JP7469220B2 - 発光表示装置及び発光表示装置の駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光表示装置及び発光表示装置の駆動方法に関する。

近年、安定して高品質な表示が可能な発光表示装置が求められている。
従来の発光表示装置では、素子の劣化によって、安定した高品質な表示が困難である。

従来技術の一例である特許文献１には、ＯＬＥＤ素子の劣化をセンシングする技術が開示されている。
特許文献１に開示された技術においては、複数のサブ画素が１つの基準電圧線を共有し、スキャンＴＦＴ（Thin Film Transistor）とセンシングＴＦＴとが共通する１つのゲート線に接続されたＯＬＥＤ画素において、選択した１つのサブ画素のＯＬＥＤ素子の劣化をセンシングしている。

韓国公開特許第１０－２０１７－００２１４０６号公報

しかしながら、上記の従来技術によれば、センシングＴＦＴの劣化によるしきい値電圧の変動に伴ってセンシング値が変動してしまうため、ＯＬＥＤ素子の劣化の正確なセンシングが困難である、という問題があった。

本発明は、上記に鑑み、ＯＬＥＤ素子の劣化を正確にセンシングする技術を提供することを目的とする。

上述の課題を解決して目的を達成する本発明の一態様は、各々にスキャンＴＦＴ、センシングＴＦＴ及び駆動ＴＦＴが設けられた複数のサブ画素を有し、前記スキャンＴＦＴ及び前記センシングＴＦＴのゲートが共通のスキャン線に接続され、前記センシングＴＦＴのソース又はドレインが他のサブ画素と共通の基準電圧供給及びセンシング検出線に接続された画素がマトリクス状に配置された発光表示装置の駆動方法であって、前記基準電圧供給及びセンシング検出線が共通する複数のサブ画素のうち１つの駆動ＴＦＴをオンし、他のサブ画素の駆動ＴＦＴはオフ状態を維持すること、前記スキャン線の電圧を、前記オンした前記１つの駆動ＴＦＴのゲート電圧より低く、且つ発光素子のカソードの電圧より高くすること、前記センシングＴＦＴのしきい値電圧を前記基準電圧供給及びセンシング検出線でセンシングすること、を含む発光表示装置の駆動方法である。

上記構成において、前記センシングＴＦＴのしきい値電圧を用いて前記発光素子の補償値を算出すること、前記発光素子の前記補償値により前記発光素子の劣化補償を行うこと、を更に含むことで発光素子の劣化補償を行うことができる。

上記構成の発光表示装置の駆動方法により前記他のサブ画素の劣化補償を行うことで前記画素の劣化補償を行うこと、前記画素の劣化補償を順次行うことでマトリクス状に配置された前記画素の劣化補償を順次行うこと、を更に含むことで発光表示装置の劣化補償を行うことができる。

又は、本発明の一態様は、ノーマル駆動とセンシング駆動とを含むパネル；および前記パネル内にそれぞれ異なる色を発光する少なくとも３つのサブ画素を含み、前記少なくとも３つのサブ画素のそれぞれは、画素回路及び発光素子を含み、前記センシング駆動において、前記少なくとも３つのサブ画素のうち１つのサブ画素は、他のサブ画素より高いデータ電圧が印加される発光表示装置である。

上記構成の発光表示装置において、前記センシング駆動は、パワーオフシークエンス期間に行われるとよい。

上記構成の発光表示装置において、前記センシング駆動は、初期化期間、発光期間及びセンシング期間を含むとよい。

上記構成の発光表示装置において、前記初期化期間には、前記１つのサブ画素の駆動ＴＦＴがオンするデータ電圧が印加され、前記他のサブ画素には０Ｖのデータ電圧が印加されるとよい。

上記構成の発光表示装置において、前記発光期間には、前記１つのサブ画素の発光素子が発光し、前記他のサブ画素の発光素子が発光しないようにするとよい。

上記構成の発光表示装置が、前記少なくとも３つのサブ画素と電気的に接続される基準電圧供給及びセンシング検出線を更に含み、前記発光期間には、前記基準電圧供給及びセンシング検出線に０Ｖの電圧が印加されるとよい。

