JP7414746B2 - 半導体装置の電気特性検査装置および半導体装置の電気特性検査方法 - Google Patents
半導体装置の電気特性検査装置および半導体装置の電気特性検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7414746B2 JP7414746B2 JP2021005098A JP2021005098A JP7414746B2 JP 7414746 B2 JP7414746 B2 JP 7414746B2 JP 2021005098 A JP2021005098 A JP 2021005098A JP 2021005098 A JP2021005098 A JP 2021005098A JP 7414746 B2 JP7414746 B2 JP 7414746B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inductance
- semiconductor device
- control circuit
- inductor
- inductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 68
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims description 52
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 51
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2889—Interfaces, e.g. between probe and tester
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。図1は、実施の形態に係る半導体装置の電気特性検査装置100の構成の一例を示すブロック図である。
Claims (5)
- 検査対象である半導体装置の測定条件を記憶する記憶部と、
実施される検査内容に対応する前記測定条件を前記記憶部から読み出す制御部と、
前記半導体装置に対する誘導インダクタンスを設定する誘導インダクタンス制御回路部と、
前記半導体装置に対する浮遊インダクタンスを設定する浮遊インダクタンス制御回路部と、を備え、
前記制御部は、前記記憶部から読み出した前記測定条件に基づいて、前記誘導インダクタンス制御回路部を制御することで前記誘導インダクタンスを調整し、かつ、前記浮遊インダクタンス制御回路部を制御することで前記浮遊インダクタンスを調整する、半導体装置の電気特性検査装置。 - 前記浮遊インダクタンス制御回路部は、
一次インダクタと、
前記一次インダクタとでトランスを構成する二次インダクタと、
前記一次インダクタと接続可能な複数の加算調整用インダクタと、
前記一次インダクタと各前記加算調整用インダクタとの接続状態を切り替えることで前記二次インダクタのインダクタンスを調整する加算調整用スイッチと、
前記二次インダクタと接続可能な複数の減算調整用インダクタと、
前記二次インダクタと各前記減算調整用インダクタとの接続状態を切り替えることで前記一次インダクタのインダクタンスを調整する減算調整用スイッチと、を備え、
前記制御部は、前記加算調整用スイッチおよび前記減算調整用スイッチを制御することで前記一次インダクタのインダクタンスと前記二次インダクタのインダクタンスにより前記浮遊インダクタンスを調整する、請求項1に記載の半導体装置の電気特性検査装置。 - 前記浮遊インダクタンス制御回路部は、前記トランスに対する外乱を絶縁するシールド機能を有する、請求項2に記載の半導体装置の電気特性検査装置。
- 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の電気特性検査装置を用いた半導体装置の電気特性検査方法であって、
(a)実施される前記検査内容に対応する前記測定条件を前記記憶部から読み出す工程と、
(b)前記記憶部から読み出した前記測定条件に基づいて、前記誘導インダクタンスを設定する工程と、
(c)前記記憶部から読み出した前記測定条件に基づいて、前記浮遊インダクタンスを設定する工程と、
(d)前記半導体装置の測定を実施する工程と、
を備えた、半導体装置の電気特性検査方法。 - 前記制御部は、前記浮遊インダクタンスを0.1[μH]の単位で調整する、請求項1に記載の半導体装置の電気特性検査装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021005098A JP7414746B2 (ja) | 2021-01-15 | 2021-01-15 | 半導体装置の電気特性検査装置および半導体装置の電気特性検査方法 |
US17/499,607 US11828786B2 (en) | 2021-01-15 | 2021-10-12 | Electrical characteristic inspection device for semiconductor device and electrical characteristic inspection method for semiconductor device |
DE102021132941.8A DE102021132941A1 (de) | 2021-01-15 | 2021-12-14 | Vorrichtung zur Prüfung elektrischer Charakteristiken für eine Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Prüfung elektrischer Charakteristiken für eine Halbleitervorrichtung |
CN202210020429.1A CN114839498A (zh) | 2021-01-15 | 2022-01-10 | 半导体装置的电气特性检查装置及半导体装置的电气特性检查方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021005098A JP7414746B2 (ja) | 2021-01-15 | 2021-01-15 | 半導体装置の電気特性検査装置および半導体装置の電気特性検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022109668A JP2022109668A (ja) | 2022-07-28 |
JP7414746B2 true JP7414746B2 (ja) | 2024-01-16 |
Family
ID=82218062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021005098A Active JP7414746B2 (ja) | 2021-01-15 | 2021-01-15 | 半導体装置の電気特性検査装置および半導体装置の電気特性検査方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11828786B2 (ja) |
JP (1) | JP7414746B2 (ja) |
CN (1) | CN114839498A (ja) |
DE (1) | DE102021132941A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012032327A (ja) | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Advantest Corp | 試験装置及び試験方法 |
