JP7456937B2 - 表示基板及びその製造方法、表示装置 - Google Patents

Description

本開示は、表示技術分野に関し、特に、表示基板、表示基板の製造方法と表示装置に関する。

従来の有機発光デバイスには、能動マトリックス（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ、ＡＭと略称する）又は受動マトリックス（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ、ＰＭと略称する）方式があり、この２種類の駆動方式の有機発光表示装置は、ワイヤの抵抗値に対する要求が厳しい。ワイヤの抵抗値を小さくするために、通常、広いワイヤが用いられる。しかし、ワイヤは、一般的に表示スクリーンの非表示領域に配置されるので、広すぎるワイヤは非表示領域の面積を増加させ、狭いフレームの表示装置の実現に不利である。

本開示の一部の実施例は、周辺領域を含むサブストレートと、前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置するワイヤと、を含み、前記ワイヤは、前記サブストレートの上面に平行する第１の方向に沿って延伸する第１の部分と、前記サブストレートの上面に垂直する第２の方向に沿って延伸する第２の部分と、を含む、表示基板を提供する。

一部の実施例において、前記ワイヤは少なくとも２つの前記第２の部分を含む。

一部の実施例において、前記ワイヤは、前記第１の方向延伸する第３の部分をさらに含み、前記第２の部分は、前記第１の部分と前記第３の部分とを接続する。

一部の実施例において、前記ワイヤは少なくとも１つのサブワイヤ部を含み、前記サブワイヤ部のそれぞれは、順に接続された第１の段、第２の段、第３の段、第４の段及び第５の段を含み、前記第１の段と第５の段により前記第１の部分を構成し、前記第２の段と第４の段により前記第２の部分を構成し、前記第３の段は前記第３の部分である。

一部の実施例において、前記ワイヤは、周期的に配列された複数の前記サブワイヤ部を含む。

一部の実施例において、前記表示基板前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する層間誘電体層と、前記層間誘電体層に形成された溝と、をさらに含み、前記第１の部分は前記溝の底部に位置し、前記第２の部分は前記溝の側壁上に位置し、前記第３の部分は前記層間誘電体層上に位置する。

一部の実施例において、前記溝は、第２の方向に沿って前記層間誘電体層を貫通する。

一部の実施例において、前記の表示基板は、前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する層間誘電体層と、前記第１の絶縁層と前記層間誘電体層に形成された溝と、をさらに含み、前記第１の部分は前記溝の底部に位置し、前記第２の部分は前記溝の側壁上に位置し、前記第３の部分は前記層間誘電体層上に位置する。

一部の実施例において、前記溝は第２の方向に沿って前記第１の絶縁層と前記層間誘電体層との両方を貫通する。

一部の実施例において、前記表示基板前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する層間誘電体層と、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、及び前記層間誘電体層に形成された溝と、をさらに含み、前記第１の部分は前記溝の底部に位置し、前記第２の部分は前記溝の側壁上に位置し、前記第３の部分は前記層間誘電体層上に位置する。

一部の実施例において、前記溝は第２の方向に沿って前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記層間誘電体層を貫通する。

一部の実施例において、前記表示基板前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置するバファー層と、前記バファー層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する層間誘電体層と、前記バファー層、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記層間誘電体層に形成された溝と、をさらに含み、前記第１の部分は前記溝の底部に位置し、前記第２の部分は前記溝の側壁上に位置し、前記第３の部分は前記層間誘電体層上に位置する。

一部の実施例において、前記溝は第２の方向に沿って前記バファー層、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記層間誘電体層を貫通する。

一部の実施例において、前記の表示基板は、前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置するバリア層と、前記バリア層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置するバファー層と、前記バファー層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する層間誘電体層と、前記バリア層、前記バファー層、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記層間誘電体層に形成された溝と、をさらに含み、前記第１の部分は前記溝の底部に位置し、前記第２の部分は前記溝の側壁上に位置し、前記第３の部分は前記層間誘電体層上に位置する。

一部の実施例において、前記溝は、前記バリア層、前記バファー層、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記層間誘電体層を貫通する。

一部の実施例において、前記溝の数は少なくとも２つである。

一部の実施例において、前記第２の方向に沿う前記第２の部分の高さを、前記第１の方向に沿う前記第１の部分の幅と前記第２の方向に沿う前記第２の部分の高さとの和で割った比の値は１／１３以上である。

一部の実施例において、前記サブストレートは中間領域をさらに含み、前記周辺領域は前記中間領域を囲むように設けられており、前記表示基板は、前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記中間領域に位置するフィルムトランジスタをさらに含み、前記フィルムトランジスタはソース―ドレイン層を含み、前記ワイヤと前記ソース―ドレイン層とは同一の層に位置し、且つ、同じ材料で形成される。

一部の実施例において、前記表示基板前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記中間領域に位置し、陽極、陰極、及び前記陽極と前記陰極との間に位置する発光層を含む有機発光デバイスと、前記ワイヤ上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する導電層と、をさらに含み、前記導電層は前記陰極と前記ワイヤとを電気的に接続する。

一部の実施例において、前記導電層と前記陽極とは同一の層に位置し、且つ、同じ材料で形成される。

一部の実施例において、前記表示基板前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記中間領域に位置する共通電極をさらに含み、前記ワイヤは前記共通電極に電気的に接続される。

本開示の一部の実施例は、前述の実施例に記載の表示基板を含む、表示装置を提供する。

本開示の一部の実施例は、周辺領域を含むサブストレートを提供するステップと、前記周辺領域において絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層において少なくとも１つの溝を形成するステップと、前記溝の底部に位置する第１の部分と、前記溝の側壁上に位置する第２の部分と、を含むワイヤを、前記溝と前記絶縁層上に形成するステップと、を含む、表示基板の製造方法を提供する。

以下の添付図面を参照して行った本開示の説明により、本開示の他の目的と利点はより明らかになり、本開示を全面的に理解できる。

図１Ａは、関連技術の表示基板の平面図である。 図１Ｂは、図１ＡにおけるＢ―Ｂ’方向に沿って切断した断面図である。 図２は、本開示の一部の実施例による表示基板の平面図である。 図３は、図２におけるＢ―Ｂ’方向に沿って切断した断面図であり、表示基板の側に位置する非表示領域における断面構成を示す。 図４は、図２におけるＣ―Ｃ’方向に沿って切断した断面図であり、表示基板に位置する表示領域における部分断面構成を示す。 図５は、図２におけるＢ―Ｂ’方向に沿って切断した断面図であり、表示基板の側に位置する非表示領域における断面構成を示し、絶縁層に位置する溝におけるワイヤを具体的に示す。 図６は、図２におけるＣ―Ｃ’方向に沿って切断した断面図であり、表示基板に位置する表示領域における部分断面構成を示す。 図７は、図２におけるＢ―Ｂ’方向に沿って切断した断面図であり、表示基板の側に位置する非表示領域における断面構成を示し、第１のゲート絶縁層と層間誘電体層に位置する溝におけるワイヤを具体的に示す。 図８は、図２におけるＢ―Ｂ’方向に沿って切断した断面図であり、表示基板の側に位置する非表示領域における断面構成を示し、第１のゲート絶縁層、第２のゲート絶縁層及び層間誘電体層に位置する溝におけるワイヤを具体的に示す。 図９は、図２におけるＢ―Ｂ’方向に沿って切断した断面図であり、表示基板の側に位置する非表示領域における断面構成を示し、バファー層、第１のゲート絶縁層、第２のゲート絶縁層及び層間誘電体層に位置する溝におけるワイヤを具体的に示す。 図１０は、図２におけるＢ―Ｂ’方向に沿って切断した断面図であり、表示基板の側に位置する非表示領域における断面構成を示し、バリア層、バファー層、第１のゲート絶縁層、第２のゲート絶縁層及び層間誘電体層に位置する溝におけるワイヤを具体的に示す。 図１１は、図２におけるＢ―Ｂ’方向に沿って切断した断面図であり、表示基板の側に位置する非表示領域における断面構成を示す。 図１２Ａは、本開示の実施例による表示基板の製造方法の各ステップが実行された後に形成された表示基板の断面構成を模式的に示す。 図１２Ｂは、本開示の実施例による表示基板の製造方法の各ステップが実行された後に形成された表示基板の断面構成を模式的に示す。 図１２Ｃは、本開示の実施例による表示基板の製造方法の各ステップが実行された後に形成された表示基板の断面構成を模式的に示す。 図１２Ｄは、本開示の実施例による表示基板の製造方法の各ステップが実行された後に形成された表示基板の断面構成を模式的に示す。 図１２Ｅは、本開示の実施例による表示基板の製造方法の各ステップが実行された後に形成された表示基板の断面構成を模式的に示す。 図１２Ｆは、本開示の実施例による表示基板の製造方法の各ステップが実行された後に形成された表示基板の断面構成を模式的に示す。 図１２Ｇは、本開示の実施例による表示基板の製造方法の各ステップが実行された後に形成された表示基板の断面構成を模式的に示す。 図１２Ｈは、本開示の実施例による表示基板の製造方法の各ステップが実行された後に形成された表示基板の断面構成を模式的に示す。 図１２Ｉは、本開示の実施例による表示基板の製造方法の各ステップが実行された後に形成された表示基板の断面構成を模式的に示す。 図１３は、本開示の実施例による表示基板の製造方法のフローチャートである。 図１４は、本開示の実施例による表示装置の平面図である。

