JP7435734B2 - 樹脂多層基板 - Google Patents

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Description

本発明は、複数の樹脂基材層を積層して構成される樹脂多層基板に関する。
例えば、特許文献1には、複数のシート状の樹脂基材層を積層して構成された樹脂多層基板が開示されている。この樹脂多層基板の側面には、グランド導体が形成されている。
国際公開第2016/031691号
ところで、特許文献1に記載するような樹脂多層基板においては、その樹脂多層基板を構成する複数の樹脂基材層の熱膨張によってグランド導体が樹脂多層基板の側面から剥離する可能性がある。
そこで、本発明は、複数の樹脂基材層を積層して構成され、その側面にグランド導体が設けられている樹脂多層基板において、樹脂基材層の熱膨張によるグランド導体の側面からの剥離を抑制することを課題とする。
上記技術的課題を解決するために、本発明の一態様によれば、
複数の樹脂基材層をその厚さ方向に積層して形成され、回路導体を内部に備える積層体と、
前記積層体の前記厚さ方向の両端面上に直接的に形成された端面グランド導体と、
前記積層体の側面上に形成された密着層と、
前記密着層上に形成された側面グランド導体と、を有し、
前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、
前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている、樹脂多層基板が提供される。
本発明の別態様によれば、樹脂多層基板の製造方法であって、
導体層を備える複数の樹脂フィルムをその厚さ方向に積層することにより、前記厚さ方向の両端面上に直接的に設けられた端面グランド導体と内部に設けられた回路導体とを備える積層体を作製し、
前記積層体の側面上に密着層を成膜し、
前記密着層上に側面グランド導体となる導体層を成膜し、
前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、
前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている、樹脂多層基板の製造方法が提供される。
本発明のさらに別の態様によれば、樹脂多層基板の製造方法であって、
導体層を備える複数の樹脂フィルムをその厚さ方向に積層することにより、前記厚さ方向の両端面上に直接的に設けられた端面グランド導体と内部に設けられた回路導体とを備える積層体を作製し、
前記積層体の側面上に密着層を成膜し、
前記密着層上にグランド導体材料を塗布して側面グランド導体を形成し、
前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、
前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている、樹脂多層基板の製造方法が提供される。
本発明によれば、複数の樹脂基材層を積層して構成され、その側面にグランド導体が設けられている樹脂多層基板において、樹脂基材層の熱膨張によるグランド導体の側面からの剥離を抑制することができる。
本発明の一実施の形態に係る樹脂多層基板の断面図 樹脂多層基板の一例の製造工程を示す図 図2Aの製造工程に続く製造工程を示す図 図2Bの製造工程に続く製造工程を示す図 図2Cの製造工程に続く製造工程を示す図 図2Dの製造工程に続く製造工程を示す図 図2Eの製造工程に続く製造工程を示す図 樹脂多層基板の別例の製造工程を示す図 図3Aの製造工程に続く製造工程を示す図 図3Bの製造工程に続く製造工程を示す図 図3Cの製造工程に続く製造工程を示す図 別の実施の形態に係る樹脂多層基板の断面図
本発明の一態様の樹脂多層基板は、複数の樹脂基材層をその厚さ方向に積層して形成され、回路導体を内部に備える積層体と、前記積層体の前記厚さ方向の両端面上に直接的に形成された端面グランド導体と、前記積層体の側面上に形成された密着層と、前記密着層上に形成された側面グランド導体と、を有し、前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている。
このような態様によれば、複数の樹脂基材層を積層して構成され、その側面にグランド導体が設けられている樹脂多層基板において、樹脂基材層の熱膨張によるグランド導体の側面からの剥離を抑制することができる。
例えば、前記密着層が、金属材料から作製されてもよい。
例えば、前記密着層が、前記グランド導体材料の熱膨張率と前記樹脂基材層の厚さ方向の熱膨張率との間の熱膨張率を備える金属材料から作製されてもよい。
