JP7401633B2 - 表示装置及び表示装置の作製方法 - Google Patents
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置
、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方
法、を一例として挙げることができる。
る。またこのような携帯情報端末は、軽量であること、小型であることなどが求められて
いる。
る。ウェアラブル機器の一例としては、腕に装着する腕時計型の機器、頭部に装着する眼
鏡型の機器、首に装着するネックレス型の機器などが挙げられる。例えば腕時計型の機器
は、従来の時計における文字盤に代えて小型のディスプレイを備え、時刻以外の様々な情
報を使用者に提供することができる。またこのようなウェアラブル機器は、医療用途や、
健康状態の自己管理などの用途にも注目され、実用化が進んでいる。
)素子や発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)等の発
光素子を備える発光装置、液晶表示装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパ
ーなどが挙げられる。
。
使用者が表示される情報を読み取りやすい電子機器を提供することを課題の一とする。ま
たは、使用者が情報を読み取るための動作を減らすことを課題の一とする。
ことを課題の一とする。または、消費電力が低減された電子機器を提供することを課題の
一とする。または、滑らかな動画の表示と、目に優しい静止画の表示の両方を行うことの
できる電子機器を提供することを課題の一とする。または、新規な電子機器を提供するこ
とを課題の一とする。
第1のバンド取付け部、及び第2のバンド取付け部を有する。第1の部分は、筐体の正面
に位置する。第2の部分は、画像を表示する機能を有する。第2の部分、第1のバンド取
付け部、及び第2のバンド取付け部は、それぞれ筐体の側面に位置する。第1のバンド取
付け部は、筐体の正面側から見て上側に位置する側面に位置する。第2の部分と、第2の
バンド取付け部は、筐体の正面側から見て下側に位置する側面に位置する。
2の部分、第1のバンド取付け部、及び第2のバンド取付け部を有する。第1の部分は、
筐体の正面に位置する。第2の部分は、画像を表示する機能を有する。第2の部分、第1
のバンド取付け部、及び第2のバンド取付け部は、それぞれ筐体の側面に位置する。第1
のバンド取付け部と第2のバンド取付け部は、筐体の側面を貫通する第1の直線に沿って
、互いに対向する位置に設けられる。第2の部分は、第1の直線と、筐体の側面とが交差
する交点のうち、第2のバンド取付け部側の第1の点と重なる。
直線と交差する第2の直線と、側面との2つの交点のうちの一方である第2の点と重なる
ことが好ましい。このとき、第1の点と、第1の直線と第2の直線の交点と、第2の点と
、が成す角が、45度以上270度以下であることが好ましい。
好ましい。
ネルを有することが好ましい。
する構成としてもよい。このとき、第1の部分及び第2の部分と重なり、一部が湾曲した
表示パネルを有することが好ましい。
ルは、液晶素子、有機EL素子、無機EL素子、LED素子、マイクロカプセル、電気泳
動素子、エレクトロウェッティング素子、エレクトロフルイディック素子、エレクトロク
ロミック素子、MEMS素子から選ばれた一以上を含むことが好ましい。
表示パネルは、第1の基板と、第2の基板と、第1の液晶素子と、第1の発光素子と、第
1の絶縁層と、を有することが好ましい。また、第1の液晶素子は、第2の基板と第1の
絶縁層の間に位置し、第1の発光素子は、第1の基板と第1の絶縁層の間に位置し、第1
の液晶素子は、第2の基板側に光を反射する機能を有し、第1の発光素子は、第2の基板
側に光を発する機能を有することが好ましい。
される情報を読み取りやすい電子機器を提供できる。または、使用者が情報を読み取るた
めの動作を減らすことができる。
る。または、消費電力が低減された電子機器を提供できる。または、滑らかな動画の表示
と、目に優しい静止画の表示の両方を行うことのできる電子機器を提供できる。または、
新規な電子機器を提供できる。
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。
。また当該筐体には、使用者が装着するためのバンド(ベルト、またはストラップ)を取
り付ける部分である、一対のバンド取付け部を有する。本発明の一態様は、ウェアラブル
機器として用いることができる。好適には、使用者の腕に取り付けることができる、腕時
計型の情報端末機器として用いることができる。
示部ともいう)を備える。筐体の正面に表示部を設ける場合には、表示部がタッチパネル
として機能することが好ましい。
いう)を有する。筐体の側面に表示部を設けることで、当該表示部に様々な情報を表示す
ることが可能となり、使用者の利便性を高めることができる。
筐体の側面を入力装置として用いることができる。使用者は筐体の側面に触れることで、
電子機器を操作することができる。
け部は、正面側から見て上側と下側に位置する。より具体的には、筐体の側面を貫通する
直線上に、2つのバンド取付け部が対向するように配置される。上側に位置するバンド取
付け部(第1のバンド取付け部)に取り付けられたバンド(第1のバンド)は、腕に巻い
たときに小指側に位置し、下側に位置するバンド取付け部(第2のバンド取付け部)に取
り付けられたバンド(第2のバンド)は、腕に巻いたときに親指側(使用者から見て手前
側)に位置する。
有することが好ましい。筐体のこの部分は、使用者が意図して見る動作をすることなく、
視界に入りやすい部分である。例えば歩行しているときに腕に目を向けると視界に入る部
分であり、またデスクワークを行っているとき(デスクに腕を乗せている状態)に、視線
を下に向けると視界に入る部分である。このような部分に第2の表示部が位置することで
、使用者は電子機器から情報を得ようとする際に、手首を返して筐体の正面を見る動作を
行うことなく、視界をずらすだけで自然と第2の表示部に表示される情報を得ることがで
きる。
ことが好ましい。また、第2の表示部は、筐体の下側面から、左側面または右側面を介し
て上側面に亘って設けられていてもよい。これにより、第2の表示部の表示面積を大きく
でき、より多くの情報を使用者に提供することができる。
面側からみて、筐体の下側面から左側面に亘って第2の表示部が設けられていることが好
ましい。電子機器を左腕に装着した場合には、筐体の左側面の一部もまた、使用者が意図
して見る動作をすることなく視界に入りやすい部分である。
側面から右側面に亘って第2の表示部が設けられていることが好ましい。
てもよい。これにより、右腕と左腕の両方に装着することを想定したユニバーサルデザイ
ンを実現できる。
は、ボタン、操作スイッチ、竜頭(リューズ)などを設けてもよい。例えば左腕に装着す
ることを想定した場合には筐体の右側面にこれらを設け、右腕に装着することを想定した
場合には、筐体の左側面にこれらを設けることができる。
腕と左腕の両方に装着することを想定したユニバーサルデザインを実現できる。
プセル、電気泳動素子、エレクトロウェッティング素子、エレクトロフルイディック素子
、エレクトロクロミック素子、MEMS素子から選ばれた一以上を含むことが好ましい。
液晶素子としては、透過型液晶素子、反射型液晶素子、半透過型液晶素子などが挙げられ
る。特に、反射型液晶素子は、光源を必要としないため、消費電力を低減できる。また液
晶素子として、ネマチック液晶素子、コレステリック液晶素子、強誘電性液晶素子等のメ
モリ性を有する液晶材料が適用された素子を用いると、静止画を表示したときの書き換え
頻度を低減できるため、消費電力を低減できる。
ことが好ましい。これにより、外光の明るさが明るい際には、反射型の素子によって消費
電力の低い表示を行うことができ、一方外光の明るさが暗い際には、発光素子により鮮や
かな表示を行うことができる。また反射型の素子と発光素子とにより同時に表示を行うこ
とで、消費電力が低減され、且つ鮮やかな表示を行うことができる。
用することが好ましい。
子と、が混在した表示装置を適用することで、外光の明るさによらず、使用者が視認しや
すい電子機器を実現することができる。
された表示装置を適用してもよいし、それぞれ異なる構成を有する表示装置を適用しても
よい。
ぞれに、反射型の素子と、発光素子と、が混在した表示装置を適用することで、低消費電
力で且つ視認性の高い電子機器を実現することができる。
した表示装置を適用して低消費電力化を実現し、第2の表示部には、発光素子を備えた表
示装置を適用して明瞭な表示を行う構成としてもよい。このとき、筐体の側面に位置する
第2の表示部を第1の表示部よりも小さいサブディスプレイとして用いる場合には、表示
面積を小さくできるため、消費電力を抑えることができる。
い。
する。
図1(A)、(B)に、以下で例示する電子機器10の斜視図を示す。図1(A)は、
電子機器10の正面(主面)、右側面、及び底面(下側面)を示し、図1(B)は、電子
機器10の正面、左側面、及び下側面を示している。
付け部31、バンド取付け部32、リューズ25、及びボタン26等を有する。また、図
1(A)、(B)では、電子機器10にバンド41とバンド42が取り付けられている例
を示している。
有する。例えば、表示部21には、時計の文字盤を適用してもよいし、動画や静止画を表
示可能な表示装置を適用してもよい。
よい。これによりデジタル方式の時計として機能させることができる。
置を適用することが好ましい。特に、表示部21に表示装置を適用する場合には、タッチ
パネルとして機能する表示装置を適用することが好ましい。
くとも時針、分針、秒針のいずれか一を有する構成とする。また、時計の方式としては、
クオーツ式であることが好ましいが、機械式であってもよい。クオーツ式を採用すること
で、表示部21と、筐体内の電子部品(例えば表示パネル等)の間でバッテリーを共有で
きる。また機械式を採用することで、時計の動作に電力を必要としないため、バッテリー
の充電残量が不足している場合であっても時計として機能させることができる。なお、時
計の方式として、バッテリーを動力とするクオーツ式と、ゼンマイバネの復元力を動力と
する機械式を兼ね備え、2つの動力を利用可能なハイブリッド方式を用いてもよい。
部22はセグメント方式の表示装置が適用されていてもよいが、アクティブマトリクス方
式またはパッシブマトリクス方式の表示装置を適用することが好ましい。特に、表示部2
2に、タッチパネルとして機能する表示装置を適用することが好ましい。
11の下側の側面(底面)に位置する。バンド取付け部31とバンド取付け部32とは、
表示部21を挟んで対向する位置に設けられている。なお、図1(A)、(B)では、バ
ンド取付け部31とバンド取付け部32とが、筐体11に設けられた凹部として示してい
るが、その形態はこれに限られず、バンド41またはバンド42を固定できる機構を有し
ていればよい。例えば、バンド41及びバンド42と筐体11とを、バネ棒を介して連結
する構成の場合には、バンド取付け部31とバンド取付け部32は少なくとも当該バネ棒
を取り付ける一対の軸受部を有する構成とすることができる。
してもよい。また、バンド41と、バンド42と、筐体11とが一体となり、境界が不明
瞭である構成とすることもできる。その場合には、少なくとも曲げることのできる部分を
バンド41またはバンド42とする。
41が設けられている向きを上側とし、バンド42が設けられている向きを下側とする。
もよい。例えば表示部21に表示装置を適用し、電子機器10が筐体11の傾きなどの姿
勢を検出する機能を有している場合には、筐体11の姿勢に応じて、表示される画像の向
きを変化させてもよい。
者は、例えばリューズ25またはボタン26を押し込む、引っ張る、回す、若しくは上下
または前後方向にスライドさせるなどの操作を行うことができる。電子機器10は、この
ような操作に連動して、電源のオン、オフ動作、アプリケーションの起動や切り替え、ま
たはその他の操作を行うことができる。なお、ここでは筐体11にリューズ25が一つと
ボタン26が二つ設けられた例を示すが、このほかにもスイッチ等を有していてもよい。
に位置し、バンド42は親指側(使用者から見て手前側)に位置する。
)に位置する。これにより、使用者が電子機器10の正面(例えば表示部21)を見るた
めに手首を返すなどの動作を行うことなく、視線を電子機器10に向けるだけで表示部2
2を見ることができる。そのため、極めて利便性の高い電子機器を実現できる。
示部21にアナログ時計の文字盤を適用した場合について示している。
時針51、分針52、秒針53のうち、少なくとも1つを有していればよい。また、イン
デックス54も図2(A)に示した例に限られず、様々な意匠を適用することができる。
また表示部21は、日付表示機能(カレンダー)や、月齢表示機能(ムーンフェイズ)、
パワーリザーブ表示機能などを有していてもよい。
一例を示している。
が表示されている例を示している。通知情報56には、例えば左からメッセージを受信し
た旨を通知する画像、データ通信電波の受信状況を通知する画像、及び電話通信電波の受
信状況を通知する画像が示されている。なお、ここで示す例に限られず、様々な情報を表
示部21に表示することができる。
、電波の受信状況を通知する情報とが表示されている例を示している。なお、ここで示す
例に限られず、様々な情報を表示部22に表示することができる。
は、表示部21及び表示部22にメモリ性を有する表示素子を有する表示装置を適用する
