JP7435734B2 - 樹脂多層基板 - Google Patents
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Description
複数の樹脂基材層をその厚さ方向に積層して形成され、回路導体を内部に備える積層体と、
前記積層体の前記厚さ方向の両端面上に直接的に形成された端面グランド導体と、
前記積層体の側面上に形成された密着層と、
前記密着層上に形成された側面グランド導体と、を有し、
前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、
前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている、樹脂多層基板が提供される。
導体層を備える複数の樹脂フィルムをその厚さ方向に積層することにより、前記厚さ方向の両端面上に直接的に設けられた端面グランド導体と内部に設けられた回路導体とを備える積層体を作製し、
前記積層体の側面上に密着層を成膜し、
前記密着層上に側面グランド導体となる導体層を成膜し、
前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、
前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている、樹脂多層基板の製造方法が提供される。
導体層を備える複数の樹脂フィルムをその厚さ方向に積層することにより、前記厚さ方向の両端面上に直接的に設けられた端面グランド導体と内部に設けられた回路導体とを備える積層体を作製し、
前記積層体の側面上に密着層を成膜し、
前記密着層上にグランド導体材料を塗布して側面グランド導体を形成し、
前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、
前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている、樹脂多層基板の製造方法が提供される。
Claims (12)
- 複数の樹脂基材層をその厚さ方向に積層して形成され、回路導体を内部に備える積層体と、
前記積層体の前記厚さ方向の両端面上に直接的に形成された端面グランド導体と、
前記積層体の側面上に形成された密着層と、
前記密着層上に形成された側面グランド導体と、を有し、
前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、
前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている、樹脂多層基板。
- 前記密着層が、金属材料から作製されている、請求項1に記載の樹脂多層基板。
- 前記密着層が、前記グランド導体材料の熱膨張率と前記樹脂基材層の厚さ方向の熱膨張率との間の熱膨張率を備える金属材料から作製されている、請求項2に記載の樹脂多層基板。
- 前記密着層が、前記グランド導体材料に比べて酸化しやすい金属材料から作製されている、請求項2または3に記載の樹脂多層基板。
- 前記側面グランド導体が、TiまたはCを主成分とするグランド導体材料から作製されている、請求項1に記載の樹脂多層基板。
- 前記密着層の厚さが、前記側面グランド導体の厚さに比べて小さい、請求項1から5のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
- 前記積層体の側面の表面粗さが、端面の表面粗さに比べて大きい、請求項1から6のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
- 前記樹脂基材層が、液晶ポリマー樹脂を含む熱可塑性樹脂から作製されている、請求項1から7のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
- 前記積層体が、隣接し合う前記樹脂基材層の間に配置され、フッ素樹脂を含む接着層を備える、請求項1から8のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
- 樹脂多層基板の製造方法であって、
導体層を備える複数の樹脂フィルムをその厚さ方向に積層することにより、前記厚さ方向の両端面上に直接的に設けられた端面グランド導体と内部に設けられた回路導体とを備える積層体を作製し、
前記積層体の側面上に密着層を成膜し、
前記密着層上に側面グランド導体となる導体層を成膜し、
前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂フィルムからなる樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、
前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている、樹脂多層基板の製造方法。
- 樹脂多層基板の製造方法であって、
導体層を備える複数の樹脂フィルムをその厚さ方向に積層することにより、前記厚さ方向の両端面上に直接的に設けられた端面グランド導体と内部に設けられた回路導体とを備える積層体を作製し、
前記積層体の側面上に密着層を成膜し、
前記密着層上にグランド導体材料を塗布して側面グランド導体を形成し、
前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂フィルムからなる樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、
前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている、樹脂多層基板の製造方法。
- 前記側面グランド導体のグランド導体材料が、TiまたはCを主成分とする、請求項11に記載の樹脂多層基板の製造方法。
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