JP7463069B2 - 導電性粒子、導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電極間の電気的な接続等に用いることができる導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。また、上記導電性粒子として、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子が用いられることがある。

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために用いられている。上記異方性導電材料を用いる接続としては、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等が挙げられる。

また、上記導電性粒子として、磁性を有する導電性粒子が用いられることがある。下記の特許文献１には、局所的に磁界を付与して、導電性粒子を磁界に向かって引き寄せることにより、所定の位置に導電性粒子が配置された異方導電性シートが開示されている。また、特許文献１の実施例１では、磁性を有する導電性粒子として、全体がニッケルにより形成されたニッケル粒子が用いられている。

特許文献２には、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面に形成された金属メッキ層と、該金属メッキ層の外表面に形成された絶縁層とを備える導電性粒子が開示されている。上記金属メッキ層は、Ｆｅ、Ｎｉ、及びＣｏの少なくともいずれかを含む磁性金属メッキ層であってもよい。

特開２００６－０９３０２０号公報 特開２０１３－０４５５６５号公報

特許文献１では、異方導電性シートを得る際に、磁界を付与し、シート中の所定の位置に導電性粒子を配置している。しかしながら、このような異方導電性シートでは、導電接続時に、導電性粒子の位置に対して、電極を精度よく位置合わせする必要がある。

さらに、特許文献１に記載のような全体がニッケルにより形成されたニッケル粒子では、磁界をかけた際に、粒子の重さから導電性粒子の移動速度が遅いことがある。さらに、ニッケル粒子により導電接続した接続構造体において、電極が損傷することがある。例えば、ニッケル粒子の移動時や、ニッケル粒子を介した電極間の圧着時に、電極が損傷することがある。結果として、導電接続後の接続抵抗が高くなることがある。

また、特許文献２に記載のように、Ｆｅ、Ｎｉ、及びＣｏの少なくともいずれかを用いて、磁性金属メッキ層を形成し、着磁した場合、粒子同士が凝集してしまい、磁界をかけた際に、電極に精度よく位置合わせできないことがある。結果として、導電接続が十分に取れないことがある。

本発明の目的は、磁力を用いて電極部を形成する際に導電性粒子が容易に移動し位置合わせしやすく、また、導電接続後の接続抵抗を低くすることができる導電性粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電性粒子を用いた導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。

本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、飽和磁化量が、１０ｅｍｕ／ｇ以上である、導電性粒子が提供される。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、金属粒子ではない。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部が、ニッケル、コバルト又は鉄を含む。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部１００重量％中、ニッケル、コバルト及び鉄の合計の含有量が９０重量％以上である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部が、ニッケル、コバルト及び鉄の内の少なくとも２種を含み、前記導電部１００重量％中、ニッケルの含有量、コバルトの含有量及び鉄の含有量の内の１種の含有量が５１重量％以上である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子を２５℃で１０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１０００Ｎ／ｍｍ^２以上３００００Ｎ／ｍｍ^２以下である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子の粒子径が１μｍ以上１０μｍ以下である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子の比重が、前記導電部の比重よりも低い。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、磁界又は磁力を適用する導電接続に用いられる。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面に突起を有する。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える。

本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。

本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。

本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材の表面上に、上述した導電性粒子を配置するか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を配置する第１の配置工程と、前記導電性粒子又は前記導電材料の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材を配置する第２の配置工程と、前記第２の配置工程の前又は後に、磁界又は磁力を適用する工程とを備え、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得る、接続構造体の製造方法が提供される。

本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。本発明に係る導電性粒子では、飽和磁化量が、１０ｅｍｕ／ｇ以上である。本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、導電接続後の接続抵抗を低くすることができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図４は、本発明の第４の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。 図６は、図５に示す接続構造体を製造する方法を説明するための正面断面図である。 図７は、図５に示す接続構造体を製造する他の方法を説明するための正面断面図である。

以下、本発明の詳細を説明する。

（導電性粒子）
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。本発明に係る導電性粒子では、飽和磁化量が、１０ｅｍｕ／ｇ以上である。

本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、導電接続後の接続抵抗を低くすることができる。

本発明に係る導電性粒子では、飽和磁化量が、１０ｅｍｕ／ｇ以上であるので、磁界又は磁力を適用することで、導電性粒子を効果的に移動させることができる。例えば、電極部分にて磁界又は磁力を適用することで、電極上又は電極間に、導電性粒子を効果的に移動させることができる。この結果、本発明に係る導電性粒子では、接続されるべき上下の電極間に配置される導電性粒子の数が多くなり、接続抵抗が低くなる。また、接続されるべきではない横方向に隣接する電極間が、電気的に接続され難く、ショートの問題が生じ難くなる。

また、単に飽和磁化量が高い導電性金属粒子を用いただけでは、接続抵抗が高くなることがある。本発明に係る導電性粒子では、上記基材粒子が備えられているので、上記導電性粒子の移動時に、電極が損傷し難くなる。さらに、本発明に係る導電性粒子では、上記基材粒子が備えられているので、上下の電極間で導電性粒子が圧縮されても、電極が損傷し難くなる。結果として、接続抵抗を低くすることができる。

導電性粒子をより一層効果的に移動させる観点からは、上記導電性粒子の飽和磁化量は、好ましくは１５ｅｍｕ／ｇ以上、より好ましくは２０ｅｍｕ／ｇ以上である。上記飽和磁化量は高いほどよい。上記導電性粒子を容易に作製する観点からは、上記導電性粒子の上記飽和磁化量は３００ｅｍｕ／ｇ以下であってもよく、１００ｅｍｕ／ｇ以下であってもよい。

上記飽和磁化量は、上記導電部に用いる金属の種類及びその含有量、及び導電部の厚み等によって、制御することができる。

上記飽和磁化量は、以下のようにして測定される。

磁化量は、導電性粒子の磁気ヒステリシス曲線を測定することで算出することができる。装置としては、振動試料型磁力計（理研電子社製「ＢＨＶ－５０」）等が用いられる。また、乾燥した導電性粒子１５ｍｇを、サンプルホルダーに圧縮せずに密閉することで試料調整を行い、測定を実施することができる。

上記基材粒子を２５℃で１０％圧縮したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、好ましくは１０００Ｎ／ｍｍ^２以上、より好ましくは３０００Ｎ／ｍｍ^２以上であり、好ましくは３００００Ｎ／ｍｍ^２以下、より好ましくは２００００Ｎ／ｍｍ^２以下である。上記基材粒子の１０％Ｋ値が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極の損傷をより一層抑えることができ、接続抵抗を効果的に低くすることができる。さらに、表面上に導電部を形成する際に、凝集をより一層効果的に抑制することができ、めっき割れやめっき剥がれの発生をより一層効果的に抑制することができる。

上記基材粒子における上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、以下のようにして測定できる。

微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径５０μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、２５℃、圧縮速度０．３ｍＮ／秒、及び最大試験荷重２０ｍＮの条件下で１個の基材粒子を圧縮する。このときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得られた測定値から、上記基材粒子の圧縮弾性率（１０％Ｋ値）を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ－１００」等が用いられる。上記基材粒子における上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、任意に選択された５０個の粒子の上記圧縮弾性率（１０％Ｋ値）を算術平均することにより、算出することが好ましい。

１０％Ｋ値（Ｎ／ｍｍ^２）＝（３／２^１／２）・Ｆ・Ｓ^－３／２・Ｒ^－１／２
Ｆ：基材粒子が１０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：基材粒子が１０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：基材粒子の半径（ｍｍ）

上記圧縮弾性率は、粒子の硬さを普遍的かつ定量的に表す。上記圧縮弾性率の使用により、基材粒子の硬さを定量的かつ一義的に表すことができる。

磁界又は磁力により導電性粒子を効果的に移動させ、接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記基材粒子の比重が、上記導電部の比重よりも低いことが好ましい。上記基材粒子の比重が、上記導電部の比重よりも３ｇ／ｃｍ^３以上低いことがより好ましい。上記基材粒子の比重が、上記導電部の比重よりも５ｇ／ｃｍ^３以上低いことがさらに好ましい。一般的に、樹脂粒子又は有機ハイブリッド粒子の比重は、金属により形成された導電部の比重よりも低い。

上記導電性粒子は、磁界又は磁力を適用する導電接続に好適に用いられる。導電接続時に磁界又は磁力を適用することで、上記導電性粒子を電極上又は電極間に効果的に移動させることができる。

上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上であり、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。上記導電性粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が十分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成され難くなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。

上記導電性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることが好ましい。上記導電性粒子の粒子径は、例えば、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各導電性粒子の粒子径の平均値を算出したり、粒度分布測定装置を用いたりして求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの導電性粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の導電性粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、１個当たりの導電性粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記導電性粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。測定の精度の高さから、粒度分布測定装置は、レーザー回折式粒度分布測定装置であることが好ましい。

上記導電性粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。上記導電性粒子の粒子径の変動係数が、上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。

上記変動係数（ＣＶ値）は、以下のようにして測定できる。

ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：導電性粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：導電性粒子の粒子径の平均値

上記導電性粒子の形状は特に限定されない。上記導電性粒子の形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、扁平状等であってもよい。

以下、図面を参照しつつ、本発明を具体的に説明する。なお、図１及び後述する図において、異なる箇所は互いに置き換え可能である。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

図１に示す導電性粒子１は、基材粒子２と、導電部３とを有する。導電部３は、基材粒子２の表面上に配置されている。第１の実施形態では、導電部３は、基材粒子２の表面に接している。導電性粒子１は、基材粒子２の表面が導電部３により被覆された被覆粒子である。

導電性粒子１では、導電部３は、単層の導電層である。上記導電性粒子では、上記導電部が上記基材粒子の表面の全体を覆っていてもよく、上記導電部が上記基材粒子の表面の一部を覆っていてもよい。上記導電性粒子では、上記導電部は、単層の導電層であってもよく、２層以上の層から構成される多層の導電層であってもよい。

導電性粒子１は、後述する導電性粒子１１，２１とは異なり、芯物質を有さない。導電性粒子１は表面に突起を有さない。導電性粒子１は球状である。導電部３は外表面に突起を有さない。このように、本発明に係る導電性粒子は導電性の表面に突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。また、導電性粒子１は、後述する導電性粒子１１，２１とは異なり、絶縁性物質を有さない。但し、導電性粒子１は、導電部３の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。

図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

図２に示す導電性粒子１１は、基材粒子２と、導電部１２と、複数の芯物質１３と、複数の絶縁性物質１４とを有する。導電部１２は、基材粒子２の表面上に基材粒子２に接するように配置されている。

導電性粒子１１では、導電部１２は、単層の導電層である。上記導電性粒子では、上記導電部が上記基材粒子の表面の全体を覆っていてもよく、上記導電部が上記基材粒子の表面の一部を覆っていてもよい。上記導電性粒子では、上記導電部は、単層の導電層であってもよく、２層以上の層から構成される多層の導電層であってもよい。

導電性粒子１１は導電性の表面に、複数の突起１１ａを有する。導電部１２は外表面に、複数の突起１２ａを有する。複数の芯物質１３が、基材粒子２の表面上に配置されている。複数の芯物質１３は、導電部１２内に埋め込まれている。芯物質１３は、突起１１ａ，１２ａの内側に配置されている。導電部１２は、複数の芯物質１３を被覆している。複数の芯物質１３により導電部１２の外表面が***されており、突起１１ａ，１２ａが形成されている。

導電性粒子１１は、導電部１２の外表面上に配置された絶縁性物質１４を有する。導電部１２の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質１４により被覆されている。絶縁性物質１４は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、本発明に係る導電性粒子は、導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。但し、本発明に係る導電性粒子は、絶縁性物質を必ずしも有していなくてもよい。

図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

図３に示す導電性粒子２１は、基材粒子２と、導電部２２と、複数の芯物質１３と、複数の絶縁性物質１４とを有する。導電部２２は全体で、基材粒子２側に第１の導電部２２Ａと、基材粒子２側とは反対側に第２の導電部２２Ｂとを有する。

導電性粒子１１と導電性粒子２１とでは、導電部のみが異なっている。すなわち、導電性粒子１１では、１層構造の導電部１２が形成されているのに対し、導電性粒子２１では、２層構造の第１の導電部２２Ａ及び第２の導電部２２Ｂが形成されている。第１の導電部２２Ａと第２の導電部２２Ｂとは別の導電部として形成されている。

第１の導電部２２Ａは、基材粒子２の表面上に配置されている。基材粒子２と第２の導電部２２Ｂとの間に、第１の導電部２２Ａが配置されている。第１の導電部２２Ａは、基材粒子２に接している。第２の導電部２２Ｂは、第１の導電部２２Ａに接している。従って、基材粒子２の表面上に第１の導電部２２Ａが配置されており、第１の導電部２２Ａの表面上に第２の導電部２２Ｂが配置されている。導電性粒子２１は導電性の表面に、複数の突起２１ａを有する。導電部２２は外表面に複数の突起２２ａを有する。第１の導電部２２Ａは外表面に、複数の突起２２Ａａを有する。第２の導電部２２Ｂは外表面に、複数の突起２２Ｂａを有する。

図４は、本発明の第４の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

図４に示す導電性粒子３１は、図３に示す導電性粒子２１における絶縁性粒子１４が備えられていない導電性粒子である。導電性粒子３１は、絶縁性粒子が無いことを除いて、導電性粒子２１と同様に構成されている。導電性粒子は、絶縁性物質を必ずしも有していなくてもよい。

以下、導電性粒子の他の詳細について説明する。

（基材粒子）
上記基材粒子の材料は特に限定されない。上記基材粒子の材料は、有機材料であってもよく、無機材料であってもよい。上記有機材料のみより形成された基材粒子としては、樹脂粒子等が挙げられる。上記無機材料のみにより形成された基材粒子としては、金属を除く無機粒子等が挙げられる。上記有機材料と上記無機材料との双方により形成された基材粒子としては、有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。初期の接続抵抗をより一層低くし、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましく、樹脂粒子であることがより好ましい。