本発明によれば、ＯＬＥＤ素子の劣化を正確にセンシングすることができる。

図１は、実施形態における発光表示装置の全体構成を示すブロック図である。 図２は、画素の画素回路を示す図である。 図３は、図１に示す発光表示装置の劣化補償の動作を示すフローチャートである。 図４（Ａ）は、上述した技術を適用したＯＬＥＤ素子の補償値の修正を示すフローチャートであり、図４（Ｂ）は、修正した補償値を用いた画像データの表示動作を示すフローチャートである。 図５は、図４のＳ２１からＳ２３のタイミングチャートである。 図６（Ａ）は、センシング期間において、トランジスタのしきい値電圧変化ΔＶｔｈ＝０Ｖのときの検出電圧の時間変化を示す図であり、図６（Ｂ）は、センシング期間において、トランジスタのしきい値電圧変化ΔＶｔｈ＝１Ｖのときの検出電圧の時間変化を示す図である。 図７は、初期化期間におけるサブ画素及びセンシングユニットの動作を示す図である。 図８は、発光期間におけるサブ画素及びセンシングユニットの動作を示す図である。 図９は、センシング期間におけるサブ画素及びセンシングユニットの動作を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態について説明する。
ただし、本発明は、以下の実施形態の記載によって限定解釈されるものではない。

＜実施形態＞
図１は、本実施形態における発光表示装置１００の全体構成を示すブロック図である。
図１に示す発光表示装置１００は、タイミングコントローラー１１０と、データ線駆動回路１２０と、ゲート線駆動回路１３０と、記憶部１４０と、マトリクス状（ｍ行×ｎ列）に配置された複数の画素２００と、を備える。
画素２００は、サブ画素２００Ｒ、サブ画素２００Ｗ、サブ画素２００Ｂ及びサブ画素２００Ｇを含む。
また、発光表示装置１００には、低電位電圧ＶＳＳが供給されている。
低電位電圧ＶＳＳとしては接地電圧（＝０Ｖ）を例示することができる。

タイミングコントローラー１１０は、タイミング同期信号ＴＳＳ及びデータ電流Ｉｄａｔａに基づいて、データ線駆動回路１２０及びゲート線駆動回路１３０に制御信号を出力することで、これらを駆動する。
ここで、タイミング同期信号ＴＳＳには、垂直同期信号、水平同期信号、データイネーブル信号及びクロック信号等が含まれる。

データ線駆動回路１２０は、タイミングコントローラー１１０からの制御信号に基づいて、接続されたデータ信号線ＤａｔａＲ，ＤａｔａＷ，ＤａｔａＢ，ＤａｔａＧに信号を出力して駆動し、基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆに基準電圧Ｖｒｅｆを供給する駆動回路である。
また、データ線駆動回路１２０は、センシング時に基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆの電圧を検出する。

ゲート線駆動回路１３０は、タイミングコントローラー１１０からの制御信号に基づいて、スキャン信号線Ｓｃａｎに信号を出力して駆動し、高電位電圧線Ｖｄｄに高電位電圧ＶＤＤを供給する駆動回路である。

記憶部１４０は、少なくとも、各サブ画素又はパネル内の全サブ画素の平均の劣化データを記憶する。

また、発光表示装置１００には、データ信号線ＤａｔａＲ，ＤａｔａＷ，ＤａｔａＧ，ＤａｔａＢ、基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆ、高電位電圧線Ｖｄｄ及びスキャン信号線Ｓｃａｎによって規定されるサブ画素ＳＰ（Ｒ）、サブ画素ＳＰ（Ｗ）、サブ画素ＳＰ（Ｇ）及びサブ画素ＳＰ（Ｂ）が、マトリクス状に配置されている。
複数のサブ画素２００の各々は、発光素子と、該発光素子を発光させるための画素回路と、を含む。
該発光素子は、ピクセル回路内に含まれる駆動トランジスタを介して高電位電圧ＶＤＤの高電位電圧線Ｖｄｄから低電位電圧ＶＳＳの低電位電圧線Ｖｓｓに流れる電流に応じて発光する。

各サブ画素は、画像表示のためのノーマル駆動時と、劣化センシングのためのセンシング駆動時と、において互いに動作が異なり得る。
センシング駆動は、ＯＬＥＤ素子の劣化をセンシングするための駆動である。
センシング駆動は、画像表示中の垂直ブランク期間、画像表示の開始前のパワーオンシークエンス期間、又は画像表示終了後のパワーオフシークエンス期間に行われることができる。
垂直ブランク期間は、画像データが書き込みされない期間であって、１フレーム分の画像データが書き込みされる垂直アクティブ区間ごとに配置される。
パワーオンシークエンス期間は、駆動電源がオンした後から画像表示されるまでの期間である。
パワーオフシークエンス期間は、発光表示装置のオフ信号の受信による画像表示終了後から駆動電源がオフするまでの期間である。

図２は、画素２００の画素回路を示す図である。
図２に示す画素２００は、サブ画素２００Ｒ、サブ画素２００Ｗ、サブ画素２００Ｂ及びサブ画素２００Ｇを含む。

サブ画素２００Ｒには、Ｎ型ＴＦＴであるトランジスタ２０１Ｒ，２０２Ｒ，２０３Ｒと、容量素子２０４Ｒと、発光素子２０５Ｒと、が設けられている。
ここで、トランジスタ２０１ＲはスキャンＴＦＴであり、トランジスタ２０２Ｒは駆動ＴＦＴであり、トランジスタ２０３ＲはセンシングＴＦＴである。
また、容量素子２０４Ｒは、ストレージキャパシタである。

発光素子２０５Ｒは、駆動トランジスタに接続されたアノードと、低電位電圧線Ｖｓｓに接続されたカソードと、アノードとカソードとの間の発光層と、を備え、赤色光を発する。
発光層は、カソードとアノードとの間に順次積層された、電子注入層、電子輸送層、有機発光層、正孔輸送層及び正孔注入層を備える。
発光素子２０５Ｒは、アノードとカソードとの間に正のバイアスが印加されると、カソードからの電子が電子注入層及び電子輸送層を経由して有機発光層に供給され、アノードからの正孔が正孔注入層及び正孔輸送層を経由して有機発光層に供給される。
有機発光層では、供給された電子と正孔との再結合により、電流密度に比例した輝度で蛍光物又は燐光物が発光する。
一方、発光素子２０５Ｒは、負のバイアスが印加されると、電荷を蓄積する容量素子として機能する。

また、図２には、基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆと、データ信号線ＤａｔａＲ，ＤａｔａＷ，ＤａｔａＢ，ＤａｔａＧと、スキャン信号線Ｓｃａｎと、高電位電圧線Ｖｄｄと、低電位電圧線Ｖｓｓと、が示されている。
図２に示すように、画素２００においては、基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆ及びスキャン信号線Ｓｃａｎは、サブ画素２００Ｒ，２００Ｗ，２００Ｂ，２００Ｇ間で共有し、データ信号線ＤａｔａＲ，ＤａｔａＷ，ＤａｔａＢ，ＤａｔａＧは、サブ画素２００Ｒ，２００Ｗ，２００Ｂ，２００Ｇの各々に対応して設けられている。

高電位電圧ＶＤＤを供給する高電位電圧線Ｖｄｄ及び高電位電圧ＶＤＤよりも低い低電位電圧ＶＳＳを供給する低電位電圧線Ｖｓｓは、各々固定電位とされている。
基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆは、高電位電圧ＶＤＤよりも低く、且つ低電位電圧ＶＳＳ以上である基準電圧Ｖｒｅｆを供給する。
すなわち、ＶＤＤ＞Ｖｒｅｆ＞ＶＳＳである。

また、サブ画素２００Ｒは、第１ノードＮ１Ｒ及び第２ノードＮ２Ｒを含む。
第１ノードＮ１Ｒは、トランジスタ２０１Ｒのソースドレインの一方と、トランジスタ２０２Ｒのゲートと、容量素子２０４Ｒの一方の電極と、に接続されている。
第２ノードＮ２Ｒは、トランジスタ２０２Ｒのソースドレインの一方と、トランジスタ２０３Ｒのソースドレインの一方と、容量素子２０４Ｒの他方の電極と、発光素子２０５Ｒのアノードと、に接続されている。

トランジスタ２０１Ｒのゲートはスキャン信号線Ｓｃａｎに接続され、ソースドレインの一方は第１ノードＮ１Ｒに接続され、ソースドレインの他方はデータ信号線ＤａｔａＲに接続されている。
トランジスタ２０２Ｒのゲートは第１ノードＮ１Ｒに接続され、ソースドレインの一方は第２ノードＮ２Ｒに接続され、ソースドレインの他方は高電位電圧線Ｖｄｄに接続されている。
トランジスタ２０３Ｒのゲートはスキャン信号線Ｓｃａｎに接続され、ソースドレインの一方は第２ノードＮ２Ｒに接続され、ソースドレインの他方は基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆに接続されている。
容量素子２０４Ｒの一方の電極は第１ノードＮ１Ｒに接続され、他方の電極は第２ノードＮ２Ｒに接続されている。
発光素子２０５Ｒのアノードは第２ノードＮ２Ｒに接続され、カソードは低電位電圧線Ｖｓｓに接続されている。

サブ画素２００Ｗ，２００Ｂ，２００Ｇは、サブ画素２００Ｒと同様の構成である。
サブ画素２００Ｗには、Ｎ型ＴＦＴ（Thin Film Transistor）であるトランジスタ２０１Ｗ，２０２Ｗ，２０３Ｗと、容量素子２０４Ｗと、発光素子２０５Ｗと、が設けられている。
サブ画素２００Ｂには、Ｎ型ＴＦＴ（Thin Film Transistor）であるトランジスタ２０１Ｂ，２０２Ｂ，２０３Ｂと、容量素子２０４Ｂと、発光素子２０５Ｂと、が設けられている。
サブ画素２００Ｇには、Ｎ型ＴＦＴ（Thin Film Transistor）であるトランジスタ２０１Ｇ，２０２Ｇ，２０３Ｇと、容量素子２０４Ｇと、発光素子２０５Ｇと、が設けられている。
ここで、トランジスタ２０１Ｗ，２０１Ｂ，２０１ＧはスキャンＴＦＴであり、トランジスタ２０２Ｗ，２０２Ｂ，２０２Ｇは駆動ＴＦＴであり、トランジスタ２０３Ｗ，２０３Ｂ，２０３ＧはセンシングＴＦＴである。
また、容量素子２０４Ｗ，２０４Ｂ，２０４Ｇは、ストレージキャパシタである。
発光素子２０５Ｗ，２０５Ｂ，２０５Ｇは、駆動トランジスタに接続されたアノードと、低電位電圧線Ｖｓｓに接続されたカソードと、アノードとカソードとの間の発光層と、を備える。
発光素子２０５Ｗは白色光を発し、発光素子２０５Ｇは緑色光を発し、発光素子２０５Ｂは青色光を発する。

サブ画素２００Ｗは、第１ノードＮ１Ｗ及び第２ノードＮ２Ｗを含む。
第１ノードＮ１Ｗは、トランジスタ２０１Ｗのソースドレインの一方と、トランジスタ２０２Ｗのゲートと、容量素子２０４Ｗの一方の電極と、に接続されている。
第２ノードＮ２Ｗは、トランジスタ２０２Ｗのソースドレインの一方と、トランジスタ２０３Ｗのソースドレインの一方と、容量素子２０４Ｗの他方の電極と、発光素子２０５Ｗのアノードと、に接続されている。

トランジスタ２０１Ｗのゲートはスキャン信号線Ｓｃａｎに接続され、ソースドレインの一方は第１ノードＮ１Ｗに接続され、ソースドレインの他方はデータ信号線ＤａｔａＷに接続されている。

トランジスタ２０２Ｗのゲートは第１ノードＮ１Ｗに接続され、ソースドレインの一方は第２ノードＮ２Ｗに接続され、ソースドレインの他方は高電位電圧線Ｖｄｄに接続されている。

トランジスタ２０３Ｗのゲートはスキャン信号線Ｓｃａｎに接続され、ソースドレインの一方は第２ノードＮ２Ｗに接続され、ソースドレインの他方は基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆに接続されている。

容量素子２０４Ｗの一方の電極は第１ノードＮ１Ｗに接続され、他方の電極は第２ノードＮ２Ｗに接続されている。

発光素子２０５Ｗのアノードは第２ノードＮ２Ｗに接続され、カソードは低電位電圧線Ｖｓｓに接続されている。

サブ画素２００Ｂは、第１ノードＮ１Ｂ及び第２ノードＮ２Ｂを含む。
第１ノードＮ１Ｂは、トランジスタ２０１Ｂのソースドレインの一方と、トランジスタ２０２Ｂのゲートと、容量素子２０４Ｂの一方の電極と、に接続されている。
第２ノードＮ２Ｂは、トランジスタ２０２Ｂのソースドレインの一方と、トランジスタ２０３Ｂのソースドレインの一方と、容量素子２０４Ｂの他方の電極と、発光素子２０５Ｂのアノードと、に接続されている。

トランジスタ２０１Ｂのゲートはスキャン信号線Ｓｃａｎに接続され、ソースドレインの一方は第１ノードＮ１Ｂに接続され、ソースドレインの他方はデータ信号線ＤａｔａＢに接続されている。

トランジスタ２０２Ｂのゲートは第１ノードＮ１Ｂに接続され、ソースドレインの一方は第２ノードＮ２Ｂに接続され、ソースドレインの他方は高電位電圧線Ｖｄｄに接続されている。

トランジスタ２０３Ｂのゲートはスキャン信号線Ｓｃａｎに接続され、ソースドレインの一方は第２ノードＮ２Ｂに接続され、ソースドレインの他方は基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆに接続されている。

