JP7429122B2 - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のシリコン単結晶の製造方法は、チョクラルスキー(CZ)法において、ドーパントとしてリンを添加し、シリコン単結晶育成中、冷却過程における各単結晶部位の700~600℃の通過時間をモニタリングおよび調節することにより、電気抵抗率が0.6~1.0mΩ・cmのシリコン単結晶を作製することを特徴とする。
シリコン単結晶育成の最終段階で作製されるテール部の長さは0~50mmとすることが好ましい。
シリコン単結晶育成中、SiおよびPがSi-P欠陥を形成し、前記Si-P欠陥の最大辺長さの平均値が50nm以下であり、最大辺長さが35nm以上のSi-P欠陥の密度が3×1011個/cm3以下であることが好ましい。
本発明のシリコンウェーハを用いることで、エピタキシャル成長の方法やそのプロセスにおけるばらつきに依存しない、安定的なエピタキシャル基板の生産が可能となる。
[実施例1]
CZ法により、n型ドーパントとしてリンを添加したシリコン融液から、冷却過程における700~600℃の通過時間をモニタリングおよび制御し、直径200mmで結晶方位(001)の単結晶インゴットを引き上げた。
ここで、得られる単結晶インゴットから切り出したシリコンウェーハの抵抗率が1.1~0.6mΩ・cmとなるように、単結晶インゴットのヘッドからテールにかけて、それぞれ、リン濃度を約0.7×1020~1.3×1020atoms/cm3とし、酸素濃度を1.2×1018~0.7×1018atoms/cm3とした。
Claims (2)
- チョクラルスキー法により育成するシリコン単結晶の製造方法であって、
ドーパントとしてリンを添加し、ボティー部の長さが1200~2000mm、テール部の長さが0~50mm、シリコン単結晶のヘッドからテール部の酸素濃度が1.2×10 18 ~0.7×10 18 atoms/cm 3 となるように、シリコン単結晶を育成し、
シリコン単結晶育成中、冷却過程における各単結晶部位の700~600℃の通過時間をモニタリングおよび調節することにより、シリコン単結晶育成中の700~600℃の通過時間が300分未満となるように調整し、
電気抵抗率が0.6~1.0mΩ・cmのシリコン単結晶を作製することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - シリコン単結晶育成中、SiおよびPがSi-P欠陥を形成し、
前記Si-P欠陥の最大辺長さの平均値が50nm以下であり、
最大辺長さが35nm以上のSi-P欠陥の密度が3×1011個/cm3以下であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
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仙田剛士他,赤燐高ドープCZ-Si結晶におけるSi-P析出物の構造解析,応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集,第78回,JA,応用物理学会,2017年08月25日,7p-PB6-5,2017福岡国際会議場 |
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