電極の損傷をより一層抑え、接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記基材粒子は、金属粒子ではないことが好ましい。

上記有機材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ジビニルベンゼン重合体、並びにジビニルベンゼン共重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン共重合体等としては、ジビニルベンゼン－スチレン共重合体及びジビニルベンゼン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記基材粒子の圧縮特性を好適な範囲に容易に制御できるので、上記基材粒子の材料は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。

上記基材粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。

上記非架橋性の単量体としては、ビニル化合物として、スチレン、α－メチルスチレン、クロルスチレン等のスチレン単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物；塩化ビニル、フッ化ビニル等のハロゲン含有単量体；（メタ）アクリル化合物として、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート化合物；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート化合物；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート等のハロゲン含有（メタ）アクリレート化合物；α－オレフィン化合物として、ジイソブチレン、イソブチレン、リニアレン、エチレン、プロピレン等のオレフィン化合物；共役ジエン化合物として、イソプレン、ブタジエン等が挙げられる。

上記架橋性の単量体としては、ビニル化合物として、ジビニルベンゼン、１，４－ジビニロキシブタン、ジビニルスルホン等のビニル単量体；（メタ）アクリル化合物として、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジアクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート化合物；アリル化合物として、トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル；シラン化合物として、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、ｎ－ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ－オクチルトリエトキシシラン、ｎ－デシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、γ－（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等のシランアルコキシド化合物；ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシシラン、ジメトキシエチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジエトキシエチルビニルシラン、エチルメチルジビニルシラン、メチルビニルジメトキシシラン、エチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、エチルビニルジエトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等の重合性二重結合含有シランアルコキシド；デカメチルシクロペンタシロキサン等の環状シロキサン；片末端変性シリコーンオイル、両末端シリコーンオイル、側鎖型シリコーンオイル等の変性（反応性）シリコーンオイル；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体等が挙げられる。

上記基材粒子は、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させることによって得ることができる。上記の重合方法としては特に限定されず、ラジカル重合、イオン重合、重縮合（縮合重合、縮重合）、付加縮合、リビング重合、及びリビングラジカル重合等の公知の方法が挙げられる。また、他の重合方法としては、ラジカル重合開始剤の存在下での懸濁重合が挙げられる。

上記無機材料としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア、カーボンブラック、ケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、ソーダ石灰ガラス及びアルミナシリケートガラス等が挙げられる。

上記基材粒子は、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。上記基材粒子は、コアシェル粒子であってもよい。上記基材粒子が有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子の材料である無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された基材粒子としては特に限定されないが、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる基材粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。

上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。

上記有機コアの材料としては、上述した有機材料等が挙げられる。

上記無機シェルの材料としては、上述した基材粒子の材料として挙げた無機物が挙げられる。上記無機シェルの材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。

上記基材粒子の粒子径は、上記導電性粒子の粒子径を考慮して、選択することができる。上記基材粒子の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上である。上記基材粒子の粒子径は、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下、より一層好ましくは３００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらに一層好ましくは１０μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるため、電極間の導通信頼性をより一層高めることができ、導電性粒子を介して接続された電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。さらに、基材粒子の表面に導電部を無電解めっきにより形成する際に、凝集した導電性粒子を形成され難くすることができる。上記基材粒子の粒子径が上記上限以下であると、導電性粒子が十分に圧縮されやすく、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができ、さらに電極間の間隔をより小さくすることができる。

上記基材粒子の粒子径は、１μｍ以上３μｍ以下であることが特に好ましい。上記基材粒子の粒子径が、１μｍ以上３μｍ以下の範囲内であると、基材粒子の表面に導電部を形成する際に凝集し難くなり、凝集した導電性粒子が形成され難くなる。

上記基材粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることが好ましい。上記基材粒子の粒子径は、任意の基材粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各基材粒子の粒子径の平均値を算出したり、粒度分布測定装置を用いたりして求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの基材粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の基材粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、１個当たりの基材粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記基材粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。測定の精度の高さから、粒度分布測定装置はレーザー回折式粒度分布測定装置であることが好ましい。導電性粒子において、上記基材粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。

導電性粒子の含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。検査用埋め込み樹脂中に分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を２５０００倍に設定し、５０個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の基材粒子を観察する。各導電性粒子における基材粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して基材粒子の粒子径とする。

（導電部）
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。上記導電部は、金属を含むことが好ましい。上記飽和磁化量を好適な範囲に制御するために、上記導電部を構成する適宜の金属が用いられる。

上記導電部を構成する金属としては、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記導電部を構成する金属としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）及びはんだ等が挙げられる。上記導電部を構成する金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部が、ニッケル、コバルト又は鉄を含むことが好ましい。この場合に、上記導電層は、ニッケル、コバルト及び鉄の内の１種のみを含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。上記導電部は、ニッケルを含んでいてもよく、ニッケルを含んでいなくてもよい。上記導電部は、ニッケル、コバルト及び鉄の内の少なくとも２種を含むことが好ましい。上記導電部は、コバルトを含んでいてもよく、コバルトを含んでいなくてもよい。上記導電部は、鉄を含んでいてもよく、鉄を含んでいなくてもよい。

上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部１００重量％中、ニッケル、コバルト及び鉄の合計の含有量は好ましくは９０重量％以上、より好ましくは９５重量％以上、さらに好ましくは９８重量％以上であり、好ましくは１００重量％以下である。

上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部がニッケルを含む場合に、上記導電部１００重量％中、ニッケルの含有量は好ましくは５重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは９８重量％以上であり、好ましくは１００重量％以下である。

上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部がコバルトを含む場合に、上記導電部１００重量％中、コバルトの含有量は好ましくは５重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは９８重量％以上であり、好ましくは１００重量％以下である。

上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部が鉄を含む場合に、上記導電部１００重量％中、鉄の含有量は好ましくは５重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは９８重量％以上であり、好ましくは１００重量％以下である。

上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部がニッケル、コバルト及び鉄の内の少なくとも２種を含む場合、上記導電部１００重量％中、ニッケルの含有量、コバルトの含有量及び鉄の含有量の内の１種の含有量を、含有量（Ａ）とする。上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記含有量（Ａ）は、好ましくは５１重量％以上、より好ましくは５５重量％以上、さらに好ましくは６０重量％以上であり、好ましくは１００重量％未満、より好ましくは９９重量％以下である。含有量（Ａ）には、上記導電部１００重量％中、ニッケルの含有量、コバルトの含有量及び鉄の含有量の内の最も多い含有量が当てはまる。

なお、導電部の表面には、酸化により水酸基が存在することが多い。一般的に、ニッケルにより形成された導電部の表面には、酸化により水酸基が存在する。このような水酸基を有する導電部の表面（導電性粒子の表面）に、化学結合を介して、絶縁性物質を配置できる。

