Ｇの厚みは、０．２ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましい。ただし、それぞれの酸化チタン層５３Ｔの厚みとそれぞれの網目形成酸化物層５３Ｇの厚みとの合計は、保護膜５３の厚み以下である。それぞれの酸化チタン層５３Ｔ及びそれぞれの網目形成酸化物層５３Ｇの厚みが０．２ｎｍ以上であることで、酸化チタン層５３Ｔを挟む一対の網目形成酸化物層５３Ｇ同士が接触することが抑制され得、網目形成酸化物層５３Ｇを挟む一対の酸化チタン層５３Ｔ同士が接触することを抑制し得る。特に、網目形成酸化物層５３Ｇを挟む一対の酸化チタン層５３Ｔ同士が接触することが抑制され得ることで、酸化チタン層５３Ｔの厚みが部分的に大きくなることが抑制され得、酸化チタン層５３Ｔの結晶核が成長することがより効果的に抑制され得る。また、酸化チタン層５３Ｔの厚みが５ｎｍ以下であることで、酸化チタン層５３Ｔに結晶核が生成されても、結晶核が成長することがより効果的に抑制され得る。
なお、それぞれの網目形成酸化物層５３Ｇの厚みの合計が、それぞれの酸化チタン層５３Ｔの厚みの合計以下であることが好ましい。このような厚みとなるようにそれぞれの層が形成されることで、ＥＵＶ光の保護膜５３の透過率の低下を抑制し得る。
また、本実施形態では、保護膜５３の最表層は酸化チタン層５３Ｔであり、最も多層反射膜５２側の層は網目形成酸化物層５３Ｇであり、この網目形成酸化物層５３Ｇは多層反射膜５２上に設けられている。保護膜５３の最表層が酸化チタン層５３Ｔあることで、スズのエッチング性能をより効果的に高くし得る。また、実施形態１で説明した様に、酸化チタンの結晶化は、保護膜５３と多層反射膜５２との界面近傍で最も多く発生する傾向にある。従って、多層反射膜５２上に網目形成酸化物層５３Ｇが設けられることで、酸化チタンの結晶化をより効果的に抑制し得る。
図８は、本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０における保護膜５３の他の例の断面を示す模式図である。なお、図７で説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。図８に示すように、本例では、それぞれの酸化チタン層５３Ｔの厚みは一定であり、網目形成酸化物層５３Ｇの厚みは、最表層側から多層反射膜５２側に向かって徐々に大きくなる。従って、本例の保護膜５３では、それぞれの網目形成酸化物層５３Ｇと最表層側で接する酸化チタン層５３Ｔの厚みに対するそれぞれの網目形成酸化物層５３Ｇの厚み比は、最表層側よりも多層反射膜５２側の方が大きい。酸化チタンの結晶化は保護膜５３の表面側よりも多層反射膜５２側で生じ易い傾向にある。このため、多層反射膜５２側において酸化チタン層５３Ｔの厚みに対する網目形成酸化物層５３Ｇの厚み比が大きいことで、多層反射膜５２側における酸化チタンの結晶化がより効果的に抑制され得る。なお、それぞれの網目形成酸化物層５３Ｇの厚みは一定であり、酸化チタン層５３Ｔの厚みが最表層側から多層反射膜５２側に向かって徐々に大きくなってもよい。このような構成であっても、多層反射膜５２側において酸化チタン層５３Ｔの厚みに対する網目形成酸化物層５３Ｇの厚み比が大きくなる。なお、特に図示しないが、本例において、それぞれの網目形成酸化物層５３Ｇの構成は上記説明と同様で、それぞれの酸化チタン層５３Ｔの厚みが最表層側から多層反射膜５２側に向かって徐々に小さくなってもよい。
上記の酸化チタン層５３Ｔの厚みに対する網目形成酸化物層５３Ｇの厚み比は、例えば、「網目形成酸化物層５３Ｇの厚み」／「酸化チタン層５３Ｔの厚み」が最表層側において１／２以上１以下あることが好ましく、最も多層反射膜５２側において１以上２以下であることが好ましい。
なお、特に図示しないが、図８の例と異なり、それぞれの酸化チタン層５３Ｔの厚みが最表層側から多層反射膜５２側に向かって徐々に小さくなり、網目形成酸化物層５３Ｇの厚みが一定であってもよい。この場合であっても、それぞれの網目形成酸化物層５３Ｇと最表層側で接する酸化チタン層５３Ｔの厚みに対するそれぞれの網目形成酸化物層５３Ｇの厚み比は、最表層側よりも多層反射膜５２側の方が大きい。
６．２ 作用・効果
本実施形態の保護膜５３は、２層以上のアモルファスの酸化チタン層５３Ｔと、２層以上の網目形成酸化物層５３Ｇとが交互に積層された多層膜を含む。このような構成であることで、酸化チタンに結晶核が生成されたとしても、保護膜５３の厚み方向における当該結晶核の成長は、網目形成酸化物層５３Ｇにより抑制され得る。また、酸化チタンの結晶核の成長が抑制されることで、当該結晶核の生成と消失とが繰り返され、結晶核が増えすぎることが抑制され得、結晶核の量が増えることが抑制され得る。本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０では、酸化チタンの結晶が大きくなることが抑制されることで、保護膜５３の表面でのＥＵＶ光の散乱や、保護膜５３のガスバリア性能の低下が抑制される。従って、本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０は、ＥＵＶ光の反射率の低下を抑制し得る。
本実施形態の保護膜５３は、２層以上のアモルファスの酸化チタン層５３Ｔと、２層以上の網目形成酸化物層５３Ｇとが交互に積層された多層膜を含む。このような構成であることで、酸化チタンに結晶核が生成されたとしても、保護膜５３の厚み方向における当該結晶核の成長は、網目形成酸化物層５３Ｇにより抑制され得る。また、酸化チタンの結晶核の成長が抑制されることで、当該結晶核の生成と消失とが繰り返され、結晶核が増えすぎることが抑制され得、結晶核の量が増えることが抑制され得る。本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０では、酸化チタンの結晶が大きくなることが抑制されることで、保護膜５３の表面でのＥＵＶ光の散乱や、保護膜５３のガスバリア性能の低下が抑制される。従って、本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０は、ＥＵＶ光の反射率の低下を抑制し得る。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態や変形例に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
Claims (20)
- 基板と、
前記基板上に設けられ、極端紫外光を反射する多層反射膜と、
前記多層反射膜上に設けられる保護膜と、
を備え、
前記保護膜は、アモルファスの酸化チタンに網目形成酸化物が混合された混合膜を含む
極端紫外光集光ミラー。 - 請求項１に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
前記網目形成酸化物は、ＳｉＯ２，Ｂ２Ｏ３，ＧｅＯ２，Ｐ２Ｏ５，Ａｓ２Ｏ３，ＳｂＯ３，Ｂｉ２Ｏ３，Ｐ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｓｂ２Ｏ５，Ｃｂ２Ｏ５，ＳＯ３，ＺｒＯ２の少なくとも１つである。 - 請求項１に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