例えば、前記密着層が、前記グランド導体材料に比べて酸化しやすい金属材料から作製されてもよい。
例えば、前記側面グランド導体が、TiまたはCを主成分とするグランド導体材料から作製されてもよい。
例えば、前記密着層の厚さが、前記側面グランド導体の厚さに比べて小さくてもよい。
例えば、前記積層体の側面の表面粗さが、端面の表面粗さに比べて大きくてもよい。
例えば、前記樹脂基材層が、液晶ポリマー樹脂を含む熱可塑性樹脂から作製されてもよい。
例えば、前記積層体が、隣接し合う前記樹脂基材層の間に配置され、フッ素樹脂を含む接着層を備えてもよい。
本発明の別態様の樹脂多層基板の製造方法は、導体層を備える複数の樹脂フィルムをその厚さ方向に積層することにより、前記厚さ方向の両端面上に直接的に設けられた端面グランド導体と内部に設けられた回路導体とを備える積層体を作製し、前記積層体の側面上に密着層を成膜し、前記密着層上に側面グランド導体となる導体層を成膜し、前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている。
このような態様によれば、複数の樹脂基材層を積層して構成され、その側面にグランド導体が設けられている樹脂多層基板において、樹脂基材層の熱膨張によるグランド導体の側面からの剥離を抑制することができる。
本発明のさらに別の態様の樹脂多層基板の製造方法は、導体層を備える複数の樹脂フィルムをその厚さ方向に積層することにより、前記厚さ方向の両端面上に直接的に設けられた端面グランド導体と内部に設けられた回路導体とを備える積層体を作製し、前記積層体の側面上に密着層を成膜し、前記密着層上にグランド導体材料を塗布して側面グランド導体を形成し、前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている。
このような態様によれば、複数の樹脂基材層を積層して構成され、その側面にグランド導体が設けられている樹脂多層基板において、樹脂基材層の熱膨張によるグランド導体の側面からの剥離を抑制することができる。
例えば、前記側面グランド導体のグランド導体材料が、TiまたはCを主成分としてもよい。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の一実施の形態に係る樹脂多層基板の断面図である。なお、図に示すX-Y-Z直交座標系は本発明の理解を容易にするためのものであって、発明を限定するものではない。また、本明細書では、X軸方向およびY軸方向は面方向であって、Z軸方向は厚さ方向である。
図1に示すように、本実施の形態に係る樹脂多層基板10は、積層体12と、積層体12の側面12aに設けられた側面グランド導体14と、積層体12内に設けられ、高周波回路を構成する回路構成要素である回路導体16と、積層体12の厚さ方向(Z軸方向)の両端面12b、12cそれぞれに設けられた端面グランド導体18、20を有する。側面グランド導体14は、密着層22を介して、積層体12の側面12aに設けられている。
これらの樹脂多層基板10の構成要素を、樹脂多層基板10の製造方法とともに説明する。
図2A~図2Fは、樹脂多層基板の一例の製造工程を示す図である。
図2Aに示すように、まず、シート状の複数の樹脂フィルム24A~24Cがその厚さ方向(Z軸方向)に積層される。樹脂フィルム24A~24Cは、本実施の形態の場合、厚さ方向の熱膨張率が面方向(X軸方向およびY軸方向)の熱膨張率に比べて高い、例えば液晶ポリマー樹脂を主原料とする、熱可塑性樹脂である。なお、樹脂フィルム24A~24Cそれぞれは、同一の厚さであってもよいし、異なる厚さであってもよい。また、樹脂フィルム24A~24Cは、異なる材料から作製されてもよい。
本実施の形態の場合、積層体12は、複数の樹脂フィルム24A~24Cをその厚さ方向(Z軸方向)に積層した状態で、これらを加熱しつつ厚さ方向にプレスすることによって作製される。すなわち、樹脂フィルム同士が互いに加熱圧着されることにより、積層体12が作製される。
また、複数の樹脂フィルム24A~24Cそれぞれには、導体層、例えば銅箔が設けられている。
複数の樹脂フィルム24A~24Cにおいて厚さ方向(Z軸方向)の外側に位置する樹脂フィルム24A、24Cそれぞれには、厚さ方向(Z軸方向)の一方の端面に、その全体にわたって銅箔26、28が直接的に設けられている。