と、消費電力を低減できるため好ましい。
る機能を有する表示素子である。メモリ性を有する表示素子には、電源の供給を止めた状
態で、静止画の表示が保たれる表示素子が含まれる。または、メモリ性を有する表示素子
には、定電圧を供給した状態で、静止画の表示が保たれる表示素子が含まれる。またメモ
リ性を有する表示素子は、リフレッシュ動作をすることなく、静止画の表示が保たれる表
示素子も含まれる。
る期間は、長ければ長いほどよい。例えば1秒以上、好ましくは1分以上、より好ましく
は1時間以上、さらに好ましくは1日以上、1年以下の期間中、保持できることが好まし
い。ここで、表示が保持されている状態としては、例えば輝度のダイナミックレンジに対
して輝度の変化が5%以下、好ましくは3%以下、より好ましくは1%以下である状態な
どとすることができる。なお反射型の表示素子の場合には、上記輝度を反射率に置き換え
ればよい。
素子を用いることができる。このような表示素子としては、代表的には、電子ペーパーが
挙げられる。電子ペーパーの方式としては、例えばマイクロカプセル方式、電気泳動(E
PD:Electrophoretic Display)方式、電子粉流体(登録商標
)方式などの、粒子移動型の素子が挙げられる。また、ネマチック液晶、コレステリック
液晶、強誘電性液晶素子などの双安定性液晶を用いた表示素子を用いることもできる。
ectrowetting)素子、エレクトロフルイディック(EF:Electrof
luidic)素子、エレクトロクロミック(EC:Electrochromic)素
子、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)
素子等を用いることができる。MEMS素子としては、光干渉を利用したMEMS素子や
、シャッター方式を用いたMEMS素子等がある。
子を適用することができる。
ば有機EL(OLED:Organic Light Emitting Diodeと
もいう)素子、LED(Light Emitting Diode)素子、QLED(
Quantum-dot Light Emitting Diode)素子などの自発
光性の発光素子を、表示素子に用いることができる。または、透過型、反射型、または半
透過型の液晶素子を用いてもよい。
る表示パネルを適用することが好ましい。より具体的な例としては、一対の基板の間に、
反射型の液晶素子及びこれを駆動するトランジスタ、ならびに有機EL素子及びこれを駆
動するトランジスタを有する表示パネルを適用することが好ましい。このような表示パネ
ルを用いることにより、外光の明るい時には反射型の液晶素子で表示を行うことで、視認
性に優れ、且つ低い消費電力で駆動することができる。また外光が暗い時には、有機EL
素子で表示を行うことで、鮮やかな表示を行うことができる。さらに、反射型の液晶素子
と有機EL素子の両方で表示を行うことにより、低い消費電力と、表示の鮮明さの両方を
実現した表示を行うことができる。
構成とすることが好ましい。具体的には、表示部21または表示部22の画素を駆動させ
ないように設定可能であることが好ましい。また表示部21や表示部22として透過型の
液晶表示装置のようにバックライトを有する表示装置を用いた場合には、当該バックライ
トを駆動させないようにできる構成とすることが好ましい。表示部21または表示部22
を一時的に非表示(非動作)とすることで、消費電力を極めて小さくすることができる。
例えばメールや電話、ソーシャル・ネットワーキング・サービス(SNS)などの着信の
通知、電子メールやSNSなどの題名、電子メールやSNSなどの送信者名、メッセージ
、日時、時刻、再生中の音声や音楽の情報、音量、温度、電池残量、通信状況、アンテナ
受信の強度、ファイル等のダウンロード状況など、様々な情報を表示することができる。
また、表示部21及び表示部22には、種々のアプリケーションと関連付けられたアイコ
ンや、種々の機能と関連付けられたアイコン、操作ボタン、またはスライダーなどを表示
してもよい。例えば、音声や音楽を再生しているときに、音量を調整する機能や、早送り
、早戻しなどを行う機能と関連付けられたアイコンなどがある。または、電話の着信時に
応答や保留するための機能や、電子機器10の操作が無効にされた状態(ロック状態とも
いう)を解除する機能と関連付けられたアイコンなどを表示してもよい。
物半導体を用い、極めて低いオフ電流が実現されたトランジスタを利用することが好まし
い。シリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を用いたトランジスタは、その
低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子に蓄積した電荷を長期間
に亘って保持することが可能である。例えばこのようなトランジスタを画素に適用するこ
とで、メモリ性を有する表示素子を適用しない場合であっても、表示した画像の階調を維
持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減され
た電子機器を実現できる。
図3(A)、(B)に、以下で例示する電子機器10aの斜視図を示す。図3(A)、
(B)に示す電子機器10aは、表示部22の形状が異なる点で、図1(A)、(B)等
に示す構成と相違している。
筐体11の側面が有する角部に沿って湾曲して設けられている。表示部22は、筐体11
の下側面から、左側面にかけて、途切れることなく画像を表示することができる。
加えて、筐体11の左側面もまた、使用者が意図して見る動作をすることなく視界に入り
やすい部分である。これにより、使用者が電子機器10aの正面(例えば表示部21)を
見るために手首を返すなどの動作を行うことなく、視線を電子機器10aに向けるだけで
表示部22を見ることができる。
多くの情報を使用者に明示することが可能となる。そのためより利便性の高い電子機器を
実現できる。
に示した構成を左右反転した構成とすることができる。すなわち、正面側からみて筐体1
1の下側面から右側面に亘って表示部22が設けられ、筐体11の左側面にリューズ25
及びボタン26等が設けられる構成とすればよい。
図4(A)、(B)に、以下で例示する電子機器10bの斜視図を示す。図4(A)、
(B)に示す電子機器10bは、筐体11の形状が異なる点で、図3(A)、(B)等に
示す構成と相違している。
形の形状を有している。
た形状を有している。表示部22は、筐体11の下側面から左側面にかけて、一様に湾曲
した状態で設けられている。表示部22は、筐体11の下側面から、左側面にかけて、途
切れることなく画像を表示することができる。
ら左側面に亘る領域は、使用者が意図して見る動作をすることなく視界に入りやすい部分
である。これにより、使用者が電子機器10bの正面(例えば表示部21)を見るために
手首を返すなどの動作を行うことなく、視線を電子機器10bに向けるだけで表示部22
を見ることができる。
多くの情報を使用者に明示することが可能となる。そのためより利便性の高い電子機器を
実現できる。
に示した構成を左右反転した構成とすることができる。すなわち、正面側からみて筐体1
1の下側面から右側面に亘って表示部22が設けられ、筐体11の左側面にリューズ25
及びボタン26等が設けられる構成とすればよい。
図5(A)に、以下で例示する電子機器10cの斜視図を示す。図5(A)に示す電子
機器10cは、表示部21と表示部22とが継ぎ目なく繋がっている点で、図1(A)、
(B)等に示す構成と相違している。
示部21と表示部22は、筐体11の正面から下側面にかけて、途切れることなく連続し
た画像を表示することができる。
例えば、一部または全部が可撓性を有する表示装置を適用することができる。
、筐体の正面側が平坦な場合には、電子機器10cが有する表示部のうち、正面側に位置
し、平坦な部分を表示部21、湾曲した部分を含むそれ以外の部分を表示部22と定める
ことができる。または、正面側から見える部分を表示部21、正面側からは見えない部分
を表示部22と定めることもできる。
図5(B)には、筐体11の下側面に位置する表示部22aと、筐体11の左側面に位
置する表示部22bと、を有する例を示している。また表示部21と、表示部22aと、
表示部22bとは、継ぎ目なく繋がっている。表示部21と表示部22a、及び表示部2
1と表示部22bとの間で、途切れることなく連続した画像を表示することができる。
続いて、表示部22の配置方法について説明する。
を示している。また図6(A2)には、左側面側及び下側面側から見た電子機器10の斜
視図を示す。
部22は筐体の側面の一部であるが、ここでは明瞭化のため表示部22に厚みを明示して
いる。
る。また、直線15は、表示部21の表面に平行な直線とする。なお、表示部21の表面
が曲面である場合には、直線15は、表示部21の重心を通る垂線と直交する直線とする
。
取付け部32の対称線または対称面に直交する直線である。すなわち、バンド取付け部3
1及びバンド取付け部32とは、直線15に沿ってそれぞれ設けられる。
部31、バンド取付け部32が存在しない場合には、上記バンド取付け部31、バンド取
付け部32を、バンド41またはバンド42に置き換えて考えることができる。すなわち
、直線15は、線対称または面対称の位置に設けられるバンド41とバンド42の対称線
または対称面に直交する直線であり、バンド41及びバンド42とは、直線15に沿って
それぞれ設けられる。
つの交点が存在する。2つの交点のうち、上側(バンド取付け部31側)の交点を交点1
5a、下側(バンド取付け部32側)の交点を交点15bとする。
bは、使用者が意図して見る動作をすることなく視界に入りやすい点であるため、ここに
表示部22を設けることで、使用者が電子機器10の正面(例えば表示部21)を見るた
めに手首を返すなどの動作を行うことなく、視線を電子機器10に向けるだけで表示部2
2を見ることができる。
同様に、筐体11の側面を貫通する直線であり、直線16と筐体11の2つの交点を交点
16a、交点16bとする。ここで、直線16は、交点15aと交点15bの中点で、直
線15と交差する直線である。
の両方が表示部22と重なる場合には、交点15bよりも遠いほうの交点を交点16aと
し、近いほうの交点を交点16bとする。
部22の端部に位置する場合を示している。
線16の交点、及び交点16aとが成す角の角度である。
上270度以下、より好ましくは90度以上270度以下とする。角度θが大きいほど、
表示部22の表示領域の面積を大きくできる。
部22は、筐体11の下側面から左側面を介して上側面の一部に亘って配置される。
いる。図6(D)はθが180度未満である場合の例を示している。このとき、表示部2
2は、筐体11の下側面から左側面の一部に亘って配置される。
表示部22は、筐体11の下側面から左側面を介して上側面の一部に亘って配置される。
以下では、本発明の一態様の電子機器の内部構成の一例について説明する。
おける切断線A1-A2で切断した時の断面に相当する。
ント基板72、振動モジュール74、及びアンテナ75等を有する。
板72とは、FPC63aによって電気的に接続されている。表示装置62とプリント基
板72とは、FPC63bによって電気的に接続されている。
4aを有する。使用者は表示装置61の表示領域に表示された画像を、透光性の部材64
aを介して見ることができる。筐体11の、透光性の部材64aが設けられる領域が表示
部21に相当する。
64bを有する。使用者は表示装置62に表示された画像を、透光性の部材64bを介し
て見ることができる。筐体11の、透光性の部材64bが設けられる領域が表示部22に
相当する。
プラスチック等を用いることができる。
に亘って一部が湾曲して設けられている。表示装置61とプリント基板72とは、FPC
63を介して電気的に接続されている。
ら側面にかけて設けられ、一部が湾曲している。
み合わせて実施することができる。
[電子機器のハードウェア構成例]
以下では、電子機器10のハードウェアの構成例について説明する。
ロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分ける
ことが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることや、一つの機能が複数の構成要
素に係わることもありうる。
ない。電子機器10は、図8に示す構成要素のうち必要な構成要素を有していればよい。
また、図8に示す構成要素以外の構成要素を有していてもよい。
憶装置664、ディスプレイコントローラ671、タッチセンサコントローラ672、バ
ッテリーコントローラ673、受電部674、バッテリーモジュール675、サウンドコ
ントローラ676、音声入力部677、音声出力部678、通信モジュール681、アン
テナ682、姿勢検出部683、外部インターフェース685、カメラモジュール686
、振動モジュール687、センサモジュール688、等を有する。
、バッテリーコントローラ673、サウンドコントローラ676、通信モジュール681
、姿勢検出部683、外部インターフェース685、カメラモジュール686、振動モジ
ュール687、センサモジュール688等は、それぞれバスライン662を介して演算部
661と接続されている。
652は、上記表示部22を構成する表示装置に相当する。
g Unit)として機能することができる。演算部661は、例えば、記憶装置664
、ディスプレイコントローラ671、タッチセンサコントローラ672、バッテリーコン
トローラ673、サウンドコントローラ676、通信モジュール681、姿勢検出部68
3、外部インターフェース685、カメラモジュール686、振動モジュール687、セ
ンサモジュール688等の各コンポーネントを制御する機能を有する。
る。演算部661は、バスライン662を介して接続された各コンポーネントから入力さ
れる信号を処理する機能、及び各コンポーネントへ出力する信号を生成する機能等を有し
、バスライン662に接続された各コンポーネントを統括的に制御することができる。
化物半導体を用い、極めて低いオフ電流が実現されたトランジスタを利用することもでき
る。当該トランジスタは、オフ電流が極めて低いため、当該トランジスタを記憶素子とし
て機能する容量素子に流入した電荷(データ)を保持するためのスイッチとして用いるこ
とで、データの保持期間を長期にわたり確保することができる。この特性を演算部661
のレジスタやキャッシュメモリに用いることで、必要なときだけ演算部661を動作させ
、他の場合には直前の処理の情報を当該記憶素子に待避させることにより、ノーマリーオ
フコンピューティングが可能となり、電子機器10の低消費電力化を図ることができる。
で、各種のデータ処理やプログラム制御を行う。プロセッサにより実行しうるプログラム
は、プロセッサが有するメモリ領域に格納されていてもよいし、記憶装置664に格納さ
れていてもよい。
ocessor)、GPU(Graphics Processing Unit)等の
他のマイクロプロセッサを単独で、または組み合わせて用いることができる。またこれら
マイクロプロセッサをFPGA(Field Programmable Gate A
rray)やFPAA(Field Programmable Analog Arr
ay)といったPLD(Programmable Logic Device)によっ
て実現した構成としてもよい。
om Access Memory)、などの揮発性メモリや、ROM(Read On
ly Memory)などの不揮発性メモリを備える構成とすることができる。
dom Access Memory)が用いられ、演算部661の作業空間として仮想
的にメモリ空間が割り当てられ利用される。記憶装置664に格納されたオペレーティン
グシステム、アプリケーションプログラム、プログラムモジュール、プログラムデータ等
は、実行のためにRAMにロードされる。RAMにロードされたこれらのデータやプログ
ラム、プログラムモジュールは、演算部661に直接アクセスされ、操作される。
put System)やファームウェア等を格納することができる。ROMとしては、
マスクROMや、OTPROM(One Time Programmable Rea
d Only Memory)、EPROM(Erasable Programmab
le Read Only Memory)等を用いることができる。EPROMとして
は、紫外線照射により記憶データの消去を可能とするUV-EPROM(Ultra-V
iolet Erasable Programmable Read Only Me
mory)、EEPROM(Electrically Erasable Progr
ammable Read Only Memory)、フラッシュメモリなどが挙げら
れる。
sistive Random Access Memory)、PRAM(Phase
change RAM)、ReRAM(Resistive RAM)、FeRAM(
Ferroelectric RAM)などの不揮発性の記憶素子が適用された記憶装置
、またはDRAM(Dynamic RAM)やSRAM(Static RAM)など
の揮発性の記憶素子が適用された記憶装置等を用いてもよい。また例えばハードディスク
ドライブ(Hard Disk Drive:HDD)やソリッドステートドライブ(S
olid State Drive:SSD)などの記録メディアドライブを用いてもよ
い。
SDなどの記憶装置や、フラッシュメモリ、ブルーレイディスク、DVDなどの記録媒体
のメディアドライブを記憶装置664として用いることもできる。なお、記憶装置664
を電子機器10に内蔵せず、電子機器10の外部に置かれる記憶装置を記憶装置664と
して用いてもよい。その場合、外部インターフェース685を介して接続される、または
通信モジュール681によって無線通信でデータのやりとりをする構成であってもよい。
671及びタッチセンサコントローラ672と接続されている。ディスプレイコントロー
ラ671及びタッチセンサコントローラ672は、それぞれバスライン662を介して演
算部661と接続される。
される描画指示に応じ、タッチパネル651、及びタッチパネル652を制御してこれら
の表示面に所定の画像を表示させる。
求に応じてタッチパネル651、及びタッチパネル652のタッチセンサを制御する。ま
た、タッチセンサで受信した信号を、バスライン662を介して演算部661に出力する
。なお、タッチセンサで受信した信号からタッチ位置の情報を算出する機能を、タッチセ
ンサコントローラ672が有していてもよいし、演算部661により算出してもよい。
ら供給される信号に基づいて、画像を表示することができる。またタッチパネル651、
及びタッチパネル652はタッチセンサコントローラ672から供給される信号に基づい
て、指やスタイラスなどの被検知体が近づくこと、または接触することを検出し、その位
置情報をタッチセンサコントローラ672に出力することができる。
672は、その検出面から被検知体までの高さ方向の距離を取得する機能を有しているこ
とが好ましい。また被検知体が検出面に与える圧力の大きさを取得する機能を有している
ことが好ましい。また被検知体が検出面に接触している面の大きさを取得する機能を有し
ていることが好ましい。
表示パネルの表示面側に重ねて設けられている構成とすることができる。このとき、タッ
チセンサを備えるモジュールは、少なくともその一部が可撓性を有し、表示パネルに沿っ
て湾曲可能であることが好ましい。タッチセンサを備えるモジュールと表示パネルとは接
着剤等で接着することができる。またこれらの間に偏光板や緩衝材(セパレータ)を設け
てもよい。タッチセンサを備えるモジュールの厚さは、表示パネルの厚さ以下とすること
が好ましい。
ったタッチパネルであってもよい。例えば、オンセル型のタッチパネル、またはインセル
型のタッチパネルとすることが好ましい。オンセル型またはインセル型のタッチパネルは
、厚さが薄く軽量にすることができる。さらにオンセル型またはインセル型のタッチパネ
ルは、部品点数を削減できるため、コストを削減することができる。
知体が近づくこと、または接触することを検知する様々なセンサを適用できる。例えば、
静電容量方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、電磁誘導方式、光学方式など
の方式が適用されたセンサを用いることができる。そのほか、光電変換素子を用いた光学
式センサ、感圧素子を用いた感圧センサなどを用いてもよい。また異なる方式のセンサを
2種類以上有していてもよいし、同じ方式のセンサを2つ以上有していてもよい。
結合されている。一対の導電層に被検知体が触れる、押圧する、または近づくことなどに
より一対の導電層間の容量の大きさが変化することを利用して、検出を行うことができる
。
電容量方式としては、主に駆動方式の違いから、自己容量方式、相互容量方式などがある
。相互容量方式を用いると、同時多点検出が容易であるため好ましい。
機能を有さない表示パネルを適用してもよい。
ンサ等としては、例えば表示素子やこれを駆動する回路、またはタッチセンサを構成する
回路等を支持する基板に、可撓性を有する基板を用いることで実現できる。タッチパネル
651、及びタッチパネル652に可撓性を有する基板を適用することで、電子機器10
を軽くすることができるため、好ましい。
ほか、可撓性を有する程度に薄いガラス、金属、合金、半導体等を用いることができる。
または、有機樹脂、ガラス、金属、合金、半導体などのうち2以上を含む複合材料または
積層材料を用いることができる。
ことができる。またバッテリーコントローラ673は、バッテリーモジュール675から
の電力を各コンポーネントに供給する。受電部674は、外部から供給された電力を受電
し、バッテリーモジュール675を充電する機能を有する。バッテリーコントローラ67
3は、バッテリーモジュール675の充電状態に応じて、受電部674の動作を制御する
ことができる。
テリーモジュール675に用いることのできる二次電池として、例えばリチウムイオン二
次電池や、リチウムイオンポリマー二次電池などが挙げられる。また、バッテリーモジュ
ール675はこのような電池に加えて、バッテリーの過充電及び過放電等を防ぐ保護回路
が設けられていてもよい。
に電子機器10を外部電源と切り離して使用する場合には、充放電容量が大きく長時間に
わたって電子機器10の使用を可能とするバッテリーモジュール675が望ましい。バッ
テリーモジュール675の充電を行う場合には、電子機器10に電力を供給可能な充電器
を用いてもよい。この際、USB(Universal Serial Bus)コネク
タやACアダプタ等を用いた有線方式で充電を行ってもよいし、電界結合方式、電磁誘導
方式、電磁共鳴(電磁共振結合)方式などの無線給電方式により充電を行う構成としても
よい。
有していてもよい。BMUは電池のセル電圧やセル温度データの収集、過充電及び過放電
の監視、セルバランサの制御、電池劣化状態の管理、電池残量(State Of Ch
arge:SOC)の算出、故障検出の制御などを行う。
図示しない)を介して各コンポーネントに電力を送電するための制御を行う。バッテリー
コントローラ673は、例えば複数チャネルの電力コンバータやインバータ、保護回路等
を有する構成とすることができる。
て配置する構成とすることが好ましい。このとき、バッテリーモジュール675が組み込
まれる筐体11が可撓性を有し、これを曲げて使用することのできる構成の場合には、バ
ッテリーモジュール675の少なくとも一部もまた、可撓性を有することが好ましい。バ
ッテリーモジュール675に適用できる二次電池として、例えばリチウムイオン二次電池
や、リチウムイオンポリマー二次電池などが挙げられる。また、これら電池に可撓性を持
たせるため、電池の外装容器にラミネート袋を用いるとよい。
鋼など)、有機材料からなるプラスチックフィルム、有機材料(有機樹脂や繊維など)と
無機材料(セラミックなど)とを含むハイブリッド材料フィルム、炭素含有無機フィルム
(カーボンフィルム、グラファイトフィルムなど)から選ばれる単層フィルムまたはこれ
ら複数からなる積層フィルムを用いる。金属フィルムは、エンボス加工を行いやすく、エ
ンボス加工を行って凹部または凸部を形成すると外気に触れるフィルムの表面積が増大す
るため、放熱効果に優れている。
を有するラミネート袋を用いると、当該ラミネート袋に加えられた応力によって生じるひ
ずみを緩和することができる。その結果、二次電池を曲げたときにラミネート袋が破れて
しまうなどの不具合を効果的に低減できるため好ましい。
い。例えば低消費電力化機能として、電子機器10に一定時間入力がないことを検出し、
演算部661のクロック周波数を低下またはクロックの入力を停止させること、演算部6
61自体の動作を停止させること、補助メモリの動作を停止させること、各コンポーネン
トへ供給する電力を減らして電力の消費を削減すること、などが挙げられる。このような
機能は、バッテリーコントローラ673のみにより、あるいは演算部661と連動して実
行することができる。
力部678は例えばスピーカや音声出力コネクタ等を有する。音声入力部677及び音声
出力部678はそれぞれサウンドコントローラ676に接続され、バスライン662を介
して演算部661と接続する。音声入力部677に入力された音声データは、サウンドコ
ントローラ676においてデジタル信号に変換され、サウンドコントローラ676や演算
部661において処理される。一方、サウンドコントローラ676は、演算部661から
の命令に応じて、ユーザが可聴なアナログ音声信号を生成し、音声出力部678に出力す
る。音声出力部678が有する音声出力コネクタには、イヤフォン、ヘッドフォン、ヘッ
ドセット等の音声出力装置を接続可能で、当該装置にサウンドコントローラ676で生成
した音声が出力される。
算部661からの命令に応じて電子機器10をコンピュータネットワークに接続するため
の制御信号を制御し、当該信号をコンピュータネットワークに発信する。これによって、
World Wide Web(WWW)の基盤であるインターネット、イントラネット
、エクストラネット、PAN(Personal Area Network)、LAN
(Local Area Network)、CAN(Campus Area Net
work)、MAN(Metropolitan Area Network)、WAN
(Wide Area Network)、GAN(Global Area Netw
ork)等のコンピュータネットワークに電子機器10を接続させ、通信を行うことがで
きる。またその通信方法として複数の方法を用いる場合には、アンテナ682は当該通信
方法に応じて複数有していてもよい。
を行えばよい。高周波回路は、各国法制により定められた周波数帯域の電磁信号と電気信
号とを相互に変換し、当該電磁信号を用いて無線で他の通信機器との間で通信を行うため
の回路である。実用的な周波数帯域として数10kHz~数10GHzが一般に用いられ
ている。アンテナ682と接続される高周波回路には、複数の周波数帯域に対応した高周
波回路部を有し、高周波回路部は、増幅器(アンプ)、ミキサ、フィルタ、DSP、RF
トランシーバ等を有する構成とすることができる。無線通信を行う場合、通信プロトコル
又は通信技術として、LTE(Long Term Evolution)、GSM(G
lobal System for Mobile Communication:登録
商標)、EDGE(Enhanced Data Rates for GSM Evo
lution)、CDMA2000(Code Division Multiple
Access 2000)、W-CDMA(Wideband Code Divisi
on Multiple Access:登録商標)などの通信規格、またはWi-Fi
(登録商標)、Bluetooth(登録商標)、ZigBee(登録商標)等のIEE
Eにより通信規格化された仕様を用いることができる。
もよい。電話回線を通じた通話を行う場合には、通信モジュール681は、演算部661
からの命令に応じて、電子機器10を電話回線に接続するための接続信号を制御し、当該
信号を電話回線に発信する。
651、及びタッチパネル652に出力する映像信号を生成するチューナーを有していて
もよい。例えばチューナーは、復調回路と、A-D変換回路(アナログ-デジタル変換回
路)と、デコーダ回路等を有する構成とすることができる。復調回路はアンテナ682か
ら入力した信号を復調する機能を有する。またA-D変換回路は、復調されたアナログ信
号をデジタル信号に変換する機能を有する。またデコーダ回路は、デジタル信号に含まれ
る映像データをデコードし、ディスプレイコントローラ671に送信する信号を生成する
機能を有する。
、入力された映像のデータを空間的、時間的に分割し、各プロセッサに出力する機能を有
する。複数のプロセッサは、入力された映像データをデコードし、ディスプレイコントロ
ーラ671に送信する信号を生成する。このように、デコーダとして、複数のプロセッサ
によりデータを並列処理する構成を適用することで、極めて情報量の多い映像データをデ
コードすることができる。特にフルハイビジョンを超える解像度を有する映像を表示する
場合には、圧縮されたデータをデコードするデコーダ回路が極めて高速な処理能力を有す
るプロセッサを有していることが好ましい。また、例えばデコーダ回路は、4以上、好ま
しくは8以上、より好ましくは16以上の並列処理が可能な複数のプロセッサを含む構成
とすることが好ましい。またデコーダは、入力された信号に含まれる映像用の信号と、そ
れ以外の信号(文字情報、番組情報、認証情報等)を分離する回路を有していてもよい。
る電波などが挙げられる。またアンテナ682により受信できる放送電波として、アナロ
グ放送、デジタル放送などがあり、また映像及び音声、または音声のみの放送などがある
。例えばUHF帯(約300MHz~3GHz)またはVHF帯(30MHz~300M
Hz)のうちの特定の周波数帯域で送信される放送電波を受信することができる。また例
えば、複数の周波数帯域で受信した複数のデータを用いることで、転送レートを高くする
ことができ、より多くの情報を得ることができる。これによりフルハイビジョンを超える
解像度を有する映像を、タッチパネル651及びタッチパネル652に表示させることが
できる。例えば、4K2K、8K4K、16K8K、またはそれ以上の解像度を有する映
像を表示させることができる。
た放送のデータを用いて、ディスプレイコントローラ671に送信する信号を生成する構
成としてもよい。このとき、受信する信号がデジタル信号の場合には、チューナーは復調
回路及びA-D変換回路を有していなくてもよい。
勢検出部683としては、加速度センサ、角速度センサ、振動センサ、圧力センサ、ジャ
イロセンサ等を用いることができる。また、これらのセンサを複数組み合わせて用いても
よい。
やスイッチ(筐体スイッチともいう)、その他の入力コンポーネントが接続可能な外部ポ
ートなどが挙げられる。外部インターフェース685は、バスライン662を介して演算
部661と接続される。筐体スイッチとしては、電源のオン/オフと関連付けられたスイ
ッチ、音量調節のためのボタン、カメラ撮影用ボタンなどがある。
プリンタなどの外部装置にケーブルを介して接続できる構成とすることができる。代表的
には、USB端子などがある。また、外部ポートとして、LAN(Local Area
Network)接続用端子、デジタル放送の受信用端子、ACアダプタを接続する端
子等を有していてもよい。また、有線だけでなく、赤外線、可視光、紫外線などを用いた
光通信用の送受信機を設ける構成としてもよい。
えば筐体に設けられたスイッチが押されることや、タッチパネル651及びタッチパネル
652へのタッチ操作と連動して、静止画または動画を撮影することができる。またカメ
ラモジュール686は、撮影用の光源を有していてもよい。例えばキセノンランプなどの
ランプ、LEDや有機ELなどの発光素子等を用いることができる。または、撮影用の光
源として、タッチパネル651及びタッチパネル652を利用してもよく、その場合には
、白色だけでなく様々な色の光を撮影用に用いてもよい。
振動コントローラと、を有する。振動素子としては、振動モータ(偏心モータ)、共振ア
クチュエータ、磁歪素子、圧電素子など、電気信号や磁気信号を振動に変換することので
きる素子を用いることができる。
、振幅、振動させる期間等を制御することで、様々な振動パターンで電子機器10を振動
させることができる。例えば、筐体スイッチ等が操作されることに連動した振動、電子機
器10の起動に連動した振動、動画再生用アプリケーションで再生される動画や音声と連
動した振動、電子メールの着信に連動した振動、タッチパネル651及びタッチパネル6
52への入力動作に連動した振動など、各種アプリケーションにおいて実行される動作に
基づく様々な振動パターンの振動を、振動モジュール687により発することができる。
サコントローラは、センサユニットにバッテリーモジュール675等からの電力を供給す
る。またセンサコントローラはセンサユニットからの入力を受け、制御信号に変換してバ
スライン662を介して演算部661に出力する。センサコントローラにおいて、センサ
ユニットのエラー管理を行ってもよいし、センサユニットの校正処理を行ってもよい。な
お、センサコントローラは、センサユニットを制御するコントローラを複数備える構成と
してもよい。
距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放
射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を有する各種センサ
を備える構成としてもよい。
み合わせて実施することができる。
以下では、本発明の一態様の電子機器の表示部等に用いることのできる表示パネルの例
について説明する。以下で例示する表示パネルは、反射型の液晶素子と、発光素子の両方
を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示パネルである。
る。
ユニット530は、第1の画素531pと、第2の画素532pを有する。
(G)、青色(B)の3色に対応する表示素子を有する場合の例を示している。
ある。第1の画素531pは、赤色(R)に対応する第1の表示素子531R、緑色(G
)に対応する第1の表示素子531G、青色(B)に対応する第1の表示素子531Bを
有する。
2pは、赤色(R)に対応する第2の表示素子532R、緑色(G)に対応する第2の表
示素子532G、青色(B)に対応する第2の表示素子532Bを有する。
示素子531Bを有する。第1の表示素子531Rは、外光を反射し、赤色の光Rrを表
示面側に射出する。第1の表示素子531G、第1の表示素子531Bも同様に、それぞ
れ緑色の光Grまたは青色の光Brを、表示面側に射出する。
示素子532Bを有する。第2の表示素子532Rは赤色の光Rtを、表示面側に射出す
る。第2の表示素子532G、第2の表示素子532Bも同様に、それぞれ緑色の光Gt
または青色の光Btを、表示面側に射出する。
表示を行うモード(第3のモード)に対応する。画素ユニット530は、反射光(光Rr
、光Gr、光Br)と透過光(光Rt、光Gt、光Bt)とを用いて、所定の色の光53
5trを表示面側に射出することができる。
示を行うモード(第1のモード)に対応する。画素ユニット530は、例えば外光が十分
に強い場合などでは、第2の画素532pを駆動させずに、第1の画素531pからの光
(光Rr、光Gr、及び光Br)のみを用いて、光535rを表示面側に射出することが
できる。これにより、極めて低消費電力な駆動を行うことができる。
用いて表示を行うモード(第2のモード)に対応する。画素ユニット530は、例えば外
光が極めて弱い場合などでは、第1の画素531pを駆動させずに、第2の画素532p
からの光(光Rt、光Gt、及び光Bt)のみを用いて、光535tを表示面側に射出す
ることができる。これにより鮮やかな表示を行うことができる。また周囲が暗い場合に輝
度を低くすることで、使用者が感じる眩しさを抑えると共に消費電力を低減できる。
定されない。
例を示す。なおここでは、第1の画素531pと第2の画素532pの両方を駆動させる
ことで表示を行うモード(第3のモード)に対応した模式図を示しているが、上記と同様
に、第1の画素531pまたは第2の画素532pのみを駆動させるモード(第1のモー
ド及び第2のモード)でも表示を行うことができる。
32R、第2の表示素子532G、第2の表示素子532Bに加えて、白色(W)を呈す
る第2の表示素子532Wを有する。
第2の表示素子532G、第2の表示素子532Bに加えて、黄色(Y)を呈する第2の
表示素子532Yを有する。
及び第2の表示素子532Yを有さない構成に比べて、第2の画素532pを用いた表示
モード(第2のモード及び第3のモード)における消費電力を低減することができる。
531G、第1の表示素子531Bに加えて、白色(W)を呈する第1の表示素子531
Wを有する。
用いた表示モード(第1のモード及び第3のモード)における消費電力を低減することが
できる。
1Wのみを有する。このとき、第1の画素531pのみを用いた表示モード(第1のモー
ド)では、白黒表示またはグレースケールでの表示を行うことができ、第2の画素532
pを用いた表示モード(第2のモード及び第3のモード)では、カラー表示を行うことが
できる。
、第1の画素531pの反射率を向上させ、より明るい表示を行うことができる。
とに適している。
み合わせて実施することができる。
本実施の形態では、実施の形態2で例示した表示装置のより具体的な例について、図面
を参照して説明する。
2、回路GD、及び回路SDを有する。表示部362は、マトリクス状に配列した複数の
画素410を有する。
CSCOM、複数の配線S1、及び複数の配線S2を有する。複数の配線G1、複数の配
線G2、複数の配線ANO、及び複数の配線CSCOMは、それぞれ、矢印Rで示す方向
に配列した複数の画素410及び回路GDと電気的に接続する。複数の配線S1及び複数
の配線S2は、それぞれ、矢印Cで示す方向に配列した複数の画素410及び回路SDと
電気的に接続する。
晶素子を駆動する回路GD及び回路SDと、発光素子を駆動する回路GD及び回路SDと
を、別々に設けてもよい。
11は、液晶素子の反射電極として機能する。図13(B1)、(B2)の電極311に
は、開口451が設けられている。
破線で示している。発光素子360は、電極311が有する開口451と重ねて配置され
ている。これにより、発光素子360が発する光は、開口451を介して表示面側に射出
される。
素である。このとき、図13(B1)に示すように、矢印Rで示す方向に隣接する2つの
画素において、開口451が一列に配列されないように、電極311の異なる位置に設け
られていることが好ましい。これにより、2つの発光素子360を離すことが可能で、発
光素子360が発する光が隣接する画素410が有する着色層に入射してしまう現象(ク
ロストークともいう)を抑制することができる。また、隣接する2つの発光素子360を
離して配置することができるため、発光素子360のEL層をシャドウマスク等により作
り分ける場合であっても、高い精細度の表示装置を実現できる。
素である。図13(B2)においても同様に、矢印Cで示す方向に隣接する2つの画素に
おいて、開口451が一列に配列されないように、電極311の異なる位置に設けられて
いることが好ましい。
た表示を明るくすることができる。また、非開口部の総面積に対する開口451の総面積
の比の値が大きいほど、発光素子360を用いた表示を明るくすることができる。
ことができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また、
開口451を隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口451を同じ色を
表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる。
、発光素子360の発光領域が位置していてもよい。これにより、発光素子360が発す
る光は、表示面側に射出される。
子360が一列に配列されていない。図13(B4)では、矢印Rで示す方向に隣接する
2つの画素410において、発光素子360が一列に配列されている。
離すことができるため、上述の通り、クロストークの抑制、及び、高精細化が可能となる