前記保護膜の厚みは、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。 - 請求項１に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
前記保護膜における前記網目形成酸化物の濃度は、厚み方向において一定である。 - 請求項４に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
前記保護膜における前記網目形成酸化物の濃度は、５０ｍｏｌ％以下である。 - 請求項１に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
前記保護膜における前記網目形成酸化物の濃度は、前記保護膜の表面側よりも前記多層反射膜側において高い。 - 基板と、
前記基板上に設けられ、極端紫外光を反射する多層反射膜と、
前記多層反射膜上に設けられる保護膜と、
を備え、
前記保護膜は、２層以上のアモルファスの酸化チタン層と２層以上の網目形成酸化物層とが交互に積層された多層膜を含む
極端紫外光集光ミラー。 - 請求項７に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
前記網目形成酸化物層の網目形成酸化物は、ＳｉＯ２，Ｂ２Ｏ３，ＧｅＯ２，Ｐ２Ｏ５，Ａｓ２Ｏ３，ＳｂＯ３，Ｂｉ２Ｏ３，Ｐ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｓｂ２Ｏ５，Ｃｂ２Ｏ５，ＳＯ３，ＺｒＯ２の少なくとも１つである。 - 請求項７に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
前記保護膜の厚みは、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。 - 請求項９に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
前記酸化チタン層及び前記網目形成酸化物層の１層の厚みは、それぞれ０．２ｎｍ以上５ｎｍ以下である。 - 請求項７に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
前記多層反射膜上に前記網目形成酸化物層が設けられる。 - 請求項７に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
前記保護膜の最表層は前記酸化チタン層である。 - 請求項１２に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
それぞれの前記網目形成酸化物層と前記最表層側で接する前記酸化チタン層の厚みに対するそれぞれの前記網目形成酸化物層の厚み比は、前記最表層側よりも前記多層反射膜側の方が大きい。 - 請求項１３に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
前記網目形成酸化物層の厚みは前記最表層側よりも前記多層反射膜側の方が大きい。 - 内部空間にレーザ光が集光され、前記レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、
前記ターゲット物質のプラズマ化により放射される極端紫外光を集光する極端紫外光集光ミラーと、
を備え、
前記極端紫外光集光ミラーは、
基板と、
前記基板上に設けられ、前記極端紫外光を反射する多層反射膜と、
前記多層反射膜上に設けられる保護膜と、
を備え、
前記保護膜は、アモルファスの酸化チタンに網目形成酸化物が混合された混合膜を含む
極端紫外光生成装置。 - 請求項１５に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ターゲット物質はスズを含み、
前記チャンバ内の雰囲気は水素ガスを含む。 - 内部空間にレーザ光が集光され、前記レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、
前記ターゲット物質のプラズマ化により放射される極端紫外光を集光する極端紫外光集光ミラーと、
を備え、
前記極端紫外光集光ミラーは、
基板と、
前記基板上に設けられ、極端紫外光を反射する多層反射膜と、
前記多層反射膜上に設けられる保護膜と、
を備え、
前記保護膜は、２層以上のアモルファスの酸化チタン層と２層以上の網目形成酸化物層とが交互に積層された多層膜を含む
極端紫外光生成装置。 - 請求項１７に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ターゲット物質はスズを含み、
前記チャンバ内の雰囲気は水素ガスを含む。 - 極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光し、
前記極端紫外光生成装置は、
内部空間にレーザ光が集光され、前記レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、
前記ターゲット物質のプラズマ化により放射される前記極端紫外光を集光する極端紫外光集光ミラーと、
を備え、
前記極端紫外光集光ミラーは、
基板と、
前記基板上に設けられ、前記極端紫外光を反射する多層反射膜と、
前記多層反射膜上に設けられる保護膜と、
を備え、
前記保護膜は、アモルファスの酸化チタンに網目形成酸化物が混合された混合膜を含む
電子デバイスの製造方法。 - 極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光し、
前記極端紫外光生成装置は、
内部空間にレーザ光が集光され、前記レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、
前記ターゲット物質のプラズマ化により放射される前記極端紫外光を集光する極端紫外光集光ミラーと、
を備え、
前記極端紫外光集光ミラーは、
基板と、
前記基板上に設けられ、前記極端紫外光を反射する多層反射膜と、
前記多層反射膜上に設けられる保護膜と、
を備え、
前記保護膜は、２層以上のアモルファスの酸化チタン層と２層以上の網目形成酸化物層とが交互に積層された多層膜を含む
電子デバイスの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020112007A JP7471156B2 (ja) | 2020-06-29 | 2020-06-29 | 極端紫外光集光ミラー及び電子デバイスの製造方法 |
| NL2027952A NL2027952B1 (en) | 2020-06-29 | 2021-04-13 | Extreme ultraviolet light concentrating mirror and electronic device manufacturing method |
| US17/230,456 US11410785B2 (en) | 2020-06-29 | 2021-04-14 | Extreme ultraviolet light concentrating mirror and electronic device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020112007A JP7471156B2 (ja) | 2020-06-29 | 2020-06-29 | 極端紫外光集光ミラー及び電子デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022011107A JP2022011107A (ja) | 2022-01-17 |
| JP7471156B2 true JP7471156B2 (ja) | 2024-04-19 |
Family
ID=79031362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020112007A Active JP7471156B2 (ja) | 2020-06-29 | 2020-06-29 | 極端紫外光集光ミラー及び電子デバイスの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11410785B2 (ja) |
| JP (1) | JP7471156B2 (ja) |
| NL (1) | NL2027952B1 (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003227898A (ja) | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、軟ｘ線光学機器、露光装置及びその清掃方法 |
| JP2005098903A (ja) | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、その製造方法、軟ｘ線光学機器及び露光装置 |
| US20060175616A1 (en) | 2005-02-07 | 2006-08-10 | Manish Chandhok | Pre-oxidized protective layer for lithography |
| WO2008090988A1 (ja) | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Nikon Corporation | 光学素子、これを用いた露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP2008288299A (ja) | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| WO2019077735A1 (ja) | 2017-10-20 | 2019-04-25 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光用ミラー及び極端紫外光生成装置 |
| WO2019186921A1 (ja) | 2018-03-29 | 2019-10-03 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
| US20200103433A1 (en) | 2018-09-28 | 2020-04-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Particle image velocimetry of extreme ultraviolet lithography systems |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2475192C (en) * | 2002-02-11 | 2008-12-09 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Solar control coating |
| US20070178316A1 (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Guardian Industries Corp. | First surface mirror with sol-gel applied protective coating for use in solar collector or the like |
| NL2017671A (en) | 2015-11-11 | 2017-05-26 | Asml Netherlands Bv | A radiation system and optical device |
| US10880981B2 (en) * | 2017-09-29 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Collector pellicle |
| WO2019077736A1 (ja) | 2017-10-20 | 2019-04-25 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光用ミラー及び極端紫外光生成装置 |
| WO2019077734A1 (ja) | 2017-10-20 | 2019-04-25 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光用ミラー及び極端紫外光生成装置 |
-
2020
- 2020-06-29 JP JP2020112007A patent/JP7471156B2/ja active Active
-
2021
- 2021-04-13 NL NL2027952A patent/NL2027952B1/en active
- 2021-04-14 US US17/230,456 patent/US11410785B2/en active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003227898A (ja) | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、軟ｘ線光学機器、露光装置及びその清掃方法 |
| JP2005098903A (ja) | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、その製造方法、軟ｘ線光学機器及び露光装置 |
| US20060175616A1 (en) | 2005-02-07 | 2006-08-10 | Manish Chandhok | Pre-oxidized protective layer for lithography |
| WO2008090988A1 (ja) | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Nikon Corporation | 光学素子、これを用いた露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP2008288299A (ja) | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| WO2019077735A1 (ja) | 2017-10-20 | 2019-04-25 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光用ミラー及び極端紫外光生成装置 |
| WO2019186921A1 (ja) | 2018-03-29 | 2019-10-03 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
| US20200103433A1 (en) | 2018-09-28 | 2020-04-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Particle image velocimetry of extreme ultraviolet lithography systems |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 安部俊夫，"ガラスの組成"，窯業協會誌，日本，公益社団法人 日本セラミックス協会，1955年，63巻, 710号，p.337-342，DOI: 10.2109/jcersj1950.63.710_337 |
| 陶山容子, 加藤昭夫，"TiO2の相転移に対するSiO2の抑制効果"，窯業協會誌，日本，公益社団法人 日本セラミックス協会，1978年，86巻, 991号，p.119-125，DOI: 10.2109/jcersj1950.86.991_119 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11410785B2 (en) | 2022-08-09 |
| JP2022011107A (ja) | 2022-01-17 |
| NL2027952A (en) | 2022-02-17 |
| NL2027952B1 (en) | 2023-05-25 |
| US20210407700A1 (en) | 2021-12-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9516730B2 (en) | Systems and methods for buffer gas flow stabilization in a laser produced plasma light source | |
| CN101002305A (zh) | 激光等离子euv光源、靶材构件、胶带构件、靶材构件的制造方法、靶材的提供方法以及euv曝光装置 | |
| US11979971B2 (en) | EUV light source and apparatus for lithography | |
| JP7471156B2 (ja) | 極端紫外光集光ミラー及び電子デバイスの製造方法 | |
| US11350514B2 (en) | Extreme ultraviolet light generation apparatus, and electronic device manufacturing method | |
| JP2014527273A (ja) | 放射源及びリソグラフィ装置 | |
| JP3897287B2 (ja) | Ｌｐｐ光源装置 | |
| US10976665B2 (en) | Extreme ultraviolet light generation apparatus and electronic device manufacturing method | |
| US11940736B2 (en) | Tin trap device, extreme ultraviolet light generation apparatus, and electronic device manufacturing method | |
| JP7496759B2 (ja) | スズトラップ装置、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 | |
| US11119421B2 (en) | Extreme ultraviolet light condensation mirror, extreme ultraviolet light generation apparatus, and electronic device manufacturing method | |
| WO2016027346A1 (ja) | 極端紫外光生成システムおよび極端紫外光生成方法 | |
| JP7403271B2 (ja) | 極端紫外光集光ミラー、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 | |
| US10859918B2 (en) | Semiconductor apparatus and method of operating the same | |
| JP7389691B2 (ja) | 極端紫外光生成装置、極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法 | |
| JP7467174B2 (ja) | チャンバ装置、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 | |
| JP2021099411A (ja) | 極端紫外光集光ミラー、極端紫外光集光ミラーの製造方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
| JP7143439B2 (ja) | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 | |
| US11720027B2 (en) | Apparatus for generating extreme ultraviolet light and lithography apparatus including the same | |
| TW202109621A (zh) | 微影曝光製程之方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230510 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231226 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20231226 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240228 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240319 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240409 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7471156 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |