JP7430285B2 - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 207
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 156
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 141
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 52
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 35
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 94
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 20
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
- F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
- F21S41/10—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
- F21S41/14—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
- F21S41/141—Light emitting diodes [LED]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- Led Device Packages (AREA)
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Description
さくすることなく半導体発光装置の光出射面サイズが小さくされ、高輝度化が実現される。高輝度発光する半導体発光装置は、たとえば自動車用前照灯に好適に用いられる。また、光出射面サイズが小さいため、レンズを含めた光学系の構成部材を小型化できるという点においても、第1実施例による半導体発光装置は、自動車用前照灯に好適に利用可能である。
れる。
10a 給電用パッド
10b 裏面配線
11 LED素子
11a 半導体層
11b Si基板
11c 裏面金属層
11d 給電部
12 透明接着剤
13、13´ 蛍光体セラミックプレート
13a、13a´、13c、13c´ 垂直面
13b 傾斜面
13b´ 湾曲面
14 光反射部材
15 ワイヤ
18 波長変換部材
18a、18c 垂直面
18b 傾斜面
18s 光透過性部材
18t 波長変換層
20 実装基板
20a 表面配線
20b 裏面配線
21 LED素子
21a 半導体層
21b サファイア基板
21c n側電極
21d p側電極
22 透明接着層
22a フィレット部
23 蛍光体セラミックプレート
23a、23c 垂直面
23b 傾斜面
24 光反射部材
28 波長変換部材
28a、28c 垂直面
28b 傾斜面
28s 光透過性部材
28t 波長変換層
30 ダイシングテープ
31 蛍光体セラミックプレート
32、33 ダイシングブレード
40 ハウジング
41 LED光源
42 リフレクタ
43 シェード
44 投影レンズ
45 電源
46 アウターレンズ
Claims (6)
- 実装基板と、
前記実装基板上に配置され、支持基板と、前記支持基板の上に配置された矩形状の半導体層を備えた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子上に接合された波長変換材料を含む透光部材と、
前記半導体発光素子の側面および前記透光部材の側面を覆い、光を反射する材料の粉末を含む樹脂によって構成される光反射部材と、を備え、
前記透光部材は、前記半導体発光素子側に配置されすべての側面が垂直面である直方体形状の第1部分、前記第1部分の上に配置され全ての側面が前記透光部材内側方向に湾曲した曲面形状である第2部分および前記第2部分の上に配置され全ての側面が垂直面である直方体形状の第3部分と、によって構成され、
前記第1部分の側面の上端は前記第2部分の側面の下端も形成し、
前記第2部分の側面の上端は前記第3部分の側面の下端も形成し、
前記第1部分の下面は、前記半導体発光素子の前記半導体層の配置領域の輪郭と一致するよう位置合わせして配置され、
上面から見た前記第3部分の上面のサイズは、前記半導体層の前記配置領域のサイズより小さい半導体発光装置の製造方法であって、
ダイシングテープ上に集合透光部材を配置する工程と、
先端部が丸い形状となっている第1のダイシングブレードで前記集合透光部材に切り込みを入れ、前記第3部分の側面に対応する垂直部と前記第2部分の側面に対応する湾曲した曲面部を形成しつつ溝を形成する工程と、
垂直カット用の第2のダイシングブレードで、前記溝の底部から前記集合透光部材の反対側へ垂直フルカットを行い、前記第1部分の側面に対応する垂直部を形成しつつ前記集合透光部材を個片の透光部材に分割する工程と、
前記透光部材を前記半導体発光素子上に配置する工程と、を備える半導体発光装置の製造方法。 - 実装基板と、
前記実装基板上にフリップチップ実装され、透明サファイア基板、n型GaNからなるn型半導体層、InGaNで形成される井戸層とGaNで形成される障壁層とを含む多重量子井戸構造からなる発光層およびp型GaNからなるp型半導体層を含む半導体発光素子と、
前記半導体発光素子上に透明接着剤を介して接合された波長変換材料を含む透光部材と、
前記半導体発光素子の側面および前記透光部材の側面を覆い、光を反射する材料の粉末を含む樹脂によって構成される光反射部材と、を備え、
前記透光部材は、前記半導体発光素子側に配置されすべての側面が垂直面である直方体形状の第1部分、前記第1部分の上に配置され全ての側面が前記透光部材内側方向に湾曲した曲面形状である第2部分および前記第2部分の上に配置され全ての側面が垂直面である直方体形状の第3部分と、によって構成され、
前記第1部分の側面の上端は前記第2部分の側面の下端も形成し、
前記第2部分の側面の上端は前記第3部分の側面の下端も形成し、
前記透明接着剤は、前記透光部材の下面を覆い、かつ、前記半導体発光素子の前記透明サファイア基板上面および側面をつなぐよう形成されたフィレット部を備え、
前記フィレット部は前記光反射部材と界面を形成し、
上面から見た前記第1部分の下面のサイズは、前記半導体発光素子の前記サファイア基板の配置領域の輪郭のサイズより大きく、
上面から見た前記第3部分の上面のサイズは、前記半導体層の前記配置領域の輪郭のサイズより小さい半導体発光装置の製造方法であって、
ダイシングテープ上に集合透光部材を配置する工程と、
先端部が丸い形状となっている第1のダイシングブレードで前記集合透光部材に切り込みを入れ、前記第3部分の側面に対応する垂直部と前記第2部分の側面に対応する湾曲した曲面部を形成しつつ溝を形成する工程と、
垂直カット用の第2のダイシングブレードで、前記溝の底部から前記集合透光部材の反対側へ垂直フルカットを行い、前記第1部分の側面に対応する垂直部を形成しつつ前記集合透光部材を個片の透光部材に分割する工程と、
前記透光部材を前記半導体発光素子上に配置する工程と、を備える半導体発光装置の製造方法。 - 前記透光部材は蛍光体セラミックプレートである請求項1または請求項2に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 実装基板と、
前記実装基板上に配置され、支持基板と、前記支持基板の上に配置された矩形状の半導体層を備えた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子上に接合された波長変換材料を含む透光部材と、
前記半導体発光素子の側面および前記透光部材の側面を覆い、光を反射する材料の粉末を含む樹脂によって構成される光反射部材と、を備え、
前記透光部材は、前記半導体発光素子側に配置されすべての側面が垂直面である直方体形状の第1部分、前記第1部分の上に配置され全ての側面が同じ角度で傾斜した四角錐台形状の第2部分および前記第2部分の上に配置され全ての側面が垂直面である直方体形状の第3部分と、によって構成され、
前記第1部分の側面の上端は前記第2部分の側面の下端も形成し、
前記第2部分の側面の上端は前記第3部分の側面の下端も形成し、
前記第1部分の下面は、前記半導体発光素子の前記半導体層の配置領域の輪郭と一致するよう位置合わせして配置され、
上面から見た前記第3部分の上面のサイズは、前記半導体層の前記配置領域のサイズより小さい半導体発光装置の製造方法であって、
ダイシングテープ上に集合透光部材を配置する工程と、
先端部の頂部が平坦であり、かつ、側面が傾斜面となっている第1のダイシングブレードで前記集合透光部材に切り込みを入れ、前記第3部分の側面に対応する垂直部と前記第2部分の側面に対応する傾斜部を形成しつつ溝を形成する工程と、
垂直カット用の第2のダイシングブレードで、前記溝の底部から前記集合透光部材の反対側へ垂直フルカットを行い、前記第1部分の側面に対応する垂直部を形成しつつ前記集合透光部材を個片の透光部材に分割する工程と、
前記透光部材を前記半導体発光素子上に配置する工程と、を備える半導体発光装置の製造方法。 - 実装基板と、
前記実装基板上にフリップチップ実装され、透明サファイア基板、n型GaNからなるn型半導体層、InGaNで形成される井戸層とGaNで形成される障壁層とを含む多重量子井戸構造からなる発光層およびp型GaNからなるp型半導体層を含む半導体発光素子と、
前記半導体発光素子上に透明接着剤を介して接合された波長変換材料を含む透光部材と、
前記半導体発光素子の側面および前記透光部材の側面を覆い、光を反射する材料の粉末を含む樹脂によって構成される光反射部材と、を備え、
前記透光部材は、前記半導体発光素子側に配置されすべての側面が垂直面である直方体形状の第1部分、前記第1部分の上に配置され全ての側面が同じ角度で傾斜した四角錐台形状の第2部分および前記第2部分の上に配置され全ての側面が垂直面である直方体形状の第3部分と、によって構成され、
前記第1部分の側面の上端は前記第2部分の側面の下端も形成し、
前記第2部分の側面の上端は前記第3部分の側面の下端も形成し、
前記透明接着剤は、前記透光部材の下面を覆い、かつ、前記半導体発光素子の前記透明サファイア基板上面および側面をつなぐよう形成されたフィレット部を備え、
前記フィレット部は前記光反射部材と界面を形成し、
上面から見た前記第1部分の下面のサイズは、前記半導体発光素子の前記サファイア基板の配置領域の輪郭のサイズより大きく、
上面から見た前記第3部分の上面のサイズは、前記半導体層の前記配置領域の輪郭のサイズより小さい半導体発光装置の製造方法であって、
ダイシングテープ上に集合透光部材を配置する工程と、
先端部の頂部が平坦であり、かつ、側面が傾斜面となっている第1のダイシングブレードで前記集合透光部材に切り込みを入れ、前記第3部分の側面に対応する垂直部と前記第2部分の側面に対応する傾斜部を形成しつつ溝を形成する工程と、
垂直カット用の第2のダイシングブレードで、前記溝の底部から前記集合透光部材の反対側へ垂直フルカットを行い、前記第1部分の側面に対応する垂直部を形成しつつ前記集合透光部材を個片の透光部材に分割する工程と、
前記透光部材を前記半導体発光素子上に配置する工程と、を備える半導体発光装置の製造方法。 - 前記透光部材は蛍光体セラミックプレートである請求項4または請求項5に記載の半導体発光装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017221499 | 2017-11-17 | ||
JP2017221499 | 2017-11-17 | ||
JP2018213286A JP7221659B2 (ja) | 2017-11-17 | 2018-11-13 | 半導体発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018213286A Division JP7221659B2 (ja) | 2017-11-17 | 2018-11-13 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023053998A JP2023053998A (ja) | 2023-04-13 |
JP7430285B2 true JP7430285B2 (ja) | 2024-02-09 |
Family
ID=66532559
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018213286A Active JP7221659B2 (ja) | 2017-11-17 | 2018-11-13 | 半導体発光装置 |
JP2023014936A Active JP7430285B2 (ja) | 2017-11-17 | 2023-02-02 | 半導体発光装置の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018213286A Active JP7221659B2 (ja) | 2017-11-17 | 2018-11-13 | 半導体発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10825964B2 (ja) |
JP (2) | JP7221659B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018116327A1 (de) * | 2018-07-05 | 2020-01-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauteils |
DE112020005291T5 (de) * | 2019-11-26 | 2022-09-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Leuchtstoffelement, Leuchtstoffvorrichtung und Beleuchtungseinrichtung |
CN111081850A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-04-28 | 弘凯光电(深圳)有限公司 | Led封装结构及其制作方法 |