。また、図13(B4)の構成では、発光素子360の矢印Cに平行な辺側に、電極31
1が位置しないため、発光素子360の光が電極311に遮られることを抑制でき、高い
視野角特性を実現できる。
には、トランジスタ及び容量素子等を用いることができる。回路GDが有するトランジス
タは、画素410に含まれるトランジスタと同じ工程で形成することができる。
ることができる。具体的には、回路SDには、シリコン基板上に形成された集積回路を用
いることができる。
素410と電気的に接続されるパッドに回路SDを実装することができる。具体的には、
異方性導電膜を用いて、パッドに集積回路を実装できる。
を示している。
ランジスタM、容量素子C2、及び発光素子360等を有する。また、画素410には、
配線G1、配線G2、配線ANO、配線CSCOM、配線S1、及び配線S2が電気的に
接続されている。また、図14では、液晶素子340と電気的に接続する配線VCOM1
、及び発光素子360と電気的に接続する配線VCOM2を示している。
している。
ドレインのうち一方は、配線S1と接続され、他方は、容量素子C1の一方の電極、及び
液晶素子340の一方の電極と接続されている。容量素子C1の他方の電極は、配線CS
COMと接続されている。液晶素子340の他方の電極が配線VCOM1と接続されてい
る。
ドレインのうち一方は、配線S2と接続され、他方は、容量素子C2の一方の電極、及び
トランジスタMのゲートと接続されている。容量素子C2の他方の電極は、トランジスタ
Mのソースまたはドレインの一方、及び配線ANOと接続されている。トランジスタMの
ソースまたはドレインの他方は、発光素子360の一方の電極と接続されている。発光素
子360の他方の電極は、配線VCOM2と接続されている。
いる例を示している。これにより、トランジスタMが流すことのできる電流を増大させる
ことができる。
とができる。配線VCOM1には、所定の電位を与えることができる。配線S1には、液
晶素子340が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線CSC
OMには、所定の電位を与えることができる。
とができる。配線VCOM2及び配線ANOには、発光素子360が発光する電位差が生
じる電位をそれぞれ与えることができる。配線S2には、トランジスタMの導通状態を制
御する信号を与えることができる。
線S1に与える信号により駆動し、液晶素子340による光学変調を利用して表示するこ
とができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線G2及び配線S2に与える信
号により駆動し、発光素子360を発光させて表示することができる。また両方のモード
で駆動する場合には、配線G1、配線G2、配線S1及び配線S2のそれぞれに与える信
号により駆動することができる。
とを有する例を示したが、これに限られない。図15(A)は、一つの画素410に一つ
の液晶素子340と4つの発光素子360(発光素子360r、360g、360b、3
60w)を有する例を示している。図15(A)に示す画素410は、図14とは異なり
、1つの画素で発光素子を用いたフルカラーの表示が可能である。
ている。
色(G)、青色(B)、及び白色(W)を呈する発光素子を用いることができる。また液
晶素子340として、白色を呈する反射型の液晶素子を用いることができる。これにより
、反射モードの表示を行う場合には、反射率の高い白色の表示を行うことができる。また
透過モードで表示を行う場合には、演色性の高い表示を低い電力で行うことができる。
電極311が有する開口部と重なる発光素子360wと、電極311の周囲に配置された
発光素子360r、発光素子360g、及び発光素子360bとを有する。発光素子36
0r、発光素子360g、及び発光素子360bは、発光面積がほぼ同等であることが好
ましい。
み合わせて実施することができる。
本実施の形態では、実施の形態2及び実施の形態3で例示した表示装置の、より具体的
な構成例について、図面を参照して説明する。
図16は、表示装置300の斜視概略図である。表示装置300は、基板351と基板
361とが貼り合わされた構成を有する。図16では、基板361を破線で明示している
。
示装置300にIC(集積回路)373及びFPC372が実装されている例を示してい
る。そのため、図16に示す構成は、表示装置300、IC、及びFPCを有する表示モ
ジュールということもできる。
当該信号及び電力は、FPC372を介して外部から、またはIC373から配線365
に入力される。
n Film)方式等により、基板351にIC373が設けられている例を示す。IC
373は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するICを適用できる。
なお、表示装置300及び表示モジュールは、ICを設けない構成としてもよい。また、
ICを、COF方式等により、FPCに実装してもよい。
示素子が有する電極311bがマトリクス状に配置されている。電極311bは、可視光
を反射する機能を有し、液晶素子180の反射電極として機能する。
は、電極311bよりも基板351側に、発光素子170を有する。発光素子170から
の光は、電極311bの開口451を介して基板361側に射出される。発光素子170
の発光領域の面積と開口451の面積とは等しくてもよい。発光素子170の発光領域の
面積と開口451の面積のうち一方が他方よりも大きいと、位置ずれに対するマージンが
大きくなるため好ましい。特に、開口451の面積は、発光素子170の発光領域の面積
に比べて大きいことが好ましい。開口451が小さいと、発光素子170からの光の一部
が電極311bによって遮られ、外部に取り出せないことがある。開口451を十分に大
きくすることで、発光素子170の発光が無駄になることを抑制できる。
64を含む領域の一部、及び表示部362を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断
面の一例を示す。
、トランジスタ203、トランジスタ205、トランジスタ206、液晶素子180、発
光素子170、絶縁層220、着色層131、着色層134等を有する。基板361と絶
縁層220は接着層141を介して接着されている。基板351と絶縁層220は接着層
142を介して接着されている。
共通電極として機能する電極113、配向膜133b、絶縁層117等が設けられている
。基板361の外側の面には、偏光板135を有する。絶縁層121は、平坦化層として
の機能を有していてもよい。絶縁層121により、電極113の表面を概略平坦にできる
ため、液晶層112の配向状態を均一にできる。絶縁層117は、液晶素子180のセル
ギャップを保持するためのスペーサとして機能する。絶縁層117が可視光を透過する場
合は、絶縁層117を液晶素子180の表示領域と重ねて配置してもよい。
112、電極113が積層された積層構造を有する。電極311aの基板351側に接し
て、可視光を反射する電極311bが設けられている。電極311bは開口451を有す
る。電極311a及び電極113は可視光を透過する。液晶層112と電極311aの間
に配向膜133aが設けられている。液晶層112と電極113の間に配向膜133bが
設けられている。
可視光を透過する機能を有する。基板361側から入射した光は、偏光板135により偏
光され、電極113、液晶層112を透過し、電極311bで反射する。そして液晶層1
12及び電極113を再度透過して、偏光板135に達する。このとき、電極311bと
電極113の間に与える電圧によって液晶の配向を制御し、光の光学変調を制御すること
ができる。すなわち、偏光板135を介して射出される光の強度を制御することができる
。また光は着色層131によって特定の波長領域以外の光が吸収されることにより、取り
出される光は、例えば赤色を呈する光となる。
ことが好ましい。これにより、開口451と重なる領域においてもそれ以外の領域と同様
に液晶層112が配向するため、これらの領域の境界部で液晶の配向不良が生じ、意図し
ない光が漏れてしまうことを抑制できる。
6が有する導電層222aと電気的に接続されている。トランジスタ206は、液晶素子
180の駆動を制御する機能を有する。
52において、電極311aと同一の導電膜を加工して得られた導電層と、電極113の
一部が、接続体243により電気的に接続されている。したがって、基板361側に形成
された電極113に、基板351側に接続されたFPC372から入力される信号または
電位を、接続部252を介して供給することができる。
ては、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることが
できる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。ま
たニッケルをさらに金で被覆するなど、2種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を
用いることが好ましい。また接続体243として、弾性変形、または塑性変形する材料を
用いることが好ましい。このとき導電性の粒子である接続体243は、図17に示すよう
に上下方向に潰れた形状となる場合がある。こうすることで、接続体243と、これと電
気的に接続する導電層との接触面積が増大し、接触抵抗を低減できるほか、接続不良など
の不具合の発生を抑制することができる。
化前の接着層141に接続体243を分散させておけばよい。
層220側から電極191、EL層192、及び電極193の順に積層された積層構造を
有する。電極191は、絶縁層214に設けられた開口を介して、トランジスタ205が
有する導電層222bと接続されている。トランジスタ205は、発光素子170の駆動
を制御する機能を有する。絶縁層216が電極191の端部を覆っている。電極193は
可視光を反射する材料を含み、電極191は可視光を透過する材料を含む。電極193を
覆って絶縁層194が設けられている。発光素子170が発する光は、着色層134、絶
縁層220、開口451、電極311a等を介して、基板361側に射出される。
な色を呈することができる。表示装置300は、液晶素子180を用いて、カラー表示を
行うことができる。表示装置300は、発光素子170を用いて、カラー表示を行うこと
ができる。
06は、いずれも絶縁層220の基板351側の面上に形成されている。これらのトラン
ジスタは、同一の工程を用いて作製することができる。
グトランジスタ、または選択トランジスタともいう)である。トランジスタ205は、発
光素子170に流れる電流を制御するトランジスタ(駆動トランジスタともいう)である
。
層214等の絶縁層が設けられている。絶縁層211は、その一部が各トランジスタのゲ
ート絶縁層として機能する。絶縁層212は、トランジスタ206等を覆って設けられる
。絶縁層213は、トランジスタ205等を覆って設けられている。絶縁層214は、平
坦化層としての機能を有する。なお、トランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、単層
であっても2層以上であってもよい。
い材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア膜として機能させることが
できる。このような構成とすることで、トランジスタに対して外部から不純物が拡散する
ことを効果的に抑制することが可能となり、信頼性の高い表示装置を実現できる。
06は、ゲートとして機能する導電層221a、ゲート絶縁層として機能する絶縁層21
1、ソース及びドレインとして機能する導電層222a及び導電層222b、並びに、半
導体層231を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハ
ッチングパターンを付している。
206の構成に加えて、ゲートとして機能する導電層223を有する。
つのゲートで挟持する構成が適用されている。このような構成とすることで、トランジス
タの閾値電圧を制御することができる。2つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供
給することによりトランジスタを駆動してもよい。このようなトランジスタは他のトラン
ジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、オン電流を増大させること
ができる。その結果、高速駆動が可能な回路を作製することができる。さらには、回路部
の占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きなトランジスタを適用すること
で、表示装置を大型化、または高精細化したときに配線数が増大したとしても、各配線に
おける信号遅延を低減することが可能であり、表示ムラを抑制することができる。
動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御することができる。
と、表示部362が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であっ
てもよい。回路364が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよく、2
種類以上の構造が組み合わせて用いられていてもよい。同様に、表示部362が有する複
数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよく、2種類以上の構造が組み合わせて用
