JP7419781B2 - 半導体モジュール - Google Patents
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Description
半導体素子と、
当該半導体素子が実装された積層基板と、
当該半導体素子の表面に形成された電極層と、
当該電極層上に形成され、第1の開口を有する第1の絶縁膜と、
当該第1の開口内に形成された金属層と、
当該第1の開口の縁部における当該第1の絶縁膜及び当該金属層を覆うように形成され、かつ当該金属層を露出し、曲線で囲まれた形状を有する第2の開口を有する第2の絶縁膜と、
当該第2の開口内に形成されたはんだ部と、を有している。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係るパワー半導体モジュール10の断面を模式的に示す断面図である。
リード端子16は、はんだ15を介して半導体素子14の上面に電気的および熱的に接続されている。リード端子16は、平板状の接合部16a,16eと、接合部16aから上方に立ち上がっている平板状の立ち上がり部16bと、立ち上がり部16bと立ち下がり部16dとを接続する平板状の接続部分16cとにより構成されている。
[第2の実施形態]
図7は、リード端子16の接合部16aと複数のはんだ部15との他の接続形態を示す断面図である。本接続形態においては、リード端子の接合部16aは、その先端方向に金属層27に近づく向きに傾斜して複数のはんだ部15に接合されている。
11 セラミック絶縁基板下はんだ
12 積層基板
12A 金属箔
12B セラミック絶縁基板
12C 回路層
13 半導体素子下はんだ
14 半導体素子
15 リード端子下はんだ
16 リード端子
16a リード端子16の接合部
17 ケース
18 封止樹脂
19 冷却器
23 半導体層
24 表面電極
25 第1の絶縁膜
25A 第1の開口
26 パッド電極
27 金属層
31 ゲートランナー
33 第2の絶縁膜
33A 第2の開口
Claims (6)
- 半導体素子と、
前記半導体素子が実装された積層基板と、
前記半導体素子の表面に形成された電極層と、
前記電極層上に形成され、第1の開口を有する第1の絶縁膜と、
前記第1の開口内に形成された金属層と、
前記第1の開口の縁部における前記第1の絶縁膜及び前記金属層を覆うように形成され、かつ前記金属層を露出し、前記金属層の露出側から見た形状が、なす角が90度より大きい直線と曲線でからなる形状、楕円、または円である第2の開口を有する第2の絶縁膜と、
前記第2の開口内に形成されたはんだ部と、を有する半導体モジュール。 - 先端に接合部を有するリード端子を更に備え、
前記第2の開口は、各々内に前記はんだ部が形成された複数の第2の開口部を有し、前記リード端子の前記接合部は前記複数の第2の開口部の少なくとも1つのはんだ部に接続されている、請求項1に記載の半導体モジュール。 - 半導体素子と、
前記半導体素子が実装された積層基板と、
前記半導体素子の表面に形成された電極層と、
前記電極層上に形成され、第1の開口を有する第1の絶縁膜と、
前記第1の開口内に形成された金属層と、
前記第1の開口の縁部における前記第1の絶縁膜及び前記金属層を覆うように形成され、かつ前記金属層を露出し、曲線で囲まれた形状を有する第2の開口を有する第2の絶縁膜と、
前記第2の開口内に形成されたはんだ部と、
先端に接合部を有するリード端子を更に備え、
前記第2の開口は、各々内に前記はんだ部が形成された複数の第2の開口部を有し、前記リード端子の前記接合部は前記複数の開口部分の少なくとも1つのはんだ部に接続されており、
前記リード端子の前記接合部は、前記接合部が接合される前記第2の開口部内のはんだ部をその表面の一部が露出するように覆っている、半導体モジュール。 - 前記リード端子の前記接合部の先端部が前記はんだ部に少なくとも部分的に埋め込まれて前記はんだ部に接合されている、請求項2又は3に記載の半導体モジュール。
- 前記リード端子は、その先端方向に前記金属層に近づく向きに傾斜して前記複数の第2の開口部のはんだ部に接続されている、請求項2ないし4のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
- 前記リード端子の先端部は、角度90度を超える折れ曲がり部を有する、請求項2ないし5のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
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