JP7450317B2 - Solder composition and method for manufacturing electronic board - Google Patents

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Description

本発明は、フラックス組成物、およびはんだ組成物、並びに、電子基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a flux composition, a solder composition, and a method for manufacturing an electronic board.

はんだ組成物は、はんだ粉末にフラックス組成物（ロジン系樹脂、活性剤および溶剤などを含む組成物）を混練してペースト状にした混合物である。このはんだ組成物においては、はんだ溶融性やはんだが濡れ広がりやすいという性質（はんだ濡れ広がり）などのはんだ付け性が要求されている。そして、これらの要求に対応するために、フラックス組成物中の活性剤などの検討がされている（例えば、特許文献１）。
一方で、はんだ組成物は、大型基板でも使用される。この大型基板ではんだ組成物を使用する場合には、リフロー工程におけるプリヒートの時間を長くする必要がある。このような場合、低分子量の有機酸のような活性剤は、失活しやすく、微小面積における溶融性が低下する。一方で、活性剤を増量する場合には、絶縁信頼性の低下や、銅腐食といった問題が発生しやすい。このように、電子部品の微細化に対応しつつ、大型基板の製造にも対応できるはんだ組成物が求められている。 The solder composition is a paste-like mixture obtained by kneading solder powder with a flux composition (a composition containing a rosin resin, an activator, a solvent, etc.). This solder composition is required to have solderability such as solder meltability and the property that the solder easily spreads (solder wetting and spreading). In order to meet these demands, studies have been made on activators and the like in flux compositions (for example, Patent Document 1).
On the other hand, solder compositions are also used on large substrates. When using a solder composition on this large substrate, it is necessary to lengthen the preheating time in the reflow process. In such a case, an activator such as a low molecular weight organic acid is likely to be deactivated, resulting in a decrease in meltability in a small area. On the other hand, when increasing the amount of activator, problems such as a decrease in insulation reliability and copper corrosion are likely to occur. As described above, there is a need for a solder composition that is compatible with the miniaturization of electronic components and also compatible with the manufacture of large substrates.

特開２０１３－１６９５５７号公報Japanese Patent Application Publication No. 2013-169557

本発明は、大型基板の製造にも対応できるフラックス組成物、およびはんだ組成物、並びに、電子基板の製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a flux composition and a solder composition that can also be used for manufacturing large-sized boards, and a method for manufacturing electronic boards.

本発明の一態様によれば、（Ａ）ロジン系樹脂、（Ｂ）活性剤、（Ｃ）溶剤、および（Ｄ）ヒンダードアミン化合物を含有し、前記（Ｄ）成分が、下記一般式（Ｄ１）で表される構造を有する、フラックス組成物が提供される。 According to one aspect of the present invention, it contains (A) a rosin resin, (B) an activator, (C) a solvent, and (D) a hindered amine compound, and the component (D) is represented by the following general formula (D1). A flux composition having a structure represented by is provided.

Figure 0007450317000001
Figure 0007450317000001

前記一般式（Ｄ１）において、Ｒ１は、独立して、メチル基、またはエチル基であり、Ｘは、水素、炭素数１から１２のアルキル基、または炭素数１から１２のアルコキシ基である。 In the general formula (D1), R 1 is independently a methyl group or an ethyl group, and X is hydrogen, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. .

本発明の一態様によれば、前記本発明の一態様に係るフラックス組成物と、（Ｅ）はんだ粉末とを含有するはんだ組成物が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a solder composition containing the flux composition according to the one aspect of the present invention and (E) solder powder.

本発明の一態様によれば、前記本発明の一態様に係るはんだ組成物を用いてはんだ付けを行う電子基板の製造方法であって、前記はんだ組成物上に前記電子部品を配置し、リフロー炉により加熱するリフロー工程を備え、前記リフロー工程における溶融温度の到達時間が３３０秒間以上である、電子基板の製造方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an electronic board in which soldering is performed using the solder composition according to the one aspect of the present invention, wherein the electronic component is placed on the solder composition, and the reflow soldering process is performed. There is provided a method for manufacturing an electronic board, which includes a reflow step in which heating is performed using a furnace, and in which the time required to reach a melting temperature in the reflow step is 330 seconds or more.

本発明によれば、大型基板の製造にも対応できるフラックス組成物、およびはんだ組成物、並びに、電子基板の製造方法を提供できる。 According to the present invention, it is possible to provide a flux composition, a solder composition, and a method for manufacturing an electronic board that can also be used for manufacturing large-sized boards.

［フラックス組成物］
まず、本実施形態に係るフラックス組成物について説明する。本実施形態に係るフラックス組成物は、はんだ組成物におけるはんだ粉末以外の成分であり、以下説明する（Ａ）ロジン系樹脂、（Ｂ）活性剤、（Ｃ）溶剤、および（Ｄ）ヒンダードアミン化合物を含有するものである。 [Flux composition]
First, the flux composition according to this embodiment will be explained. The flux composition according to the present embodiment includes components other than solder powder in the solder composition, including (A) rosin resin, (B) activator, (C) solvent, and (D) hindered amine compound, which will be described below. It contains.

［（Ａ）成分］
本実施形態に用いる（Ａ）ロジン系樹脂としては、ロジン類およびロジン系変性樹脂が挙げられる。ロジン類としては、ガムロジン、ウッドロジンおよびトール油ロジンなどが挙げられる。ロジン系変性樹脂としては、不均化ロジン、重合ロジン、水素添加ロジンおよびこれらの誘導体などが挙げられる。水素添加ロジンとしては、完全水添ロジン、部分水添ロジン、並びに、不飽和有機酸（（メタ）アクリル酸などの脂肪族の不飽和一塩基酸、フマル酸、マレイン酸などのα，β－不飽和カルボン酸などの脂肪族不飽和二塩基酸、桂皮酸などの芳香族環を有する不飽和カルボン酸など）の変性ロジンである不飽和有機酸変性ロジンの水素添加物（「水添酸変性ロジン」ともいう）などが挙げられる。これらのロジン系樹脂は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。また、これらのロジン系樹脂の中でも、水添酸変性ロジンを用いることが好ましく、水添酸変性ロジンと、これ以外のロジン系樹脂（不均化ロジン、重合ロジン、または水素添加ロジンなど）とを併用することがより好ましい。 [(A) Component]
Examples of the rosin resin (A) used in this embodiment include rosins and modified rosin resins. Examples of rosins include gum rosin, wood rosin, and tall oil rosin. Examples of the rosin-based modified resin include disproportionated rosin, polymerized rosin, hydrogenated rosin, and derivatives thereof. Hydrogenated rosins include fully hydrogenated rosins, partially hydrogenated rosins, unsaturated organic acids (alpha, β-, aliphatic unsaturated monobasic acids such as (meth)acrylic acid, fumaric acid, maleic acid, etc.) Unsaturated organic acid-modified rosin, which is a modified rosin of aliphatic unsaturated dibasic acids such as unsaturated carboxylic acids, unsaturated carboxylic acids with an aromatic ring such as cinnamic acid, etc.) (also called rosin). These rosin resins may be used alone or in combination of two or more. Moreover, among these rosin-based resins, it is preferable to use hydrogenated acid-modified rosin, and hydrogenated acid-modified rosin and other rosin-based resins (such as disproportionated rosin, polymerized rosin, or hydrogenated rosin) are used. It is more preferable to use them together.

（Ａ）成分の配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、３０質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３４質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、３５質量％以上５０質量％以下であることが特に好ましい。（Ａ）成分の配合量が前記下限以上であれば、はんだ付ランドの銅箔面の酸化を防止してその表面に溶融はんだを濡れやすくする、いわゆるはんだ付け性を向上でき、はんだボールを十分に抑制できる。また、（Ａ）成分の配合量が前記上限以下であれば、フラックス残さ量を十分に抑制できる。 The blending amount of component (A) is preferably 30% by mass or more and 70% by mass or less, more preferably 34% by mass or more and 60% by mass or less, and 35% by mass or less, based on 100% by mass of the flux composition. % or more and 50% by mass or less is particularly preferable. If the blending amount of component (A) is above the lower limit, it is possible to prevent oxidation of the copper foil surface of the soldering land and make it easier to wet the surface with molten solder, improving so-called solderability, and ensuring sufficient solder balls. can be suppressed to Moreover, if the blending amount of component (A) is below the above-mentioned upper limit, the amount of flux remaining can be sufficiently suppressed.