残りの樹脂フィルム24Bには、本実施の形態の場合、面方向(X軸方向およびY軸方向)のサイズが厚さ方向(Z軸方向)のサイズに比べて大きい回路導体16が設けられている。この回路導体16は、図1に示すように、高周波信号を伝送する信号線であって、端面グランド導体18、20の間に配置されることにより、ストリップラインとして機能する。回路導体16は、例えば、樹脂フィルム24Bの厚さ方向の一方の端面全体にわたって設けられた銅箔に対してエッチングによるパターニング処理を行うことによって作製されている。
図2Bに示すように、加熱圧着された複数の樹脂フィルム24A~24Cからなる積層体12は、キャリアフィルム30上に、例えば感圧接着剤を介して取り付けられる。その後、加熱圧着された複数の樹脂フィルム24A~24CをレーザLなどによって選択的に切断し、その不要部分を取り除くことにより、図2Cに示すように、端面グランド導体18、20(銅箔26、28の一部分)が設けられた積層体12がキャリアフィルム30上に残る。すなわち、複数の樹脂基材層(樹脂フィルム24A~24Cの一部分)を積層して構成された積層体12が作製される。なお、キャリアフィルム30は、完全切断しない。
本実施の形態の場合、加熱圧着された複数の樹脂フィルム24A~24Cを選択的に切断する前に、その上に、すなわち銅箔26上に、フォトレジスト法などによって作製されたレジスト層32が形成されている。
図2Dに示すように、端面グランド導体18、20が設けられた積層体12の側面12a上に密着層22が、蒸着、メッキ、スパッタリングなどの成膜処理によって成膜される。本実施の形態の場合、密着層22は、レジスト層32上にも成膜される。なお、密着層22の詳細および役割については後述する。
図2Eに示すように、レジスト層32が除去される。それにより、レジスト層32上の密着層22も除去され、積層体12に設けられた銅箔26が露出する。
そして、図2Fに示すように、積層体12の側面12a上の密着層22上に、銅層34が、蒸着、メッキ、スパッタリングなどの成膜処理によって成膜される。本実施の形態の場合、銅層34は、銅箔26上にも成膜される。これにより、キャリアフィルム30上で樹脂多層基板10の作製が完了する。
すなわち、本実施の形態の場合、樹脂多層基板10における一方の端面グランド導体18は、銅箔26と銅層34とから構成される。
図1に示すように、端面グランド導体18、20と側面グランド導体14は、積層体12内の回路(回路導体16)から外部への電磁波の放射を防ぐシールドとして機能する。そのため、シールドと機能するために必要な厚さ、例えば端面グランド導体18、20は10μmの厚さを備え、側面グランド導体14は3μmの厚さを備える。
図1に示すように、密着層22は、積層体12の側面12aと側面グランド導体14との間に介在する。密着層22は、側面グランド導体14および端面グランド導体18、20の金属材料(グランド導体材料)と異なる金属材料から作製されている。具体的には、グランド導体材料は、樹脂基材層の面方向(X軸方向およびY軸方向)の熱膨張率との差が樹脂基材層の厚さ方向(Z軸方向)の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備える金属材料である。本実施の形態の場合、グランド導体材料は銅であるので、密着層22は、銅と異なる金属材料、例えば、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、ニクロム、チタン(Ti)、これらの酸化物、これらを主成分とする金属材料などから作製されている。このような密着層22が側面グランド導体14と積層体12の側面12aとの間に介在することにより、側面グランド導体14の側面12aからの剥離が抑制される。
具体的に説明すると、側面グランド導体14を積層体12の側面12aに直接的に設けると、積層体12を構成する複数の樹脂基材層の熱膨張によって側面グランド導体14が剥離する可能性がある。その理由は、樹脂基材層の厚さ方向(Z軸方向)の熱膨張率と側面グランド導体の熱膨張率が大きく異なるからである。
例えば、積層体12を構成する複数の樹脂基材層は、その面方向(X軸方向およびY軸方向)の熱膨張率と厚さ方向(Z軸方向)の熱膨張率とが異なる。樹脂基材層が液晶ポリマー樹脂を主原料とする熱可塑性樹脂の場合、面方向の熱膨張率が約16ppmであって、厚さ方向の熱膨張率が約300ppmである。一方、側面グランド導体14が銅から作製されている場合、その銅の熱膨張率は約17ppmである。
なお、樹脂基材層の「厚さ方向の熱膨張率」は、例えば、レーザ干渉法を用いて求めることができる。温度条件を変化させながら、基材層を厚さ方向に挟む反射板で反射されたレーザ光によって生じる干渉縞を撮像する。その干渉縞の変化と厚さ方向の変化には対応関係があるので、温度変化による干渉縞の変化に基づいて、温度変化による基材層の厚さ方向の変化、すなわち「厚さ方向の熱膨張率」を算出することができる。また、基材層単体を取り出さなくても、基材層が積層された積層体で同様の測定を行い、「厚さ方向の熱膨張率」を算出してもよい。その際、測定自体は、例えば、表面にレジスト層などの保護層がない無垢な状態で、かつ、表面および内部に導体がない積層体の一部を測定領域として測定を行う。
また、樹脂基材層の「面方向の熱膨張率」は、例えば、TMA(Thermo Mechanical Analysis)法を用いて求めることができる。面方向に一定の引っ張り応力が生じた状態で、温度条件を変化させ、樹脂基材層の面方向の変化量を測定する。それにより、温度変化による樹脂基材層の面方向の変化、すなわち「面方向の熱膨張率」を算出することができる。また、基材層単体を取り出さなくても、基材層が積層された積層体で同様の測定を行い、「面方向の熱膨張率」を算出してもよい。その際、測定自体は、例えば、表面にレジスト層などの保護層がない無垢な状態で、かつ、表面および内部に導体がない積層体の一部を測定領域として測定を行う。
すなわち、銅の熱膨張率と液晶ポリマー樹脂から作製された樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が、銅の熱膨張率と樹脂基材層の厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい。そのため、積層体12の厚さ方向(Z軸方向)の熱膨張によって側面12aが厚さ方向に大きく変形したとき、その側面12a上の側面グランド導体14が同程度に変形することができず、積層体12と側面グランド導体14との界面に応力集中が生じる。その応力集中により、積層体12の側面12aから側面グランド導体14が剥離しうる。
このような側面グランド導体14の剥離を抑制するために、密着層22は、側面グランド導体14の金属材料(グランド導体材料)(本実施の形態の場合には銅)に比べて、積層体12の側面12aに対する密着性が高い金属材料から作製されている。なお、ここで言う「密着性が高い」とは、積層体12が熱膨張したときにその側面12aから剥離しにくいことを意味する。例えば、剥離のし難さ、すなわち密着性の優劣は、熱疲労試験を行うことによって確認することができる。
より高い密着性を備えるために、例えば、密着層22の金属材料は、側面グランド導体14の金属材料(グランド導体材料)の熱膨張率(銅である場合には約17ppm)と樹脂基材層の厚さ方向(Z軸方向)の熱膨張率(液晶ポリマー樹脂である場合には約300ppm)との間の熱膨張率を備えるのが好ましい。これにより、密着層22が、熱膨張した積層体12から側面グランド導体14に伝わる応力を緩和する。その結果、密着層22が介在しない場合に比べて、側面グランド導体14の剥離が抑制される。
これに加えてまたはこれに代わって、密着層22は、側面グランド導体14の金属材料(グランド導体材料)(本実施の形態の場合は銅)に比べて酸化しやすい金属材料から作製されているのが好ましい。すなわち、側面グランド導体14の金属材料の標準酸化還元電位に比べて小さい標準酸化還元電位を備える金属材料によって密着層22を作製するのが好ましい。これにより、側面グランド導体14の酸化を抑制することができる。
具体的に説明すると、図2A~図2Fに示す製造過程において、積層体12との界面近傍の側面グランド導体14の部分で、酸化(脆化)が生じる。側面グランド導体14が部分的に酸化すると、熱膨張した積層体12からの応力が側面グランド導体14における酸化した部分と酸化していない部分との境界に集中する。その結果、その境界で側面グランド導体14が破断しうる。この対処として、密着層22が、側面グランド導体14と積層体12との間で酸化することにより、すなわち側面グランド導体14の代わりに近傍の酸素と結合することにより、側面グランド導体14の酸化を抑制する。
さらに、図1に示すように、密着層22の厚さt1は、側面グランド導体14の厚さt2に比べて小さい方が好ましい。上述したように、側面グランド導体14の厚さt2が3μmである場合、密着層22の厚さt1は、例えば、10~20nmである。これにより、密着層22は、熱膨張した積層体12の側面12aの変形に対応して変形することができる。すなわち、密着層22が厚すぎると、側面12aの変形に対応して変形できずに密着層22が、側面グランド導体14を保持した状態でその側面12aから剥離しうる。