容量素子２０４Ｂの一方の電極は第１ノードＮ１Ｂに接続され、他方の電極は第２ノードＮ２Ｂに接続されている。

発光素子２０５Ｂのアノードは第２ノードＮ２Ｂに接続され、カソードは低電位電圧線Ｖｓｓに接続されている。

サブ画素２００Ｇは、第１ノードＮ１Ｇ及び第２ノードＮ２Ｇを含む。
第１ノードＮ１Ｇは、トランジスタ２０１Ｇのソースドレインの一方と、トランジスタ２０２Ｇのゲートと、容量素子２０４Ｇの一方の電極と、に接続されている。
第２ノードＮ２Ｇは、トランジスタ２０２Ｇのソースドレインの一方と、トランジスタ２０３Ｇのソースドレインの一方と、容量素子２０４Ｇの他方の電極と、発光素子２０５Ｇのアノードと、に接続されている。

トランジスタ２０１Ｇのゲートはスキャン信号線Ｓｃａｎに接続され、ソースドレインの一方は第１ノードＮ１Ｇに接続され、ソースドレインの他方はデータ信号線ＤａｔａＧに接続されている。

トランジスタ２０２Ｇのゲートは第１ノードＮ１Ｇに接続され、ソースドレインの一方は第２ノードＮ２Ｇに接続され、ソースドレインの他方は高電位電圧線Ｖｄｄに接続されている。

トランジスタ２０３Ｇのゲートはスキャン信号線Ｓｃａｎに接続され、ソースドレインの一方は第２ノードＮ２Ｇに接続され、ソースドレインの他方は基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆに接続されている。

容量素子２０４Ｇの一方の電極は第１ノードＮ１Ｇに接続され、他方の電極は第２ノードＮ２Ｇに接続されている。

発光素子２０５Ｇのアノードは第２ノードＮ２Ｇに接続され、カソードは低電位電圧線Ｖｓｓに接続されている。

次に、劣化補償の動作について説明する。
図３は、図１に示す発光表示装置１００の劣化センシングの動作を示すフローチャートである。
図１に示す発光表示装置１００の劣化補償は、サブ画素２００Ｗの劣化センシングを行い（Ｓ１）、サブ画素２００Ｒの劣化センシングを行い（Ｓ２）、サブ画素２００Ｂの劣化センシングを行い（Ｓ３）、サブ画素２００Ｇの劣化センシングを行い（Ｓ４）、これらを全画素完了まで繰り返すことで行われる。
なお、Ｓ１からＳ４の順序は、互いに入れ替えられてもよい。
次に、センシングした値から補償値を算出し、該補償値を修正し、表示するときにデータ電圧を修正後の補償値によりデータ信号線ＤａｔａＲ，ＤａｔａＷ，ＤａｔａＢ，ＤａｔａＧにそれぞれデータ電圧が出力される。

図４（Ａ）は、上述した技術を適用したＯＬＥＤ素子の補償値の修正を示すフローチャートであり、図４（Ｂ）は、修正した補償値を用いた画像データの表示動作を示すフローチャートである。
まず、サブ画素内を初期化し（Ｓ２１）、サブ画素の発光素子を発光させ（Ｓ２２）、サブ画素内の第２ノードの電圧を検出することでセンシングＴＦＴのしきい値電圧をセンシングし（Ｓ２３）、補償値をＳ２３におけるセンシング結果により修正する（Ｓ２４）。
このようにして、修正されたＯＬＥＤ補償値が得られる。
画像データの表示時には、画像データが入力され（Ｓ３１）、入力された画像データに対してＳ２４において修正された補償値によりＯＬＥＤの補償が行われ（Ｓ３２）、補償された値によりデータ線電圧が出力される（Ｓ３３）。

次に、図４（Ａ）に示すフローチャートのＳ２１からＳ２３について、タイミングチャートを用いて説明する。
図５は、図４のＳ２１からＳ２３のタイミングチャートである。
図２に示す画素回路は、図５に示すように、初期化期間、発光期間及びセンシング期間で順次駆動される。
ここでは、サブ画素２００Ｗに着目して説明する。

図７は、初期化期間におけるサブ画素２００Ｗ，２００Ｒ，２００Ｂ，２００Ｇ及びセンシングユニット３００の動作を示す図である。
図８は、発光期間におけるサブ画素２００Ｗ，２００Ｒ，２００Ｂ，２００Ｇ及びセンシングユニット３００の動作を示す図である。
図９は、センシング期間におけるサブ画素２００Ｗ，２００Ｒ，２００Ｂ，２００Ｇ及びセンシングユニット３００の動作を示す図である。