JP7405662B2 (ja) | 2020-03-24 | 2023-12-26 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002338833A (ja) | 2001-02-23 | 2002-11-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光学材料用組成物、光学材料、その製造方法、並びにそれを用いた液晶表示装置および発光ダイオード |
JP2010272847A (ja) | 2009-04-20 | 2010-12-02 | Nichia Corp | 発光装置 |
US20110114975A1 (en) | 2008-09-17 | 2011-05-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminous means |
JP2015079917A (ja) | 2013-10-18 | 2015-04-23 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2017041479A (ja) | 2015-08-18 | 2017-02-23 | セイコーエプソン株式会社 | 接合体、電子装置、プロジェクターおよび接合体の製造方法 |
JP2017050359A (ja) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017108091A (ja) | 2015-11-30 | 2017-06-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017183427A (ja) | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4143732B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2008-09-03 | スタンレー電気株式会社 | 車載用波長変換素子 |
DE10259946A1 (de) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. | Leuchtstoffe zur Konversion der ultravioletten oder blauen Emission eines lichtemittierenden Elementes in sichtbare weiße Strahlung mit sehr hoher Farbwiedergabe |
JP4083593B2 (ja) * | 2003-02-13 | 2008-04-30 | 株式会社小糸製作所 | 車両用前照灯 |
JP4993434B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2012-08-08 | スタンレー電気株式会社 | 白色led照明装置 |
EP1926154B1 (en) * | 2006-11-21 | 2019-12-25 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
JP2009252898A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光源装置 |
JP5837456B2 (ja) | 2012-05-28 | 2015-12-24 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及び発光モジュール |
JP6097084B2 (ja) | 2013-01-24 | 2017-03-15 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP6164038B2 (ja) | 2013-10-16 | 2017-07-19 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
US9922963B2 (en) | 2015-09-18 | 2018-03-20 | Genesis Photonics Inc. | Light-emitting device |
-
2018
- 2018-11-13 JP JP2018213286A patent/JP7221659B2/ja active Active
- 2018-11-16 US US16/193,900 patent/US10825964B2/en active Active
-
2023
- 2023-02-02 JP JP2023014936A patent/JP7430285B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002338833A (ja) | 2001-02-23 | 2002-11-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光学材料用組成物、光学材料、その製造方法、並びにそれを用いた液晶表示装置および発光ダイオード |
US20110114975A1 (en) | 2008-09-17 | 2011-05-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminous means |
JP2010272847A (ja) | 2009-04-20 | 2010-12-02 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2015079917A (ja) | 2013-10-18 | 2015-04-23 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2017041479A (ja) | 2015-08-18 | 2017-02-23 | セイコーエプソン株式会社 | 接合体、電子装置、プロジェクターおよび接合体の製造方法 |
JP2017050359A (ja) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017108091A (ja) | 2015-11-30 | 2017-06-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017183427A (ja) | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190157521A1 (en) | 2019-05-23 |
JP2019096872A (ja) | 2019-06-20 |
JP2023053998A (ja) | 2023-04-13 |
JP7221659B2 (ja) | 2023-02-14 |
US10825964B2 (en) | 2020-11-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230208 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231003 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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