側面グランド導体14を保持する密着層22の積層体12の側面12aからの剥離を抑制するために、積層体12の側面12aの表面粗さは、その端面12b、12cの表面粗さに比べて大きい方が好ましい。これにより、密着層22と積層体12の側面12aとの機械的結合が強まる、すなわち、アンカー効果が高まる。そのために、積層体12の側面12aを粗化してもよい。
なお、端面グランド導体18、20と積層体12との間には、密着層22は設けられていない。すなわち、端面グランド導体18、20は、積層体12の端面12b、12c上に直接的に設けられている。その理由は、端面グランド導体18、20は、側面グランド導体14に比べて大きな接触面積を介して積層体12に設けられているために、また樹脂基材層の面方向の熱膨張率(液晶ポリマー樹脂から作製されている場合には約16ppm)と端面グランド導体18、20の金属材料(グランド導体材料)の熱膨張率(銅から作製されている場合には約17ppm)との間に大きな差がないために、剥離しにくい。言い換えると、端面グランド導体18、20の剥離を優先的に抑制するために、樹脂基材層の面方向の熱膨張率と同程度の熱膨張率を備える金属材料が端面グランド導体18、20のグランド導体材料として選択されている。その優先理由は、端面グランド導体18、20は、側面グランド導体14に比べて、回路導体16に対して近い距離で且つ大きな対向面積で対向しているからである。そして、このような端面グランド導体18、20が剥離すると、回路導体16の高周波特性が大きく変化するからである。したがって、端面グランド導体18、20は、積層体12の端面12b、12c上に、密着層22を介することなく、直接的に設けられている。なお、ここでの「直接的」には、製造過程で生じた端面グランド導体18、20の酸化物や樹脂基材層の変質物質、すなわち端面グランド導体18、20の金属材料や樹脂基材層の樹脂材料に由来する生成物を介して、端面グランド導体18、20が積層体12に設けられていることも含んでいる。
また、端面グランド導体18、20と積層体12との間、すなわち積層体12の端面12b、12cに密着層22を設けないもう一つの理由は、金属材料から作製された密着層22が回路導体16の高周波特性に大きく影響するからである。積層体12の端面12b、12cに密着層22を設けると、密着層22が近い距離で且つ大きな対向面積で回路導体16に対向するので、密着層22の厚さ(成膜精度)のバラツキが、回路導体16の高周波特性のバラツキを招きやすい。このような理由からも、端面グランド導体18、20と積層体12との間には、密着層22が設けられていない。なお、側面グランド導体14と積層体12の側面12aとの間に設けられた密着層22の厚さのバラツキは、密着層22が遠い距離で且つ小さな対向面積で回路導体16に対向しているために、また密着層22と回路導体16との間の距離の設計の自由度が高いために、回路導体16の特性バラツキを実質的に招かない。
以上のような本実施の形態によれば、複数の樹脂基材層を積層して構成され、その側面12aに側面グランド導体14が設けられている樹脂多層基板10において、樹脂基材層の熱膨張によるグランド導体14の側面12aからの剥離を抑制することができる。
以上、上述の実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明の実施の形態はこれらに限らない。
例えば、本発明の実施の形態に係る樹脂多層基板の作製方法は、図2A~図2Fに示す製造工程を経る方法に限らない。
図3A~図3Dは、樹脂多層基板の別例の製造工程を示す図である。
図3A~図3Dに示す樹脂多層基板の別例の製造方法は、図2A~図2Fに示す樹脂多層基板の一例の製造方法と異なり、レジスト層を使用しない。したがって、図3Aに示すレーザLなどによる選択的な切断により、図3Bに示すように、レジスト層がない、銅箔26、28が設けられた積層体12がキャリアフィルム30上に残る。
次に、図3Cに示すように、端面グランド導体18、20が設けられた積層体12の側面12a上に密着層22が、蒸着、メッキ、スパッタリングなどの成膜処理によって成膜される。密着層22は、一方の銅箔26上にも成膜される。
そして、図3Dに示すように、積層体12の側面12a上の密着層22上に、銅層34が、蒸着、メッキ、スパッタリングなどの成膜処理によって成膜される。銅層34は、銅箔26上の密着層22上にも成膜される。これにより、キャリアフィルム30上で樹脂多層基板の作製が完了する。
すなわち、図3A~図3Dに示す製造工程を経て製造された樹脂多層基板10においては、一方の端面グランド導体18は、銅箔26、密着層22、および銅層34から構成される。なお、密着層22は、銅箔26を介して回路導体16と対向するので、その回路導体16の高周波特性に影響しない。
また、上述の実施の形態の場合、図2A~図2Fに示すように、キャリアフィルム30上で樹脂多層基板10の製造が行われている。しかしながら、本発明の実施の形態はこれに限らない。例えば、図2Cに示すようにレーザによって切断された後の端面グランド導体18、20が設けられた積層体12を、キャリアフィルム30から取り外し、密着層22や銅層34の成膜処理を実行してもよい。この場合、最終的には、銅箔26、密着層22、および銅層34によって一方の端面グランド導体18が構成され、銅箔28、密着層22、および銅層34によって他方の端面グランド導体20が構成される。
さらに、上述の実施の形態の場合、樹脂多層基板10の積層体12を構成する複数の樹脂基板(樹脂フィルム24A~24C)は、互いに加熱圧着されている。しかしながら、本発明の実施の形態はこれに限らない。
図4は、別の実施の形態に係る樹脂多層基板の断面図である。
図4に示すように、別の実施の形態に係る樹脂多層基板110において、積層体112は、複数の樹脂基材層(樹脂フィルム)124A~124Cと、隣接し合う樹脂基材層の間に配置された接着層136とから構成されている。すなわち、複数の樹脂基材層124A~124Cは、接着層(接着剤)136を介して間接的に互いに接着されている。接着層136は、厚さ方向(Z軸方向)への熱膨張率が樹脂基材層の厚さ方向の熱膨張率に比べて小さく、高周波特性に優れた、例えばフッ素樹脂を含む接着剤である。
この接着層136の存在により、積層体112の厚さ方向(Z軸方向)の熱膨張が抑制される(樹脂基材層同士が加熱圧着される場合に比べて)。その結果、側面グランド導体114の積層体112の側面12aからの剥離がより抑制される。
さらにまた、上述の実施の形態の場合、側面グランド導体は、密着層上に蒸着、メッキ、スパッタリングなどの成膜処理によって成膜された銅層である。しかしながら、本発明の実施の形態はこれに限らない。
例えば、導電性を備える層状化合物(例えば、MXene)により、側面グランド導体は作製されてもよい。MXeneとして、例えばTiが挙げられる。このような層状化合物によって形成される薄膜は、導電性を備えるとともに、多層構造であるために高い柔軟性を備える。また、Tiの場合、Ti、Cが主成分であるために、その熱膨張率が、液晶ポリマー樹脂を主原料とする熱可塑性樹脂から作製された樹脂基材層の厚さ方向の熱膨張率(約300ppm)に比べて低いと推測される。さらに、このような層状化合物の薄膜は、層間での多重反射により、高いシールド性能を備える。
このような層状化合物の薄膜は、例えは樹脂基材層の積層体にスプレーなどによって塗布することによって作成される。具体的には、薄膜と積層体(樹脂基材層)との密着性を高めるための樹脂バインダを含んだ状態の層状化合物が樹脂基材層の積層体に塗布される。樹脂基材層の積層体と薄膜との界面に樹脂バインダが層状に含侵し、これらの密着性を高める(樹脂バインダがない場合に比べて)。すなわち、界面の層状の樹脂バインダが密着層として機能する。なお、樹脂バインダの材料として、例えばポリウレタン樹脂などが挙げられる。
層状化合物から作製された側面グランド導体は、樹脂基材層の積層体がその厚さ方向に熱膨張しても、追従して変形することができる。その結果、積層体の側面からの側面グランド導体の剥離を抑制することができる。
なお、側面グランド導体に加えて、端面グラン導体も層状化合物で作製されてもよい。例えば、樹脂多層基板がフレキシブル基板として使用される場合、曲げ変形による端面グランド導体の破断などの損傷を抑制することができる。

加えて、上述の実施の形態の場合、図1に示すように、端面グランド導体18、20が、積層体12の端面12b、12c全体を覆っている。また、側面グランド導体14が、積層体12の側面12a全体を覆っている。しかしながら、本発明の実施の形態はこれに限らない。例えば、端面グランド導体が積層体の端面の一部を覆い、端面の残りの部分に外部装置と信号をやり取りするための電極が設けられてもよい。端面グランド導体および側面グランド導体は、可能な限り積層体の端面全体および側面全体に設けるのが好ましいが、端面および側面の一部に設けられても、樹脂多層基板はシールド効果を得ることができる。
すなわち、本発明の実施の形態に係る樹脂多層基板は、広義には、複数の樹脂基材層をその厚さ方向に積層して形成され、回路導体を内部に備える積層体と、前記積層体の前記厚さ方向の両端面上に直接的に形成された端面グランド導体と、前記積層体の側面上に形成された密着層と、前記密着層上に形成された側面グランド導体と、を有し、前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている。
また、本発明の実施の形態に係る樹脂多層基板の製造方法は、広義には、導体層を備える複数の樹脂フィルムその厚さ方向に積層することにより、前記厚さ方向の両端面上に直接的に設けられた端面グランド導体と内部に設けられた回路導体とを備える積層体を作製し、前記積層体の側面上に密着層を成膜し、前記密着層上に側面グランド導体となる導体層を成膜し、前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている。
さらに、本発明の別の実施の形態に係る樹脂多層基板の製造方法は、広義には、導体層を備える複数の樹脂フィルムをその厚さ方向に積層することにより、前記厚さ方向の両端面上に直接的に設けられた端面グランド導体と内部に設けられた回路導体とを備える積層体を作製し、前記積層体の側面上に密着層を成膜し、前記密着層上にグランド導体材料を塗布して側面グランド導体を形成し、前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている。
本発明は、複数の樹脂基材層を積層して構成される樹脂多層基板に適用可能である。

Claims (12)

  1. 複数の樹脂基材層をその厚さ方向に積層して形成され、回路導体を内部に備える積層体と、
    前記積層体の前記厚さ方向の両端面上に直接的に形成された端面グランド導体と、
    前記積層体の側面上に形成された密着層と、
    前記密着層上に形成された側面グランド導体と、を有し、
    前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、
    前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている、樹脂多層基板。
  2. 前記密着層が、金属材料から作製されている、請求項1に記載の樹脂多層基板。
  3. 前記密着層が、前記グランド導体材料の熱膨張率と前記樹脂基材層の厚さ方向の熱膨張率との間の熱膨張率を備える金属材料から作製されている、請求項2に記載の樹脂多層基板。
  4. 前記密着層が、前記グランド導体材料に比べて酸化しやすい金属材料から作製されている、請求項2または3に記載の樹脂多層基板。
  5. 前記側面グランド導体が、TiまたはCを主成分とするグランド導体材料から作製されている、請求項1に記載の樹脂多層基板。
  6. 前記密着層の厚さが、前記側面グランド導体の厚さに比べて小さい、請求項1から5のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
  7. 前記積層体の側面の表面粗さが、端面の表面粗さに比べて大きい、請求項1から6のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
  8. 前記樹脂基材層が、液晶ポリマー樹脂を含む熱可塑性樹脂から作製されている、請求項1から7のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
  9. 前記積層体が、隣接し合う前記樹脂基材層の間に配置され、フッ素樹脂を含む接着層を備える、請求項1から8のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
  10. 樹脂多層基板の製造方法であって、
    導体層を備える複数の樹脂フィルムをその厚さ方向に積層することにより、前記厚さ方向の両端面上に直接的に設けられた端面グランド導体と内部に設けられた回路導体とを備える積層体を作製し、
    前記積層体の側面上に密着層を成膜し、
    前記密着層上に側面グランド導体となる導体層を成膜し、
    前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂フィルムからなる樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、
    前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている、樹脂多層基板の製造方法。
  11. 樹脂多層基板の製造方法であって、
    導体層を備える複数の樹脂フィルムをその厚さ方向に積層することにより、前記厚さ方向の両端面上に直接的に設けられた端面グランド導体と内部に設けられた回路導体とを備える積層体を作製し、
    前記積層体の側面上に密着層を成膜し、
