JP7402035B2 - 導波管変換器 - Google Patents
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Description
本開示の第1の導波管変換器4の全体構成を図4に示す。図4は、導波管変換器4の斜視図を示す。本開示の第1の導波管変換器4の部分構成を図5に示す。図5は、基板内導波管42の分解斜視図を上段に示し、基板内導波管42の透視平面図を下段に示す。図5では、導波管41及び短絡部43と基板内導波管42との接続位置を破線で示す。図5の下段では、結合窓44及び結合窓45の周縁は、導波管41及び短絡部43の開口の周縁の内側にある。そして、図面上はずれているが、実際には重なり合っている。
比較例の導波管変換器4の部分構成を図9に示す。図9では、導波管41及び短絡部43と基板内導波管42との接続位置を破線で示す。そして、結合窓44及び結合窓45の周縁は、導波管41及び短絡部43の開口の周縁の内側にある。さらに、図面上はずれているが、実際には重なり合っている。図9の左上欄は、比較例の第1の結合窓44、45を示す。図9の右上欄は、比較例の第2の結合窓44、45を示す。図9の左中欄は、比較例の第3の結合窓44、45を示す。図9の右中欄は、比較例の第4の結合窓44、45を示す。図9の左下欄は、比較例の第5の結合窓44、45を示す。図9の右下欄は、比較例の第6の結合窓44、45を示す。
本開示の第2の導波管変換器5の全体構成を図10に示す。図10は、導波管変換器5の斜視図を示す。本開示の第2の導波管変換器5の部分構成を図11に示す。図11は、第2導波管52の斜視図を上段に示し、第2導波管52の透視平面図を下段に示す。図11では、第1導波管51及び短絡部53と第2導波管52との接続位置を破線で示す。図11の下段では、結合窓54及び結合窓55の周縁は、第1導波管51及び短絡部53の開口の周縁の内側にある。そして、図面上はずれているが、実際には重なり合っている。
11、21、31:第1導波管
12、22、32:第2導波管
23:第3導波管
13、24、33:結合窓
41:導波管
42:基板内導波管
43:短絡部
44、45:結合窓
46:誘電体基板
47、48:導体層
49:導通部
51:第1導波管
52:第2導波管
53:短絡部
54、55:結合窓
Claims (4)
- 管軸方向が異なる導波管及び誘電体基板の内部の基板内導波管と、前記誘電体基板に関して前記導波管の反対側に配置される前記導波管の短絡部と、を備え、前記導波管と前記基板内導波管との間を結合窓を介して変換する導波管変換器であって、
前記導波管の電界面は、前記基板内導波管の磁界面と垂直であり、
前記導波管の磁界面は、前記基板内導波管の電界面と平行であり、
前記結合窓は、前記誘電体基板の両面の導体層に形成され、
前記基板内導波管かつ前記結合窓近傍の電界方向は、前記基板内導波管の閉塞部側から入出力部側へと向けて、前記導波管の基本モードの電界方向と平行方向から、前記基板内導波管の基本モードの電界方向と平行方向へとねじれ、
前記導波管の電界面の幅方向と平行方向の、前記導波管の側の前記誘電体基板の導体層に形成される前記結合窓の幅サイズは、前記基板内導波管の閉塞部側から入出力部側へと向けて、前記導波管の一方の磁界面の位置又は当該位置の近傍から前記導波管の他方の磁界面の位置又は当該位置の近傍までを含む幅サイズから、前記導波管の一方の磁界面の位置のみ、当該位置の近傍のみ又は当該位置及び当該位置の近傍のみを含む幅サイズへと狭くなり、
前記導波管の短絡部の電界面の幅方向と平行方向の、前記導波管の短絡部の側の前記誘電体基板の導体層に形成される前記結合窓の幅サイズは、前記基板内導波管の閉塞部側から入出力部側へと向けて、前記導波管の短絡部の一方の磁界面の位置又は当該位置の近傍から前記導波管の短絡部の他方の磁界面の位置又は当該位置の近傍までを含む幅サイズから、前記導波管の短絡部の他方の磁界面の位置のみ、当該位置の近傍のみ又は当該位置及び当該位置の近傍のみを含む幅サイズへと狭くなることを特徴とする導波管変換器。 - 管軸方向が異なる導波管及び誘電体基板の内部の基板内導波管と、前記誘電体基板に関して前記導波管の反対側に配置される前記導波管の短絡部と、を備え、前記導波管と前記基板内導波管との間を結合窓を介して変換する導波管変換器であって、
前記導波管の電界面は、前記基板内導波管の磁界面と垂直であり、
前記導波管の磁界面は、前記基板内導波管の電界面と平行であり、
前記結合窓は、前記誘電体基板の両面の導体層に形成され、
前記導波管の電界面の幅方向と平行方向の、前記導波管の側の前記誘電体基板の導体層に形成される前記結合窓の幅サイズは、前記基板内導波管の閉塞部側から入出力部側へと向けて、前記導波管の一方の磁界面の位置又は当該位置の近傍から前記導波管の他方の磁界面の位置又は当該位置の近傍までを含む幅サイズから、前記導波管の一方の磁界面の位置のみ、当該位置の近傍のみ又は当該位置及び当該位置の近傍のみを含む幅サイズへと狭くなり、
