JP7409925B2 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing method and substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP7409925B2
JP7409925B2 JP2020048743A JP2020048743A JP7409925B2 JP 7409925 B2 JP7409925 B2 JP 7409925B2 JP 2020048743 A JP2020048743 A JP 2020048743A JP 2020048743 A JP2020048743 A JP 2020048743A JP 7409925 B2 JP7409925 B2 JP 7409925B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
supply
oxygen gas
ozonated water
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020048743A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2021148955A (en
Inventor
健司 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2020048743A priority Critical patent/JP7409925B2/en
Publication of JP2021148955A publication Critical patent/JP2021148955A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7409925B2 publication Critical patent/JP7409925B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、基板を処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウェハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for processing a substrate. Substrates to be processed include, for example, semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks. This includes substrates for solar cells, ceramic substrates, solar cell substrates, etc.

特許文献１に記載のように、レジスト膜に覆われた基板からレジスト膜を除去する方法として、硫酸と過酸化水素水を混合したＳＰＭ（Sulfuric acid and hydrogen Peroxide Mixture）によってレジスト膜を分解し溶解して除去する方法が知られている。また、オゾン水によってもレジスト膜を除去できることが知られている。 As described in Patent Document 1, as a method for removing a resist film from a substrate covered with a resist film, the resist film is decomposed and dissolved using SPM (Sulfuric acid and hydrogen peroxide mixture). There are known methods for removing it. It is also known that the resist film can be removed using ozone water.

特開２００８－４８１９JP2008-4819 特開２０１４－２２４０３JP2014-22403

しかし、特許文献１に記載のようにＳＰＭを用いてレジスト膜を除去する処理において、その使用済みのＳＰＭがリサイクルのために回収されている。ここで回収されたＳＰＭは、リサイクル業者によって硫酸を濃縮化する作業が行われる。その際、多大なエネルギーを消費するため環境負荷が大きい。また、ＳＰＭが用いられる処理はレジスト膜を除去する処理だけでなく、ＴｉＮのような金属含有膜を除去する場合も同様の課題が生じる。 However, in the process of removing a resist film using SPM as described in Patent Document 1, the used SPM is collected for recycling. The SPM recovered here is then processed by a recycling company to concentrate the sulfuric acid. At that time, a large amount of energy is consumed, resulting in a large environmental burden. Furthermore, similar problems occur when SPM is used not only for removing resist films, but also for removing metal-containing films such as TiN.

一方、硫酸を使用せずにレジスト膜や金属含有膜を除去する手法として、オゾン水を用いる手法がある。しかし、特許文献２のように単にオゾン水を基板に供給するだけではレジスト膜や金属含有膜を効果的に除去することはできない。そこで、本願の発明は、硫酸を用いず環境負荷を軽減することができるとともに、レジスト膜や金属含有膜を効果的に除去できる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。 On the other hand, as a method for removing resist films and metal-containing films without using sulfuric acid, there is a method using ozone water. However, simply supplying ozone water to the substrate as in Patent Document 2 does not effectively remove the resist film or the metal-containing film. Therefore, an object of the invention of the present application is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus that can reduce the environmental burden without using sulfuric acid and can effectively remove resist films and metal-containing films.

上記の課題を解決するため、本願の第１発明は、その表面にレジスト膜または金属含有膜が形成された基板を水平保持して回転させながらオゾン水を供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、酸素ガスとオゾン水とを混合させることによってオゾン水の液滴を生成する液滴生成工程と、前記液滴生成工程で生成された前記液滴に対してＵＶ光を照射する第１の照射工程と、前記ＵＶ光を照射された前記液滴を前記基板の前記表面に供給する液滴供給工程と、を含むことを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, the first invention of the present application provides a substrate processing method in which a substrate having a resist film or a metal-containing film formed on its surface is held horizontally and rotated while supplying ozonated water to process the substrate. The method includes a droplet generation step of generating ozonated water droplets by mixing oxygen gas and ozonated water, and irradiating the droplets generated in the droplet generation step with UV light. The method is characterized in that it includes a first irradiation step and a droplet supply step of supplying the droplet irradiated with the UV light onto the surface of the substrate.

本願の第２発明は、第１発明の基板処理方法であって、前記液滴供給工程の実行前に前記基板の前記表面に向けて酸素を供給し、前記基板の前記表面の前記液滴が供給される領域に予め酸素雰囲気を形成する第１の酸素雰囲気形成工程を含むことを特徴とする。 A second invention of the present application is the substrate processing method of the first invention, in which oxygen is supplied toward the surface of the substrate before the droplet supply step, and the droplets on the surface of the substrate are The method is characterized in that it includes a first oxygen atmosphere forming step of previously forming an oxygen atmosphere in the area to be supplied.

本願の第３発明は、第１発明または第２発明の基板処理方法であって、前記液滴供給工程の実行前に前記基板の前記表面に向けてＵＶ光を照射する第２の照射工程を含むことを特徴とする。 A third invention of the present application is the substrate processing method of the first invention or the second invention, which includes a second irradiation step of irradiating UV light toward the surface of the substrate before executing the droplet supply step. It is characterized by containing.

本願の第４発明は、第３発明の基板処理方法であって、前記第２の照射工程は、前記第１の酸素雰囲気形成工程の前に実行されることを特徴とする。 A fourth invention of the present application is the substrate processing method according to the third invention, wherein the second irradiation step is performed before the first oxygen atmosphere forming step.

本願の第５発明は、第１発明から第４発明のいずれかの基板処理方法であって、前記第１の照射工程は、前記液滴供給工程の終了後に終了されることを特徴とする。 A fifth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the first to fourth inventions, characterized in that the first irradiation step is ended after the droplet supply step is completed.

本願の第６発明は、第１発明から第５発明のいずれかの基板処理方法であって、少なくとも前記液滴供給工程の終了時点から所定の時間、前記基板に向けて酸素を供給する工程をさらに含むことを特徴とする。 A sixth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the first to fifth inventions, which comprises a step of supplying oxygen toward the substrate for at least a predetermined period of time from the end of the droplet supply step. It is characterized by further comprising:

本願の第７発明は、その表面にレジスト膜または金属含有膜が形成された基板を水平保持して回転させながらオゾン水を供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、前記基板の前記表面にオゾン水を供給するオゾン水供給工程と、前記オゾン水が前記基板の前記表面に着液する着液領域に向けて前記オゾン水の上面を覆う酸素ガスを供給する酸素供給工程と、を含むことを特徴とする。 A seventh invention of the present application is a substrate processing method in which a substrate having a resist film or a metal-containing film formed on its surface is held horizontally and rotated while supplying ozonated water to treat the substrate. an ozonated water supplying step of supplying ozonated water to the surface ; an oxygen supplying step of supplying oxygen gas covering the upper surface of the ozonated water toward a landing area where the ozonated water lands on the surface of the substrate; It is characterized by including.

本願の第８発明は、その表面にレジスト膜または金属含有膜が形成された基板を水平保持して回転させながらオゾン水を供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、前記基板の前記表面にオゾン水を供給するオゾン水供給工程と、前記オゾン水が前記基板の前記表面に着液する着液領域に向けて酸素ガスを供給する酸素供給工程と、前記着液領域に向けてＵＶ光を照射する第３の照射工程とを含むことを特徴とする。 An eighth invention of the present application is a substrate processing method in which a substrate having a resist film or a metal-containing film formed on its surface is held horizontally and rotated while supplying ozonated water to treat the substrate, the substrate processing method comprising : an ozonated water supplying step of supplying ozonated water to the surface; an oxygen supplying step of supplying oxygen gas toward a liquid landing region where the ozonated water lands on the surface of the substrate; and an oxygen supplying step toward the liquid landing region. The method is characterized by including a third irradiation step of irradiating UV light.

本願の第９発明は、その表面にレジスト膜または金属含有膜が形成された基板を水平保持して回転させながらオゾン水を供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、前記基板の前記表面にオゾン水を供給するオゾン水供給工程と、前記オゾン水が前記基板の前記表面に着液する着液領域に向けて酸素ガスを供給する酸素供給工程と、前記オゾン水供給工程の実行前に前記基板の前記表面に向けて酸素を供給し、前記基板の前記表面の前記着液領域に予め酸素雰囲気を形成する第２の酸素雰囲気形成工程とを含むことを特徴とする。 A ninth invention of the present application is a substrate processing method in which a substrate having a resist film or a metal-containing film formed on its surface is held horizontally and rotated while supplying ozonated water to treat the substrate, the substrate processing method comprising : Execution of an ozonated water supplying step of supplying ozonated water to the surface, an oxygen supplying step of supplying oxygen gas toward a liquid landing area where the ozonated water lands on the surface of the substrate, and the ozonated water supplying step. The method is characterized by including a second oxygen atmosphere forming step of previously supplying oxygen toward the surface of the substrate to previously form an oxygen atmosphere in the liquid landing region of the surface of the substrate.

本願の第１０発明は、第７発明から第９発明のいずれかの基板処理方法であって、前記オゾン水供給工程の実行前に前記基板の前記表面に向けてＵＶ光を照射する第４の照射工程を含むことを特徴とする。 A tenth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the seventh to ninth inventions, in which a fourth aspect of the invention includes irradiating UV light toward the surface of the substrate before performing the ozonated water supply step. It is characterized by including an irradiation step.

本願の第１１発明は、第１０発明の基板処理方法であって、前記第４の照射工程は、前記第２の酸素雰囲気形成工程の前に実行されることを特徴とする。 An eleventh invention of the present application is the substrate processing method according to the tenth invention, wherein the fourth irradiation step is performed before the second oxygen atmosphere forming step.

本願の第１２発明は、第７発明から第１１発明のいずれかの基板処理方法であって、前記第３の照射工程は、前記オゾン水供給工程の終了後に終了されることを特徴とする。 A twelfth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the seventh to eleventh inventions, characterized in that the third irradiation step is ended after the ozone water supply step is ended.

本願の第１３発明は、第７発明から第１２発明のいずれかの基板処理方法であって、少なくとも前記オゾン水供給工程の終了時点から所定の時間、前記基板に向けて酸素を供給する工程をさらに含むことを特徴とする。 A thirteenth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the seventh invention to the twelfth invention, which comprises a step of supplying oxygen toward the substrate for a predetermined period of time from at least the end of the ozonated water supply step. It is characterized by further comprising:

本願の第１４発明は、その表面にレジスト膜または金属含有膜が形成された基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を水平に保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転機構と、オゾン水と酸素ガスとを混合させて液滴を生成する液滴生成ノズルと、前記液滴生成ノズルで生成された前記液滴にＵＶ光を照射する照射部と、を備えることを特徴とする。 A fourteenth invention of the present application is a substrate processing apparatus for processing a substrate having a resist film or a metal-containing film formed on the surface thereof, comprising: a substrate holding section that holds the substrate horizontally; and a substrate holding section that rotates the substrate holding section. A rotating mechanism, a droplet generation nozzle that mixes ozone water and oxygen gas to generate droplets, and an irradiation unit that irradiates the droplets generated by the droplet generation nozzle with UV light. It is characterized by

本願の第１５発明は、第１４発明の基板処理装置であって、前記液滴生成ノズルに対してオゾン水を供給するオゾン水供給配管と、前記液滴生成ノズルに対して酸素ガスを供給する酸素ガス供給配管と、前記オゾン水供給配管に介装され、オゾン水の供給状態を変えるオゾン水供給弁と、前記酸素供給配管に介装され、酸素ガスの供給状態を変える酸素ガス供給弁と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記オゾン水供給弁と前記酸素ガス供給弁とを制御して、前記オゾン水供給弁を供給状態とする前に、前記酸素ガス供給弁を供給状態とする流体供給制御部を含むことを特徴とする。 A fifteenth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to the fourteenth invention, which includes an ozonated water supply pipe that supplies ozonated water to the droplet generation nozzle, and an ozonated water supply pipe that supplies oxygen gas to the droplet generation nozzle. an oxygen gas supply pipe; an ozonated water supply valve that is interposed in the ozonated water supply pipe and changes the ozonated water supply state; and an oxygen gas supply valve that is interposed in the oxygen supply pipe and changes the oxygen gas supply state. , a control unit, the control unit controls the ozone water supply valve and the oxygen gas supply valve to supply the oxygen gas supply valve before bringing the ozone water supply valve into the supply state. The present invention is characterized in that it includes a fluid supply control section that controls the state.

本願の第１６発明は、第１４発明または第１５発明の基板処理装置であって、前記制御部は、前記流体供給制御部が前記オゾン水供給弁を供給状態とする前に、前記基板の前記表面に向けてＵＶ光を照射させるように前記照射部を制御するＵＶ照射制御部を含むことを特徴とする。 A 16th invention of the present application is the substrate processing apparatus according to the 14th invention or the 15th invention, in which the control unit controls the ozone water supply valve to supply the ozone water to the substrate before the fluid supply control unit puts the ozone water supply valve into the supply state . It is characterized by including a UV irradiation control section that controls the irradiation section so as to irradiate the UV light toward the surface.

本願の第１７発明は、第１６発明の基板処理装置であって、前記ＵＶ照射制御部は、前記流体供給制御部が前記オゾン水供給弁および前記酸素ガス供給弁を供給状態とする前に、前記基板の前記表面に向けてＵＶ光を照射させるように前記照射部を制御することを特徴とする。 A seventeenth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to the sixteenth invention, in which the UV irradiation control section, before the fluid supply control section puts the ozone water supply valve and the oxygen gas supply valve into a supply state, The method is characterized in that the irradiation section is controlled so as to irradiate UV light toward the surface of the substrate.

本願の第１８発明は、第１６発明または第１７発明の基板処理装置であって、前記ＵＶ照射制御部は、前記流体供給制御部が前記オゾン水供給弁および前記酸素ガス供給弁を供給状態から非供給状態とした後まで、前記基板の前記表面に向けてＵＶ光を照射させるように前記照射部を制御することを特徴とする。 An 18th invention of the present application is the substrate processing apparatus according to the 16th invention or the 17th invention, in which the UV irradiation control section is configured such that the fluid supply control section switches the ozone water supply valve and the oxygen gas supply valve from a supply state. The method is characterized in that the irradiation unit is controlled so as to irradiate the surface of the substrate with UV light until after the supply is brought to a non-supply state.

本願の第１９発明は、第１５から第１８発明のいずれかの基板処理装置であって、前記流体制御部は、前記オゾン水供給弁を供給状態から非供給状態とし、前記酸素ガス供給弁の供給状態をそのまま維持するように制御することによって、前記液滴の供給を終了した後も所定時間、前記液滴生成ノズルから前記基板の前記表面に酸素ガスを供給することを特徴とする。 A nineteenth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the fifteenth to eighteenth inventions, wherein the fluid control section changes the ozone water supply valve from a supply state to a non-supply state, and changes the oxygen gas supply valve from a supply state to a non-supply state. The present invention is characterized in that oxygen gas is supplied from the droplet generation nozzle to the surface of the substrate for a predetermined period of time even after the supply of the droplets is finished by controlling the supply state to be maintained as it is.

本願の第２０発明は、第１４発明から第１９発明のいずれかの基板処理装置であって、前記液滴生成ノズルは、その中心軸が鉛直軸に沿って延びるとともに、その下端部に開放面を有する第１の円筒部と、前記中心軸と同軸の中心軸を有るとともに、前記第１の円筒部よりも大径であって、その下端部に開放面を有する第２の円筒部と、前記第１の円筒部の外周面と前記第２の円筒部の内周面との間に形成され、前記オゾン水供給配管から供給されるオゾン水を鉛直下方に流下させる第１の流路と、前記第１の流路の下端に形成され、オゾン水を鉛直下方に供給するオゾン水供給口と、前記オゾン水供給口よりも外側に形成され、前記中心軸に向かう斜め下方に酸素ガスを供給する酸素ガス供給口と、を含み、前記第１の円筒部は、前記照射部から照射されたＵＶ光を下方に向けて導光するとともに、その解放された下端から前記基板の前記表面に向けてＵＶ光を放射させることを特徴とする。 A 20th invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the 14th to 19th inventions, wherein the droplet generating nozzle has a central axis extending along a vertical axis and an open surface at a lower end thereof. a second cylindrical portion having a central axis coaxial with the central axis, having a larger diameter than the first cylindrical portion, and having an open surface at its lower end; a first flow path formed between an outer circumferential surface of the first cylindrical part and an inner circumferential surface of the second cylindrical part, through which ozonated water supplied from the ozonated water supply pipe flows vertically downward; , an ozonated water supply port formed at the lower end of the first flow path to supply ozonated water vertically downward; and an ozonated water supply port formed outside the ozonated water supply port to supply oxygen gas diagonally downward toward the central axis. an oxygen gas supply port, the first cylindrical part guides the UV light irradiated from the irradiation part downward, and also directs the UV light irradiated from the irradiation part downward, and from the open lower end of the first cylindrical part to the surface of the substrate . It is characterized by emitting UV light towards the target.

本願の第２１発明は、第２０発明の基板処理装置であって、前記液滴生成ノズルは、前記第２の円筒部の外周面の全周を取り囲むように構成される第３の円筒部と前記第３の円筒部の下端から前記中心軸に向けて前記第２の円筒部の下端部に近接する位置まで延設される底部とを含んで構成される囲い部材と、をさらに備え、前記第２の円筒部の外周面と、前記囲い部材の内面とによって閉空間を形成し、前記第２の円筒部の下端面は、前記中心軸に向かう斜め下方に傾斜するように構成され、前記囲い部材は、前記第２の円筒部の前記下端面と平行に対向する対向面を含み、前記第２の円筒部の前記下端面と前記囲い部材の前記対向面との間に形成され、前記閉空間と連通して酸素ガスを前記中心軸に向かう斜め下方に案内する第２の流路と、を含むことを特徴とする。 A 21st invention of the present application is the substrate processing apparatus according to the 20th invention, wherein the droplet generation nozzle includes a third cylindrical part configured to surround the entire outer circumference of the second cylindrical part. further comprising: a bottom portion extending from the lower end of the third cylindrical portion toward the central axis to a position close to the lower end of the second cylindrical portion; A closed space is formed by the outer circumferential surface of the second cylindrical portion and the inner surface of the enclosing member , and the lower end surface of the second cylindrical portion is configured to be inclined diagonally downward toward the central axis; The enclosing member includes an opposing surface that faces parallel to the lower end surface of the second cylindrical portion, and is formed between the lower end surface of the second cylindrical portion and the opposing surface of the enclosing member, It is characterized by including a second flow path that communicates with the closed space and guides oxygen gas diagonally downward toward the central axis.

本願の第２２発明は、第２１発明の基板処理装置であって、前記第１の円筒部の下端面は、前記中心軸に向かう斜め下方に傾斜するように構成され、前記第１の円筒部の前記下端面と前記第２の円筒部の前記下端面は、前記オゾン水供給口の部分を除いて、前記中心軸に頂点を有する下方向きの円錐面の一面となるように形成されることを特徴とする。 A twenty-second invention of the present application is the substrate processing apparatus according to the twenty-first invention, wherein the lower end surface of the first cylindrical part is configured to be inclined diagonally downward toward the central axis, and the first cylindrical part The lower end surface of the and the lower end surface of the second cylindrical portion, excluding the ozonated water supply port , are formed to be one surface of a downward conical surface having an apex at the central axis. It is characterized by

第１から第１３発明の基板処理方法においては、硫酸を用いることなく、オゾン濃度の高いオゾン水を基板に供給できるので、レジスト膜や金属含有膜を効果的に除去することができるとともに環境負荷を軽減することができる。 In the substrate processing methods of the first to thirteenth inventions, ozonated water with a high ozone concentration can be supplied to the substrate without using sulfuric acid, so resist films and metal-containing films can be effectively removed and the environmental burden can be reduced.

第１４から第２２発明の基板処理装置においては、硫酸を用いることなく、オゾン濃度の高いオゾン水を基板に供給できるので、レジスト膜や金属含有膜を効果的に除去することができるとともに環境負荷を軽減することができる。 In the substrate processing apparatuses of the fourteenth to twenty-second inventions, ozonated water with a high ozone concentration can be supplied to the substrate without using sulfuric acid, so resist films and metal-containing films can be effectively removed and the environmental burden can be reduced.

図１は、本願発明の基板処理方法および基板処理装置が適用される基板処理システムを示した概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a substrate processing system to which the substrate processing method and substrate processing apparatus of the present invention are applied. 図２は、この発明の第１実施形態における基板処理装置の構成を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図３は、この発明の第１実施形態における液滴生成ノズルの平面図および側面図である。FIG. 3 is a plan view and a side view of a droplet generating nozzle in the first embodiment of the present invention. 図４は、この発明の第１実施形態における液滴生成ノズルの詳細を示すＡ―Ａ′縦断面図およびＢ―Ｂ′横断面図である。FIG. 4 is a longitudinal cross-sectional view along line AA' and a cross-sectional view along line B-B' showing details of the droplet generating nozzle according to the first embodiment of the present invention. 図５は、この発明の第１実施形態における液滴を基板に供給する様子の概略図である。FIG. 5 is a schematic diagram of how droplets are supplied to a substrate in the first embodiment of the invention. 図６は、この発明の第１実施形態における基板処理装置の制御部と各部の構成の関係を示す機能ブロック図である。FIG. 6 is a functional block diagram showing the relationship between the control section and the configuration of each section of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図７は、この発明の第１実施形態における基板処理装置の動作を示すフローチャートでる。FIG. 7 is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図８は、この発明の第１実施形態における基板処理のタイミングチャートである。FIG. 8 is a timing chart of substrate processing in the first embodiment of the invention. 図９は、この発明の第１実施形態における基板処理方法をレジスト膜の除去処理に適用した場合の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram when the substrate processing method according to the first embodiment of the present invention is applied to a resist film removal process. 図１０は、この発明の第１実施形態における基板処理方法を金属含有膜の除去処理に適用した場合の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram when the substrate processing method according to the first embodiment of the present invention is applied to the removal processing of a metal-containing film. 図１１は、この発明の第２実施形態における基板処理装置の構成を示す概略図である。FIG. 11 is a schematic diagram showing the configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the invention. 図１２は、この発明の第２実施形態に係る液滴生成ノズルの構成を示す概略図である。FIG. 12 is a schematic diagram showing the configuration of a droplet generating nozzle according to a second embodiment of the present invention. 図１３は、この発明の第２実施形態における基板処理方法をレジスト膜の除去処理に適用した場合の説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram when the substrate processing method according to the second embodiment of the present invention is applied to a resist film removal process.

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理方法および基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、この発明に係る基板処理方法および基板処理装置が適用される基板処理システムの概略図である。基板処理システム１００は、シリコンウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理システムである。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A substrate processing method and a substrate processing apparatus according to embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing system to which a substrate processing method and a substrate processing apparatus according to the present invention are applied. The substrate processing system 100 is a single-wafer type substrate processing system that processes disc-shaped substrates W such as silicon wafers one by one.

図１において、基板処理システム１００は、オゾン水とその他の処理液で基板Ｗを処理する複数の処理部１０ａ、（１０ｂ）と、処理部１０ａ、（１０ｂ）にオゾン水とその他の処理液および処理ガスを処理部１０ａ、（１０ｂ）に向けて供給する処理流体供給部３と、処理部１０ａ、（１０ｂ）で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理部１０ａ、（１０ｂ）との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理システム１００における基板Ｗの各搬送や基板Ｗに対する処理を制御する制御部４と、を含む。搬送ロボットＩＲは、キャリアＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと各処理部１０ａ、（１０ｂ）との間で基板Ｗを搬送する。 In FIG. 1, a substrate processing system 100 includes a plurality of processing units 10a, (10b) that process a substrate W with ozonated water and other processing liquids, and a plurality of processing units 10a, (10b) that process substrates W with ozonated water and other processing liquids. A processing fluid supply section 3 that supplies processing gas toward the processing sections 10a and (10b), and a load port on which a carrier C that accommodates a plurality of substrates W to be processed in the processing sections 10a and (10b) is placed. LP, transport robots IR and CR that transport the substrate W between the load port LP and the processing units 10a and (10b), and a control unit that controls each transport of the substrate W and processing of the substrate W in the substrate processing system 100. 4, including. The transport robot IR transports the substrate W between the carrier C and the transport robot CR. The transport robot CR transports the substrate W between the transport robot IR and each processing section 10a, (10b).

ここで、基板Ｗの流れを説明する。複数の基板Ｗを収容したキャリアＣがロードポートＬＰに載置される。ロードポートＬＰに載置されたキャリアＣから搬送ロボットＩＲが処理前の基板Ｗを取り出す。搬送ロボットＩＲは、取り出した基板Ｗを搬送し搬送ロボットＣＲへ受け渡す。搬送ロボットＣＲは、受け取った基板Ｗを各処理部１０ａ、（１０ｂ）に搬入する。各処理部１０ａ、（１０ｂ）は搬入された基板Ｗに対してレジスト膜や金属含有膜を除去する処理を行う。レジスト膜や金属含有膜が除去された基板Ｗは搬送ロボットＣＲにより各処理部１０ａ、（１０ｂ）から搬出され、搬送ロボットＩＲへ受け渡される。基板Ｗを受け取った搬送ロボットＩＲは、処理後の基板ＷをキャリアＣへ戻し収容する。 Here, the flow of the substrate W will be explained. A carrier C containing a plurality of substrates W is placed on the load port LP. The transfer robot IR takes out the substrate W to be processed from the carrier C placed on the load port LP. The transport robot IR transports the taken-out substrate W and delivers it to the transport robot CR. The transport robot CR carries the received substrate W into each processing section 10a, (10b). Each of the processing units 10a and (10b) performs a process for removing a resist film and a metal-containing film on the loaded substrate W. The substrate W from which the resist film and the metal-containing film have been removed is carried out from each processing section 10a, (10b) by the transport robot CR, and delivered to the transport robot IR. The transport robot IR that has received the substrate W returns the processed substrate W to the carrier C and stores it therein.

［１］第１実施形態
＜基板処理装置＞
以下に図２から図１０に基づいて、本願発明の第１実施形態に係る基板処理装置および基板処理方法について説明する。図２において、基板処理装置１は、処理部１０ａ、処理流体供給部３および制御部４を備える。処理部１０ａは、搬送ロボットＣＲによりに搬入された基板Ｗをオゾン水および酸素ガスとその他の処理液とを用いて処理する。処理流体供給部３は、処理部１０ａにオゾン水および酸素ガスとその他の処理液を供給する。制御部４は、処理流体供給部３および処理部１０ａを制御する。 [1] First embodiment <Substrate processing apparatus>
A substrate processing apparatus and a substrate processing method according to a first embodiment of the present invention will be described below based on FIGS. 2 to 10. In FIG. 2, the substrate processing apparatus 1 includes a processing section 10a, a processing fluid supply section 3, and a control section 4. The processing section 10a processes the substrate W carried in by the transport robot CR using ozone water, oxygen gas, and other processing liquids. The processing fluid supply section 3 supplies ozone water, oxygen gas, and other processing liquids to the processing section 10a. The control section 4 controls the processing fluid supply section 3 and the processing section 10a.

＜処理部＞
処理部１０ａは、スピンチャック１１と、カップ１４と、液滴生成ノズル２１と、処理液供給ノズル２２、２３と、液滴生成ノズル２１および処理液供給ノズル２２を移動させるノズル移動機構１２と、処理液供給ノズル２３を移動させるノズル移動機構１３とを含む。 <Processing section>
The processing section 10a includes a spin chuck 11, a cup 14, a droplet generation nozzle 21, processing liquid supply nozzles 22 and 23, a nozzle moving mechanism 12 that moves the droplet generation nozzle 21 and the processing liquid supply nozzle 22, A nozzle moving mechanism 13 that moves the processing liquid supply nozzle 23 is included.

スピンチャック１１は、チャックピン１１ａとスピンベース１１ｂとからなり、チャックピン１１ａにより基板Ｗを水平に保持して回転させる。カップ１４は、スピンチャック１１を取り囲み、基板Ｗから飛散する処理液を受けとめて排液する。液滴生成ノズル２１は、オゾン水と酸素ガスとを混合させてオゾン水の液滴を生成し、そのオゾン水の液滴を基板Ｗの表面に供給する。処理液供給ノズル２２、２３は、後述する処理液を基板Ｗの表面に供給する。 The spin chuck 11 includes a chuck pin 11a and a spin base 11b, and uses the chuck pin 11a to horizontally hold and rotate the substrate W. The cup 14 surrounds the spin chuck 11, receives processing liquid scattered from the substrate W, and drains the liquid. The droplet generation nozzle 21 mixes ozone water and oxygen gas to generate ozone water droplets, and supplies the ozone water droplets to the surface of the substrate W. The processing liquid supply nozzles 22 and 23 supply a processing liquid, which will be described later, to the surface of the substrate W.

ノズル移動機構１２は、液滴生成ノズル２１を先端に保持するアーム１２ａと、アーム１２ａを上端に支持し、当該アーム１２ａの先端に保持された液滴生成ノズル２１を昇降させる昇降駆動部１２ｂと、昇降駆動部１２ｂの下端部を保持し、昇降駆動部１２ｂを回転させることで前記液滴生成ノズル２１を、カップ１４の外の所定の待機位置と基板Ｗ上のオゾン水の液滴の吐出位置との間で、旋回させる旋回駆動部１２ｃとを備える。また、処理液供給ノズル２２は、図示しない連結具により液滴生成ノズル２１に連結されており、液滴生成ノズル２１の移動に合わせて液滴生成ノズル２１と一体的に昇降および旋回し、カップ１４の外の所定の待機位置と基板Ｗ上の処理液の吐出位置との間で移動する。 The nozzle moving mechanism 12 includes an arm 12a that holds the droplet generation nozzle 21 at its tip, and an elevation drive section 12b that supports the arm 12a at its upper end and raises and lowers the droplet generation nozzle 21 held at the tip of the arm 12a. , by holding the lower end of the lifting drive unit 12b and rotating the lifting drive unit 12b, the droplet generating nozzle 21 is moved to a predetermined standby position outside the cup 14 and discharges droplets of ozone water onto the substrate W. It is provided with a turning drive section 12c that turns between the two positions. The processing liquid supply nozzle 22 is connected to the droplet generation nozzle 21 by a connector (not shown), and moves up and down and rotates integrally with the droplet generation nozzle 21 as the droplet generation nozzle 21 moves. It moves between a predetermined standby position outside of 14 and a position for discharging the processing liquid onto the substrate W.

ノズル移動機構１３は、処理液供給ノズル２３を先端に保持するアーム１３ａと、アーム１３ａを上端に支持し、当該アーム１３ａの先端に保持された処理液供給ノズル２３を昇降させる昇降駆動部１３ｂと、昇降駆動部１３ｂの下端部を保持し、昇降駆動部１３ｂを回転させることで前記処理液供給ノズル２３を、カップ１４の外の所定の待機位置と基板Ｗ上の処理液の吐出位置との間で、旋回させる旋回駆動部１３ｃとを備える。 The nozzle moving mechanism 13 includes an arm 13a that holds the processing liquid supply nozzle 23 at its tip, and an elevation drive section 13b that supports the arm 13a at its upper end and moves up and down the processing liquid supply nozzle 23 held at the tip of the arm 13a. , by holding the lower end of the lifting drive unit 13b and rotating the lifting drive unit 13b, the processing liquid supply nozzle 23 is moved between a predetermined standby position outside the cup 14 and a processing liquid discharge position on the substrate W. A turning drive section 13c for turning is provided between the two.

なお、前述した処理液には、薬液およびリンス液が含まれる。薬液は、例えば、フッ酸（フッ化水素水：ＨＦ）、ＳＣ１（RCA洗浄におけるStandard clean１。脱イオン水、アンモニア水および過酸化水素水の混合液。）である。リンス液とは、たとえば、脱イオン水（Deionized Water：ＤＩＷ）である。 Note that the above-mentioned processing liquid includes a chemical liquid and a rinsing liquid. The chemical solution is, for example, hydrofluoric acid (hydrogen fluoride water: HF), SC1 (Standard clean 1 in RCA cleaning, a mixed solution of deionized water, aqueous ammonia, and aqueous hydrogen peroxide). The rinsing liquid is, for example, deionized water (DIW).

ここで、処理液供給ノズル２２は、ＳＣ１またはＤＩＷを基板Ｗの表面に供給する。処理液供給ノズル２３は、ＨＦまたはＤＩＷを基板Ｗの表面に供給する。 Here, the processing liquid supply nozzle 22 supplies SC1 or DIW to the surface of the substrate W. The processing liquid supply nozzle 23 supplies HF or DIW to the surface of the substrate W.

＜処理流体供給部＞
処理流体供給部３は、処理部１０ａの液滴生成ノズル２１に対してオゾン水を供給するオゾン水供給部３２と、処理部１０ａの液滴生成ノズル２１に対して酸素ガスを供給する酸素ガス供給部３１と、処理液供給ノズル２２に対してＳＣ１又はＤＩＷを供給する第１の処理液供給部３３と、処理液供給ノズル２３に対してＨＦ又はＤＩＷを供給する第２の処理液供給部３４とを含む。 <Processing fluid supply section>
The processing fluid supply section 3 includes an ozonated water supply section 32 that supplies ozonated water to the droplet generation nozzle 21 of the processing section 10a, and an oxygen gas supply section 32 that supplies oxygen gas to the droplet generation nozzle 21 of the processing section 10a. A supply unit 31, a first processing liquid supply unit 33 that supplies SC1 or DIW to the processing liquid supply nozzle 22, and a second processing liquid supply unit that supplies HF or DIW to the processing liquid supply nozzle 23. 34.

オゾン水供給部３２は、オゾン水を生成するオゾンユニット３２ｃと、オゾン水生成ユニットで生成されたオゾン水を液滴生成ノズル２１に対して供給するオゾン水供給配管３２ａと、オゾン水供給配管３２ａに介装され、オゾン水の供給状態を変えるオゾン水供給弁３２ｂとを含む。 The ozonated water supply section 32 includes an ozone unit 32c that generates ozonated water, an ozonated water supply pipe 32a that supplies the ozonated water generated by the ozonated water generating unit to the droplet generation nozzle 21, and an ozonated water supply pipe 32a. and an ozonated water supply valve 32b that is installed in the ozonated water supply valve 32b and changes the ozonated water supply state.

また、酸素ガス供給部３１は、半導体工場内に備えられた酸素ガス供給源３１ｃから送られてきた酸素ガスを液滴生成ノズル２１に対して供給する酸素ガス供給配管３１ａと、酸素ガス供給配管３１ａに介装され、酸素ガスの供給状態を変える酸素ガス供給弁３１ｂとを含む。 Further, the oxygen gas supply unit 31 includes an oxygen gas supply pipe 31a that supplies oxygen gas sent from an oxygen gas supply source 31c provided in the semiconductor factory to the droplet generation nozzle 21, and an oxygen gas supply pipe 31a, and includes an oxygen gas supply valve 31b that changes the supply state of oxygen gas.

また、第１の処理液供給部３３は、ＳＣ１を貯留するＳＣ１供給部３３２と、ＳＣ１供給部３３２に貯留されているＳＣ１を処理液供給ノズル２２へ向けて送液するＳＣ１供給配管３３２ａと、ＳＣ１供給配管３３２ａに介装され、ＳＣ１の供給状態を変えるＳＣ１供給弁３３２ｂと、半導体工場内に備えられたＤＩＷ供給源３３１から送られてきたＤＩＷを処理液供給ノズル２２へ向けて送液するＤＩＷ供給配管３３１ａと、ＤＩＷ供給配管３３１ａに介装され、ＤＩＷの供給状態を変えるＤＩＷ供給弁３３１ｂと、ＳＣ１供給配管３３２ａ及びＤＩＷ供給配管３３１ａに流路接続され、ＳＣ１供給配管３３２ａから送液されてきたＳＣ１又はＤＩＷ供給配管３３１ａから送液されてきたＤＩＷを処理液供給ノズル２２に供給する共通配管３３ａを含む。 The first processing liquid supply section 33 also includes an SC1 supply section 332 that stores SC1, and an SC1 supply pipe 332a that sends SC1 stored in the SC1 supply section 332 toward the processing liquid supply nozzle 22. An SC1 supply valve 332b is installed in the SC1 supply pipe 332a and changes the supply state of SC1, and the DIW sent from the DIW supply source 331 provided in the semiconductor factory is sent toward the processing liquid supply nozzle 22. A DIW supply pipe 331a, a DIW supply valve 331b that is interposed in the DIW supply pipe 331a and changes the supply state of DIW, and a flow path connected to the SC1 supply pipe 332a and the DIW supply pipe 331a, and the liquid is sent from the SC1 supply pipe 332a. The processing liquid supply nozzle 22 includes a common pipe 33a that supplies the SC1 or DIW sent from the DIW supply pipe 331a to the processing liquid supply nozzle 22.

さらに、第２の処理液供給部３４は、ＨＦを貯留するＨＦ供給部３４１と、ＨＦ供給部３４１に貯留されているＨＦを処理液供給ノズル２３へ向けて送液するＨＦ供給配管３４１ａと、ＨＦ供給配管３４１ａに介装され、ＨＦの供給状態を変えるＨＦ供給弁３４１ｂと、半導体工場内に備えられたＤＩＷ供給源３４２から送られてきたＤＩＷを処理液供給ノズル２３へ向けて送液するＤＩＷ供給配管３４２ａと、ＤＩＷ供給配管３４２ａに介装され、ＤＩＷの供給状態を変えるＤＩＷ供給弁３４２ｂと、ＨＦ供給配管３４１ａ及びＤＩＷ供給配管３４２ａに流路接続され、ＨＦ供給配管３４１ａから送液されてきたＨＦ又はＤＩＷ供給配管３４２ａから送液されてきたＤＩＷを処理液供給ノズル２３に供給する共通配管３４ａを含む。 Furthermore, the second processing liquid supply section 34 includes an HF supply section 341 that stores HF, and an HF supply pipe 341a that sends the HF stored in the HF supply section 341 toward the processing liquid supply nozzle 23. An HF supply valve 341b is installed in the HF supply pipe 341a and changes the HF supply state, and the DIW sent from the DIW supply source 342 provided in the semiconductor factory is sent toward the processing liquid supply nozzle 23. A DIW supply pipe 342a, a DIW supply valve 342b that is interposed in the DIW supply pipe 342a and changes the supply state of DIW, and a flow path connected to the HF supply pipe 341a and the DIW supply pipe 342a, and the liquid is sent from the HF supply pipe 341a. The processing liquid supply nozzle 23 includes a common pipe 34a that supplies the HF or DIW sent from the DIW supply pipe 342a to the processing liquid supply nozzle 23.

＜液滴生成ノズル＞
次に、図３および図４を参照し、液滴生成ノズル２１の構造の詳細について説明する。
ここで、図３（ａ）は、液滴生成ノズル２１を鉛直上方から平面視した平面図である。図３（ｂ）は、液滴生成ノズル２１を側方から見た側面図である。
また、図４（ａ）は、図３（ａ）に示すＡ－Ａ′断面を矢印方向へ向けて見た場合のＡ－Ａ′縦断面図である。また、図４（ｂ）は、図３（ｂ）に示すＢ－Ｂ′断面を矢印方向へ向けて見た場合のＢ－Ｂ′横断面図である。 <Droplet generation nozzle>
Next, details of the structure of the droplet generating nozzle 21 will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
Here, FIG. 3A is a plan view of the droplet generation nozzle 21 viewed from vertically above. FIG. 3(b) is a side view of the droplet generation nozzle 21 seen from the side.
Further, FIG. 4(a) is a longitudinal cross-sectional view taken along the line AA' when the cross section AA' shown in FIG. 3(a) is viewed in the direction of the arrow. Further, FIG. 4(b) is a BB' cross-sectional view when the BB' cross section shown in FIG. 3(b) is viewed in the direction of the arrow.

液滴生成ノズル２１は、アーム１２ａ（図２を参照）と連結する固定部２１０と、固定部２１０の下面に固設された囲い部材２１４と、固定部２１０の下面に固設された第１の円筒部２１２とを含む（図４を参照）。さらに、液滴生成ノズル２１は、固定部２１０の下面に固設され、第１の円筒部２１２の外周面を全周にわたって囲うように設けられた後述する第２の円筒部２１３（図４を参照）をさらに含む。固定部２１０には、固定部２１０の上端面から下端面まで貫通する貫通孔２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃが形成されている。そして、処理流体供給部３から配設される酸素ガス供給配管３１ａおよびオゾン水供給配管３２ａ（図４を参照）が当該貫通孔２１０ａおよび２１０ｂの上端部に接続されている。
また、液滴生成ノズル２１を構成する固定部２１０の貫通孔２１０ｃの上端部には、図示しないＵＶ光の出射部が貫通孔２１０ｃを臨むように、ＵＶ光を照射する照射部２１１が取り付けられている（図４参照）。 The droplet generation nozzle 21 includes a fixing part 210 connected to the arm 12a (see FIG. 2), a surrounding member 214 fixed to the lower surface of the fixing part 210, and a first part fixed to the lower surface of the fixing part 210. (See FIG. 4). Further, the droplet generation nozzle 21 is fixed to the lower surface of the fixing part 210, and a second cylindrical part 213 (described in FIG. ref). The fixing part 210 is formed with through holes 210a, 210b, and 210c that penetrate from the upper end surface to the lower end surface of the fixing part 210. An oxygen gas supply pipe 31a and an ozone water supply pipe 32a (see FIG. 4) provided from the processing fluid supply unit 3 are connected to the upper ends of the through holes 210a and 210b.
Furthermore, an irradiation section 211 that irradiates UV light is attached to the upper end of the through hole 210c of the fixing section 210 constituting the droplet generation nozzle 21 so that the UV light emitting section (not shown) faces the through hole 210c. (See Figure 4).

次に、オゾン水の液滴生成ノズル２１の内部構造の詳細について図４（ａ）および図４（ｂ）を参照しながら説明する。図４（ａ）において、液滴生成ノズル２１は、その中心軸Ｃ１が鉛直軸に沿って延びるとともに、その下端部に開放面を有する第１の円筒部２１２と、第１の円筒部２１２と同じくＣ１を中心軸とするとともに、第１の円筒部２１２よりも大径であって、その下端部に開放面を有する第２の円筒部２１３と、第１の円筒部２１２の外周面と第２の円筒部２１３の内周面との間に形成され、オゾン水供給配管３２ａから供給されるオゾン水を鉛直下方に流下させる第１の流路２１５と、第１の流路２１５の下端に形成され、オゾン水を鉛直下方に供給するオゾン水供給口２１６と、オゾン水供給口２１６よりも外側に形成され、中心軸Ｃ１に向かう斜め下方に酸素ガスを供給する酸素ガス供給口２１９と、を含んで構成される。そして、第１の円筒部２１２は、照射部２１１から照射されたＵＶ光を下方に向けて導光するとともに、その解放された下端部の開放面から基板の表面に向けてＵＶ光を放射させる。
また、第２の円筒部２１３は、Ｃ１と中心軸として固定部２１０の下面に固設され、貫通孔２１０ｂと連通した上円筒部２１３ｂと、上円筒部２１３ｂの下端から連接され、Ｃ１を中心軸として上円筒部２１３ｂよりも小径の下円筒部２１３ｃとを含んで構成される。この第２の円筒部２１３は、固定部２１０に形成された貫通孔２１０ｂを流下してきたオゾン水を上円筒部２１３ｂに流入させ、上円筒部２１３ｂに流入させたオゾン水を下円筒部２１３ｃの内周面と第１の円筒部２１２の外周面との間に形成され第１の流路２１５を通じて鉛直下方へと導く。 Next, details of the internal structure of the ozone water droplet generating nozzle 21 will be described with reference to FIGS. 4(a) and 4(b). In FIG. 4A, the droplet generating nozzle 21 has a central axis C1 extending along a vertical axis, and a first cylindrical part 212 having an open surface at its lower end; Similarly, a second cylindrical part 213 whose central axis is C1, has a larger diameter than the first cylindrical part 212, and has an open surface at its lower end; A first channel 215 is formed between the inner circumferential surface of the cylindrical portion 213 of No. 2 and allows the ozonated water supplied from the ozonated water supply pipe 32a to flow vertically downward; an ozonated water supply port 216 that is formed and supplies ozonated water vertically downward; an oxygen gas supply port 219 that is formed outside the ozonated water supply port 216 and supplies oxygen gas obliquely downward toward the central axis C1; It consists of: The first cylindrical part 212 guides the UV light irradiated from the irradiation part 211 downward, and emits the UV light from the open surface of the released lower end toward the surface of the substrate. .
Further, the second cylindrical portion 213 is fixed to the lower surface of the fixing portion 210 as a central axis with C1, and is connected to an upper cylindrical portion 213b that communicates with the through hole 210b from the lower end of the upper cylindrical portion 213b, and is centered on C1. The shaft includes a lower cylindrical portion 213c having a smaller diameter than the upper cylindrical portion 213b as a shaft. This second cylindrical portion 213 allows the ozonated water that has flowed down through the through hole 210b formed in the fixed portion 210 to flow into the upper cylindrical portion 213b, and the ozonated water that has flowed into the upper cylindrical portion 213b to flow into the lower cylindrical portion 213c. It is formed between the inner circumferential surface and the outer circumferential surface of the first cylindrical portion 212 and is guided vertically downward through a first flow path 215 .

さらに、液滴生成ノズル２１は、固定部２１０の下面に固設され、第１の円筒部２１２および第２の円筒部２１３と同じくＣ１を中心軸として第２の円筒部２１３の外周面の全周を取り囲むように構成される第３の円筒部２１４ｂと、第３の円筒部２１４ｂの下端から中心軸Ｃ１に向けて第２の円筒部２１３の下端部に近接する位置まで延設される底部２１４ｃとを含む囲い部材２１４を含む。第２の円筒部２１３の外周面と、囲い部材２１４の内面とによって閉空間２１７を形成する。酸素ガス供給配管３１ａから供給される酸素ガスは、第２の円筒部２１３の外周面と、囲い部材２１４の内面とによって形成される閉空間２１７に充てんされる。また、第２の円筒部２１３の下端面２１３ａは、中心軸に向かう斜め下方に傾斜するように構成される。一方、囲い部材２１４にも、第２の円筒部２１３の下端面２１３ａと平行に対向する対向面２１４ａが形成されている。これら第２の円筒部２１３の下端面２１３ａと囲い部材２１４の対向面２１４ａとの間に閉空間２１７と連通する第２の流路２１８が形成されている。この第２の流路２１８は、閉空間２１７に充てんされた酸素ガスを酸素ガス供給口２１９に向けて、中心軸Ｃ１に向かう斜め下方に案内する。 Further, the droplet generation nozzle 21 is fixedly installed on the lower surface of the fixed part 210, and extends over the entire outer peripheral surface of the second cylindrical part 213 with C1 as the central axis, like the first cylindrical part 212 and the second cylindrical part 213. A third cylindrical portion 214b configured to surround the periphery, and a bottom portion extending from the lower end of the third cylindrical portion 214b toward the central axis C1 to a position close to the lower end of the second cylindrical portion 213. 214c. A closed space 217 is formed by the outer peripheral surface of the second cylindrical portion 213 and the inner surface of the enclosing member 214. Oxygen gas supplied from the oxygen gas supply pipe 31a fills a closed space 217 formed by the outer peripheral surface of the second cylindrical portion 213 and the inner surface of the enclosure member 214. Further, the lower end surface 213a of the second cylindrical portion 213 is configured to be inclined obliquely downward toward the central axis. On the other hand, the enclosing member 214 is also formed with an opposing surface 214a that faces the lower end surface 213a of the second cylindrical portion 213 in parallel. A second flow path 218 communicating with the closed space 217 is formed between the lower end surface 213a of the second cylindrical portion 213 and the opposing surface 214a of the enclosing member 214. This second flow path 218 guides the oxygen gas filled in the closed space 217 toward the oxygen gas supply port 219 diagonally downward toward the central axis C1.

第１の円筒部２１２の下端面２１２ａも、中心軸Ｃ１に向かう斜め下方に傾斜するように構成さている。この第１の円筒部２１２の下端面２１２ａと前述した第２の円筒部２１３の下端面２１３ａとは、オゾン水供給口２１６の部分を除いて、中心軸Ｃ１に頂点を有する下方向きの円錐面の一面となるように構成される。 The lower end surface 212a of the first cylindrical portion 212 is also configured to be inclined obliquely downward toward the central axis C1. The lower end surface 212a of the first cylindrical portion 212 and the lower end surface 213a of the second cylindrical portion 213 described above are downward conical surfaces having an apex at the central axis C1, except for the ozonated water supply port 216. It is constructed to be one aspect of the .

＜オゾン水の液滴の生成＞
図５は、液滴生成ノズル２１においてオゾン水の液滴が生成され基板Ｗの表面に供給されている様子を示している。酸素ガス供給口２１９から供給された酸素ガスは、中心軸Ｃ１に向かう途中、オゾン水供給口２１６から供給されるオゾン水と衝突し、オゾン水の液滴が生成される。生成されたオゾン水の液滴は、酸素ガス供給口２１９から続けて供給される酸素ガスのガス流によってさらに寸断される。寸断された液滴は、ガス流に流されて中心軸Ｃ１に向かう。そして、これらオゾン水の液滴は、中心軸Ｃ１付近において互いに衝突し合い、さらに微細な液滴となって基板Ｗの表面に供給される。液滴となったオゾン水は、表面積が大きくなっているので、後述するＵＶ光に曝される割合が液滴になる前に比べて高く、オゾン濃度を高められる。 <Generation of ozonated water droplets>
FIG. 5 shows ozone water droplets being generated in the droplet generation nozzle 21 and being supplied to the surface of the substrate W. The oxygen gas supplied from the oxygen gas supply port 219 collides with the ozonated water supplied from the ozonated water supply port 216 on its way toward the central axis C1, and ozone water droplets are generated. The generated droplets of ozonated water are further shredded by the flow of oxygen gas that is continuously supplied from the oxygen gas supply port 219. The shredded droplets are carried by the gas flow toward the central axis C1. Then, these ozone water droplets collide with each other near the central axis C1, become even finer droplets, and are supplied to the surface of the substrate W. Since the ozonated water that has become a droplet has a large surface area, the rate of exposure to UV light, which will be described later, is higher than before it becomes a droplet, and the ozone concentration can be increased.

また、酸素ガス供給口２１９から供給された酸素ガスのガス流は、中心軸Ｃ１近傍において互いに衝突し合い、基板Ｗの表面に向かう流れに変わる。前述したオゾン水の微細な液滴は、この基板Ｗの表面に向かう酸素ガスの流れに乗って基板Ｗの表面に供給される。このとき、照射部２１１からはＵＶ光が基板Ｗの表面に向けて照射されており、基板Ｗの表面に向かうオゾン水の微細な液滴とともに酸素ガスも、かかるＵＶ光に曝されることとなる。これにより、オゾン水および酸素ガスがともにＵＶ光によって活性化されるので、オゾン水の液滴中のオゾン濃度の低下を抑止できる。 Further, the gas flows of oxygen gas supplied from the oxygen gas supply port 219 collide with each other near the central axis C1, and change into a flow toward the surface of the substrate W. The fine droplets of ozone water mentioned above are supplied to the surface of the substrate W along with the flow of oxygen gas toward the surface of the substrate W. At this time, UV light is irradiated from the irradiation unit 211 toward the surface of the substrate W, and the oxygen gas is also exposed to the UV light along with the fine droplets of ozone water directed toward the surface of the substrate W. Become. As a result, both the ozone water and the oxygen gas are activated by UV light, so it is possible to prevent the ozone concentration in the ozone water droplets from decreasing.

＜処理液供給ノズル＞
図２に戻り、本実施の形態における処理液供給ノズルとして、処理液供給ノズル２２と処理液供給ノズル２３とが処理部１０ａの内部に設けられている。 <Processing liquid supply nozzle>
Returning to FIG. 2, as processing liquid supply nozzles in this embodiment, a processing liquid supply nozzle 22 and a processing liquid supply nozzle 23 are provided inside the processing section 10a.

ここで、処理液供給ノズル２２は、前述したように、液滴生成ノズル２１に連結具によって固定されている。処理液供給ノズル２２は、ノズル移動機構１２によって、液滴生成ノズル２１の動きに連動して旋回および昇降動作を行う。処理液供給ノズル２２は、共通配管３３ａを通じてＳＣ１供給配管３３２ａとＤＩＷ供給配管３３１ａが流路接続されており、基板Ｗの上方の吐出位置において、ＳＣ１またはＤＩＷを基板Ｗの表面に向けて吐出する。 Here, the processing liquid supply nozzle 22 is fixed to the droplet generation nozzle 21 with a connector, as described above. The processing liquid supply nozzle 22 rotates and moves up and down in conjunction with the movement of the droplet generation nozzle 21 by the nozzle moving mechanism 12 . The processing liquid supply nozzle 22 has an SC1 supply pipe 332a and a DIW supply pipe 331a connected through a common pipe 33a, and discharges SC1 or DIW toward the surface of the substrate W at a discharge position above the substrate W. .

また、処理液供給ノズル２３は、ノズル移動機構１３によって旋回および昇降動作を行う。処理液供給ノズル２３は、共通配管３４ａを通じてＨＦ供給配管３４１ａとＤＩＷ供給配管３４２ａが流路接続されており、基板Ｗの上方の吐出位置において、ＨＦまたはＤＩＷを基板Ｗの表面に向けて吐出する。 Further, the processing liquid supply nozzle 23 is rotated and moved up and down by the nozzle moving mechanism 13. The processing liquid supply nozzle 23 has an HF supply pipe 341a and a DIW supply pipe 342a connected through a common pipe 34a, and discharges HF or DIW toward the surface of the substrate W at a discharge position above the substrate W. .

＜電気的構成＞
図６は、本発明の第１実施形態に係る基板処理システム１００の制御部４と各部の構成の関係を示す機能ブロック図である。制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）および記憶装置等を含む。制御部４は、流体供給制御部４ａ、ＵＶ照射制御部４ｂ、ノズル制御部４ｃ、スピン制御部４ｄ、記憶部４ｅおよびレシピ実行部４ｆの各機能制御部を含む。これらの各機能制御部（４ａ～４ｆ）の機能は、制御部４のＣＰＵがＲＯＭまたは記憶装置等の記憶媒体に記憶されたコンピュータプログラムを実行することにより実現される。なお、制御部の機能的な構成要素の一部または全てが電子回路等のハードウェアにより実現されてもよい。 <Electrical configuration>
FIG. 6 is a functional block diagram showing the relationship between the control section 4 and the configuration of each section of the substrate processing system 100 according to the first embodiment of the present invention. The control unit 4 includes a CPU (central processing unit), a ROM (read only memory), a RAM (random access memory), a storage device, and the like. The control section 4 includes a fluid supply control section 4a, a UV irradiation control section 4b, a nozzle control section 4c, a spin control section 4d, a storage section 4e, and a recipe execution section 4f. The functions of each of these functional control units (4a to 4f) are realized by the CPU of the control unit 4 executing a computer program stored in a storage medium such as a ROM or a storage device. Note that some or all of the functional components of the control unit may be realized by hardware such as an electronic circuit.

流体供給制御部４ａは、所定の処理液や酸素ガスを各ノズルから供給する場合に、各供給弁３１ｂ、３２ｂ、３３１ｂ、３３２ｂ、３４１ｂ、３４２ｂの開閉動作を制御して、各供給配管の流路を開かせ、各ノズルから所定の処理液や処理ガスを基板Ｗの表面に供給させる。 The fluid supply control unit 4a controls the opening/closing operation of each supply valve 31b, 32b, 331b, 332b, 341b, and 342b to control the flow of each supply pipe when supplying a predetermined processing liquid or oxygen gas from each nozzle. The channels are opened and a predetermined processing liquid or processing gas is supplied to the surface of the substrate W from each nozzle.

流体供給制御部４ａは、オゾン水の供給状態と非供給状態とを切り変えるようにオゾン水供給弁３２ｂを制御する。流体供給制御部４ａは、液滴生成ノズル２１にオゾン水を供給するときには、オゾン水供給弁３２ｂが開くように制御する。これによって、オゾン水がオゾン水供給配管３２ａを通じて液滴生成ノズル２１に供給される。一方、液滴生成ノズル２１にオゾン水を供給しないときには、流体供給制御部４ａは、オゾン水供給弁３２ｂが閉じるように制御する。これによって、オゾン水供給部３２から液滴生成ノズル２１へのオゾン水の供給が停止される。 The fluid supply control unit 4a controls the ozonated water supply valve 32b to switch between an ozonated water supply state and a non-supply state. The fluid supply control unit 4a controls the ozone water supply valve 32b to open when supplying ozone water to the droplet generation nozzle 21. Thereby, ozonated water is supplied to the droplet generation nozzle 21 through the ozonated water supply pipe 32a. On the other hand, when ozonated water is not supplied to the droplet generation nozzle 21, the fluid supply control section 4a controls the ozonated water supply valve 32b to close. As a result, the supply of ozonated water from the ozonated water supply section 32 to the droplet generation nozzle 21 is stopped.

流体供給制御部４ａは、酸素ガスの供給状態と非供給状態とを切り変えるように酸素ガス供給弁３１ｂを制御する。流体供給制御部４ａは、液滴生成ノズル２１に酸素ガスを供給するときには、酸素ガス供給弁３１ｂが開くように制御する。これによって、酸素ガスが酸素ガス供給配管３１ａを通じて液滴生成ノズル２１に供給される。一方、液滴生成ノズル２１に酸素ガスを供給しないときには、流体供給制御部４ａは、酸素ガス供給弁３１ｂが閉じるように制御する。これによって、酸素ガス供給源３１から液滴生成ノズル２１への酸素ガスの供給が停止される。 The fluid supply control unit 4a controls the oxygen gas supply valve 31b to switch between a supply state and a non-supply state of oxygen gas. The fluid supply control unit 4a controls the oxygen gas supply valve 31b to open when supplying oxygen gas to the droplet generation nozzle 21. Thereby, oxygen gas is supplied to the droplet generation nozzle 21 through the oxygen gas supply pipe 31a. On the other hand, when oxygen gas is not supplied to the droplet generation nozzle 21, the fluid supply control section 4a controls the oxygen gas supply valve 31b to close. As a result, the supply of oxygen gas from the oxygen gas supply source 31 to the droplet generation nozzle 21 is stopped.

流体供給制御部４ａは、ＳＣ１の供給状態と非供給状態とを切り変えるようにＳＣ１供給弁３３２ｂを制御する。流体供給制御部４ａは、処理液供給ノズル２２にＳＣ１を供給するときには、ＳＣ１供給弁３３２ｂが開くように制御する。これによって、ＳＣ１がＳＣ１供給配管３３２ａ、共通配管３３ａを通じて処理液供給ノズル２２に供給される。一方、処理液供給ノズル２２にＳＣ１を供給しないときには、流体供給制御部４ａは、ＳＣ１供給弁３３２ｂが閉じるように制御する。これによって、ＳＣ１供給部３３２から処理液供給ノズル２２へのＳＣ１の供給が停止される。 The fluid supply control unit 4a controls the SC1 supply valve 332b to switch between a supply state and a non-supply state of SC1. When supplying SC1 to the processing liquid supply nozzle 22, the fluid supply control unit 4a controls the SC1 supply valve 332b to open. As a result, SC1 is supplied to the processing liquid supply nozzle 22 through the SC1 supply pipe 332a and the common pipe 33a. On the other hand, when SC1 is not supplied to the processing liquid supply nozzle 22, the fluid supply control unit 4a controls the SC1 supply valve 332b to close. As a result, the supply of SC1 from the SC1 supply unit 332 to the processing liquid supply nozzle 22 is stopped.

流体供給制御部４ａは、ＤＩＷの供給状態と非供給状態とを切り変えるようにＤＩＷ供給弁３３１ｂを制御する。流体供給制御部４ａは、処理液供給ノズル２２にＤＩＷを供給するときには、ＤＩＷ供給弁３３１ｂが開くように制御する。これによって、ＤＩＷがＤＩＷ供給配管３３１ａ、共通配管３３ａを通じて処理液供給ノズル２２に供給される。一方、処理液供給ノズル２２にＤＩＷを供給しないときには、流体供給制御部４ａは、ＤＩＷ供給弁３３１ｂが閉じるように制御する。これによって、ＤＩＷ供給源３３１から処理液供給ノズル２２へのＤＩＷの供給が停止される。 The fluid supply control unit 4a controls the DIW supply valve 331b to switch between a DIW supply state and a non-supply state. The fluid supply control unit 4a controls the DIW supply valve 331b to open when supplying DIW to the processing liquid supply nozzle 22. As a result, DIW is supplied to the processing liquid supply nozzle 22 through the DIW supply pipe 331a and the common pipe 33a. On the other hand, when DIW is not supplied to the processing liquid supply nozzle 22, the fluid supply control section 4a controls the DIW supply valve 331b to close. As a result, the supply of DIW from the DIW supply source 331 to the processing liquid supply nozzle 22 is stopped.

