JP7449920B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
1.第1の実施の形態(ガラス基板に貫通孔を形成した例)
2.第2の実施の形態(段差部を2段設けた例)
3.第3の実施の形態(受光面の外周で接合した例)
4.第4の実施の形態(側面を垂直に加工した例)
5.第5の実施の形態(2つの基材を貼り合せて段差部を形成した例)
6.第6の実施の形態(2つの撮像素子を実装した例)
[実装構造]
図1は、本技術の第1の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
図2は、本技術の第1の実施の形態における半導体装置の第1の変形例を示す断面図である。
図3は、本技術の第1の実施の形態における半導体装置の第2の変形例を示す断面図である。
[実装構造]
図4は、本技術の第2の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
図5は、本技術の第2の実施の形態における半導体装置の製造方法の一例を示す図である。
[実装構造]
図6は、本技術の第3の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
[実装構造]
図7は、本技術の第4の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
[実装構造]
図8は、本技術の第5の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
[実装構造]
図9は、本技術の第6の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
図10乃至12は、本技術の第6の実施の形態における半導体装置の製造方法の一例を示す図である。
(1)表裏面を貫通する貫通孔および前記貫通孔の外周に段差部を備えるガラス基板と、
前記段差部に接合された半導体素子と
を具備する半導体装置。
(2)前記ガラス基板は、その表面に配線層を備える
前記(1)に記載の半導体装置。
(3)前記半導体素子は、その表面が前記配線層と実質的に同一平面上になる位置に配置される
前記(2)に記載の半導体装置。
(4)前記段差部は、前記貫通孔の外周に設けられた第1の段差部と、前記第1の段差部の外周に設けられた第2の段差部とを備え、
前記半導体素子は、前記第1の段差部に接合される
前記(1)に記載の半導体装置。
(5)前記ガラス基板は、その表面および前記第2の段差部の各々に配線層を備える
前記(4)に記載の半導体装置。
(6)前記半導体素子は、その表面が前記第2の段差部の底面の配線層と実質的に同一平面上になる位置に配置される
前記(5)に記載の半導体装置。
(7)前記半導体素子は、撮像素子である
前記(1)から(6)のいずれかに記載の半導体装置。
(8)前記半導体素子は、前記撮像素子の受光部とは反対側の面において前記ガラス基板と接合される
前記(7)に記載の半導体装置。
(9)前記半導体素子は、前記撮像素子の受光部の外周において前記ガラス基板と接合される
前記(7)に記載の半導体装置。
(10)前記半導体素子と接合する放熱部材をさらに具備する
前記(1)から(9)のいずれかに記載の半導体装置。
(11)前記放熱部材は、前記ガラス基板にさらに接合される
前記(10)に記載の半導体装置。
(12)前記放熱部材は、可撓性の放熱シートである
前記(10)または(11)に記載の半導体装置。
(13)前記放熱部材は、クラッド材である
前記(10)に記載の半導体装置。
(14)前記ガラス基板は、前記貫通孔における開口部の側面がテーパー状である
前記(1)から(13)のいずれかに記載の半導体装置。
(15)前記ガラス基板は、前記貫通孔における開口部の側面が前記ガラス基板の表面に対し略垂直である
前記(1)から(13)のいずれかに記載の半導体装置。
(16)前記ガラス基板は、互いに接合された少なくとも2つの基材を備える
前記(1)から(15)のいずれかに記載の半導体装置。
(17)前記ガラス基板の前記貫通孔における開口部の側面を覆う遮光性を有する樹脂をさらに具備する前記(1)から(16)のいずれかに記載の半導体装置。
(18)複数のレンズが積層されたレンズ構造体をさらに具備し、
前記撮像素子は、前記複数のレンズによって集光された光が入射される
前記(7)に記載の半導体装置。
(19)前記ガラス基板は、前記貫通孔を複数備え、
前記複数の貫通孔の各々の前記段差部に接合される前記半導体素子を複数備える
前記(1)から(18)のいずれかに記載の半導体装置。
100~102 ガラス基板
110 貫通ビア
120 貫通電極
121 メッキ
131 金属
140 配線層
150~152 レジスト
160 貫通電極
191、192 段差部
193 貫通孔
200 イメージセンサパッケージ
210 ボンディングワイヤ
220 遮光樹脂
230 ダム材
300、310、320 放熱部材
400 リッド
410 遮光膜
500 レンズ構造体
Claims (15)
- 表裏面を貫通する貫通孔および前記貫通孔の外周に段差部を備えるガラス基板と、
前記段差部に接合された半導体素子と
を具備し、
前記ガラス基板は、その表面に配線層を備え、
前記半導体素子は、その表面が前記配線層と実質的に同一平面上になる位置に配置される
半導体装置。 - 前記半導体素子と接合する放熱部材をさらに具備する
請求項1記載の半導体装置。 - 前記放熱部材は、前記ガラス基板にさらに接合される
請求項2記載の半導体装置。 - 前記放熱部材は、可撓性の放熱シートである
請求項2記載の半導体装置。 - 前記放熱部材は、クラッド材である
請求項2記載の半導体装置。 - 前記ガラス基板は、前記貫通孔における開口部の側面がテーパー状である
請求項1記載の半導体装置。 - 前記ガラス基板は、前記貫通孔における開口部の側面が前記ガラス基板の表面に対し略垂直である
請求項1記載の半導体装置。 - 前記ガラス基板は、互いに接合された少なくとも2つの基材を備える
請求項1記載の半導体装置。 - 前記ガラス基板の前記貫通孔における開口部の側面を覆う遮光性を有する樹脂をさらに具備する請求項1記載の半導体装置。
- 前記ガラス基板は、前記貫通孔を複数備え、
前記複数の貫通孔の各々の前記段差部に接合される前記半導体素子を複数備える
請求項1記載の半導体装置。 - 表裏面を貫通する貫通孔および前記貫通孔の外周に段差部を備えるガラス基板と、
前記段差部に接合された半導体素子と
を具備し、
前記段差部は、前記貫通孔の外周に設けられた第1の段差部と、前記第1の段差部の外周に設けられた第2の段差部とを備え、
前記半導体素子は、前記第1の段差部に接合される
半導体装置。 - 前記ガラス基板は、その表面および前記第2の段差部の各々に配線層を備える
請求項11記載の半導体装置。 - 前記半導体素子は、その表面が前記第2の段差部の底面の配線層と実質的に同一平面上になる位置に配置される
請求項12記載の半導体装置。 - 表裏面を貫通する貫通孔および前記貫通孔の外周に段差部を備えるガラス基板と、
前記段差部に接合された半導体素子と
を具備し、
前記半導体素子は、撮像素子であって、前記撮像素子の受光部とは反対側の面において前記ガラス基板と接合される
半導体装置。 - 複数のレンズが積層されたレンズ構造体をさらに具備し、
前記撮像素子は、前記複数のレンズによって集光された光が入射される
請求項14記載の半導体装置。
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WO2023058413A1 (ja) * | 2021-10-07 | 2023-04-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置および電子機器 |
KR20230053241A (ko) * | 2021-10-14 | 2023-04-21 | 삼성전기주식회사 | 이미지 센서 모듈 및 이를 포함하는 카메라 모듈 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004165671A (ja) | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Agilent Technol Inc | 半導体パッケージング構造 |
JP2006253936A (ja) | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像モジュールおよびその製造方法 |
WO2013081156A1 (ja) | 2011-11-30 | 2013-06-06 | 京セラ株式会社 | 撮像素子収納用パッケージおよび撮像装置 |
JP2014216394A (ja) | 2013-04-23 | 2014-11-17 | 株式会社ニコン | 固体撮像装置及び電子カメラ |
JP2015015529A (ja) | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 株式会社ニコン | 撮像ユニット及び撮像装置 |
JP2015038962A (ja) | 2013-07-16 | 2015-02-26 | ソニー株式会社 | 配線基板および配線基板の製造方法、並びに、部品内蔵ガラス基板および部品内蔵ガラス基板の製造方法。 |
WO2016031332A1 (ja) | 2014-08-26 | 2016-03-03 | シャープ株式会社 | カメラモジュール |
JP2017040723A (ja) | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 株式会社フジクラ | 車載用カメラ |
JP2018532352A (ja) | 2015-08-04 | 2018-11-01 | ニンボー サニー オプテック カンパニー,リミテッド | マルチレンズカメラモジュール結合スタンド、マルチレンズカメラモジュール、およびその利用 |
WO2019044172A1 (ja) | 2017-08-29 | 2019-03-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、および、撮像装置の製造方法 |
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004165671A (ja) | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Agilent Technol Inc | 半導体パッケージング構造 |
JP2006253936A (ja) | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像モジュールおよびその製造方法 |
WO2013081156A1 (ja) | 2011-11-30 | 2013-06-06 | 京セラ株式会社 | 撮像素子収納用パッケージおよび撮像装置 |
JP2014216394A (ja) | 2013-04-23 | 2014-11-17 | 株式会社ニコン | 固体撮像装置及び電子カメラ |
JP2015015529A (ja) | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 株式会社ニコン | 撮像ユニット及び撮像装置 |
JP2015038962A (ja) | 2013-07-16 | 2015-02-26 | ソニー株式会社 | 配線基板および配線基板の製造方法、並びに、部品内蔵ガラス基板および部品内蔵ガラス基板の製造方法。 |
WO2016031332A1 (ja) | 2014-08-26 | 2016-03-03 | シャープ株式会社 | カメラモジュール |
JP2018532352A (ja) | 2015-08-04 | 2018-11-01 | ニンボー サニー オプテック カンパニー,リミテッド | マルチレンズカメラモジュール結合スタンド、マルチレンズカメラモジュール、およびその利用 |
JP2017040723A (ja) | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 株式会社フジクラ | 車載用カメラ |
WO2019044172A1 (ja) | 2017-08-29 | 2019-03-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、および、撮像装置の製造方法 |
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