JP7412824B1 - 半導体製造装置及び方法 - Google Patents
半導体製造装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7412824B1 JP7412824B1 JP2023091789A JP2023091789A JP7412824B1 JP 7412824 B1 JP7412824 B1 JP 7412824B1 JP 2023091789 A JP2023091789 A JP 2023091789A JP 2023091789 A JP2023091789 A JP 2023091789A JP 7412824 B1 JP7412824 B1 JP 7412824B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- section
- suction
- semiconductor
- heating section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 317
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 62
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 50
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 50
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 45
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 25
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 223
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 10
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
また、請求項1に記載の発明によれば、噴射吸着手段は、半導体ウエハの径が小さい場合、それよりも径が大きい場合に比べて不活性ガスの噴射量が多くなるように制御手段によって制御することにより、半導体ウエハの破損を未然に防止することが可能となる。
[一実施形態]
図1~図6には、本発明の一実施形態を示す。図1は、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置を示す概略平面図である。図2は、同実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内の構造を示す概略縦断面図である。図3は、同実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内で半導体ウエハが下側に凸形状に反った状態で載置された例を示す概略縦断面図である。図4は、同実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内で半導体ウエハが上側に凸形状に反った状態で載置された例を示す概略縦断面図である。図5は、同実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内で半導体ウエハをサセプタに真空吸着するときの状態を示す概略縦断面図である。図6は、同実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内で半導体ウエハに熱酸化で成膜するときの状態を示す概略縦断面図である。
[一実施形態の変形例]
図10は、同実施形態の変形例に係る半導体製造装置のチャンバ内の構造を示す概略縦断面図である。
[他の実施形態の変形例]
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。
2 下面
3 上面
10 半導体製造装置
20 ロードポート
30 搬送装置
31 搬送ロボット(搬送装置)
41 ロードスライダ(搬送装置)
42 載置部
43 リングヒータ(下側加熱部)
45 アンロードスライダ(搬送装置)
46 載置部
50 チャンバ
60 噴射吸着部
61 上側加熱部
62 サセプタ(吸着面)
63 吸引路,噴射路
70 ガス供給装置(成膜手段,加工手段)
80 半導体ウエハ回動装置(成膜手段,加工手段)
81 回動機構
82 上下動機構(接近手段)
90 制御装置(制御手段)
91 記憶部
92 タイマー
Claims (5)
- 板状の半導体ウエハを載置する載置部を有し、該載置部に載置した前記半導体ウエハを搬送する搬送装置と、
前記載置部に載置した状態で前記半導体ウエハを下側から加熱する下側加熱部と、
前記載置部に載置した前記半導体ウエハと吸着面とを相対的に接近させる接近手段と、
前記半導体ウエハの上面に不活性ガスを噴射する一方、前記接近手段により前記半導体ウエハと前記吸着面とを相対的に接近させた前記吸着面に前記半導体ウエハを吸着させる噴射吸着手段と、
前記半導体ウエハを上側から前記下側加熱部よりも高い温度で加熱する上側加熱部と、
前記半導体ウエハを前記吸着面に吸着させた状態で加工する加工手段と、
前記搬送装置、前記接近手段、前記下側加熱部、前記噴射吸着手段、前記上側加熱部、及び加工手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記載置部に前記半導体ウエハを載置して前記搬送装置により前記吸着面まで搬送するまでの間、前記下側加熱部によって前記半導体ウエハの下面を加熱して該半導体ウエハを下方に湾曲させるように制御し、
前記下側加熱部及び前記上側加熱部で前記半導体ウエハの下面及び上面を加熱するとともに、前記半導体ウエハの径が小さい場合、それよりも径が大きい場合に比べて前記不活性ガスの噴射量が多くなるように前記噴射吸着手段で前記半導体ウエハの上面に不活性ガスを噴射して前記半導体ウエハを下方に湾曲した状態から平坦化するように制御し、
前記平坦化した前記半導体ウエハと前記吸着面とを前記接近手段により相対的に接近させて前記噴射吸着手段で前記吸着面に前記半導体ウエハを吸着させて該半導体ウエハを前記加工手段で加工する制御を行うように構成されていることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記制御手段は、前記接近手段によって前記半導体ウエハと前記吸着面とを相対的に接近させた状態で、前記下側加熱部及び前記上側加熱部で前記半導体ウエハの下面及び上面を所定時間加熱するように制御するとともに、前記噴射吸着手段で前記半導体ウエハの上面に不活性ガスを噴射するように制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記接近手段は、前記載置部に前記半導体ウエハを載置した状態で前記半導体ウエハと前記吸着面との隙間を0.1mm/secの速度で前記半導体ウエハと前記吸着面が密着するまで相対移動するように前記制御手段によって制御されることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記半導体ウエハがSiCであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
- 板状の半導体ウエハを載置部に載置する載置部を有し、該載置部に載置した前記半導体ウエハを搬送装置により搬送する搬送工程と、
前記載置部に載置した前記半導体ウエハを下側から下側加熱部で加熱する下側加熱工程と、
前記載置部に載置した前記半導体ウエハと吸着面とを接近手段により相対的に接近させる接近工程と、
前記半導体ウエハの上面に不活性ガスを噴射吸着手段で噴射する一方、前記接近手段により前記半導体ウエハと前記吸着面とを相対的に接近させた前記吸着面に前記半導体ウエハを前記噴射吸着手段により吸着させる噴射吸着工程と、
前記半導体ウエハを上側から前記下側加熱部よりも高い温度で上側加熱部により加熱する上側加熱工程と、
前記半導体ウエハを前記吸着面に吸着させた状態で加工手段により加工する加工工程と、
前記搬送装置、前記接近手段、前記下側加熱部、前記噴射吸着手段、前記上側加熱部、及び加工手段を制御する制御工程と、を有し、
前記制御工程は、