注意すべきことは、明瞭にするため、本開示の実施例を図示する図面において、層、構成又は領域のサイズは、拡大又は縮小されることがある。つまり、これらの図面は実際の比例に従って描かれたものではない。

以下、実施例を挙げて、図面を参照しながら、本開示の技術案をより具体的に説明する。明細書において、同一又は類似する符号は同一又は類似する部品を示す。以下の図面を参照しながら行なった本開示の実施の形態に対する説明は、本開示の全体的な発明構想を解釈するためのものであり、本開示に対する限定として理解してはいけない。

なお、以下の詳細な説明においては、解釈の便宜上、多くの具体的な詳細を説明することで、本開示の実施例を全面的に理解できるようにしている。しかしながら、１つ又は複数の実施例は、これらの具体的な詳細なしでも、実施可能である。

本明細書において記載された「……上に」、「……上に形成されている」及び「……上に設けられている」とは、１つの層が他の層上に直接形成又は設けられる場合以外にも、１つの層が間接に他の層上に形成又は設けられている場合、つまり、２つの層の間にまた別の層が存在する場合も含む、ことを指摘しておく。

ここで、「第１の」、「第２の」などの用語は、各種の部品、部材、素子、領域、層及び／又は部分に用いられるが、これらの部品、部材、素子、領域、層及び／又は部分は、これらの用語に限定されない。これらの用語は、１つの部品、部材、素子、領域、層及び／又は部分を他のものと区別するために用いられる。よって、例えば、以下において説明する第１の部品、第１の部材、第１の素子、第１の領域、第１の層及び／又は第１の部分は、本開示の主旨を超えない範囲で、第２の部品、第２の部材、第２の素子、第２の領域、第２の層及び／又は第２の部分と称してもよい。

本明細書において、バリア層、バファー層、第１の絶縁層、第２の絶縁層、層間誘電体層、絶縁層等の表示基板の各層が記載されているが、当業者なら、これらの層は一般的に絶縁材料から形成されているので、特に区別しない場合、「絶縁層」と統合してもよいことを理解できるはずである。つまり、「絶縁層」とは、バリア層、バファー層、第１の絶縁層、第２の絶縁層、層間誘電体層の少なくとも一層を含むことができ、例えば、「絶縁層」とは、層間誘電体層を含んでもよく、あるいは、「絶縁層」とは、第１の絶縁層又は第２の絶縁層、及び層間誘電体層の２つの層を含んでもよく、あるいは、「絶縁層」とは、第１の絶縁層、第２の絶縁層及び層間誘電体層の３つの層を含んでもよく、あるいは、「絶縁層」とは、バファー層、第１の絶縁層、第２の絶縁層及び層間誘電体層の４つの層を含んでもよく、あるいは、「絶縁層」とは、バリア層、バファー層、第１の絶縁層、第２の絶縁層及び層間誘電体層の５つの層を含んでもよい。

図１Ａ及び図１Ｂに示すように、関連技術の表示基板を示しており、具体的には、関連技術の表示基板のワイヤを示している。図１Ａは、表示基板の平面図であり、図１Ｂは、図１ＡにおけるＢ―Ｂ’方向に沿う断面図である。図１Ａに示すように、当該表示基板は、サブストレート１０を含み、サブストレート１０は、中間領域ＡＡと中間領域ＡＡを囲む周辺領域ＮＡとを含む。中間領域ＡＡは、表示基板を含む表示装置の図像を表示する表示領域に対応し、周辺領域は、表示装置の非表示領域に対応することが分かる。表現の便宜上、本明細書においては、中間領域ＡＡをサブストレート１０及び／又は表示基板の表示領域ＡＡと称し、周辺領域をサブストレート１０及び／又は表示基板の非表示領域ＮＡと称する。図１Ｂに示すように、当該表示基板は、サブストレート１０上に設けられ、且つ、少なくとも非表示領域ＮＡに位置する絶縁層１２と、絶縁層１２上に設けられ、且つ、非表示領域ＮＡに位置するワイヤ１４と、をさらに含む。絶縁層１２とサブストレート１０との間には、他の層を有してもよい。例えば、絶縁層１２は、層間誘電体層であってもよい。

ワイヤを突出して表示するために、平面図においては、他の構成又は層を省略していることを指摘しておく。例えば、図１Ａにおいては、絶縁層１２を省略している。

図１Ｂに示すように、ワイヤ１４は、完全に絶縁層１２上に敷かれている。ワイヤ１４の抵抗値を小さくするために、通常、ワイヤ１４の幅、つまり、図において示された幅ｗを大きくする必要がある。例えば、表示基板がＯＬＥＤ表示基板である場合を例にとると、ワイヤ１４は、陰極ワイヤ（つまり、ＶＳＳワイヤ）であってもよく、ワイヤ１４の幅ｗは、通常２００μｍ以上である。しかしながら、広いワイヤ１４は非表示領域において大きな空間を占め、狭いフレームの表示装置の実現に不利である。

このため、本開示の一部の実施例は表示基板を提供する。図２に示すように、本開示の実施例による表示基板の平面図を示している。当該表示基板は、サブストレート２０を含み、サブストレート２０は、表示領域ＡＡと、表示領域ＡＡを囲む非表示領域ＮＡとを含む。

以下、ＯＬＥＤ表示装置を例にとって、本開示の実施例による表示基板を説明するが、当業者なら、本開示の実施例はＯＬＥＤ表示装置に限定されないことを理解できるはずである。

当該表示基板は、表示領域ＡＡに位置する複数の有機発光デバイスと、非表示領域ＮＡに位置するワイヤと、を含むことが分かる。以下、図面を参照しながら有機発光デバイスとワイヤについてより詳しく説明する。当該表示基板は、非表示領域ＮＡに位置する電気的接続部（ｐａｄ）３０をさらに含み、電気的接続部３０は、集積回路ＩＣに電気的に接続されてもよく、ワイヤは、有機発光デバイスにおける電極（例えば、陰極）を電気的接続部３０に電気的に接続し、さらには、集積回路ＩＣに電気的に接続する。

一部の実施例において、図３は、図２におけるＢ―Ｂ’方向に沿う断面図であり、表示基板の非表示領域ＮＡの横断面構成を示し、図４は、図２におけるＣ―Ｃ’方向に沿う断面図であり、表示基板の表示領域ＡＡの横断面構成を示す。

選択的に、図４に示すように、表示基板は、フィルムトランジスタ２１を含み、具体的には、フィルムトランジスタ２１は、サブストレート２０上に設けられ、且つ、表示領域ＡＡに位置するバファー層２１１、能動層２１２、ゲート絶縁層２１３、ゲート層２１４、層間誘電体層２１５、ソース―ドレイン層２１６及び平坦化層２１７を含んでもよい。表示基板は、表示領域ＡＡに位置する複数の有機発光デバイス２２をさらに含む。有機発光デバイス２２は、有機発光ダイオードであってもよく、図４に示すように、有機発光デバイス２２は、サブストレート２０上に設けられ、且つ、表示領域ＡＡに位置する陽極２２１、発光層２２２及び陰極２２３を含んでもよい。有機発光デバイス２２の陽極２２１は駆動トランジスタのドレインに電気的に接続されてもよい。

選択的に、図２及び図３を参照すると、表示基板は、サブストレート２０上に設けられ、且つ、非表示領域ＮＡに位置する金属層２３１、例えば層間誘電体層２３２のような絶縁層、ワイヤ２３３、平坦化層２３４、導電層２３５及び陰極層２３６を含む。金属層２３１、層間誘電体層２３２、ワイヤ２３３、平坦化層２３４、導電層２３５及び陰極層２３６はこの順にサブストレート２０上に設けられている。

例えば、金属層２３１は、ゲート層２１４と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する金属層２３１は表示領域ＡＡに位置するゲート層２１４と電気的に接続されていないことを理解すべきである。層間誘電体層２３２は、層間誘電体層２１５と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する層間誘電体層２３２と表示領域ＡＡに位置する層間誘電体層２１５とは、同一の膜層として形成されてもよい。平坦化層２３４は、平坦化層２１７と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する平坦化層２３４と表示領域ＡＡに位置する平坦化層２１７とは同一の膜層として形成されてもよい。