［（Ｂ）成分］
本実施形態に用いる（Ｂ）活性剤は、（Ｂ１）炭素数１０以上（より好ましくは１１以上）の有機酸を含有することが好ましい。この（Ｂ１）成分は、プリヒート時間が長い場合でも、失活しにくく、微小面積における溶融性を向上できる。また、この（Ｂ１）成分は、銅腐食の要因にもなりにくい傾向にある。 [(B) Component]
The activator (B) used in this embodiment preferably contains (B1) an organic acid having 10 or more carbon atoms (more preferably 11 or more carbon atoms). This component (B1) is not easily deactivated even when the preheating time is long, and can improve meltability in a small area. In addition, this component (B1) tends to be less likely to cause copper corrosion.

（Ｂ１）成分としては、ドデカン二酸、エイコサン二酸、ダイマー酸、トリマー酸、１－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸、３－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸、および１，４－ジヒドロキシ－２－ナフトエ酸などが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。 (B1) Components include dodecanedioic acid, eicosanedioic acid, dimer acid, trimer acid, 1-hydroxy-2-naphthoic acid, 3-hydroxy-2-naphthoic acid, and 1,4-dihydroxy-2-naphthoic acid. Examples include. These may be used alone or in combination of two or more.

（Ｂ１）成分の配合量としては、フラックス組成物１００質量％に対して、２質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、３質量％以上１５質量％以下であることがより好ましく、４質量％以上１０質量％以下であることが特に好ましい。（Ｂ１）成分の配合量が前記下限以上であれば、微小面積における溶融性を向上できる傾向にあり、他方、前記上限以下であれば、フラックス組成物の絶縁性を維持できる傾向にある。 The blending amount of component (B1) is preferably 2% by mass or more and 20% by mass or less, more preferably 3% by mass or more and 15% by mass or less, based on 100% by mass of the flux composition. It is particularly preferable that the amount is from 10% by mass to 10% by mass. If the blending amount of component (B1) is at least the above-mentioned lower limit, it tends to improve the meltability in a small area, and on the other hand, when it is at or below the above-mentioned upper limit, it tends to be able to maintain the insulation properties of the flux composition.

（Ｂ）成分は、本発明の効果を達成できる範囲内において、（Ｂ２）炭素数１０未満の有機酸を含有していてもよい。
（Ｂ２）成分としては、炭素数１０未満であるモノカルボン酸、ジカルボン酸、およびその他の有機酸が挙げられる。
炭素数１０未満のモノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、およびブチリック酸などが挙げられる。
炭素数１０未満のジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、およびアゼライン酸などが挙げられる。
炭素数１０未満のその他の有機酸としては、乳酸、安息香酸、サリチル酸、およびクエン酸などが挙げられる。 Component (B) may contain (B2) an organic acid having less than 10 carbon atoms within a range that can achieve the effects of the present invention.
Component (B2) includes monocarboxylic acids, dicarboxylic acids, and other organic acids having less than 10 carbon atoms.
Examples of monocarboxylic acids having less than 10 carbon atoms include formic acid, acetic acid, propionic acid, and butyric acid.
Examples of dicarboxylic acids having less than 10 carbon atoms include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, and azelaic acid.
Other organic acids having less than 10 carbon atoms include lactic acid, benzoic acid, salicylic acid, and citric acid.

（Ｂ）成分は、本発明の効果を阻害しない範囲において、（Ｂ１）成分および（Ｂ２）成分以外に、その他の活性剤（（Ｂ３）ハロゲン系活性剤、およびアミン系活性剤など）をさらに含有してもよい。また、（Ｂ１）成分および（Ｂ２）成分の配合量の合計は、（Ｂ）成分１００質量％に対して、８５質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、９５質量％以上であることが特に好ましい。
また、（Ｂ３）成分を使用する場合、その配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、０．５質量％以上５質量％以下であることが好ましく、１質量％以上３質量％以下であることがより好ましい。
（Ｂ３）成分としては、塩素化物、臭素化物、フッ化物のように塩素、臭素、フッ素の各単独元素の共有結合による化合物でもよいが、塩素、臭素およびフッ素の任意の２つまたは全部のそれぞれの共有結合を有する化合物でもよい。これらの化合物は、水性溶媒に対する溶解性を向上させるために、例えばハロゲン化アルコールやハロゲン化カルボキシル化合物のように水酸基やカルボキシル基などの極性基を有することが好ましい。 In addition to components (B1) and (B2), component (B) may further contain other activators ((B3) halogen-based activators, amine-based activators, etc.) to the extent that the effects of the present invention are not inhibited. May be contained. Further, the total amount of component (B1) and component (B2) is preferably 85% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, based on 100% by mass of component (B). It is particularly preferable that the content is 95% by mass or more.
In addition, when using component (B3), its blending amount is preferably 0.5% by mass or more and 5% by mass or less, and 1% by mass or more and 3% by mass or less, based on 100% by mass of the flux composition. It is more preferable that
The component (B3) may be a compound formed by a covalent bond of each individual element of chlorine, bromine, or fluorine, such as a chloride, bromide, or fluoride, or any two or all of chlorine, bromine, and fluorine. It may be a compound having a covalent bond. These compounds preferably have a polar group such as a hydroxyl group or a carboxyl group, such as a halogenated alcohol or a halogenated carboxyl compound, in order to improve solubility in an aqueous solvent.

（Ｂ）成分の配合量としては、フラックス組成物１００質量％に対して、１質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、６質量％以上１５質量％以下であることがより好ましく、８質量％以上１２質量％以下であることが特に好ましい。（Ｂ）成分の配合量が前記下限以上であれば、活性作用を向上できる傾向にあり、他方、前記上限以下であれば、フラックス組成物の絶縁性を維持できる傾向にある。 The blending amount of component (B) is preferably 1% by mass or more and 20% by mass or less, more preferably 6% by mass or more and 15% by mass or less, based on 100% by mass of the flux composition. It is particularly preferable that the amount is 12% by mass or less. If the blending amount of component (B) is at least the above-mentioned lower limit, there is a tendency for the activation effect to be improved, whereas, on the other hand, when it is below the above-mentioned upper limit, the insulation properties of the flux composition tend to be maintained.

［（Ｃ）成分］
本実施形態に用いる（Ｃ）溶剤としては、公知の溶剤を適宜用いることができる。このような溶剤としては、沸点１７０℃以上の溶剤を用いることが好ましい。
このような溶剤としては、例えば、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、ヘキシレングリコール、１,５－ペンタンジオール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、２－エチルヘキシルジグリコール、オクタンジオール、フェニルグリコール、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（ＤＥＨ）、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、およびジブチルマレイン酸などが挙げられる。これらの溶剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。 [(C) Component]
As the solvent (C) used in this embodiment, any known solvent can be used as appropriate. As such a solvent, it is preferable to use a solvent having a boiling point of 170° C. or higher.
Examples of such solvents include diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, hexylene glycol, 1,5-pentanediol, methyl carbitol, butyl carbitol, 2-ethylhexyl diglycol, octanediol, phenyl glycol, Examples include diethylene glycol monohexyl ether (DEH), tetraethylene glycol dimethyl ether, and dibutyl maleic acid. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

（Ｃ）成分の配合量としては、フラックス組成物１００質量％に対して、１０質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以上５０質量％以下であることがより好ましい。溶剤の配合量が前記範囲内であれば、得られるはんだ組成物の粘度を適正な範囲に適宜調整できる。 The blending amount of component (C) is preferably 10% by mass or more and 60% by mass or less, more preferably 20% by mass or more and 50% by mass or less, based on 100% by mass of the flux composition. If the blending amount of the solvent is within the above range, the viscosity of the resulting solder composition can be adjusted to an appropriate range.