いられていてもよい。
構成する導電膜の成膜時に、酸素を含む雰囲気下で成膜することで、絶縁層212に酸素
を供給することができる。成膜ガス中の酸素ガスの割合を90%以上100%以下の範囲
とすることが好ましい。絶縁層212に供給された酸素は、後の熱処理により半導体層2
31に供給され、半導体層231中の酸素欠損の低減を図ることができる。
とき、絶縁層213に水素を放出する絶縁膜、例えば窒化シリコン膜等を用いることが好
ましい。絶縁層213の成膜中、またはその後の熱処理によって導電層223中に水素が
供給され、導電層223の電気抵抗を効果的に低減することができる。
に覆われている。
部204では、配線365が接続層242を介してFPC372と電気的に接続されてい
る。接続部204は接続部207と同様の構成を有している。接続部204の上面は、電
極311aと同一の導電膜を加工して得られた導電層が露出している。これにより、接続
部204とFPC372とを接続層242を介して電気的に接続することができる。
偏光板を用いることもできる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と1/4波長位相差
板を積層したものを用いることができる。これにより、外光反射を抑制することができる
。また、偏光板の種類に応じて、液晶素子180に用いる液晶素子のセルギャップ、配向
、駆動電圧等を調整することで、所望のコントラストが実現されるようにする。
、偏光板、位相差板、光拡散層(拡散フィルムなど)、反射防止層、及び集光フィルム等
が挙げられる。また、基板361の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを
付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜等を配置し
てもよい。
有機樹脂などを用いることができる。基板351及び基板361に可撓性を有する材料を
用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。
nt)モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、M
VA(Multi-Domain Vertical Alignment)モード、P
VA(Patterned Vertical Alignment)モード、ASV(
Advanced Super View)モードなどを用いることができる。
ばVAモードのほかに、TN(Twisted Nematic)モード、IPS(In
-Plane-Switching)モード、FFS(Fringe Field Sw
itching)モード、ASM(Axially Symmetric aligne
d Micro-cell)モード、OCB(Optically Compensat
ed Birefringence)モード、FLC(Ferroelectric L
iquid Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric
Liquid Crystal)モード等が適用された液晶素子を用いることができる
。
る。液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界(横方向の電界、縦方向の電界または斜
め方向の電界を含む)によって制御される。液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロ
ピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC:Polymer
Dispersed Liquid Crystal)、強誘電性液晶、反強誘電性液晶
等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメク
チック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いることができる。
る場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つ
であり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する
直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改
善するために数重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶に用いる。ブルー
相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である
。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり
、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となる
ため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中
の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
別に、表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。
、エッジライト型のフロントライトを用いることが好ましい。LED(Light Em
itting Diode)を備えるフロントライトを用いると、消費電力を低減できる
ため好ましい。
剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としては
エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミ
ド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、E
VA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性
が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を
用いてもよい。
nductive Film)、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic
Conductive Paste)などを用いることができる。
ョン型などがある。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また
、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高
い物質)等を含む層をさらに有していてもよい。
機化合物を含んでいてもよい。EL層192を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸
着法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。
トを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。
わせを適用することで、表示装置から色純度の高い光を取り出すことができる。光学調整
層の膜厚は、各画素の色に応じて変化させる。
電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、
ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタング
ステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。これらの材料を含
む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。
ンジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物または
グラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タ
ングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの
金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒
化物(例えば、窒化チタン)などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料(またはそ
れらの窒化物)を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材
料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とイン
ジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層や、表示素子が有する導電
層(画素電極や共通電極として機能する導電層)にも用いることができる。
樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミ
ニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。
まれた樹脂材料などが挙げられる。
図18に示す表示装置300Aは、トランジスタ201、トランジスタ203、トラン
ジスタ205、及びトランジスタ206を有さず、トランジスタ281、トランジスタ2
84、トランジスタ285、及びトランジスタ286を有する点で、主に表示装置300
と異なる。
では、画素の端部を図示している。絶縁層117は、着色層131の端部に重ねて配置さ
れている。また、絶縁層117は、遮光層132の端部に重ねて配置されている。このよ
うに、絶縁層117は、表示領域と重ならない部分(遮光層132と重なる部分)に配置
されてもよい。
ジスタは、部分的に積層して設けられていてもよい。これにより、画素回路の占有面積を
縮小することが可能なため、精細度を高めることができる。また、発光素子170の発光
面積を大きくでき、開口率を向上させることができる。発光素子170は、開口率が高い
と、必要な輝度を得るための電流密度を低くできるため、信頼性が向上する。
a、絶縁層211、半導体層231、導電層222a、及び導電層222bを有する。導
電層221aは、絶縁層211を介して半導体層231と重なる。導電層222a及び導
電層222bは、半導体層231と電気的に接続される。トランジスタ281は、導電層
223を有する。
3、絶縁層212、絶縁層213、導電層263a、及び導電層263bを有する。導電
層222bは、絶縁層217を介して半導体層261と重なる。導電層223は、絶縁層
212及び絶縁層213を介して半導体層261と重なる。導電層263a及び導電層2
63bは、半導体層261と電気的に接続される。
する。導電層222aはソースまたはドレインの一方として機能する。トランジスタ28
6が有する導電層222bは、ソースまたはドレインの他方として機能する。
スタ284のソースまたはドレインの他方として機能する部分と、トランジスタ285の
ゲートとして機能する部分を有する。絶縁層217、絶縁層212、及び絶縁層213は
、ゲート絶縁層として機能する。導電層263a及び導電層263bのうち、一方はソー
スとして機能し、他方はドレインとして機能する。導電層223は、ゲートとして機能す
る。
図19(A)に表示装置300Bの表示部の断面図を示す。
の他の構成については、表示装置300と同様のため、詳細な説明を省略する。
Bは、液晶素子180を用いて、白黒またはグレースケールでの表示を行うことができる
。
図19(B)に示す表示装置300Cは、EL層192が塗り分けられて(発光素子1
70ごとにEL層192が区分して設けられて)おり、かつ着色層134を有さない点で
、表示装置300Bと異なる。その他の構成については、表示装置300Bと同様のため
、詳細な説明を省略する。
とも一層(代表的には発光層)が塗り分けられていればよく、EL層を構成する層の全て
が塗り分けられていてもよい。
例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよ
いし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート構造またはボトムゲ
ート構造のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電
極が設けられていてもよい。
。
2、導電層222a、及び導電層222bを有する。半導体層231は、絶縁層151上
に設けられている。導電層221は絶縁層211を介して半導体層231と重なる。導電
層222a及び導電層222bは、絶縁層211及び絶縁層212に設けられた開口を介
して、半導体層231と電気的に接続される。
る。導電層222a及び導電層222bのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレ
インとして機能する。
理的な距離を離すことが容易なため、これらの間の寄生容量を低減することが可能である
。
導電層223及び絶縁層218を有する。導電層223は絶縁層151上に設けられ、半
導体層231と重なる。絶縁層218は、導電層223及び絶縁層151を覆って設けら