選択的に、ワイヤ２３３は、ソース―ドレイン層２１６と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。導電層２３５は、有機発光デバイス２２の陽極２２１と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよく、導電層２３５は陽極２２１に電気的に接続されないことを理解すべきである。陰極層２３６は、有機発光デバイス２２の陰極２２３と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよく、非表示領域ＮＡに位置する陰極層２３６と表示領域ＡＡに位置する陰極２２３とは同一の膜層として形成されてもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する陰極層２３６は表示領域ＡＡに位置する陰極２２３に電気的に接続される。このようにして、ワイヤ２３３は導電層２３５を介して有機発光デバイス２２の陰極２２３に電気的に接続され、且つ、ワイヤ２３３を介して、有機発光デバイス２２の陰極２２３は、集積回路ＩＣに電気的に接続されてもよい。

図示された実施例において、表示基板は、層間誘電体層２３２に形成された溝２３７をさらに含む。ワイヤ２３３の少なくとも一部は溝２３７に形成されており、図示したように、ワイヤ２３３は屈折構成を有する。例えば、ワイヤ２３３は、以下の形状を有する。

図示したように、説明の便宜上、サブストレート２０の上面に平行する方向、例えば、図示されたＸ方向を第１の方向と称し、サブストレート２０の上面に垂直する方向、例えば、図示されたＹ方向を第２の方向と称する。

具体的には、ワイヤ２３３は、第１の方向に沿って延伸する第１の部分２３３Ａと第２の方向に沿って延伸する第２の部分２３３Ｂとを含んでもよい。第１の部分２３３Ａは溝２３７の底部に形成され、第２の部分２３３Ｂは溝２３７の側壁上に形成される。

図示された実施例において、ワイヤ２３３は１つの第１の部分２３３Ａと２つの第２の部分２３３Ｂを含む。このようにして、ワイヤ２３３の全体的な幅ｗは、第１の方向に沿う１つの第１の部分２３３Ａの幅（つまり、図３中のｗ１）と第２の方向に沿う２つの第２の部分２３３Ｂの高さ（つまり、図３中のｗ２）との和に等しい。つまり、ｗ＝ｗ１＋２＊ｗ２である。

図２に示すように、ワイヤ２３３がサブストレート２０に対する正投影は逆Ｕ形状を有してもよい。具体的には、ワイヤ２３３は、表示基板のフレームの左側、右側及び上側にそれぞれ位置し、フレームの下側に位置する電気的接続部又は集積回路ＩＣに電気的に接続される。

ワイヤ２３３の第２の部分２３３Ｂは、サブストレート２０の上面に垂直して延伸するので、フレームの幅を占せず、幅がｗであるワイヤを形成する場合、図１Ａ及び図１Ｂに対応する実施例において、ワイヤ１４がフレーム一側において占めるフレームの幅はｗであり、図２～４に対応する実施例において、ワイヤ２３３がフレーム一側において占めるフレームの幅はｗ’であり、ｗ’＜ｗであるので、本開示の実施例による表示基板は狭いフレームを実現できると同時に、ワイヤの全体的な幅が変わらないので、本開示の実施例による表示基板のワイヤも小さい抵抗値を有し、低下された抵抗電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）と高いロングレンジ均一性（ＬＲＵ）を得ることができる。なお、本開示の一部の実施例において、ワイヤ２３３は金属層２３１に直接電気的に接触し、両者は並列的に接続されるので、ワイヤの抵抗値はさらに低減され、さらに低下された抵抗電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）と高いロングレンジ均一性（ＬＲＵ）を得ることができる。

一部の実施例において、図５は、図２におけるＢ―Ｂ’方向に沿う断面図であり、表示基板的非表示領域ＮＡの横断面構成を示し、図６は、図２におけるＣ―Ｃ’方向に沿う断面図であり、表示基板の表示領域ＡＡの横断面構成を示す。

選択的に、図２及び図５を参照すると、表示基板は、サブストレート５０上に設けられ、且つ、非表示領域ＮＡに位置する金属層５３１、層間誘電体層５３２、ワイヤ５３３、平坦化層５３４、導電層５３５及び陰極層５３６を含んでもよい。金属層５３１、層間誘電体層５３２、ワイヤ５３３、平坦化層５３４、導電層５３５及び陰極層５３６はこの順にサブストレート５０上に設けられている。

選択的に、図６に示すように、表示基板は駆動トランジスタＤＴとスイッチトランジスタＳＴとを含む。駆動トランジスタＤＴとスイッチトランジスタＳＴとは、いずれも、フィルムトランジスタであってもよい。具体的には、駆動トランジスタＤＴは、サブストレート５０上に設けられ、且つ、表示領域ＡＡに位置する第１のバファー層５１１、第１の能動層５１２、第１のゲート絶縁層５１３、第１のゲート層５１４、第１の層間誘電体層５１５、第１のソース―ドレイン層５１６及び第１の平坦化層５１７を含んでもよい。スイッチトランジスタＳＴは、サブストレート５０上に設けられ、且つ、表示領域ＡＡに位置する第２のバファー層５４１、第２の能動層５４２、第２のゲート絶縁層５４３、第２のゲート層５４４、第２の層間誘電体層５４５、第２のソース―ドレイン層５４６及び第２の平坦化層５４７を含んでもよい。

例えば、第１のバファー層５１１は、第２のバファー層５４１と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、第１のバファー層５１１と第２のバファー層５４１とは同一の膜層として形成される。第１の層間誘電体層５１５は、第２の層間誘電体層５４５と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、第１の層間誘電体層５１５と第２の層間誘電体層５４５とは同一の膜層として形成される。第１の平坦化層５１７は、第２の平坦化層５４７と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、第１の平坦化層５１７と第２の平坦化層５４７とは同一の膜層として形成される。

第１のゲート絶縁層５１３は、第２のゲート絶縁層５４３と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、第１のゲート絶縁層５１３と第２のゲート絶縁層５４３とは同一の膜層として形成される。これに代えて、第１のゲート絶縁層５１３と第２のゲート絶縁層５４３とが異なる層に位置して、異なる膜層に形成されてもよい。

理解すべきことは、この実施例において、表示基板は有機発光デバイスをさらに含み、その構成は図４において示された有機発光デバイス２２の構成に似ており、前述した有機発光デバイス２２に対する説明を参照することで、ここでは、説明を省略する。

図５及び図６を参照すると、金属層５３１は、第２のゲート層５４４と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよく、非表示領域ＮＡに位置する金属層５３１は表示領域ＡＡに位置する第２のゲート層５４４に電気的に接続されないことを理解すべきである。層間誘電体層５３２は、層間誘電体層５１５、５４５と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する層間誘電体層５３２と表示領域ＡＡに位置する層間誘電体層５１５、５４５とは同一の膜層として形成されてもよい。平坦化層５３４は、平坦化層５１７、５４７と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する平坦化層５３４と表示領域ＡＡに位置する平坦化層５１７、５４７とは同一の膜層として形成されてもよい。

選択的に、ワイヤ５３３は、第２のソース―ドレイン層５４６と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。導電層５３５は、有機発光デバイスの陽極と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよく、導電層は陽極に電気的に接続されないことを理解すべきである。陰極層５３６は、有機発光デバイスの陰極と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよく、非表示領域ＮＡに位置する陰極層５３６と表示領域ＡＡに位置する陰極とは同一の膜層として形成されてもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する陰極層５３６は表示領域ＡＡに位置する陰極に電気的に接続される。

図示された実施例において、表示基板は、層間誘電体層５３２に形成された複数の溝５３７をさらに含む。ワイヤ５３３の少なくとも一部は溝５３７に形成されており、図示したように、ワイヤ５３３は屈折構成を有する。

図示したように、ワイヤ５３３は、第１の方向（例えば、Ｘ方向）に沿って延伸する第１の部分５３３Ａ、第２の方向（例えば、Ｙ方向）に沿って延伸する第２の部分５３３Ｂ及び第１の方向に沿って延伸する第３の部分５３３Ｃを含んでもよい。第２の部分５３３Ｂは第１の部分５３３Ａと第２の部分５３３Ｃとの間に位置して、第１の部分５３３Ａと第２の部分５３３Ｃとを接続する。第１の部分５３３Ａは溝５３７の底部に形成され、第２の部分５３３Ｂは溝５３７の側壁上に形成され、第３の部分５３３Ｃは層間誘電体層５３２上に形成されている。