［（Ｄ）成分］
本実施形態に用いる（Ｄ）ヒンダードアミン化合物は、下記一般式（Ｄ１）で表される構造を有するものである。この（Ｄ）成分により、リフロー時での溶融温度の到達時間が長い場合において、微小面積における溶融性を向上できる。また、この（Ｄ）成分により、黄銅に対するぬれ性を向上できる。 [(D) Component]
The hindered amine compound (D) used in this embodiment has a structure represented by the following general formula (D1). This component (D) can improve the meltability in a small area when the time required to reach the melting temperature during reflow is long. Moreover, this component (D) can improve the wettability to brass.

Figure 0007450317000002
Figure 0007450317000002

一般式（Ｄ１）において、Ｒ１は、独立して、メチル基、またはエチル基であり、メチル基であることが好ましい。
Ｘは、水素、炭素数１から１２のアルキル基、または炭素数１から１２のアルコキシ基である。また、Ｘが水素の場合は、下記一般式（Ｄ１－１）で表される構造である。Ｘが炭素数１から１２のアルキル基の場合は、下記一般式（Ｄ１－２）で表される構造である。Ｘが炭素数１から１２のアルコキシ基の場合は、下記一般式（Ｄ１－３）で表される構造である。
なお、（Ｄ）成分において、波線より先の部分の構造は、特に限定されない。
（Ｄ）成分の１分子中における一般式（Ｄ１）で表される構造の数は、１以上１０以下であることが好ましく、２以上４以下であることがより好ましい。 In general formula (D1), R 1 is independently a methyl group or an ethyl group, preferably a methyl group.
X is hydrogen, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. Furthermore, when X is hydrogen, the structure is represented by the following general formula (D1-1). When X is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, it has a structure represented by the following general formula (D1-2). When X is an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, the structure is represented by the following general formula (D1-3).
Note that in component (D), the structure of the portion beyond the wavy line is not particularly limited.
The number of structures represented by general formula (D1) in one molecule of component (D) is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 2 or more and 4 or less.

Figure 0007450317000003
Figure 0007450317000003

一般式（Ｄ１－１）において、Ｒ１は、独立して、メチル基、またはエチル基であり、メチル基であることが好ましい。
一般式（Ｄ１－１）で表される構造を有する化合物としては、ビス（２，２，６，６－テトラメチル－４－ピペリジル）セバシケート、テトラキス（２，２，６，６－テトラメチル－４－ピペリジル）ブタン－１，２，３，４－テトラカルボキシレート、および、２，２，６，６－テトラメチル－４－ピペリジルメタクリレートなどが挙げられる。 In general formula (D1-1), R 1 is independently a methyl group or an ethyl group, preferably a methyl group.
Examples of the compound having the structure represented by the general formula (D1-1) include bis(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebathicate, tetrakis(2,2,6,6-tetramethyl- Examples include 4-piperidyl)butane-1,2,3,4-tetracarboxylate and 2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl methacrylate.

Figure 0007450317000004
Figure 0007450317000004

一般式（Ｄ１－２）において、Ｒ１は、独立して、メチル基、またはエチル基であり、メチル基であることが好ましい。
Ｒ２は、炭素数１から１２のアルキル基であり、炭素数１から８のアルキル基であることが好ましく、炭素数１から３のアルキル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。
一般式（Ｄ１－２）で表される構造を有する化合物としては、ビス（１，２，２，６，６－ペンタメチル－４－ピペリジル）－［［３，５－ビス（１，１－ジメチルエチル）－４－ヒドロキシフェニル］エチル］ブチルマロネート、ビス（１，２，２，６，６－ペンタメチル－４－ピペリジル）セバケート、１－（メチル）－８－（１，２，２，６，６－ペンタメチル－４－ピペリジル）セバケート、テトラキス（１，２，２，６，６－ペンタメチル－４－ピペリジル）ブタン－１，２，３，４－テトラカルボキシレート、および、１，２，２，６，６－ペンタメチル－４－ピペリジルメタクリレートなどが挙げられる。 In general formula (D1-2), R 1 is independently a methyl group or an ethyl group, preferably a methyl group.
R2 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and preferably a methyl group. Particularly preferred.
As a compound having a structure represented by general formula (D1-2), bis(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl)-[[3,5-bis(1,1-dimethyl ethyl)-4-hydroxyphenyl]ethyl]butylmalonate, bis(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl)sebacate, 1-(methyl)-8-(1,2,2,6 , 6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate, tetrakis(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl)butane-1,2,3,4-tetracarboxylate, and 1,2,2 , 6,6-pentamethyl-4-piperidyl methacrylate and the like.

Figure 0007450317000005
Figure 0007450317000005

一般式（Ｄ１－３）において、Ｒ１は、独立して、メチル基、またはエチル基であり、メチル基であることが好ましい。
Ｒ３は、炭素数１から１２のアルキル基であり、炭素数４から１１のアルキル基であることが好ましく、炭素数８から１１のアルキル基であることがより好ましく、オクチル基またはウンデシル基であることが特に好ましい。
一般式（Ｄ１－３）で表される構造を有する化合物としては、ビス（３，３，５，５－テトラメチルピペリジン－４－イル）デカンジオアート、および、ビス（１－ウンデカオキシ－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－４－イル）カーボネートなどが挙げられる。 In general formula (D1-3), R 1 is independently a methyl group or an ethyl group, preferably a methyl group.
R3 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, preferably an alkyl group having 4 to 11 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 8 to 11 carbon atoms, and is an octyl group or an undecyl group. It is particularly preferable that there be.
Examples of the compound having the structure represented by the general formula (D1-3) include bis(3,3,5,5-tetramethylpiperidin-4-yl)decanedioate and bis(1-undecaoxy-2, Examples include 2,6,6-tetramethylpiperidin-4-yl) carbonate.

（Ｄ）成分の配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、０．１質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、１質量％以上１５質量％以下であることがより好ましく、２質量％以上１０質量％以下であることがさらに好ましく、４質量％以上７質量％以下であることが特に好ましい。（Ｄ）成分の配合量が前記下限以上であれば、特にリフロー時での溶融温度の到達時間が長い場合において、微小面積における溶融性を向上できる傾向にあり、他方、前記上限以下であれば、フラックス組成物の絶縁性を維持できる傾向にある。 The blending amount of component (D) is preferably 0.1% by mass or more and 20% by mass or less, more preferably 1% by mass or more and 15% by mass or less, based on 100% by mass of the flux composition. It is more preferably 2% by mass or more and 10% by mass or less, and particularly preferably 4% by mass or more and 7% by mass or less. If the blending amount of component (D) is at least the above-mentioned lower limit, it tends to improve the meltability in a minute area, especially when the time to reach the melting temperature during reflow is long; on the other hand, if it is below the above-mentioned upper limit, , it tends to be possible to maintain the insulation properties of the flux composition.

［チクソ剤］
本実施形態のフラックス組成物においては、印刷性などの観点から、さらにチクソ剤を含有することが好ましい。ここで用いるチクソ剤としては、硬化ひまし油、アミド類、カオリン、コロイダルシリカ、有機ベントナイト、およびガラスフリットなどが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。 [Thixotropic agent]
The flux composition of this embodiment preferably further contains a thixotropic agent from the viewpoint of printability and the like. Examples of the thixotropic agent used here include hydrogenated castor oil, amides, kaolin, colloidal silica, organic bentonite, and glass frit. These may be used alone or in combination of two or more.

チクソ剤の配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、１質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、２質量％以上１２質量％以下であることがより好ましい。配合量が前記下限未満では、チクソ性が得られず、ダレが生じやすくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、チクソ性が高すぎて、印刷不良となりやすい傾向にある。 The blending amount of the thixotropic agent is preferably 1% by mass or more and 20% by mass or less, more preferably 2% by mass or more and 12% by mass or less, based on 100% by mass of the flux composition. If the amount is less than the lower limit, thixotropy is not obtained and sag tends to occur, while if it exceeds the upper limit, the thixotropy is too high and printing defects tend to occur.

［他の成分］
本実施形態に用いるフラックス組成物には、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分、およびチクソ剤の他に、必要に応じて、その他の添加剤、更には、その他の樹脂を加えることができる。その他の添加剤としては、酸化防止剤（ヒンダードフェノール等）、消泡剤、改質剤、つや消し剤、および発泡剤などが挙げられる。これらの添加剤の配合量としては、フラックス組成物１００質量％に対して、０．０１質量％以上５質量％以下であることが好ましい。その他の樹脂としては、アクリル系樹脂、およびポリブタジエンなどが挙げられる。 [Other ingredients]
In addition to the (A) component, (B) component, (C) component, (D) component, and thixotropic agent, the flux composition used in this embodiment may include other additives as necessary. , other resins can be added. Other additives include antioxidants (such as hindered phenol), antifoaming agents, modifiers, matting agents, and foaming agents. The blending amount of these additives is preferably 0.01% by mass or more and 5% by mass or less based on 100% by mass of the flux composition. Other resins include acrylic resins and polybutadiene.

［はんだ組成物］
次に、本実施形態のはんだ組成物について説明する。本実施形態のはんだ組成物は、前述の本実施形態のフラックス組成物と、以下説明する（Ｅ）はんだ粉末とを含有するものである。
フラックス組成物の配合量は、はんだ組成物１００質量％に対して、５質量％以上３５質量％以下であることが好ましく、７質量％以上１８質量％以下であることがより好ましく、８質量％以上１５質量％以下であることが特に好ましい。フラックス組成物の配合量が５質量％未満の場合（はんだ粉末の配合量が９５質量％を超える場合）には、バインダーとしてのフラックス組成物が足りないため、フラックス組成物とはんだ粉末とを混合しにくくなる傾向にあり、他方、フラックス組成物の配合量が３５質量％を超える場合（はんだ粉末の配合量が６５質量％未満の場合）には、得られるはんだ組成物を用いた場合に、十分なはんだ接合を形成できにくくなる傾向にある。 [Solder composition]
Next, the solder composition of this embodiment will be explained. The solder composition of this embodiment contains the above-described flux composition of this embodiment and (E) solder powder described below.
The blending amount of the flux composition is preferably 5% by mass or more and 35% by mass or less, more preferably 7% by mass or more and 18% by mass or less, and 8% by mass based on 100% by mass of the solder composition. It is particularly preferable that the amount is 15% by mass or less. If the amount of flux composition is less than 5% by mass (if the amount of solder powder is more than 95% by mass), there is not enough flux composition as a binder, so the flux composition and solder powder are mixed. On the other hand, when the blending amount of the flux composition exceeds 35% by mass (when the blending amount of the solder powder is less than 65% by mass), when the resulting solder composition is used, It tends to be difficult to form a sufficient solder joint.

［（Ｅ）成分］
本発明に用いる（Ｅ）はんだ粉末は、鉛フリーはんだ粉末のみからなることが好ましいが、有鉛のはんだ粉末であってもよい。また、このはんだ粉末におけるはんだ合金は、スズ（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、コバルト（Ｃｏ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群から選択される少なくとも１種を含有することが好ましい。
このはんだ粉末におけるはんだ合金としては、スズを主成分とする合金が好ましい。また、このはんだ合金は、スズ、銀および銅を含有することがより好ましい。さらに、このはんだ合金は、添加元素として、アンチモン、ビスマスおよびニッケルのうちの少なくとも１つを含有してもよい。本実施形態のフラックス組成物によれば、アンチモン、ビスマスおよびニッケルなどの酸化しやすい添加元素を含むはんだ合金を用いた場合でも、ボイドの発生を抑制できる。
ここで、鉛フリーはんだ粉末とは、鉛を添加しないはんだ金属または合金の粉末のことをいう。ただし、鉛フリーはんだ粉末中に、不可避的不純物として鉛が存在することは許容されるが、この場合に、鉛の量は、３００質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。 [(E) component]
The solder powder (E) used in the present invention is preferably composed only of lead-free solder powder, but may be leaded solder powder. The solder alloys in this solder powder include tin (Sn), copper (Cu), zinc (Zn), silver (Ag), antimony (Sb), lead (Pb), indium (In), bismuth (Bi), It is preferable to contain at least one member selected from the group consisting of nickel (Ni), gold (Au), cobalt (Co), and germanium (Ge).
The solder alloy in this solder powder is preferably an alloy containing tin as a main component. Moreover, it is more preferable that this solder alloy contains tin, silver, and copper. Furthermore, this solder alloy may contain at least one of antimony, bismuth, and nickel as an additive element. According to the flux composition of the present embodiment, the generation of voids can be suppressed even when a solder alloy containing easily oxidizable additive elements such as antimony, bismuth, and nickel is used.
Here, the lead-free solder powder refers to a solder metal or alloy powder that does not contain lead. However, although it is permissible for lead to exist as an unavoidable impurity in the lead-free solder powder, in this case, the amount of lead is preferably 300 mass ppm or less.

鉛フリーのはんだ粉末の合金系としては、具体的には、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｂｉ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｂｉ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｂｉ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｎｉ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｂｉ－Ｓｂ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｂｉ－Ｉｎ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｂｉ－Ｉｎ－Ｓｂ系などが挙げられる。 Specifically, lead-free solder powder alloys include Sn-Ag-Cu, Sn-Cu, Sn-Ag, Sn-Bi, Sn-Ag-Bi, and Sn-Ag-Cu. -Bi system, Sn-Ag-Cu-Ni system, Sn-Ag-Cu-Bi-Sb system, Sn-Ag-Bi-In system, Sn-Ag-Cu-Bi-In-Sb system, etc.

（Ｅ）成分の平均粒子径は、通常１μｍ以上４０μｍ以下であるが、はんだ付けパッドのピッチが狭い電子基板にも対応するという観点から、１μｍ以上３５μｍ以下であることがより好ましく、２μｍ以上３５μｍ以下であることがさらにより好ましく、３μｍ以上３２μｍ以下であることが特に好ましい。なお、平均粒子径は、動的光散乱式の粒子径測定装置により測定できる。 The average particle diameter of component (E) is usually 1 μm or more and 40 μm or less, but from the viewpoint of being compatible with electronic boards with narrow soldering pad pitches, it is more preferably 1 μm or more and 35 μm or less, and 2 μm or more and 35 μm or less. It is even more preferable that it is below, and it is especially preferable that it is 3 μm or more and 32 μm or less. Note that the average particle diameter can be measured using a dynamic light scattering type particle diameter measuring device.

［はんだ組成物の製造方法］
本実施形態のはんだ組成物は、上記説明したフラックス組成物と上記説明した（Ｅ）はんだ粉末とを上記所定の割合で配合し、撹拌混合することで製造できる。 [Method for manufacturing solder composition]
The solder composition of this embodiment can be manufactured by blending the above-described flux composition and the above-described (E) solder powder in the above-described predetermined ratio and stirring and mixing.