前記載置部に前記半導体ウエハを載置して前記搬送装置により前記吸着面まで搬送するまでの間、前記下側加熱部によって前記半導体ウエハの下面を加熱して該半導体ウエハを下方に湾曲させるように制御し、
前記下側加熱部及び前記上側加熱部で前記半導体ウエハの下面及び上面を加熱するとともに、前記半導体ウエハの径が小さい場合、それよりも径が大きい場合に比べて前記不活性ガスの噴射量が多くなるように前記噴射吸着手段で前記半導体ウエハの上面に不活性ガスを噴射して前記半導体ウエハを下方に湾曲した状態から平坦化するように制御し、
前記平坦化した前記半導体ウエハと前記吸着面とを前記接近手段により相対的に接近させて前記噴射吸着手段で前記吸着面に前記半導体ウエハを吸着させて該半導体ウエハを前記加工手段で加工する制御を行うように構成されていることを特徴とする半導体製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023091789A JP7412824B1 (ja) | 2023-06-02 | 2023-06-02 | 半導体製造装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023091789A JP7412824B1 (ja) | 2023-06-02 | 2023-06-02 | 半導体製造装置及び方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7412824B1 true JP7412824B1 (ja) | 2024-01-15 |
Family
ID=89534212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023091789A Active JP7412824B1 (ja) | 2023-06-02 | 2023-06-02 | 半導体製造装置及び方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7412824B1 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006054388A (ja) | 2004-08-16 | 2006-02-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物搬送装置,スピンナー洗浄装置,研削装置,被加工物搬送方法 |
JP2006303125A (ja) | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008021945A (ja) | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2009135315A (ja) | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2017187610A (ja) | 2016-04-05 | 2017-10-12 | キヤノン株式会社 | 処理装置及び物品の製造方法 |
JP2018181969A (ja) | 2017-04-07 | 2018-11-15 | 株式会社 天谷製作所 | 処理装置 |
JP2018181968A (ja) | 2017-04-07 | 2018-11-15 | 株式会社 天谷製作所 | 処理装置 |
-
2023
- 2023-06-02 JP JP2023091789A patent/JP7412824B1/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006054388A (ja) | 2004-08-16 | 2006-02-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物搬送装置,スピンナー洗浄装置,研削装置,被加工物搬送方法 |
JP2006303125A (ja) | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008021945A (ja) | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2009135315A (ja) | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2017187610A (ja) | 2016-04-05 | 2017-10-12 | キヤノン株式会社 | 処理装置及び物品の製造方法 |
JP2018181969A (ja) | 2017-04-07 | 2018-11-15 | 株式会社 天谷製作所 | 処理装置 |
JP2018181968A (ja) | 2017-04-07 | 2018-11-15 | 株式会社 天谷製作所 | 処理装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5421825B2 (ja) | 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
KR100613171B1 (ko) | 반도체 기판 냉각 방법 및 장치 | |
JP5740583B2 (ja) | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JPH0249424A (ja) | エッチング方法 | |
TWI723059B (zh) | 被處理體搬送裝置、半導體製造裝置及被處理體搬送方法 | |
JP4312805B2 (ja) | 半導体製造装置とそれを用いた半導体ウェハの製造方法およびそのプログラムを記録した記録媒体 | |
WO2010032708A1 (ja) | 基板載置台の降温方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体および基板処理システム | |
JP2020096177A (ja) | ウエーハ分割装置 | |
KR101601341B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
WO2012140988A1 (ja) | 剥離方法、剥離装置及び剥離システム | |
KR20150007946A (ko) | 성막 시스템 | |
JP7412824B1 (ja) | 半導体製造装置及び方法 | |
JP2001351892A (ja) | 実装方法および装置 | |
JP3499145B2 (ja) | 加熱処理方法、加熱処理装置及び処理システム | |
JP2018181969A (ja) | 処理装置 | |
JP6434558B2 (ja) | 処理装置 | |
JP2020088181A (ja) | 加熱装置および加熱方法 | |
JP2015035583A (ja) | 熱処理装置及び成膜システム | |
JP2000269137A (ja) | 半導体製造装置及びウェハ取扱方法 | |
JPH0420253B2 (ja) | ||
JP4152087B2 (ja) | 基板冷却装置および基板冷却方法 | |
JP2008028235A (ja) | 冷却処理装置 | |
JP5385024B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
JP4849004B2 (ja) | 加熱装置、加熱方法及び塗布、現像装置並びに記憶媒体 | |
JPH04125948A (ja) | 熱処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230605 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20230605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230822 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230908 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7412824 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |