JP7411463B2 - 検査方法及び検査装置 - Google Patents
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Description
Claims (16)
- プラズマ処理装置の基板支持器の第1の領域上に載置された基板に第1の検査回路を接続する工程であり、該第1の検査回路は、インピーダンスを有する、該工程と、
前記基板支持器の第2の領域上に載置されたエッジリングに第2の検査回路を接続する工程であり、該第2の検査回路は、インピーダンスを有する、該工程と、
前記第1の検査回路が前記基板に接続され、前記第2の検査回路が前記エッジリングに接続された状態で、第1のバイアス電源及び第2のバイアス電源から前記第1の領域内の第1の電極及び前記第2の領域内の第2の電極にそれぞれ第1の電気バイアス及び第2の電気バイアスを与える工程であり、該第1の電気バイアス及び該第2の電気バイアスは共通のバイアス周波数を有し、前記第1のバイアス電源は、第1の回路を介して前記第1の電極と接続され、前記第2のバイアス電源は、一つ以上の可変回路素子を有する第2の回路を介して前記第2の電極と接続される、該工程と、
第1の電気バイアス及び第2の電気バイアスを与える前記工程の実行中に、波形モニタを用いて前記基板の電圧波形及び前記エッジリングの電圧波形を取得する工程と、
前記第2の回路のインピーダンスを調整する工程と、
を含み、
前記第2の回路の前記インピーダンスは、前記バイアス周波数において、前記第2の回路のインピーダンスが前記第1の回路のインピーダンスよりも高く、前記基板の前記電圧波形と前記エッジリングの前記電圧波形との差を低減させるように前記一つ以上の可変回路素子の各々の可変素子パラメータを調整することにより、調整される、
検査方法。 - 前記第2の電気バイアスの複数の異なる設定レベルの各々と前記一つ以上の可変回路素子の各々の可変素子パラメータとの関係を求める工程を更に含み、
前記第1の電気バイアスを前記第1の電極に与え、前記複数の異なる設定レベルの各々を有する前記第2の電気バイアスを前記第2の電極に与えることにより該複数の異なる設定レベルの各々に対して取得される前記エッジリングの電圧波形においてベースレベルからピークレベルまで到達する時間長を基準範囲内に維持するように、前記関係が求められる、
請求項1に記載の検査方法。 - 前記第1の回路は、
前記第1の電極と前記第1のバイアス電源との間で接続された第1の可変抵抗と、
前記第1の可変抵抗と前記第1の電極とを接続する電気的パス上のノードとグランドとの間で接続された第1の可変コンデンサと、
を有し、
前記第2の回路は、前記一つ以上の可変回路素子として、
前記第2の電極と前記第2のバイアス電源との間で接続された第2の可変抵抗と、
前記第2の可変抵抗と前記第2の電極とを接続する電気的パス上のノードとグランドとの間で接続された第2の可変コンデンサと、
を有する、
請求項1又は2に記載の検査方法。 - 前記第1の回路は、
前記第1の電極と前記第1のバイアス電源との間で接続された第1の可変インダクタと、
前記第1の可変インダクタと前記第1の電極とを接続する電気的パス上のノードとグランドとの間で接続された第1の可変コンデンサと、
を有し、
前記第2の回路は、前記一つ以上の可変回路素子として、
前記第2の電極と前記第2のバイアス電源との間で接続された第2の可変インダクタと、
前記第2の可変インダクタと前記第2の電極とを接続する電気的パス上のノードとグランドとの間で接続された第2の可変コンデンサと、
を有する、
請求項1又は2に記載の検査方法。 - プラズマ処理装置の基板支持器の第1の領域上に載置された基板に第1の検査回路を接続する工程であり、該第1の検査回路は、インピーダンスを有する、該工程と、
前記基板支持器の第2の領域上に載置されたエッジリングに第2の検査回路を接続する工程であり、該第2の検査回路は、インピーダンスを有する、該工程と、
前記第1の検査回路が前記基板に接続され、前記第2の検査回路が前記エッジリングに接続された状態で、第1のバイアス電源及び第2のバイアス電源から前記第1の領域内の第1の電極及び前記第2の領域内の第2の電極にそれぞれ第1の電気バイアス及び第2の電気バイアスを与える工程であり、該第1の電気バイアス及び該第2の電気バイアスは共通のバイアス周波数を有する、該工程と、
第1の電気バイアス及び第2の電気バイアスを与える前記工程の実行中に、波形モニタを用いて前記基板の電圧波形及び前記エッジリングの電圧波形を取得する工程と、
を含み、
前記第1の検査回路は、前記基板上のプラズマシースのインピーダンスに対応するインピーダンスを有し、
前記第2の検査回路は、前記エッジリング上のプラズマシースのインピーダンスに対応するインピーダンスを有する、
検査方法。 - 前記第1の検査回路及び前記第2の検査回路の各々は、互いに並列に接続されたダイオード、抵抗、及びコンデンサを含む、請求項1~5の何れか一項に記載の検査方法。
- プラズマ処理装置の基板支持器の第1の領域上に載置された基板に第1の検査回路を接続する工程であり、該第1の検査回路は、インピーダンスを有する、該工程と、
前記基板支持器の第2の領域上に載置されたエッジリングに第2の検査回路を接続する工程であり、該第2の検査回路は、インピーダンスを有する、該工程と、
前記第1の検査回路が前記基板に接続され、前記第2の検査回路が前記エッジリングに接続された状態で、第1のバイアス電源及び第2のバイアス電源から前記第1の領域内の第1の電極及び前記第2の領域内の第2の電極にそれぞれ第1の電気バイアス及び第2の電気バイアスを与える工程であり、該第1の電気バイアス及び該第2の電気バイアスは共通のバイアス周波数を有する、該工程と、
第1の電気バイアス及び第2の電気バイアスを与える前記工程の実行中に、波形モニタを用いて前記基板の電圧波形及び前記エッジリングの電圧波形を取得する工程と、
を含み、
前記基板の電圧波形及び前記エッジリングの電圧波形を取得する前記工程は、インピーダンスを有する第3の検査回路が、前記第1の検査回路を介して前記基板に接続され、前記第2の検査回路を介して前記エッジリングに接続された状態で、実行される、検査方法。 - 前記第3の検査回路は、プラズマのインピーダンスに対応するインピーダンスを有する、請求項7に記載の検査方法。
- 前記基板の電圧波形及び前記エッジリングの電圧波形を取得する前記工程は、インピーダンスを有する第4の検査回路が前記第3の検査回路及び前記第1の検査回路を介して前記基板に接続され、インピーダンスを有する第5の検査回路が前記第3の検査回路及び前記第2の検査回路を介して前記エッジリングに接続された状態で、実行される、
請求項8に記載の検査方法。 - 前記第4の検査回路は、前記基板上のプラズマシースに対して前記プラズマを介して更に上方で発生するプラズマシースのインピーダンスに対応するインピーダンスを有し、
前記第5の検査回路は、前記エッジリング上のプラズマシースに対して前記プラズマを介して更に上方で発生するプラズマシースのインピーダンスに対応するインピーダンスを有する、
請求項9に記載の検査方法。 - 前記第1の電気バイアス及び前記第2の電気バイアスの各々は、負の直流電圧のパルスを含み前記バイアス周波数で規定される周期で周期的に発生されるパルス波である、請求項1~10の何れか一項に記載の検査方法。
- 前記第1の電気バイアス及び前記第2の電気バイアスの各々は、前記バイアス周波数を有する高周波電力である、請求項1~10の何れか一項に記載の検査方法。
- プラズマ処理装置の基板支持器の第1の領域上に載置された基板に接続可能に構成された第1の検査回路であり、インピーダンスを有する、該第1の検査回路と、
前記基板支持器の第2の領域上に載置されたエッジリングに接続可能に構成された第2の検査回路であり、インピーダンスを有する、該第2の検査回路と、
共通のバイアス周波数を有する第1の電気バイアス及び第2の電気バイアスがそれぞれ前記第1の領域内の第1の電極及び前記第2の領域内の第2の電極に与えられている状態で、前記基板の電圧波形及び前記エッジリングの電圧波形を取得するように構成された波形モニタと、
インピーダンスを有する第1の回路であり、前記第1の電気バイアスを発生する第1のバイアス電源が該第1の回路を介して前記第1の電極と接続される、該第1の回路と、
一つ以上の可変回路素子を有する第2の回路であり、前記第2の電気バイアスを発生する第2のバイアス電源が該第2の回路を介して前記第2の電極と接続される、該第2の回路と、
を備え、
前記第2の回路のインピーダンスは、前記バイアス周波数において、前記第2の回路のインピーダンスが前記第1の回路の前記インピーダンスよりも高く、前記基板の前記電圧波形と前記エッジリングの前記電圧波形との差を低減させるように前記一つ以上の可変回路素子の各々の可変素子パラメータを調整することにより、調整される、
検査装置。 - プラズマ処理装置の基板支持器の第1の領域上に載置された基板に接続可能に構成された第1の検査回路であり、インピーダンスを有する、該第1の検査回路と、
前記基板支持器の第2の領域上に載置されたエッジリングに接続可能に構成された第2の検査回路であり、インピーダンスを有する、該第2の検査回路と、
共通のバイアス周波数を有する第1の電気バイアス及び第2の電気バイアスがそれぞれ前記第1の領域内の第1の電極及び前記第2の領域内の第2の電極に与えられている状態で、前記基板の電圧波形及び前記エッジリングの電圧波形を取得するように構成された波形モニタと、
を備え、
前記第1の検査回路は、前記基板上のプラズマシースのインピーダンスに対応するインピーダンスを有し、
前記第2の検査回路は、前記エッジリング上のプラズマシースのインピーダンスに対応するインピーダンスを有する、
検査装置。 - プラズマ処理装置の基板支持器の第1の領域上に載置された基板に接続可能に構成された第1の検査回路であり、インピーダンスを有する、該第1の検査回路と、
前記基板支持器の第2の領域上に載置されたエッジリングに接続可能に構成された第2の検査回路であり、インピーダンスを有する、該第2の検査回路と、
インピーダンスを有し、前記第1の検査回路を介して前記基板に接続され、前記第2の検査回路を介して前記エッジリングに接続された第3の検査回路と、
共通のバイアス周波数を有する第1の電気バイアス及び第2の電気バイアスがそれぞれ前記第1の領域内の第1の電極及び前記第2の領域内の第2の電極に与えられている状態で、前記基板の電圧波形及び前記エッジリングの電圧波形を取得するように構成された波形モニタと、
を備える検査装置。 - 前記第1の検査回路及び前記第2の検査回路の各々は、互いに並列に接続されたダイオード、抵抗、及びコンデンサを含む、請求項13~15の何れか一項に記載の検査装置。
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