選択的に、ワイヤ５３３の第１の部分５３３Ａが直接金属層５３１上に形成されるように、各溝５３７は第２の方向に沿って層間誘電体層５３２を貫通する。このようにして、第１の部分５３３Ａは直接金属層５３１上に形成されており、第３の部分５３３Ｃは直接層間誘電体層５３２上に形成されており、第１の部分５３３Ａと第３の部分５３３Ｃとは第２の方向において高さの異なる位置にあり、第２の方向に沿って延伸する第２の部分５３３Ｂは、高さの異なる位置にある第１の部分５３３Ａと第３の部分５３３Ｃとを接続する。第１の部分５３３Ａと第３の部分５３３Ｃとの第２の方向における高さの差は、大体層間誘電体層５３２の膜厚に等しいことが分かる。つまり、第２の部分５３３Ｂの第２の方向の沿う高さは大体層間誘電体層５３２の膜厚に等しい。

図示したように、ワイヤ５３３は、複数のサブワイヤ部５３３’を含むと見なすことができる。図において、破線のフレームで示した部分ワイヤのように、各サブワイヤ部５３３’は以下の形状を有し、順に接続された第１の段５３３１（つまり、１つの第１の部分５３３Ａの一部）、第２の段５３３２（つまり、１つの第２の部分５３３Ｂ）、第３の段５３３３（つまり、１つの第３の部分５３３Ｃ）、第４の段５３３４（つまり、もう１つの第２の部分５３３Ｂ）及び第５の段５３３５（つまり、もう１つの第１の部分５３３Ａの一部）を含む。複数のサブワイヤ部５３３’は第１の方向に沿って周期的に配列されて、ワイヤ５３３を形成する。

この実施例において、ワイヤ５３３は、複数の第２の方向に沿って延伸する第２の部分を含み、フレーム一側において占めるフレームの幅をさらに低減でき、狭いフレームを実現できるとともに、低下された抵抗電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）と高いロングレンジ均一性（ＬＲＵ）を得ることができる。なお、本開示の一部の実施例において、ワイヤ５３３は金属層５３１に直接電気的に接触し、両者は並列的に接続されるので、ワイヤの抵抗値はさらに低減され、さらに低下された抵抗電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）と高いロングレンジ均一性（ＬＲＵ）を得ることができる。

類似的に、ワイヤ５３３がサブストレート５０に対する正投影は、逆Ｕ形状を有してもよい。

選択的に第１の方向に沿う、第１の部分５３３Ａの幅ｗ１は、第１の方向に沿う第３の部分５３３Ｃの幅ｗ３に等しくてもよく、第２の方向に沿う第２の部分５３３Ｂの高さｗ２は、第１の方向に沿う第１の部分５３３Ａの幅ｗ１より小さくてもよい。例えば、層間誘電体層５３２の膜厚は、０．５μｍであってもよく、第１の方向に沿う各溝５３７の幅は、６μｍであってもよく、隣接する２つの溝５３７間の間隔は、６μｍであってもよい。つまり、第１の方向に沿う第１の部分５３３Ａの幅ｗ１は、６μｍであってもよく、第２の方向に沿う第２の部分５３３Ｂの高さｗ２は、０．５μｍであってもよく、第１の方向に沿う第３の部分５３３Ｃの幅ｗ３は、６μｍであってもよい。このようにして、第１の方向に沿うワイヤ５３３の幅は、（０．５／（６＋０．５））、つまり、１／１３だけ小さくなる。つまり、ワイヤ５３３がフレーム一側において占めるフレームの幅は１／１３だけ小さくなる。例えば、全体的な幅が２００μｍであるワイヤを形成する場合、フレーム一側において占めるフレームの幅は約１５．４μｍだけ小さくなる。

一部の実施例において、図７は、図２におけるＢ―Ｂ’方向に沿う断面図であり、表示基板の非表示領域ＮＡの横断面構成を示す。

図２及び図７を参照すると、表示基板は、サブストレート７０上に設けられ、且つ、非表示領域ＮＡに位置する金属層７３１、第１の絶縁層７３８、層間誘電体層７３２、ワイヤ７３３、平坦化層７３４、導電層７３５及び陰極層７３６を含んでもよい。金属層７３１、第１の絶縁層７３８、層間誘電体層７３２、ワイヤ７３３、平坦化層７３４、導電層７３５及び陰極層７３６はこの順にサブストレート７０上に設けられている。

図６及び図７を参照すると、金属層７３１は、第１のゲート層５１４と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよく、非表示領域ＮＡに位置する金属層７３１は表示領域ＡＡに位置する第１のゲート層５１４に電気的に接続されないことを理解すべきである。第１の絶縁層７３８は、第１のゲート絶縁層５１３と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する第１の絶縁層７３８と表示領域ＡＡに位置する第１のゲート絶縁層５１３とは同一の膜層として形成されてもよい。層間誘電体層７３２は、層間誘電体層５１５、５４５と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する層間誘電体層７３２と表示領域ＡＡに位置する層間誘電体層５１５、５４５とは同一の膜層として形成されてもよい。平坦化層７３４は、平坦化層５１７、５４７と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する平坦化層７３４と表示領域ＡＡに位置する平坦化層５１７、５４７とは同一の膜層として形成されてもよい。

選択的に、ワイヤ７３３は、第２のソース―ドレイン層５４６と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。導電層７３５は、有機発光デバイスの陽極と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよく、導電層は陽極に電気的に接続されないことを理解すべきである。陰極層７３６は、有機発光デバイスの陰極と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよく、非表示領域ＮＡに位置する陰極層７３６と表示領域ＡＡに位置する陰極とは同一の膜層として形成されてもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する陰極層７３６は表示領域ＡＡに位置する陰極に電気的に接続される。

図示された実施例において、表示基板は、第１の絶縁層７３８と層間誘電体層７３２に形成された複数の溝７３７をさらに含む。例えば、各溝７３７は、第２の方向に沿って第１の絶縁層７３８と層間誘電体層７３２との両方を貫通する。

ワイヤ７３３の少なくとも一部は溝７３７に形成されており、屈折構成を有する。図示したように、ワイヤ７３３は、第１の方向に沿って延伸する第１の部分７３３Ａ、第２の方向に沿って延伸する第２の部分７３３Ｂ及び第１の方向に沿って延伸する第３の部分７３３Ｃを含んでもよい。第２の部分７３３Ｂは第１の部分７３３Ａと第３の部分７３３Ｃとの間に位置して、第１の部分７３３Ａと第３の部分７３３Ｃとを接続する。第１の部分７３３Ａは溝７３７の底部に形成され、第２の部分７３３Ｂは溝７３７の側壁上に形成され、第３の部分７３３Ｃは層間誘電体層７３２上に形成される。

選択的に、ワイヤ７３３の第１の部分７３３Ａは直接金属層７３１上に形成されている。このようにして、第１の部分７３３Ａは直接金属層７３１上に形成され、第３の部分７３３Ｃは直接層間誘電体層７３２上に形成され、第１の部分７３３Ａと第３の部分７３３Ｃとは第２の方向において高さの異なる位置にあり、第２の方向に沿って延伸する第２の部分７３３Ｂは高さの異なる位置にある第１の部分７３３Ａと第３の部分７３３Ｃとを接続する。

この実施例において、ワイヤ７３３は、複数の第２の方向に沿って延伸する第２の部分７３３Ｂを含み、且つ、各溝７３７が第１の絶縁層７３８と層間誘電体層７３２との両方を貫通するので、第２の方向に沿う第２の部分７３３Ｂの高さは大体金属層７３１と層間誘電体層７３２との膜厚の和に等しい。このようにして、フレーム一側において占めるフレームの幅をさらに低減でき、狭いフレームの実現により有利であると同時に、低下された抵抗電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）と高いロングレンジ均一性（ＬＲＵ）を得ることができる。なお、本開示の一部の実施例において、ワイヤ７３３は直接金属層７３１に電気的に接触しており、両者は並列接続になり、ワイヤの抵抗値はさらに降低され、さらに低下された抵抗電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）と高いロングレンジ均一性（ＬＲＵ）を得ることができる。

選択的に、第１の方向に沿う第１の部分７３３Ａの幅ｗ１は、第１の方向に沿う第３の部分７３３Ｃの幅ｗ３に等しくてもよく、第２の方向に沿う第２の部分７３３Ｂの高さｗ２は、第１の方向に沿う第１の部分７３３Ａの幅ｗ１より小さくてもよい。例えば、第１の絶縁層７３８の膜厚は、０．１μｍであってもよく、層間誘電体層７３２の膜厚は、０．５μｍであってもよく、第１の方向に沿う各溝７３７の幅は、６μｍであってもよく、隣接する２つの溝７３７間の間隔は、６μｍであってもよい。つまり、第１の方向に沿う第１の部分７３３Ａの幅ｗ１は、６μｍであってもよく、第２の方向に沿う第２の部分７３３Ｂの高さｗ２は、０．６μｍであってもよく、第１の方向に沿う第３の部分７３３Ｃの幅ｗ３は、６μｍであってもよい。このようにして、ワイヤ７３３の第１の方向に沿う幅は、（０．６／（６＋０．６））、つまり、１／１１だけ小さくなる。つまり、ワイヤ７３３がフレーム一側において占めるフレームの幅は１／１１だけ小さくなる。例えば、全体的な幅が２００μｍであるワイヤを形成する場合、フレーム一側において占めるフレームの幅は約１８．２μｍだけ小さくなる。

類似的に、ワイヤ７３３がサブストレート７０に対する正投影は逆Ｕ形状を有してもよく、且つ、ワイヤ７３３も複数の周期的に配列された複数のサブワイヤ部を含み、前述した説明を参照することで、ここでは、説明を省略する。

一部の実施例において、図８は、図２におけるＢ―Ｂ’方向に沿う断面図であり、表示基板の非表示領域ＮＡの横断面構成を示す。

図２及び図８を参照すると、表示基板は、サブストレート８０上に設けられ、且つ、非表示領域ＮＡに位置するポリシリコン層８３１、第１の絶縁層８３８、第２の絶縁層８３９、層間誘電体層８３２、ワイヤ８３３、平坦化層８３４、導電層８３５及び陰極層８３６を含んでもよい。ポリシリコン層８３１、第１の絶縁層８３８、第２の絶縁層８３９、層間誘電体層８３２、ワイヤ８３３、平坦化層８３４、導電層８３５及び陰極層８３６はこの順にサブストレート８０上に設けられている。

図６及び図８を参照すると、ポリシリコン層８３１は、第１の能動層５１２と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置するポリシリコン層８３１と表示領域ＡＡに位置する第１の能動層５１２とは同一の膜層として形成されてもよい。第１の絶縁層８３８は、第１のゲート絶縁層５１３と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する第１の絶縁層８３８と表示領域ＡＡに位置する第１のゲート絶縁層５１３とは同一の膜層として形成されてもよい。第２の絶縁層８３９は、第２のゲート絶縁層５４３と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する第２の絶縁層８３９と表示領域ＡＡに位置する第２のゲート絶縁層５４３とは同一の膜層として形成されてもよい。層間誘電体層８３２は、層間誘電体層５１５、５４５と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する層間誘電体層８３２と表示領域ＡＡに位置する層間誘電体層５１５、５４５とは同一の膜層として形成されてもよい。平坦化層８３４は、平坦化層５１７、５４７と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する平坦化層８３４と表示領域ＡＡに位置する平坦化層５１７、５４７とは同一の膜層として形成されてもよい。

選択的に、ワイヤ８３３は、第２のソース―ドレイン層５４６と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。導電層８３５は、有機発光デバイスの陽極と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよく、導電層は陽極に電気的に接続されないことを理解すべきである。陰極層８３６は、有機発光デバイスの陰極層と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよく、非表示領域ＮＡに位置する陰極層８３６と表示領域ＡＡに位置する陰極とは同一の膜層として形成されてもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する陰極層８３６は表示領域ＡＡに位置する陰極に電気的に接続される。

図示された実施例において、表示基板は、第１の絶縁層８３８、第２の絶縁層８３９及び層間誘電体層８３２に形成された複数の溝８３７をさらに含む。例えば、各溝８３７は第２の方向に沿って第１の絶縁層８３８、第２の絶縁層８３９及び層間誘電体層８３２を貫通する。

ワイヤ８３３の少なくとも一部は溝８３７に形成されており、屈折構成を有する。図示したように、ワイヤ８３３は、第１の方向に沿って延伸する第１の部分８３３Ａ、第２の方向に沿って延伸する第２の部分８３３Ｂ及び第１の方向に沿って延伸する第３の部分８３３Ｃを含んでもよい。第２の部分８３３Ｂは第１の部分８３３Ａと第３の部分８３３Ｃとの間に位置して、第１の部分８３３Ａと第３の部分８３３Ｃとを接続する。第１の部分８３３Ａは溝８３７の底部に形成され、第２の部分８３３Ｂは溝８３７の側壁上に形成され、第３の部分８３３Ｃは層間誘電体層８３２上に形成される。

選択的に、ワイヤ８３３の第１の部分８３３Ａは直接ポリシリコン層８３１上に形成されている。このようにして、第１の部分８３３Ａは直接ポリシリコン層８３１上に形成され、第３の部分８３３Ｃは直接層間誘電体層８３２上に形成され、第１の部分８３３Ａと第３の部分８３３Ｃとは第２の方向において高さの異なる位置にあり、第２の方向に沿って延伸する第２の部分８３３Ｂは高さの異なる位置にある第１の部分８３３Ａと第３の部分８３３Ｃとを接続する。

この実施例において、ワイヤ８３３は、複数の第２の方向に沿って延伸する第２の部分８３３Ｂを含み、且つ、各溝８３７が第１の絶縁層８３８、第２の絶縁層８３９及び層間誘電体層８３２を貫通するので、第２の方向に沿う第２の部分８３３Ｂの高さは大体第１の絶縁層８３８、第２の絶縁層８３９及び層間誘電体層８３２の膜厚の和に等しい。このようにして、フレーム一側において占めるフレームの幅をさらに低減でき、狭いフレームの実現により有利でありながら、低下された抵抗電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）と高いロングレンジ均一性（ＬＲＵ）を得ることができる。

選択的に、第１の方向に沿う第１の部分８３３Ａの幅ｗ１は、第１の方向に沿う第３の部分８３３Ｃの幅ｗ３に等しくてもよく、第２の方向に沿う第２の部分８３３Ｂの高さｗ２は、第１の方向に沿う第１の部分８３３Ａの幅ｗ１より小さくてもよい。例えば、第１の絶縁層８３８の膜厚は、０．１μｍであってもよく、第２の絶縁層８３８の膜厚は、０．１μｍであってもよく、層間誘電体層８３２の膜厚は０．５μｍであってもよく、第１の方向に沿う各溝８３７の幅は６μｍであってもよく、隣接する２つの溝８３７間の間隔は６μｍであってもよい。つまり、第１の方向に沿う第１の部分８３３Ａの幅ｗ１は６μｍであってもよく、第２の方向に沿う第２の部分８３３Ｂの高さｗ２は、０．７μｍであってもよく、第１の方向に沿う第３の部分８３３Ｃの幅ｗ３は、６μｍであってもよい。このようにして、第１の方向に沿うワイヤ８３３の幅は、（０．７／（６＋０．７））、つまり、約１／１０だけ小さくなる。つまり、ワイヤ８３３がフレーム一側において占めるフレームの幅は、約１／１０だけ小さくなる。例えば、全体的な幅が２００μｍであるワイヤを形成する場合、フレーム一側において占めるフレームの幅は約２０μｍ小さくなる。

類似的に、ワイヤ８３３がサブストレート８０に対する正投影は逆Ｕ形状を有してもよく、且つ、ワイヤ８３３も複数の周期的に配列された複数のサブワイヤ部を含み、前述した説明を参照することで、ここでは、説明を省略する。

一部の実施例において、図９は、図２におけるＢ―Ｂ’方向に沿う断面図であり、表示基板の非表示領域ＮＡの横断面構成を示す。

図２及び図９を参照すると、表示基板は、サブストレート９０上に設けられ、且つ、非表示領域ＮＡに位置するバファー層９３１、第１の絶縁層９３８、第２の絶縁層９３９、層間誘電体層９３２、ワイヤ９３３、平坦化層９３４、導電層９３５及び陰極層９３６を含んでもよい。バファー層９３１、第１の絶縁層９３８、第２の絶縁層９３９、層間誘電体層９３２、ワイヤ９３３、平坦化層９３４、導電層９３５及び陰極層９３６はこの順にサブストレート９０上に設けられる。

図６及び図９を参照すると、バファー層９３１は、第１のバファー層５１１と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置するバファー層９３１と表示領域ＡＡに位置する第１のバファー層５１１とは同一の膜層として形成されてもよい。第１の絶縁層９３８は、第１のゲート絶縁層５１３と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する第１の絶縁層９３８と表示領域ＡＡに位置する第１のゲート絶縁層５１３とは同一の膜層として形成されてもよい。第２の絶縁層９３９は、第２のゲート絶縁層５４３と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する第１の絶縁層９３９と表示領域ＡＡに位置する第２のゲート絶縁層５４３とは同一の膜層として形成されてもよい。層間誘電体層９３２は、層間誘電体層５１５、５４５と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する層間誘電体層９３２と表示領域ＡＡに位置する層間誘電体層５１５、５４５とは同一の膜層として形成されてもよい。平坦化層９３４は、平坦化層５１７、５４７と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する平坦化層９３４と表示領域ＡＡに位置する平坦化層５１７、５４７とは同一の膜層として形成されてもよい。