上記導電部は、１つの層により形成されていてもよい。上記導電部は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、上記導電部は、２層以上の積層構造を有していてもよい。上記導電部が複数の層により形成されている場合には、最外層を構成する金属が、ニッケル、コバルト又は鉄を含むことが好ましい。

上記基材粒子の表面上に導電部を形成する方法は特に限定されない。上記導電部を形成する方法としては、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的な衝突による方法、メカノケミカル反応による方法、物理的蒸着又は物理的吸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。上記導電部を形成する方法は、無電解めっき、電気めっき又は物理的な衝突による方法であることが好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。また、上記物理的な衝突による方法としては、シーターコンポーザ（徳寿工作所社製）等が用いられる。

上記導電部の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．３μｍ以下である。上記導電部の厚みは、導電部が多層である場合には導電部全体の厚みである。導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、十分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子を十分に変形させることができる。

上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部の厚みは、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下である。

上記導電部が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電部の厚みは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以下である。上記最外層の導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電部による被覆が均一になり、耐腐食性が十分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗を十分に低くすることができる。

上記導電部の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。上記導電部の厚みについては、任意の導電部の厚み５箇所の平均値を１個の導電性粒子の導電部の厚みとして算出することが好ましく、導電部全体の厚みの平均値を１個の導電性粒子の導電部の厚みとして算出することがより好ましい。上記導電部の厚みは、任意の導電性粒子１０個について、各導電性粒子の導電部の厚みの平均値を算出することにより求めることが好ましい。

なお、上記ニッケル、コバルト、及び鉄の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ－ＡＥＳ」）、又は蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ－８００ＨＳ」）等を用いて測定可能である。

（芯物質及び突起）
上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に突起を有することが好ましい。上記突起は、複数であることが好ましい。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。導電部の表面に突起を有する導電性粒子を用いた場合には、電極間に導電性粒子を配置して圧着させることにより、突起により上記酸化被膜を効果的に排除できる。このため、電極と導電部とがより一層確実に接触し、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに、導電性粒子が絶縁性物質を備える場合に、又は導電性粒子がバインダー樹脂に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の絶縁性物質又はバインダー樹脂をより一層効果的に排除できる。このため、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。

上記導電性粒子は、上記導電部内において、複数の上記突起を形成するように、上記導電部内において、上記導電部の表面を***させている複数の芯物質を備えることが好ましい。

上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。また、上記突起を形成するために、上記芯物質を用いなくてもよい。

上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に導電部を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。また、突起を形成するために、上記芯物質を用いずに、基材粒子に無電解めっきにより導電部を形成した後、導電部の表面上に突起状にめっきを析出させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法等を用いてもよい。

基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法としては、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。付着させる芯物質の量を制御する観点からは、基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法は、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法であることが好ましい。

上記芯物質を構成する物質としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ及びジルコニア等が挙げられる。酸化被膜をより一層効果的に排除する観点からは、上記芯物質は硬い方が好ましい。電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記芯物質は、金属であることが好ましい。

上記金属は特に限定されない。上記金属としては、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫－鉛合金、錫－銅合金、錫－銀合金、錫－鉛－銀合金及び炭化タングステン等の２種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記金属は、ニッケル、銅、銀又は金であることが好ましい。上記金属は、上記導電部（導電層）を構成する金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。

上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。

上記芯物質の粒子径は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の粒子径が、上記下限以上及び上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。

上記芯物質の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることがより好ましい。芯物質の粒子径は、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各芯物質の粒子径の平均値を算出することや、粒度分布測定装置を用いて求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの芯物質の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の芯物質の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、１個当たりの芯物質の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記芯物質の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。測定の精度の高さから、粒度分布測定装置は、レーザー回折式粒度分布測定装置であることが好ましい。

初期の接続抵抗をより一層低くし、高温高湿下での導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面の全表面積１００％中、上記突起がある部分の表面積は好ましくは２５％以上、より好ましくは３０％以上、さらに好ましくは５０％以上である。上記突起がある部分の表面積は、９５％以下であってもよく、９０％以下であってもよく、８０％以下であってもよい。

上記導電性粒子１個当たりの上記突起の数は、好ましくは３個以上、より好ましくは５個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。上記突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。上記突起の数が、上記下限以上であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。

上記突起の数は、任意の導電性粒子を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察して算出することができる。上記突起の数は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各導電性粒子における突起の数の平均値を算出することにより求めることが好ましい。

上記突起の高さは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記突起の高さが、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。

上記突起の高さは、任意の導電性粒子における突起を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察して算出することができる。上記突起の高さは、導電性粒子１個当たりのすべての突起の高さの平均値を１個の導電性粒子の突起の高さとして算出することが好ましい。上記突起の高さは、任意の導電性粒子５０個について、各導電性粒子の突起の高さの平均値を算出することにより求めることが好ましい。

（絶縁性物質）
導通性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備えていなくてもよい。絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備えることが好ましい。この場合には、上記導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡をより一層効果的に防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。さらに、導電部の外表面に突起を有する導電性粒子である場合には、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質をより一層容易に排除できる。

上記絶縁性物質としては、絶縁層及び絶縁性粒子等が挙げられる。電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。

上記絶縁性物質の材料としては、上述した有機材料、上述した無機材料、及び上述した基材粒子の材料として挙げた無機物等が挙げられる。上記絶縁性物質の材料は、上述した有機材料であることが好ましい。

上記絶縁性物質の他の材料としては、ポリオレフィン化合物、（メタ）アクリレート重合体、（メタ）アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。上記絶縁性物質の材料は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記ポリオレフィン化合物としては、ポリエチレン、エチレン－酢酸ビニル共重合体及びエチレン－アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリレート重合体としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリドデシル（メタ）アクリレート及びポリステアリル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン－アクリル酸エステル共重合体、ＳＢ型スチレン－ブタジエンブロック共重合体、及びＳＢＳ型スチレン－ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂の架橋物としては、ポリエチレングリコールメタクリレート、アルコキシ化トリメチロールプロパンメタクリレートやアルコキシ化ペンタエリスリトールメタクリレート等の導入が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。また、重合度の調整に、連鎖移動剤を使用してもよい。連鎖移動剤としては、チオールや四塩化炭素等が挙げられる。

上記導電部の表面上に上記絶縁性物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。電極間を電気的に接続した場合に、絶縁信頼性及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記導電部の表面上に上記絶縁性物質を配置する方法は、物理的方法であることが好ましい。

上記導電部の外表面、及び上記絶縁性物質の外表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。上記導電部の外表面と上記絶縁性物質の外表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。上記導電部の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミン等の高分子電解質を介して絶縁性物質の外表面の官能基と化学結合していても構わない。

上記絶縁性物質が絶縁性粒子である場合、上記絶縁性粒子の粒子径は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁性粒子の粒子径は、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、さらに好ましくは３００ｎｍ以上、特に好ましくは５００ｎｍ以上であり、好ましくは４０００ｎｍ以下、より好ましくは２０００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５００ｎｍ以下、特に好ましくは１０００ｎｍ以下である。絶縁性粒子の粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電部同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の粒子径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁性粒子を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。

