JP7412310B2

JP7412310B2 - 半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP7412310B2
Application number: JP2020153923A
Authority: JP
Inventors: 亨岩田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2020-09-14
Filing date: 2020-09-14
Publication date: 2024-01-12
Anticipated expiration: 2040-09-14
Also published as: JP2022047892A

Description

本開示は、半導体装置およびその製造方法に関する。

従来、半導体素子における電極の表面に金属バンプを配置し、当該金属バンプにワイヤボンドを行う半導体装置の製造方法が知られている（たとえば、特開２００３－３０３８４７号公報参照）。

特開２００３－３０３８４７号公報

上述した特開２００３－３０３８４７号公報においては、キャピラリに保持された金属ワイヤの先端部を放電電極からの放電により溶融させてボール状とし、当該溶融金属からなるボールを電極の表面に融着させることで金属バンプを形成している。しかし、このような方法で形成される金属バンプには、その平面形状やサイズに制約があった。そのため、電極が形成された半導体素子の端部と、金属バンプに接続されたワイヤとの間の距離を十分に確保することが難しかった。半導体素子の端部とワイヤとの間の距離を十分に確保できない場合、当該半導体素子以外の素子とワイヤとの間で短絡が発生するといった不良が発生する恐れがある。

本開示は、不良の発生を抑制する事が可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

本開示にしたがった半導体装置の製造方法は、電極を有する半導体素子を準備する工程と、電極上に、導電性バンプ部を形成する工程と、導電性バンプ部上に導電性ワイヤを接続する工程と、を備える。導電性バンプ部を形成する工程は、電極上に、第１導電性部材を塗布する工程と、第１導電性バンプを形成する工程とを含む。第１導電性バンプを形成する工程では、第１導電性部材を加熱することにより硬化させて、第１導電性バンプを形成する。第１導電性バンプは、導電性バンプ部に含まれる。

上記によれば、不良の発生を抑制する事が可能な半導体装置が得られる。

実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。実施の形態１に係る半導体装置を示す部分断面模式図である。実施の形態１に係る半導体装置を示す模式図である。半導体装置の製造方法の比較例を説明するための模式図である。半導体装置の製造方法の比較例を説明するための模式図である。半導体装置の製造方法の比較例を説明するための模式図である。実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。実施の形態２に係る半導体装置を示す部分断面模式図である。実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。実施の形態３に係る半導体装置を示す部分平面模式図である。実施の形態３に係る半導体装置を示す部分断面模式図である。実施の形態４に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。実施の形態４に係る半導体装置を示す部分模式図である。実施の形態５に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。実施の形態５に係る半導体装置を示す部分断面模式図である。

以下、本開示の実施の形態を説明する。なお、同一の構成には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。

実施の形態１．
＜半導体装置の製造方法＞
図１は、実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図２は、実施の形態１に係る半導体装置を示す部分断面模式図である。図３は、実施の形態１に係る半導体装置を示す模式図である。なお、図２は図３に示した半導体装置における半導体素子２近傍の部分断面模式図である。

図１に示す半導体装置の製造方法では、まず準備工程（Ｓ１０）を実施する。この工程（Ｓ１０）では、電極２１を有する半導体素子２（図２参照）を準備する。当該半導体素子２は、基板２０の表面に実装されていてもよい。半導体素子２と隣接する位置に、他の半導体素子４が配置されていてもよい。

次に、半導体素子の電極へ第１導電性部材を塗布する工程（Ｓ２０）を実施する。この工程（Ｓ２０）では、半導体素子２の電極２１上に、第１導電性部材を塗布する。第１導電性部材は、電極２１上に点状に塗布される。第１導電性部材の塗布方法としては、任意の方法を採用できるが、たとえば空圧式ディスペンサーまたは機械式ポンプを用いて、流動性を有する第１導電性部材を半導体素子２の電極２１上に塗布する。

次に、熱硬化工程（Ｓ３０）を実施する。この工程（Ｓ３０）では、第１導電性部材を加熱することにより硬化させて、第１導電性バンプ６ａを形成する。上記工程（Ｓ２０）および工程（Ｓ３０）は、図２に示すように半導体素子２の電極２１上に、導電性バンプ部６を形成する工程である。つまり、第１導電性バンプ６ａは導電性バンプ部６を構成する。

次に、ワイヤボンド工程（Ｓ４０）を実施する。この工程（Ｓ４０）では、導電性バンプ部６としての第１導電性バンプ６ａ上に導電性ワイヤ１を接続する。この結果、図２に示すように半導体素子２の電極２１上に第１導電性バンプ６ａが形成され、当該第１導電性バンプ６ａ上に導電性ワイヤ１が接続された構造を有する半導体装置が得られる。なお、導電性ワイヤ１において第１導電性バンプ６ａに接続された端部と反対側に位置する端部は、たとえば図３に示すように他の半導体素子２に接続される。他の半導体素子２は、リードフレーム２２の表面上に実装されている。なお、他の半導体素子２は基板２０の表面に実装されていてもよい。

その後、基板２０における他の電子部品の実装、リードフレームと半導体素子または基板２０との接合、樹脂封止などを実施する。このようにして、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。

＜半導体装置の構成＞
上述のような半導体装置の製造方法によって得られた半導体装置では、図２および図３に示すように、半導体素子２の電極２１に対して導電性バンプ部６を介して導電性ワイヤ１が接続されている。このため、導電性バンプ部６が形成されていない状態よりも、他の半導体素子４と導電性ワイヤ１との絶縁距離を大きくすることができる。

＜作用効果＞
本開示にしたがった半導体装置の製造方法は、電極２１を有する半導体素子２を準備する工程（Ｓ１０）と、電極上に、導電性バンプ部６を形成する工程（Ｓ２０，Ｓ３０）と、導電性バンプ部上に導電性ワイヤ１を接続する工程（Ｓ４０）と、を備える。導電性バンプ部６を形成する工程（Ｓ２０，Ｓ３０）は、電極２１上に、第１導電性部材を塗布する工程（Ｓ２０）と、第１導電性バンプ６ａを形成する工程（Ｓ３０）とを含む。第１導電性バンプ６ａを形成する工程（Ｓ３０）では、第１導電性部材を加熱することにより硬化させて、第１導電性バンプ６ａを形成する。第１導電性バンプ６ａは、導電性バンプ部６に含まれる。

このようにすれば、導電性ワイヤ１と半導体素子２の電極２１以外の領域あるいは他の半導体素子４とを間の距離を、第１導電性バンプ６ａが形成されていない場合よりも大きくすることができる。そのため、半導体素子２を樹脂封止する場合に、モールド用の樹脂が流動することによって導電性ワイヤ１が変形しても、当該導電性ワイヤ１が他の半導体素子４などと接触する可能性を低減できる。このため、導電性ワイヤ１と他の半導体素子４との短絡といった不良の発生を抑制できる。

また、第１導電性バンプ６ａを、第１導電性部材を塗布してから加熱、硬化させるという手法で形成しているので、第１導電性部材の塗布形状や厚みを制御する自由度を大きくする事ができる。この結果、第１導電性バンプ６ａの形状や厚みを、半導体素子２と導電性ワイヤ１との位置関係を考慮して適切に設定できる。このため、上述した不良の発生をより抑制できる。

ここで、比較例としてショートボンディング動作によってバンプを形成する方法を説明する。図４から図６は、半導体装置の製造方法の比較例を説明するための模式図である。

図４に示すように、ワイヤボンド装置のボンディングヘッド部は、超音波ホーン８と、キャピラリ７とを含む。キャピラリ７は超音波ホーン８の先端部に取り付けられている。キャピラリ７の先端から導電性ワイヤ１が延びている。導電性ワイヤ１の先端部に向けて、スパークロット９が配置されている。スパークロット９から導電性ワイヤ１の先端部に向けて放電を発生させることで、導電性ワイヤ１の先端部を部分的に溶融させ、球状のＦＡＢ（ＦｒｅｅＡｉｒＢａｌｌ）１０を形成する。

次に、導電性ワイヤ１の先端部にＦＡＢ１０が形成された後、超音波ホーン８とキャピラリ７とを有するボンディングヘッド部を上下方向（図５の矢印３０により示す方向）に移動させ、ＦＡＢ１０を半導体素子２の電極（図示せず）に押しつけた状態でＦＡＢ１０に超音波を印加する。このようにして、ＦＡＢ１０を半導体素子２の電極に固着させて図５に示すバンプ３を形成する。

また、図６に示すように、形成されたバンプ３上にさらに上述した動作を行うことにより、導電性ワイヤ１のＦＡＢ１０を先に形成されていたバンプ３上に重ねてバンプの高さを高くすることもできる。

上述した半導体装置の製造方法の比較例では、バンプ３を形成する導電性ワイヤ１の径やＦＡＢ１０の大きさに制約があるため、十分な大きさの導電性バンプ部６を形成することが難しかった。また、図６に示すようにバンプ３を重ねて形成する場合にその形状を制御することが難しい場合があった。

一方、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、空圧式ディスペンサーまたは機械式ポンプを用いて、流動性を有する第１導電性部材を半導体素子２の電極２１上に配置する。このため、第１導電性部材の厚みやサイズを任意に調整できる。このため、十分な厚さや広さを有する第１導電性バンプ６ａを容易に形成できる。

実施の形態２．
＜半導体装置の製造方法＞
図７は、実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図８は、実施の形態２に係る半導体装置を示す部分断面模式図である。

図７に示した半導体装置の製造方法は、基本的に図１に示した半導体装置の製造方法と同様の工程（Ｓ１０、Ｓ２０，Ｓ３０，Ｓ４０）を備えるが、さらに第２導電性バンプ６ｂを形成する工程を備えている。以下、説明する。

図７に示した半導体装置の製造方法では、まず図１に示した半導体装置の製造方法と同様に工程（Ｓ１０）、工程（Ｓ２０）、工程（Ｓ３０）を実施する。その後、半導体素子の電極へ第２導電性部材を塗布する工程（Ｓ２４０）を実施する。この工程（Ｓ２４０）では、半導体素子２の電極２１上に形成された第１導電性バンプ６ａ上に、第２導電性部材を塗布する。

その後、熱硬化工程（Ｓ２５０）を実施する。この工程（Ｓ２５０）は、第２導電性バンプ６ｂを形成する工程である。具体的には、この工程（Ｓ２５０）では、第２導電性部材を加熱することにより硬化させて、第２導電性バンプ６ｂを形成する。つまり、図８に示すように導電性バンプ部６は、第１導電性バンプ６ａと、当該第１導電性バンプ６ａ上に積層された第２導電性バンプ６ｂとを含む。

次に、図１に示した半導体装置の製造方法と同様にワイヤボンド工程（Ｓ４０）を実施する。その後、基板２０における他の電子部品の実装、リードフレームと半導体素子または基板２０との接合、樹脂封止などを実施する。このようにして、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。

＜半導体装置の構成＞
上述のような半導体装置の製造方法によって得られた半導体装置では、図８に示すように、半導体素子２の電極２１に対して積層構造の導電性バンプ部６を介して導電性ワイヤ１が接続されている。導電性バンプ部６は、電極２１の表面に接続された第１導電性バンプ６ａと、当該第１導電性バンプ６ａ上に積層された第２導電性バンプ６ｂとを含む。このため、図２に示したような単層の導電性バンプ部６よりも導電性バンプ部６の高さを高くできる。したがって、他の半導体素子４と導電性ワイヤ１との距離をより大きくすることができる。

＜作用効果＞
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、導電性バンプ部６を形成する工程は、第１導電性バンプ上に、第２導電性部材を塗布する工程（Ｓ２４０）と、第２導電性バンプ６ｂを形成する工程（Ｓ２５０）とを含む。第２導電性バンプを形成する工程（Ｓ２５０）では、第２導電性部材を加熱することにより硬化させて、第２導電性バンプ６ｂを形成する。第２導電性バンプ６ｂは、導電性バンプ部６に含まれる。つまり、導電性バンプ部６は、第１導電性バンプ６ａと、第１導電性バンプ６ａ上に積層された第２導電性バンプ６ｂとを含む。

この場合、実施の形態１と同様の効果を得られるとともに、他の半導体素子４と導電性ワイヤ１との距離をより大きくすることができる。このため、導電性ワイヤ１と他の半導体素子４との短絡といった不良の発生確立を実施の形態１より低減できる。

実施の形態３．
＜半導体装置の製造方法＞
図９は、実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図１０は、実施の形態３に係る半導体装置を示す部分平面模式図である。図１１は、実施の形態３に係る半導体装置を示す部分断面模式図である。

図９に示した半導体装置の製造方法は、基本的に図７に示した半導体装置の製造方法と同様の工程を備えるが、第１導電性部材の形状、第２導電性部材の数、さらに第１導電性バンプ６ａと第２導電性バンプ６ｂのそれぞれに導電性ワイヤとしての第１導電性ワイヤ１ａおよび第２導電性ワイヤ１ｂが接続されている点が異なる。以下、説明する。

図９に示した半導体装置の製造方法では、まず図１に示した半導体装置の製造方法と同様に工程（Ｓ１０）を実施する。その後、半導体素子の電極への第１導電性部材を塗布する工程（Ｓ３２０）を実施する。この工程（Ｓ３２０）では、半導体素子２の電極２１上に、第１導電性部材を第１の方向に沿って帯状に塗布する。第１導電性部材の塗布方法としては、任意の方法を採用できるが、たとえば空圧式ディスペンサーまたは機械式ポンプを用いた塗布方法を採用できる。

次に、図１に示した半導体装置の製造方法と同様に、熱硬化工程（Ｓ３０）を実施する。この工程（Ｓ３０）では、第１導電性部材を加熱することにより硬化させて、図１０に示す帯状の第１導電性バンプ６ａを形成する。上記工程（Ｓ３２０）および工程（Ｓ３０）は、半導体素子４の電極２１上に、導電性バンプ部６を形成する工程の一部である。つまり、第１導電性バンプ６ａは導電性バンプ部６に含まれる。

次に、半導体素子の電極へ第２導電性部材を塗布する工程（Ｓ３４０）を実施する。この工程（Ｓ３４０）では、半導体素子２の電極２１上に形成された帯状の第１導電性バンプ６ａ上の複数箇所に、第２導電性部材を塗布する。第２導電性部材を塗布する方法としては、工程（Ｓ３２０）において第１導電性部材を塗布する為に餅田方法と同様に任意の方法を採用できる。第２導電性部材の平面形状は任意の形状とすることができるが、たとえば円形状、四角形状、楕円形状、図１０に示した角部が曲面状の四角形状などとすることができる。

その後、熱硬化工程（Ｓ３５０）を実施する。この工程（Ｓ３５０）は、第２導電性バンプ６ｂを形成する工程である。具体的には、この工程（Ｓ３５０）では、複数の第２導電性部材を加熱することにより硬化させて、複数の第２導電性バンプ６ｂを形成する。つまり、図１０に示すように導電性バンプ部６は、平面形状が帯状の第１導電性バンプ６ａと、当該第１導電性バンプ６ａ上に複数個分散配置された第２導電性バンプ６ｂとを含む。

次に、ワイヤボンド工程（Ｓ３６０）を実施する。この工程（Ｓ３６０）では、第１導電性バンプ６ａにおいて第２導電性バンプ６ｂが配置されていない上部表面の部分に第１導電性ワイヤ１ａを接続する。

次に、ワイヤボンド工程（Ｓ３７０）を実施する。この工程（Ｓ３７０）では、第２導電性バンプ６ｂ上に導電性ワイヤとしての第２導電性ワイヤ１ｂを接続する。なお、上記工程（Ｓ３６０）および工程（Ｓ３７０）は図７に示した半導体装置の製造方法における工程（Ｓ４０）に対応する。

＜半導体装置の構成＞
本開示にしたがった半導体装置は、基板２０と、電極２１を有する半導体素子２と、平面形状が帯状の第１導電性バンプ６ａと、複数の第２導電性バンプ６ｂと、第１導電性ワイヤ１ａと、第２導電性ワイヤ１ｂとを主に備える。第１導電性バンプ６ａは、電極２１上に形成される。複数の第２導電性バンプ６ｂは、第１導電性バンプ６ａ上に分散して配置される。第１導電性ワイヤ１ａは、第１導電性バンプ６ａに接続される。第２導電性ワイヤ１ｂは、第２導電性バンプ６ｂ上に接続される。第１導電性ワイヤ１ａと第２導電性ワイヤ１ｂとは同じ方向に沿うように形成されている。なお、第１導電性バンプ６ａに複数の第１導電性ワイヤ１ａが接続されていてもよい。

＜作用効果＞
上記半導体装置の製造方法において、第１導電性部材を塗布する工程（Ｓ３２０）では、電極２１上において第１方向に沿って伸びる帯状に第１導電性部材が塗布される。第２導電性部材を塗布する工程（Ｓ３４０）では、第１導電性バンプ６ａ上の複数箇所に第２導電性部材を塗布する。導電性ワイヤを接続する工程は、第１導電性バンプ６ａ上に第１導電性ワイヤを接続する工程（Ｓ３６０）と、第２導電性バンプ６ｂ上に第２導電性ワイヤを接続する工程とを含む。

この場合、実施の形態２に係る半導体装置の製造方法と同様の効果が得られるとともに、面積の小さな半導体素子２に対して複数の導電性ワイヤ１を容易に接続できる。また、同じ方向に延びる第１導電性ワイヤ１ａと第２導電性ワイヤ１ｂとの間の距離についても、第２導電性バンプ６ｂ上に第２導電性ワイヤ１ｂを接続しているため、当該距離を十分に大きくすることができる。

本開示にしたがった半導体装置は、電極２１を有する半導体素子２と、第１導電性バンプ６ａと、複数の第２導電性バンプ６ｂと、第１導電性ワイヤ１ａと、第２導電性ワイヤ１ｂとを備える。第１導電性バンプ６ａは、電極上に帯状に形成される。複数の第２導電性バンプ６ｂは、第１導電性バンプ６ａ上に形成される。第１導電性ワイヤ１ａは、第１導電性バンプ６ａに接続される。第２導電性ワイヤ１ｂは、第２導電性バンプ６ｂ上に接続される。

このようにすれば、導電性ワイヤ１と他の半導体素子４との短絡といった不良の発生を抑制できるとともに、第１導電性ワイヤ１ａと第２導電性ワイヤ１ｂとの接触といった不良の発生も抑制できる半導体装置が実現できる。

実施の形態４．
＜半導体装置の製造方法＞
図１２は、実施の形態４に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図１３は、実施の形態４に係る半導体装置を示す部分模式図である。

図７に示した半導体装置の製造方法では、まず図１に示した半導体装置の製造方法と同様に工程（Ｓ１０）を実施する。その後、半導体素子の電極への第１導電性部材を塗布する工程（Ｓ４２０）を実施する。この工程（Ｓ４２０）では、半導体素子２の電極２１上に、第１導電性部材を第１の方向に沿って帯状に塗布する。第１導電性部材の塗布方法としては、任意の方法を採用できるが、たとえば空圧式ディスペンサーまたは機械式ポンプを用いた塗布方法を採用できる。

次に、図１に示した半導体装置の製造方法と同様に、熱硬化工程（Ｓ３０）を実施する。この工程（Ｓ３０）では、第１導電性部材を加熱することにより硬化させて、図１３に示す帯状の第１導電性バンプ６ａを形成する。上記工程（Ｓ４２０）および工程（Ｓ３０）は、半導体素子４の電極２１上に、導電性バンプ部６を形成する工程である。つまり、第１導電性バンプ６ａは導電性バンプ部６に相当する。

次に、ワイヤボンド工程（Ｓ４４０）を実施する。この工程（Ｓ４４０）では、第１導電性バンプ６ａ上に複数の導電性ワイヤとして複数の第１導電性ワイヤ１ａを接続する。

＜半導体装置の構成＞
本開示にしたがった半導体装置は、基板（図示せず）と、電極２１を有する半導体素子２と、電極２１上に帯状に形成された第１導電性バンプ６ａと、複数の第１導電性ワイヤ１ａとを主に備える。複数の第１導電性ワイヤ１ａは、第１導電性バンプ６ａに接続されている。複数の第１導電性ワイヤ１ａは、互いに間隔を隔てて配置されている。複数の第１導電性ワイヤ１ａは、同じ方向に沿って延びている。

＜作用効果＞
上記半導体装置の製造方法において、第１導電性部材を塗布する工程（Ｓ４２０）では、電極２１上において第１方向に沿って伸びる帯状に第１導電性部材が塗布される。導電性ワイヤを接続する工程（Ｓ４４０）では、第１導電性バンプ６ａ上に複数の導電性ワイヤとしての複数の第１導電性ワイヤ１ａを接続する。

この場合、実施の形態１に係る半導体装置の製造方法と同様の効果が得られるとともに、面積の小さな半導体素子２に対して複数の第１導電性ワイヤ１ａを容易に接続できる。

本開示にしたがった半導体装置は、電極２１を有する半導体素子２と、電極２１上に帯状に形成された第１導電性バンプ６ａと、複数の導電性ワイヤとしての第１導電性ワイヤ１ａを備える。複数の第１導電性ワイヤ１ａは、第１導電性バンプ６ａに接続されている。

このようにすれば、導電性ワイヤ１と他の半導体素子４（図２参照）との短絡といった不良の発生を抑制できる。また、第１導電性バンプ６ａが帯状に形成されているので、第１導電性バンプ６ａ上において複数の第１導電性ワイヤ１ａを分散配置できる。このため、複数の第１導電性ワイヤ１ａ同士の接触といった不良の発生も抑制できる半導体装置が実現できる。

実施の形態５．
＜半導体装置の製造方法＞
図１４は、実施の形態５に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図１５は、実施の形態５に係る半導体装置を示す部分断面模式図である。

図１４に示した半導体装置の製造方法は、基本的に図１に示した半導体装置の製造方法と同様の工程（Ｓ１０、Ｓ２０，Ｓ３０，Ｓ４０）を備えるが、さらに上層導電性バンプ６ｃを形成する工程、および上層導電性ワイヤ１ｃを接続する工程を備えている。以下、説明する。

図１４に示した半導体装置の製造方法では、まず図１に示した半導体装置の製造方法と同様に工程（Ｓ１０）、工程（Ｓ２０）、工程（Ｓ３０）、工程（Ｓ４０）を実施する。その後、導電性ワイヤへの上層導電性部材を塗布する工程（Ｓ５５０）を実施する。この工程（Ｓ５５０）では、導電性ワイヤとしての第１導電性ワイヤ１ａ上に、第１導電性部材を塗布する。上層導電性部材の塗布方法としては、任意の方法を採用できるが、たとえば空圧式ディスペンサーまたは機械式ポンプを用いた塗布方法を採用できる。

次に、熱硬化工程（Ｓ５６０）を実施する。この工程（Ｓ５６０）では、上層導電性部材を加熱することにより硬化させて、図１５に示す上層導電性バンプ６ｃを形成する。

次に、ワイヤボンド工程（Ｓ５７０）を実施する。この工程（Ｓ５７０）では、上層導電性バンプ６ｃ上に上層導電性ワイヤ１ｃを接続する。

＜半導体装置の構成＞
本開示にしたがった半導体装置は、基板２０と、電極２１を有する半導体素子２と、電極２１上に形成された導電性バンプ部６としての第１導電性バンプ６ａと、導電性ワイヤ１としての第１導電性ワイヤ１ａと、上層導電性バンプ６ｃと、上層導電性ワイヤ１ｃとを主に備える。第１導電性ワイヤ１ａは、第１導電性バンプ６ａに接続されている。第１導電性バンプ６ａ上の領域において、第１導電性ワイヤ１ａ上に上層導電性バンプ６ｃが配置されている。上層導電性ワイヤ１ｃは、上層導電性バンプ６ｃに接続されている。第１導電性ワイヤ１ａと上層導電性ワイヤ１ｃとは、互いに間隔を隔てて配置されている。第１導電性ワイヤ１ａと上層導電性ワイヤ１ｃとは、同じ方向に沿って延びている。

＜作用効果＞
上記半導体装置の製造方法は、上層導電性部材を塗布する工程（Ｓ５５０）と、上層導電性バンプを形成する工程（Ｓ５６０）と、上層導電性ワイヤ１ｃを接続する工程（Ｓ５７０）とを備える。上層導電性部材を塗布する工程（Ｓ５５０）では、導電性ワイヤを接続する工程（Ｓ４０）の後、導電性バンプ部６上の領域において導電性ワイヤとしての第１導電性ワイヤ１ａ上に上層導電性部材を塗布する。上層導電性バンプ６ｃを形成する工程（Ｓ５６０）では、上層導電性部材を加熱することによって硬化させて、上層導電性バンプ６ｃを形成する。上層導電性ワイヤ１ｃを接続する工程（Ｓ５７０）では、上層導電性バンプ６ｃ上に上層導電性ワイヤ１ｃを接続する。

この場合、実施の形態１に係る半導体装置の製造方法と同様の効果が得られるとともに、面積の小さな半導体素子２に対して第１導電性ワイヤ１ａおよび上層導電性ワイヤ１ｃという複数の導電性ワイヤを容易に接続できる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。矛盾のない限り、今回開示された実施の形態の少なくとも２つを組み合わせてもよい。本開示の基本的な範囲は、上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。

１導電性ワイヤ、１ａ第１導電性ワイヤ、１ｂ第２導電性ワイヤ、１ｃ上層導電性ワイヤ、２，４半導体素子、３バンプ、６導電性バンプ部、６ａ第１導電性バンプ、６ｂ第２導電性バンプ、６ｃ上層導電性バンプ、７キャピラリ、８超音波ホーン、９スパークロット、２０基板、２１電極、２２リードフレーム、３０矢印。

Claims

電極を有する半導体素子を準備する工程と、
前記電極上に、導電性バンプ部を形成する工程と、
前記導電性バンプ部上に導電性ワイヤを接続する工程と、を備え、
前記導電性バンプ部を形成する工程は、
前記電極上に、第１導電性部材を塗布する工程と、
前記第１導電性部材を加熱することにより硬化させて、前記導電性バンプ部に含まれる第１導電性バンプを形成する工程と、
前記第１導電性バンプ上に、第２導電性部材を塗布する工程と、
前記第２導電性部材を加熱することにより硬化させて、前記導電性バンプ部に含まれる第２導電性バンプを形成する工程と、を含み、
前記第１導電性部材を塗布する工程では、前記電極上において第１方向に沿って伸びる帯状に前記第１導電性部材が塗布され、
前記第２導電性部材を塗布する工程では、前記第１導電性バンプ上の複数箇所に前記第２導電性部材を塗布し、
前記導電性ワイヤを接続する工程は、
前記第１導電性バンプ上に第１導電性ワイヤを接続する工程と、
前記第２導電性バンプ上に第２導電性ワイヤを接続する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
電極を有する半導体素子と、
前記電極上に帯状に形成された、流動性を有する第１導電性部材を熱硬化した第１導電性バンプと、
前記第１導電性バンプ上に形成された、流動性を有する第２導電性部材を熱硬化した複数の第２導電性バンプと、
前記第１導電性バンプに接続された第１導電性ワイヤと、
前記第２導電性バンプ上に接続された第２導電性ワイヤとを備える、半導体装置。