選択的に、ワイヤ９３３は、第２のソース―ドレイン層５４６と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよい。導電層９３５は、有機発光デバイスの陽極と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよく、導電層は陽極に電気的に接続されないことを理解すべきである。陰極層９３６は、有機発光デバイスの陰極と同一の層に位置し、且つ、同じ材料からなってもよく、非表示領域ＮＡに位置する陰極層９３６と表示領域ＡＡに位置する陰極とは同一の膜層として形成されてもよい。つまり、非表示領域ＮＡに位置する陰極層９３６は表示領域ＡＡに位置する陰極に電気的に接続される。

図示された実施例において、表示基板は、バファー層９３１、第１の絶縁層９３８、第２の絶縁層９３９及び層間誘電体層９３２に形成された複数の溝９３７をさらに含む。例えば、各溝９３７は、第２の方向に沿ってバファー層９３１、第１の絶縁層９３８、第２の絶縁層９３９及び層間誘電体層９３２を貫通する。

ワイヤ９３３の少なくとも一部は溝９３７に形成されており、屈折構成を有する。図示したように、ワイヤ９３３は、第１の方向に沿って延伸する第１の部分９３３Ａ、第２の方向に沿って延伸する第２の部分９３３Ｂ及び第１の方向に沿って延伸する第３の部分９３３Ｃを含んでもよい。第２の部分９３３Ｂは、第１の部分９３３Ａと第３の部分９３３Ｃとの間に位置して、第１の部分９３３Ａと第３の部分９３３Ｃを接続する。第１の部分９３３Ａは溝９３７の底部に形成され、第２の部分９３３Ｂは溝９３７の側壁上に形成され、第３の部分９３３Ｃは層間誘電体層９３２上に形成される。

選択的に、ワイヤ９３３の第１の部分９３３Ａは、直接サブストレート９０上に形成されている。このようにして、第１の部分９３３Ａは、直接サブストレート９０上に形成され、第３の部分９３３Ｃは、直接層間誘電体層９３２上に形成され、第１の部分９３３Ａと第３の部分９３３Ｃとは第２の方向において高さの異なる位置にあり、第２の方向に沿って延伸する第２の部分９３３Ｂは、高さの異なる位置にある第１の部分９３３Ａと第３の部分９３３Ｃとを接続する。

この実施例において、ワイヤ９３３は複数の第２の方向に沿って延伸する第２の部分９３３Ｂを含み、且つ、各溝９３７がバファー層９３１、第１の絶縁層９３８、第２の絶縁層９３９及び層間誘電体層９３２を貫通するので、第２の方向に沿う第２の部分９３３Ｂの高さは、大体バファー層９３１、第１の絶縁層９３８、第２の絶縁層９３９及び層間誘電体層９３２の膜厚の和に等しい。このようにして、フレーム一側において占めるフレームの幅をさらに低減でき、狭いフレームの実現により有利でありながら、低下された抵抗電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）と高いロングレンジ均一性（ＬＲＵ）を得ることができる。

選択的に、第１の方向に沿う第１の部分９３３Ａの幅ｗ１は、第１の方向に沿う第３の部分９３３Ｃの幅ｗ３に等しくてもよく、第２の方向に沿う第２の部分９３３Ｂの高さｗ２は、第１の方向に沿う第１の部分９３３Ａの幅ｗ１より小さくてもよい。例えば、バファー層９３１の膜厚は、０．４μｍであってもよく、第１の絶縁層９３８の膜厚は、０．１μｍであってもよく、第２の絶縁層９３８の膜厚は、０．１μｍであってもよく、層間誘電体層９３２の膜厚は、０．５μｍであってもよく、第１の方向に沿う各溝９３７の幅は、６μｍであってもよく、隣接する２つの溝９３７間の間隔は、６μｍであってもよい。つまり、第１の方向に沿う第１の部分９３３Ａの幅ｗ１は、６μｍであってもよく、第２の方向に沿う第２の部分９３３Ｂの高さｗ２は、１．１μｍであってもよく、第１の方向に沿う第３の部分９３３Ｃの幅ｗ３は、６μｍであってもよい。このようにして、第１の方向に沿うワイヤ９３３の幅は、（１．１／（６＋１．１））、つまり、約１／６だけ小さくなる。つまり、ワイヤ９３３がフレーム一側において占めるフレームの幅は、約１／６だけ小さくなる。例えば、全体的な幅が２００μｍであるワイヤを形成する場合、フレーム一側において占めるフレームの幅は約３３μｍだけ小さくなる。

類似的に、ワイヤ９３３がサブストレート９０に対する正投影は、逆Ｕ形状を有してもよく、且つ、ワイヤ９３３も複数の周期的に配列された複数のサブワイヤ部を含み、前述した説明を参照することで、ここでは、説明を省略する。

一部の実施例において、図１０は、図２におけるＢ―Ｂ’方向に沿う断面図であり、表示基板の非表示領域ＮＡの横断面構成を示す。

図２及び図１０を参照すると、表示基板は、サブストレート１００上に設けられ、且つ、非表示領域ＮＡに位置するバリア層１０４０、バファー層１０３１、第１の絶縁層１０３８、第２の絶縁層１０３９、層間誘電体層１０３２、ワイヤ１０３３、平坦化層１０３４、導電層１０３５及び陰極層１０３６を含んでもよい。バリア層１０４０、バファー層１０３１、第１の絶縁層１０３８、第２の絶縁層１０３９、層間誘電体層１０３２、ワイヤ１０３３、平坦化層１０３４、導電層１０３５及び陰極層１０３６は、この順にサブストレート９０上に設けられている。

これに対応して、表示基板の表示領域ＡＡにおいて、サブストレート１００上においてもバリア層が設けられている。図６に戻り、例えば、サブストレート５０と第１のバファー層５１１との間にバリア層が設けられている。非表示領域ＮＡに位置するバリア層１０４０と表示領域ＡＡに位置するバリア層とは同一の膜層として形成されてもよい。バファー層１０３１、第１の絶縁層１０３８、第２の絶縁層１０３９、層間誘電体層１０３２、ワイヤ１０３３、平坦化層１０３４、導電層１０３５及び陰極層１０３６等の他の膜層の構成は、前述した図９に対する説明を参照することで、ここでは、説明を省略する。

図示された実施例において、表示基板は、バリア層１０４０、バファー層１０３１、第１の絶縁層１０３８、第２の絶縁層１０３９、層間誘電体層１０３２に形成された複数の溝１０３７をさらに含む。例えば、各溝１０３７は、第２の方向に沿ってバリア層１０４０、バファー層１０３１、第１の絶縁層１０３８、第２の絶縁層１０３９、層間誘電体層１０３２を貫通する。

ワイヤ１０３３の少なくとも一部は溝１０３７に形成されており、屈折構成を有する。図示したように、ワイヤ１０３３は、第１の方向に沿って延伸する第１の部分１０３３Ａ、第２の方向に沿って延伸する第２の部分１０３３Ｂ及び第１の方向に沿って延伸する第３の部分１０３３Ｃを含んでもよい。第２の部分１０３３Ｂは、第１の部分１０３３Ａと第３の部分１０３３Ｃとの間に位置して、第１の部分１０３３Ａと第３の部分１０３３Ｃとを接続する。第１の部分１０３３Ａは溝１０３７の底部に形成され、第２の部分１０３３Ｂは溝１０３７の側壁上に形成され、第３の部分１０３３Ｃは層間誘電体層１０３２上に形成されている。

選択的に、ワイヤ１０３３の第１の部分１０３３Ａは、直接サブストレート１００上に形成されている。このようにして、第１の部分１０３３Ａは直接サブストレート１００上に形成され、第３の部分１０３３Ｃは直接層間誘電体層１０３２上に形成され、第１の部分１０３３Ａと第３の部分１０３３Ｃとは第２の方向において高さの異なる位置にあり、第２の方向に沿って延伸する第２の部分１０３３Ｂは高さの異なる位置にある第１の部分１０３３Ａと第３の部分１０３３Ｃとを接続する。

この実施例において、ワイヤ１０３３は複数の第２の方向に沿って延伸する第２の部分１０３３Ｂを含み、且つ、各溝１０３７がバリア層１０４０、バファー層１０３１、第１の絶縁層１０３８、第２の絶縁層１０３９、層間誘電体層１０３２を貫通するので、第２の方向に沿う第２の部分１０３３Ｂの高さは大体バリア層１０４０、バファー層１０３１、第１の絶縁層１０３８、第２の絶縁層１０３９、層間誘電体層１０３２の膜厚の和に等しい。このようにして、フレーム一側において占めるフレームの幅をさらに低減でき、狭いフレームの実現により有利であると同時に、低下された抵抗電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）と高いロングレンジ均一性（ＬＲＵ）を得ることができる。