上記絶縁性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることが好ましい。絶縁性粒子の粒子径は、任意の絶縁性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各絶縁性粒子の粒子径の平均値を算出したり、粒度分布測定装置を用いたりして求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの絶縁性粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の絶縁性粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、１個当たりの絶縁性粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記絶縁性粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。上記導電性粒子において、上記絶縁性粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。

導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。その検査用埋め込み樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、５０個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の絶縁性粒子を観察する。各導電性粒子における絶縁性粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して絶縁性粒子の粒子径とする。

上記導電性粒子の粒子径の、上記絶縁性粒子の粒子径に対する比（導電性粒子の粒子径／絶縁性粒子の粒子径）は、好ましくは４以上、より好ましくは８以上であり、好ましくは２００以下、より好ましくは１００以下である。上記比（導電性粒子の粒子径／絶縁性粒子の粒子径）が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間を電気的に接続した場合に、絶縁信頼性及び導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。

（導電材料）
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられることが好ましく、バインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極間の電気的な接続に用いられることが好ましい。上記導電材料は回路接続用導電材料であることが好ましい。上記導電材料では、上述した導電性粒子が用いられているので、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができ、導電性粒子同士の凝集の発生をより一層効果的に抑制することができる。上記導電材料では、上述した導電性粒子が用いられているので、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。

上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分（熱可塑性化合物）又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。

上記バインダー樹脂としては、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記ビニル樹脂としては、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ポリオレフィン樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、スチレン－ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル－スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。

導電性粒子の配置精度を高め、接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記バインダー樹脂は、グリシジル基又は（メタ）アクリロイル基を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましい。上記熱硬化性化合物は、グリシジル基を有していてもよく、（メタ）アクリロイル基を有していてもよい。

上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。

上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ、特に限定されない。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法としては、以下の方法等が挙げられる。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記導電性粒子を水又は有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、上記バインダー樹脂中に添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記バインダー樹脂を水又は有機溶剤等で希釈した後、上記導電性粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。

上記導電材料の２５℃での粘度（η２５）は、好ましくは３０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは４００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３００Ｐａ・ｓ以下である。上記導電材料の２５℃での粘度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記粘度（η２５）は、配合成分の種類及び配合量により適宜調整することができる。

上記粘度（η２５）は、例えば、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）等を用いて、２５℃及び５ｒｐｍの条件で測定することができる。

本発明に係る導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。

上記導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上であり、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性をより一層高めることができる。

また、バインダー樹脂と粒子を混合する際に磁界又は磁力Ｘを適用することで任意の位置に導電性粒子を集めることで特定の箇所に導電性粒子を配置した導電材料を作製できる。

上記磁界又は磁力を適用する工程は、バインダー樹脂と粒子を混合した後に行われてもよい。

上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上であり、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは４０重量％以下、特に好ましくは２０重量％以下、最も好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高めることができる。

（接続構造体及び接続構造体の製造方法）
本発明に係る接続構造体は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である。本発明に係る接続構造体では、上記第１の電極と上記第２の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている。

上記接続構造体は、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材との間に、上記導電性粒子又は上記導電材料を配置する工程と、熱圧着することにより導電接続する工程とを経て、得ることができる。上記導電性粒子が上記絶縁性物質を有する場合には、上記熱圧着時に、上記絶縁性物質が上記導電性粒子から脱離することが好ましい。

上記導電性粒子が単独で用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。即ち、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とが上記導電性粒子により接続される。上記接続構造体を得るために用いられる上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。

本発明に係る接続構造体の製造方法は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材の表面上に、上述した導電性粒子を配置するか、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を配置する第１の配置工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記導電性粒子又は上記導電材料の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材を配置する第２の配置工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記第２の配置工程の前又は後に、磁界又は磁力を適用する工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の電極と上記第２の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得る。

図５は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。

図５に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１，第２の接続対象部材５２，５３を接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、導電性粒子１を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図５では、導電性粒子１は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子１に代えて、導電性粒子１１，２１等の他の導電性粒子を用いてもよい。

第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材５２，５３が導電性粒子１により電気的に接続されている。

接続構造体５１は、例えば、以下のようにして得ることができる。

第１の電極５２ａを表面（上面）に有する第１の接続対象部材５２を用意する。図６（ａ）に示すように、第１の接続対象部材５２の第１の電極５２ａが設けられた表面上に、導電材料６１を配置する（第１の配置工程）。導電材料６１は導電性粒子１を含む。導電材料６１の配置の後に、導電性粒子１は、第１の電極５２ａ（ライン）上と、第１の電極５２ａが形成されていない領域（スペース）上との双方に配置されている。

上記導電材料の配置方法としては、特に限定されないが、ディスペンサーによる塗布、スクリーン印刷、及びインクジェット装置による吐出等が挙げられる。

また、第２の電極５３ａを表面（下面）に有する第２の接続対象部材５３を用意する。次に、図６（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材５２の表面上の導電材料６１において、導電材料６１（又は導電性粒子１）の第１の接続対象部材５２側とは反対側の表面上に、第２の接続対象部材５３を配置する（第２の配置工程）。導電材料６１の表面上に、第２の電極５３ａ側から、第２の接続対象部材５３を配置する。このとき、第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとを対向させる。

図６（ｃ）に示すように、上記第２の配置工程に、磁界又は磁力Ｘを適用する。第１の電極５２ａ部分にて、磁界又は磁力を適用することが好ましい。第２の電極５３ａ部分にて、磁界又は磁力を適用することが好ましい。磁界又は磁力の適用によって、導電性粒子１が、第１の電極５２ａ上に集まる。また、磁界又は磁力の適用によって、導電性粒子１が、第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとの間に集まる。この結果、第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとの間に配置される導電性粒子１の数が多くなる。

図６（ｃ）に示す状態から、熱圧着工程を行うことにより、図５に示す接続構造体５１を得ることができる。

別法として、接続構造体５１は、例えば、以下のようにして得ることができる。

第１の電極５２ａを表面（上面）に有する第１の接続対象部材５２を用意する。図７（ａ）に示すように、第１の接続対象部材５２の第１の電極５２ａが設けられた表面上に、導電材料６１を配置する（第１の配置工程）。導電材料６１は導電性粒子１を含む。導電材料６１の配置の後に、導電性粒子１は、第１の電極５２ａ（ライン）上と、第１の電極５２ａが形成されていない領域（スペース）上との双方に配置されている。

図７（ｂ）に示すように、上記第１の配置工程に、磁界又は磁力Ｘを適用する。磁界又は磁力の適用によって、導電性粒子１が、第１の電極５２ａ上に集まる。この結果、第１の電極５２ａ上に配置される導電性粒子１の数が多くなる。

また、第２の電極５３ａを表面（下面）に有する第２の接続対象部材５３を用意する。次に、図７（ｃ）に示すように、第１の接続対象部材５２の表面上の導電材料６１において、導電材料６１（又は導電性粒子１）の第１の接続対象部材５２側とは反対側の表面上に、第２の接続対象部材５３を配置する（第２の配置工程）。導電材料６１の表面上に、第２の電極５３ａ側から、第２の接続対象部材５３を配置する。このとき、第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとを対向させる。