［電子基板の製造方法］
次に、本実施形態の電子基板の製造方法について説明する。本実施形態の電子基板の製造方法は、以上説明したはんだ組成物を用いることを特徴とするものである。本実施形態の電子基板の製造方法によれば、前記はんだ組成物を用いて電子部品を電子基板（プリント配線基板など）に実装することで、電子基板を製造できる。
前述した本実施形態のはんだ組成物は、大型基板の製造にも対応できる。
ここで用いる塗布装置としては、スクリーン印刷機、メタルマスク印刷機、ディスペンサー、およびジェットディスペンサーなどが挙げられる。
また、前記塗布装置にて塗布したはんだ組成物上に電子部品を配置し、リフロー炉により所定条件にて加熱して、前記電子部品をプリント配線基板に実装するリフロー工程により、電子部品を電子基板に実装できる。 [Electronic board manufacturing method]
Next, a method for manufacturing an electronic board according to this embodiment will be described. The method for manufacturing an electronic board according to this embodiment is characterized by using the solder composition described above. According to the method for manufacturing an electronic board of the present embodiment, an electronic board can be manufactured by mounting an electronic component on an electronic board (printed wiring board, etc.) using the solder composition.
The solder composition of this embodiment described above can also be used for manufacturing large-sized substrates.
Examples of the coating device used here include a screen printer, a metal mask printer, a dispenser, a jet dispenser, and the like.
In addition, electronic components are placed on the solder composition coated by the coating device, heated under predetermined conditions in a reflow oven, and mounted on the printed wiring board through a reflow process. It can be implemented in

リフロー工程においては、前記はんだ組成物上に前記電子部品を配置し、リフロー炉により所定条件にて加熱する。このリフロー工程により、電子部品およびプリント配線基板の間に十分なはんだ接合を行うことができる。その結果、電子部品をプリント配線基板などに実装することができる。
リフロー条件は、はんだの融点に応じて適宜設定すればよい。例えば、プリヒート温度は、１４０℃以上２００℃以下であることが好ましい。プリヒート時間は、大型基板に対応するという観点から、１００秒間以上２５０秒間以下であることが好ましく、１２０秒間以上２００秒間以下であることがより好ましい。ピーク温度は、２３０℃以上２７０℃以下であることが好ましく、２４０℃以上２５５℃以下であることがより好ましい。また、２２０℃以上の温度の保持時間は、大型基板に対応するという観点から、４０秒間以上１６０秒間以下であることが好ましく、１００秒間以上１５０秒間以下であることがより好ましい。
また、プリヒート温度（例えば１４０℃）の到達時間は、大型基板に対応するという観点から、１８０秒間以上であることが好ましく、２００秒間以上であることがより好ましく、２２０秒間以上５００秒間以下であることが特に好ましい。溶融温度（例えば、２２０℃）の到達時間は、大型基板に対応するという観点から、３３０秒間以上であることが好ましく、３５０秒間以上であることがより好ましく、３６０秒間以上７００秒間以下であることが特に好ましい。
なお、上記のようなリフロー条件のように、リフロー炉内で曝される時間が長くなるほど、はんだ粉末の酸化は進み、はんだ溶融性は劣化する傾向にある。これに対し、前述した本実施形態のはんだ組成物は、このようなリフロー条件にも対応できる。 In the reflow process, the electronic component is placed on the solder composition and heated under predetermined conditions in a reflow oven. Through this reflow process, sufficient solder bonding can be achieved between the electronic component and the printed wiring board. As a result, electronic components can be mounted on printed wiring boards and the like.
Reflow conditions may be appropriately set depending on the melting point of the solder. For example, the preheat temperature is preferably 140°C or more and 200°C or less. The preheat time is preferably 100 seconds or more and 250 seconds or less, and more preferably 120 seconds or more and 200 seconds or less, from the viewpoint of compatibility with large substrates. The peak temperature is preferably 230°C or more and 270°C or less, more preferably 240°C or more and 255°C or less. Further, from the viewpoint of compatibility with large substrates, the holding time at a temperature of 220° C. or higher is preferably 40 seconds or more and 160 seconds or less, and more preferably 100 seconds or more and 150 seconds or less.
Further, the time required to reach the preheat temperature (for example, 140°C) is preferably 180 seconds or more, more preferably 200 seconds or more, and 220 seconds or more and 500 seconds or less, from the viewpoint of compatibility with large substrates. It is particularly preferable. The time required to reach the melting temperature (for example, 220°C) is preferably 330 seconds or more, more preferably 350 seconds or more, and 360 seconds or more and 700 seconds or less, from the viewpoint of compatibility with large substrates. is particularly preferred.
Note that, as with the reflow conditions described above, the longer the exposure time in the reflow oven, the more oxidation of the solder powder progresses, and the solder meltability tends to deteriorate. On the other hand, the solder composition of the present embodiment described above can accommodate such reflow conditions.

また、本実施形態のはんだ組成物および電子基板は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれるものである。
例えば、前記電子基板では、リフロー工程により、プリント配線基板と電子部品とを接着しているが、これに限定されない。例えば、リフロー工程に代えて、レーザー光を用いてはんだ組成物を加熱する工程（レーザー加熱工程）により、プリント配線基板と電子部品とを接着してもよい。この場合、レーザー光源としては、特に限定されず、金属の吸収帯に合わせた波長に応じて適宜採用できる。レーザー光源としては、例えば、固体レーザー（ルビー、ガラス、ＹＡＧなど）、半導体レーザー（ＧａＡｓ、およびＩｎＧａＡｓＰなど）、液体レーザー（色素など）、並びに、気体レーザー（Ｈｅ－Ｎｅ、Ａｒ、ＣＯ２、およびエキシマーなど）が挙げられる。 Further, the solder composition and the electronic board of the present embodiment are not limited to the above-described embodiments, and modifications and improvements within the range that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.
For example, in the electronic board, the printed wiring board and the electronic component are bonded together by a reflow process, but the present invention is not limited to this. For example, instead of the reflow process, the printed wiring board and the electronic component may be bonded by a process of heating the solder composition using laser light (laser heating process). In this case, the laser light source is not particularly limited, and can be appropriately employed depending on the wavelength matched to the absorption band of the metal. Examples of laser light sources include solid lasers (ruby, glass, YAG, etc.), semiconductor lasers (GaAs, InGaAsP, etc.), liquid lasers (dye, etc.), and gas lasers (He-Ne, Ar, CO 2 , etc.). excimer, etc.).