流体供給制御部４ａは、ＨＦの供給状態と非供給状態とを切り変えるようにＨＦ供給弁３４１ｂを制御する。流体供給制御部４ａは、処理液供給ノズル２３にＨＦを供給するときには、ＨＦ供給弁３４１ｂが開くように制御する。これによって、ＨＦがＨＦ供給配管３４１ａ、共通配管３４ａを通じて処理液供給ノズル２３に供給される。一方、処理液供給ノズル２３にＨＦを供給しないときには、流体供給制御部４ａは、ＨＦ供給弁３４１ｂが閉じるように制御する。これによって、ＨＦ供給部３４１から処理液供給ノズル２３へのＨＦの供給が停止される。 The fluid supply control unit 4a controls the HF supply valve 341b to switch between an HF supply state and a non-supply state. When supplying HF to the processing liquid supply nozzle 23, the fluid supply control unit 4a controls the HF supply valve 341b to open. As a result, HF is supplied to the processing liquid supply nozzle 23 through the HF supply pipe 341a and the common pipe 34a. On the other hand, when HF is not supplied to the processing liquid supply nozzle 23, the fluid supply control section 4a controls the HF supply valve 341b to close. As a result, the supply of HF from the HF supply section 341 to the processing liquid supply nozzle 23 is stopped.

流体供給制御部４ａは、ＤＩＷの供給状態と非供給状態とを切り変えるようにＤＩＷ供給弁３４２ｂを制御する。流体供給制御部４ａは、処理液供給ノズル２３にＤＩＷを供給するときには、ＤＩＷ供給弁３４２ｂが開くように制御する。これによって、ＤＩＷがＤＩＷ供給配管３４２ａ、共通配管３４ａを通じて処理液供給ノズル２３に供給される。一方、処理液供給ノズル２３にＤＩＷを供給しないときには、流体供給制御部４ａは、ＤＩＷ供給弁３４２ｂが閉じるように制御する。これによって、ＤＩＷ供給源３４２から処理液供給ノズル２３へのＤＩＷの供給が停止される。 The fluid supply control unit 4a controls the DIW supply valve 342b to switch between a DIW supply state and a non-supply state. The fluid supply control unit 4a controls the DIW supply valve 342b to open when supplying DIW to the processing liquid supply nozzle 23. As a result, DIW is supplied to the processing liquid supply nozzle 23 through the DIW supply pipe 342a and the common pipe 34a. On the other hand, when DIW is not supplied to the processing liquid supply nozzle 23, the fluid supply control section 4a controls the DIW supply valve 342b to close. As a result, the supply of DIW from the DIW supply source 342 to the processing liquid supply nozzle 23 is stopped.

ＵＶ照射制御部４ｂは、照射部２１１からＵＶ光を照射する照射状態とＵＶ光を照射しない非照射状態とを切り変えるように、照射部２１１を制御する。ＵＶ光を照射する照射状態のとき、ＵＶ照射制御部４ｂは、照射部２１１がＵＶ光を照射するように制御して照射部２１１からＵＶ光を照射させる。ＵＶ光を照射しない非照射状態のとき、ＵＶ照射制御部４ｂは、照射部２１１がＵＶ光を照射しないように制御して、照射部２１１からのＵＶ光の照射を停止させる。 The UV irradiation control unit 4b controls the irradiation unit 211 to switch between an irradiation state in which UV light is irradiated from the irradiation unit 211 and a non-irradiation state in which no UV light is irradiated. In the irradiation state where UV light is irradiated, the UV irradiation control section 4b controls the irradiation section 211 to irradiate the UV light, and causes the irradiation section 211 to irradiate the UV light. In the non-irradiation state in which UV light is not irradiated, the UV irradiation control section 4b controls the irradiation section 211 not to irradiate UV light, and stops the irradiation of UV light from the irradiation section 211.

ノズル制御部４ｃは、液滴生成ノズル２１や処理液供給ノズル２２、２３を用いて基板Ｗに処理を行う時に、ノズル移動機構１２またはノズル移動機構１３が昇降動作と旋回動作を行うように昇降駆動部１２ｂ、１３ｂおよび旋回駆動部１２ｃ、１３ｃの駆動を制御する。 The nozzle control unit 4c raises and lowers the nozzle moving mechanism 12 or the nozzle moving mechanism 13 to perform an ascending and descending operation and a turning operation when processing the substrate W using the droplet generation nozzle 21 and the processing liquid supply nozzles 22 and 23. Controls the drive parts 12b, 13b and the swing drive parts 12c, 13c.

スピン制御部４ｄは、処理部１０ａにおいて基板Ｗを処理するとき、スピンチャック１１のチャックピン１１ａを閉じるように制御して基板Ｗを保持させるとともに、スピンベース１１ｂの回転動作を制御して基板Ｗの回転速度を可変させる。処理部１０ａにおいて基板Ｗの処理が終わると、スピン制御部４ｄは、基板Ｗの回転を停止させるとともに、基板Ｗの保持状態を開放するように、スピンベース１１ｂとチャックピン１１ａとを制御する。 When processing the substrate W in the processing section 10a, the spin control section 4d controls the chuck pins 11a of the spin chuck 11 to close to hold the substrate W, and also controls the rotational operation of the spin base 11b to process the substrate W. The rotation speed of the machine can be varied. When the processing of the substrate W is finished in the processing section 10a, the spin control section 4d controls the spin base 11b and the chuck pins 11a so as to stop the rotation of the substrate W and release the holding state of the substrate W.

レシピ実行部４ｆは、基板Ｗに対して種々の処理を行う際に、記憶部４ｅに記憶された基板Ｗに処理を行うための処理レシピを記憶部４ｅから読み取り、前述した各制御部へ動作指示を送る。本実施の形態では、レシピ実行部４ｆは、図７に示す各ステップ（ステップＳＴ１～６）を実行するためのレシピを記憶部４ｅから読み取り、その動作指示を各制御部へ送る。 When performing various processes on the substrate W, the recipe execution section 4f reads a processing recipe for processing the substrate W stored in the storage section 4e from the storage section 4e, and sends the processing recipe to each of the aforementioned control sections. Send instructions. In this embodiment, the recipe execution unit 4f reads a recipe for executing each step (steps ST1 to ST6) shown in FIG. 7 from the storage unit 4e, and sends the operation instruction to each control unit.

＜被処理物について：レジスト膜に覆われた基板の例＞
続いて、図７～９を参照しながら上記実施の形態に係る基板処理装置において行う基板の処理方法について説明する。 <About the object to be processed: Example of a substrate covered with a resist film>
Next, a substrate processing method performed in the substrate processing apparatus according to the above embodiment will be described with reference to FIGS. 7 to 9.

以下に説明する基板処理方法は、その表面にレジスト膜６３が覆われ、当該レジスト膜６３の表層が高エネルギーのイオン注入処理により炭化して硬化した硬化膜６２ａが形成された状態の基板Ｗに適用される。なお、硬化膜６２ａは、レジスト膜中の有機物が炭化したアモルファスカーボンを部分的に有し、硬化膜６２ａの表層は、通常、自然酸化膜６１に覆われている（図９参照）。 The substrate processing method described below is applied to a substrate W whose surface is covered with a resist film 63, and a hardened film 62a is formed in which the surface layer of the resist film 63 is carbonized and hardened by high-energy ion implantation processing. Applicable. The cured film 62a partially includes amorphous carbon obtained by carbonizing organic matter in the resist film, and the surface layer of the cured film 62a is usually covered with a natural oxide film 61 (see FIG. 9).

基板Ｗは、キャリアＣから搬送ロボットＩＲおよびＣＲにより処理部１０ａに搬送される。処理部１０ａに搬送された基板Ｗは、スピンチャック１１の上に載置された後、チャックピン１１ａによって水平に保持される。チャックピン１１ａによって保持された基板Ｗは、スピンベース１１ｂが回転するのに合わせて、水平に回転する。 The substrate W is transported from the carrier C to the processing section 10a by transport robots IR and CR. The substrate W transported to the processing section 10a is placed on the spin chuck 11 and then held horizontally by the chuck pins 11a. The substrate W held by the chuck pins 11a rotates horizontally as the spin base 11b rotates.

＜ＨＦ処理＞
水平に回転している基板Ｗに対して、ＨＦを供給して基板Ｗの表面を覆う自然酸化膜６１を除去し、基板Ｗの表面に残ったＨＦをＤＩＷにより洗い流す処理を行う（ステップＳＴ１）。 <HF treatment>
HF is supplied to the horizontally rotating substrate W to remove the natural oxide film 61 covering the surface of the substrate W, and the HF remaining on the surface of the substrate W is washed away by DIW (step ST1). .

このステップＳＴ１において、まず、ノズル制御部４ｃが、ノズル移動機構１３を制御することにより、処理液供給ノズル２３をカップの外の待機位置から基板Ｗ上の中心上方の吐出位置に移動させる。次に時刻ｔ１において、流体供給制御部４ａが、ＨＦ供給弁３４１ｂを開くように制御する。これによって、ＨＦ供給部３４１からＨＦが、ＨＦ供給配管３４１ａ、共通配管３４ａを通じて処理液供給ノズル２３に送液され、当該処理液供給ノズル２３からＨＦが基板Ｗ上に供給される（図９（ａ１）参照）。 In step ST1, first, the nozzle control unit 4c moves the processing liquid supply nozzle 23 from a standby position outside the cup to a discharge position above the center of the substrate W by controlling the nozzle moving mechanism 13. Next, at time t1, the fluid supply control section 4a controls the HF supply valve 341b to open. As a result, HF is sent from the HF supply unit 341 to the processing liquid supply nozzle 23 through the HF supply pipe 341a and the common pipe 34a, and HF is supplied onto the substrate W from the processing liquid supply nozzle 23 (see FIG. 9). a1)).

供給されたＨＦにより基板Ｗの表層にある硬化膜付きレジストを覆う自然酸化膜６１が除去される。自然酸化膜６１が除去されると、硬化膜６２ａが基板Ｗの表面に露出し、図９の（ａ２）の状態となる。 The natural oxide film 61 covering the cured film resist on the surface layer of the substrate W is removed by the supplied HF. When the natural oxide film 61 is removed, the cured film 62a is exposed on the surface of the substrate W, resulting in the state shown in (a2) in FIG.

時刻ｔ２において、流体供給制御部４ａが、ＨＦ供給弁３４１ｂを閉じるように制御する。これによって、ＨＦ供給部３４１から処理液供給ノズル２３へのＨＦの供給が停止し、ＨＦによる処理が終了する。 At time t2, the fluid supply control unit 4a controls the HF supply valve 341b to close. As a result, the supply of HF from the HF supply unit 341 to the processing liquid supply nozzle 23 is stopped, and the processing using HF is completed.

また時刻ｔ２において、流体供給制御部４ａは、ＤＩＷ供給弁３４２ｂを開くように制御する。これによって、ＤＩＷ供給源３４２からＤＩＷが、ＤＩＷ供給配管３４２ａ、共通配管３４ａを通じて処理液供給ノズル２３に送液され、当該処理液供給ノズル２３からＤＩＷが基板Ｗの表面に供給されて基板Ｗ上に残っているＨＦを洗い流す。 Further, at time t2, the fluid supply control unit 4a controls the DIW supply valve 342b to open. As a result, DIW is sent from the DIW supply source 342 to the processing liquid supply nozzle 23 through the DIW supply pipe 342a and the common pipe 34a, and the DIW is supplied from the processing liquid supply nozzle 23 to the surface of the substrate W. Wash away any remaining HF.

基板Ｗ上に残っていたＨＦを洗い流した後、時刻ｔ３おいて流体供給制御部４ａは、ＤＩＷ供給弁３４２ｂを閉じるように制御する。これによって、ＤＩＷ供給源３４２から処理液供給ノズル２３へのＤＩＷの供給が停止される。そして、ノズル制御部４ｃがノズル移動機構１３を制御して、基板Ｗの中心上方に配置されている処理液供給ノズル２３をカップの外の待機位置に退避させる。処理液供給ノズル２３がカップの外に退避した後、基板Ｗ上に残る水分は基板Ｗの回転から生じる遠心力によって除去される。これにより、続くＵＶ処理におけるＵＶ光の基板Ｗの表面への到達が基板Ｗ上の水分により妨げられるのを抑制できる。 After washing away the HF remaining on the substrate W, the fluid supply control unit 4a controls the DIW supply valve 342b to close at time t3. As a result, the supply of DIW from the DIW supply source 342 to the processing liquid supply nozzle 23 is stopped. Then, the nozzle control unit 4c controls the nozzle moving mechanism 13 to retract the processing liquid supply nozzle 23 located above the center of the substrate W to a standby position outside the cup. After the processing liquid supply nozzle 23 is retracted out of the cup, the moisture remaining on the substrate W is removed by the centrifugal force generated from the rotation of the substrate W. This can prevent moisture on the substrate W from preventing UV light from reaching the surface of the substrate W in the subsequent UV treatment.

これら一連のＨＦおよびＤＩＷによる基板Ｗへの処理は、図８におけるタイムチャートにおいて、時刻ｔ１からｔ３の間に実行される。このとき、図８に示す基板Ｗの回転数は、たとえば、６００～１２００ｒｐｍほどである。また、前述の基板Ｗから水分を除去する際には、遠心力を大きくするために２０００～２５００ｒｐｍほどにしてもよい。 These series of HF and DIW treatments on the substrate W are performed between times t1 and t3 in the time chart of FIG. 8. At this time, the rotation speed of the substrate W shown in FIG. 8 is, for example, about 600 to 1200 rpm. Further, when removing moisture from the substrate W described above, the speed may be set at about 2000 to 2500 rpm in order to increase the centrifugal force.

＜ＵＶ処理＞
次に、硬化膜６２ａが表面に露出した基板Ｗに対して、照射部２１１からＵＶ光を照射し、硬化膜６２ａを分解する処理を行う（ステップＳＴ２）。 <UV treatment>
Next, the substrate W with the cured film 62a exposed on the surface is irradiated with UV light from the irradiation unit 211 to perform a process of decomposing the cured film 62a (step ST2).

このステップＳＴ２では、まず、ノズル制御部４ｃが、ノズル移動機構１２を制御して、液滴生成ノズル２１を、カップの外の待機位置から基板Ｗ上の中心上方の照射開始位置まで移動させる。かかる移動によって、第１の円筒部２１２の下端部の開放面が基板Ｗの中心に向き合うように配置される。この間、スピン制御部４ｄがスピンチャック１１の回転数を、たとえば、５０～５００ｒｐｍほどまで減速させるように制御する。 In step ST2, first, the nozzle control unit 4c controls the nozzle moving mechanism 12 to move the droplet generating nozzle 21 from the standby position outside the cup to the irradiation start position above the center of the substrate W. Due to this movement, the open surface of the lower end of the first cylindrical portion 212 is arranged to face the center of the substrate W. During this time, the spin control unit 4d controls the rotation speed of the spin chuck 11 to reduce the rotation speed to, for example, about 50 to 500 rpm.

液滴生成ノズル２１が照射開始位置に配置されると、次に、時刻ｔ４においてＵＶ照射制御部４ｂが、照射部２１１を制御して基板Ｗの中心に向けてＵＶ光を照射させる。そして、ノズル制御部４ｃが、ノズル移動機構１２を制御して液滴生成ノズル２１を基板Ｗの中心上方から基板Ｗの周縁部上方までの間を往復移動させる。 When the droplet generation nozzle 21 is placed at the irradiation start position, the UV irradiation control section 4b controls the irradiation section 211 to irradiate the center of the substrate W with UV light at time t4. Then, the nozzle control unit 4c controls the nozzle moving mechanism 12 to reciprocate the droplet generation nozzle 21 from above the center of the substrate W to above the periphery of the substrate W.

かかる移動によって、図９（ｂ１）のように、照射部２１１から照射されるＵＶ光が回転している基板Ｗの中心から基板Ｗの周縁部まで照射される（第２の照射工程）ので、基板Ｗの全面がＵＶ光に曝される。これにより、硬化膜６２ａ中のアモルファスカーボンの炭素―炭素結合が切断され、硬化膜６２ａを部分的に分解することができる。かかる分解によって、硬化膜６２ａ中に隙間が生じるので、オゾン水および処理液を侵入させやすい状態にできる。図９の（ｂ２）のように、前述のような状態となった硬化膜６２ａを以降は分解膜６２ｂと記載する。 Due to this movement, as shown in FIG. 9(b1), the UV light irradiated from the irradiation unit 211 is irradiated from the center of the rotating substrate W to the periphery of the substrate W (second irradiation step). The entire surface of the substrate W is exposed to UV light. This breaks the carbon-carbon bonds of the amorphous carbon in the cured film 62a, allowing the cured film 62a to be partially decomposed. This decomposition creates gaps in the cured film 62a, making it easy for ozone water and treatment liquid to enter. The cured film 62a in the above-described state as shown in FIG. 9(b2) will hereinafter be referred to as a decomposed film 62b.

これら一連のＵＶ光を基板Ｗへ照射する処理は、図８におけるタイムチャートにおいて、時刻ｔ４からｔ５の間に実行される。このとき、図８に示す基板Ｗの回転数は、たとえば、５０～５００ｒｐｍほどである。次に記載する第１の酸素雰囲気形成工程の前にＵＶ光を照射することで、酸素雰囲気によって基板Ｗの表面に到達するＵＶ光が減衰されることを抑制できる。これにより、硬化膜６２ａを効果的に分解することができる。 The process of irradiating the substrate W with a series of these UV lights is executed between time t4 and t5 in the time chart in FIG. At this time, the rotation speed of the substrate W shown in FIG. 8 is, for example, about 50 to 500 rpm. By irradiating UV light before the first oxygen atmosphere forming step described next, it is possible to suppress attenuation of the UV light reaching the surface of the substrate W due to the oxygen atmosphere. Thereby, the cured film 62a can be effectively decomposed.

＜酸素ガス供給＞
次に、硬化膜６２ａの一部が分解された分解膜６２ｂが表面に露出した基板Ｗに向けて酸素ガスを供給し（第１の酸素雰囲気形成工程）、その酸素ガスにＵＶ光を照射してオゾンガスを発生させる（ステップＳＴ３）。 <Oxygen gas supply>
Next, oxygen gas is supplied toward the substrate W where the decomposed film 62b, in which a part of the cured film 62a has been decomposed, is exposed on the surface (first oxygen atmosphere formation step), and the oxygen gas is irradiated with UV light. ozone gas is generated (step ST3).

このステップＳＴ３では、前述したステップＳＴ２から引き続いて照射部２１１からＵＶ光が基板Ｗに向けて照射され続けている。また、図９（ｃ１）に示すように、液滴生成ノズル２１は、ステップＳＴ３の開始時点で基板Ｗの中心上方に配置される。 In this step ST3, UV light continues to be irradiated from the irradiation unit 211 toward the substrate W following step ST2 described above. Further, as shown in FIG. 9(c1), the droplet generating nozzle 21 is placed above the center of the substrate W at the start of step ST3.

液滴生成ノズル２１が基板Ｗの中心上方に配置された状態で、時刻ｔ５において流体供給制御部４ａが、酸素ガス供給弁３１ｂを開くように制御する。これにより酸素ガス供給部３１から酸素ガスが酸素ガス供給配管３１ａ通じて液滴生成ノズル２１に供給される。 With the droplet generation nozzle 21 disposed above the center of the substrate W, the fluid supply control unit 4a controls the oxygen gas supply valve 31b to open at time t5. Thereby, oxygen gas is supplied from the oxygen gas supply section 31 to the droplet generation nozzle 21 through the oxygen gas supply pipe 31a.

液滴生成ノズル２１に供給された酸素ガスは、液滴生成ノズル２１から基板Ｗに向けて供給される。詳細には、まず、酸素ガスは、図４（ａ）の固定部２１０の貫通孔２１０ａ、閉空間２１７、第２の流路２１８を通じて酸素ガス供給口２１９から吐出される。この酸素ガス供給口２１９から吐出された酸素ガスは、第１の円筒部２１２の下端面２１２ａに沿って中心軸Ｃ１に向けた斜め下方に流動する。そして、かかる酸素ガスは、中心軸Ｃ１の近傍に集まりお互いに衝突し、その流れの向きを鉛直下方に変えて、基板Ｗに向けて供給される。これにより、基板Ｗの表面のオゾン水の液滴が供給される領域に予め酸素雰囲気を形成する（第１の酸素雰囲気形成工程）。 The oxygen gas supplied to the droplet generation nozzle 21 is supplied toward the substrate W from the droplet generation nozzle 21 . Specifically, first, oxygen gas is discharged from the oxygen gas supply port 219 through the through hole 210a of the fixed part 210, the closed space 217, and the second flow path 218 in FIG. 4(a). The oxygen gas discharged from the oxygen gas supply port 219 flows obliquely downward toward the central axis C1 along the lower end surface 212a of the first cylindrical portion 212. The oxygen gas gathers near the central axis C1 and collides with each other, changes the flow direction vertically downward, and is supplied toward the substrate W. As a result, an oxygen atmosphere is previously formed in the region of the surface of the substrate W to which the ozone water droplets are supplied (first oxygen atmosphere formation step).