センシングユニット３００は、第１のスイッチ３０１と、第２のスイッチ３０２と、ＡＤＣ（アナログデジタルコンバータ）３０３と、を備え、例えばデータ線駆動回路１０２に設けられている。
第１のセンシングスイッチ３０１がオンすると、基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆは基準電圧Ｖｒｅｆとなるように構成されている。
第２のセンシングスイッチ３０２がオンすると、基準電圧供給及びセンシング検出線ＲｅｆはＡＤＣ３０３に接続されるように構成されている。
ＡＤＣ３０３は、検出したアナログセンシング電圧をデジタルセンシング値に変換してタイミングコントローラー１１０に送信する。

＜初期化期間＞
初期化期間には、データ信号線ＤａｔａＲ，ＤａｔａＧ，ＤａｔａＢを例えば０Ｖとし、データ信号線ＤａｔａＷを例えば６Ｖとし、スキャン信号線Ｓｃａｎをトランジスタ２０１Ｒ，２０１Ｗ，２０１Ｂ，２０１Ｇ，２０３Ｒ，２０３Ｗ，２０３Ｂ，２０３Ｇがオンするように例えば２２Ｖとする。
ここで、データ信号線ＤａｔａＷの６Ｖは、データ信号線ＤａｔａＷに副画素２００Ｗの駆動ＴＦＴをオンさせるための電圧であって、ノーマル駆動で行われた駆動ＴＦＴの電気特性の偏差の補償による電圧であり得る。
これにより、トランジスタ２０２Ｒ，２０２Ｂ，２０２Ｇはオフした状態で、トランジスタ２０２Ｗがオンする。

図７に示すように、初期化期間では、スキャン信号線Ｓｃａｎを例えば２２Ｖとし、これにより、センシング対象のサブ画素２００Ｗに含まれるトランジスタ２０１Ｗ，２０３Ｗがオンする。
そして、初期化期間では、第１のセンシングスイッチ３０１がオンし、第２のセンシングスイッチ３０２がオフする。
第１ノードＮ１Ｗは、データ線ＤａｔａＷの電圧６Ｖがトランジスタ２０１Ｗで電圧降下した電圧であり、例えば５Ｖに充電される。

＜発光期間＞
発光期間には、スキャン信号線Ｓｃａｎを例えば－６Ｖとして、２０１Ｒ，２０１Ｗ，２０１Ｂ，２０１Ｇ，２０３Ｒ，２０３Ｗ，２０３Ｂ，２０３Ｇをオフする。
第１ノードＮ１Ｒ，Ｎ１Ｂ，Ｎ１Ｇは０Ｖであるためトランジスタ２０２Ｒ，２０２Ｂ，２０２Ｇはオフする。
ここで、データ信号線ＤａｔａＲ，ＤａｔａＢ，ＤａｔａＧは０Ｖの状態で、データ信号線ＤａｔａＷを例えば１６Ｖとする。
第１ノードＮ１Ｗの電圧は５Ｖであるためトランジスタ２０２Ｗはオンし、高電位電圧線Ｖｄｄから第２ノードＮ２Ｒに電流が流れる。
これにより、発光素子２０５Ｗのアノードの電圧が上昇し、発光素子２０５Ｗが発光する。
このとき、発光輝度が低く、発光時間が非常に短いため、視聴者には発光はほとんど認識されない。

図８に示すように、発光期間では、スキャン信号線Ｓｃａｎを例えば－６Ｖとし、これにより、センシング対象のサブ画素２００Ｗに含まれるトランジスタ２０１Ｗ，２０３Ｗがオフする。
そして、発光期間では、第１のセンシングスイッチ３０１はオン状態を維持し、第２のセンシングスイッチ３０２はオフ状態を維持する。
トランジスタ２０２Ｗのゲートは初期化期間に５Ｗまで充電されているためトランジスタ２０２Ｗはオンし、発光素子２０５が発光する。

＜センシング期間＞
センシング期間には、スキャン信号線Ｓｃａｎの電圧をトランジスタ２０２Ｗのゲート電圧（例えば、５Ｖ）より低く、発光素子のカソードの電圧（例えば、０Ｖ）より高くし、例えば４Ｖとする。
データ信号線ＤａｔａＲ，ＤａｔａＢ，ＤａｔａＧは０Ｖの状態を維持する。
基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆをフローティング状態とすると、第２ノードＮ２Ｒから基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆに電流が流れる。
基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆの電圧は、スキャン信号線Ｓｃａｎの電圧４Ｖからトランジスタ２０３Ｗのしきい値電圧を減じた値、すなわちトランジスタ２０３Ｗのしきい値電圧が１Ｖであれば３Ｖまで上昇する。

図９に示すように、センシング期間では、スキャン信号線Ｓｃａｎをトランジスタ２０２Ｗのゲート電圧（例えば、５Ｖ）より低く、発光素子のカソードの電圧（例えば、０Ｖ）より高くする。ここでは、例えば４Ｖとしている。
そして、センシング期間では、第１のセンシングスイッチ３０１はオフし、第２のセンシングスイッチ３０２はオフ状態を維持する。
これにより、基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆはフローティング状態となるが、
トランジスタ２０３Ｗがオンしているため、基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆの電圧は、スキャン信号線Ｓｃａｎの電圧４Ｖからトランジスタ２０３Ｗのしきい値電圧を減じた値まで上昇する。
第２のセンシングスイッチ３０２がオンすると、基準電圧供給及びセンシング検出線ＲｅｆのラインコンデンサＬＣａの電圧がセンシング電圧としてＡＤＣ３０３にサンプリングされる。

図６（Ａ）は、センシング期間において、トランジスタ２０３Ｗの初期のしきい値電圧Ｖｔｈ＝０．５Ｖ、しきい値電圧変化ΔＶｔｈ＝０Ｖのときの検出電圧の時間変化を示す図であり、図６（Ｂ）は、センシング期間において、トランジスタ２０３Ｗのしきい値電圧変化ΔＶｔｈ＝１Ｖのときの検出電圧の時間変化を示す図である。
図６（Ａ），（Ｂ）において、横軸は時間を表し、縦軸は基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆにおけるセンシング値である検出電圧を表している。
図６（Ａ），（Ｂ）の検出電圧を比較すると、図６（Ａ）では図６（Ｂ）よりも検出電圧の上昇が急峻である。
また、図６（Ａ），（Ｂ）のセンシング期間開始を０とした同時刻、例えば６ｍｓでの基準電圧供給及びセンシング検出線Ｒｅｆにおける検出電圧で比較すると、図６（Ａ）では検出電圧は３．４１２１Ｖであり、図６（Ｂ）では検出電圧は２．４３７６Ｖである。
図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、センシングＴＦＴのしきい値電圧変化ΔＶｔｈ＝０Ｖのときは、センシングＴＦＴのしきい値電圧変化ΔＶｔｈ＝１Ｖのときよりも時間変化に対する検出電圧の変化が急峻である。
また、時間変化に対する検出電圧の上昇がほぼ飽和後の所定の時点、例えば６ｍｓ、８ｍｓ、１０ｍｓにおける検出電圧の差によりセンシングＴＦＴのしきい値電圧を推定することができる。
時間変化に対する検出電圧の上昇がほぼ飽和した後には、時間変化に対する検出電圧の差は概ね一定の値で推移する。

従来技術においては、センシングＴＦＴのしきい値電圧を一定としているが、実際には発光素子の劣化補償を行う際には、センシングＴＦＴのしきい値電圧の影響を考慮する必要がある。

本実施形態によれば、センシングＴＦＴのしきい値電圧を推定して、推定したしきい値電圧を用いることで、ＯＬＥＤ素子の劣化を正確にセンシングすることができる。
そのため、発光素子の劣化補償を適切に行うことが可能である。

なお、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、上述の構成に対して、構成要素の付加、削除又は転換を行った様々な変形例も含むものとする。

１００ 発光表示装置
１１０ タイミングコントローラー
１２０ データ線駆動回路
１３０ ゲート線駆動回路
１４０ 記憶部
２００ 画素
２００Ｒ，２００Ｗ，２００Ｇ，２００Ｂ サブ画素
２０１Ｒ，２０１Ｗ，２０１Ｇ，２０１Ｂ，２０２Ｒ，２０２Ｗ，２０２Ｇ，２０２Ｂ，２０３Ｒ，２０３Ｗ，２０３Ｇ，２０３Ｂ トランジスタ
２０４Ｒ，２０４Ｗ，２０４Ｇ，２０４Ｂ 容量素子
２０５Ｒ，２０５Ｗ，２０５Ｇ，２０５Ｂ 発光素子
３００ センシングユニット
３０１ 第１のスイッチ
３０２ 第２のスイッチ
３０３ ＡＤＣ

Claims (9)