れている。
電流を高めることや、閾値電圧を制御することなどが可能である。
る2つのトランジスタの構造は、それぞれ独立に決定することができ、図20(C)~(
E)の組み合わせに限られない。
す。トランジスタ110cは、2つのゲートを有する。トランジスタ110dは、ボトム
ゲート構造である。なお、トランジスタ110cは、ゲートを1つ有していてもよい(ト
ップゲート構造)。また、トランジスタ110dはゲートを2つ有していてもよい。
1、絶縁層211、導電層222a、及び導電層222bを有する。導電層223は絶縁
層151上に設けられている。導電層223は、絶縁層218を介して半導体層231と
重なる。絶縁層218は、導電層223及び絶縁層151を覆って設けられている。導電
層221は絶縁層211を介して半導体層231と重なる。図20(C)では絶縁層21
1が導電層221と重なる部分にのみ設けられている例を示すが、図20(B)等に示す
ように、絶縁層211は半導体層231の端部を覆うように設けられていてもよい。導電
層222a及び導電層222bは、絶縁層212に設けられた開口を介して、半導体層2
31と電気的に接続される。
63a、及び導電層263bを有する。導電層222bは、絶縁層213を介して半導体
層261と重なる領域を有する。絶縁層213は、導電層222bを覆って設けられてい
る。導電層263a及び導電層263bは、半導体層261と電気的に接続される。
能する。絶縁層218及び絶縁層211は、トランジスタ110cのゲート絶縁層として
機能する。導電層222aはトランジスタ110cのソースまたはドレインの一方として
機能する。
る部分と、トランジスタ110dのゲートとして機能する部分と、を有する。絶縁層21
3は、トランジスタ110dのゲート絶縁層として機能する。導電層263a及び導電層
263bのうち、一方はトランジスタ110dのソースとして機能し、他方はトランジス
タ110dのドレインとして機能する。
されることが好ましい。例えば、トランジスタ110cを、選択トランジスタに用い、ト
ランジスタ110dを駆動トランジスタに用いることができる。
子の画素電極として機能する電極191と電気的に接続されている。
す。トランジスタ110eは、ボトムゲート構造である。トランジスタ110fは、2つ
のゲートを有する。トランジスタ110eは、ゲートを2つ有していてもよい。
2a、及び導電層222bを有する。導電層221は絶縁層151上に設けられている。
導電層221は、絶縁層211を介して半導体層231と重なる。絶縁層211は、導電
層221及び絶縁層151を覆って設けられている。導電層222a及び導電層222b
は、半導体層231と電気的に接続される。
23、絶縁層218、絶縁層213、導電層263a、及び導電層263bを有する。導
電層222bは、絶縁層212を介して半導体層261と重なる領域を有する。絶縁層2
12は、導電層222bを覆って設けられている。導電層263a及び導電層263bは
、絶縁層213に設けられた開口を介して、半導体層261と電気的に接続される。導電
層223は、絶縁層218を介して半導体層261と重なる。絶縁層218は、導電層2
23と重なる部分に設けられている。
ランジスタ110eのゲート絶縁層として機能する。導電層222aはトランジスタ11
0eのソースまたはドレインの一方として機能する。
る部分と、トランジスタ110fのゲートとして機能する部分と、を有する。導電層22
3は、トランジスタ110fのゲートとして機能する。絶縁層212及び絶縁層218は
、それぞれ、トランジスタ110fのゲート絶縁層として機能する。導電層263a及び
導電層263bのうち、一方はトランジスタ110fのソースとして機能し、他方はトラ
ンジスタ110fのドレインとして機能する。
て機能する電極191と電気的に接続されている。
す。トランジスタ110gは、トップゲート構造である。トランジスタ110hは、2つ
のゲートを有する。なお、トランジスタ110gはゲートを2つ有していてもよい。
2a、及び導電層222bを有する。半導体層231は絶縁層151上に設けられている
。導電層221は、絶縁層211を介して半導体層231と重なる。絶縁層211は、導
電層221と重ねて設けられている。導電層222a及び導電層222bは、絶縁層21
2に設けられた開口を介して、半導体層231と電気的に接続される。
23、絶縁層218、絶縁層217、導電層263a、及び導電層263bを有する。導
電層222bは、絶縁層213を介して半導体層261と重なる領域を有する。絶縁層2
13は、導電層222bを覆って設けられている。導電層263a及び導電層263bは
、絶縁層217に設けられた開口を介して半導体層261と電気的に接続される。導電層
223は、絶縁層218を介して半導体層261と重なる。絶縁層218は、導電層22
3と重なる部分に設けられている。
ランジスタ110gのゲート絶縁層として機能する。導電層222aはトランジスタ11
0gのソースまたはドレインの一方として機能する。
る部分と、トランジスタ110hのゲートとして機能する部分と、を有する。導電層22
3は、トランジスタ110hのゲートとして機能する。絶縁層212及び絶縁層218は
、それぞれ、トランジスタ110hのゲート絶縁層として機能する。導電層263a及び
導電層263bのうち、一方はトランジスタ110hのソースとして機能し、他方はトラ
ンジスタ110hのドレインとして機能する。
て機能する電極191と電気的に接続されている。
以下では、図21~図24を用いて、本実施の形態の表示装置の作製方法について、具
体的に説明する。
、化学気相堆積(CVD:Chemical Vapor Deposition)法、
真空蒸着法、パルスレーザー堆積(PLD:Pulsed Laser Deposit
ion)法、原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)
法等を用いて形成することができる。CVD法としては、プラズマ化学気相堆積(PEC
VD:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposi
tion)法や、熱CVD法でもよい。熱CVD法の例として、有機金属化学気相堆積(
MOCVD:Metal Organic CVD)法を使ってもよい。
、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ド
クターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法
により形成することができる。
できる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。ま
たは、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工して
もよい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して
、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有
する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と
、がある。
nm)、g線(波長436nm)、h線(波長405nm)、またはこれらを混合させた
光を用いることができる。そのほか、紫外線やKrFレーザ光、またはArFレーザ光等
を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用
いる光として、極端紫外光(EUV:Extreme Ultra-violet)やX
線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。
極端紫外光、X線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ま
しい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォト
マスクは不要である。
法などを用いることができる。
図24では特に表示装置300の表示部362に着目して、作製方法を説明する。
感光性の材料を用いて形成することで、フォトリソグラフィ法等により島状に加工するこ
とができる。なお、図17に示す回路364等では、基板361上に遮光層132を設け
る。
ル、エポキシなどの樹脂を好適に用いることができる。
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミ
ニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、酸化ハフ
ニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜
、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用い
てもよい。また、上述の絶縁膜を2以上積層して用いてもよい。
形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成でき
る。電極113は、可視光を透過する導電材料を用いて形成する。
いることが好ましい。
。配向膜133bは、樹脂等の薄膜を形成した後に、ラビング処理を行うことで形成でき
る。
)までに示す工程を行う。
成する(図21(B))。
、剥離層382と絶縁層383の界面、又は剥離層382中で分離が生じるような材料を
選択する。本実施の形態では、絶縁層383と剥離層382の界面で分離が生じる場合を
例示するが、剥離層382や絶縁層383に用いる材料の組み合わせによってはこれに限
られない。
対して耐熱性を有する。作製基板381に用いることができる材料としては、例えば、ガ
ラス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、半導体、金属または合金などが挙げられる
。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホ
ウケイ酸ガラス等が挙げられる。
タン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジ
ウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、
該元素を含む合金、または該元素を含む化合物等が挙げられる。シリコンを含む層の結晶
構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
くは10nm以上200nm以下、より好ましくは10nm以上100nm以下である。
法、蒸着法等により形成できる。
シ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン
系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。
ことが好ましく、0.1μm以上3μm以下であることがより好ましく、0.5μm以上
1μm以下であることがさらに好ましい。剥離層382の厚さを上記範囲とすることで、
作製のコストを低減することができる。ただし、これに限定されず、剥離層382の厚さ
は、10μm以上、例えば、10μm以上200μm以下としてもよい。
スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドク
ターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等が挙げら
れる。
ば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化
アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、酸
化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タン
タル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等
を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を2以上積層して用いてもよい。
の酸化物を含む層との積層構造を適用し、絶縁層383に、窒化シリコン、酸化窒化シリ
コン、または窒化酸化シリコン等の無機絶縁膜を複数有する積層構造を適用してもよい。
剥離層382に高融点金属材料を用いると、これよりも後に形成する層の形成温度を高め
ることが可能で、不純物の濃度が低減され、信頼性の高い表示装置を実現できる。なお、
剥離後に、表示装置にとって不要な層(剥離層382、絶縁層383など)を除去する工
程を有していてもよい。または、剥離層382または絶縁層383を除去せず、表示装置
の構成要素としてもよい。
する(図21(C))。電極311bは、電極311a上に開口451を有する。電極3
11a及び電極311bは、それぞれ、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、
当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。電極
311aは、可視光を透過する導電材料を用いて形成する。電極311bは、可視光を反
射する導電材料を用いて形成する。
bに達する開口を設ける。