選択的に、第１の方向に沿う第１の部分１０３３Ａの幅ｗ１は、第１の方向に沿う第３の部分１０３３Ｃの幅ｗ３に等しくてもよく、第２の方向に沿う第２の部分１０３３Ｂの高さｗ２は、第１の方向に沿う第１の部分１０３３Ａの幅ｗ１より小さくてもよい。例えば、バリア層１０４０の膜厚は、０．４μｍであってもよく、バファー層１０３１の膜厚は、０．４μｍであってもよく、第１の絶縁層１０３８の膜厚は、０．１μｍであってもよく、第２の絶縁層１０３８の膜厚は、０．１μｍであってもよく、層間誘電体層１０３２の膜厚は、０．５μｍであってもよく、第１の方向に沿う各溝１０３７の幅は、６μｍであってもよく、隣接する２つの溝１０３７間の間隔は、６μｍであってもよい。つまり、第１の方向に沿う第１の部分１０３３Ａの幅ｗ１は、６μｍであってもよく、第２の方向に沿う第２の部分１０３３Ｂの高さｗ２は、１．５μｍであってもよく、第１の方向に沿う第３の部分１０３３Ｃの幅ｗ３は、６μｍであってもよい。このようにして、第１の方向に沿うワイヤ１０３３の幅は、（１．５／（６＋１．５））、つまり、１／５だけ小さくなる。つまり、ワイヤ１０３３がフレーム一側において占めるフレームの幅は１／５だけ小さくなる。例えば、全体的な幅が２００μｍであるワイヤを形成する場合、フレーム一側において占めるフレームの幅は約４０μｍだけ小さくなる。

類似的に、ワイヤ１０３３がサブストレート１００に対する正投影は、逆Ｕ形状を有してもよく、且つ、ワイヤ１０３３も複数の周期的に配列された複数のサブワイヤ部を含み、前述した説明を参照することで、ここでは、説明を省略する。

一部の実施例において、図１１は、図２におけるＢ―Ｂ’方向に沿う断面図であり、表示基板の非表示領域ＮＡの横断面構成を示す。図１１に示す表示基板の非表示領域ＮＡにおける構成は図５に似ており、以下、主に異なる点を説明する。

図１１に示す実施例において、ワイヤ１１３３は、第１の方向に沿って延伸する第１の部分１１３３Ａ、第２の方向に沿って延伸する第２の部分１１３３Ｂ及び第１の方向に沿って延伸する第３の部分１１３３Ｃを含んでもよい。第２の部分１１３３Ｂは、第１の部分１１３３Ａと第２の部分１１３３Ｃとの間に位置して、第１の部分１１３３Ａと第２の部分１１３３Ｃとを接続する。第１の部分１１３３Ａは溝の底部に形成され、第２の部分１１３３Ｂは溝の側壁上に形成され、第３の部分１１３３Ｃは層間誘電体層上に形成される。

第１の方向に沿う第１の部分１１３３Ａの幅ｗ１は第３の部分１１３３Ｃの第１の方向にそう幅ｗ３に等しくてもよく、第２の方向に沿う第２の部分１１３３Ｂの高さｗ２は第１の方向に沿う第１の部分１１３３Ａの幅ｗ１より小さくてもよい。

選択的に、フレーム側に位置するワイヤ１１３３がサブストレートに対する正投影の第１の方向に沿う幅（つまり、第１の方向に沿うワイヤ１１３３の全ての第１の部分１１３３Ａの幅ｗ１と、第１の方向に沿う全ての第３の部分１１３３Ｃの幅ｗ３との和）は、少なくとも図１Ｂに示す実施例におけるワイヤ１４がサブストレートに対する正投影の第１の方向に沿う幅に等しくてもよい。つまり、両者が占めるフレームの幅は同じである。例えば、フレーム側に位置するワイヤ１１３３がサブストレートに対する正投影の第１の方向に沿う幅は２００μｍ以上である。このとき、ワイヤ１１３３の全体的な幅が全ての第１の部分１１３３Ａの第１の方向に沿う幅ｗ１、全ての第２の部分１１３３Ｂの第２の方向に沿う高さｗ２及び全ての第３の部分１１３３Ｃの第１の方向に沿う幅ｗ３の和に等しいので、ワイヤ１１３３の全体的な幅は、ワイヤ１４の全体的な幅より大きい。これにより、ワイヤ１１３３は、小さい抵抗値を有する。このようにして、フレームのサイズが変わらない場合、屈折する形状のワイヤを形成することで、ワイヤの抵抗値を低減することができ、低抵抗電圧降下を低下させて、ロングレンジ均一性をさらに向上させることができる。

上記の実施例において、表示基板がＯＬＥＤ表示基板である場合を例にとって、本開示の実施例を説明したが、本開示の実施例による表示基板は、他のタイプの表示基板であってもよく、例えば、表示基板は、ＬＣＤ表示基板であってもよい。このとき、上記のワイヤは、共通電極ワイヤであってもよく、例えば、ワイヤ５３３、７３３、８３３、９３３、１０３３、１１３３は共通電極ワイヤであってもよく、ＬＣＤ表示基板の共通電極と集積回路ＩＣとを電気的に接続するために用いられることができ、共通電極は、ＬＣＤ表示基板の表示領域に位置することができる。共通電極ワイヤの具体的な構成は前述した構成に似ており、ここでは、説明を省略する。

以下、図５に示す表示基板を形成する場合を例にとって、図１２Ａ～１２Ｆ及び図１３を参照しながら本開示の実施例による表示基板の製造方法を説明する。

ステップＳ１３０において、図１２Ａに示すように、サブストレート５０を提供し、且つ、サブストレート５０上において金属材料層５３１’を形成する。例えば、サブストレート５０の表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡのいずれにおいても金属材料層５３１’を形成し、非表示領域ＮＡにおける一部の金属材料層５３１’は金属層５３１を構成する。

ステップＳ１３１において、図１２Ｂに示すように、金属材料層５３１’上に層間絶縁材料層５３２’を形成する。例えば、サブストレート５０の表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡとのいずれにおいても層間絶縁材料層５３２’を形成し、非表示領域ＮＡにおける一部の層間絶縁材料層５３２’が層間絶縁層５３２を構成する。

ステップＳ１３２において、図１２Ｃに示すように、層間絶縁材料層５３２’において複数の溝５３７を形成する。例えば、パターニングプロセスにより非表示領域ＮＡに位置する層間絶縁材料層５３２’において複数の溝５３７を形成することができる。

ステップＳ１３３において、図１２Ｄに示すように、層間絶縁材料層５３２’上と溝５３７においてソース―ドレイン材料層５４６’を形成する。例えば、堆積等のプロセスにより層間絶縁材料層５３２’上と溝５３７のいずれにおいてもソース―ドレイン材料層５４６’を形成する。ソース―ドレイン材料層５４６’は、表示領域ＡＡにも形成されており、非表示領域ＮＡにも形成されている。

ステップＳ１３４において、図１２Ｅに示すように、ソース―ドレイン材料層５４６’上においてパターニングプロセスを実行することで、非表示領域ＮＡに位置する一部のソース―ドレイン材料層５４６’をワイヤ５３３として形成する。例えば、ソース―ドレイン材料層５４６’上において１次パターニングプロセスを実行することで、非表示領域ＮＡに位置する一部のソース―ドレイン層５４６’をワイヤ５３３として形成し（図１２Ｅ及び図５参照）、且つ、表示領域ＡＡに位置する一部のソース―ドレイン材料層５４６’を第２のソース―ドレイン層５４６として形成する（図６参照）。

ステップＳ１３５において、図１２Ｆに示すように、ワイヤ５３３、層間絶縁材料層５３２’及び第２のソース―ドレイン層５４６上において平坦化材料層５３４’を形成する。

ステップＳ１３６において、図１２Ｇに示すように、平坦化材料層５３４’上においてパターニングプロセスを実行することで、一部のワイヤ５３３の上の平坦化材料層５３４’を除去する。

ステップＳ１３７において、図１２Ｈに示すように、平坦化材料層が除去された部分ワイヤ５３３上及び平坦化材料層上において陽極材料層５３５’を形成する。

ステップＳ１３８において、図１２Ｉに示すように、陽極材料層５３５’に対してパターニングプロセスを実行することで、非表示領域ＮＡに位置する一部の陽極材料層５３５’を導電層５３５として形成する。例えば、陽極材料層５３５’上において１次パターニングプロセスを実行することで、非表示領域ＮＡに位置する一部の陽極材料層５３５’を導電層５３５として形成する（図１２Ｉ及び図５参照）、且つ、表示領域ＡＡに位置する一部の陽極材料層５３５’を有機発光デバイスの陽極として形成する。

ステップＳ１３９において、図５に示すように、導電層５３５上において陰極層５３６を形成する。例えば、蒸着めっきプロセスにより、特に、同一の蒸着めっきプロセスにより、非表示領域ＮＡと表示領域ＡＡにおいて陰極材料層を形成し、陰極材料層上において１次パターニングプロセスを実行することで、非表示領域ＮＡに位置する一部の陰極材料層を陰極層５３６として形成してもよい（図５参照）。

上記の製造方法により、図５に示すようなワイヤを有する表示基板を形成することができ、ワイヤがフレーム一側において占めるフレームの幅を小さくすることができ、狭いフレームの実現に有利でありながら、低下された抵抗電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）と高いロングレンジ均一性（ＬＲＵ）を得ることができる。また、非表示領域に位置する多層構成は、大体表示領域に位置する対応する層と同一のパターニングプロセスにより形成されるので、別途パターニングプロセスを増加することはなく、プロセスの実現に有利であり、製造のコストを節減することができる。

以上、図５に示すようなワイヤを有する表示基板のみを製造する製造方法を説明したが、当業者なら、他の図面に示すワイヤを有する表示基板を製造する方法も上記において説明した製造方法を参照できることを理解できるので、ここでは、説明を省略する。

本開示の実施例によれば、表示装置も提供し、図１４に示すように、本開示の実施例による表示装置の平面図を示している。当該表示装置１４００は、上記のいずれか１項に記載された表示基板を含んでもよい。例えば、前記表示装置は、例えば、スマートフォーン、ウェラバルスマートウォッチ、スマートグラス、タブレット、ＴＶ、ディスプレイ、ノートＰＣ、デジタルフォッとフレーム、ナビゲーション、車両搭載ディスプレイ、電子書籍等の任意の表示機能を有する製品部品であってもよい。本開示の実施例による表示装置は、狭いフレームの実現に有利である。

本開示の全体的な構想の一部の実施例を図示して説明したが、当業者なら、本開示の全体的な発明の構想を乖離しない範囲で、これらの実施例を変えて実施できることを理解できるはずである。本開示の範囲は、請求の範囲及びそれに等価物により限定される。

５０ サブストレート
５３３ ワイヤ
５３３Ａ 第１の部分
５３３Ｂ 第２の部分

Claims (20)

1. 周辺領域を含むサブストレートと、
   前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置するワイヤと、を含み、
   前記ワイヤは、
   前記サブストレートの上面に平行する第１の方向に沿って延伸する第１の部分と、
   前記サブストレートの上面に垂直する第２の方向に沿って延伸する第２の部分と、を含み、
   前記第２の方向に沿う前記第２の部分の高さを、前記第１の方向に沿う前記第１の部分の幅と前記第２の方向に沿う前記第２の部分の高さとの和で割った比の値は１／１３以上である、表示基板であって、
   前記ワイヤは、前記第１の方向に沿って延伸する第３の部分をさらに含み、
   前記第２の部分は、前記第１の部分と前記第３の部分とを接続し、
   前記表示基板は、
   前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置するバファー層と、
   前記バファー層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する層間誘電体層と、
   前記バファー層、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記層間誘電体層に形成された溝と、をさらに含み、
   前記第１の部分は前記溝の底部に位置し、前記第２の部分は前記溝の側壁上に位置し、前記第３の部分は前記層間誘電体層上に位置する、
   表示基板。
2. 前記ワイヤは少なくとも２つの前記第２の部分を含む、
   請求項１に記載の表示基板。
3. 前記ワイヤは少なくとも１つのサブワイヤ部を含み、前記サブワイヤ部のそれぞれは、順に接続された第１の段、第２の段、第３の段、第４の段及び第５の段を含み、前記第１の段と第５の段により前記第１の部分を構成し、前記第２の段と第４の段により前記第２の部分を構成し、前記第３の段は前記第３の部分である、
   請求項１に記載の表示基板。
4. 前記ワイヤは、周期的に配列された複数の前記サブワイヤ部を含む、
   請求項３に記載の表示基板。
5. 前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する層間誘電体層と、
   前記層間誘電体層に形成された溝と、をさらに含み、
   前記第１の部分は前記溝の底部に位置し、前記第２の部分は前記溝の側壁上に位置し、前記第３の部分は前記層間誘電体層上に位置する、
   請求項１に記載の表示基板。
6. 前記溝は、第２の方向に沿って前記層間誘電体層を貫通する、
   請求項５に記載の表示基板。
7. 前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する層間誘電体層と、
   前記第１の絶縁層と前記層間誘電体層に形成された溝と、をさらに含み、
   前記第１の部分は前記溝の底部に位置し、前記第２の部分は前記溝の側壁上に位置し、前記第３の部分は前記層間誘電体層上に位置する、
   請求項１に記載の表示基板。
8. 前記溝は第２の方向に沿って前記第１の絶縁層と前記層間誘電体層との両方を貫通する、
   請求項７に記載の表示基板。
9. 前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する層間誘電体層と、
   前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、及び前記層間誘電体層に形成された溝と、をさらに含み、
   前記第１の部分は前記溝の底部に位置し、前記第２の部分は前記溝の側壁上に位置し、前記第３の部分は前記層間誘電体層上に位置する、
   請求項１に記載の表示基板。
10. 前記溝は第２の方向に沿って前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記層間誘電体層を貫通する、
    請求項９に記載の表示基板。
11. 前記溝は第２の方向に沿って前記バファー層、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記層間誘電体層を貫通する、
    請求項１に記載の表示基板。
12. 前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置するバリア層と、
    前記バリア層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置するバファー層と、
    前記バファー層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第２の絶縁層と、
    前記第２の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する層間誘電体層と、
    前記バリア層、前記バファー層、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記層間誘電体層に形成された溝と、をさらに含み、
    前記第１の部分は前記溝の底部に位置し、前記第２の部分は前記溝の側壁上に位置し、前記第３の部分は前記層間誘電体層上に位置する、
    請求項１に記載の表示基板。
13. 前記溝は、前記バリア層、前記バファー層、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記層間誘電体層を貫通する、
    請求項１２に記載の表示基板。
14. 前記溝の数は少なくとも２つである、
    請求項５に記載の表示基板。
15. 前記サブストレートは中間領域をさらに含み、前記周辺領域は前記中間領域を囲むように設けられており、
    前記表示基板は、前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記中間領域に位置するフィルムトランジスタをさらに含み、
    前記フィルムトランジスタはソース―ドレイン層を含み、
    前記ワイヤと前記ソース―ドレイン層とは同一の層に位置し、且つ、同じ材料で形成される、
    請求項１に記載の表示基板。
16. 前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記中間領域に位置し、陽極、陰極、及び前記陽極と前記陰極との間に位置する発光層を含む有機発光デバイスと、
    前記ワイヤ上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する導電層と、をさらに含み、
    前記導電層は前記陰極と前記ワイヤとを電気的に接続する、
    請求項１５に記載の表示基板。
17. 前記導電層と前記陽極とは同一の層に位置し、且つ、同じ材料で形成される、
    請求項１６に記載の表示基板。
18. 前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記中間領域に位置する共通電極をさらに含み、
    前記ワイヤは前記共通電極に電気的に接続される、
    請求項１５に記載の表示基板。
19. 請求項１～１８のいずれか１項に記載の表示基板を含む、表示装置。
20. 周辺領域を含むサブストレートを提供するステップと、
    前記周辺領域に絶縁層を形成するステップと、
    前記絶縁層に少なくとも１つの溝を形成するステップと、
    前記溝の底部に位置し、前記サブストレートの上面に平行する第１の方向に沿って延伸する第１の部分と、前記溝の側壁上に位置し、前記サブストレートの上面に垂直する第２の方向に沿って延伸する第２の部分と、を含むワイヤを、前記溝と前記絶縁層上に形成するステップと、を含み、
    前記第２の方向に沿う前記第２の部分の高さを、前記第１の方向に沿う前記第１の部分の幅と前記第２の方向に沿う前記第２の部分の高さとの和で割った比の値は１／１３以上である、
    表示基板の製造方法であって、
    前記ワイヤは、前記第１の方向に沿って延伸する第３の部分をさらに含み、
    前記第２の部分は、前記第１の部分と前記第３の部分とを接続し、
    前記表示基板は、
    前記サブストレート上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置するバファー層と、
    前記バファー層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する第２の絶縁層と、
    前記第２の絶縁層上に設けられ、且つ、前記周辺領域に位置する層間誘電体層と、
    前記バファー層、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記層間誘電体層に形成された溝と、を含み、
    前記第１の部分は前記溝の底部に位置し、前記第２の部分は前記溝の側壁上に位置し、前記第３の部分は前記層間誘電体層上に位置する、
    表示基板の製造方法。

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