ここで、基板Ｗに向かう酸素ガスは、第１の円筒部２１２の下端部の開放面から放射されるＵＶ光に曝される。これによってオゾンガスが発生し、基板Ｗの上面近傍が、酸素ガスとオゾンガスが混じったオゾンガス雰囲気となる。このオゾンガス雰囲気は、後述するオゾン水の液滴からオゾンが失われることを抑制する機能を果たす。 Here, the oxygen gas heading toward the substrate W is exposed to UV light emitted from the open surface of the lower end of the first cylindrical portion 212 . Ozone gas is thereby generated, and the vicinity of the upper surface of the substrate W becomes an ozone gas atmosphere containing a mixture of oxygen gas and ozone gas. This ozone gas atmosphere functions to suppress the loss of ozone from droplets of ozonated water, which will be described later.

これら一連の酸素ガスを基板Ｗに供給する工程は、図８におけるタイムチャートにおいて、時刻ｔ５からｔ６の間に実行される。このとき、図８に示す基板Ｗの回転数は、たとえば、５０～５００ｒｐｍほどである。また、図９（ｃ１）に示すように、液滴生成ノズル２１は、基板Ｗの中心上方から周縁部上方までの間を往復移動する。これにより、オゾン水の液滴からオゾンが失われることを抑制するためのオゾンガス雰囲気を基板Ｗの全面に予め準備することができる。 These series of steps for supplying oxygen gas to the substrate W are performed between times t5 and t6 in the time chart in FIG. 8. At this time, the rotation speed of the substrate W shown in FIG. 8 is, for example, about 50 to 500 rpm. Further, as shown in FIG. 9(c1), the droplet generating nozzle 21 reciprocates from above the center of the substrate W to above the periphery. Thereby, an ozone gas atmosphere for suppressing ozone loss from ozone water droplets can be prepared in advance over the entire surface of the substrate W.

＜オゾン水処理＞
続いて、液滴生成ノズル２１からオゾン水の液滴を基板Ｗに供給して、基板Ｗの表面の分解膜６２ｂおよびレジスト膜６３を除去する処理を行う（ステップＳＴ４）。 <Ozone water treatment>
Subsequently, ozone water droplets are supplied to the substrate W from the droplet generation nozzle 21 to perform a process of removing the decomposed film 62b and the resist film 63 on the surface of the substrate W (step ST4).

このステップＳＴ４では、前述したステップＳＴ３から引き続いて照射部２１１からＵＶ光が基板Ｗに向けて照射され、酸素ガス供給口２１９から酸素ガスが供給されている。また、図９（ｄ１）に示すように、液滴生成ノズル２１は、ステップＳＴ４の開始時点で基板Ｗの周縁部に配置される。 In step ST4, UV light is irradiated from the irradiation unit 211 toward the substrate W following step ST3 described above, and oxygen gas is supplied from the oxygen gas supply port 219. Further, as shown in FIG. 9(d1), the droplet generating nozzle 21 is arranged at the peripheral edge of the substrate W at the start of step ST4.

まず、時刻ｔ６において、流体供給制御部４ａが、オゾン水供給弁３２ｂを開くように制御する。これにより、オゾン水供給部３２からオゾン水供給配管３２ａ通じてオゾン水が液滴生成ノズル２１に供給される。 First, at time t6, the fluid supply control section 4a controls the ozone water supply valve 32b to open. Thereby, ozonated water is supplied from the ozonated water supply section 32 to the droplet generation nozzle 21 through the ozonated water supply pipe 32a.

液滴生成ノズル２１に供給されたオゾン水は、液滴生成ノズル２１から基板Ｗに向けて液滴となって供給される。詳細には、以下の通りである。即ち、図４のオゾン水供給口２１６から基板Ｗに向けて流下したオゾン水は、酸素ガス供給口２１９から吐出された酸素ガスのガス流と衝突して寸断される。これにより、オゾン水供給口２１６の近傍でオゾン水の液滴が生成される（液滴生成工程）。そして、オゾン水の液滴が酸素ガスのガス流に乗って液滴生成ノズル２１から基板Ｗの表面に供給される（液滴供給工程）。 The ozone water supplied to the droplet generation nozzle 21 is supplied from the droplet generation nozzle 21 toward the substrate W in the form of droplets. The details are as follows. That is, the ozonated water flowing down toward the substrate W from the ozonated water supply port 216 in FIG. 4 collides with the gas flow of oxygen gas discharged from the oxygen gas supply port 219 and is fragmented. As a result, ozonated water droplets are generated near the ozonated water supply port 216 (droplet generation step). Then, the droplets of ozone water are supplied to the surface of the substrate W from the droplet generation nozzle 21 on the flow of oxygen gas (droplet supply step).

さらに、液滴となったオゾン水は、液滴生成ノズル２１から基板Ｗに供給されるまでの間に、第１の円筒部２１２の下端部の開放面から放射されるＵＶ光に曝される（第１の照射工程）。液滴となったオゾン水は、表面積が大きくなっているので、ＵＶ光に曝される割合が液滴になる前に比べて高くなり、オゾン濃度が高められる。このようなオゾン濃度が高められたオゾン水の液滴が、基板Ｗの表面の分解膜６２ｂおよびレジスト膜６３に対して効果的に作用し、分解膜６２ｂおよびレジスト膜６３を確実に除去することができる。 Furthermore, the ozone water that has become droplets is exposed to UV light emitted from the open surface of the lower end of the first cylindrical part 212 before being supplied from the droplet generation nozzle 21 to the substrate W. (First irradiation step). Ozonated water that has become a droplet has a larger surface area, so the rate of exposure to UV light is higher than before it becomes a droplet, and the ozone concentration is increased. These ozone water droplets with increased ozone concentration act effectively on the decomposed film 62b and resist film 63 on the surface of the substrate W, and reliably remove the decomposed film 62b and resist film 63. I can do it.

本実施の形態では、オゾン水供給口２１６の近傍で液滴となったオゾン水は、酸素ガス供給口２１９から供給された酸素ガスの流れに乗って図４の中心軸Ｃ１付近で互いに衝突しあい、さらに細かく寸断され、一層微小な液滴となる。これにより、オゾン水の液滴の表面積がさらに増え、ＵＶ光に曝される面積が一層広くなり、一層効率的にオゾン水を活性化することができる。 In this embodiment, ozonated water that has become droplets near the ozonated water supply port 216 rides on the flow of oxygen gas supplied from the oxygen gas supply port 219 and collides with each other near the central axis C1 in FIG. , it is further shredded into even smaller droplets. As a result, the surface area of the ozonated water droplets is further increased, the area exposed to UV light is further increased, and the ozonated water can be activated more efficiently.

また、このとき、図８のタイムチャートおよび図９（ｄ１）に示すように、時刻ｔ６からｔ７にかけて、上記したオゾン水の供給と並行して、酸素ガスも酸素ガス供給口２１９から基板Ｗに向けて供給され続けている。この時刻ｔ６からｔ７までの期間もステップＳＴ３のときと同様に、酸素ガスは第１の円筒部２１２の下端部の開放面から放射されるＵＶ光に曝されており、液滴生成ノズル２１と基板Ｗの間の空間には逐次オゾンガスが発生する。これにより、オゾン水の液滴からオゾンガスが抜けてオゾン濃度が低下することを抑制できる。なお、この酸素ガスの供給は、液滴供給工程の終了時点から所定の時間、たとえば、５～１０秒続けられてもよい。即ち、基板Ｗの表面に残ったオゾン水がレジスト膜６３に作用している間、基板Ｗの上面近傍にオゾンガス雰囲気を形成し続け、この基板Ｗの表面に残ったオゾン水からオゾンが失われることを抑制できる。 At this time, as shown in the time chart of FIG. 8 and FIG. 9(d1), from time t6 to t7, oxygen gas is also supplied to the substrate W from the oxygen gas supply port 219 in parallel with the supply of ozone water described above. continues to be supplied to During this period from time t6 to t7, as in step ST3, the oxygen gas is exposed to UV light emitted from the open surface of the lower end of the first cylindrical part 212, and the droplet generating nozzle 21 and Ozone gas is sequentially generated in the space between the substrates W. Thereby, it is possible to suppress the ozone gas from escaping from the ozone water droplets and the ozone concentration from decreasing. Note that this supply of oxygen gas may be continued for a predetermined period of time, for example, 5 to 10 seconds from the end of the droplet supply step. That is, while the ozone water remaining on the surface of the substrate W acts on the resist film 63, an ozone gas atmosphere continues to be formed near the top surface of the substrate W, and ozone is lost from the ozone water remaining on the surface of the substrate W. can be suppressed.

分解膜６２ｂに、オゾン濃度を維持したオゾン水の液滴が供給されると、オゾン水が、分解膜６２ｂ中の隙間から侵入し、分解膜６２ｂの下にあるレジスト膜６３までオゾン水が浸透する。これによって、レジスト膜６３が分解され基板Ｗ表面から除去されるとともに、レジスト膜６３上に形成されていた分解膜６２ｂもレジスト膜とともに基板Ｗ上から除去される。このとき、オゾン水の液滴は、液滴生成ノズル２１から酸素ガスのガス流に乗って基板Ｗ上に噴射されており、大きな物理エネルギーを有しているので、分解膜６２ｂおよびレジスト膜６３を一層効果的に除去することができる。 When droplets of ozonated water with the ozone concentration maintained are supplied to the decomposition membrane 62b, the ozone water enters through the gaps in the decomposition membrane 62b, and the ozone water permeates up to the resist film 63 below the decomposition membrane 62b. do. As a result, the resist film 63 is decomposed and removed from the surface of the substrate W, and the decomposed film 62b formed on the resist film 63 is also removed from the substrate W together with the resist film. At this time, the ozone water droplets are injected onto the substrate W from the droplet generation nozzle 21 in the flow of oxygen gas and have large physical energy, so that the decomposed film 62b and the resist film 63 can be removed more effectively.

時刻ｔ７において、オゾン水の液滴による分解膜６２ｂとレジスト膜６３の除去が完了すると、流体供給制御部４ａが供給弁３２ｂを閉じるように制御する。これにより液滴生成ノズル２１からのオゾン水の供給が停止する。また、同時刻である時刻ｔ７において、流体供給制御部４ａが供給弁３１ｂを閉じるように制御する。これにより液滴生成ノズル２１からの酸素ガスの供給も停止する。さらに、同時刻である時刻ｔ７において、ＵＶ照射制御部４ｂが照射部２１１からのＵＶ光の照射を停止するように制御する。 At time t7, when the removal of the decomposition film 62b and resist film 63 by the ozone water droplets is completed, the fluid supply control unit 4a controls the supply valve 32b to close. As a result, the supply of ozone water from the droplet generation nozzle 21 is stopped. Further, at the same time, time t7, the fluid supply control unit 4a controls the supply valve 31b to close. This also stops the supply of oxygen gas from the droplet generation nozzle 21. Furthermore, at time t7, which is the same time, the UV irradiation control section 4b controls the irradiation of UV light from the irradiation section 211 to stop.

なお、前述したＵＶ光の照射の停止と、オゾン水および酸素ガスの供給の停止のタイミングとは同時であってもよいが、ＵＶ光の照射は、液滴供給工程の終了後の一定時刻まで継続することが好ましい。この場合、ＵＶ光は、基板Ｗの表面に付着したオゾン水に照射され続けるため、オゾン水中の酸素ガスを活性化し、オゾン水からオゾンガス抜けてオゾン濃度が低下することを抑制でき、オゾン水をより長く高濃度に保つことができ、分解膜６２ｂおよびレジスト膜６３をより一層効果的に除去することができる。 Note that the above-mentioned timing of stopping UV light irradiation and stopping the supply of ozonated water and oxygen gas may be at the same time, but UV light irradiation may be continued until a certain time after the end of the droplet supply process. It is preferable to continue. In this case, the UV light continues to irradiate the ozonated water adhering to the surface of the substrate W, which activates the oxygen gas in the ozonated water and suppresses ozone gas from escaping from the ozonated water and the ozone concentration from decreasing. The high concentration can be maintained for a longer period of time, and the decomposed film 62b and the resist film 63 can be removed more effectively.

これら一連のオゾン水の液滴を基板Ｗに供給する工程は、図８におけるタイムチャートにおいて、時刻ｔ６からｔ７の間に実行される。かかる工程における基板Ｗの回転数は、たとえば、５０～５００ｒｐｍほどであり、ＨＦ処理のときの回転数よりも低く、前述した時刻ｔ４からｔ５の間に実行される第２の照射工程、時刻ｔ５からｔ６の間に実行される第１の酸素雰囲気形成工程のときの回転数と同じように設定される。 The process of supplying a series of these ozone water droplets to the substrate W is performed between times t6 and t7 in the time chart in FIG. 8. The rotational speed of the substrate W in this process is, for example, about 50 to 500 rpm, which is lower than the rotational speed during the HF treatment, and the rotational speed of the substrate W in this step is, for example, about 50 to 500 rpm, which is lower than the rotational speed during the HF treatment. The rotation speed is set to be the same as the rotation speed during the first oxygen atmosphere forming step executed between t6 and t6.

本工程において、図９の（ｄ１）に示すように、液滴生成ノズル２１は、周縁部上方から中心上方までの間を往復移動する。これにより、回転する基板Ｗの全面にオゾン水の液滴を供給し、分解膜６２ｂおよびレジスト膜６３を基板Ｗの上面全体にわたって均一に除去することができる。液滴生成ノズル２１の往復移動開始の位置を基板Ｗの中心上方にしてもよいが、本実施例で説明したような周縁部上方を開始位置とする方が好ましい。 In this step, as shown in (d1) in FIG. 9, the droplet generating nozzle 21 reciprocates from above the periphery to above the center. Thereby, droplets of ozone water can be supplied to the entire surface of the rotating substrate W, and the decomposed film 62b and the resist film 63 can be uniformly removed over the entire upper surface of the substrate W. Although the reciprocating movement start position of the droplet generation nozzle 21 may be above the center of the substrate W, it is preferable to set the start position above the peripheral edge as described in this embodiment.

＜ＳＣ１処理＞
続いて、処理液供給ノズル２２からＳＣ１を基板Ｗに向けて吐出して、基板Ｗの表面のレジスト膜などの残渣を除去して洗い流す処理を行う（ステップＳＴ５）。 <SC1 processing>
Subsequently, SC1 is discharged from the processing liquid supply nozzle 22 toward the substrate W to perform a process of removing and washing away residues such as a resist film on the surface of the substrate W (step ST5).

ステップＳＴ５の開始時点において、前述したステップＳＴ４で用いられた液滴生成ノズル２１は基板Ｗ上から退避しておらず、液滴生成ノズル２１とともにＳＣ１を供給するための処理液供給ノズル２２も基板Ｗの上方に配置されている。 At the start of step ST5, the droplet generation nozzle 21 used in step ST4 has not been retracted from above the substrate W, and together with the droplet generation nozzle 21, the processing liquid supply nozzle 22 for supplying SC1 is also It is located above W.

ステップＳＴ５では、まず、ノズル制御部４ｃがノズル移動機構１２を制御して、処理液供給ノズル２２を、基板Ｗの中心上方の吐出位置に移動して配置させる。処理液供給ノズル２２が基板Ｗの中心上方の吐出位置に配置されると、次に、時刻ｔ７において、流体供給制御部４ａが、ＳＣ１供給弁３３２ｂを開くように制御する。これにより、ＳＣ１供給部３３２から共通配管３３ａを通じてＳＣ１が処理液供給ノズル２２に供給される。 In step ST5, first, the nozzle control unit 4c controls the nozzle moving mechanism 12 to move and arrange the processing liquid supply nozzle 22 to a discharge position above the center of the substrate W. When the processing liquid supply nozzle 22 is disposed at the discharge position above the center of the substrate W, next, at time t7, the fluid supply control unit 4a controls the SC1 supply valve 332b to open. As a result, SC1 is supplied from the SC1 supply section 332 to the processing liquid supply nozzle 22 through the common pipe 33a.

図９の（ｅ１）において、処理液供給ノズル２２に供給されたＳＣ１は、処理液供給ノズル２２から基板Ｗに向けて供給される。基板Ｗに供給されたＳＣ１は、ステップＳＴ４で除去しきれなかったレジスト膜などの残渣や異物を除去し、基板Ｗの表面を清浄にする。 In (e1) of FIG. 9, SC1 supplied to the processing liquid supply nozzle 22 is supplied toward the substrate W from the processing liquid supply nozzle 22. SC1 supplied to the substrate W cleans the surface of the substrate W by removing residues such as a resist film and foreign matter that could not be removed in step ST4.

時刻ｔ８において、流体供給制御部４ａが、ＳＣ１供給弁３３２ｂを閉じるように制御する。これにより処理液供給ノズル２２からのＳＣ１の供給が停止し、ＳＣ１によるレジスト膜などの残渣の除去処理が終了する。 At time t8, the fluid supply control unit 4a controls the SC 1 supply valve 332b to close. As a result, the supply of SC1 from the processing liquid supply nozzle 22 is stopped, and the process of removing residues such as the resist film by SC1 is completed.

次に、時刻ｔ８において、流体供給制御部４ａは、ＤＩＷ供給弁３３１ｂを開くように制御する。これにより、ＤＩＷ供給源３３１からＤＩＷ供給配管３３１ａ、共通配管３３ａを通じてＤＩＷが処理液供給ノズル２２に供給される。処理液供給ノズル２２に供給されたＤＩＷは、処理液供給ノズル２２から基板Ｗに向けて供給される。これにより、基板Ｗ上のＳＣ１がＤＩＷによって洗い流される。 Next, at time t8, the fluid supply control unit 4a controls the DIW supply valve 331b to open. As a result, DIW is supplied from the DIW supply source 331 to the processing liquid supply nozzle 22 through the DIW supply pipe 331a and the common pipe 33a. The DIW supplied to the processing liquid supply nozzle 22 is supplied toward the substrate W from the processing liquid supply nozzle 22 . As a result, SC1 on the substrate W is washed away by the DIW.

時刻ｔ９において、流体供給制御部４ａが、ＤＩＷ供給弁３３１ｂを閉じるように制御する。これによって、処理液供給ノズル２２からのＤＩＷの供給を停止させ、ＤＩＷによるリンス処理が終了する。次に、ノズル制御部４ｃがノズル移動機構１２を制御して、基板Ｗの中心上方に配置されている処理液供給ノズル２２を、カップの外の待機位置に退避させる。 At time t9, the fluid supply control unit 4a controls the DIW supply valve 331b to close. As a result, the supply of DIW from the treatment liquid supply nozzle 22 is stopped, and the rinsing process using DIW is completed. Next, the nozzle control unit 4c controls the nozzle moving mechanism 12 to retract the processing liquid supply nozzle 22 located above the center of the substrate W to a standby position outside the cup.

これら一連のＳＣ１を基板Ｗに供給する工程は、図８におけるタイムチャートにおいて、時刻ｔ７からｔ９の間に実行される。このとき、図８に示す基板Ｗの回転数は、たとえば、５００～１２００ｒｐｍ程度である。 These series of steps of supplying SC1 to the substrate W are performed between times t7 and t9 in the time chart in FIG. 8. At this time, the rotation speed of the substrate W shown in FIG. 8 is, for example, about 500 to 1200 rpm.

＜乾燥処理＞
図７におけるステップＳＴ６では、基板Ｗを高速回転させて基板Ｗを乾燥させる（ステップＳＴ６）。具体的には、スピン制御部４ｄが、スピンベース１１ｂの回転速度を制御し、図８のように高速回転、たとえば、時刻ｔ９から回転数を上昇させ始め、２５００ｒｐｍ程度まで基板の回転数を上昇させる。これにより、基板Ｗの表面に付着していたＤＩＷが振り切られ、基板Ｗの表面が乾燥する（図９の（ｆ１））。 <Drying process>
In step ST6 in FIG. 7, the substrate W is rotated at high speed to dry the substrate W (step ST6). Specifically, the spin control unit 4d controls the rotational speed of the spin base 11b, and rotates at a high speed as shown in FIG. let As a result, the DIW adhering to the surface of the substrate W is shaken off, and the surface of the substrate W is dried ((f1) in FIG. 9).

基板Ｗの表面が乾燥すると、時刻ｔ１０において、スピン制御部４ｄが、スピンチャック１１の回転ベースの回転速度を制御して、基板Ｗの回転を停止させ、その後、スピンチャック１１のチャックピン１１ａを開かせる。 When the surface of the substrate W is dried, at time t10, the spin control unit 4d controls the rotation speed of the rotation base of the spin chuck 11 to stop the rotation of the substrate W, and then rotates the chuck pin 11a of the spin chuck 11. Let it open.

一連の処理が完了すると、搬送ロボットＣＲは処理部１０から基板Ｗを搬出する。搬出後、処理すべき新たな基板がある場合には、さらに新たな基板Ｗが搬送ロボットＣＲにより処理部１０へ搬入され、前述のＨＦ処理から乾燥処理までの一連の処理が繰り返される。 When the series of processing is completed, the transport robot CR carries out the substrate W from the processing section 10. After being carried out, if there is a new substrate to be processed, the new substrate W is further carried into the processing section 10 by the transport robot CR, and the series of processes from the HF process to the drying process described above are repeated.

＜異なる被処理物について：金属含有膜に覆われた基板の例＞
上述の例においては、その表面がレジスト膜に覆われている基板を対象として、レジスト膜を除去する処理を説明した。しかし、本願発明の基板処理方法が適用される対象の基板は、これに限られるものではない。図１０に示す例のように、本願発明の基板処理方法は、その表面が金属含有膜に覆われた基板に適用されてもよく、たとえば、ＴｉＮ膜のような金属含有膜に覆われた基板に適用されてもよい。この場合、基板Ｗの表面は金属含有膜７３に覆われ、金属含有膜７３の表面は自然酸化膜７１に覆われている。この自然酸化膜７１が基板Ｗの表面に露出した状態から処理を開始し、自然酸化膜７１および金属含有膜７３を除去する。処理の各ステップ（ステップＳＴ１～６）やその時刻（ｔ１～ｔ１０）は、前述したレジスト膜を除去する場合と同様の図７および図８に示す通りである。 <About different objects to be processed: Example of a substrate covered with a metal-containing film>
In the above example, the process of removing a resist film was described with respect to a substrate whose surface was covered with a resist film. However, the substrate to which the substrate processing method of the present invention is applied is not limited to this. As in the example shown in FIG. 10, the substrate processing method of the present invention may be applied to a substrate whose surface is covered with a metal-containing film, for example, a substrate covered with a metal-containing film such as a TiN film. may be applied to. In this case, the surface of the substrate W is covered with a metal-containing film 73, and the surface of the metal-containing film 73 is covered with a natural oxide film 71. The process is started with this natural oxide film 71 exposed on the surface of the substrate W, and the natural oxide film 71 and metal-containing film 73 are removed. Each step of the process (steps ST1 to ST6) and its timing (t1 to t10) are as shown in FIGS. 7 and 8, which are the same as in the case of removing the resist film described above.

まず、ステップＳＴ１において、図１０（ａ１１）に示すように、基板Ｗの表面を覆う自然酸化膜７１にＨＦを供給して、自然酸化膜７１を除去する処理を行う。時刻ｔ１において、ＨＦ供給部３４１から供給されたＨＦは、基板Ｗ上の中心上方の吐出位置に配置された処理液供給ノズル２３から基板Ｗに向けて供給される。かかるＨＦによって、基板Ｗの表層の自然酸化膜７１が除去される。自然酸化膜７１が除去されると、図１０（ａ２１）に示すように、金属含有膜７３が基板Ｗの表面に露出する。時刻ｔ２において、ＨＦの供給が停止され、処理液供給ノズル２３からＤＩＷが基板Ｗに供給される。かかるＤＩＷによって基板Ｗ上に残ったＨＦが洗い流される。 First, in step ST1, as shown in FIG. 10(a11), HF is supplied to the natural oxide film 71 covering the surface of the substrate W to remove the natural oxide film 71. At time t1, HF supplied from the HF supply section 341 is supplied toward the substrate W from the processing liquid supply nozzle 23 arranged at a discharge position above the center of the substrate W. The natural oxide film 71 on the surface layer of the substrate W is removed by such HF. When the natural oxide film 71 is removed, the metal-containing film 73 is exposed on the surface of the substrate W, as shown in FIG. 10(a21). At time t2, the supply of HF is stopped, and DIW is supplied to the substrate W from the processing liquid supply nozzle 23. HF remaining on the substrate W is washed away by such DIW.

次のステップＳＴ２では、図１０（ｂ１１）に示すように、金属含有膜７３が露出した基板Ｗの表面に照射部２１１からＵＶ光を照射して、金属含有膜７３を分解する処理を行う。照射部２１１は、基板Ｗの中心位置から周縁位置との間を往復移動しながらＵＶ光を照射する。かかる照射により、基板Ｗの表面に露出した金属含有膜７３の全面がＵＶ光に曝される。これにより、金属含有膜７３の中の金属―金属結合が部分的に切断され、金属含有膜７３を部分的に分解することができる。かかる分解により金属含有膜中に隙間が生じるので、オゾンガスやオゾン水が金属含有膜７３の表面からその内部に侵入しやすい状態にできる（図１０（ｂ２１））。 In the next step ST2, as shown in FIG. 10 (b11), the surface of the substrate W where the metal-containing film 73 is exposed is irradiated with UV light from the irradiation unit 211 to decompose the metal-containing film 73. The irradiation unit 211 irradiates the substrate W with UV light while reciprocating between the center position and the peripheral position of the substrate W. Due to this irradiation, the entire surface of the metal-containing film 73 exposed on the surface of the substrate W is exposed to UV light. As a result, metal-metal bonds in the metal-containing film 73 are partially severed, and the metal-containing film 73 can be partially decomposed. This decomposition creates gaps in the metal-containing film, making it easy for ozone gas and ozone water to penetrate from the surface of the metal-containing film 73 into the interior thereof (FIG. 10 (b21)).

ステップＳＴ３では、図１０（ｃ１１）に示すように、部分的に分解した金属含有膜７３が露出した基板Ｗに向けて液滴生成ノズル２１から酸素ガスを供給する。酸素ガス供給部３１から液滴生成ノズル２１に供給された酸素ガスは、液滴生成ノズル２１から基板Ｗに向けて供給される。詳細には、図４の酸素ガス供給口２１９から吐出された酸素ガスは、第１の円筒部２１２の下端面２１２ａに沿って中心軸Ｃ１に向けて斜め下方に向けて流れ、中心軸Ｃ１の近傍に集ってお互いに衝突する。そして互いに衝突した酸素ガスは、流れの向きを下方に変えて、基板Ｗに向けて供給される。ここで、供給された酸素ガスは、第１の円筒部２１２の下端部の開放面から放射されるＵＶ光に曝され、オゾンガスを生じ、基板Ｗと液滴生成ノズル２１との間の空間に酸素ガスとオゾンガスが混じった雰囲気を形成する。この雰囲気は、オゾン水からオゾンが失われてオゾン濃度が低下することを抑制する保護雰囲気となる。オゾン水の液滴からオゾンが失われることを抑制できる。 In step ST3, as shown in FIG. 10 (c11), oxygen gas is supplied from the droplet generation nozzle 21 toward the substrate W where the partially decomposed metal-containing film 73 is exposed. The oxygen gas supplied from the oxygen gas supply unit 31 to the droplet generation nozzle 21 is supplied toward the substrate W from the droplet generation nozzle 21 . Specifically, the oxygen gas discharged from the oxygen gas supply port 219 in FIG. 4 flows obliquely downward toward the central axis C1 along the lower end surface 212a of the first cylindrical portion 212, They gather in close proximity and collide with each other. The oxygen gases that have collided with each other change their flow direction downward and are supplied toward the substrate W. Here, the supplied oxygen gas is exposed to UV light emitted from the open surface of the lower end of the first cylindrical part 212 to generate ozone gas, which is generated in the space between the substrate W and the droplet generation nozzle 21. Forms an atmosphere in which oxygen gas and ozone gas are mixed. This atmosphere becomes a protective atmosphere that suppresses the ozone concentration from decreasing due to the loss of ozone from the ozonated water. Loss of ozone from droplets of ozonated water can be suppressed.

続いて、ステップＳＴ４において、図１０（ｄ１１）に示すように、部分的に分解した金属含有膜７３が露出した基板Ｗにオゾン水の液滴を液滴生成ノズル２１から供給し、金属含有膜７３を除去する処理を行う。オゾン水供給部３２から液滴生成ノズル２１に供給されたオゾン水は、オゾン水の液滴となって液滴生成ノズル２１から基板Ｗに向けて供給される。供給されたオゾン水の液滴は、基板Ｗの表層の金属含有膜７３を除去する。 Subsequently, in step ST4, as shown in FIG. 10 (d11), ozone water droplets are supplied from the droplet generation nozzle 21 to the substrate W on which the partially decomposed metal-containing film 73 is exposed, and the metal-containing film 73 is exposed. 73 is removed. The ozonated water supplied from the ozonated water supply unit 32 to the droplet generation nozzle 21 becomes droplets of ozonated water and is supplied from the droplet generation nozzle 21 toward the substrate W. The supplied droplets of ozone water remove the metal-containing film 73 on the surface layer of the substrate W.

液滴生成ノズル２１において、酸素ガス供給口２１９から供給された酸素ガスは、中心軸Ｃ１に向かう途中、オゾン水供給口２１６から供給されるオゾン水と衝突し、オゾン水の液滴が生成される。生成されたオゾン水の液滴は、酸素ガス供給口２１９から続けて供給される酸素ガスのガス流によってさらに寸断される。寸断された液滴は、ガス流に流されて中心軸Ｃ１に向かう。そして、これらオゾン水の液滴は、中心軸Ｃ１付近において互いに衝突し合い、さらに微細な液滴となって基板Ｗの表面に供給される。液滴となったオゾン水は、表面積が大きくなっているので、後述するＵＶ光に曝される割合が液滴になる前に比べて高く、オゾン濃度を高められる。 In the droplet generation nozzle 21, the oxygen gas supplied from the oxygen gas supply port 219 collides with the ozonated water supplied from the ozonated water supply port 216 on the way toward the central axis C1, and ozonated water droplets are generated. Ru. The generated droplets of ozonated water are further shredded by the flow of oxygen gas that is continuously supplied from the oxygen gas supply port 219. The shredded droplets are carried by the gas flow toward the central axis C1. Then, these ozone water droplets collide with each other near the central axis C1, become even finer droplets, and are supplied to the surface of the substrate W. Since the ozonated water that has become a droplet has a large surface area, the rate of exposure to UV light, which will be described later, is higher than before it becomes a droplet, and the ozone concentration can be increased.

部分的に分解された金属含有膜７３に、オゾン濃度の低下が抑制されたオゾン水の液滴が供給されると、オゾン水が、金属含有膜の隙間から侵入しつつ、接液した個所から金属含有膜７３を分解する。このとき、オゾン水の液滴は、処理液供給ノズル２２から噴射されており、大きな物理エネルギーを有しているので、金属含有膜７３を分解しつつ、分解が進んで破断されつつある金属含有膜の破片を物理的にも除去することができる。 When droplets of ozonated water whose ozone concentration is suppressed are supplied to the partially decomposed metal-containing film 73, the ozonated water enters through the gaps in the metal-containing film and is removed from the contact area. The metal-containing film 73 is decomposed. At this time, the ozone water droplets are injected from the treatment liquid supply nozzle 22 and have large physical energy, so they decompose the metal-containing film 73 and the metal-containing film 73 is being decomposed and broken. Membrane debris can also be physically removed.

ステップＳＴ５において、図１０（ｅ１１）に示すように、金属含有膜７３が除去された基板Ｗの表面にＳＣ１を供給して、処理を行う。処理液供給ノズル２２に供給されたＳＣ１は、処理液供給ノズル２２から基板Ｗに向けて吐出される。基板Ｗに吐出されたＳＣ１は、金属含有膜の残渣や異物があればそれらを除去し、基板Ｗの表面を清浄にする。 In step ST5, as shown in FIG. 10 (e11), SC1 is supplied to the surface of the substrate W from which the metal-containing film 73 has been removed, and processing is performed. SC1 supplied to the processing liquid supply nozzle 22 is discharged toward the substrate W from the processing liquid supply nozzle 22. The SC1 discharged onto the substrate W removes any metal-containing film residue or foreign matter, thereby cleaning the surface of the substrate W.

その後、既述したように、処理液供給ノズル２２からＤＩＷが基板Ｗに向けて吐出され、これにより、基板Ｗ上のＳＣ１がＤＩＷによって洗い流される。ＤＩＷによるリンス処理が終わると、高速回転により表面に付着していたＤＩＷを振り切り、基板Ｗの表面を乾燥させる（図１０の（ｆ１１））。 Thereafter, as described above, DIW is discharged from the processing liquid supply nozzle 22 toward the substrate W, thereby washing away SC1 on the substrate W with the DIW. When the DIW rinsing process is completed, the DIW adhering to the surface is shaken off by high-speed rotation, and the surface of the substrate W is dried ((f11) in FIG. 10).

［２］第２実施形態
以下に図１１から図１３に基づいて、本願発明の第２実施形態に係る基板処理装置および基板処理方法について説明する。 [2] Second Embodiment A substrate processing apparatus and a substrate processing method according to a second embodiment of the present invention will be described below based on FIGS. 11 to 13.

＜処理部＞
図１１に示すように、第２実施形態に係る基板処理装置２は、基板Ｗを処理する処理部１０ｂを有する。図２に示す第１実施形態の基板処理装置１と異なる点は、処理部１０ａにおける液滴生成ノズル２１の代わりに、処理部１０ｂにオゾン流体供給ノズル５１が設けられている点である。その他は同じであるので、同じ参照符号を付して、その詳細な説明を省略する。 <Processing section>
As shown in FIG. 11, the substrate processing apparatus 2 according to the second embodiment includes a processing section 10b that processes a substrate W. As shown in FIG. The difference from the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment shown in FIG. 2 is that an ozone fluid supply nozzle 51 is provided in the processing section 10b instead of the droplet generation nozzle 21 in the processing section 10a. Since the other parts are the same, the same reference numerals are given and detailed explanation thereof will be omitted.

＜オゾン流体供給ノズル＞
次に、図１１および図１２を参照し、処理部１０ｂ内で用いられるオゾン流体供給ノズル５１の詳細について説明する。ここで、図１２（ａ）は、オゾン流体供給ノズル５１を水平側方から側面視した側面図である。また、図１２（ｂ）は、オゾン流体供給ノズル５１を鉛直下方から平面視した平面図である。 <Ozone fluid supply nozzle>
Next, details of the ozone fluid supply nozzle 51 used in the processing section 10b will be described with reference to FIGS. 11 and 12. Here, FIG. 12(a) is a side view of the ozone fluid supply nozzle 51 viewed from the horizontal side. Further, FIG. 12(b) is a plan view of the ozone fluid supply nozzle 51 viewed from vertically below.

図１１に示すように、オゾン流体供給ノズル５１は、処理部１０ｂ内において、ノズル移動機構１２に取り付けられ、昇降動作および旋回動作が可能なように構成されている。 As shown in FIG. 11, the ozone fluid supply nozzle 51 is attached to the nozzle moving mechanism 12 within the processing section 10b, and is configured to be capable of vertical movement and rotational movement.

図１２（ａ）において、オゾン流体供給ノズル５１は、酸素ガス供給配管３１ａが流路接続される酸素ガス供給ノズル５１３と、オゾン水供給配管３２ａが流路接続されるオゾン水供給ノズル５１４とを含む。また、酸素ガス供給ノズル５１３には、後述するオゾン水が基板Ｗの表面に着液する着液領域に向けてＵＶ光を照射する照射部５１１が取り付けられている。本実施の例では、図１２（ｂ）に示すようにオゾン流体供給ノズル５１を鉛直下方から視た場合、酸素ガス供給ノズル５１３、オゾン水供給ノズル５１４および照射部５１１は一列に並ぶように配置されている。 In FIG. 12A, the ozone fluid supply nozzle 51 includes an oxygen gas supply nozzle 513 to which the oxygen gas supply pipe 31a is connected, and an ozone water supply nozzle 514 to which the ozone water supply pipe 32a is connected. include. Further, an irradiation unit 511 is attached to the oxygen gas supply nozzle 513 for irradiating UV light toward a landing area where ozone water, which will be described later, lands on the surface of the substrate W. In this example, when the ozone fluid supply nozzle 51 is viewed from vertically below as shown in FIG. has been done.

照射部５１１は、連続流である液柱状のオゾン水が基板Ｗの表面に着液する着液領域に向けてＵＶ光を照射する。図１２（ａ）に示すように、ＵＶ光は、斜め下方に向けられた照射口５１２から照射軸Ｃ２に沿って照射される。照射部５１１から照射されるＵＶ光は、オゾン水供給ノズル５１４から供給される液柱状のオゾン水を、基板Ｗの表面の着液領域付近で照射することができ、オゾン水に含まれる酸素を活性化してオゾンの消失を抑制することができる。 The irradiation unit 511 irradiates UV light toward a liquid landing area where a continuous flow of liquid column-shaped ozone water lands on the surface of the substrate W. As shown in FIG. 12(a), UV light is emitted along an irradiation axis C2 from an irradiation port 512 directed diagonally downward. The UV light irradiated from the irradiation unit 511 can irradiate the liquid column of ozonated water supplied from the ozonated water supply nozzle 514 near the liquid landing area on the surface of the substrate W, thereby removing oxygen contained in the ozonated water. It can be activated to suppress ozone loss.

第２実施形態においても、図６に示すＵＶ照射制御部４ｂが、照射部５１１からＵＶ光を照射する照射状態とＵＶ光を照射しない非照射状態とを切り変えるように照射部５１１を制御する。 Also in the second embodiment, the UV irradiation control section 4b shown in FIG. 6 controls the irradiation section 511 to switch between an irradiation state in which UV light is irradiated from the irradiation section 511 and a non-irradiation state in which no UV light is irradiated. .

＜基板処理における各部の動作＞
この第２実施形態に係る基板処理装置に適用されるレジスト膜を除去する基板処理方法の各処理のステップも、前述した第１実施形態に係る基板処理装置に適用されるレジスト膜を除去する場合と同様である。したがって、以下に、基板Ｗに対する処理を行う各ステップの動作について、図７および図１３を参照しながら説明する。図１３は、図７に対応した第２実施形態の基板処理方法をレジスト膜の除去に適用した説明図である。本実施形態においても、基板Ｗの表面がレジスト膜６３に覆われ、レジスト膜６３の表層が高エネルギーのイオン注入処理により炭化して硬化した硬化膜６２ａの付いた状態である例で説明する。ここで、硬化膜６２ａは、レジスト膜中の有機物が炭化したアモルファスカーボンを部分的に有する。硬化膜６２ａの表層は、通常、自然酸化膜６１に覆われている。なお、以下の各処理の説明において、第１実施形態と重複する点については簡易に述べる程度にとどめる。 <Operation of each part during substrate processing>
Each processing step of the substrate processing method for removing a resist film applied to the substrate processing apparatus according to the second embodiment is also performed when removing a resist film applied to the substrate processing apparatus according to the first embodiment described above. It is similar to Therefore, the operation of each step of processing the substrate W will be described below with reference to FIGS. 7 and 13. FIG. 13 is an explanatory diagram in which the substrate processing method of the second embodiment corresponding to FIG. 7 is applied to the removal of a resist film. In this embodiment as well, an example will be described in which the surface of the substrate W is covered with a resist film 63, and a hardened film 62a is attached to the surface layer of the resist film 63, which is carbonized and hardened by high-energy ion implantation processing. Here, the cured film 62a partially includes amorphous carbon obtained by carbonizing organic matter in the resist film. The surface layer of the cured film 62a is usually covered with a natural oxide film 61. Note that in the description of each process below, points that overlap with those of the first embodiment will only be briefly described.

＜ＨＦ処理＞
まず、図１３の（ａ１）～（ａ２）に示すように、水平に回転している基板Ｗに対して、ＨＦを供給して基板Ｗの表面を覆う自然酸化膜６１を除去し、基板Ｗの表面に残ったＨＦをＤＩＷにより洗い流す処理を行う（ステップＳＴ１）。 <HF treatment>
First, as shown in (a1) to (a2) of FIG. 13, HF is supplied to the horizontally rotating substrate W to remove the natural oxide film 61 covering the surface of the substrate W. A process of washing away HF remaining on the surface using DIW is performed (step ST1).

このステップＳＴ１において、処理液供給ノズル２３から供給されたＨＦが、図１３の（ａ１）に示す基板Ｗの表層にある硬化膜付きレジストを覆う自然酸化膜６１を除去する。自然酸化膜６１が除去されると、硬化膜６２ａが基板Ｗの表面に露出し、図１３の（ａ２）の状態となる。基板Ｗの表面に残ったＨＦは、処理液供給ノズル２３から供給されるＤＩＷによって洗い流される。 In this step ST1, the HF supplied from the processing liquid supply nozzle 23 removes the natural oxide film 61 covering the resist with a cured film on the surface layer of the substrate W shown in (a1) of FIG. When the natural oxide film 61 is removed, the cured film 62a is exposed on the surface of the substrate W, resulting in the state shown in (a2) in FIG. HF remaining on the surface of the substrate W is washed away by DIW supplied from the processing liquid supply nozzle 23.

＜ＵＶ処理＞
次に、図１３の（ｂ１１１）～（ｂ２１１）に示すように、硬化膜６２ａが表面に露出した基板Ｗに対して、照射部５１１からＵＶ光を照射し、硬化膜６２ａを分解する処理を行う（ステップＳＴ２）。 <UV treatment>
Next, as shown in (b111) to (b211) in FIG. 13, the substrate W with the cured film 62a exposed on the surface is irradiated with UV light from the irradiation unit 511 to decompose the cured film 62a. (Step ST2).

このステップＳＴ２では、まず、ノズル制御部４ｃがノズル移動機構１２を制御して、オゾン流体供給ノズル５１を、カップの外の待機位置から基板Ｗ上の所定の照射位置まで移動させる。かかる移動によって、照射部５１１から照射されるＵＶ光の照射軸Ｃ２が基板Ｗの中心と交差するように配置される。 In step ST2, first, the nozzle control unit 4c controls the nozzle moving mechanism 12 to move the ozone fluid supply nozzle 51 from a standby position outside the cup to a predetermined irradiation position on the substrate W. Due to this movement, the irradiation axis C2 of the UV light irradiated from the irradiation section 511 is arranged to intersect the center of the substrate W.

オゾン流体供給ノズル５１が照射位置に配置されると、次に、ＵＶ照射制御部４ｂが、照射部５１１の照射状態を制御して基板Ｗに向けて照射軸Ｃ２に沿うようにＵＶ光を照射させる。ＵＶ光の照射が開始されると、ノズル制御部４ｃがノズル移動機構１２を制御して、オゾン流体供給ノズル５１を旋回させる。これにより、基板Ｗの中心の上部に配置されたオゾン流体供給ノズル５１は、基板Ｗの中心位置と基板Ｗの周縁位置との間を移動する。 When the ozone fluid supply nozzle 51 is placed at the irradiation position, the UV irradiation control unit 4b then controls the irradiation state of the irradiation unit 511 to irradiate UV light toward the substrate W along the irradiation axis C2. let When UV light irradiation is started, the nozzle control unit 4c controls the nozzle moving mechanism 12 to rotate the ozone fluid supply nozzle 51. Thereby, the ozone fluid supply nozzle 51 arranged above the center of the substrate W moves between the center position of the substrate W and the peripheral position of the substrate W.

図１３（ｂ１１１）において、オゾン流体供給ノズル５１は、照射位置から周縁位置までの間を往復移動しながら、照射部５１１からＵＶ光を照射するので、回転する基板Ｗの表面に露出した硬化膜６２ａの全面がＵＶ光に曝される。これにより、硬化膜６２ａ中のアモルファスカーボンの炭素―炭素結合が切断され、硬化膜６２ａを部分的に分解することができる。かかる分解によって、硬化膜６２ａ中に隙間が生じるので、オゾン水および処理液を侵入させやすい状態にできる。図１３の（ｂ２１１）のように、前述のような状態となった硬化膜６２ａを以降は分解膜６２ｂと記載する。このステップＳＴ２におけるＵＶ光の照射は、後述するオゾン水に向けてＵＶ光が照射する第３の照射工程に対して、第４の照射工程と記載する。 In FIG. 13 (b111), the ozone fluid supply nozzle 51 irradiates UV light from the irradiation part 511 while reciprocating between the irradiation position and the peripheral edge position, so that the cured film exposed on the surface of the rotating substrate W The entire surface of 62a is exposed to UV light. This breaks the carbon-carbon bonds of the amorphous carbon in the cured film 62a, allowing the cured film 62a to be partially decomposed. This decomposition creates gaps in the cured film 62a, making it easy for ozone water and treatment liquid to enter. The cured film 62a in the above-described state as shown in FIG. 13 (b211) will hereinafter be referred to as a decomposed film 62b. The UV light irradiation in step ST2 will be referred to as a fourth irradiation step in contrast to a third irradiation step in which UV light is irradiated toward ozonated water, which will be described later.

＜酸素ガス供給＞
次に、図１３の（ｃ１１１）に示すように、オゾン流体供給ノズル５１に含まれる酸素ガス供給ノズル５１３から酸素ガスを基板Ｗに向けて供給し（第２の酸素雰囲気形成工程）、その酸素ガスにＵＶ光を照射してオゾンガスを生じさせる（ステップＳＴ３）。 <Oxygen gas supply>
Next, as shown in (c111) in FIG. 13, oxygen gas is supplied toward the substrate W from the oxygen gas supply nozzle 513 included in the ozone fluid supply nozzle 51 (second oxygen atmosphere formation step), and the oxygen The gas is irradiated with UV light to generate ozone gas (step ST3).

このステップＳＴ３では、前述したステップＳＴ２から引き続いて照射部５１１からＵＶ光が基板Ｗに向けて照射されている。そして、流体供給制御部４ａが、酸素ガス供給弁３１ｂを開くように制御して、酸素ガス供給配管３１ａの流路を開かせる。酸素ガス供給配管３１ａの流路を開くと、酸素ガスが、酸素ガス供給部３１から酸素ガス供給配管３１ａの内部を通って酸素ガス供給ノズル５１３に供給される。 In this step ST3, the substrate W is irradiated with UV light from the irradiation section 511 following the step ST2 described above. Then, the fluid supply control unit 4a controls the oxygen gas supply valve 31b to open, thereby opening the flow path of the oxygen gas supply piping 31a. When the flow path of the oxygen gas supply pipe 31a is opened, oxygen gas is supplied from the oxygen gas supply section 31 to the oxygen gas supply nozzle 513 through the inside of the oxygen gas supply pipe 31a.

図１３の（ｃ１１１）において、酸素ガス供給ノズル５１３からは、酸素ガスが後述するオゾン水が基板Ｗの表面に着液する着液領域に向けて供給され、当該着液領域に予め酸素雰囲気を形成する（第２の酸素雰囲気形成工程）。供給された酸素ガスは、照射部５１１から照射されるＵＶ光に曝されてオゾンガスを生じ、酸素ガスとオゾンガスが混じった雰囲気となる。この雰囲気は、オゾン水からオゾンが失われることを抑制する保護雰囲気となる。これにより、後述するオゾン水の着液領域に保護雰囲気を予め準備することができ、連続流である液柱状のオゾン水がオゾン水供給ノズル５１４から基板Ｗに向けて吐出された際に、オゾン水からオゾンガスが抜けてオゾン濃度が低下することを抑制できる。 In (c111) of FIG. 13, oxygen gas is supplied from the oxygen gas supply nozzle 513 toward a liquid landing area where ozone water, which will be described later, lands on the surface of the substrate W, and an oxygen atmosphere is created in advance in the liquid landing area. (second oxygen atmosphere formation step). The supplied oxygen gas is exposed to UV light irradiated from the irradiation unit 511 to generate ozone gas, resulting in an atmosphere in which oxygen gas and ozone gas are mixed. This atmosphere provides a protective atmosphere that suppresses the loss of ozone from the ozonated water. As a result, a protective atmosphere can be prepared in advance in the ozone water landing area, which will be described later. It is possible to suppress the ozone concentration from decreasing due to the ozone gas escaping from the water.

＜オゾン水処理＞
続いて、図１３の（ｄ１１１）に示すように、オゾン水供給ノズル５１４からオゾン水を基板Ｗに向けて供給する（オゾン水供給工程）。これによって、分解膜６２ｂとレジスト膜６３を除去する処理を行う（ステップＳＴ４）。 <Ozone water treatment>
Subsequently, as shown in (d111) of FIG. 13, ozonated water is supplied toward the substrate W from the ozonated water supply nozzle 514 (ozonated water supplying step). As a result, a process for removing the decomposed film 62b and the resist film 63 is performed (step ST4).

このとき、ステップＳＴ３で照射しているＵＶ光は、ステップＳＴ４でも継続して照射される。また、ステップＳＴ３で吐出している酸素ガスも、ステップＳＴ４で継続して吐出される。ステップＳＴ４では、流体供給制御部４ａが、オゾン水供給弁３２ｂを開くように制御して、オゾン水供給配管３２ａの流路を開かせる。オゾン水供給配管３２ａの流路が開くと、オゾン水が、オゾン水供給部３２からオゾン水供給配管３２ａの内部を通ってオゾン水供給ノズル５１４に供給される。 At this time, the UV light irradiated in step ST3 continues to be irradiated in step ST4. Further, the oxygen gas discharged in step ST3 is also continuously discharged in step ST4. In step ST4, the fluid supply control unit 4a controls the ozonated water supply valve 32b to open, thereby opening the flow path of the ozonated water supply piping 32a. When the flow path of the ozonated water supply piping 32a is opened, ozonated water is supplied from the ozonated water supply section 32 to the ozonated water supply nozzle 514 through the inside of the ozonated water supply piping 32a.

ここで、照射部５１１は、オゾン水の着液領域に向けてＵＶ光を照射している（第３の照射工程）。このＵＶ光に曝されたオゾン水は、オゾン水中に含まれる酸素ガスが活性化されオゾンとなるので、オゾン濃度の低下を抑制することができる。 Here, the irradiation unit 511 irradiates UV light toward the ozone water landing area (third irradiation step). In ozonated water exposed to this UV light, the oxygen gas contained in the ozonated water is activated and becomes ozone, so that a decrease in ozone concentration can be suppressed.

また、このとき、オゾン水が基板に向けて吐出される領域には、酸素ガス供給ノズル５１３から酸素ガスが供給されており（酸素供給工程）、ステップＳＴ３のときと同様に、酸素ガスは、照射部５１１から照射されるＵＶ光に曝されてオゾンガスを生じ、酸素ガスとオゾンガスが混じった雰囲気となる。この雰囲気は、オゾン水からオゾンが失われることを抑制する保護雰囲気となる。この保護雰囲気により、オゾン水からオゾンガスが抜けて濃度が低下することを抑制できる。 Further, at this time, oxygen gas is supplied from the oxygen gas supply nozzle 513 to the region where ozonated water is discharged toward the substrate (oxygen supply step), and as in step ST3, the oxygen gas is When exposed to UV light emitted from the irradiation unit 511, ozone gas is generated, resulting in an atmosphere in which oxygen gas and ozone gas are mixed. This atmosphere provides a protective atmosphere that suppresses the loss of ozone from the ozonated water. This protective atmosphere can prevent ozone gas from escaping from ozone water and reducing its concentration.

なお、このときにＵＶ光が照射されていない場合でも、酸素ガスがオゾン水の上面を覆うことで、オゾン水から生じる酸素がオゾン水中から抜け出ることを抑制し、オゾン水がさらに分解されることを抑制することができる。 In addition, even if UV light is not irradiated at this time, oxygen gas covers the top surface of the ozonated water, suppressing the oxygen generated from the ozonated water from escaping from the ozonated water, and causing the ozonated water to further decompose. can be suppressed.

部分的に分解された分解膜６２ｂに、濃度を維持したオゾン水が供給されると、オゾン水が、分解膜６２ｂの隙間から侵入し、分解膜６２ｂの下にあるレジスト膜６３を分解する。下地のレジスト膜６３が分解し除去されると、その上の部分的に分解された分解膜６２ｂも除去され、基板Ｗは図１３の（ｅ１）に示すような状態となる。 When ozone water with maintained concentration is supplied to the partially decomposed decomposition film 62b, the ozone water enters through the gap in the decomposition film 62b and decomposes the resist film 63 under the decomposition film 62b. When the underlying resist film 63 is decomposed and removed, the partially decomposed decomposed film 62b above it is also removed, leaving the substrate W in a state as shown in (e1) of FIG. 13.

オゾン水による処理が終わると、流体供給制御部４ａが、オゾン水供給弁３２ｂを閉じるように制御して、オゾン水供給配管３２ａの流路を閉じさせる。オゾン水供給配管３２ａの流路が閉じると、オゾン水供給部３２からオゾン水供給ノズル５１４へのオゾン水の供給が停止する。次に、酸素ガス供給弁３１ｂを閉じるように制御して、酸素ガス供給配管３１ａの流路を閉じさせる。酸素ガス供給配管３１ａの流路が閉じると、酸素ガス供給部３１から酸素ガス供給ノズル５１３への酸素ガスの供給が停止する。続いて、ＵＶ照射制御部４ｂが、照射部５１１のＵＶ照射状態を制御して、ＵＶ光の照射を停止する。なお、この酸素ガスの供給は、オゾン水供給工程の終了時点から所定の時間、たとえば、５～１０秒続けられてもよい。基板Ｗの表面に残ったオゾン水がレジスト膜６３に作用している間、この基板Ｗの表面に残ったオゾン水からオゾンが失われることを抑制できる。 When the treatment with ozonated water is finished, the fluid supply control unit 4a controls the ozonated water supply valve 32b to close, thereby closing the flow path of the ozonated water supply piping 32a. When the flow path of the ozonated water supply pipe 32a is closed, the supply of ozonated water from the ozonated water supply section 32 to the ozonated water supply nozzle 514 is stopped. Next, the oxygen gas supply valve 31b is controlled to close, thereby closing the flow path of the oxygen gas supply piping 31a. When the flow path of the oxygen gas supply pipe 31a is closed, the supply of oxygen gas from the oxygen gas supply section 31 to the oxygen gas supply nozzle 513 is stopped. Subsequently, the UV irradiation control section 4b controls the UV irradiation state of the irradiation section 511 to stop irradiation of UV light. Note that the supply of oxygen gas may be continued for a predetermined period of time, for example, 5 to 10 seconds from the end of the ozonated water supply step. While the ozone water remaining on the surface of the substrate W is acting on the resist film 63, loss of ozone from the ozone water remaining on the surface of the substrate W can be suppressed.

このとき、ＵＶ光の照射の停止と、オゾン水および酸素ガスの供給の停止とを同時にしてもよい。なお、ＵＶ光の照射は、オゾン水および酸素ガスの供給の停止まで継続してもよく、この場合、ＵＶ光は、基板Ｗの表面に付着したオゾン水に照射され続けるため、オゾン水中の酸素ガスを活性化し、オゾンガスが抜けて濃度が低下することを抑制できる。 At this time, the irradiation of UV light and the supply of ozone water and oxygen gas may be stopped at the same time. Note that the UV light irradiation may be continued until the supply of ozonated water and oxygen gas is stopped. In this case, the UV light continues to be irradiated to the ozonated water attached to the surface of the substrate W, so that the oxygen in the ozonated water is By activating the gas, it is possible to suppress ozone gas from escaping and reducing its concentration.

続いて、図１３の（ｅ１）に示すように、処理液供給ノズル２２からＳＣ１を基板Ｗに向けて吐出して、基板Ｗの表面のレジスト膜などの残渣を除去して洗い流す処理を行う
さらに、引き続いて、処理液供給ノズル２２からＤＩＷが基板Ｗに向けて供給される。これにより、基板Ｗ上のＳＣ１がＤＩＷによって洗い流される。（ステップＳＴ５）。 Subsequently, as shown in (e1) of FIG. 13, SC1 is discharged from the processing liquid supply nozzle 22 toward the substrate W to perform a process of removing and washing away residues such as a resist film on the surface of the substrate W. Subsequently, DIW is supplied toward the substrate W from the processing liquid supply nozzle 22. As a result, SC1 on the substrate W is washed away by the DIW. (Step ST5).

その後、図１３の（ｆ１）に示すように、基板Ｗを高速回転させて基板Ｗを乾燥させる（ステップＳＴ６）。 Thereafter, as shown in (f1) of FIG. 13, the substrate W is rotated at high speed to dry the substrate W (step ST6).

本実施の例においても、本願発明の基板処理方法が適用される対象の基板は、レジスト膜に覆われた基板に限られるものではない。第１実施形態に係る基板処理方法について述べたように、その表面が金属含有膜に覆われた基板に適用されてもよい。 Also in this embodiment, the substrate to which the substrate processing method of the present invention is applied is not limited to a substrate covered with a resist film. As described for the substrate processing method according to the first embodiment, the method may be applied to a substrate whose surface is covered with a metal-containing film.

以下、請求項の各構成要素と実施形態の各構成要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。 Examples of correspondence between each component of the claims and each component of the embodiment will be described below, but the present invention is not limited to the following examples.

上記の実施形態においては、基板Ｗが基板の例であり、基板処理装置１が基板処理装置の例であり、チャックピン１１ａが基板保持部の例であり、スピンベース１１ｂが回転機構の例であり、液滴生成ノズル２１が液滴生成ノズルの例であり、照射部２１１が照射部の例である。
In the above embodiment, the substrate W is an example of a substrate, the substrate processing apparatus 1 is an example of a substrate processing apparatus, the chuck pin 11a is an example of a substrate holding part, and the spin base 11b is an example of a rotation mechanism. The droplet generation nozzle 21 is an example of a droplet generation nozzle, and the irradiation section 211 is an example of an irradiation section.

また、酸素ガス供給配管３１ａが酸素ガス供給配管の例であり、オゾン水供給配管３２ａがオゾン水供給配管の例であり、酸素ガス供給弁３１ｂが酸素ガス供給弁の例であり、オゾン水供給弁３２ｂがオゾン水供給弁の例であり、制御部４が制御部の例であり、流体供給制御部４ａが流体供給制御部の例であり、ＵＶ照射制御部４ｂがＵＶ照射制御部の例である。 Further, the oxygen gas supply pipe 31a is an example of an oxygen gas supply pipe, the ozonated water supply pipe 32a is an example of an ozonated water supply pipe, the oxygen gas supply valve 31b is an example of an oxygen gas supply valve, and the ozonated water supply pipe 32a is an example of an ozonated water supply pipe. The valve 32b is an example of an ozone water supply valve, the control unit 4 is an example of a control unit, the fluid supply control unit 4a is an example of a fluid supply control unit, and the UV irradiation control unit 4b is an example of a UV irradiation control unit. It is.

さらに、第１の円筒部２１２が第１の円筒部の例であり、第２の円筒部２１３が第２の円筒部の例であり、第２の円筒部２１３の下端面２１３ａが下端面の例であり、対向面２１４ａが対向面の例であり、第１の流路２１５が第１の流路の例であり、オゾン水供給口２１６がオゾン水供給口の例であり、酸素ガス供給口２１９が酸素ガス供給口の例であり、囲い部材２１４が囲い部材の例であり、閉空間２１７が閉空間の例である。 Further, the first cylindrical portion 212 is an example of the first cylindrical portion, the second cylindrical portion 213 is an example of the second cylindrical portion, and the lower end surface 213a of the second cylindrical portion 213 is the lower end surface. The opposing surface 214a is an example of the opposing surface, the first flow path 215 is an example of the first flow path, the ozonated water supply port 216 is an example of the ozonated water supply port, and the oxygen gas supply The port 219 is an example of an oxygen gas supply port, the enclosure member 214 is an example of an enclosure member, and the closed space 217 is an example of a closed space.

１ ：基板処理装置（第１実施形態）
２ ：基板処理装置（第２実施形態）
１０ａ ：処理部（第１実施形態）
１０ｂ ：処理部（第２実施形態）
１００ ：基板処理システム
１１ ：スピンチャック
１１ａ ：チャックピン（基板保持部）
１１ｂ ：スピンベース（回転機構）
１２ ：ノズル移動機構
１２ａ ：アーム
１２ｂ ：昇降駆動部
１２ｃ ：旋回駆動部
１３ ：ノズル移動機構
１３ａ ：アーム
１３ｂ ：昇降駆動部
１３ｃ ：旋回駆動部
１４ ：カップ
２１ ：液滴生成ノズル
２１０ ：固定部
２１１ ：照射部
２１２ ：第１の円筒部
２１２ａ ：下端面
２１３ ：第２の円筒部
２１３ａ ：下端面
２１３ｂ ：上円筒部
２１３ｃ ：下円筒部
２１４ ：囲い部材
２１４ａ ：対向面
２１４ｂ ：円筒部
２１４ｃ ：底部
２１５ ：第１の流路
２１６ ：オゾン水供給口
２１７ ：閉空間
２１８ ：第２の流路
２１９ ：酸素ガス供給口
２２ ：処理液供給ノズル
２３ ：処理液供給ノズル
３ ：処理流体供給部
３１ ：酸素ガス供給源
３１ａ ：酸素ガス供給配管
３１ｂ ：酸素ガス供給弁
３２ ：オゾン水供給部
３２ａ ：オゾン水供給配管
３２ｂ ：オゾン水供給弁
３３ａ ：共通配管
３３１ ：ＤＩＷ供給源
３３１ａ ：ＤＩＷ供給配管
３３１ｂ ：ＤＩＷ供給弁
３３２ ：ＳＣ１供給部
３３２ａ ：ＳＣ１供給配管
３３２ｂ ：ＳＣ１供給弁
３４ａ ：共通配管
３４１ ：ＨＦ供給部
３４１ａ ：ＨＦ供給配管
３４１ｂ ：ＨＦ供給弁
３４２ ：ＤＩＷ供給源
３４２ａ ：ＤＩＷ供給配管
３４２ｂ ：ＤＩＷ供給弁
４ ：制御部
４ａ ：流体供給制御部
４ｂ ：ＵＶ照射制御部
４ｃ ：ノズル制御部
４ｄ ：スピン制御部
４ｅ ：記憶部
４ｆ ：レシピ実行部
５１ ：オゾン流体供給ノズル
５１１ ：照射部
５１２ ：照射口
５１３ ：酸素ガス供給ノズル
５１４ ：オゾン水供給ノズル
６１ ：自然酸化膜
６２ａ ：硬化膜
６２ｂ ：分解膜
６３ ：レジスト膜
７１ ：自然酸化膜
７３ ：金属含有膜
Ｗ ：基板
Ｃ１ ：中心軸
Ｃ２ ：照射軸



1: Substrate processing apparatus (first embodiment)
2: Substrate processing apparatus (second embodiment)
10a: Processing unit (first embodiment)
10b: Processing unit (second embodiment)
100: Substrate processing system 11: Spin chuck 11a: Chuck pin (substrate holding part)
11b: Spin base (rotating mechanism)
12: Nozzle moving mechanism 12a: Arm 12b: Elevating drive unit 12c: Rotating drive unit 13: Nozzle moving mechanism 13a: Arm 13b: Elevating drive unit 13c: Rotating drive unit 14: Cup 21: Droplet generation nozzle 210: Fixing unit 211 : Irradiation part 212 : First cylindrical part 212a : Lower end surface 213 : Second cylindrical part 213a : Lower end surface 213b : Upper cylindrical part 213c : Lower cylindrical part 214 : Enclosing member 214a : Opposing surface 214b : Cylindrical part 214c : Bottom part 215: First channel 216: Ozone water supply port 217: Closed space 218: Second channel 219: Oxygen gas supply port 22: Processing liquid supply nozzle 23: Processing liquid supply nozzle 3: Processing fluid supply section 31: Oxygen gas supply source 31a: Oxygen gas supply pipe 31b: Oxygen gas supply valve 32: Ozone water supply section 32a: Ozone water supply pipe 32b: Ozone water supply valve 33a: Common pipe 331: DIW supply source 331a: DIW supply pipe 331b: DIW supply valve 332: SC1 supply section 332a: SC1 supply piping 332b: SC1 supply valve 34a: Common piping 341: HF supply section 341a: HF supply piping 341b: HF supply valve 342: DIW supply source 342a: DIW supply piping 342b: DIW Supply valve 4: Control section 4a: Fluid supply control section 4b: UV irradiation control section 4c: Nozzle control section 4d: Spin control section 4e: Storage section 4f: Recipe execution section 51: Ozone fluid supply nozzle 511: Irradiation section 512: Irradiation Port 513: Oxygen gas supply nozzle 514: Ozone water supply nozzle 61: Natural oxide film 62a: Cured film 62b: Decomposition film 63: Resist film 71: Natural oxide film 73: Metal-containing film W: Substrate C1: Central axis C2: Irradiation shaft

Claims (22)

その表面にレジスト膜または金属含有膜が形成された基板を水平保持して回転させながらオゾン水を供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、
酸素ガスとオゾン水とを混合させることによってオゾン水の液滴を生成する液滴生成工程と、
前記液滴生成工程で生成された前記液滴に対してＵＶ光を照射する第１の照射工程と、
前記ＵＶ光を照射された前記液滴を前記基板の前記表面に供給する液滴供給工程と、を含む基板処理方法。 A substrate processing method in which a substrate having a resist film or a metal-containing film formed on its surface is held horizontally and rotated while supplying ozone water to treat the substrate,
a droplet generation step of generating ozonated water droplets by mixing oxygen gas and ozonated water;
a first irradiation step of irradiating the droplets generated in the droplet generation step with UV light;
A substrate processing method comprising: supplying the droplet irradiated with the UV light onto the surface of the substrate . 前記液滴供給工程の実行前に前記基板の前記表面に向けて酸素を供給し、前記基板の前記表面の前記液滴が供給される領域に予め酸素雰囲気を形成する第１の酸素雰囲気形成工程を含む請求項１に記載の基板処理方法。 A first oxygen atmosphere forming step of supplying oxygen toward the surface of the substrate before performing the droplet supply step, and forming an oxygen atmosphere in advance in a region of the surface of the substrate to which the droplets are supplied. The substrate processing method according to claim 1, comprising: 前記液滴供給工程の実行前に前記基板の前記表面に向けてＵＶ光を照射する第２の照射工程を含む請求項２に記載の基板処理方法。 3. The substrate processing method according to claim 2, further comprising a second irradiation step of irradiating the surface of the substrate with UV light before performing the droplet supply step. 前記第２の照射工程は、前記第１の酸素雰囲気形成工程の前に実行される請求項３に記載の基板処理方法。 4. The substrate processing method according to claim 3, wherein the second irradiation step is performed before the first oxygen atmosphere forming step. 前記第１の照射工程は、前記液滴供給工程の終了後に終了される請求項１から４のいずれかに記載の基板処理方法。 5. The substrate processing method according to claim 1, wherein the first irradiation step is completed after the droplet supply step is completed. 少なくとも前記液滴供給工程の終了時点から所定の時間、前記基板に向けて酸素を供給する工程をさらに含む請求項１から５のいずれかに記載の基板処理方法。 6. The substrate processing method according to claim 1, further comprising the step of supplying oxygen toward the substrate for at least a predetermined period of time from the end of the droplet supply step. その表面にレジスト膜または金属含有膜が形成された基板を水平保持して回転させながらオゾン水を供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板の前記表面にオゾン水を供給するオゾン水供給工程と、
前記オゾン水が前記基板の前記表面に着液する着液領域に向けて前記オゾン水の上面を覆う酸素ガスを供給する酸素供給工程と、を含む基板処理方法。 A substrate processing method in which a substrate having a resist film or a metal-containing film formed on its surface is held horizontally and rotated while supplying ozone water to treat the substrate,
an ozonated water supply step of supplying ozonated water to the surface of the substrate;
A substrate processing method comprising: supplying oxygen gas to cover an upper surface of the ozonated water toward a liquid landing area where the ozonated water lands on the surface of the substrate. その表面にレジスト膜または金属含有膜が形成された基板を水平保持して回転させながらオゾン水を供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板の前記表面にオゾン水を供給するオゾン水供給工程と、
前記オゾン水が前記基板の前記表面に着液する着液領域に向けて酸素ガスを供給する酸素供給工程と、
前記着液領域に向けてＵＶ光を照射する第３の照射工程と
を含む基板処理方法。 A substrate processing method in which a substrate having a resist film or a metal-containing film formed on its surface is held horizontally and rotated while supplying ozone water to treat the substrate,
an ozonated water supply step of supplying ozonated water to the surface of the substrate;
an oxygen supply step of supplying oxygen gas toward a liquid landing area where the ozonated water lands on the surface of the substrate;
a third irradiation step of irradiating UV light toward the liquid landing area ;
Substrate processing methods including . その表面にレジスト膜または金属含有膜が形成された基板を水平保持して回転させながらオゾン水を供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板の前記表面にオゾン水を供給するオゾン水供給工程と、
前記オゾン水が前記基板の前記表面に着液する着液領域に向けて酸素ガスを供給する酸素供給工程と、
前記オゾン水供給工程の実行前に前記基板の前記表面に向けて酸素を供給し、前記基板の前記表面の前記着液領域に予め酸素雰囲気を形成する第２の酸素雰囲気形成工程と
を含む基板処理方法。 A substrate processing method in which a substrate having a resist film or a metal-containing film formed on its surface is held horizontally and rotated while supplying ozone water to treat the substrate,
an ozonated water supply step of supplying ozonated water to the surface of the substrate;
an oxygen supply step of supplying oxygen gas toward a liquid landing area where the ozonated water lands on the surface of the substrate;
a second oxygen atmosphere forming step of supplying oxygen toward the surface of the substrate before executing the ozonated water supply step, and forming an oxygen atmosphere in advance in the liquid landing area on the surface of the substrate ;
Substrate processing methods including . 前記オゾン水供給工程の実行前に前記基板の前記表面に向けてＵＶ光を照射する第４の照射工程を含む請求項９に記載の基板処理方法。 10. The substrate processing method according to claim 9, further comprising a fourth irradiation step of irradiating the surface of the substrate with UV light before executing the ozonated water supply step. 前記第４の照射工程は、前記第２の酸素雰囲気形成工程の前に実行される請求項１０に記載の基板処理方法。 11. The substrate processing method according to claim 10, wherein the fourth irradiation step is performed before the second oxygen atmosphere forming step. 前記第３の照射工程は、前記オゾン水供給工程の終了後に終了される請求項８に記載の基板処理方法。 9. The substrate processing method according to claim 8, wherein the third irradiation step is completed after the ozone water supply step is completed. 少なくとも前記オゾン水供給工程の終了時点から所定の時間、前記基板に向けて酸素を供給する工程をさらに含む請求項７から１２のいずれかに記載の基板処理方法。 13. The substrate processing method according to claim 7, further comprising a step of supplying oxygen toward the substrate for at least a predetermined period of time from the end of the ozonated water supply step. その表面にレジスト膜または金属含有膜が形成された基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転機構と、
オゾン水と酸素ガスとを混合させて液滴を生成する液滴生成ノズルと、
前記液滴生成ノズルで生成された前記液滴にＵＶ光を照射する照射部と、を備える基板処理装置。 A substrate processing apparatus that processes a substrate on which a resist film or a metal-containing film is formed,
a substrate holder that holds the substrate horizontally;
a rotation mechanism that rotates the substrate holder;
a droplet generation nozzle that generates droplets by mixing ozone water and oxygen gas;
A substrate processing apparatus comprising: an irradiation unit that irradiates the droplets generated by the droplet generation nozzle with UV light. 前記液滴生成ノズルに対してオゾン水を供給するオゾン水供給配管と、
前記液滴生成ノズルに対して酸素ガスを供給する酸素ガス供給配管と、
前記オゾン水供給配管に介装され、オゾン水の供給状態を変えるオゾン水供給弁と、
前記酸素ガス供給配管に介装され、酸素ガスの供給状態を変える酸素ガス供給弁と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記オゾン水供給弁と前記酸素ガス供給弁とを制御して、前記オゾン水供給弁を供給状態とする前に、前記酸素ガス供給弁を供給状態とする流体供給制御部を含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。 ozonated water supply piping that supplies ozonated water to the droplet generation nozzle;
an oxygen gas supply pipe that supplies oxygen gas to the droplet generation nozzle;
an ozonated water supply valve that is installed in the ozonated water supply pipe and changes the ozonated water supply state;
an oxygen gas supply valve that is interposed in the oxygen gas supply piping and changes the oxygen gas supply state;
comprising a control unit;
The control unit includes:
The fluid supply control unit controls the ozone water supply valve and the oxygen gas supply valve to bring the oxygen gas supply valve into the supply state before the ozone water supply valve is brought into the supply state. The substrate processing apparatus according to claim 14. 前記制御部は、
前記流体供給制御部が前記オゾン水供給弁を供給状態とする前に、前記基板の前記表面に向けてＵＶ光を照射させるように前記照射部を制御するＵＶ照射制御部を含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。 The control unit includes:
The fluid supply control unit includes a UV irradiation control unit that controls the irradiation unit to irradiate UV light toward the surface of the substrate before the fluid supply control unit sets the ozone water supply valve to the supply state. The substrate processing apparatus according to claim 15. 前記ＵＶ照射制御部は、前記流体供給制御部が前記オゾン水供給弁および前記酸素ガス供給弁を供給状態とする前に、前記基板の前記表面に向けてＵＶ光を照射させるように前記照射部を制御することを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。 The UV irradiation control unit controls the irradiation unit to irradiate the surface of the substrate with UV light before the fluid supply control unit sets the ozone water supply valve and the oxygen gas supply valve to a supply state. 17. The substrate processing apparatus according to claim 16, wherein the substrate processing apparatus controls: 前記ＵＶ照射制御部は、前記流体供給制御部が前記オゾン水供給弁および前記酸素ガス供給弁を供給状態から非供給状態とした後まで、前記基板の前記表面に向けてＵＶ光を照射させるように前記照射部を制御することを特徴とする請求項１６または１７に記載の基板処理装置。 The UV irradiation control unit is configured to irradiate UV light toward the surface of the substrate until after the fluid supply control unit changes the ozone water supply valve and the oxygen gas supply valve from a supply state to a non-supply state. 18. The substrate processing apparatus according to claim 16, wherein the irradiation section is controlled to. 前記流体供給制御部は、前記オゾン水供給弁を供給状態から非供給状態とし、前記酸素ガス供給弁の供給状態をそのまま維持するように制御することによって、前記液滴の供給を終了した後も所定時間、前記液滴生成ノズルから前記基板の前記表面に酸素ガスを供給することを特徴とする請求項１５から１８のいずれかに記載の基板処理装置。 The fluid supply control section changes the ozone water supply valve from a supply state to a non-supply state, and controls the oxygen gas supply valve to maintain the supply state as it is , even after the supply of the droplets is finished. 19. The substrate processing apparatus according to claim 15, wherein oxygen gas is supplied from the droplet generating nozzle to the surface of the substrate for a predetermined period of time. 前記液滴生成ノズルは、
その中心軸が鉛直軸に沿って延びるとともに、その下端部に開放面を有する第１の円筒部と、
前記中心軸と同軸の中心軸を有するとともに、前記第１の円筒部よりも大径であって、その下端部に開放面を有する第２の円筒部と、
前記第１の円筒部の外周面と前記第２の円筒部の内周面との間に形成され、前記オゾン水供給配管から供給されるオゾン水を鉛直下方に流下させる第１の流路と、
前記第１の流路の下端に形成され、オゾン水を鉛直下方に供給するオゾン水供給口と、
前記オゾン水供給口よりも外側に形成され、前記中心軸に向かう斜め下方に酸素ガスを供給する酸素ガス供給口と、を含み、
前記第１の円筒部は、前記照射部から照射されたＵＶ光を下方に向けて導光するとともに、その解放された下端から前記基板の前記表面に向けてＵＶ光を放射させることを特徴とする請求項１５から１９のいずれかに記載の基板処理装置。 The droplet generating nozzle is
a first cylindrical part whose central axis extends along a vertical axis and has an open surface at its lower end;
a second cylindrical part having a central axis coaxial with the central axis, having a larger diameter than the first cylindrical part, and having an open surface at its lower end;
a first flow path formed between an outer circumferential surface of the first cylindrical part and an inner circumferential surface of the second cylindrical part, through which ozonated water supplied from the ozonated water supply pipe flows vertically downward; ,
an ozonated water supply port that is formed at the lower end of the first flow path and supplies ozonated water vertically downward;
an oxygen gas supply port that is formed outside the ozone water supply port and supplies oxygen gas obliquely downward toward the central axis;
The first cylindrical part is characterized in that it guides the UV light irradiated from the irradiation part downward, and emits the UV light from its free lower end toward the surface of the substrate. The substrate processing apparatus according to any one of claims 15 to 19. 前記液滴生成ノズルは、
前記第２の円筒部の外周面の全周を取り囲むように構成される第３の円筒部と前記第３の円筒部の下端から前記中心軸に向けて前記第２の円筒部の下端部に近接する位置まで延設される底部とを含んで構成される囲い部材と、をさらに備え、
前記第２の円筒部の外周面と、前記囲い部材の内面とによって閉空間を形成し、
前記第２の円筒部の下端面は、前記中心軸に向かう斜め下方に傾斜するように構成され、
前記囲い部材は、前記第２の円筒部の前記下端面と平行に対向する対向面を含み、
前記第２の円筒部の前記下端面と前記囲い部材の前記対向面との間に形成され、前記閉空間と連通して酸素ガスを前記中心軸に向かう斜め下方に案内する第２の流路と、を含むことを特徴とする請求項２０に記載の基板処理装置。 The droplet generating nozzle is
a third cylindrical part configured to surround the entire outer peripheral surface of the second cylindrical part; and a third cylindrical part configured to surround the entire circumference of the outer peripheral surface of the second cylindrical part; further comprising: an enclosing member configured to include a bottom portion extending to an adjacent position;
A closed space is formed by an outer circumferential surface of the second cylindrical portion and an inner surface of the enclosing member,
The lower end surface of the second cylindrical portion is configured to be inclined diagonally downward toward the central axis,
The enclosing member includes an opposing surface that faces parallel to the lower end surface of the second cylindrical portion,
a second flow path formed between the lower end surface of the second cylindrical portion and the opposing surface of the enclosing member, communicating with the closed space and guiding oxygen gas obliquely downward toward the central axis; 21. The substrate processing apparatus according to claim 20, comprising: 前記第１の円筒部の下端面は、前記中心軸に向かう斜め下方に傾斜するように構成され、
前記第１の円筒部の前記下端面と前記第２の円筒部の前記下端面は、前記オゾン水供給口の部分を除いて、前記中心軸に頂点を有する下方向きの円錐面の一面となるように構成されることを特徴とする請求項２１に記載の基板処理装置。 The lower end surface of the first cylindrical portion is configured to be inclined diagonally downward toward the central axis,
The lower end surface of the first cylindrical section and the lower end surface of the second cylindrical section, excluding the ozone water supply port, form one surface of a downward conical surface having an apex at the central axis. 22. The substrate processing apparatus according to claim 21, wherein the substrate processing apparatus is configured as follows.
JP2020048743A 2020-03-19 2020-03-19 Substrate processing method and substrate processing apparatus Active JP7409925B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020048743A JP7409925B2 (en) 2020-03-19 2020-03-19 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020048743A JP7409925B2 (en) 2020-03-19 2020-03-19 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021148955A JP2021148955A (en) 2021-09-27
JP7409925B2 true JP7409925B2 (en) 2024-01-09

Family

ID=77851289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020048743A Active JP7409925B2 (en) 2020-03-19 2020-03-19 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7409925B2 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077069A (en) 1999-06-30 2001-03-23 Sony Corp Substrate treating method and substrate treating device
JP2001351893A (en) 2000-06-05 2001-12-21 Sumitomo Precision Prod Co Ltd Method for treating substrate
JP2002134401A (en) 2000-07-04 2002-05-10 Seiko Epson Corp Substrate processing method, substrate processing device, and method of manufacturing electronic device
JP2002134455A (en) 2000-10-24 2002-05-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment device
JP2011205015A (en) 2010-03-26 2011-10-13 Kurita Water Ind Ltd Cleaning method for electronic material

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077069A (en) 1999-06-30 2001-03-23 Sony Corp Substrate treating method and substrate treating device
JP2001351893A (en) 2000-06-05 2001-12-21 Sumitomo Precision Prod Co Ltd Method for treating substrate
JP2002134401A (en) 2000-07-04 2002-05-10 Seiko Epson Corp Substrate processing method, substrate processing device, and method of manufacturing electronic device
JP2002134455A (en) 2000-10-24 2002-05-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment device
JP2011205015A (en) 2010-03-26 2011-10-13 Kurita Water Ind Ltd Cleaning method for electronic material

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021148955A (en) 2021-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4986566B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4986565B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR101935667B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI709169B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6168271B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI723347B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6438649B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN108701606B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2011071169A (en) Substrate processing method and apparatus
CN117059526A (en) Substrate processing method
JP6222558B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP7409925B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2008028102A (en) Method and device for removing resist mask
JP6782185B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method
KR20180108733A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
TWI749295B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2009117597A (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP4377285B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
WO2016152371A1 (en) Substrate processing method and substrate processing device
JP7094147B2 (en) Board processing method and board processing equipment
KR20090016231A (en) Apparatus and method for treating substrate
JP2009026948A (en) Substrate treating apparatus and treatment chamber washing method
JP7483145B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2023176052A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2005090860A (en) Drying treatment method, and drying treatment device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230801

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230915

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231128

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231221

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7409925

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150