JP7453273B2 - 荷電粒子線装置および荷電粒子線装置の制御方法 - Google Patents
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Description
荷電粒子線で試料を走査し、走査像を取得する荷電粒子線装置であって、
磁界を発生させて荷電粒子線を偏向する磁界偏向器と、
電界を発生させて荷電粒子線を偏向する静電偏向器と、
前記磁界偏向器および前記静電偏向器を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
前記磁界偏向器に荷電粒子線を第1方向に偏向させて第1走査線を引き、
前記磁界偏向器に荷電粒子線を前記第1方向と直交する第2方向に偏向させ、
前記静電偏向器に荷電粒子線を前記第1方向とは反対方向の第3方向に偏向させ、
前記磁界偏向器に荷電粒子線を前記第1方向に偏向させて第2走査線を引く。
磁界を発生させて荷電粒子線を偏向する磁界偏向器と、電界を発生させて荷電粒子線を偏向する静電偏向器と、を含み、荷電粒子線で試料を走査し、走査像を取得する荷電粒子線装置の制御方法であって、
前記磁界偏向器に荷電粒子線を第1方向に偏向させて第1走査線を引き、
前記磁界偏向器に荷電粒子線を前記第1方向と直交する第2方向に偏向させ、
前記静電偏向器に荷電粒子線を前記第1方向とは反対方向の第3方向に偏向させ、
前記磁界偏向器に荷電粒子線を前記第1方向に偏向させて第2走査線を引く。
1.1. 電子顕微鏡の構成
まず、本発明の一実施形態に係る電子顕微鏡について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る電子顕微鏡100の構成を示す図である。
を取得する走査透過電子顕微鏡である。電子顕微鏡100は、図1に示すように、電子線源10と、照射レンズ20と、磁界偏向器30と、静電偏向器40と、試料ステージ50と、対物レンズ60と、中間レンズ62と、投影レンズ64と、検出器70と、制御部80と、像取得部90と、を含む。
ly Memory)などの記憶装置と、を含む。制御部80では、プロセッサで記憶装置に記憶されたプログラムを実行することにより、各種計算処理、各種制御処理を行う。なお、制御部80の少なくとも一部を、ASIC(ゲートアレイ等)などの専用回路により実現してもよい。
電子顕微鏡100では、磁界偏向器30および静電偏向器40で電子線を二次元的に偏向させることによって、電子プローブで試料Sを走査する。
次に、走査信号について説明する。走査信号は、水平スキャン信号、垂直スキャン信号、および水平シフト信号を含む。図3は、水平スキャン信号SX、垂直スキャン信号SY、および水平シフト信号SSの一例を示す図である。
図4~図11は、図3に示す水平スキャン信号SXおよび垂直スキャン信号SYが磁界偏向器30に供給され、図3に示す水平シフト信号SSが静電偏向器40に供給されたときの電子顕微鏡100の動作を模式的に示す図である。
なる。このとき、水平シフト信号SSの電圧値は、電圧V1から電圧V0となる。これにより、磁界偏向器30および静電偏向器40で電子線が偏向され、振り戻し時間PFにおける電子線の移動量と第2走査線L2の長さの和だけ、電子線が振り戻される(-X方向に移動する)。
程を繰り返すことによって、複数フレーム分の画像を積算し、STEM像(積算画像)を得ることができる。
電子顕微鏡100は、磁界を発生させて電子線を偏向する磁界偏向器30と、電界を発生させて電子線を偏向する静電偏向器40と、磁界偏向器30および静電偏向器40を制御する制御部80と、を含む。制御部80は、磁界偏向器30に電子線を+X方向に偏向させて第1走査線L1を引き、磁界偏向器30に電子線を+X方向と直交する+Y方向に偏向させ、静電偏向器40に電子線を+X方向とは反対方向の-X方向に偏向させ、磁界偏向器30に電子線を+X方向に偏向させて第2走査線L2を引く。
回数を低減できるため、フレームレートを高くしても、図12に示す例と比べて、撮影時間に対する振り戻し時間PFの割合の増加を低減できる。
5.1. 第1変形例
図15は、水平スキャン信号SX、垂直スキャン信号SY、および水平シフト信号SSの変形例を示す図である。図16は、図15に示す水平スキャン信号SXおよび垂直スキャン信号SYが磁界偏向器30に供給され、図15に示す水平シフト信号SSが静電偏向器40に供給されたときの電子顕微鏡100の動作を模式的に示す図である。
静電偏向器40は、過渡応答によって非線形応答する。そのため、時刻t20から時刻t25までの期間を静定時間PF2とする。静定時間PF2では、像の取得が行われない。
上述した実施形態では、図3および図8に示すように、第1走査線L1を引いた後、静電偏向器40で電子線を振り戻し、第2走査線L2を引いた後に、磁界偏向器30で電子線を振り戻した。すなわち、水平スキャン信号SXの1周期で、2本の走査線を引いたが、水平スキャン信号SXの1周期で引く走査線の数Nは、2以上の整数であれば特に限定されない。
上述した実施形態では、本発明に係る荷電粒子線装置が、電子線で試料Sを走査し、STEM像を取得する走査透過電子顕微鏡である場合について説明したが、本発明に係る荷電粒子線装置は、電子線以外のイオンビーム等の荷電粒子線で試料を走査し、走査像を取得する装置であってもよい。例えば、本発明に係る荷電粒子線装置は、走査電子顕微鏡(SEM)や、電子線マイクロアナライザー(EPMA)、電子ビーム描画装置、オージェマイクロプローブ装置(Auger)、集束イオンビーム装置(FIB)などであってもよい。
Claims (5)
- 荷電粒子線で試料を走査し、走査像を取得する荷電粒子線装置であって、
磁界を発生させて荷電粒子線を偏向する磁界偏向器と、
電界を発生させて荷電粒子線を偏向する静電偏向器と、
前記磁界偏向器および前記静電偏向器を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
前記磁界偏向器に荷電粒子線を第1方向に偏向させて第1走査線を引き、
前記磁界偏向器に荷電粒子線を前記第1方向と直交する第2方向に偏向させ、
前記静電偏向器に荷電粒子線を前記第1方向とは反対方向の第3方向に偏向させ、
前記磁界偏向器に荷電粒子線を前記第1方向に偏向させて第2走査線を引く、荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記制御部は、前記静電偏向器に、前記第1走査線の長さだけ荷電粒子線を前記第3方向に偏向させる、荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記制御部は、前記静電偏向器に、前記第1走査線の長さよりも大きく荷電粒子線を前記第3方向に偏向させる、荷電粒子線装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記制御部は、
第N(Nは2以上の整数)走査線を引いた後、前記磁界偏向器に荷電粒子線を前記第2方向に偏向させ、
前記磁界偏向器に荷電粒子線を前記第3方向に偏向させ、
前記磁界偏向器に荷電粒子線を前記第1方向に偏向させて第N+1走査線を引く、荷電粒子線装置。 - 磁界を発生させて荷電粒子線を偏向する磁界偏向器と、電界を発生させて荷電粒子線を偏向する静電偏向器と、を含み、荷電粒子線で試料を走査し、走査像を取得する荷電粒子線装置の制御方法であって、
前記磁界偏向器に荷電粒子線を第1方向に偏向させて第1走査線を引き、
前記磁界偏向器に荷電粒子線を前記第1方向と直交する第2方向に偏向させ、
前記静電偏向器に荷電粒子線を前記第1方向とは反対方向の第3方向に偏向させ、
前記磁界偏向器に荷電粒子線を前記第1方向に偏向させて第2走査線を引く、荷電粒子線装置の制御方法。
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