前記導波管の短絡部の電界面の幅方向と平行方向の、前記導波管の短絡部の側の前記誘電体基板の導体層に形成される前記結合窓の幅サイズは、前記基板内導波管の閉塞部側から入出力部側へと向けて、前記導波管の短絡部の一方の磁界面の位置又は当該位置の近傍から前記導波管の短絡部の他方の磁界面の位置又は当該位置の近傍までを含む幅サイズから、前記導波管の短絡部の他方の磁界面の位置のみ、当該位置の近傍のみ又は当該位置及び当該位置の近傍のみを含む幅サイズへと狭くなることを特徴とする導波管変換器。 - 管軸方向が異なる第1導波管及び第2導波管と、前記第2導波管に関して前記第1導波管の反対側に配置される前記第1導波管の短絡部と、を備え、前記第1導波管と前記第2導波管との間を結合窓を介して変換する導波管変換器であって、
前記第1導波管の電界面は、前記第2導波管の磁界面と垂直であり、
前記第1導波管の磁界面は、前記第2導波管の電界面と平行であり、
前記結合窓は、前記第2導波管の両面の磁界面に形成され、
前記第2導波管かつ前記結合窓近傍の電界方向は、前記第2導波管の閉塞部側から入出力部側へと向けて、前記第1導波管の基本モードの電界方向と平行方向から、前記第2導波管の基本モードの電界方向と平行方向へとねじれ、
前記第1導波管の電界面の幅方向と平行方向の、前記第1導波管の側の前記第2導波管の磁界面に形成される前記結合窓の幅サイズは、前記第2導波管の閉塞部側から入出力部側へと向けて、前記第1導波管の一方の磁界面の位置又は当該位置の近傍から前記第1導波管の他方の磁界面の位置又は当該位置の近傍までを含む幅サイズから、前記第1導波管の一方の磁界面の位置のみ、当該位置の近傍のみ又は当該位置及び当該位置の近傍のみを含む幅サイズへと狭くなり、
前記第1導波管の短絡部の電界面の幅方向と平行方向の、前記第1導波管の短絡部の側の前記第2導波管の磁界面に形成される前記結合窓の幅サイズは、前記第2導波管の閉塞部側から入出力部側へと向けて、前記第1導波管の短絡部の一方の磁界面の位置又は当該位置の近傍から前記第1導波管の短絡部の他方の磁界面の位置又は当該位置の近傍までを含む幅サイズから、前記第1導波管の短絡部の他方の磁界面の位置のみ、当該位置の近傍のみ又は当該位置及び当該位置の近傍のみを含む幅サイズへと狭くなることを特徴とする導波管変換器。 - 管軸方向が異なる第1導波管及び第2導波管と、前記第2導波管に関して前記第1導波管の反対側に配置される前記第1導波管の短絡部と、を備え、前記第1導波管と前記第2導波管との間を結合窓を介して変換する導波管変換器であって、
前記第1導波管の電界面は、前記第2導波管の磁界面と垂直であり、
前記第1導波管の磁界面は、前記第2導波管の電界面と平行であり、
前記結合窓は、前記第2導波管の両面の磁界面に形成され、
前記第1導波管の電界面の幅方向と平行方向の、前記第1導波管の側の前記第2導波管の磁界面に形成される前記結合窓の幅サイズは、前記第2導波管の閉塞部側から入出力部側へと向けて、前記第1導波管の一方の磁界面の位置又は当該位置の近傍から前記第1導波管の他方の磁界面の位置又は当該位置の近傍までを含む幅サイズから、前記第1導波管の一方の磁界面の位置のみ、当該位置の近傍のみ又は当該位置及び当該位置の近傍のみを含む幅サイズへと狭くなり、
前記第1導波管の短絡部の電界面の幅方向と平行方向の、前記第1導波管の短絡部の側の前記第2導波管の磁界面に形成される前記結合窓の幅サイズは、前記第2導波管の閉塞部側から入出力部側へと向けて、前記第1導波管の短絡部の一方の磁界面の位置又は当該位置の近傍から前記第1導波管の短絡部の他方の磁界面の位置又は当該位置の近傍までを含む幅サイズから、前記第1導波管の短絡部の他方の磁界面の位置のみ、当該位置の近傍のみ又は当該位置及び当該位置の近傍のみを含む幅サイズへと狭くなることを特徴とする導波管変換器。
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JP2012199659A (ja) | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | 導波管接続構造、アンテナ装置およびレーダ装置 |
JP2013207391A (ja) | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | 方形導波管の接続構造 |
US20190245257A1 (en) | 2018-02-08 | 2019-08-08 | Delphi Technologies, Llc | Signal handling device including multiple substrate layers |
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2019
- 2019-12-18 JP JP2019227999A patent/JP7402035B2/ja active Active
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