1. 各々にスキャンＴＦＴ、センシングＴＦＴ及び駆動ＴＦＴが設けられた複数のサブ画素をそれぞれ有する画素がマトリクス状に配置された発光表示装置の駆動方法であって、前記スキャンＴＦＴ及び前記センシングＴＦＴのゲートが共通のスキャン線に接続され、前記スキャンＴＦＴのソースとドレインの一方がデータ信号線に接続され、前記駆動ＴＦＴのゲートは前記スキャンＴＦＴのソースとドレインの他方に接続され、前記駆動ＴＦＴのソースとドレインの一方が他のサブ画素と共通の高電位電圧線に接続され、前記センシングＴＦＴのソースとドレインの一方が他のサブ画素と共通の基準電圧供給及びセンシング検出線に接続され、前記センシングＴＦＴのソースとドレインの他方が前記駆動ＴＦＴのソースとドレインの他方に接続されており、
   前記発光表示装置は、画像を表示するノーマル駆動と、劣化をセンシングするセンシング駆動とで駆動され、
   当該駆動方法は、
   前記基準電圧供給及びセンシング検出線が共通する複数のサブ画素のうち１つのサブ画素の駆動ＴＦＴをオンし、他のサブ画素の駆動ＴＦＴはオフ状態を維持する第１のステップと、
   前記スキャン線の電圧を、オンした前記１つのサブ画素の前記駆動ＴＦＴのゲート電圧より低く、且つ発光素子のカソードの電圧より高くする第２のステップと、
   前記センシングＴＦＴのしきい値電圧を前記基準電圧供給及びセンシング検出線でセンシングする第３のステップと、を含み、
   前記第１のステップ、第２のステップ、及び第３のステップは、前記センシング駆動中にこの順番で実行される、発光表示装置の駆動方法。
2. 前記センシングＴＦＴのしきい値電圧を用いて前記発光素子の補償値を算出すること、
   前記発光素子の前記補償値により前記発光素子の劣化補償を行うこと、を更に含む請求項１に記載の発光表示装置の駆動方法。
3. 請求項２に記載の発光表示装置の駆動方法により前記他のサブ画素の劣化補償を行うことで前記画素の劣化補償を行うこと、
   前記画素の劣化補償を順次行うことでマトリクス状に配置された前記画素の劣化補償を順次行うこと、を更に含む発光表示装置の駆動方法。
4. ノーマル駆動とセンシング駆動とを含むパネル；および
   前記パネル内にそれぞれ異なる色を発光する少なくとも３つのサブ画素を含み、
   前記少なくとも３つのサブ画素のそれぞれは、画素回路及び発光素子を含み、
   前記画素回路は、スキャンＴＦＴ、センシングＴＦＴ、および駆動ＴＦＴを含み、前記スキャンＴＦＴ及び前記センシングＴＦＴのゲートが共通のスキャン線に接続され、前記スキャンＴＦＴのソースとドレインの一方がデータ信号線に接続され、前記駆動ＴＦＴのゲートは前記スキャンＴＦＴのソースとドレインの他方に接続され、前記駆動ＴＦＴのソースとドレインの一方が他のサブ画素と共通の高電位電圧線に接続され、前記センシングＴＦＴのソースとドレインの一方が他のサブ画素と共通の基準電圧供給及びセンシング検出線に接続され、前記センシングＴＦＴのソースとドレインの他方が前記駆動ＴＦＴのソースとドレインの他方に接続されており、
   前記センシング駆動において、前記少なくとも３つのサブ画素のうち１つのサブ画素は、他のサブ画素より高いデータ電圧が印加され、前記少なくとも３つのサブ画素のうちの１つのサブ画素の前記駆動ＴＦＴがオンにされる一方で、他のサブ画素の前記駆動ＴＦＴがオフにされ、
   前記センシング駆動のセンシング期間において、前記少なくとも３つのサブ画素のうちの１つのサブ画素の前記センシングＴＦＴのゲート電圧を前記１つのサブ画素の前記駆動ＴＦＴのゲート電圧より低く、且つ前記センシングＴＦＴのゲート電圧を前記発光素子のカソード電圧より高くすることにより、前記センシングＴＦＴのしきい値電圧をセンシングする発光表示装置。
5. 前記センシング駆動は、パワーオフシークエンス期間に行われる、請求項４に記載の発光表示装置。
6. 前記センシング駆動は、初期化期間、発光期間及び前記センシング期間を含む、請求項４に記載の発光表示装置。
7. 前記初期化期間には、前記１つのサブ画素の前記駆動ＴＦＴがオンするデータ電圧が印加され、前記他のサブ画素には０Ｖのデータ電圧が印加される、請求項６に記載の発光表示装置。
8. 前記発光期間には、前記１つのサブ画素の前記発光素子が発光し、前記他のサブ画素の前記発光素子が発光しない、請求項６に記載の発光表示装置。
9. 前記発光期間には、前記基準電圧供給及びセンシング検出線に０Ｖの電圧が印加される、請求項６に記載の発光表示装置。

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