次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例および比較例にて用いた材料を以下に示す。
（（Ａ）成分）
ロジン系樹脂Ａ：水添酸変性ロジン、商品名「パインクリスタルＫＥ－６０４」、荒川化学工業社製
ロジン系樹脂Ｂ：完全水添ロジン、商品名「フォーラルＡＸＥ」、理化ファインテク社製
（（Ｂ１）成分）
有機酸Ａ：ダイマー酸、商品名「ＵＮＩＤＹＭＥ１４」、アリゾナケミカル社製
（（Ｂ２）成分）
有機酸Ｂ：グルタル酸
（（Ｂ３）成分）
ハロゲン系活性剤：トランス－２，３－ジブロモ－２－ブテン－１，４－ジオール（ＴＤＢＤ）
（（Ｃ）成分）
溶剤：ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（ＤＥＨ、ヘキシルジグルコール）
（（Ｄ）成分）
ヒンダードアミン化合物Ａ：１分子中に一般式（Ｄ１－１）で表される構造を２つ有する化合物、ビス（２，２，６，６－テトラメチル－４－ピペリジル）セバシケート、商品名「Ｔｉｎｕｖｉｎ ７７０ＤＦ」、ＢＡＳＦ社製
ヒンダードアミン化合物Ｂ：１分子中に一般式（Ｄ１－１）で表される構造を４つ有する化合物、テトラキス（２，２，６，６－テトラメチル－４－ピペリジル）ブタン－１，２，３，４－テトラカルボキシレート、商品名「アデカスタブＬＡ－５７」、ＡＤＥＫＡ社製
ヒンダードアミン化合物Ｃ：１分子中に一般式（Ｄ１－１）で表される構造を１つ有する化合物、２，２，６，６－テトラメチル－４－ピペリジルメタクリレート、商品名「アデカスタブＬＡ－８７」、ＡＤＥＫＡ社製
ヒンダードアミン化合物Ｄ：１分子中に一般式（Ｄ１－２）で表される構造を２つ有する化合物、ビス（１，２，２，６，６－ペンタメチル－４－ピペリジル）－［［３，５－ビス（１，１－ジメチルエチル）－４－ヒドロキシフェニル］エチル］ブチルマロネート、商品名「Ｔｉｎｕｖｉｎ ＰＡ１４４」、ＢＡＳＦ社製
ヒンダードアミン化合物Ｅ：１分子中に一般式（Ｄ１－２）で表される構造を２つ有する化合物、ビス（１，２，２，６，６－ペンタメチル－４－ピペリジル）セバケート＋１－（メチル）－８－（１，２，２，６，６－ペンタメチル－４－ピペリジル）セバケート、商品名「Ｔｉｎｕｖｉｎ ７６５」、ＢＡＳＦ社製
ヒンダードアミン化合物Ｆ：１分子中に一般式（Ｄ１－２）で表される構造を４つ有する化合物、テトラキス（１，２，２，６，６－ペンタメチル－４－ピペリジル）ブタン－１，２，３，４－テトラカルボキシレート、商品名「アデカスタブＬＡ－５２」、ＡＤＥＫＡ社製
ヒンダードアミン化合物Ｇ：１分子中に一般式（Ｄ１－２）で表される構造を１つ有する化合物、１，２，２，６，６－ペンタメチル－４－ピペリジルメタクリレート、商品名「アデカスタブＬＡ－８２」、ＡＤＥＫＡ社製
ヒンダードアミン化合物Ｈ：１分子中に一般式（Ｄ１－３）で表される構造を２つ有する化合物、ビス（３，３，５，５－テトラメチルピペリジン－４－イル）デカンジオアート、商品名「Ｔｉｎｕｖｉｎ １２３」、ＢＡＳＦ社製
ヒンダードアミン化合物Ｉ：１分子中に一般式（Ｄ１－３）で表される構造を１つ有する化合物、ビス（１－ウンデカオキシ－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－４－イル）カーボネート、商品名「アデカスタブＬＡ－８１」、ＡＤＥＫＡ社製
（他の成分）
酸化防止剤Ａ：ビス［３－（３－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）プロピオン酸］［エチレンビス（オキシエチレン）］、商品名「イルガノックス２４５」、ＢＡＳＦ社製
酸化防止剤Ｂ：ペンタエリトリトールテトラキス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオナート］、商品名「ＡＮＯＸ２０」、ＳＩ Ｇｒｏｕｐ社製
酸化防止剤Ｃ：２，２’－メチレンビス［６－（１－メチルシクロヘキシル）－ｐ－クレゾール］、商品名「ＬＯＷＩＮＯＸ ＷＳＰ」、ＳＩ Ｇｒｏｕｐ社製
酸化防止剤Ｄ：２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－ｐ－クレゾール、東京化成工業社製
チクソ剤Ａ：商品名「ターレンＶＡ－７９」、共栄社化学社製
チクソ剤Ｂ：商品名「スリパックスＨ」、日本化成社製
（（Ｅ）成分）
はんだ粉末：合金組成はＳｎ－３．０Ａｇ－０．５Ｃｕ、粒子径分布は１５～２５μｍ、はんだ融点は２１７～２２０℃ Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these Examples in any way. The materials used in the Examples and Comparative Examples are shown below.
((A) component)
Rosin resin A: Hydrogenated acid-modified rosin, product name "Pine Crystal KE-604", manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd. Rosin resin B: Fully hydrogenated rosin, product name "Foral AXE", manufactured by Rika Fine Tech Co., Ltd. (( B1) Ingredients)
Organic acid A: dimer acid, trade name "UNIDYME14", manufactured by Arizona Chemical Company (component (B2))
Organic acid B: glutaric acid ((B3) component)
Halogen activator: trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol (TDBD)
((C) component)
Solvent: diethylene glycol monohexyl ether (DEH, hexyl diglycol)
((D) component)
Hindered amine compound A: A compound having two structures represented by the general formula (D1-1) in one molecule, bis(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebathicate, trade name "Tinuvin 770DF"", BASF Hindered Amine Compound B: A compound having four structures represented by the general formula (D1-1) in one molecule, Tetrakis(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl)butane- 1,2,3,4-tetracarboxylate, trade name "ADEKASTAB LA-57", manufactured by ADEKA Hindered amine compound C: compound having one structure represented by general formula (D1-1) in one molecule, 2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl methacrylate, trade name "ADEKA STAB LA-87", manufactured by ADEKA Hindered amine compound D: 2 structures represented by the general formula (D1-2) in one molecule A compound having bis(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl)-[[3,5-bis(1,1-dimethylethyl)-4-hydroxyphenyl]ethyl]butylmalonate, Product name "Tinuvin PA144", manufactured by BASF Hindered amine compound E: A compound having two structures represented by the general formula (D1-2) in one molecule, bis(1,2,2,6,6-pentamethyl- 4-piperidyl) sebacate + 1-(methyl)-8-(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate, trade name "Tinuvin 765", manufactured by BASF, hindered amine compound F: in one molecule A compound having four structures represented by general formula (D1-2), tetrakis(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl)butane-1,2,3,4-tetracarboxylate, Product name "ADEKA STAB LA-52", manufactured by ADEKA Hindered amine compound G: Compound having one structure represented by general formula (D1-2) in one molecule, 1,2,2,6,6-pentamethyl- 4-piperidyl methacrylate, trade name "ADEKASTAB LA-82", manufactured by ADEKA Hindered amine compound H: compound having two structures represented by the general formula (D1-3) in one molecule, bis(3,3,5 ,5-tetramethylpiperidin-4-yl)decanedioate, trade name "Tinuvin 123", manufactured by BASF Hindered amine compound I: Compound having one structure represented by general formula (D1-3) in one molecule , bis(1-undecaoxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidin-4-yl) carbonate, trade name "ADEKASTAB LA-81", manufactured by ADEKA (other ingredients)
Antioxidant A: Bis[3-(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propionic acid][ethylenebis(oxyethylene)], trade name "Irganox 245", antioxidant manufactured by BASF Agent B: Pentaerythritol tetrakis [3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], trade name "ANOX20", manufactured by SI Group Antioxidant C: 2,2'-methylenebis[ 6-(1-Methylcyclohexyl)-p-cresol], trade name "LOWINOX WSP", manufactured by SI Group. Antioxidant D: 2,6-di-tert-butyl-p-cresol, manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd. Thixo Agent A: Product name "Taren VA-79", manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd. Thixotropic agent B: Product name "Slipax H", manufactured by Nippon Kasei Co., Ltd. (component (E))
Solder powder: Alloy composition is Sn-3.0Ag-0.5Cu, particle size distribution is 15-25μm, solder melting point is 217-220℃

［実施例１］
ロジン系樹脂Ａ３７質量％、ロジン系樹脂Ｂ５質量％、有機酸Ａ４質量％、有機酸Ｂ５質量％、溶剤３６質量％、ヒンダードアミン化合物Ａ５質量％、チクソ剤Ａ２質量％およびチクソ剤Ｂ６質量％を容器に投入し、プラネタリーミキサーを用いて混合してフラックス組成物を得た。
その後、得られたフラックス組成物１２質量％およびはんだ粉末８８質量％（合計で１００質量％）を容器に投入し、プラネタリーミキサーにて混合することではんだ組成物を調製した。 [Example 1]
A container contains 37% by mass of rosin resin A, 5% by mass of rosin resin B, 4% by mass of organic acid A, 5% by mass of organic acid B, 36% by mass of solvent, 5% by mass of hindered amine compound A, 2% by mass of thixotropic agent A, and 6% by mass of thixotropic agent B. and mixed using a planetary mixer to obtain a flux composition.
Thereafter, 12% by mass of the obtained flux composition and 88% by mass of solder powder (100% by mass in total) were placed in a container and mixed in a planetary mixer to prepare a solder composition.

［実施例２～１１］
表１に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例１と同様にして、はんだ組成物を得た。
［比較例１～５］
表１に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例１と同様にして、はんだ組成物を得た。 [Examples 2 to 11]
A solder composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 1.
[Comparative Examples 1 to 5]
A solder composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 1.

＜はんだ組成物の評価＞
はんだ組成物の評価（微小ランドの溶融性、ピン間ボール、ボイド、ぬれ効力（黄銅）、銅板腐食、銅鏡腐食、絶縁抵抗）を以下のような方法で行った。得られた結果を表１に示す。
（１）微小ランドの溶融性
基板上に、厚み０．０８ｍｍのメタルマスクを用いて、はんだ組成物を印刷した。なお、直径が１．００ｍｍ、０．５０ｍｍ、０．４０ｍｍ、０．３５ｍｍ、０．３０ｍｍ、０．２８ｍｍ、０．２６ｍｍ、０．２４ｍｍ、０．２２ｍｍ、０．２０ｍｍ、０．１８ｍｍおよび０．１６ｍｍの銅箔パッドの試験パターン各１００個を印刷した。その後、下記加熱条件Ａまたは下記加熱条件Ｂでリフローを行い、それぞれ試験基板を作製した。試験基板を顕微鏡にて観察して、最小溶融パッドの直径（単位：ｍｍφ）を測定した。直径が小さいほど、溶融性が優れる。
（加熱条件Ａ）
プリヒート温度：１４０～２００℃で１００秒間（１４０℃の到達時間８５秒）
２２０℃以上の保持時間：５０秒間（２２０℃（溶融温度）の到達時間２１０秒）
ピーク温度：２５０℃
（加熱条件Ｂ）
プリヒート温度：１４０～２００℃で１６０秒間（１４０℃の到達時間２３５秒）
２２０℃以上の保持時間：１２０秒間（２２０℃（溶融温度）の到達時間４１５秒）
ピーク温度：２４０℃
（２）ピン間ボール
基板上に、厚み０．０８ｍｍのメタルマスクを用いて、はんだ組成物を印刷し、０．８ｍｍピッチのＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）を実装し、さらに、微小ランドの溶融性の評価における加熱条件Ｂと同様の条件にて、リフロー処理を行い、評価用基板を作製した。ＱＦＰのスリット部分を拡大鏡にて観察し、スリット間におけるはんだボールの発生数をカウントした。そして、以下の基準に従って、はんだボールを評価した。
◎：１ピンあたりのボール発生数が、２５個以下である。
〇：１ピンあたりのボール発生数が、２５個超５０個以下である。
△：１ピンあたりのボール発生数が、５０個超７５個以下である。
×：１ピンあたりのボール発生数が、７５個超である。
（３）ボイド
基板上に、厚み０．０８ｍｍのメタルマスクを用いて、はんだ組成物を印刷し、０．５ｍｍピッチのＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）を実装し、さらに、微小ランドの溶融性の評価における加熱条件Ｂと同様の条件にて、リフロー処理を行い、評価用基板を作製した。そして、Ｘ線検査装置として、名古屋電機工業社製の「ＮＬＸ－５０００」を使用して、ボイドを測定し、装置の標準アプリケーションを用いて、ＱＦＮのパッド部におけるボイド面積率［（総ボイド面積／総ランド面積）×１００］を算出した。そして、以下の基準に従って、ボイドを評価した。
○：ボイド面積率が、２０％以下である。
△：ボイド面積率が、２０％超３０％以下である。
×：ボイド面積率が、３０％超である。
（４）ぬれ効力（黄銅）
ＪＩＳ Ｚ ３２８４（２０１４）に記載の方法に準拠して、はんだのぬれ性（ディウェッティング）の試験を行う。すなわち、金属板（黄銅、大きさ：３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚み：０．３ｍｍ）を準備し、研磨剤で研磨した。この金属板に、直径６．５ｍｍφの円形のパターン孔を有する厚み０．２ｍｍのメタルマスクを使用し、はんだ組成物を印刷して試験片を得た。この試験片を微小ランドの溶融性の評価における加熱条件Ｂと同様の条件にて加熱した。試験片を顕微鏡にて観察し、下記の基準に従って、ディウエッティング（黄銅）を評価した。
区分１：はんだ組成物から溶融したはんだが、試験板をぬらし、はんだ組成物を塗布した面積以上に広がった状態である。
区分２：はんだ組成物を塗布した部分はすべて、はんだでぬれた状態である。
区分３：はんだ組成物を塗布した部分の大半は、はんだでぬれた状態（ディウェッティングも含まれる。）である。
区分４：試験板は、はんだがぬれた様子はなく、溶融したはんだは一つまたは複数のはんだボールとなった状態（ノンウェッティング）である。
（５）銅板腐食
ＩＰＣ ＴＭ６５０ ２．６．１５Ｃに記載の方法に準拠して、銅箔腐食試験を行い、銅腐食を評価した。そして、銅箔腐食試験の結果が、合格となる場合には「○」と判定し、それ以外の場合には「×」と判定した。
（６）銅鏡腐食
ＩＰＣ ＴＭ６５０ ２．３．３２Ｄに記載の方法に準拠して、銅箔腐食試験を行い、銅腐食を評価した。そして、以下の基準に従って、銅鏡腐食を評価した。
〇：銅鏡の薄膜の剥落が、全くない。
△：銅鏡の薄膜の剥落が、５０％未満である。
×：銅鏡の薄膜の剥落が、５０％以上である。
（７）絶縁抵抗
ＪＩＳ Ｚ３１９７（２０１２）に記載の絶縁抵抗試験に準拠して、絶縁抵抗値を測定した。そして、以下の基準に従って、絶縁抵抗を評価した。
○：絶縁抵抗値が、１．０×１０１０以上である。
△：絶縁抵抗値が、１．０×１０９以上１．０×１０１０未満である。
×：絶縁抵抗値が、１．０×１０９未満である。 <Evaluation of solder composition>
Evaluations of the solder composition (fusing properties of minute lands, balls between pins, voids, wetting effect (brass), copper plate corrosion, copper mirror corrosion, and insulation resistance) were performed using the following methods. The results obtained are shown in Table 1.
(1) Meltability of micro lands A solder composition was printed on a substrate using a metal mask with a thickness of 0.08 mm. In addition, if the diameter is 1.00mm, 0.50mm, 0.40mm, 0.35mm, 0.30mm, 0.28mm, 0.26mm, 0.24mm, 0.22mm, 0.20mm, 0.18mm and 0. One hundred test patterns of each 16 mm copper foil pad were printed. Thereafter, reflow was performed under the following heating conditions A or the following heating conditions B, and test substrates were produced respectively. The test substrate was observed under a microscope, and the diameter of the minimum melting pad (unit: mmφ) was measured. The smaller the diameter, the better the meltability.
(Heating condition A)
Preheat temperature: 140-200℃ for 100 seconds (time to reach 140℃: 85 seconds)
Holding time at 220°C or higher: 50 seconds (time to reach 220°C (melting temperature) 210 seconds)
Peak temperature: 250℃
(Heating condition B)
Preheat temperature: 140-200℃ for 160 seconds (time to reach 140℃ 235 seconds)
Holding time at 220°C or higher: 120 seconds (time to reach 220°C (melting temperature): 415 seconds)
Peak temperature: 240℃
(2) Ball between pins A solder composition is printed on the board using a metal mask with a thickness of 0.08 mm, a QFP (Quad Flat Package) with a pitch of 0.8 mm is mounted, and the meltability of the micro lands is A reflow treatment was performed under the same conditions as heating condition B in the evaluation, and a substrate for evaluation was produced. The slit portion of the QFP was observed with a magnifying glass, and the number of solder balls generated between the slits was counted. The solder balls were then evaluated according to the following criteria.
◎: The number of balls generated per pin is 25 or less.
○: The number of balls generated per pin is more than 25 and less than 50.
Δ: The number of balls generated per pin is more than 50 and less than 75.
×: The number of balls generated per pin is more than 75.
(3) Void A solder composition is printed on the substrate using a metal mask with a thickness of 0.08 mm, QFN (Quad Flat Non-leaded package) is mounted with a pitch of 0.5 mm, and further, the micro lands are melted. A reflow treatment was performed under the same conditions as heating condition B in the evaluation of properties, and a substrate for evaluation was produced. Then, the voids were measured using "NLX-5000" manufactured by Nagoya Electric Industry Co., Ltd. as an X-ray inspection device, and the void area ratio [(total void area /total land area)×100] was calculated. Then, voids were evaluated according to the following criteria.
○: The void area ratio is 20% or less.
Δ: The void area ratio is more than 20% and less than 30%.
×: The void area ratio is more than 30%.
(4) Wetting effect (brass)
A solder wettability (dewetting) test is conducted in accordance with the method described in JIS Z 3284 (2014). That is, a metal plate (brass, size: 30 mm x 30 mm, thickness: 0.3 mm) was prepared and polished with an abrasive. A test piece was obtained by printing a solder composition on this metal plate using a 0.2 mm thick metal mask having circular pattern holes with a diameter of 6.5 mmφ. This test piece was heated under the same conditions as heating condition B in evaluating the meltability of micro lands. The test piece was observed under a microscope, and dewetting (brass) was evaluated according to the following criteria.
Category 1: Solder melted from the solder composition wets the test board and spread beyond the area to which the solder composition was applied.
Category 2: All parts coated with the solder composition are wet with solder.
Category 3: Most of the areas to which the solder composition was applied are wet with solder (including dewetting).
Category 4: There was no appearance of solder getting wet on the test board, and the molten solder was in the form of one or more solder balls (non-wetting).
(5) Copper plate corrosion A copper foil corrosion test was conducted in accordance with the method described in IPC TM650 2.6.15C to evaluate copper corrosion. When the result of the copper foil corrosion test was passed, it was determined as "○", and in other cases, it was determined as "x".
(6) Copper mirror corrosion A copper foil corrosion test was conducted in accordance with the method described in IPC TM650 2.3.32D to evaluate copper corrosion. Then, copper mirror corrosion was evaluated according to the following criteria.
○: There is no peeling of the thin film of the copper mirror.
Δ: Peeling off of the thin film of the copper mirror is less than 50%.
×: 50% or more of the thin film of the copper mirror peeled off.
(7) Insulation resistance The insulation resistance value was measured in accordance with the insulation resistance test described in JIS Z3197 (2012). Then, the insulation resistance was evaluated according to the following criteria.
○: Insulation resistance value is 1.0×10 10 or more.
Δ: Insulation resistance value is 1.0×10 9 or more and less than 1.0×10 10 .
×: Insulation resistance value is less than 1.0×10 9 .