JP2012078174A (ja) | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体試験装置、半導体試験回路の接続装置および半導体試験方法 |
JP2013092534A (ja) | 2013-01-17 | 2013-05-16 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体試験装置 |
JP2013160572A (ja) | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Top:Kk | パワー半導体用試験装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5092761B2 (ja) | 2008-01-16 | 2012-12-05 | 富士電機株式会社 | 半導体試験装置 |
US11211866B2 (en) * | 2017-09-28 | 2021-12-28 | Intel Corporation | Reconfigurable inductor |
-
2021
- 2021-01-15 JP JP2021005098A patent/JP7414746B2/ja active Active
- 2021-10-12 US US17/499,607 patent/US11828786B2/en active Active
- 2021-12-14 DE DE102021132941.8A patent/DE102021132941A1/de active Pending
-
2022
- 2022-01-10 CN CN202210020429.1A patent/CN114839498A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012032327A (ja) | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Advantest Corp | 試験装置及び試験方法 |
JP2012078174A (ja) | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体試験装置、半導体試験回路の接続装置および半導体試験方法 |
JP2013160572A (ja) | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Top:Kk | パワー半導体用試験装置 |
JP2013092534A (ja) | 2013-01-17 | 2013-05-16 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体試験装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114839498A (zh) | 2022-08-02 |
DE102021132941A1 (de) | 2022-07-21 |
US20220229103A1 (en) | 2022-07-21 |
US11828786B2 (en) | 2023-11-28 |
JP2022109668A (ja) | 2022-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8446206B2 (en) | Current balancing of parallel connected semiconductor components | |
US9411016B2 (en) | Testing of a transient voltage protection device | |
CN108318797A (zh) | 用于去饱和检测的***和方法 | |
Sasaki et al. | Dynamic gate resistance control for current balancing in parallel connected IGBTs | |
JP5397571B2 (ja) | 制御装置 | |
CN214067318U (zh) | 用于功率晶体管的故障检测电路 | |
JP6187904B2 (ja) | 電子回路 | |
JP2010107432A (ja) | 半導体統合試験方法、および半導体試験装置 | |
Oberdieck et al. | Short circuit detection using the gate charge characteristic for Trench/Fieldstop-IGBTs | |
JP2017022830A (ja) | 電力変換装置 | |
JPWO2010073489A1 (ja) | スイッチ装置、および試験装置 | |
US8760215B2 (en) | Threshold voltage based power transistor operation | |
JP7414746B2 (ja) | 半導体装置の電気特性検査装置および半導体装置の電気特性検査方法 | |
Huang et al. | Short circuit detection and driving control with no blanking time for high voltage high power insulated gate bipolar transistors | |
US10033195B2 (en) | Power control current sharing circuit | |
JP2007089335A (ja) | 電力用スイッチング素子の電圧検出方法及びこれを用いた電力変換装置 | |
CN105934886B (zh) | 半导体开关和用于确定通过半导体开关的电流的方法 | |
JP2017020811A (ja) | 半導体素子の検査回路および検査方法 | |
Brubaker et al. | Integrated DC link capacitor/bus enables a 20% increase in inverter efficiency | |
Schmitz et al. | New fast short circuit detection method for SiC and GaN HEMT power semiconductors | |
JP6977486B2 (ja) | 半導体装置の試験装置 | |
Liu et al. | A Comprehensive Short-Circuit Protection Scheme for Series-Connected SiC MOSFETs | |
AU2010244995B2 (en) | Method and apparatus for protecting transistors | |
DK179539B1 (en) | Semiconductor switch measuring circuit | |
Jeong et al. | Effective resistor selection method for over current protection when using sense IGBT solution |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7414746 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |