JP2021148955A - Substrate treatment method and substrate treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板を処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウェハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for processing a substrate. The substrates to be processed include, for example, semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, opto-magnetic disk substrates, and photomasks. Substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, etc. are included.
特許文献１に記載のように、レジスト膜に覆われた基板からレジスト膜を除去する方法として、硫酸と過酸化水素水を混合したＳＰＭ（Sulfuric acid and hydrogen Peroxide Mixture）によってレジスト膜を分解し溶解して除去する方法が知られている。また、オゾン水によってもレジスト膜を除去できることが知られている。
As described in
しかし、特許文献１に記載のようにＳＰＭを用いてレジスト膜を除去する処理において、その使用済みのＳＰＭがリサイクルのために回収されている。ここで回収されたＳＰＭは、リサイクル業者によって硫酸を濃縮化する作業が行われる。その際、多大なエネルギーを消費するため環境負荷が大きい。また、ＳＰＭが用いられる処理はレジスト膜を除去する処理だけでなく、ＴｉＮのような金属含有膜を除去する場合も同様の課題が生じる。
However, in the process of removing the resist film using SPM as described in
一方、硫酸を使用せずにレジスト膜や金属含有膜を除去する手法として、オゾン水を用いる手法がある。しかし、特許文献２のように単にオゾン水を基板に供給するだけではレジスト膜や金属含有膜を効果的に除去することはできない。そこで、本願の発明は、硫酸を用いず環境負荷を軽減することができるとともに、レジスト膜や金属含有膜を効果的に除去できる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。 On the other hand, as a method for removing a resist film or a metal-containing film without using sulfuric acid, there is a method using ozone water. However, the resist film and the metal-containing film cannot be effectively removed by simply supplying ozone water to the substrate as in Patent Document 2. Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of reducing the environmental load without using sulfuric acid and effectively removing a resist film and a metal-containing film.
上記の課題を解決するため、本願の第１発明は、その表面にレジスト膜または金属含有膜が形成された基板を水平保持して回転させながらオゾン水を供給して基板を処理する基板処理方法であって、酸素ガスとオゾン水とを混合させることによってオゾン水の液滴を生成する液滴生成工程と、前記液滴生成工程で生成された液滴に対してＵＶ光を照射する第１の照射工程と、前記ＵＶ光を照射された液滴を前記基板の表面に供給する液滴供給工程と、を含むことを特徴とする。 In order to solve the above problems, the first invention of the present application is a substrate processing method for processing a substrate by supplying ozone water while horizontally holding and rotating a substrate having a resist film or a metal-containing film formed on the surface thereof. The first is a droplet generation step of generating droplets of ozone water by mixing oxygen gas and ozone water, and a first step of irradiating the droplets generated in the droplet generation step with UV light. It is characterized by including an irradiation step of the above and a droplet supply step of supplying the droplets irradiated with the UV light to the surface of the substrate.
本願の第２発明は、第１発明の基板処理方法であって、前記液滴供給工程の実行前に基板の表面に向けて酸素を供給し、基板の表面の前記液滴が供給される領域に予め酸素雰囲気を形成する第１の酸素雰囲気形成工程を含むことを特徴とする。 The second invention of the present invention is the substrate processing method of the first invention, in which oxygen is supplied toward the surface of the substrate before the execution of the droplet supply step, and the region on the surface of the substrate to which the droplets are supplied. Is characterized by including a first oxygen atmosphere forming step of forming an oxygen atmosphere in advance.
本願の第３発明は、第１発明または第２発明の基板処理方法であって、前記液滴供給工程の実行前に基板の表面に向けてＵＶ光を照射する第２の照射工程を含むことを特徴とする。 The third invention of the present application is the substrate processing method of the first invention or the second invention, and includes a second irradiation step of irradiating the surface of the substrate with UV light before executing the droplet supply step. It is characterized by.
本願の第４発明は、第３発明の基板処理方法であって、前記第２の照射工程は、前記第１の酸素雰囲気形成工程の前に実行されることを特徴とする。 The fourth invention of the present application is the substrate processing method of the third invention, wherein the second irradiation step is executed before the first oxygen atmosphere forming step.
本願の第５発明は、第１発明から第４発明のいずれかの基板処理方法であって、前記第１の照射工程は、前記液滴供給工程の終了後に終了されることを特徴とする。 The fifth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the first to fourth inventions, wherein the first irradiation step is completed after the completion of the droplet supply step.
本願の第６発明は、第１発明から第５発明のいずれかの基板処理方法であって、少なくとも前記液滴供給工程の終了時点から所定の時間、基板に向けて酸素を供給する工程をさらに含むことを特徴とする。 The sixth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the first to fifth inventions, further comprising a step of supplying oxygen toward the substrate for a predetermined time at least from the end of the droplet supply step. It is characterized by including.
本願の第７発明は、その表面にレジスト膜または金属含有膜が形成された基板を水平保持して回転させながらオゾン水を供給して基板を処理する基板処理方法であって、基板の表面にオゾン水を供給するオゾン水供給工程と、前記オゾン水が基板の表面に着液する着液領域に向けて酸素ガスを供給する酸素供給工程と、を含むことを特徴とする。 The seventh invention of the present application is a substrate processing method for treating a substrate by supplying ozone water while horizontally holding and rotating a substrate having a resist film or a metal-containing film formed on the surface thereof, and treating the substrate on the surface of the substrate. It is characterized by including an ozone water supply step of supplying ozone water and an oxygen supply step of supplying oxygen gas toward a liquidation region where the ozone water is landed on the surface of a substrate.
本願の第８発明は、第７発明の基板処理方法であって、前記着液領域に向けてＵＶ光を照射する第３の照射工程を含むことを特徴とする。 The eighth invention of the present application is the substrate processing method of the seventh invention, which comprises a third irradiation step of irradiating the liquid landing region with UV light.
本願の第９発明は、第７発明または第８発明の基板処理方法であって、前記オゾン水供給工程の実行前に基板の表面に向けて酸素を供給し、基板の表面の前記着液領域に予め酸素雰囲気を形成する第２の酸素雰囲気形成工程を含むことを特徴とする。 The ninth invention of the present application is the substrate processing method of the seventh invention or the eighth invention, in which oxygen is supplied toward the surface of the substrate before the execution of the ozone water supply step, and the liquidation region on the surface of the substrate. Is characterized by including a second oxygen atmosphere forming step of forming an oxygen atmosphere in advance.
本願の第１０発明は、第７発明から第９発明のいずれかの基板処理方法であって、前記オゾン水供給工程の実行前に基板の表面に向けてＵＶ光を照射する第４の照射工程を含むことを特徴とする。 The tenth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the seventh to ninth inventions, and is a fourth irradiation step of irradiating the surface of the substrate with UV light before executing the ozone water supply step. It is characterized by including.
本願の第１１発明は、第１０発明の基板処理方法であって、前記第４の照射工程は、前記第２の酸素雰囲気形成工程の前に実行されることを特徴とする。 The eleventh invention of the present application is the substrate processing method of the tenth invention, characterized in that the fourth irradiation step is executed before the second oxygen atmosphere forming step.
本願の第１２発明は、第７発明から第１１発明のいずれかの基板処理方法であって、前記第３の照射工程は、前記オゾン水供給工程の終了後に終了されることを特徴とする。 The twelfth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the seventh to eleventh inventions, wherein the third irradiation step is completed after the ozone water supply step is completed.
本願の第１３発明は、第７発明から第１２発明のいずれかの基板処理方法であって、少なくとも前記オゾン水供給工程の終了時点から所定の時間、基板に向けて酸素を供給する工程をさらに含むことを特徴とする。 The thirteenth invention of the present application is the substrate processing method according to any one of the seventh to twelfth inventions, further comprising a step of supplying oxygen toward the substrate for a predetermined time at least from the end of the ozone water supply step. It is characterized by including.
本願の第１４発明は、その表面にレジスト膜または金属含有膜が形成された基板を処理する基板処理装置であって、基板を水平に保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転機構と、オゾン水と酸素ガスとを混合させて液滴を生成する液滴生成ノズルと、前記液滴生成ノズルで生成された前記液滴にＵＶ光を照射する照射部と、を備えることを特徴とする。 The fourteenth invention of the present application is a substrate processing apparatus for processing a substrate on which a resist film or a metal-containing film is formed on the surface thereof, and a substrate holding portion for holding the substrate horizontally and a rotation for rotating the substrate holding portion. It is provided with a mechanism, a droplet generation nozzle that mixes ozone water and oxygen gas to generate droplets, and an irradiation unit that irradiates the droplets generated by the droplet generation nozzle with UV light. It is a feature.
本願の第１５発明は、第１４発明の基板処理装置であって、前記液滴生成ノズルに対してオゾン水を供給するオゾン水供給配管と、前記液滴生成ノズルに対して酸素ガスを供給する酸素ガス供給配管と、前記オゾン水供給配管に介装され、オゾン水の供給状態を変えるオゾン水供給弁と、前記酸素供給配管に介装され、酸素ガスの供給状態を変える酸素ガス供給弁と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記オゾン水供給弁と前記酸素ガス供給弁とを制御して、前記オゾン水供給弁を供給状態とする前に、前記酸素ガス供給弁を供給状態とする流体供給制御部を含むことを特徴とする。 The fifteenth invention of the present application is the substrate processing apparatus of the fourteenth invention, which supplies ozone water to the droplet generation nozzle and oxygen gas to the droplet generation nozzle. An oxygen gas supply pipe, an ozone water supply valve interposed in the ozone water supply pipe to change the supply state of ozone water, and an oxygen gas supply valve interposed in the oxygen supply pipe to change the supply state of oxygen gas. The control unit controls the ozone water supply valve and the oxygen gas supply valve to supply the oxygen gas supply valve before the ozone water supply valve is brought into the supply state. It is characterized by including a fluid supply control unit to be in a state.
本願の第１６発明は、第１４発明または第１５発明の基板処理装置であって、前記制御部は、前記流体供給制御部が前記オゾン水供給弁を供給状態とする前に、基板の表面に向けてＵＶ光を照射させるように前記照射部を制御するＵＶ照射制御部を含むことを特徴とする。 The 16th invention of the present application is the substrate processing apparatus of the 14th invention or the 15th invention, and the control unit is applied to the surface of the substrate before the fluid supply control unit supplies the ozone water supply valve. It is characterized by including a UV irradiation control unit that controls the irradiation unit so as to irradiate the UV light toward the subject.
本願の第１７発明は、第１６発明の基板処理装置であって、前記ＵＶ照射制御部は、前記流体供給制御部が前記オゾン水供給弁および前記酸素ガス供給弁を供給状態とする前に、基板の表面に向けてＵＶ光を照射させるように前記照射部を制御することを特徴とする。 The seventeenth invention of the present application is the substrate processing apparatus of the sixteenth invention, in which the UV irradiation control unit is in a state of supplying the ozone water supply valve and the oxygen gas supply valve before the fluid supply control unit supplies the ozone water supply valve and the oxygen gas supply valve. It is characterized in that the irradiation unit is controlled so as to irradiate the surface of the substrate with UV light.
本願の第１８発明は、第１６発明または第１７発明の基板処理装置であって、前記ＵＶ照射制御部は、前記流体供給制御部が前記オゾン水供給弁および前記酸素ガス供給弁を供給状態から非供給状態とした後まで、基板の表面に向けてＵＶ光を照射させるように前記照射部を制御することを特徴とする。 The eighteenth invention of the present application is the substrate processing apparatus of the sixteenth invention or the seventeenth invention, and in the UV irradiation control unit, the fluid supply control unit supplies the ozone water supply valve and the oxygen gas supply valve from the supply state. It is characterized in that the irradiation unit is controlled so as to irradiate the surface of the substrate with UV light until after the non-supply state is set.
本願の第１９発明は、第１５から第１８発明のいずれかの基板処理装置であって、前記流体制御部は、前記オゾン水供給弁を供給状態から非供給状態とし、前記酸素ガス供給弁の供給状態をそのまま維持するように制御することによって、液滴の供給を終了した後も所定時間、前記液滴生成ノズルから基板の表面に酸素ガスを供給することを特徴とする。 The nineteenth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the fifteenth to eighteenth inventions, in which the fluid control unit changes the ozone water supply valve from the supply state to the non-supply state and of the oxygen gas supply valve. By controlling so as to maintain the supply state as it is, the oxygen gas is supplied from the droplet generation nozzle to the surface of the substrate for a predetermined time even after the supply of the droplets is completed.
本願の第２０発明は、第１４発明から第１９発明のいずれかの基板処理装置であって、前記液滴生成ノズルは、その中心軸が鉛直軸に沿って延びるとともに、その下端部に開放面を有する第１の円筒部と、前記中心軸と同軸の中心軸を有るとともに、前記第１の円筒部よりも大径であって、その下端部に開放面を有する第２の円筒部と、前記第１の円筒部の外周面と前記第２の円筒部の内周面との間に形成され、前記オゾン水供給配管から供給されるオゾン水を鉛直下方に流下させる第１の流路と、前記第１の流路の下端に形成され、オゾン水を鉛直下方に供給するオゾン水供給口と、前記オゾン水供給口よりも外側に形成され、前記中心軸に向かう斜め下方に酸素ガスを供給する酸素ガス供給口と、を含み、前記第１の円筒部は、前記照射部から照射されたＵＶ光を下方に向けて導光するとともに、その解放された下端から基板の表面に向けてＵＶ光を放射させることを特徴とする。 The twentieth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the fourteenth to nineteenth inventions, wherein the central axis of the droplet generation nozzle extends along the vertical axis and an open surface is formed at the lower end thereof. A first cylindrical portion having a A first flow path formed between the outer peripheral surface of the first cylindrical portion and the inner peripheral surface of the second cylindrical portion to allow ozone water supplied from the ozone water supply pipe to flow vertically downward. , An ozone water supply port formed at the lower end of the first flow path and supplying ozone water vertically downward, and an oxygen gas formed obliquely downward toward the central axis and formed outside the ozone water supply port. The first cylindrical portion includes an oxygen gas supply port for supplying, and guides the UV light emitted from the irradiation portion downward, and from the released lower end toward the surface of the substrate. It is characterized by emitting UV light.
本願の第２１発明は、第２０発明の基板処理装置であって、前記液滴生成ノズルは、前記第２の円筒部の外周面の全周を取り囲むように構成される第３の円筒部と前記第３の円筒部の下端から前記中心軸に向けて前記第２の円筒部の下端部に近接する位置まで延設される底部とを含んで構成される囲い部材と、をさらに備え、前記第２の円筒部の外周面と、前記囲い部材の内面とによって閉空間を形成し、 前記第２の円筒部の下端面は、前記中心軸に向かう斜め下方に傾斜するように構成され、前記囲い部材は、前記第２の円筒部の下端面と平行に対向する対向面を含み、前記第２の円筒部の下端面と前記囲い部材の対向面との間に形成され、前記閉空間と連通して酸素ガスを前記中心軸に向かう斜め下方に案内する第２の流路と、を含むことを特徴とする。 The 21st invention of the present application is the substrate processing apparatus of the 20th invention, wherein the droplet generation nozzle has a third cylindrical portion configured to surround the entire outer peripheral surface of the second cylindrical portion. An enclosure member including a bottom portion extending from the lower end of the third cylindrical portion to a position close to the lower end portion of the second cylindrical portion toward the central axis is further provided. A closed space is formed by the outer peripheral surface of the second cylindrical portion and the inner surface of the enclosure member, and the lower end surface of the second cylindrical portion is configured to be inclined diagonally downward toward the central axis. The enclosing member includes a facing surface parallel to the lower end surface of the second cylindrical portion, and is formed between the lower end surface of the second cylindrical portion and the facing surface of the enclosing member, and is formed with the closed space. It is characterized by including a second flow path that communicates and guides oxygen gas diagonally downward toward the central axis.
本願の第２２発明は、第２１発明の基板処理装置であって、前記第１の円筒部の下端面は、前記中心軸に向かう斜め下方に傾斜するように構成され、前記第１の円筒部の下端面と前記第２の円筒部の下端面は、前記オゾン水供給口を除いて、前記中心軸に頂点を有する下方向きの円錐面の一面となるように形成されることを特徴とする。 The 22nd invention of the present application is the substrate processing apparatus of the 21st invention, wherein the lower end surface of the first cylindrical portion is configured to be inclined diagonally downward toward the central axis, and the first cylindrical portion is formed. The lower end surface of the second cylindrical portion and the lower end surface of the second cylindrical portion are formed so as to be one surface of a downward conical surface having an apex on the central axis, except for the ozone water supply port. ..
第１から第１３発明の基板処理方法においては、硫酸を用いることなく、オゾン濃度の高いオゾン水を基板に供給できるので、レジスト膜や金属含有膜を効果的に除去することができるとともに環境負荷を軽減することができる。 In the substrate treatment methods of the first to thirteenth inventions, ozone water having a high ozone concentration can be supplied to the substrate without using sulfuric acid, so that the resist film and the metal-containing film can be effectively removed and the environmental load can be applied. Can be reduced.
第１４から第２２発明の基板処理装置においては、硫酸を用いることなく、オゾン濃度の高いオゾン水を基板に供給できるので、レジスト膜や金属含有膜を効果的に除去することができるとともに環境負荷を軽減することができる。 In the substrate processing apparatus of the 14th to 22nd inventions, ozone water having a high ozone concentration can be supplied to the substrate without using sulfuric acid, so that the resist film and the metal-containing film can be effectively removed and the environmental load can be applied. Can be reduced.
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理方法および基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、この発明に係る基板処理方法および基板処理装置が適用される基板処理システムの概略図である。基板処理システム１００は、シリコンウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理システムである。 Hereinafter, the substrate processing method and the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view of a substrate processing system to which the substrate processing method and the substrate processing apparatus according to the present invention are applied. The substrate processing system 100 is a single-wafer type substrate processing system that processes disk-shaped substrates W such as silicon wafers one by one.
図１において、基板処理システム１００は、オゾン水とその他の処理液で基板Ｗを処理する複数の処理部１０ａ、（１０ｂ）と、処理部１０ａ、（１０ｂ）にオゾン水とその他の処理液および処理ガスを処理部１０ａ、（１０ｂ）に向けて供給する処理流体供給部３と、処理部１０ａ、（１０ｂ）で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理部１０ａ、（１０ｂ）との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理システム１００における基板Ｗの各搬送や基板Ｗに対する処理を制御する制御部４と、を含む。搬送ロボットＩＲは、キャリアＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと各処理部１０ａ、（１０ｂ）との間で基板Ｗを搬送する。 In FIG. 1, the substrate treatment system 100 includes a plurality of treatment units 10a and (10b) for treating the substrate W with ozone water and other treatment liquids, and ozone water and other treatment liquids in the treatment units 10a and (10b). A load port on which a processing fluid supply unit 3 for supplying processing gas to the processing units 10a and (10b) and a carrier C accommodating a plurality of substrates W processed by the processing units 10a and (10b) are mounted. The transfer robots IR and CR that transfer the substrate W between the LP, the load port LP, the processing units 10a, and (10b), and a control unit that controls each transfer of the substrate W and processing for the substrate W in the substrate processing system 100. 4 and. The transfer robot IR transfers the substrate W between the carrier C and the transfer robot CR. The transfer robot CR transfers the substrate W between the transfer robot IR and the processing units 10a and (10b).
ここで、基板Ｗの流れを説明する。複数の基板Ｗを収容したキャリアＣがロードポートＬＰに載置される。ロードポートＬＰに載置されたキャリアＣから搬送ロボットＩＲが処理前の基板Ｗを取り出す。搬送ロボットＩＲは、取り出した基板Ｗを搬送し搬送ロボットＣＲへ受け渡す。搬送ロボットＣＲは、受け取った基板Ｗを各処理部１０ａ、（１０ｂ）に搬入する。各処理部１０ａ、（１０ｂ）は搬入された基板Ｗに対してレジスト膜や金属含有膜を除去する処理を行う。レジスト膜や金属含有膜が除去された基板Ｗは搬送ロボットＣＲにより各処理部１０ａ、（１０ｂ）から搬出され、搬送ロボットＩＲへ受け渡される。基板Ｗを受け取った搬送ロボットＩＲは、処理後の基板ＷをキャリアＣへ戻し収容する。 Here, the flow of the substrate W will be described. A carrier C accommodating a plurality of substrates W is placed on the load port LP. The transfer robot IR takes out the unprocessed substrate W from the carrier C mounted on the load port LP. The transfer robot IR conveys the taken-out substrate W and delivers it to the transfer robot CR. The transfer robot CR carries the received substrate W into each of the processing units 10a and (10b). Each of the processing units 10a and (10b) performs a process of removing the resist film and the metal-containing film on the carried-in substrate W. The substrate W from which the resist film and the metal-containing film have been removed is carried out from the processing units 10a and 10b by the transfer robot CR and delivered to the transfer robot IR. The transfer robot IR that has received the substrate W returns the processed substrate W to the carrier C and accommodates the substrate W.
［１］第１実施形態
＜基板処理装置＞
以下に図２から図１０に基づいて、本願発明の第１実施形態に係る基板処理装置および基板処理方法について説明する。図２において、基板処理装置１は、処理部１０ａ、処理流体供給部３および制御部４を備える。処理部１０ａは、搬送ロボットＣＲによりに搬入された基板Ｗをオゾン水および酸素ガスとその他の処理液とを用いて処理する。処理流体供給部３は、処理部１０ａにオゾン水および酸素ガスとその他の処理液を供給する。制御部４は、処理流体供給部３および処理部１０ａを制御する。
[1] First Embodiment <Board Processing Device>
Hereinafter, the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 10. In FIG. 2, the
＜処理部＞
処理部１０ａは、スピンチャック１１と、カップ１４と、液滴生成ノズル２１と、処理液供給ノズル２２、２３と、液滴生成ノズル２１および処理液供給ノズル２２を移動させるノズル移動機構１２と、処理液供給ノズル２３を移動させるノズル移動機構１３とを含む。
<Processing unit>
The processing unit 10a includes a
スピンチャック１１は、チャックピン１１ａと回転ベース１１ｂとからなり、チャックピン１１ａにより基板Ｗを水平に保持して回転させる。カップ１４は、スピンチャック１１を取り囲み、基板Ｗから飛散する処理液を受けとめて排液する。液滴生成ノズル２１は、オゾン水と酸素ガスとを混合させてオゾン水の液滴を生成し、そのオゾン水の液滴を基板Ｗの表面に供給する。処理液供給ノズル２２、２３は、後述する処理液を基板Ｗの表面に供給する。
The
ノズル移動機構１２は、液滴生成ノズル２１を先端に保持するアーム１２ａと、アーム１２ａを上端に支持し、当該アーム１２ａの先端に保持された液滴生成ノズル２１を昇降させる昇降駆動部１２ｂと、昇降駆動部１２ｂの下端部を保持し、昇降駆動部１２ｂを回転させることで前記液滴生成ノズル２１を、カップ１４の外の所定の待機位置と基板Ｗ上のオゾン水の液滴の吐出位置との間で、旋回させる旋回駆動部１２ｃとを備える。また、処理液供給ノズル２２は、図示しない連結具により液滴生成ノズル２１に連結されており、液滴生成ノズル２１の移動に合わせて液滴生成ノズル２１と一体的に昇降および旋回し、カップ１４の外の所定の待機位置と基板Ｗ上の処理液の吐出位置との間で移動する。
The nozzle moving mechanism 12 includes an arm 12a that holds the
ノズル移動機構１３は、処理液供給ノズル２３を先端に保持するアーム１３ａと、アーム１３ａを上端に支持し、当該アーム１３ａの先端に保持された処理液供給ノズル２３を昇降させる昇降駆動部１３ｂと、昇降駆動部１３ｂの下端部を保持し、昇降駆動部１３ｂを回転させることで前記処理液供給ノズル２３を、カップ１４の外の所定の待機位置と基板Ｗ上の処理液の吐出位置との間で、旋回させる旋回駆動部１３ｃとを備える。
The nozzle moving mechanism 13 includes an arm 13a that holds the processing
なお、前述した処理液には、薬液およびリンス液が含まれる。薬液は、例えば、フッ酸（フッ化水素水：ＨＦ）、ＳＣ１（RCA洗浄におけるStandard clean１。脱イオン水、アンモニア水および過酸化水素水の混合液。）である。リンス液とは、たとえば、脱イオン水（Deionized Water：ＤＩＷ）である。 The above-mentioned treatment solution includes a chemical solution and a rinse solution. The chemical solution is, for example, hydrofluoric acid (hydrogen fluoride water: HF), SC1 (Standard clean 1. in RCA cleaning, a mixture of deionized water, ammonia water and hydrogen peroxide water). The rinse solution is, for example, Deionized Water (DIW).
ここで、処理液供給ノズル２２は、ＳＣ１またはＤＩＷを基板Ｗの表面に供給する。処理液供給ノズル２３は、ＨＦまたはＤＩＷを基板Ｗの表面に供給する。
Here, the processing liquid supply nozzle 22 supplies SC1 or DIW to the surface of the substrate W. The processing
＜処理流体供給部＞
処理流体供給部３は、処理部１０ａの液滴生成ノズル２１に対してオゾン水を供給するオゾン水供給部３２と、処理部１０ａの液滴生成ノズル２１に対して酸素ガスを供給する酸素ガス供給部３１と、処理液供給ノズル２２に対してＳＣ１又はＤＩＷを供給する第１の処理液供給部３３と、処理液ノズル２３に対してＨＦ又はＤＩＷを供給する第２の処理液供給部３４とを含む。
<Processing fluid supply unit>
The processing fluid supply unit 3 is an ozone water supply unit 32 that supplies ozone water to the
オゾン水供給部３２は、オゾン水を生成するオゾンユニット３２ｃと、オゾン水生成ユニットで生成されたオゾン水を液滴生成ノズル２１に対して供給するオゾン水供給配管３２ａと、オゾン水供給配管３２ａに介装され、オゾン水の供給状態を変えるオゾン水供給弁３２ｂとを含む。
The ozone water supply unit 32 includes an ozone unit 32c that generates ozone water, an ozone water supply pipe 32a that supplies ozone water generated by the ozone water generation unit to the
また、酸素ガス供給部３１は、半導体工場内に備えられた酸素ガス供給源３１ｃから送られてきた酸素ガスを液滴生成ノズル２１に対して供給する酸素ガス供給配管３１ａと、酸素ガス供給配管３１ａに介装され、酸素ガスの供給状態を変える酸素ガス供給弁３１ｂとを含む。
Further, the oxygen gas supply unit 31 includes an oxygen gas supply pipe 31a for supplying the oxygen gas sent from the oxygen gas supply source 31c provided in the semiconductor factory to the
また、第１の処理液供給部３３は、ＳＣ１を貯留するＳＣ１貯留部３３２と、ＳＣ１貯留部３３２に貯留されているＳＣ１を処理液供給ノズル２２へ向けて送液するＳＣ１供給配管３３２ａと、ＳＣ１供給配管３３２ａに介装され、ＳＣ１の供給状態を変えるＳＣ１供給弁３３２ｂと、半導体工場内に備えられたＤＩＷ供給源３３１から送られてきたＤＩＷを処理液供給ノズル２２へ向けて送液するＤＩＷ供給配管３３１ａと、ＤＩＷ供給配管３３１ａに介装され、ＤＩＷの供給状態を変えるＤＩＷ供給弁３３１ｂと、ＳＣ１供給配管３３２ａ及びＤＩＷ供給配管３３１ａに流路接続され、ＳＣ１供給配管３３２ａから送液されてきたＳＣ１又はＤＩＷ供給配管３３１ａから送液されてきたＤＩＷを処理液供給ノズル２２に供給する共通配管３３ａを含む。 Further, the first processing liquid supply unit 33 includes an SC1 storage unit 332 that stores SC1, an SC1 supply pipe 332a that sends SC1 stored in the SC1 storage unit 332 toward the treatment liquid supply nozzle 22. The SC1 supply valve 332b, which is interposed in the SC1 supply pipe 332a and changes the supply state of the SC1, and the DIW sent from the DIW supply source 331 provided in the semiconductor factory are sent to the processing liquid supply nozzle 22. The DIW supply pipe 331a, the DIW supply valve 331b which is interposed in the DIW supply pipe 331a and changes the supply state of the DIW, the flow path is connected to the SC1 supply pipe 332a and the DIW supply pipe 331a, and the liquid is sent from the SC1 supply pipe 332a. The common pipe 33a for supplying the DIW sent from the SC1 or the DIW supply pipe 331a to the processing liquid supply nozzle 22 is included.
さらに、第２の処理液供給部３４は、ＨＦを貯留するＨＦ貯留部３４１と、ＨＦ貯留部３４１に貯留されているＨＦを処理液供給ノズル２３へ向けて送液するＨＦ供給配管３４１ａと、ＨＦ供給配管３４１ａに介装され、ＨＦの供給状態を変えるＨＦ供給弁３４１ｂと、半導体工場内に備えられたＤＩＷ供給源３４２から送られてきたＤＩＷを処理液供給ノズル２３へ向けて送液するＤＩＷ供給配管３４２ａと、ＤＩＷ供給配管３４２ａに介装され、ＤＩＷの供給状態を変えるＤＩＷ供給弁３４２ｂと、ＨＦ供給配管３４１ａ及びＤＩＷ供給配管３４２ａに流路接続され、ＨＦ供給配管３４１ａから送液されてきたＨＦ又はＤＩＷ供給配管３４２ａから送液されてきたＤＩＷを処理液供給ノズル２３に供給する共通配管３４ａを含む。
Further, the second treatment
＜液滴生成ノズル＞
次に、図３および図４を参照し、液滴生成ノズル２１の構造の詳細について説明する。
ここで、図３（ａ）は、液滴生成ノズル２１を鉛直上方から平面視した平面図である。図３（ｂ）は、液滴生成ノズル２１を側方から見た側面図である。
また、図４（ａ）は、図３（ａ）に示すＡ−Ａ′断面を矢印方向へ向けて見た場合のＡ−Ａ′縦断面図である。また、図４（ｂ）は、図３（ｂ）に示すＢ−Ｂ′断面を矢印方向へ向けて見た場合のＢ−Ｂ′横断面図である。
<Drop generation nozzle>
Next, the details of the structure of the
Here, FIG. 3A is a plan view of the
Further, FIG. 4A is a vertical cross-sectional view taken along the line AA'shown in FIG. 3A when viewed in the direction of the arrow. Further, FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line BB'shown in FIG. 3B when viewed in the direction of the arrow.
液滴生成ノズル２１は、アーム１２ａ（図２を参照）と連結する固定部２１０と、固定部２１０の下面に固設された囲い部材２１４と、固定部２１０の下面に固設された第１の円筒部２１２とを含む（図４を参照）。さらに、液滴生成ノズル２１は、固定部２１０の下面に固設され、第１の円筒部２１２の外周面を全周にわたって囲うように設けられた後述する第２の円筒部２１３（図４を参照）をさらに含む。固定部２１０には、固定部２１０の上端面から下端面まで貫通する貫通孔２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃが形成されている。そして、処理流体供給部３から配設される酸素ガス供給配管３１ａおよびオゾン水供給配管３２ａ（図４を参照）が当該貫通孔２１０ａおよび２１０ｂの上端部に接続されている。
また、液滴生成ノズル２１を構成する固定部２１０の貫通孔２１０ｃの上端部には、図示しないＵＶ光の出射部が貫通穴２１０ｃを臨むように、ＵＶ光を照射する照射部２１１が取り付けられている（図４参照）。
The
Further, an
次に、オゾン水の液滴生成ノズル２１の内部構造の詳細について図４（ａ）および図４（ｂ）を参照しながら説明する。図４（ａ）において、液滴生成ノズル２１は、その中心軸Ｃ１が鉛直軸に沿って延びるとともに、その下端部に開放面を有する第１の円筒部２１２と、第１の円筒部２１２と同じくＣ１を中心軸とするとともに、第１の円筒部２１２よりも大径であって、その下端部に開放面を有する第２の円筒部２１３と、第１の円筒部２１２の外周面と第２の円筒部２１３の内周面との間に形成され、オゾン水供給配管３２ａから供給されるオゾン水を鉛直下方に流下させる第１の流路２１５と、第１の流路２１５の下端に形成され、オゾン水を鉛直下方に供給するオゾン水供給口２１６と、オゾン水供給口２１６よりも外側に形成され、中心軸Ｃ１に向かう斜め下方に酸素ガスを供給する酸素ガス供給口２１９と、を含んで構成される。そして、第１の円筒部２１２は、照射部２１１から照射されたＵＶ光を下方に向けて導光するとともに、その解放された下端部の開放面から基板の表面に向けてＵＶ光を放射させる。
また、第２の円筒部２１３は、Ｃ１と中心軸として固定部２１０の下面に固設され、貫通孔２１０ｂと連通した上円筒２１３ｂと、上円筒部２１３ｂの下端から連接され、Ｃ１を中心軸として上円筒部２１３ｂよりも小径の下円筒部２１３ｃとを含んで構成される。この第２の円筒部２１３は、固定部２１０に形成された貫通孔２１０ｂを流下してきたオゾン水を上円筒部２１３ｂに流入させ、上円筒部２１３ｂに流入させたオゾン水を下円筒部２１３ｃの内周面と第１の円筒部２１２の外周面との間に形成され第１の流路２１５を通じて鉛直下方へと導く。
Next, the details of the internal structure of the ozone water
Further, the second cylindrical portion 213 is fixed to the lower surface of the fixed
さらに、液滴生成ノズル２１は、固定部２１０の下面に固設され、第１の円筒部２１２および第２の円筒部２１３と同じくＣ１を中心軸として第２の円筒部２１３の外周面の全周を取り囲むように構成される第３の円筒部２１４ｂと、第３の円筒部２１４ｂの下端から中心軸Ｃ１に向けて第２の円筒部２１３の下端部に近接する位置まで延設される底部２１４ｃとを含む囲い部材２１４を含む。第２の円筒部２１３の外周面と、囲い部材２１４の内面とによって閉空間２１７を形成する。酸素ガス供給配管３１ａから供給される酸素ガスは、第２の円筒部２１３の外周面と、囲い部材２１４の内面とによって形成される閉空間２１７に充てんされる。また、第２の円筒部２１３の下端面２１３ａは、中心軸に向かう斜め下方に傾斜するように構成される。一方、囲い部材２１４にも、第２の円筒部２１３の下端面２１３ａと平行に対向する対向面２１４ａが形成されている。これら第２の円筒部２１３の下端面２１３ａと囲い部材２１４の対向面２１４ａとの間に閉空間２１７と連通する第２の流路２１８が形成されている。この第２の流路２１８は、閉空間２１７に充てんされた酸素ガスを酸素ガス供給口２１９に向けて、中心軸Ｃ１に向かう斜め下方に案内する。
Further, the
第１の円筒部２１２の下端面２１２ａも、中心軸Ｃ１に向かう斜め下方に傾斜するように構成さている。この第１の円筒部２１２の下端面２１２ａと前述した第２の円筒部２１３の下端面２１３ａとは、オゾン水供給口２１６の部分を除いて、中心軸Ｃ１に頂点を有する下方向きの円錐面の一面となるように構成される。
The lower end surface 212a of the first
＜オゾン水の液滴の生成＞
図５は、液滴生成ノズル２１においてオゾン水の液滴が生成され基板Ｗの表面に供給されている様子を示している。酸素ガス供給口２１９から供給された酸素ガスは、中心軸Ｃ１に向かう途中、オゾン水供給口２１６から供給されるオゾン水と衝突し、オゾン水の液滴が生成される。生成されたオゾン水の液滴は、酸素ガス供給口２１９から続けて供給される酸素ガスのガス流によってさらに寸断される。寸断された液滴は、ガス流に流されて中心軸Ｃ１に向かう。そして、これらオゾン水の液滴は、中心軸Ｃ１付近において互いに衝突し合い、さらに微細な液滴となって基板Ｗの表面に供給される。液滴となったオゾン水は、表面積が大きくなっているので、後述するＵＶ光に曝される割合が液滴になる前に比べて高く、オゾン濃度を高められる。
<Generation of ozone water droplets>
FIG. 5 shows how ozone water droplets are generated by the
また、酸素ガス供給口２１９から供給された酸素ガスのガス流は、中心軸Ｃ１近傍において互いに衝突し合い、基板Ｗの表面に向かう流れに変わる。前述したオゾン水の微細な液滴は、この基板Ｗの表面に向かう酸素ガスの流れに乗って基板Ｗの表面に供給される。このとき、照射部２１１からはＵＶ光が基板Ｗの表面に向けて照射されており、基板Ｗの表面に向かうオゾン水の微細な液滴とともに酸素ガスも、かかるＵＶ光に曝されることとなる。これにより、オゾン水および酸素ガスがともにＵＶ光によって活性化されるので、オゾン水の液滴中のオゾン濃度の低下を抑止できる。
Further, the gas flow of oxygen gas supplied from the oxygen gas supply port 219 collides with each other in the vicinity of the central axis C1 and changes to a flow toward the surface of the substrate W. The fine droplets of ozone water described above are supplied to the surface of the substrate W along with the flow of oxygen gas toward the surface of the substrate W. At this time, UV light is irradiated from the
＜処理液供給ノズル＞
図２に戻り、本実施の形態における処理液供給ノズルとして、処理液供給ノズル２２と処理液供給ノズル２３とが処理部１０ａの内部に設けられている。
<Treatment liquid supply nozzle>
Returning to FIG. 2, as the processing liquid supply nozzles in the present embodiment, the processing liquid supply nozzle 22 and the processing
ここで、処理液供給ノズル２２は、前述したように、液滴生成ノズル２１に連結具によって固定されている。処理液供給ノズル２２は、ノズル移動機構１２によって、液滴生成ノズル２１の動きに連動して旋回および昇降動作を行う。処理液供給ノズル２２は、共通配管３３ａを通じてＳＣ１供給配管３３２ａとＤＩＷ供給配管３３１ａが流路接続されており、基板Ｗの上方の吐出位置において、ＳＣ１またはＤＩＷを基板Ｗの表面に向けて吐出する。
Here, the treatment liquid supply nozzle 22 is fixed to the
また、処理液供給ノズル２３は、ノズル移動機構１３によって旋回および昇降動作を行う。処理液供給ノズル２３は、共通配管３４ａを通じてＨＦ供給配管３４１ａとＤＩＷ供給配管３４２ａが流路接続されており、基板Ｗの上方の吐出位置において、ＨＦまたはＤＩＷを基板Ｗの表面に向けて吐出する。
Further, the processing
＜電気的構成＞
図６は、本発明の第１実施形態に係る基板処理システム１００の制御部４と各部の構成の関係を示す機能ブロック図である。制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）および記憶装置等を含む。制御部４は、流体供給制御部４ａ、ＵＶ照射制御部４ｂ、ノズル制御部４ｃ、スピン制御部４ｄ、記憶部４ｅおよびレシピ実行部４ｆの各機能制御部を含む。これらの各機能制御部（４ａ〜４ｆ）の機能は、制御部４のＣＰＵがＲＯＭまたは記憶装置等の記憶媒体に記憶されたコンピュータプログラムを実行することにより実現される。なお、制御部の機能的な構成要素の一部または全てが電子回路等のハードウェアにより実現されてもよい。
<Electrical configuration>
FIG. 6 is a functional block diagram showing the relationship between the control unit 4 of the substrate processing system 100 according to the first embodiment of the present invention and the configuration of each unit. The control unit 4 includes a CPU (central processing unit), a ROM (read-only memory), a RAM (random access memory), a storage device, and the like. The control unit 4 includes each function control unit of the fluid supply control unit 4a, the UV irradiation control unit 4b, the nozzle control unit 4c, the spin control unit 4d, the storage unit 4e, and the recipe execution unit 4f. The functions of the respective function control units (4a to 4f) are realized by the CPU of the control unit 4 executing a computer program stored in a storage medium such as a ROM or a storage device. Note that some or all of the functional components of the control unit may be realized by hardware such as an electronic circuit.
流体供給制御部４ａは、所定の処理液や酸素ガスを各ノズルから供給する場合に、各供給弁３１ｂ、３２ｂ、３３１ｂ、３３２ｂ、３４１ｂ、３４２ｂの開閉動作を制御して、各供給配管の流路を開かせ、各ノズルから所定の処理液や処理ガスを基板Ｗの表面に供給させる。 The fluid supply control unit 4a controls the opening / closing operation of each supply valve 31b, 32b, 331b, 332b, 341b, 342b when supplying a predetermined processing liquid or oxygen gas from each nozzle, and flows the flow of each supply pipe. A path is opened, and a predetermined treatment liquid or treatment gas is supplied to the surface of the substrate W from each nozzle.
流体供給制御部４ａは、オゾン水の供給状態と非供給状態とを切り変えるようにオゾン水供給弁３２ｂを制御する。流体供給制御部４ａは、液滴生成ノズル２１にオゾン水を供給するときには、オゾン水供給弁３２ｂが開くように制御する。これによって、オゾン水がオゾン水供給配管３２ａを通じて液滴生成ノズル２１に供給される。一方、液滴生成ノズル２１にオゾン水を供給しないときには、流体供給制御部４ａは、オゾン水供給弁３２ｂが閉じるように制御する。これによって、オゾン水供給部３２から液滴生成ノズル２１へのオゾン水の供給が停止される。
The fluid supply control unit 4a controls the ozone water supply valve 32b so as to switch between the supply state and the non-supply state of ozone water. The fluid supply control unit 4a controls the ozone water supply valve 32b to open when the ozone water is supplied to the
流体供給制御部４ａは、酸素ガスの供給状態と非供給状態とを切り変えるように酸素ガス供給弁３１ｂを制御する。流体供給制御部４ａは、液滴生成ノズル２１に酸素ガスを供給するときには、酸素ガス供給弁３１ｂが開くように制御する。これによって、酸素ガスが酸素ガス供給配管３１ａを通じて液滴生成ノズル２１に供給される。一方、液滴生成ノズル２１に酸素ガスを供給しないときには、流体供給制御部４ａは、酸素ガス供給弁３１ｂが閉じるように制御する。これによって、酸素ガス水供給源３１から液滴生成ノズル２１への酸素ガスの供給が停止される。
The fluid supply control unit 4a controls the oxygen gas supply valve 31b so as to switch between the oxygen gas supply state and the non-supply state. The fluid supply control unit 4a controls the oxygen gas supply valve 31b to open when the oxygen gas is supplied to the
流体供給制御部４ａは、ＳＣ１の供給状態と非供給状態とを切り変えるようにＳＣ１供給弁３３２ｂを制御する。流体供給制御部４ａは、処理液供給ノズル２２にＳＣ１を供給するときには、ＳＣ１供給弁３３２ｂが開くように制御する。これによって、ＳＣ１がＳＣ１供給配管３３２ａ、共通配管３３ａを通じて処理液供給ノズル２２に供給される。一方、処理液供給ノズル２２にＳＣ１を供給しないときには、流体供給制御部４ａは、ＳＣ１供給弁３３２ｂが閉じるように制御する。これによって、ＳＣ１供給部３３２から処理液供給ノズル２２へのＳＣ１の供給が停止される。 The fluid supply control unit 4a controls the SC1 supply valve 332b so as to switch between the supply state and the non-supply state of the SC1. The fluid supply control unit 4a controls the SC1 supply valve 332b to open when the SC1 is supplied to the processing liquid supply nozzle 22. As a result, SC1 is supplied to the processing liquid supply nozzle 22 through the SC1 supply pipe 332a and the common pipe 33a. On the other hand, when the SC1 is not supplied to the processing liquid supply nozzle 22, the fluid supply control unit 4a controls so that the SC1 supply valve 332b is closed. As a result, the supply of SC1 from the SC1 supply unit 332 to the processing liquid supply nozzle 22 is stopped.
流体供給制御部４ａは、ＤＩＷの供給状態と非供給状態とを切り変えるようにＤＩＷ供給弁３３１ｂを制御する。流体供給制御部４ａは、処理液供給ノズル２２にＤＩＷを供給するときには、ＤＩＷ供給弁３３１ｂが開くように制御する。これによって、ＤＩＷがＤＩＷ供給配管３３１ａ、共通配管３３ａを通じて処理液供給ノズル２２に供給される。一方、処理液供給ノズル２２にＤＩＷを供給しないときには、流体供給制御部４ａは、ＤＩＷ供給弁３３１ｂが閉じるように制御する。これによって、ＤＩＷ供給部３３１から処理液供給ノズル２２へのＤＩＷの供給が停止される。 The fluid supply control unit 4a controls the DIW supply valve 331b so as to switch between the supply state and the non-supply state of the DIW. The fluid supply control unit 4a controls the DIW supply valve 331b to open when the DIW is supplied to the processing liquid supply nozzle 22. As a result, the DIW is supplied to the processing liquid supply nozzle 22 through the DIW supply pipe 331a and the common pipe 33a. On the other hand, when the DIW is not supplied to the processing liquid supply nozzle 22, the fluid supply control unit 4a controls the DIW supply valve 331b to be closed. As a result, the supply of DIW from the DIW supply unit 331 to the processing liquid supply nozzle 22 is stopped.
流体供給制御部４ａは、ＨＦの供給状態と非供給状態とを切り変えるようにＨＦ供給弁３４１ｂを制御する。流体供給制御部４ａは、処理液供給ノズル２３にＨＦを供給するときには、ＨＦ供給弁３４１ｂが開くように制御する。これによって、ＨＦがＨＦ供給配管３４１ａ、共通配管３４ａを通じて処理液供給ノズル２３に供給される。一方、処理液供給ノズル２３にＨＦを供給しないときには、流体供給制御部４ａは、ＨＦ供給弁３４１ｂが閉じるように制御する。これによって、ＨＦ供給部３４１から処理液供給ノズル２３へのＨＦの供給が停止される。
The fluid supply control unit 4a controls the HF supply valve 341b so as to switch between the supply state and the non-supply state of the HF. The fluid supply control unit 4a controls the HF supply valve 341b to open when the HF is supplied to the processing
流体供給制御部４ａは、ＤＩＷの供給状態と非供給状態とを切り変えるようにＤＩＷ供給弁３４２ｂを制御する。流体供給制御部４ａは、処理液供給ノズル２３にＤＩＷを供給するときには、ＤＩＷ供給弁３４２ｂが開くように制御する。これによって、ＤＩＷがＤＩＷ供給配管３４２ａ、共通配管３４ａを通じて処理液供給ノズル２３に供給される。一方、処理液供給ノズル２３にＤＩＷを供給しないときには、流体供給制御部４ａは、ＤＩＷ供給弁３４２ｂが閉じるように制御する。これによって、ＤＩＷ供給部３４２から処理液供給ノズル２３へのＤＩＷの供給が停止される。
The fluid supply control unit 4a controls the DIW supply valve 342b so as to switch between the supply state and the non-supply state of the DIW. The fluid supply control unit 4a controls the DIW supply valve 342b to open when the DIW is supplied to the processing
ＵＶ照射制御部４ｂは、照射部２１１からＵＶ光を照射する照射状態とＵＶ光を照射しない非照射状態とを切り変えるように、照射部２１１を制御する。ＵＶ光を照射する照射状態のとき、ＵＶ照射制御部４ｂは、照射部２１１がＵＶ光を照射するように制御して照射部２１１からＵＶ光を照射させる。ＵＶ光を照射しない非照射状態のとき、ＵＶ照射制御部４ｂは、照射部２１１がＵＶ光を照射しないように制御して、照射部２１１からのＵＶ光の照射を停止させる。
The UV irradiation control unit 4b controls the
ノズル制御部４ｃは、液滴生成ノズル２１や処理液供給ノズル２２、２３を用いて基板Ｗに処理を行う時に、ノズル移動機構１２またはノズル移動機構１３が昇降動作と旋回動作を行うように昇降駆動部１２ｂ、１３ｂおよび旋回駆動部１２ｃ、１３ｃの駆動を制御する。
When the nozzle control unit 4c processes the substrate W using the
スピン制御部４ｄは、処理部１０ａにおいて基板Ｗを処理するとき、スピンチャック１１のチャックピン１１ａを閉じるように制御して基板Ｗを保持させるとともに、スピンベース１１ｂの回転動作を制御して基板Ｗの回転速度を可変させる。処理部１０ａにおいて基板Ｗの処理が終わると、スピン制御部４ｄは、基板Ｗの回転を停止させるとともに、基板Ｗの保持状態を開放するように、スピンベース１１ｂとチャックピン１１ａとを制御する。
When the processing unit 10a processes the substrate W, the spin control unit 4d controls the chuck pin 11a of the
レシピ実行部４ｆは、基板Ｗに対して種々の処理を行う際に、記憶部４ｅに記憶された基板Ｗに処理を行うための処理レシピを記憶部４ｅから読み取り、前述した各制御部へ動作指示を送る。本実施の形態では、レシピ実行部４ｆは、図７に示す各ステップ（ステップＳＴ１〜６）を実行するためのレシピを記憶部４ｅから読み取り、その動作指示を各制御部へ送る。 The recipe execution unit 4f reads a processing recipe for processing the substrate W stored in the storage unit 4e from the storage unit 4e when performing various processing on the substrate W, and operates to each of the above-mentioned control units. Send instructions. In the present embodiment, the recipe execution unit 4f reads the recipe for executing each step (steps ST1 to 6) shown in FIG. 7 from the storage unit 4e, and sends the operation instruction to each control unit.
＜被処理物について：レジスト膜に覆われた基板の例＞
続いて、図７〜９を参照しながら上記実施の形態に係る基板処理装置において行う基板の処理方法について説明する。
<About the object to be treated: Example of a substrate covered with a resist film>
Subsequently, a substrate processing method performed in the substrate processing apparatus according to the above embodiment will be described with reference to FIGS. 7 to 9.
以下に説明する基板処理方法は、その表面にレジスト膜６３が覆われ、当該レジスト膜６３の表層が高エネルギーのイオン注入処理により炭化して硬化した硬化膜６２ａが形成された状態の基板Ｗに適用される。なお、硬化膜６２ａは、レジスト膜中の有機物が炭化したアモルファスカーボンを部分的に有し、硬化膜６２ａの表層は、通常、自然酸化膜６１に覆われている（図９参照）。 In the substrate treatment method described below, the surface of the resist film 63 is covered with the substrate W, and the surface layer of the resist film 63 is carbonized by high-energy ion implantation to form a cured film 62a. Applies. The cured film 62a partially contains amorphous carbon in which organic substances in the resist film are carbonized, and the surface layer of the cured film 62a is usually covered with a natural oxide film 61 (see FIG. 9).
基板Ｗは、キャリアＣから搬送ロボットＩＲおよびＣＲにより処理部１０ａに搬送される。処理部１０ａに搬送された基板Ｗは、スピンチャック１１の上に載置された後、チャックピン１１ａによって水平に保持される。チャックピン１１ａによって保持された基板Ｗは、スピンベース１１ｂが回転するのに合わせて、水平に回転する。
The substrate W is conveyed from the carrier C to the processing unit 10a by the transfer robots IR and CR. The substrate W conveyed to the processing unit 10a is placed on the
＜ＨＦ処理＞
水平に回転している基板Ｗに対して、ＨＦを供給して基板Ｗの表面を覆う自然酸化膜６１を除去し、基板Ｗの表面に残ったＨＦをＤＩＷにより洗い流す処理を行う（ステップＳＴ１）。
<HF processing>
HF is supplied to the horizontally rotating substrate W to remove the natural oxide film 61 covering the surface of the substrate W, and the HF remaining on the surface of the substrate W is washed away by DIW (step ST1). ..
このステップＳＴ１において、まず、ノズル制御部４ｃが、ノズル移動機構１３を制御することにより、処理液供給ノズル２３をカップの外の待機位置から基板Ｗ上の中心上方の吐出位置に移動させる。次に時刻ｔ１において、流体供給制御部４ａが、ＨＦ供給弁３４１ｂを開くように制御する。これによって、ＨＦ供給部３４１からＨＦが、ＨＦ供給配管３４１ａ、共通配管３４ａを通じて処理液供給ノズル２３に送液され、当該処理液供給ノズル２３からＨＦが基板Ｗ上に供給される（図９（ａ１）参照）。
In this step ST1, first, the nozzle control unit 4c controls the nozzle movement mechanism 13 to move the processing
供給されたＨＦにより基板Ｗの表層にある硬化膜付きレジストを覆う自然酸化膜６１が除去される。自然酸化膜６１が除去されると、硬化膜６２ａが基板Ｗの表面に露出し、図９の（ａ２）の状態となる。 The supplied HF removes the natural oxide film 61 covering the resist with a cured film on the surface layer of the substrate W. When the natural oxide film 61 is removed, the cured film 62a is exposed on the surface of the substrate W, resulting in the state shown in FIG. 9 (a2).
時刻ｔ２において、流体供給制御部４ａが、ＨＦの供給弁３４１ｂを閉じるように制御する。これによって、ＨＦ供給部３４１から処理液供給ノズル２３へのＨＦの供給が停止し、ＨＦによる処理が終了する。
At time t2, the fluid supply control unit 4a controls to close the supply valve 341b of the HF. As a result, the supply of HF from the HF supply unit 341 to the processing
また時刻ｔ２において、流体供給制御部４ａは、ＤＩＷの供給弁３４２ｂを開くように制御する。これによって、ＤＩＷ供給部３４２からＤＩＷが、ＤＩＷ供給配管３４２ａ、共通配管３４ａを通じて処理液供給ノズル２３に送液され、当該処理液供給ノズル２３からＤＩＷが基板Ｗの表面に供給されて基板Ｗ上に残っているＨＦを洗い流す。
Further, at time t2, the fluid supply control unit 4a controls to open the supply valve 342b of the DIW. As a result, the DIW is sent from the DIW supply unit 342 to the processing
基板Ｗ上に残っていたＨＦを洗い流した後、時刻ｔ３おいて流体供給制御部４ａは、ＤＩＷの供給弁３４２ｂを閉じるように制御する。これによって、ＤＩＷ供給部３４２から処理液供給ノズル２３へのＤＩＷの供給が停止される。そして、ノズル制御部４ｃがノズル移動機構１３を制御して、基板Ｗの中心上方に配置されている処理液供給ノズル２３をカップの外の待機位置に退避させる。処理液供給ノズル２３がカップの外に退避した後、基板Ｗ上に残る水分は基板Ｗの回転から生じる遠心力によって除去される。これにより、続くＵＶ処理におけるＵＶ光の基板Ｗの表面への到達が基板Ｗ上の水分により妨げられるのを抑制できる。
After washing away the HF remaining on the substrate W, the fluid supply control unit 4a controls to close the supply valve 342b of the DIW at time t3. As a result, the supply of DIW from the DIW supply unit 342 to the processing
これら一連のＨＦおよびＤＩＷによる基板Ｗへの処理は、図８におけるタイムチャートにおいて、時間ｔ１からｔ３の間に実行される。このとき、図８に示す基板Ｗの回転数は、たとえば、６００〜１２００ｒｐｍほどである。また、前述の基板Ｗから水分を除去する際には、遠心力を大きくするために２０００〜２５００ｒｐｍほどにしてもよい。 The processing of the substrate W by the series of HF and DIW is executed between the times t1 and t3 in the time chart shown in FIG. At this time, the rotation speed of the substrate W shown in FIG. 8 is, for example, about 600 to 1200 rpm. Further, when removing water from the above-mentioned substrate W, the speed may be about 2000 to 2500 rpm in order to increase the centrifugal force.
＜ＵＶ処理＞
次に、硬化膜６２ａが表面に露出した基板Ｗに対して、照射部２１１からＵＶ光を照射し、硬化膜６２ａを分解する処理を行う（ステップＳＴ２）。
<UV treatment>
Next, the substrate W on which the cured film 62a is exposed on the surface is irradiated with UV light from the
このステップＳＴ２では、まず、ノズル制御部４ｃが、ノズル移動機構１２を制御して、液滴生成ノズル２１を、カップの外の待機位置から基板Ｗ上の中心上方の照射開始位置まで移動させる。かかる移動によって、第１の円筒部２１２の下端部の開放面が基板Ｗの中心に向き合うように配置される。この間、スピン制御部４ｄがスピンチャック１１の回転数を、たとえば、５０〜５００ｒｐｍほどまで減速させるように制御する。
In this step ST2, first, the nozzle control unit 4c controls the nozzle movement mechanism 12 to move the
液滴生成ノズル２１が照射開始位置に配置されると、次に、時刻ｔ４においてＵＶ照射制御部４ｂが、照射部２１１を制御して基板Ｗの中心に向けてＵＶ光を照射させる。そして、ノズル制御部４ｃが、ノズル移動機構１２を制御して液滴生成ノズル２１を基板Ｗの中心上方から基板Ｗの周縁部上方までの間を往復移動させる。
When the
かかる移動によって、図９（ｂ１）のように、照射部２１１から照射されるＵＶ光が回転している基板Ｗの中心から基板Ｗの周縁部まで照射される（第２の照射工程）ので、基板Ｗの全面がＵＶ光に曝される。これにより、硬化膜６２ａ中のアモルファスカーボンの炭素―炭素結合が切断され、硬化膜６２ａを部分的に分解することができる。かかる分解によって、硬化膜６２ａ中に隙間が生じるので、オゾン水および処理液を侵入させやすい状態にできる。図９の（ｂ２）のように、前述のような状態となった硬化膜６２ａを以降は分解膜６２ｂと記載する。
As a result of this movement, as shown in FIG. 9B1, the UV light emitted from the
これら一連のＵＶ光を基板Ｗへ照射する処理は、図８におけるタイムチャートにおいて、時間ｔ４からｔ５の間に実行される。このとき、図８に示す基板Ｗの回転数は、たとえば、５０〜５００ｒｐｍほどである。次に記載する第１の酸素雰囲気形成工程の前にＵＶ光を照射することで、酸素雰囲気によって基板Ｗの表面に到達するＵＶ光が減衰されることを抑制できる。これにより、硬化膜６２ａを効果的に分解することができる。 The process of irradiating the substrate W with the series of UV light is executed between the times t4 and t5 in the time chart shown in FIG. At this time, the rotation speed of the substrate W shown in FIG. 8 is, for example, about 50 to 500 rpm. By irradiating the UV light before the first oxygen atmosphere forming step described below, it is possible to suppress that the UV light reaching the surface of the substrate W is attenuated by the oxygen atmosphere. Thereby, the cured film 62a can be effectively decomposed.
＜酸素ガス供給＞
次に、硬化膜６２ａの一部が分解された分解膜６２ｂが表面に露出した基板Ｗに向けて酸素ガスを供給し（第１の酸素雰囲気形成工程）、その酸素ガスにＵＶ光を照射してオゾンガスを発生させる（ステップＳＴ３）。
<Oxygen gas supply>
Next, the decomposition film 62b in which a part of the cured film 62a is decomposed supplies oxygen gas toward the substrate W exposed on the surface (first oxygen atmosphere forming step), and the oxygen gas is irradiated with UV light. To generate ozone gas (step ST3).
このステップＳＴ３では、前述したステップＳＴ２から引き続いて照射部２１１からＵＶ光が基板Ｗに向けて照射され続けている。また、図９（ｃ１）に示すように、液滴生成ノズル２１は、ステップＳＴ３の開始時点で基板Ｗの中心上方に配置される。
In this step ST3, UV light is continuously irradiated from the
液滴生成ノズル２１が基板Ｗの中心上方に配置された状態で、時刻ｔ５において流体供給制御部４ａが、酸素ガスの供給弁３１ｂを開くように制御する。これにより酸素ガス供給部３１から酸素ガスが酸素ガス供給配管３１ａ通じて液滴生成ノズル２１に供給される。
With the
液滴生成ノズル２１に供給された酸素ガスは、液滴生成ノズル２１から基板Ｗに向けて供給される。詳細には、まず、酸素ガスは、図４（ａ）の固定部２１０の貫通孔２１０ａ、閉空間２１７、第２の流路２１８を通じて酸素ガス供給口２１９から吐出される。この酸素ガス供給口２１９から吐出された酸素ガスは、第１の円筒部２１２の下端面２１２ａに沿って中心軸Ｃ１に向けた斜め下方に流動する。そして、かかる酸素ガスは、中心軸Ｃ１の近傍に集まりお互いに衝突し、その流れの向きを鉛直下方に変えて、基板Ｗに向けて供給される。これにより、基板Ｗの表面のオゾン水の液滴が供給される領域に予め酸素雰囲気を形成する（第１の酸素雰囲気形成工程）。
The oxygen gas supplied to the
ここで、基板Ｗに向かう酸素ガスは、第１の円筒部２１２の下端部の開放面から放射されるＵＶ光に曝される。これによってオゾンガスが発生し、基板Ｗの上面近傍が、酸素ガスとオゾンガスが混じったオゾンガス雰囲気となる。このオゾンガス雰囲気は、後述するオゾン水の液滴からオゾンが失われることを抑制する機能を果たす。
Here, the oxygen gas toward the substrate W is exposed to UV light radiated from the open surface at the lower end of the first
これら一連の酸素ガスを基板Ｗに供給する工程は、図８におけるタイムチャートにおいて、時間ｔ５からｔ６の間に実行される。このとき、図８に示す基板Ｗの回転数は、たとえば、５０〜５００ｒｐｍほどである。また、図９（ｃ１）に示すように、液滴生成ノズル２１は、基板Ｗの中心上方から周縁部上方までの間を往復移動する。これにより、オゾン水の液滴からオゾンが失われることを抑制するためのオゾンガス雰囲気を基板Ｗの全面に予め準備することができる。
The step of supplying the series of oxygen gases to the substrate W is executed between the times t5 and t6 in the time chart of FIG. At this time, the rotation speed of the substrate W shown in FIG. 8 is, for example, about 50 to 500 rpm. Further, as shown in FIG. 9 (c1), the
＜オゾン水処理＞
続いて、液滴生成ノズル２１からオゾン水の液滴を基板Ｗに供給して、基板Ｗの表面の分解膜６２ｂおよびレジスト膜６３を除去する処理を行う（ステップＳＴ４）。
<Ozone water treatment>
Subsequently, a droplet of ozone water is supplied from the
このステップＳＴ４では、前述したステップＳＴ３から引き続いて照射部２１１からＵＶ光が基板Ｗに向けて照射され、酸素ガス供給口２１９から酸素ガスが供給されている。また、図９（ｄ１）に示すように、液滴生成ノズル２１は、ステップＳＴ４の開始時点で基板Ｗの周縁部に配置される。
In this step ST4, UV light is continuously irradiated from the
まず、時刻ｔ６において、流体供給制御部４ａが、オゾン水供給弁３２ｂを開くように制御する。これにより、オゾン水供給部３２からオゾン水供給配管３２ａ通じてオゾン水が液滴生成ノズル２１に供給される。
First, at time t6, the fluid supply control unit 4a controls to open the ozone water supply valve 32b. As a result, ozone water is supplied from the ozone water supply unit 32 to the
液滴生成ノズル２１に供給されたオゾン水は、液滴生成ノズル２１から基板Ｗに向けて液滴となって供給される。詳細には、以下の通りである。即ち、図４のオゾン水供給口２１６から基板Ｗに向けて流下したオゾン水は、酸素ガス供給口２１９から吐出された酸素ガスのガス流と衝突して寸断される。これにより、オゾン水供給口２１６の近傍でオゾン水の液滴が生成される（液滴生成工程）。そして、オゾン水の液滴が酸素ガスのガス流に乗って液滴生成ノズル２１から基板Ｗの表面に供給される（液滴供給工程）。
The ozone water supplied to the
さらに、液滴となったオゾン水は、液滴生成ノズル２１から基板Ｗに供給されるまでの間に、第１の円筒部２１２の下端部の開放面から放射されるＵＶ光に曝される（第１の照射工程）。液滴となったオゾン水は、表面積が大きくなっているので、ＵＶ光に曝される割合が液滴になる前に比べて高くなり、オゾン濃度が高められる。このようなオゾン濃度が高められたオゾン水の液滴が、基板Ｗの表面の分解膜６２ｂおよびレジスト膜６３に対して効果的に作用し、分解膜６２ｂおよびレジスト膜６３を確実に除去することができる。
Further, the ozone water as droplets is exposed to UV light emitted from the open surface at the lower end of the first
本実施の形態では、オゾン水供給口２１６の近傍で液滴となったオゾン水は、酸素ガス供給口２１９から供給された酸素ガスの流れに乗って図４の中心軸Ｃ１付近で互いに衝突しあい、さらに細かく寸断され、一層微小な液滴となる。これにより、オゾン水の液滴の表面積がさらに増え、ＵＶ光に曝される面積が一層広くなり、一層効率的にオゾン水を活性化することができる。
In the present embodiment, the ozone water droplets in the vicinity of the ozone
また、このとき、図８のタイムチャートおよび図９（ｄ１）に示すように、時刻ｔ６からｔ７にかけて、上記したオゾン水の供給と並行して、酸素ガスも酸素ガス供給口２１９から基板Ｗに向けて供給され続けている。この時刻ｔ６からｔ７までの期間もステップＳＴ３のときと同様に、酸素ガスは第１の円筒部２１２の下端部の開放面から放射されるＵＶ光に曝されており、液滴生成ノズル２１と基板Ｗの間の空間には逐次オゾンガスが発生する。これにより、オゾン水の液滴からオゾンガスが抜けてオゾン濃度が低下することを抑制できる。なお、この酸素ガスの供給は、液滴供給工程の終了時点から所定の時間、たとえば、５〜１０秒続けられてもよい。即ち、基板Ｗの表面に残ったオゾン水がレジスト膜６３に作用している間、基板Ｗの上面近傍にオゾンガス雰囲気を形成し続け、この基板Ｗの表面に残ったオゾン水からオゾンが失われることを抑制できる。
At this time, as shown in the time chart of FIG. 8 and FIG. 9 (d1), from time t6 to t7, oxygen gas is also supplied from the oxygen gas supply port 219 to the substrate W in parallel with the above-mentioned supply of ozone water. It continues to be supplied to. During this period from t6 to t7, the oxygen gas is exposed to the UV light emitted from the open surface at the lower end of the first
分解膜６２ｂに、オゾン濃度を維持したオゾン水の液滴が供給されると、オゾン水が、分解膜６２ｂ中の隙間から侵入し、分解膜６２ｂの下にあるレジスト膜６３までオゾン水が浸透する。これによって、レジスト膜６３が分解され基板Ｗ表面から除去されるとともに、レジスト膜６３上に形成されていた分解膜６２ｂもレジスト膜とともに基板Ｗ上から除去される。このとき、オゾン水の液滴は、液滴生成ノズル２１から酸素ガスのガス流に乗って基板Ｗ上に噴射されており、大きな物理エネルギーを有しているので、分解膜６２ｂおよびレジスト膜６３を一層効果的に除去することができる。
When droplets of ozone water maintaining the ozone concentration are supplied to the decomposition film 62b, the ozone water invades through the gaps in the decomposition film 62b, and the ozone water permeates to the resist film 63 under the decomposition film 62b. do. As a result, the resist film 63 is decomposed and removed from the surface of the substrate W, and the decomposition film 62b formed on the resist film 63 is also removed from the substrate W together with the resist film. At this time, the ozone water droplets are ejected from the
時刻ｔ７において、オゾン水の液滴による分解膜６２ｂとレジスト膜６３の除去が完了すると、流体供給制御部４ａが供給弁３２ｂを閉じるように制御する。これにより処理流体供給ノズル２１からのオゾン水の供給が停止する。また、同時刻である時刻ｔ７において、流体供給制御部４ａが供給弁３１ｂを閉じるように制御する。これにより処理流体供給ノズル２１からの酸素ガスの供給も停止する。さらに、同時刻である時刻ｔ７において、ＵＶ照射制御部４ｂが照射部２１１からのＵＶ光の照射を停止するように制御する。
At time t7, when the removal of the decomposition film 62b and the resist film 63 by the droplets of ozone water is completed, the fluid supply control unit 4a controls to close the supply valve 32b. As a result, the supply of ozone water from the processing
なお、前述したＵＶ光の照射の停止と、オゾン水および酸素ガスの供給の停止のタイミングとは同時であってもよいが、ＵＶ光の照射は、液滴供給工程の終了後の一定時刻まで継続することが好ましい。この場合、ＵＶ光は、基板Ｗの表面に付着したオゾン水に照射され続けるため、オゾン水中の酸素ガスを活性化し、オゾン水からオゾンガス抜けてオゾン濃度が低下することを抑制でき、オゾン水をより長く高濃度に保つことができ、分解膜６２ｂおよびレジスト膜６３をより一層効果的に除去することができる。 The timing of stopping the UV light irradiation and the timing of stopping the supply of ozone water and oxygen gas may be the same, but the UV light irradiation is performed until a certain time after the completion of the droplet supply process. It is preferable to continue. In this case, since the UV light continues to irradiate the ozone water adhering to the surface of the substrate W, it is possible to activate the oxygen gas in the ozone water and suppress the ozone gas from escaping from the ozone water to reduce the ozone concentration. The high concentration can be maintained for a longer period of time, and the decomposition film 62b and the resist film 63 can be removed even more effectively.
これら一連のオゾン水の液滴を基板Ｗに供給する工程は、図８におけるタイムチャートにおいて、時間ｔ６からｔ７の間に実行される。かかる工程における基板Ｗの回転数は、たとえば、５０〜５００ｒｐｍほどであり、ＨＦ処理のときの回転数よりも低く、前述した時刻ｔ４からｔ５の間に実行される第２の照射工程、時刻ｔ５からｔ６の間に実行される第１の酸素雰囲気形成工程のときの回転数と同じように設定される。 The step of supplying the series of ozone water droplets to the substrate W is executed between the times t6 and t7 in the time chart of FIG. The rotation speed of the substrate W in such a step is, for example, about 50 to 500 rpm, which is lower than the rotation speed at the time of HF treatment, and is the second irradiation step executed between the above-mentioned time t4 and time t5, time t5. It is set in the same manner as the number of revolutions in the first oxygen atmosphere forming step executed between t6 and t6.
本工程において、図９の（ｄ１）に示すように、液滴生成ノズル２１は、周縁部上方から中心上方までの間を往復移動する。これにより、回転する基板Ｗの全面にオゾン水の液滴を供給し、分解膜６２ｂおよびレジスト膜６３を基板Ｗの上面全体にわたって均一に除去することができる。液滴生成ノズル２１の往復移動開始の位置を基板Ｗの中心上方にしてもよいが、本実施例で説明したような周縁部上方を開始位置とする方が好ましい。
In this step, as shown in (d1) of FIG. 9, the
＜ＳＣ１処理＞
続いて、処理液供給ノズル２２からＳＣ１を基板Ｗに向けて吐出して、基板Ｗの表面のレジスト膜などの残渣を除去して洗い流す処理を行う（ステップＳＴ５）。
<SC1 processing>
Subsequently, SC1 is discharged from the processing liquid supply nozzle 22 toward the substrate W to remove residues such as the resist film on the surface of the substrate W and wash them away (step ST5).
ステップＳＴ５の開始時点において、前述したステップＳＴ４で用いられた液滴生成ノズル２１は基板Ｗ上から退避しておらず、液滴生成ノズル２１とともにＳＣ１を供給するための処理液供給ノズル２２も基板Ｗの上方に配置されている。
At the start of step ST5, the
ステップＳＴ５では、まず、ノズル制御部４ｃがノズル移動機構１２を制御して、処理液供給ノズル２２を、基板Ｗの中心上方の吐出位置に移動して配置させる。処理液供給ノズル２２が基板Ｗの中心上方の吐出位置に配置されると、次に、時刻ｔ７において、流体供給制御部４ａが、ＳＣ１供給弁３３２ｂを開くように制御する。これにより、ＳＣ１供給部３３２から共通配管３３ａを通じてＳＣ１が処理液供給ノズル２２に供給される。 In step ST5, first, the nozzle control unit 4c controls the nozzle movement mechanism 12 to move the processing liquid supply nozzle 22 to a discharge position above the center of the substrate W and arrange it. When the processing liquid supply nozzle 22 is arranged at the discharge position above the center of the substrate W, the fluid supply control unit 4a then controls to open the SC1 supply valve 332b at time t7. As a result, SC1 is supplied from the SC1 supply unit 332 to the processing liquid supply nozzle 22 through the common pipe 33a.
図９の（ｅ１）において、処理液供給ノズル２２に供給されたＳＣ１は、処理液供給ノズル２２から基板Ｗに向けて供給される。基板Ｗに供給されたＳＣ１は、ステップＳＴ４で除去しきれなかったレジスト膜などの残渣や異物を除去し、基板Ｗの表面を清浄にする。 In (e1) of FIG. 9, the SC1 supplied to the processing liquid supply nozzle 22 is supplied from the processing liquid supply nozzle 22 toward the substrate W. The SC1 supplied to the substrate W removes residues such as a resist film and foreign substances that could not be completely removed in step ST4, and cleans the surface of the substrate W.
時刻ｔ８において、流体供給制御部４ａが、ＳＣ１の供給弁３３２ｂを閉じるように制御する。これにより処理液供給ノズル２２からのＳＣ１の供給が停止し、ＳＣ１によるレジスト膜などの残渣の除去処理が終了する。 At time t8, the fluid supply control unit 4a controls to close the supply valve 332b of the SC1. As a result, the supply of SC1 from the treatment liquid supply nozzle 22 is stopped, and the treatment for removing the residue such as the resist film by SC1 is completed.
次に、時刻ｔ８において、流体供給制御部４ａは、ＤＩＷ供給弁３３１ｂを開くように制御する。これにより、ＤＩＷ供給部３３１からＤＩＷ供給配管３３１ａ、共通配管３３ａを通じてＤＩＷが処理液供給ノズル２２に供給される。処理液供給ノズル２２に供給されたＤＩＷは、処理液供給ノズル２２から基板Ｗに向けて供給される。これにより、基板Ｗ上のＳＣ１がＤＩＷによって洗い流される。 Next, at time t8, the fluid supply control unit 4a controls to open the DIW supply valve 331b. As a result, DIW is supplied from the DIW supply unit 331 to the processing liquid supply nozzle 22 through the DIW supply pipe 331a and the common pipe 33a. The DIW supplied to the processing liquid supply nozzle 22 is supplied from the processing liquid supply nozzle 22 toward the substrate W. As a result, SC1 on the substrate W is washed away by DIW.
時刻ｔ９において、流体供給制御部４ａが、ＤＩＷ供給弁３３１ｂを閉じるように制御する。これによって、処理液供給ノズル２２からのＤＩＷの供給を停止させ、ＤＩＷによるリンス処理が終了する。次に、ノズル制御部４ｃがノズル移動機構１２を制御して、基板Ｗの中心上方に配置されている処理液供給ノズル２２を、カップの外の待機位置に退避させる。 At time t9, the fluid supply control unit 4a controls to close the DIW supply valve 331b. As a result, the supply of DIW from the processing liquid supply nozzle 22 is stopped, and the rinsing process by DIW is completed. Next, the nozzle control unit 4c controls the nozzle moving mechanism 12 to retract the processing liquid supply nozzle 22 arranged above the center of the substrate W to a standby position outside the cup.
これら一連のＳＣ１を基板Ｗに供給する工程は、図８におけるタイムチャートにおいて、時間ｔ７からｔ９の間に実行される。このとき、図８に示す基板Ｗの回転数は、たとえば、５００〜１２００ｒｐｍ程度である。 The step of supplying the series of SC1s to the substrate W is executed between the times t7 and t9 in the time chart shown in FIG. At this time, the rotation speed of the substrate W shown in FIG. 8 is, for example, about 500 to 1200 rpm.
＜乾燥処理＞
図７におけるステップＳＴ６では、基板Ｗを高速回転させて基板Ｗを乾燥させる（ステップＳＴ６）。具体的には、スピン制御部４ｄが、スピンベース１１ｂの回転速度を制御し、図８のように高速回転、たとえば、時刻ｔ９から回転数を上昇させ始め、２５００ｒｐｍ程度まで基板の回転数を上昇させる。これにより、基板Ｗの表面に付着していたＤＩＷが振り切られ、基板Ｗの表面が乾燥する（図９の（ｆ１））。
<Drying process>
In step ST6 in FIG. 7, the substrate W is rotated at high speed to dry the substrate W (step ST6). Specifically, the spin control unit 4d controls the rotation speed of the spin base 11b and rotates at a high speed as shown in FIG. 8, for example, starts increasing the rotation speed from time t9 and increases the rotation speed of the substrate to about 2500 rpm. Let me. As a result, the DIW adhering to the surface of the substrate W is shaken off, and the surface of the substrate W dries ((f1) in FIG. 9).
基板Ｗの表面が乾燥すると、時刻ｔ１０において、スピン制御部４ｄが、スピンチャック１１の回転ベースの回転速度を制御して、基板Ｗの回転を停止させ、その後、スピンチャック１１のチャックピン１１ａを開かせる。
When the surface of the substrate W dries, at time t10, the spin control unit 4d controls the rotation speed of the rotation base of the
一連の処理が完了すると、搬送ロボットＣＲは処理部１０から基板Ｗを搬出する。搬出後、処理すべき新たな基板がある場合には、さらに新たな基板Ｗが搬送ロボットＣＲにより処理部１０へ搬入され、前述のＨＦ処理から乾燥処理までの一連の処理が繰り返される。
When the series of processes is completed, the transfer robot CR carries out the substrate W from the
＜異なる被処理物について：金属含有膜に覆われた基板の例＞
上述の例においては、その表面がレジスト膜に覆われている基板を対象として、レジスト膜を除去する処理を説明した。しかし、本願発明の基板処理方法が適用される対象の基板は、これに限られるものではない。図１０に示す例のように、本願発明の基板処理方法は、その表面が金属含有膜に覆われた基板に適用されてもよく、たとえば、ＴｉＮ膜のような金属含有膜に覆われた基板に適用されてもよい。この場合、基板Ｗの表面は金属含有膜７３に覆われ、金属含有膜７３の表面は自然酸化膜７１に覆われている。この自然酸化膜７１が基板Ｗの表面に露出した状態から処理を開始し、自然酸化膜７１および金属含有膜７３を除去する。処理の各ステップ（ステップＳＴ１〜６）やその時刻（ｔ１〜ｔ１０）は、前述したレジスト膜を除去する場合と同様の図７および図８に示す通りである。
<For different objects to be treated: Example of a substrate covered with a metal-containing film>
In the above-mentioned example, the process of removing the resist film has been described for a substrate whose surface is covered with a resist film. However, the substrate to which the substrate processing method of the present invention is applied is not limited to this. As shown in the example shown in FIG. 10, the substrate processing method of the present invention may be applied to a substrate whose surface is covered with a metal-containing film, for example, a substrate covered with a metal-containing film such as a TiN film. May be applied to. In this case, the surface of the substrate W is covered with the metal-containing film 73, and the surface of the metal-containing film 73 is covered with the natural oxide film 71. The treatment is started from the state where the natural oxide film 71 is exposed on the surface of the substrate W, and the natural oxide film 71 and the metal-containing film 73 are removed. The steps (steps ST1 to 6) and the times (t1 to t10) of the treatment are as shown in FIGS. 7 and 8 as in the case of removing the resist film described above.
まず、ステップＳＴ１において、図１０（ａ１１）に示すように、基板Ｗの表面を覆う自然酸化膜７１にＨＦを供給して、自然酸化膜７１を除去する処理を行う。時刻ｔ１において、ＨＦ供給部３４１から供給されたＨＦは、基板Ｗ上の中心上方の吐出位置に配置された処理液供給ノズル２３から基板Ｗに向けて供給される。かかるＨＦによって、基板Ｗの表層の自然酸化膜７１が除去される。自然酸化膜７１が除去されると、図１０（ａ２１）に示すように、金属含有膜７３が基板Ｗの表面に露出する。時刻ｔ２において、ＨＦの供給が停止され、処理液供給ノズル２３からＤＩＷが基板Ｗに供給される。かかるＤＩＷによって基板Ｗ上に残ったＨＦが洗い流される。
First, in step ST1, as shown in FIG. 10A11, HF is supplied to the natural oxide film 71 covering the surface of the substrate W to remove the natural oxide film 71. At time t1, the HF supplied from the HF supply unit 341 is supplied toward the substrate W from the processing
次のステップＳＴ２では、図１０（ｂ１１）に示すように、金属含有膜７３が露出した基板Ｗの表面に照射部２１１からＵＶ光を照射して、金属含有膜７３を分解する処理を行う。照射部２１１は、基板Ｗの中心位置から周縁位置との間を往復移動しながらＵＶ光を照射する。かかる照射により、基板Ｗの表面に露出した金属含有膜７３の全面がＵＶ光に曝される。これにより、金属含有膜７３の中の金属―金属結合が部分的に切断され、金属含有膜７３を部分的に分解することができる。かかる分解により金属含有膜中に隙間が生じるので、オゾンガスやオゾン水が金属含有膜７３の表面からその内部に侵入しやすい状態にできる（図１０（ｂ２１））。
In the next step ST2, as shown in FIG. 10B11, the surface of the substrate W on which the metal-containing film 73 is exposed is irradiated with UV light from the
ステップＳＴ３では、図１０（ｃ１１）に示すように、部分的に分解した金属含有膜７３が露出した基板Ｗに向けて液滴生成ノズル２１から酸素ガスを供給する。酸素ガス供給部３１から液滴生成ノズル２１に供給された酸素ガスは、液滴生成ノズル２１から基板Ｗに向けて供給される。詳細には、図４の酸素ガス供給口２１９から吐出された酸素ガスは、第１の円筒部２１２の下端面２１２ａに沿って中心軸Ｃ１に向けて斜め下方に向けて流れ、中心軸Ｃ１の近傍に集ってお互いに衝突する。そして互いに衝突した酸素ガスは、流れの向きを下方に変えて、基板Ｗに向けて供給される。ここで、供給された酸素ガスは、第１の円筒部２１２の下端部の開放面から放射されるＵＶ光に曝され、オゾンガスを生じ、基板Ｗと液滴生成ノズル２１との間の空間に酸素ガスとオゾンガスが混じった雰囲気を形成する。この雰囲気は、オゾン水からオゾンが失われてオゾン濃度が低下することを抑制する保護雰囲気となる。オゾン水の液滴からオゾンが失われることを抑制できる。
In step ST3, as shown in FIG. 10 (c11), oxygen gas is supplied from the
続いて、ステップＳＴ４において、図１０（ｄ１１）に示すように、部分的に分解した金属含有膜７３が露出した基板Ｗにオゾン水の液滴を液滴生成ノズル２１から供給し、金属含有膜７３を除去する処理を行う。オゾン水供給部３２から液滴生成ノズル２１に供給されたオゾン水は、オゾン水の液滴となって液滴生成ノズル２１から基板Ｗに向けて供給される。供給されたオゾン水の液滴は、基板Ｗの表層の金属含有膜７３を除去する。
Subsequently, in step ST4, as shown in FIG. 10 (d11), droplets of ozone water are supplied from the
液滴生成ノズル２１において、酸素ガス供給口２１９から供給された酸素ガスは、中心軸Ｃ１に向かう途中、オゾン水供給口２１６から供給されるオゾン水と衝突し、オゾン水の液滴が生成される。生成されたオゾン水の液滴は、酸素ガス供給口２１９から続けて供給される酸素ガスのガス流によってさらに寸断される。寸断された液滴は、ガス流に流されて中心軸Ｃ１に向かう。そして、これらオゾン水の液滴は、中心軸Ｃ１付近において互いに衝突し合い、さらに微細な液滴となって基板Ｗの表面に供給される。液滴となったオゾン水は、表面積が大きくなっているので、後述するＵＶ光に曝される割合が液滴になる前に比べて高く、オゾン濃度を高められる。
In the
部分的に分解された金属含有膜７３に、オゾン濃度の低下が抑制されたオゾン水の液滴が供給されると、オゾン水が、金属含有膜の隙間から侵入しつつ、接液した個所から金属含有膜７３を分解する。このとき、オゾン水の液滴は、処理液供給ノズル２２から噴射されており、大きな物理エネルギーを有しているので、金属含有膜７３を分解しつつ、分解が進んで破断されつつある金属含有膜の破片を物理的にも除去することができる。 When droplets of ozone water in which the decrease in ozone concentration is suppressed are supplied to the partially decomposed metal-containing film 73, the ozone water invades through the gaps of the metal-containing film and comes into contact with the liquid. The metal-containing film 73 is decomposed. At this time, since the droplets of ozone water are ejected from the treatment liquid supply nozzle 22 and have a large physical energy, the metal-containing film 73 is decomposed and the metal-containing film 73 is decomposed and is being broken. Film debris can also be physically removed.
ステップＳＴ５において、図１０（ｅ１１）に示すように、金属含有膜７３が除去された基板Ｗの表面にＳＣ１を供給して、処理を行う。処理液供給ノズル２２に供給されたＳＣ１は、処理液供給ノズル２２から基板Ｗに向けて吐出される。基板Ｗに吐出されたＳＣ１は、金属含有膜の残渣や異物があればそれらを除去し、基板Ｗの表面を清浄にする。 In step ST5, as shown in FIG. 10 (e11), SC1 is supplied to the surface of the substrate W from which the metal-containing film 73 has been removed to perform the treatment. The SC1 supplied to the processing liquid supply nozzle 22 is discharged from the processing liquid supply nozzle 22 toward the substrate W. The SC1 discharged to the substrate W removes any residue or foreign matter of the metal-containing film to clean the surface of the substrate W.
その後、既述したように、処理液供給ノズル２２からＤＩＷが基板Ｗに向けて吐出され、これにより、基板Ｗ上のＳＣ１がＤＩＷによって洗い流される。ＤＩＷによるリンス処理が終わると、高速回転により表面に付着していたＤＩＷを振り切り、基板Ｗの表面を乾燥させる（図１０の（ｆ１１））。 After that, as described above, the DIW is discharged from the processing liquid supply nozzle 22 toward the substrate W, whereby the SC1 on the substrate W is washed away by the DIW. When the rinsing treatment by DIW is completed, the DIW adhering to the surface is shaken off by high-speed rotation, and the surface of the substrate W is dried ((f11) in FIG. 10).
［２］第２実施形態
以下に図１１から図１３に基づいて、本願発明の第２実施形態に係る基板処理装置および基板処理方法について説明する。
[2] Second Embodiment The substrate processing apparatus and substrate processing method according to the second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 11 to 13.
＜処理部＞
図１１に示すように、第２実施形態に係る基板処理装置２は、基板Ｗを処理する処理部１０ｂを有する。図２に示す第１実施形態の基板処理装置１と異なる点は、処理部１０ａにおける液滴生成ノズル２１の代わりに、処理部１０ｂにオゾン流体供給ノズル５１が設けられている点である。その他は同じであるので、同じ参照符号を付して、その詳細な説明を省略する。
<Processing unit>
As shown in FIG. 11, the substrate processing apparatus 2 according to the second embodiment has a processing unit 10b for processing the substrate W. The difference from the
＜オゾン流体供給ノズル＞
次に、図１１および図１２を参照し、処理部１０ｂ内で用いられるオゾン流体供給ノズル５１の詳細について説明する。ここで、図１２（ａ）は、オゾン流体供給ノズル５１を水平側方から側面視した側面図である。また、図１２（ｂ）は、オゾン流体供給ノズル５１を鉛直下方から平面視した平面図である。
<Ozone fluid supply nozzle>
Next, with reference to FIGS. 11 and 12, details of the ozone fluid supply nozzle 51 used in the processing unit 10b will be described. Here, FIG. 12A is a side view of the ozone fluid supply nozzle 51 viewed from the horizontal side. Further, FIG. 12B is a plan view of the ozone fluid supply nozzle 51 viewed vertically from below.
図１１に示すように、オゾン流体供給ノズル５１は、処理部１０ｂ内において、ノズル移動機構１２に取り付けられ、昇降動作および旋回動作が可能なように構成されている。 As shown in FIG. 11, the ozone fluid supply nozzle 51 is attached to the nozzle moving mechanism 12 in the processing unit 10b so that it can move up and down and swivel.
図１２（ａ）において、オゾン流体供給ノズル５１は、酸素ガス供給配管３１ａが流路接続される酸素ガス供給ノズル５１３と、オゾン水供給配管３２ａが流路接続されるオゾン水供給ノズル５１４とを含む。また、酸素ガス供給ノズル５１３には、後述するオゾン水が基板Ｗの表面に着液する着液領域に向けてＵＶ光を照射する照射部５１１が取り付けられている。本実施の例では、図１２（ｂ）に示すようにオゾン流体供給ノズル５１を鉛直下方から視た場合、酸素ガス供給ノズル５１３、オゾン水供給ノズル５１４および照射部５１１は一列に並ぶように配置されている。 In FIG. 12A, the ozone fluid supply nozzle 51 has an oxygen gas supply nozzle 513 to which the oxygen gas supply pipe 31a is connected to the flow path and an ozone water supply nozzle 514 to which the ozone water supply pipe 32a is connected to the flow path. include. Further, the oxygen gas supply nozzle 513 is attached with an irradiation unit 511 that irradiates UV light toward a liquid landing region where ozone water, which will be described later, is landed on the surface of the substrate W. In the example of this embodiment, when the ozone fluid supply nozzle 51 is viewed from vertically below as shown in FIG. 12B, the oxygen gas supply nozzle 513, the ozone water supply nozzle 514, and the irradiation unit 511 are arranged so as to line up in a row. Has been done.
照射部５１１は、連続流である液柱状のオゾン水が基板Ｗの表面に着液する着液領域に向けてＵＶ光を照射する。図１２（ａ）に示すように、ＵＶ光は、斜め下方に向けられた照射口５１２から光軸Ｃ２に沿って照射される。照射部５１１から照射されるＵＶ光は、オゾン水供給ノズル５１４から供給される液柱状のオゾン水を、基板Ｗの表面の着液領域付近で照射することができ、オゾン水に含まれる酸素を活性化してオゾンの消失を抑制することができる。 The irradiation unit 511 irradiates UV light toward a liquid landing region where liquid columnar ozone water, which is a continuous flow, is landed on the surface of the substrate W. As shown in FIG. 12A, the UV light is emitted along the optical axis C2 from the irradiation port 512 directed obliquely downward. The UV light emitted from the irradiation unit 511 can irradiate the liquid columnar ozone water supplied from the ozone water supply nozzle 514 in the vicinity of the landing region on the surface of the substrate W, and oxygen contained in the ozone water can be emitted. It can be activated to suppress the disappearance of ozone.
第２実施形態においても、図６に示すＵＶ照射制御部４ｂが、照射部５１１からＵＶ光を照射する照射状態とＵＶ光を照射しない非照射状態とを切り変えるように照射部５１１を制御する。 Also in the second embodiment, the UV irradiation control unit 4b shown in FIG. 6 controls the irradiation unit 511 so as to switch between an irradiation state in which UV light is irradiated from the irradiation unit 511 and a non-irradiation state in which UV light is not irradiated. ..
＜基板処理における各部の動作＞
この第２実施形態に係る基板処理装置に適用されるレジスト膜を除去する基板処理方法の各処理のステップも、前述した第１実施形態に係る基板処理装置に適用されるレジスト膜を除去する場合と同様である。したがって、以下に、基板Ｗに対する処理を行う各ステップの動作について、図７および図１３を参照しながら説明する。図１３は、図７に対応した第２実施形態の基板処理方法をレジスト膜の除去に適用した説明図である。本実施形態においても、基板Ｗの表面がレジスト膜６３に覆われ、レジスト膜６３の表層が高エネルギーのイオン注入処理により炭化して硬化した硬化膜６２ａの付いた状態である例で説明する。ここで、硬化膜６２ａは、レジスト膜中の有機物が炭化したアモルファスカーボンを部分的に有する。硬化膜６２ａの表層は、通常、自然酸化膜６１に覆われている。なお、以下の各処理の説明において、第１実施形態と重複する点については簡易に述べる程度にとどめる。
<Operation of each part in substrate processing>
Each processing step of the substrate processing method for removing the resist film applied to the substrate processing apparatus according to the second embodiment is also a case of removing the resist film applied to the substrate processing apparatus according to the first embodiment described above. Is similar to. Therefore, the operation of each step of processing the substrate W will be described below with reference to FIGS. 7 and 13. FIG. 13 is an explanatory diagram in which the substrate processing method of the second embodiment corresponding to FIG. 7 is applied to the removal of the resist film. Also in this embodiment, an example will be described in which the surface of the substrate W is covered with the resist film 63 and the surface layer of the resist film 63 is attached with the cured film 62a which is carbonized and cured by high-energy ion implantation treatment. Here, the cured film 62a partially has amorphous carbon in which the organic matter in the resist film is carbonized. The surface layer of the cured film 62a is usually covered with a natural oxide film 61. In the following description of each process, the points that overlap with the first embodiment will be briefly described.
＜ＨＦ処理＞
まず、図１３の（ａ１）〜（ａ２）に示すように、水平に回転している基板Ｗに対して、ＨＦを供給して基板Ｗの表面を覆う自然酸化膜６１を除去し、基板Ｗの表面に残ったＨＦをＤＩＷにより洗い流す処理を行う（ステップＳＴ１）。
<HF processing>
First, as shown in FIGS. 13 (a1) to 13 (a2), HF is supplied to the horizontally rotating substrate W to remove the natural oxide film 61 covering the surface of the substrate W, and the substrate W is removed. The HF remaining on the surface of the above surface is washed away by DIW (step ST1).
このステップＳＴ１において、処理液供給ノズル２３から供給されたＨＦが、図１３の（ａ１）に示す基板Ｗの表層にある硬化膜付きレジストを覆う自然酸化膜６１を除去する。自然酸化膜６１が除去されると、硬化膜６２ａが基板Ｗの表面に露出し、図１３の（ａ２）の状態となる。基板Ｗの表面に残ったＨＦは、処理液供給ノズル２３から供給されるＤＩＷによって洗い流される。
In this step ST1, the HF supplied from the treatment
＜ＵＶ処理＞
次に、図１３の（ｂ１１１）〜（ｂ２１１）に示すように、硬化膜６２ａが表面に露出した基板Ｗに対して、照射部５１１からＵＶ光を照射し、硬化膜６２ａを分解する処理を行う（ステップＳＴ２）。
<UV treatment>
Next, as shown in FIGS. 13 (b111) to (b211), the substrate W on which the cured film 62a is exposed on the surface is irradiated with UV light from the irradiation unit 511 to decompose the cured film 62a. Perform (step ST2).
このステップＳＴ２では、まず、ノズル制御部４ｃがノズル移動機構１２を制御して、オゾン流体供給ノズル５１を、カップの外の待機位置から基板Ｗ上の所定の照射位置まで移動させる。かかる移動によって、照射部５１１から照射されるＵＶ光の照射軸Ｃ２が基板Ｗの中心と交差するように配置される。 In this step ST2, first, the nozzle control unit 4c controls the nozzle movement mechanism 12 to move the ozone fluid supply nozzle 51 from the standby position outside the cup to a predetermined irradiation position on the substrate W. By such movement, the irradiation axis C2 of the UV light emitted from the irradiation unit 511 is arranged so as to intersect the center of the substrate W.
オゾン流体供給ノズル５１が照射位置に配置されると、次に、ＵＶ照射制御部４ｂが、照射部５１１の照射状態を制御して基板Ｗに向けて光軸Ｃ２に沿うようにＵＶ光を照射させる。ＵＶ光の照射が開始されると、ノズル制御部４ｃがノズル移動機構１２を制御して、処理液供給ノズル５１を旋回させる。これにより、基板Ｗの中心の上部に配置されたオゾン流体供給ノズル５１は、基板Ｗの中心位置と基板Ｗの周縁位置との間を移動する。 When the ozone fluid supply nozzle 51 is arranged at the irradiation position, the UV irradiation control unit 4b then controls the irradiation state of the irradiation unit 511 and irradiates the substrate W with UV light along the optical axis C2. Let me. When the irradiation of UV light is started, the nozzle control unit 4c controls the nozzle moving mechanism 12 to rotate the processing liquid supply nozzle 51. As a result, the ozone fluid supply nozzle 51 arranged above the center of the substrate W moves between the center position of the substrate W and the peripheral position of the substrate W.
図１３（ｂ１１１）において、オゾン流体供給ノズル５１は、照射位置から周縁位置までの間を往復移動しながら、照射部５１１からＵＶ光を照射するので、回転する基板Ｗの表面に露出した硬化膜６２ａの全面がＵＶ光に曝される。これにより、硬化膜６２ａ中のアモルファスカーボンの炭素―炭素結合が切断され、硬化膜６２ａを部分的に分解することができる。かかる分解によって、硬化膜６２ａ中に隙間が生じるので、オゾン水および処理液を侵入させやすい状態にできる。図１３の（ｂ２１１）のように、前述のような状態となった硬化膜６２ａを以降は分解膜６２ｂと記載する。このステップＳＴ２におけるＵＶ光の照射は、後述するオゾン水に向けてＵＶ光が照射する第３の照射工程に対して、第４の照射工程と記載する。 In FIG. 13 (b111), the ozone fluid supply nozzle 51 reciprocates from the irradiation position to the peripheral position and irradiates UV light from the irradiation unit 511. Therefore, the cured film exposed on the surface of the rotating substrate W. The entire surface of 62a is exposed to UV light. As a result, the carbon-carbon bond of the amorphous carbon in the cured film 62a is broken, and the cured film 62a can be partially decomposed. Since a gap is formed in the cured film 62a by such decomposition, it is possible to make it easy for ozone water and the treatment liquid to enter. As shown in FIG. 13 (b211), the cured film 62a in the above-mentioned state is hereinafter referred to as a decomposition film 62b. The irradiation of UV light in this step ST2 is described as a fourth irradiation step as opposed to the third irradiation step of irradiating the ozone water with UV light, which will be described later.
＜酸素ガス供給＞
次に、図１３の（ｃ１１１）に示すように、オゾン流体供給ノズル５１に含まれる酸素ガス供給ノズル５１３から酸素ガスを基板Ｗに向けて供給し（第２の酸素雰囲気形成工程）、その酸素ガスにＵＶ光を照射してオゾンガスを生じさせる（ステップＳＴ３）。
<Oxygen gas supply>
Next, as shown in FIG. 13 (c111), oxygen gas is supplied toward the substrate W from the oxygen gas supply nozzle 513 included in the ozone fluid supply nozzle 51 (second oxygen atmosphere forming step), and the oxygen thereof. The gas is irradiated with UV light to generate ozone gas (step ST3).
このステップＳＴ３では、前述したステップＳＴ２から引き続いて照射部５１１からＵＶ光が基板Ｗに向けて照射されている。そして、流体供給制御部４ａが、酸素ガス供給弁３１ｂを開くように制御して、酸素ガス供給配管３１ａの流路を開かせる。酸素ガス供給配管３１ａの流路を開くと、酸素ガスが、酸素ガス供給部３１から酸素ガス供給配管３１ａの内部を通って酸素ガス供給ノズル５１３に供給される。 In this step ST3, UV light is continuously irradiated from the irradiation unit 511 toward the substrate W from the above-mentioned step ST2. Then, the fluid supply control unit 4a controls to open the oxygen gas supply valve 31b to open the flow path of the oxygen gas supply pipe 31a. When the flow path of the oxygen gas supply pipe 31a is opened, oxygen gas is supplied from the oxygen gas supply unit 31 to the oxygen gas supply nozzle 513 through the inside of the oxygen gas supply pipe 31a.
図１３の（ｃ１１１）において、酸素ガス供給ノズル５１３からは、酸素ガスが後述するオゾン水が基板Ｗの表面に着液する着液領域に向けて供給され、当該着液領域に予め酸素雰囲気を形成する（第２の酸素雰囲気形成工程）。供給された酸素ガスは、照射部５１１から照射されるＵＶ光に曝されてオゾンガスを生じ、酸素ガスとオゾンガスが混じった雰囲気となる。この雰囲気は、オゾン水からオゾンが失われることを抑制する保護雰囲気となる。これにより、後述するオゾン水の着液領域に保護雰囲気を予め準備することができ、連続流である液柱状のオゾン水がオゾン水供給ノズル５１４から基板Ｗに向けて吐出された際に、オゾン水からオゾンガス抜けてオゾン濃度が低下することを抑制できる。 In FIG. 13 (c111), oxygen gas is supplied from the oxygen gas supply nozzle 513 toward a liquidation region where ozone water, which will be described later, is landed on the surface of the substrate W, and an oxygen atmosphere is previously provided in the liquidation region. Form (second oxygen atmosphere forming step). The supplied oxygen gas is exposed to UV light emitted from the irradiation unit 511 to generate ozone gas, creating an atmosphere in which oxygen gas and ozone gas are mixed. This atmosphere is a protective atmosphere that suppresses the loss of ozone from ozone water. As a result, a protective atmosphere can be prepared in advance in the ozone water landing region, which will be described later, and when the continuous flow of liquid columnar ozone water is discharged from the ozone water supply nozzle 514 toward the substrate W, ozone is generated. It is possible to prevent the ozone gas from escaping from the water and the ozone concentration from decreasing.
＜オゾン水処理＞
続いて、図１３の（ｄ１１１）に示すように、オゾン水供給ノズル５１４からオゾン水を基板Ｗに向けて供給する（オゾン水供給工程）。これによって、分解膜６２ｂとレジスト膜６３を除去する処理を行う（ステップＳＴ４）。
<Ozone water treatment>
Subsequently, as shown in FIG. 13 (d111), ozone water is supplied from the ozone water supply nozzle 514 toward the substrate W (ozone water supply step). As a result, the process of removing the decomposition film 62b and the resist film 63 is performed (step ST4).
このとき、ステップＳＴ３で照射しているＵＶ光は、ステップＳＴ４でも継続して照射される。また、ステップＳＴ３で吐出している酸素ガスも、ステップＳＴ４で継続して吐出される。ステップＳＴ４では、流体供給制御部４ａが、オゾン水供給弁３２ｂを開くように制御して、オゾン水供給配管３２ａの流路を開かせる。オゾン水供給配管３２ａの流路が開くと、オゾン水が、オゾン水供給部３２からオゾン水供給配管３２ａの内部を通ってオゾン水供給ノズル５１４に供給される。 At this time, the UV light irradiated in step ST3 is continuously irradiated in step ST4. Further, the oxygen gas discharged in step ST3 is also continuously discharged in step ST4. In step ST4, the fluid supply control unit 4a controls to open the ozone water supply valve 32b to open the flow path of the ozone water supply pipe 32a. When the flow path of the ozone water supply pipe 32a is opened, ozone water is supplied from the ozone water supply unit 32 to the ozone water supply nozzle 514 through the inside of the ozone water supply pipe 32a.
ここで、照射部５１１は、オゾン水の着液領域に向けてＵＶ光を照射している（第３の照射工程）。このＵＶ光に曝されたオゾン水は、オゾン水中に含まれる酸素ガスが活性化されオゾンとなるので、オゾン濃度の低下を抑制することができる。 Here, the irradiation unit 511 irradiates the UV light toward the landing region of ozone water (third irradiation step). In the ozone water exposed to this UV light, the oxygen gas contained in the ozone water is activated to become ozone, so that a decrease in ozone concentration can be suppressed.
また、このとき、オゾン水が基板に向けて吐出される領域には、酸素ガス供給ノズル５１３から酸素ガスが供給されており（酸素供給工程）、ステップＳＴ３のときと同様に、酸素ガスは、照射部５１１から照射されるＵＶ光に曝されてオゾンガスを生じ、酸素ガスとオゾンガスが混じった雰囲気となる。この雰囲気は、オゾン水からオゾンが失われることを抑制する保護雰囲気となる。この保護雰囲気により、オゾン水からオゾンガスが抜けて濃度が低下することを抑制できる。 Further, at this time, oxygen gas is supplied from the oxygen gas supply nozzle 513 to the region where ozone water is discharged toward the substrate (oxygen supply step), and the oxygen gas is, as in step ST3. When exposed to UV light emitted from the irradiation unit 511, ozone gas is generated, creating an atmosphere in which oxygen gas and ozone gas are mixed. This atmosphere is a protective atmosphere that suppresses the loss of ozone from ozone water. Due to this protective atmosphere, it is possible to prevent ozone gas from being released from ozone water and its concentration from decreasing.
なお、このときにＵＶ光が照射されていない場合でも、酸素ガスがオゾン水の上面を覆うことで、オゾン水から生じる酸素がオゾン水中から抜け出ることを抑制し、オゾン水がさらに分解されることを抑制することができる。 Even when UV light is not irradiated at this time, the oxygen gas covers the upper surface of the ozone water, thereby suppressing the oxygen generated from the ozone water from escaping from the ozone water and further decomposing the ozone water. Can be suppressed.
部分的に分解された分解膜６２ｂに、濃度を維持したオゾン水が供給されると、オゾン水が、分解膜６２ｂの隙間から侵入し、分解膜６２ｂの下にあるレジスト膜６３を分解する。下地のレジスト膜６３が分解し除去されると、その上の部分的に分解された分解膜６２ｂも除去され、基板Ｗは図１３の（ｅ１）に示すような状態となる。 When ozone water having a maintained concentration is supplied to the partially decomposed decomposition film 62b, the ozone water invades through the gap of the decomposition film 62b and decomposes the resist film 63 under the decomposition film 62b. When the underlying resist film 63 is decomposed and removed, the partially decomposed decomposition film 62b on the underlying resist film 63 is also removed, and the substrate W is in a state as shown in FIG. 13 (e1).
オゾン水による処理が終わると、流体供給制御部４ａが、オゾン水供給弁３２ｂを閉じるように制御して、オゾン水供給配管３２ａの流路を閉じさせる。オゾン水供給配管３２ａの流路が閉じると、オゾン水供給部３２からオゾン水供給ノズル５１４へのオゾン水の供給が停止する。次に、酸素ガス供給弁３１ｂを閉じるように制御して、酸素ガス供給配管３１ａの流路を閉じさせる。酸素ガス供給配管３１ａの流路が閉じると、酸素ガス供給部３１から酸素ガス供給ノズル５１３への酸素ガスの供給が停止する。続いて、ＵＶ照射制御部４ｂが、照射部５１１のＵＶ照射状態を制御して、ＵＶ光の照射を停止する。なお、この酸素ガスの供給は、オゾン水供給工程の終了時点から所定の時間、たとえば、５〜１０秒続けられてもよい。基板Ｗの表面に残ったオゾン水がレジスト膜６３に作用している間、この基板Ｗの表面に残ったオゾン水からオゾンが失われることを抑制できる。 When the treatment with ozone water is completed, the fluid supply control unit 4a controls to close the ozone water supply valve 32b and closes the flow path of the ozone water supply pipe 32a. When the flow path of the ozone water supply pipe 32a is closed, the supply of ozone water from the ozone water supply unit 32 to the ozone water supply nozzle 514 is stopped. Next, the oxygen gas supply valve 31b is controlled to be closed, and the flow path of the oxygen gas supply pipe 31a is closed. When the flow path of the oxygen gas supply pipe 31a is closed, the supply of oxygen gas from the oxygen gas supply unit 31 to the oxygen gas supply nozzle 513 is stopped. Subsequently, the UV irradiation control unit 4b controls the UV irradiation state of the irradiation unit 511 to stop the irradiation of UV light. The supply of oxygen gas may be continued for a predetermined time, for example, 5 to 10 seconds from the end of the ozone water supply process. While the ozone water remaining on the surface of the substrate W acts on the resist film 63, it is possible to suppress the loss of ozone from the ozone water remaining on the surface of the substrate W.
このとき、ＵＶ光の照射の停止と、オゾン水および酸素ガスの供給の停止とを同時にしてもよい。なお、ＵＶ光の照射は、オゾン水および酸素ガスの供給の停止まで継続してもよく、この場合、ＵＶ光は、基板Ｗの表面に付着したオゾン水に照射され続けるため、オゾン水中の酸素ガスを活性化し、オゾンガスが抜けて濃度が低下することを抑制できる。 At this time, the irradiation of UV light may be stopped and the supply of ozone water and oxygen gas may be stopped at the same time. The irradiation of UV light may be continued until the supply of ozone water and oxygen gas is stopped. In this case, the UV light continues to be irradiated to the ozone water adhering to the surface of the substrate W, so that oxygen in the ozone water is continued. It can activate the gas and prevent the ozone gas from escaping and the concentration from decreasing.
続いて、図１３の（ｅ１）に示すように、処理液供給ノズル２２からＳＣ１を基板Ｗに向けて吐出して、基板Ｗの表面のレジスト膜などの残渣を除去して洗い流す処理を行う
さらに、引き続いて、処理液供給ノズル２２からＤＩＷが基板Ｗに向けて供給される。これにより、基板Ｗ上のＳＣ１がＤＩＷによって洗い流される。（ステップＳＴ５）。
Subsequently, as shown in FIG. 13 (e1), SC1 is discharged from the processing liquid supply nozzle 22 toward the substrate W to remove residues such as a resist film on the surface of the substrate W and wash them away. Subsequently, DIW is supplied from the processing liquid supply nozzle 22 toward the substrate W. As a result, SC1 on the substrate W is washed away by DIW. (Step ST5).
その後、図１３の（ｆ１）に示すように、基板Ｗを高速回転させて基板Ｗを乾燥させる（ステップＳＴ６）。 After that, as shown in (f1) of FIG. 13, the substrate W is rotated at high speed to dry the substrate W (step ST6).
本実施の例においても、本願発明の基板処理方法が適用される対象の基板は、レジスト膜に覆われた基板に限られるものではない。第１実施形態に係る基板処理方法について述べたように、その表面が金属含有膜に覆われた基板に適用されてもよい。 Also in this embodiment, the substrate to which the substrate processing method of the present invention is applied is not limited to the substrate covered with the resist film. As described in the substrate processing method according to the first embodiment, the substrate may be applied to a substrate whose surface is covered with a metal-containing film.
以下、請求項の各構成要素と実施形態の各構成要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。 Hereinafter, an example of correspondence between each component of the claim and each component of the embodiment will be described, but the present invention is not limited to the following examples.
上記の実施形態においては、基板Ｗが基板の例であり、基板処理装置１が基板処理装置の例であり、チャックピン１１ａが基板保持部の例であり、回転ベース１１ｂが回転機構の例であり、液滴生成ノズル２１が液滴生成ノズルの例であり、照射部２１１が照射部の例である。
In the above embodiment, the substrate W is an example of a substrate, the
また、酸素ガス供給配管３１ａが酸素ガス供給配管の例であり、オゾン水供給配管３２ａがオゾン水供給配管の例であり、酸素ガス供給弁３１ｂが酸素ガス供給弁の例であり、オゾン水供給弁３２ｂがオゾン水供給弁の例であり、制御部４が制御部の例であり、流体供給制御部４ａが流体供給制御部の例であり、ＵＶ照射制御部４ｂがＵＶ照射制御部の例である。 Further, the oxygen gas supply pipe 31a is an example of an oxygen gas supply pipe, the ozone water supply pipe 32a is an example of an ozone water supply pipe, and the oxygen gas supply valve 31b is an example of an oxygen gas supply valve. The valve 32b is an example of an ozone water supply valve, the control unit 4 is an example of a control unit, the fluid supply control unit 4a is an example of a fluid supply control unit, and the UV irradiation control unit 4b is an example of a UV irradiation control unit. Is.
さらに、第１の円筒部２１２が第１の円筒部の例であり、第２の円筒部２１３が第２の円筒部の例であり、第２の円筒部２１３の下端面２１３ａが下端面の例であり、対向面２１４ａが対向面の例であり、第１の流路２１５が第１の流路の例であり、オゾン水供給口２１６がオゾン水供給口の例であり、酸素ガス供給口２１９が酸素ガス供給口の例であり、囲い部材２１４が囲い部材の例であり、閉空間２１７が閉空間の例である。
Further, the first
１ ：基板処理装置（第１実施形態）
２ ：基板処理装置（第２実施形態）
１０ａ ：処理部（第１実施形態）
１０ｂ ：処理部（第２実施形態）
１００ ：基板処理システム
１１ ：スピンチャック
１１ａ ：チャックピン（基板保持部）
１１ｂ ：スピンベース（回転機構）
１２ ：ノズル移動機構
１２ａ ：アーム
１２ｂ ：昇降駆動部
１２ｃ ：旋回駆動部
１３ ：ノズル移動機構
１３ａ ：アーム
１３ｂ ：昇降駆動部
１３ｃ ：旋回駆動部
１４ ：カップ
２１ ：液滴生成ノズル
２１０ ：固定部
２１１ ：照射部
２１２ ：第１の円筒部
２１２ａ ：下端面
２１３ ：第２の円筒部
２１３ａ ：下端面
２１３ｂ ：上円筒部
２１３ｃ ：下円筒部
２１４ ：囲い部材
２１４ａ ：対向面
２１４ｂ ：円筒部
２１４ｃ ：底部
２１５ ：第１の流路
２１６ ：オゾン水供給口
２１７ ：閉空間
２１８ ：第２の流路
２１９ ：酸素ガス供給口
２２ ：処理液供給ノズル
２３ ：処理液供給ノズル
３ ：処理流体供給部
３１ ：酸素ガス供給源
３１ａ ：酸素ガス供給配管
３１ｂ ：酸素ガス供給弁
３２ ：オゾン水供給部
３２ａ ：オゾン水供給配管
３２ｂ ：オゾン水供給弁
３３ａ ：共通配管
３３１ ：ＤＩＷ供給源
３３１ａ ：ＤＩＷ供給配管
３３１ｂ ：ＤＩＷ供給弁
３３２ ：ＳＣ１供給部
３３２ａ ：ＳＣ１供給配管
３３２ｂ ：ＳＣ１供給弁
３４ａ ：共通配管
３４１ ：ＨＦ供給部
３４１ａ ：ＨＦ供給配管
３４１ｂ ：ＨＦ供給弁
３４２ ：ＤＩＷ供給源
３４２ａ ：ＤＩＷ供給配管
３４２ｂ ：ＤＩＷ供給弁
４ ：制御部
４ａ ：流体供給制御部
４ｂ ：ＵＶ照射制御部
４ｃ ：ノズル制御部
４ｄ ：スピン制御部
４ｅ ：記憶部
４ｆ ：レシピ実行部
５１ ：オゾン流体供給ノズル
５１１ ：照射部
５１２ ：照射口
５１３ ：酸素ガス供給ノズル
５１４ ：オゾン水供給ノズル
６１ ：自然酸化膜
６２ａ ：硬化膜
６２ｂ ：分解膜
６３ ：レジスト膜
７１ ：自然酸化膜
７３ ：金属含有膜
Ｗ ：基板
Ｃ１ ：中心軸
Ｃ２ ：照射軸
1: Substrate processing device (first embodiment)
2: Substrate processing device (second embodiment)
10a: Processing unit (first embodiment)
10b: Processing unit (second embodiment)
100: Substrate processing system 11: Spin chuck 11a: Chuck pin (board holding portion)
11b: Spin base (rotation mechanism)
12: Nozzle moving mechanism 12a: Arm 12b: Elevating drive unit 12c: Swivel drive unit 13: Nozzle movement mechanism 13a: Arm 13b: Elevating drive unit 13c: Swivel drive unit 14: Cup 21: Droplet generation nozzle 210: Fixed part 211 : Irradiation part 212: First cylindrical part 212a: Lower end surface 213: Second cylindrical part 213a: Lower end surface 213b: Upper cylindrical part 213c: Lower cylindrical part 214: Enclosing member 214a: Facing surface 214b: Cylindrical part 214c: Bottom 215: First flow path 216: Ozone water supply port 217: Closed space 218: Second flow path 219: Oxygen gas supply port 22: Treatment liquid supply nozzle 23: Treatment liquid supply nozzle 3: Treatment fluid supply unit 31: Oxygen gas supply source 31a: Oxygen gas supply pipe 31b: Oxygen gas supply valve 32: Ozone water supply unit 32a: Ozone water supply pipe 32b: Ozone water supply valve 33a: Common pipe 331: DIW supply source 331a: DIW supply pipe 331b: DIW supply valve 332: SC1 supply part 332a: SC1 supply pipe 332b: SC1 supply valve 34a: common pipe 341: HF supply part 341a: HF supply pipe 341b: HF supply valve 342: DIW supply source 342a: DIW supply pipe 342b Supply valve 4: Control unit 4a: Fluid supply control unit 4b: UV irradiation control unit 4c: Nozzle control unit 4d: Spin control unit 4e: Storage unit 4f: Recipe execution unit 51: Ozone fluid supply nozzle 511: Irradiation unit 512: Irradiation Mouth 513: Oxygen gas supply nozzle 514: Ozone water supply nozzle 61: Natural oxide film 62a: Hardened film 62b: Decomposition film 63: Resist film 71: Natural oxide film 73: Metal-containing film W: Substrate C1: Central axis C2: Irradiation shaft
Claims (22)
酸素ガスとオゾン水とを混合させることによってオゾン水の液滴を生成する液滴生成工程と、
前記液滴生成工程で生成された液滴に対してＵＶ光を照射する第１の照射工程と、
前記ＵＶ光を照射された液滴を前記基板の表面に供給する液滴供給工程と、を含む基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate by supplying ozone water while horizontally holding and rotating a substrate having a resist film or a metal-containing film formed on the surface thereof.
A droplet generation process that produces ozone water droplets by mixing oxygen gas and ozone water,
The first irradiation step of irradiating the droplets generated in the droplet generation step with UV light, and
A substrate processing method including a droplet supply step of supplying droplets irradiated with UV light to the surface of the substrate.
基板の表面にオゾン水を供給するオゾン水供給工程と、
前記オゾン水が基板の表面に着液する着液領域に向けて酸素ガスを供給する酸素供給工程と、を含む基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate by supplying ozone water while horizontally holding and rotating a substrate having a resist film or a metal-containing film formed on the surface thereof.
Ozone water supply process that supplies ozone water to the surface of the substrate,
A substrate treatment method comprising an oxygen supply step of supplying oxygen gas toward a liquidation region where ozone water is deposited on the surface of the substrate.
基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転機構と、
オゾン水と酸素ガスとを混合させて液滴を生成する液滴生成ノズルと、
前記液滴生成ノズルで生成された前記液滴にＵＶ光を照射する照射部と、を備える基板処理装置。 A substrate processing device for processing a substrate on which a resist film or a metal-containing film is formed on the surface thereof.
A board holding part that holds the board horizontally,
A rotation mechanism for rotating the substrate holding portion and
A droplet generation nozzle that mixes ozone water and oxygen gas to generate droplets,
A substrate processing apparatus including an irradiation unit that irradiates the droplets generated by the droplet generation nozzle with UV light.
前記液滴生成ノズルに対して酸素ガスを供給する酸素ガス供給配管と、
前記オゾン水供給配管に介装され、オゾン水の供給状態を変えるオゾン水供給弁と、
前記酸素ガス供給配管に介装され、酸素ガスの供給状態を変える酸素ガス供給弁と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記オゾン水供給弁と前記酸素ガス供給弁とを制御して、前記オゾン水供給弁を供給状態とする前に、前記酸素ガス供給弁を供給状態とする流体供給制御部を含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。 An ozone water supply pipe that supplies ozone water to the droplet generation nozzle,
An oxygen gas supply pipe that supplies oxygen gas to the droplet generation nozzle,
An ozone water supply valve that is connected to the ozone water supply pipe and changes the ozone water supply state.
An oxygen gas supply valve that is interposed in the oxygen gas supply pipe and changes the oxygen gas supply state,
With a control unit
The control unit
It is characterized by including a fluid supply control unit that controls the ozone water supply valve and the oxygen gas supply valve to supply the oxygen gas supply valve before the ozone water supply valve is brought into the supply state. The substrate processing apparatus according to claim 14.
前記流体供給制御部が前記オゾン水供給弁を供給状態とする前に、基板の表面に向けてＵＶ光を照射させるように前記照射部を制御するＵＶ照射制御部を含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。 The control unit
The claim is characterized in that the fluid supply control unit includes a UV irradiation control unit that controls the irradiation unit so as to irradiate the surface of the substrate with UV light before the ozone water supply valve is brought into the supply state. Item 15. The substrate processing apparatus according to Item 15.
その中心軸が鉛直軸に沿って延びるとともに、その下端部に開放面を有する第１の円筒部と、
前記中心軸と同軸の中心軸を有するとともに、前記第１の円筒部よりも大径であって、その下端部に開放面を有する第２の円筒部と、
前記第１の円筒部の外周面と前記第２の円筒部の内周面との間に形成され、前記オゾン水供給配管から供給されるオゾン水を鉛直下方に流下させる第１の流路と、
前記第１の流路の下端に形成され、オゾン水を鉛直下方に供給するオゾン水供給口と、
前記オゾン水供給口よりも外側に形成され、前記中心軸に向かう斜め下方に酸素ガスを供給する酸素ガス供給口と、を含み、
前記第１の円筒部は、前記照射部から照射されたＵＶ光を下方に向けて導光するとともに、その解放された下端から基板の表面に向けてＵＶ光を放射させることを特徴とする請求項１５から１９のいずれかに記載の基板処理装置。 The droplet generation nozzle
A first cylindrical portion whose central axis extends along the vertical axis and has an open surface at its lower end, and
A second cylindrical portion having a central axis coaxial with the central axis and having a diameter larger than that of the first cylindrical portion and having an open surface at the lower end portion thereof, and a second cylindrical portion.
A first flow path formed between the outer peripheral surface of the first cylindrical portion and the inner peripheral surface of the second cylindrical portion to allow ozone water supplied from the ozone water supply pipe to flow vertically downward. ,
An ozone water supply port formed at the lower end of the first flow path and supplying ozone water vertically downward,
Includes an oxygen gas supply port formed on the outside of the ozone water supply port and supplying oxygen gas diagonally downward toward the central axis.
The first cylindrical portion is characterized in that the UV light emitted from the irradiation portion is guided downward and the UV light is radiated from the released lower end toward the surface of the substrate. Item 6. The substrate processing apparatus according to any one of Items 15 to 19.
前記第２の円筒部の外周面の全周を取り囲むように構成される第３の円筒部と前記第３の円筒部の下端から前記中心軸に向けて前記第２の円筒部の下端部に近接する位置まで延設される底部とを含んで構成される囲い部材と、をさらに備え、
前記第２の円筒部の外周面と、前記囲い部材の内面とによって閉空間を形成し、
前記第２の円筒部の下端面は、前記中心軸に向かう斜め下方に傾斜するように構成され、
前記囲い部材は、前記第２の円筒部の下端面と平行に対向する対向面を含み、
前記第２の円筒部の下端面と前記囲い部材の対向面との間に形成され、前記閉空間と連通して酸素ガスを前記中心軸に向かう斜め下方に案内する第２の流路と、を含むことを特徴とする請求項２０に記載の基板処理装置。 The droplet generation nozzle
A third cylindrical portion configured to surround the entire circumference of the outer peripheral surface of the second cylindrical portion, and from the lower end of the third cylindrical portion to the lower end portion of the second cylindrical portion toward the central axis. Further provided with an enclosure member, including a bottom extending to a close position.
A closed space is formed by the outer peripheral surface of the second cylindrical portion and the inner surface of the enclosure member.
The lower end surface of the second cylindrical portion is configured to be inclined diagonally downward toward the central axis.
The enclosure member includes an opposing surface that faces parallel to the lower end surface of the second cylindrical portion.
A second flow path formed between the lower end surface of the second cylindrical portion and the facing surface of the enclosure member and communicating with the closed space to guide oxygen gas diagonally downward toward the central axis. The substrate processing apparatus according to claim 20, wherein the substrate processing apparatus comprises.
前記第１の円筒部の下端面と前記第２の円筒部の下端面は、前記オゾン水供給口の部分を除いて、前記中心軸に頂点を有する下方向きの円錐面の一面となるように構成されることを特徴とする請求項２１に記載の基板処理装置。 The lower end surface of the first cylindrical portion is configured to be inclined diagonally downward toward the central axis.
The lower end surface of the first cylindrical portion and the lower end surface of the second cylindrical portion shall be one surface of a downward conical surface having an apex on the central axis, except for the ozone water supply port portion. The substrate processing apparatus according to claim 21, wherein the substrate processing apparatus is configured.
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