Figure 0007450317000006
Figure 0007450317000006

表１に示す結果からも明らかなように、本発明のはんだ組成物（実施例１～１１）は、微小ランドの溶融性、ピン間ボール、ボイド、ぬれ効力、銅板腐食、銅鏡腐食、および絶縁抵抗の全ての結果が良好であることが確認された。
従って、本発明のはんだ組成物によれば、大型基板の製造にも対応できることが確認された。 As is clear from the results shown in Table 1, the solder compositions of the present invention (Examples 1 to 11) have excellent effects on the meltability of micro lands, balls between pins, voids, wetting effectiveness, copper plate corrosion, copper mirror corrosion, and insulation. All resistance results were confirmed to be good.
Therefore, it was confirmed that the solder composition of the present invention can be applied to the manufacture of large-sized substrates.

本発明のフラックス組成物およびはんだ組成物は、電子機器のプリント配線基板などの電子基板に電子部品を実装するための技術として好適に用いることができる。 The flux composition and solder composition of the present invention can be suitably used as a technique for mounting electronic components on electronic boards such as printed wiring boards of electronic devices.

Claims (8)

フラックス組成物と、（Ｅ）はんだ粉末とを含有する、はんだ組成物であって、
前記フラックス組成物は、（Ａ）ロジン系樹脂、（Ｂ）活性剤、（Ｃ）溶剤、および（Ｄ）ヒンダードアミン化合物を含有し、
前記（Ｄ）成分が、下記一般式（Ｄ１）で表される構造を有する、
はんだ組成物。
Figure 0007450317000007
（前記一般式（Ｄ１）において、Ｒ１は、独立して、メチル基、またはエチル基であり、Ｘは、水素、炭素数１から１２のアルキル基、または炭素数１から１２のアルコキシ基である。） A solder composition containing a flux composition and (E) solder powder,
The flux composition contains (A) a rosin resin, (B) an activator, (C) a solvent, and (D) a hindered amine compound,
The component (D) has a structure represented by the following general formula (D1),
Solder composition .
Figure 0007450317000007
(In the general formula (D1), R 1 is independently a methyl group or an ethyl group, and X is hydrogen, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. be.) 請求項１に記載のはんだ組成物において、The solder composition according to claim 1,
リフロー工程における溶融温度の到達時間が、３３０秒間以上である場合に使用する、Used when the time to reach the melting temperature in the reflow process is 330 seconds or more,
はんだ組成物。Solder composition. 請求項１または請求項２に記載のはんだ組成物において、
前記（Ｄ）成分が、下記一般式（Ｄ１－１）で表される構造を有する、
はんだ組成物。
Figure 0007450317000008
（前記一般式（Ｄ１－１）において、Ｒ１は、独立して、メチル基、またはエチル基である。） The solder composition according to claim 1 or 2 ,
The component (D) has a structure represented by the following general formula (D1-1),
Solder composition .
Figure 0007450317000008
(In the general formula (D1-1), R 1 is independently a methyl group or an ethyl group.) 請求項１または請求項２に記載のはんだ組成物において、
前記（Ｄ）成分が、下記一般式（Ｄ１－２）で表される構造を有する、
はんだ組成物。
Figure 0007450317000009
（前記一般式（Ｄ１－２）において、Ｒ１は、独立して、メチル基、またはエチル基であり、Ｒ２は、炭素数１から１２のアルキル基である。） The solder composition according to claim 1 or 2 ,
The component (D) has a structure represented by the following general formula (D1-2),
Solder composition .
Figure 0007450317000009
(In the general formula (D1-2), R 1 is independently a methyl group or an ethyl group, and R 2 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms.) 請求項１または請求項２に記載のはんだ組成物において、
前記（Ｄ）成分が、下記一般式（Ｄ１－３）で表される構造を有する、
はんだ組成物。
Figure 0007450317000010
（前記一般式（Ｄ１－３）において、Ｒ１は、独立して、メチル基、またはエチル基であり、Ｒ３は、炭素数１から１２のアルキル基である。） The solder composition according to claim 1 or 2 ,
The component (D) has a structure represented by the following general formula (D1-3),
Solder composition .
Figure 0007450317000010
(In the general formula (D1-3), R 1 is independently a methyl group or an ethyl group, and R 3 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms.) 請求項１～請求項５のいずれか１項に記載のはんだ組成物において、
前記（Ａ）の配合量が、前記フラックス組成物１００質量％に対して、３０質量％以上７０質量％以下である、
はんだ組成物。 The solder composition according to any one of claims 1 to 5 ,
The blending amount of (A) is 30% by mass or more and 70% by mass or less with respect to 100% by mass of the flux composition,
Solder composition . 請求項１～請求項６のいずれか１項に記載のはんだ組成物において、
前記（Ｅ）成分におけるはんだ合金が、スズ、銅、亜鉛、銀、アンチモン、鉛、インジウム、ビスマス、ニッケル、金、コバルトおよびゲルマニウムからなる群から選択される少なくとも１種を含有する、
はんだ組成物。 The solder composition according to any one of claims 1 to 6 ,
The solder alloy in component (E) contains at least one member selected from the group consisting of tin, copper, zinc, silver, antimony, lead, indium, bismuth, nickel, gold, cobalt, and germanium.
Solder composition. 請求項１～請求項７のいずれか１項に記載のはんだ組成物を用いてはんだ付けを行う電子基板の製造方法であって、
前記はんだ組成物上に電子部品を配置し、リフロー炉により加熱するリフロー工程を備え、
前記リフロー工程における溶融温度の到達時間が３３０秒間以上である、
電子基板の製造方法。 A method for manufacturing an electronic board in which soldering is performed using the solder composition according to any one of claims 1 to 7 ,
A reflow step of placing an electronic component on the solder composition and heating it in a reflow oven,
The time required to reach the melting temperature in the reflow process is 330 seconds or more;
Method for manufacturing electronic boards.
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