図７（ｃ）に示す状態から、熱圧着工程を行うことにより、図５に示す接続構造体５１を得ることができる。

上記磁界又は磁力を適用する工程は、上記第１の配置工程前又は上記第２の配置工程前に行われてもよく、上記第２の配置工程後に行われてもよい。導電性粒子の配置精度をより一層高める観点からは、上記磁界又は磁力を適用する工程は、上記第１の配置工程前又は上記第２の配置工程後に行われることが好ましい。

上記第２の配置工程後、かつ、上記磁界又は磁力を適用する工程の後、熱圧着工程が行われることが好ましい。上記第１の接続対象部材と、導電性粒子又は導電材料と、上記第２の接続対象部材との積層体を熱圧着することにより、接続信頼性に優れた接続構造体を得ることができる。

上記熱圧着の圧力は好ましくは４０ＭＰａ以上、より好ましくは６０ＭＰａ以上であり、好ましくは９０ＭＰａ以下、より好ましくは７０ＭＰａ以下である。上記熱圧着の加熱の温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上であり、好ましくは１４０℃以下、より好ましくは１２０℃以下である。上記熱圧着の圧力及び温度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高めることができる。また、上記導電性粒子が上記絶縁性粒子を有する場合には、導電接続時に導電性粒子の表面から絶縁性粒子が容易に脱離できる。

上記導電性粒子が上記絶縁性粒子を有する場合には、上記積層体を加熱及び加圧する際に、上記導電性粒子と、上記第１の電極及び上記第２の電極との間に存在している上記絶縁性粒子を排除することができる。例えば、上記加熱及び加圧の際には、上記導電性粒子と、上記第１の電極及び上記第２の電極との間に存在している上記絶縁性粒子が、上記導電性粒子の表面から容易に脱離する。なお、上記加熱及び加圧の際には、上記導電性粒子の表面から一部の上記絶縁性粒子が脱離して、上記導電部の表面が部分的に露出することがある。上記導電部の表面が露出した部分が、上記第１の電極及び上記第２の電極に接触することにより、上記導電性粒子を介して第１の電極と第２の電極とを電気的に接続することができる。

上記第１の接続対象部材及び第２の接続対象部材は、特に限定されない。上記第１の接続対象部材及び第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、半導体パッケージ、ＬＥＤチップ、ＬＥＤパッケージ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記第１の接続対象部材及び第２の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、ＳＵＳ電極、及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

（実施例１）
（１）導電性粒子の作製
基材粒子Ａとして、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ－２０３、粒子径３μｍ」）を用意した。

パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、基材粒子Ａ１０重量部を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（１Ａ）を得た。

金属ニッケルスラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて上記懸濁液（１Ａ）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ａを含む粒子混合懸濁液（１Ｂ）を得た。

また、スルファミン酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、グリシン７０ｇ／Ｌ、ホウ酸３０ｇ／Ｌ及び硫酸ヒドラジウム３００ｇ／Ｌを含むニッケルめっき液（２）（ｐＨ１０）を用意した。

懸濁液（１Ｂ）を８０℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液（２）を徐々に滴下し、無電解純ニッケルめっきを行った。その後、ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解純ニッケルめっき後の懸濁液（３）を得た。

その後、懸濁液（３）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥した。基材粒子の外表面に高純度Ｎｉの導電部（厚み５１ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。この導電性粒子は、芯物質として、金属ニッケル粒子を備える。

（実施例２）
導電層の厚みを５１ｎｍから８０ｎｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（実施例３）
実施例１と同様の懸濁液（１Ｂ）を、硫酸ニッケル２５ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１５ｐｐｍ及び硝酸ビスマス１０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（４）を得た。

また、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン３０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ、硝酸タリウム２５ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス１０ｐｐｍを含むホウ素含有ニッケルめっき液（５）（ｐＨ８．０）を用意した。

粒子混合液（４）を６０℃にて攪拌しながら上記ホウ素含有ニッケルめっき液（５）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。その後、ｐＨが安定するまで攪拌し、発泡が停止するのを確認し、無電解ホウ素含有ニッケルめっき後の懸濁液（６）を得た。

その後、懸濁液（６）をろ過し、水洗後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、ホウ素含有ニッケルめっき粒子の懸濁液（７）を得た。

さらに実施例１と同様にして、無電解純ニッケルめっきを行うことで、基材粒子の表面にホウ素含有Ｎｉの導電部（厚み１９ｎｍ）が配置され、さらに外表面に高純度Ｎｉの導電部（厚み５１ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

（実施例４）
懸濁液（１Ａ）を用いて無電解ニッケルめっきを行うことで芯物質を備えていない導電性粒子を得たこと、並びに導電層の厚みを５１ｎｍから５５ｎｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（実施例５）
上記金属ニッケル粒子スラリーを酸化チタン粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）に変更したこと、並びに導電層の厚みを５１ｎｍから５２ｎｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。この導電性粒子は、芯物質として、酸化チタン粒子を備える。

（実施例６）
上記金属ニッケル粒子スラリーをアルミナ粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。この導電性粒子は、芯物質として、アルミナ粒子を備える。

（実施例７）
実施例１と同様の懸濁液（１Ｂ）を、硫酸コバルト２０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（９）を得た。

また、硫酸コバルト７０ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン５０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム６０ｇ／Ｌを含むホウ素含有コバルトめっき液（１０）（ｐＨ８．０）を用意した。

粒子混合液（９）を６０℃にて攪拌しながら上記ホウ素含有コバルトめっき液（１０）を徐々に滴下し、無電解コバルトめっきを行った。その後、ｐＨが安定するまで攪拌し、発泡が停止するのを確認し、無電解ホウ素含有コバルトめっき後の懸濁液（１１）を得た。

その後、懸濁液（１１）をろ過し、水洗後、乾燥することで基材粒子の外表面にＣｏ－Ｂの導電部（厚み５５ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

（実施例８）
実施例１と同様の懸濁液（１Ｂ）を、硫酸ニッケル２０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（１２）を得た。

また、硫酸ニッケル７０ｇ／Ｌ、硫酸コバルト７０ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン７０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム６０ｇ／Ｌを含むホウ素含有ニッケルコバルトめっき液（１３）（ｐＨ９．０）を用意した。

粒子混合液（１２）を６０℃にて攪拌しながら上記ホウ素含有ニッケルコバルトめっき液（１３）を徐々に滴下し、無電解ニッケルコバルトめっきを行った。その後、ｐＨが安定するまで攪拌し、発泡が停止するのを確認し、無電解ホウ素含有ニッケルコバルトめっき後の懸濁液（１４）を得た。

その後、懸濁液（１４）をろ過し、水洗後、乾燥することで基材粒子の外表面にＮｉ－Ｃｏ－Ｂの導電部（厚み６２ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

（実施例９）
実施例１と同様の懸濁液（１Ｂ）を、硫酸ニッケル２０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（１５）を得た。

また、硫酸ニッケル７０ｇ／Ｌ、硫酸鉄４０ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン７０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌを含むホウ素含有ニッケル鉄めっき液（１６）（ｐＨ１０．０）を用意した。

粒子混合液（１５）を６０℃にて攪拌しながら上記ホウ素含有ニッケル鉄めっき液（１６）を徐々に滴下し、無電解ホウ素含有ニッケル鉄めっきを行った。その後、ｐＨが安定するまで攪拌し、発泡が停止するのを確認し、無電解ホウ素含有ニッケル鉄めっき後の懸濁液（１７）を得た。

その後、懸濁液（１７）をろ過し、水洗後、乾燥することで基材粒子の外表面にＮｉ－Ｆｅ－Ｂの導電部（厚み５４ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

（実施例１０）
実施例１と同様の懸濁液（１Ｂ）を、硫酸コバルト２０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌを含む溶液中に入れ、粒子混合液（１８）を得た。

また、硫酸コバルト８０ｇ／Ｌ、硫酸鉄３０ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン７０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌ、グルコン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌを含むホウ素含有コバルト鉄めっき液（１９）（ｐＨ９．０）を用意した。

粒子混合液（１８）を６０℃にて攪拌しながら上記ホウ素含有コバルト鉄めっき液（１９）を徐々に滴下し、無電解ホウ素含有コバルト鉄めっきを行った。その後、ｐＨが安定するまで攪拌し、発泡が停止するのを確認し、無電解ホウ素含有コバルト鉄めっき後の懸濁液（２０）を得た。

その後、懸濁液（２０）をろ過し、水洗後、乾燥することで基材粒子の外表面にＣｏ－Ｆｅ－Ｂの導電部（厚み５１ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

（実施例１１）
（１）シリコーンオリゴマーの作製
温浴槽内に設置した１００ｍｌのセパラブルフラスコに、１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン１重量部と、０．５重量％ｐ－トルエンスルホン酸水溶液２０重量部とを入れた。４０℃で１時間撹拌した後、炭酸水素ナトリウム０．０５重量部を添加した。その後、ジメトキシメチルフェニルシラン１０重量部、ジメチルジメトキシシラン４９重量部、トリメチルメトキシシラン０．６重量部、及びメチルトリメトキシシラン３．６重量部を添加し、１時間撹拌を行った。その後、１０重量％水酸化カリウム水溶液１．９重量部を添加して、８５℃まで昇温してアスピレーターで減圧しながら、１０時間撹拌、反応を行った。反応終了後、常圧に戻し４０℃まで冷却して、酢酸０．２重量部を添加し、１２時間以上分液漏斗内で静置した。二層分離後の下層を取り出して、エバポレーターにて精製することでシリコーンオリゴマーを得た。

（２）シリコーン粒子材料（有機ポリマーを含む）の作製
得られたシリコーンオリゴマー３０重量部に、ｔｅｒｔ－ブチル－２－エチルペルオキシヘキサノアート（重合開始剤、日油社製「パーブチルＯ」）０．５重量部を溶解させた溶解液Ａを用意した。また、イオン交換水１５０重量部に、ラウリル硫酸トリエタノールアミン塩４０重量％水溶液（乳化剤）０．８重量部とポリビニルアルコール（重合度：約２０００、けん化度：８６．５～８９モル％、日本合成化学社製「ゴーセノールＧＨ－２０」）の５重量％水溶液８０重量部とを混合して、水溶液Ｂを用意した。温浴槽中に設置したセパラブルフラスコに、上記溶解液Ａを入れた後、上記水溶液Ｂを添加した。その後、Ｓｈｉｒａｓｕ Ｐｏｒｏｕｓ Ｇｌａｓｓ（ＳＰＧ）膜（細孔平均径約１μｍ）を用いることで、乳化を行った。その後、８５℃に昇温して、９時間重合を行った。重合後の粒子の全量を遠心分離により水洗浄し、凍結乾燥を行った。乾燥後、粒子の凝集体が目的の比（平均２次粒子径／平均１次粒子径）になるまでボールミルにて粉砕して、粒子径が３．０μｍのシリコーン粒子（基材粒子Ｂ）を得た。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｂに変更したこと、並びに導電層の厚みを５１ｎｍから５２ｎｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、基材粒子の外表面に高純度Ｎｉの導電部が配置された導電性粒子を得た。

（実施例１２）
基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が１０．０μｍである基材粒子Ｃを用意した。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｃに変更したこと、並びに導電層の厚みを５１ｎｍから９０ｎｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、基材粒子の外表面に高純度Ｎｉの導電部が配置された導電性粒子を得た。

（実施例１３）
基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が１．５μｍである基材粒子Ｄを用意した。

上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｄに変更したこと、並びに導電層の厚みを５１ｎｍから３２ｎｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、基材粒子の外表面に高純度Ｎｉの導電部が配置された導電性粒子を得た。

（実施例１４）
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた１０００ｍＬのセパラブルフラスコを用意した。上記セパラブルフラスコ内に、イオン交換水を入れ、メタクリル酸メチル１００ｍｍｏｌと、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチル－Ｎ－２－メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌと、２，２’－アゾビス（２－アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとを含むモノマー組成物を固形分率が５重量％となるように秤取した。その後、２００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径２２０ｎｍ及びＣＶ値１０％の絶縁性粒子を得た。

絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の１０重量％水分散液を得た。

実施例１で得られた導電性粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、絶縁性粒子の水分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。１０μｍのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積（即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積）を算出したところ、被覆率は３０％であった。

（比較例１）
実施例１の懸濁液（１Ａ）を、硫酸ニッケル２５ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１５ｐｐｍ及び硝酸ビスマス１０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（２１）を得た。

また、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム６０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ、硝酸タリウム２５ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス１０ｐｐｍを含むニッケル－リンめっき液（２２）（ｐＨ５．５）を用意した。

粒子が分散している５０℃の粒子混合液（２１）に、上記ニッケル－リンめっき液（２２）を徐々に滴下し、無電解ニッケル－リンめっきを行った。その後、ｐＨが安定するまで攪拌し、発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル－リンめっき液後の懸濁液（２３）を得た。その後、懸濁液（２３）をろ過し、水洗後、乾燥することで基材粒子の外表面に芯物質を含まないＮｉ－Ｐの導電部（厚み５９ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

（比較例２）
上記基材粒子Ａを金属ニッケル－リン粒子（日立金属ネオマテリアル社製、平均粒子径２０μｍ）に変更したこと、並びに導電層の厚みを５１ｎｍから４９ｎｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（評価）
（１）基材粒子の１０％Ｋ値
導電性粒子に用いた基材粒子（金属粒子を除く）について、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ－１００」を用いて、上述した方法により、１０％Ｋ値を測定した。

（２）飽和磁化量
得られた導電性粒子を用いて、飽和磁化量を測定した。磁化量は導電性粒子の磁気ヒステリシス曲線を測定することで算出した。装置として、振動試料型磁力計（理研電子社製「ＢＨＶ－５０」）を用いた。また、乾燥した導電性粒子１５ｍｇを、サンプルホルダーに圧縮せずに密閉することで試料調整を行い、測定を実施した。

（３）沈降速度（導電性粒子の移動特性）
３０ｍＬのバイアル瓶の中に０．５ｇの導電性粒子を入れた。さらに、バイアル瓶の中に純水３０ｍＬを充填して、バイアル瓶を超音波で３０秒処理して、導電性粒子を分散させた。バイアル瓶の底面より大きな表面積の磁石上に、導電性粒子が分散されたバイアル瓶を設置し、導電性粒子が完全に沈降するまで放置した。

沈降後、磁石とバイアル瓶を密着させた状態で１８０°回転させ逆さにし、磁石面に保持されずに沈降する粒子が底面に到達するまでの時間を測定した。

［沈降速度の判定基準］
○○：粒子が１０分以上経過しても沈降しない
○：沈降する粒子の底面到達時間が５分以上１０分未満
×：沈降する粒子の底面到達時間が５分未満

（４）電極の損傷
異方性導電フィルムの作製：
熱硬化性化合物であるフェノキシ化合物（Ｉｎｃｈｅｍ社製「ＰＫＨＣ」）３０重量部をＰＧＭＥＡ３５重量部とメチルエチルケトン３５重量部との混合溶媒に入れ、２４時間常温で撹拌してフェノキシ化合物の３０重量％分散液を得た。次に、上記分散液３０重量部と熱硬化性化合物であるエポキシ化合物（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ－４０３２Ｄ」）３０重量部と、潜在型熱硬化剤であるイミダゾールのマイクロカプセル硬化剤（旭化成社製「ノバキュアＨＸＡ３９２２」）３０重量部と、シランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ－４０３」）１重量部とを配合した。得られた配合物に導電性粒子を得られる導電フィルム１００重量％中での含有量が１０重量％となるように添加した後、固形分量が５０重量％となるようにメチルエチルケトンをさらに添加し、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを剥離処理されたポリエチレンテレフタレート上に塗布し、溶媒を乾燥させて、厚みが２０μｍである異方性導電フィルムを得た。

接続構造体の作製：
Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍの電極パターン（厚み０．３５μｍのＴｉＯ電極部分と、厚み１．０μｍのＡｌＴｉ電極部分と、厚み０．１μｍのＩＺＯ電極部分とがこの順で積層された複合電極）を上面に有するガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍの金電極パターン（金電極厚み２０μｍ）を下面に有する半導体チップを用意した。

上記ガラス基板の上面に、異方性導電フィルムを配置し、異方性導電フィルム層を形成した。次に、異方性導電フィルム層の上面に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電フィルム層の温度が１３０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、バンプ電極の接続部分の総面積当たり７０ＭＰａの圧力をかけて、接続構造体を得た。

得られた接続構造体を用いて、電極の損傷を以下の基準で判定した。なお、粒子の潰れの有無によって電極の損傷を比較したのは、粒子が潰れずに電極に接している場合には電極に食い込んでいる可能性が高く電極を傷つけている可能性が有るが、逆に粒子が潰れている場合には電極に食い込んでいる可能性が低く電極を傷つけている可能性が低いためである。

［電極の損傷の判定基準］
○：粒子が潰れて電極に接触している
×：粒子が潰れずに電極に接触している

（５）接続抵抗
上記の（４）の電極の損傷の評価で得られた接続構造体を用いて、電極間の接続抵抗を４端子法により測定した。また、初期の接続抵抗を下記の基準で判定した。接続抵抗は、１０Ω以下が好ましく、５．０Ω以下がより好ましく、３．０Ω以下が更に好ましく、１．５Ω以下が特に好ましい。接続抵抗を以下の基準で判定した。

［接続抵抗の判定基準］
○○：接続抵抗が１．０Ω以下
○：接続抵抗が１．０Ωを超え、５．０Ω以下
×：接続抵抗が５．０Ωを超える

詳細及び結果を下記の表１，２に示す。

１…導電性粒子
２…基材粒子
３…導電部
１１…導電性粒子
１１ａ…突起
１２…導電部
１２ａ…突起
１３…芯物質
１４…絶縁性物質
２１…導電性粒子
２１ａ…突起
２２…導電部
２２ａ…突起
２２Ａ…第１の導電部
２２Ａａ…突起
２２Ｂ…第２の導電部
２２Ｂａ…突起
３１…導電性粒子
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…第２の電極
５４…接続部
６１…導電材料
Ｘ…磁界又は磁力

Claims (13)

1. 基材粒子と、
   前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
   前記導電部が１つの層のみにより形成されており、かつ前記導電部の前記１つの層が、ニッケル、コバルト又は鉄を含む層であるか、又は、前記導電部が複数の層により形成されており、かつ前記導電部の最外層が、ニッケル、コバルト又は鉄を含む層であり、
   前記導電部１００重量％中、ニッケル、コバルト及び鉄の合計の含有量が９０重量％以上であり、
   飽和磁化量が、１０ｅｍｕ／ｇ以上である、導電性粒子（但し、ニッケル、コバルト又は鉄を含む層の外側に別の導電層を備える導電性粒子を除く）。
2. 前記基材粒子が、金属粒子ではない、請求項１に記載の導電性粒子。
3. 前記基材粒子が、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である、請求項１に記載の導電性粒子。
4. 前記導電部が、ニッケル、コバルト及び鉄の内の少なくとも２種を含み、
   前記導電部１００重量％中、ニッケルの含有量、コバルトの含有量及び鉄の含有量の内の１種の含有量が５１重量％以上である、請求項１～３のいずれか１項に記載の導電性粒子。
5. 前記基材粒子を２５℃で１０％圧縮したときの圧縮弾性率が、１０００Ｎ／ｍｍ^２以上３００００Ｎ／ｍｍ^２以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載の導電性粒子。
6. 前記基材粒子の粒子径が１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載の導電性粒子。
7. 前記基材粒子の比重が、前記導電部の比重よりも低い、請求項１～６のいずれか１項に記載の導電性粒子。
8. 磁界又は磁力を適用する導電接続に用いられる、請求項１～７のいずれか１項に記載の導電性粒子。
9. 前記導電部の外表面に突起を有する、請求項１～８のいずれか１項に記載の導電性粒子。
10. 前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える、請求項１～９のいずれか１項に記載の導電性粒子。
11. 請求項１～１０のいずれか１項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。
12. 第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
    第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
    前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、 前記接続部の材料が、請求項１～１０のいずれか１項に記載の導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、
    前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
13. 第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材の表面上に、請求項１～１０のいずれか１項に記載の導電性粒子を配置するか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を配置する第１の配置工程と、
    前記導電性粒子又は前記導電材料の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材を配置する第２の配置工程と、
    前記第２の配置工程の前又は後に、磁界又は磁力を適用する工程とを備え、
    前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得る、接続構造体の製造方法。

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