JP7457066B2 - 超再生受信機の発振器の開始を強化するための方法、およびその方法を実施するための受信機 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 title claims description 12
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 101
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 62
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 62
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 27
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 21
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 32
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03D11/00—Super-regenerative demodulator circuits
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- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
- H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
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- H03D11/00—Super-regenerative demodulator circuits
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- H—ELECTRICITY
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Description
2 RFパッド
3 インピーダンス整合ユニット
4 電圧制御発振器、基準発振器
5 位相ロックループ
6 発振検出器
7 バイアス電流発生器、クエンチ電流発生器
11 第1の電流ソース
12 第2の電流ソース
13 トランジスタ
14 タイプトランジスタ
31 第1のコンデンサ
32 第2のコンデンサ
33 インダクタンス
34 第3のコンデンサ
35 第4のコンデンサ
36 第5のコンデンサ
C コンデンサ
i_vco バイアス電流
L1 インダクタンス
M1 第1のトランジスタ
M2 第2のトランジスタ
M11 トランジスタ
M12 トランジスタ
M13 トランジスタ
M14 トランジスタ
R 入力抵抗
s1 信号
s2 信号
s3 信号
s4 信号
Sosc 活性化制御信号
start 開始制御信号、活性化制御信号
stop 発振停止制御信号
VCO 電圧制御発振器
Vdd 電源電圧
Vmeas 電圧
Vtune 調整電圧
Claims (10)
- 超再生受信機(1)の基準発振器(4)の開始時間の検出を強化するための方法であって、前記超再生受信機(1)は、前記基準発振器(4)と、少なくとも1つの活性化制御信号(Sosc)を受信すると、前記基準発振器(4)へバイアス電流(i_vco)を供給するバイアス電流発生器(7)と、前記基準発振器(4)における発振を検出するために、前記基準発振器(4)の入力または出力(coilp)と前記バイアス電流発生器(7)との間に接続された発振検出器(6)と、前記受信機(1)のRF信号を受信する端子またはパッド(2)と前記基準発振器(4)との間に配置されたインピーダンス整合ユニット(3)とを備え、
前記活性化制御信号(Sosc)の受信後、前記バイアス電流(i_vco)の供給に続いて、前記発振検出器(6)は、追加の増幅電流生成回路を活性化し、前記基準発振器において検出された前記発振の包絡線に依存する前記追加の増幅電流を供給することを可能にするために、前記基準発振器(4)の第1の発振を検出し、前記発振検出器(6)は、発振信号の増幅を伴う第2の発振の検出後に、前記基準発振器(4)の停止制御信号を供給する、方法であって、
各活性化制御信号(Sosc)において、前記基準発振器(4)の前記発振の開始から、少なくとも1つの臨界電流値が達成されるまで漸進的に増加するバイアス電流が、前記バイアス電流発生器(7)に供給され、前記発振検出器(6)は、前記基準発振器(4)の前記第1の発振を検出し、前記発振検出器(6)によって検出された前記第2の発振において、前記基準発振器(4)への電流の供給を即座に遮断して、前記基準発振器(4)を即座に停止し、したがって、前記受信機の電力消費量を低減するために、停止制御信号(stop)が、前記バイアス電流発生器(7)へのみならず、追加の増幅電流生成回路へも供給されることを特徴とする、方法。 - 特に、前記バイアス電流発生器(7)の活性化制御信号(Sosc)のサイクルの時間にわたって各活性化制御信号(Sosc)を受信した後に、前記バイアス電流(i_vco)が、前記基準発振器(4)に供給されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記超再生受信機(1)が、PLL位相ロックループ(5)をさらに備え、発振周波数を調整するためのVCO発振器(4)である前記基準発振器に、経時的に、調整電圧(Vtune)が供給されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記バイアス電流発生器(7)は、RF信号を受信した後、少なくとも1つの活性化制御信号によって活性化されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の超再生受信機(1)の基準発振器(4)の前記開始時間の検出を高めるための方法を実施するための超再生受信機(1)であって、前記超再生受信機は、前記基準発振器(4)と、少なくとも1つの活性化制御信号(Sosc)を受信すると、前記基準発振器(4)へバイアス電流(i_vco)を供給するためのバイアス電流発生器(7)と、前記基準発振器(4)における発振を検出するために、前記基準発振器(4)の入力および出力(coilp)と前記バイアス電流発生器(7)との間に接続された発振検出器(6)と、前記超再生受信機(1)のRF信号を受信するための端子またはパッド(2)と前記基準発振器(4)との間に配置されたインピーダンス整合ユニット(3)とを備え、前記超再生受信機(1)は、前記発振検出器(6)によって検出された第1の発振後、前記バイアス電流に加えて、前記基準発振器(4)へ追加の増幅電流(iboost)を供給するための追加の増幅電流生成回路を備え、前記基準発振器の前記開始時間を正確に定義し、前記発振検出器(6)によって検出された第2の発振中、前記発振検出器(6)が、前記基準発振器(4)の停止を要求できるように、追加の増幅電流(iboost)は、前記発振信号を、臨界発振開始しきい値よりも高く増幅するために、前記バイアス電流に加えて、前記基準発振器(4)へ提供され、前記発振検出器(6)は、前記第2の発振において、前記基準発振器(4)への電流の供給を即座に遮断して、前記基準発振器(4)を即座に停止し、したがって、前記受信機の電力消費量を低減するために、停止制御信号(stop)を、前記バイアス電流発生器(7)へのみならず、前記追加の増幅電流生成回路へも供給するように構成されることを特徴とする、超再生受信機。
- VCO発振器(4)である前記基準発振器に調整電圧(Vtune)を供給するためのPLL位相ロックループ(5)も備えたことを特徴とする、請求項5に記載の超再生受信機。
- 前記基準発振器(4)は、2.4GHz以上の周波数で動作することを特徴とする、請求項5に記載の超再生受信機。
- 前記追加の増幅電流生成回路は、第1のNMOSトランジスタ(M13)および第2のNMOSトランジスタ(M14)から構成される少なくとも1つの電流ミラーを備え、前記第1のNMOSトランジスタ(M13)は、アースに接続されたその端子と、第2の電流ソース(12)へ接続されるようにともに接続されたゲート端子およびドレイン端子を有し、前記第2のNMOSトランジスタ(M14)は、前記第1のNMOSトランジスタ(M13)の前記ゲート端子へ接続されたそのゲート端子と、アースに接続されたそのソース端子と、前記基準発振器(4)に前記追加の増幅電流(iboost)を供給する前記ドレイン端子とを有することを特徴とする、請求項5に記載の超再生受信機。
- 前記第1の発振を検出した後に作動するように意図された前記追加の増幅電流生成回路は、前記基準発振器(4)のために前記追加の増幅電流(iboost)を供給するために、前記電流ミラー(M13、M14)に接続された振幅検出器(M11、M12)を備え、第1の振幅検出器は、第1のNMOSトランジスタ(M11)および第2のNMOSトランジスタ(M12)を備え、前記第1のNMOSトランジスタ(M11)は、アースに接続されたソース端子と、第1の電流ソース(11)および前記第2のNMOSトランジスタ(M12)へ接続されるようにともに接続されたゲート端子およびドレイン端子とを有し、前記第1のNMOSトランジスタ(M11)の前記ゲート端子および前記ドレイン端子は、前記第2のNMOSトランジスタ(M12)のゲート端子に接続され、前記第2のNMOSトランジスタ(M12)の前記ドレイン端子は、前記電流ミラーの第1のNMOSトランジスタ(M13)の前記ゲートおよび前記ドレインに接続されることを特徴とする、請求項8に記載の超再生受信機。
- 前記振幅検出器の前記NMOSトランジスタ(M11、M12)は同じサイズであり、前記電流ミラーのNMOSトランジスタ(M13、M14)は2つのNMOSトランジスタであることを特徴とする、請求項9に記載の超再生受信機。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP21200072.3A EP4160911A1 (fr) | 2021-09-30 | 2021-09-30 | Procede pour ameliorer le demarrage d'un oscillateur d'un recepteur a super reaction, et recepteur pour la mise en uvre du procede |
EP21200072.3 | 2021-09-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023051740A JP2023051740A (ja) | 2023-04-11 |
JP7457066B2 true JP7457066B2 (ja) | 2024-03-27 |
Family
ID=78402006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022115410A Active JP7457066B2 (ja) | 2021-09-30 | 2022-07-20 | 超再生受信機の発振器の開始を強化するための方法、およびその方法を実施するための受信機 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11705862B2 (ja) |
EP (1) | EP4160911A1 (ja) |
JP (1) | JP7457066B2 (ja) |
CN (1) | CN115913261A (ja) |
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2022
- 2022-06-30 US US17/855,020 patent/US11705862B2/en active Active
- 2022-07-20 JP JP2022115410A patent/JP7457066B2/ja active Active
- 2022-09-30 CN CN202211205494.8A patent/CN115913261A/zh active Pending
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JP2023051740A (ja) | 2023-04-11 |
EP4160911A1 (fr) | 2023-04-05 |
US11705862B2 (en) | 2023-07-18 |
CN115913261A (zh) | 2023-04-04 |
US20230099987A1 (en) | 2023-03-30 |
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A977 | Report on retrieval |
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