    前記密着層上にグランド導体材料を塗布して側面グランド導体を形成し、
    前記端面グランド導体および前記側面グランド導体が、前記樹脂フィルムからなる樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備えるグランド導体材料から作製され、
    前記密着層が、前記積層体の側面に対する密着性が前記グランド導体材料に比べて高い材料から作製されている、樹脂多層基板の製造方法。
  12. 前記側面グランド導体のグランド導体材料が、TiまたはCを主成分とする、請求項11に記載の樹脂多層基板の製造方法。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000269616A (ja) 1999-03-17 2000-09-29 Kuraray Co Ltd 高周波回路基板
JP3129895B2 (ja) 1993-10-15 2001-01-31 株式会社カイジョー 基板自動乾燥装置
WO2010103940A1 (ja) 2009-03-09 2010-09-16 株式会社村田製作所 樹脂配線基板
JP2011061059A (ja) 2009-09-11 2011-03-24 Murata Mfg Co Ltd フレキシブル配線基板の製造方法
JP2016509391A (ja) 2012-12-20 2016-03-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー フローティングコネクタシールド
CN106783812A (zh) 2016-12-30 2017-05-31 上海集成电路研发中心有限公司 一种全屏蔽片上共面波导传输结构及其制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786814A (ja) * 1993-09-10 1995-03-31 Murata Mfg Co Ltd 平行ストリップラインケーブルの製造方法
JP2004342978A (ja) * 2003-05-19 2004-12-02 Hitachi Chem Co Ltd マルチワイヤ配線板の製造方法
JP2007027396A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Japan Gore Tex Inc 回路基板およびその製造方法
JP2009246316A (ja) * 2008-04-01 2009-10-22 Kyocera Corp 配線基板
WO2016195026A1 (ja) * 2015-06-04 2016-12-08 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP6728529B2 (ja) * 2016-07-15 2020-07-22 住友電工ファインポリマー株式会社 プリプレグ及び多層基板
US20180338396A1 (en) * 2017-05-16 2018-11-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component having electromagnetic shielding and method for producing the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3129895B2 (ja) 1993-10-15 2001-01-31 株式会社カイジョー 基板自動乾燥装置
JP2000269616A (ja) 1999-03-17 2000-09-29 Kuraray Co Ltd 高周波回路基板
WO2010103940A1 (ja) 2009-03-09 2010-09-16 株式会社村田製作所 樹脂配線基板
JP2011061059A (ja) 2009-09-11 2011-03-24 Murata Mfg Co Ltd フレキシブル配線基板の製造方法
JP2016509391A (ja) 2012-12-20 2016-03-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー フローティングコネクタシールド
CN106783812A (zh) 2016-12-30 2017-05-31 上海集成电路研发中心有限公司 一种全屏蔽片上共面波导传输结构及其制备方法

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