素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。剥離層382に有機材料
を用いる場合、絶縁層220は、剥離層382を加熱した際に、剥離層382に含まれる
水分等がトランジスタや表示素子に拡散することを防ぐことが好ましい。そのため、絶縁
層220は、バリア性が高いことが好ましい。
いることができる。
半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。代表的には、シリコンを含
む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体、またはインジウムを含む酸化物半導体等を適用で
きる。
ボトムゲート構造のトランジスタを作製する場合を示す。トランジスタ205は、トラン
ジスタ206の構成に導電層223及び絶縁層212を追加した構成であり、2つのゲー
トを有する。
バンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタ
のオフ状態における電流を低減できる。
。導電層221a及び導電層221bは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し
、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。ここで
、絶縁層220の開口を介して、導電層221bと電極311bとが接続する。
膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を
用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム
膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリ
ウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を2以上積層して用
いてもよい。
ることが好ましい。無機絶縁膜の成膜時の基板温度は、室温(25℃)以上350℃以下
が好ましく、100℃以上300℃以下がさらに好ましい。
物半導体層を形成する。酸化物半導体層は、酸化物半導体膜を成膜した後、レジストマス
クを形成し、当該酸化物半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで
形成できる。
下がより好ましく、室温以上130℃以下がさらに好ましい。
ることができる。なお、酸化物半導体膜の成膜時における酸素の流量比(酸素分圧)に、
特に限定はない。ただし、電界効果移動度が高いトランジスタを得る場合においては、酸
化物半導体膜の成膜時における酸素の流量比(酸素分圧)は、0%以上30%以下が好ま
しく、5%以上30%以下がより好ましく、7%以上15%以下がさらに好ましい。
ジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。
以上であることがより好ましく、3eV以上であることがさらに好ましい。このように、
エネルギーギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減
することができる。
PLD法、PECVD法、熱CVD法、ALD法、真空蒸着法などを用いてもよい。
22bは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした
後にレジストマスクを除去することにより形成できる。導電層222a及び導電層222
bは、それぞれ、半導体層231と接続される。ここで、トランジスタ206が有する導
電層222aは、導電層221bと電気的に接続される。これにより、接続部207では
、電極311bと導電層222aを電気的に接続することができる。
ない半導体層231の一部がエッチングにより薄膜化する場合がある。
206において、導電層221aの一部はゲートとして機能し、絶縁層211の一部はゲ
ート絶縁層として機能し、導電層222a及び導電層222bは、それぞれソースまたは
ドレインのいずれか一方として機能する。
3を形成する。
形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成でき
る。
205において、導電層221aの一部及び導電層223の一部はゲートとして機能し、
絶縁層211の一部及び絶縁層212の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層222
a及び導電層222bは、それぞれソースまたはドレインのいずれか一方として機能する
。
様の方法により形成することができる。
シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。さらに、当該酸化シリコン膜や酸
化窒化シリコン膜上に、絶縁層213として、窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過し
にくい絶縁膜を積層することが好ましい。酸素を含む雰囲気下で形成した酸化物絶縁膜は
、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁膜とすることができる。このような酸素を放
出する酸化物絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層した状態で、加熱処理を
行うことにより、酸化物半導体層に酸素を供給することができる。その結果、酸化物半導
体層中の酸素欠損、及び酸化物半導体層と絶縁層212の界面の欠陥を修復し、欠陥準位
を低減することができる。これにより、極めて信頼性の高い表示装置を実現できる。
14を形成する(図22(A))。着色層134は、電極311bの開口451と重なる
ように配置する。
4は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能する
ことが好ましい。絶縁層214は、絶縁層121に用いることのできる樹脂または無機絶
縁膜を援用できる。
る導電層222bに達する開口を形成する。
レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去するこ
とにより形成できる。ここで、トランジスタ205が有する導電層222bと電極191
とが接続する。電極191は、可視光を透過する導電材料を用いて形成する。
6は、絶縁層121に用いることのできる樹脂または無機絶縁膜を援用できる。絶縁層2
16は、電極191と重なる部分に開口を有する。
一部が発光素子170の共通電極として機能する。電極193は、可視光を反射する導電
材料を用いて形成する。
。EL層192を画素毎に作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドウマスクを用いた
蒸着法、またはインクジェット法等により形成することができる。EL層192を画素毎
に作り分けない場合には、メタルマスクを用いない蒸着法を用いることができる。
無機化合物を含んでいてもよい。
耐熱温度以下となるように行う。電極193は、蒸着法やスパッタリング法等を用いて形
成することができる。
子170は、一部が画素電極として機能する電極191、EL層192、一部が共通電極
として機能する電極193が積層された構成を有する。発光素子170は、発光領域が着
色層134及び電極311bの開口451と重なるように作製する。
したが、本発明の一態様はこれに限られない。
のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる
。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好まし
い。
、発光素子170に水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機能する。発
光素子170は、絶縁層194によって封止される。電極193を形成した後、大気に曝
すことなく、絶縁層194を形成することが好ましい。
用することができる。絶縁層194は、特に、バリア性の高い無機絶縁膜を含むことが好
ましい。また、無機絶縁膜と有機絶縁膜を積層して用いてもよい。
好ましい。絶縁層194は、ALD法やスパッタリング法等を用いて形成することができ
る。ALD法及びスパッタリング法は低温成膜が可能であるため好ましい。ALD法を用
いると絶縁層194のカバレッジが良好となり好ましい。
2(C))。
着剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を
用いてもよい。
タレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリ
エーテルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂(ナイロン、アラミド等)、ポリシロ
キサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウ
レタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ
テトラフルオロエチレン(PTFE)樹脂、ABS樹脂、セルロースナノファイバー等を
用いることができる。基板351には、ガラス、石英、樹脂、金属、合金、半導体等の各
種材料を用いてもよい。基板351には、可撓性を有する程度の厚さのガラス、石英、樹
脂、金属、合金、半導体等の各種材料を用いてもよい。
によって、様々な位置となり得る。
離により、絶縁層383が露出する。
の一部または一面全体にレーザ光を照射してもよい。これにより、剥離層382を脆弱化
させる、または剥離層382と絶縁層383(または作製基板381)との密着性を低下
させることができる。
剥離することができる。具体的には、基板351の上面の一部を吸着し、上方に引っ張る
ことにより、作製基板381を引き剥がすことができる。
状の器具を差し込むことで分離の起点を形成してもよい。または、基板351側から鋭利
な形状の器具で剥離層382を切り込み、分離の起点を形成してもよい。
3を除去することができる。これにより、電極311aが露出する(図23(B))。
配向膜133aは、樹脂等の薄膜を成膜した後に、ラビング処理を行うことにより形成で
きる。
での工程が完了した基板351とを、液晶層112を挟んで貼り合わせる(図24(B)
)。図24(B)では示さないが、図17等に示すように、基板351と基板361とは
接着層141で貼り合わされる。接着層141は、接着層142に用いることのできる材
料を援用できる。
及び電極311b)、液晶層112、一部が共通電極として機能する電極113が積層さ
れた構成を有する。液晶素子180は、着色層131と重なるように作製する。
ドを切り替えて使用することができるため、周囲の明るさによらず、視認性が高く利便性
の高い。
を適宜組み合わせることが可能である。
み合わせて実施することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるC
AC(Cloud-Aligned Composite)-OSの構成について説明す
る。
以下、好ましくは、1nm以上2nm以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一
構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素
が偏在し、該金属元素を有する領域が、0.5nm以上10nm以下、好ましくは、1n
m以上2nm以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ
状ともいう。
および亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イ
ットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、
ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム
、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が
含まれていてもよい。
Ga-Zn酸化物を、特にCAC-IGZOと呼称してもよい。)とは、インジウム酸化
物(以下、InOX1(X1は0よりも大きい実数)とする。)、またはインジウム亜鉛
酸化物(以下、InX2ZnY2OZ2(X2、Y2、およびZ2は0よりも大きい実数
)とする。)と、ガリウム酸化物(以下、GaOX3(X3は0よりも大きい実数)とす
る。)、またはガリウム亜鉛酸化物(以下、GaX4ZnY4OZ4(X4、Y4、およ
びZ4は0よりも大きい実数)とする。)などと、に材料が分離することでモザイク状と
なり、モザイク状のInOX1、またはInX2ZnY2OZ2が、膜中に均一に分布し
た構成(以下、クラウド状ともいう。)である。
、またはInOX1が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導
体である。なお、本明細書において、例えば、第1の領域の元素Mに対するInの原子数
比が、第2の領域の元素Mに対するInの原子数比よりも大きいことを、第1の領域は、
第2の領域と比較して、Inの濃度が高いとする。
場合がある。代表例として、InGaO3(ZnO)m1(m1は自然数)、またはIn
(1+x0)Ga(1-x0)O3(ZnO)m0(-1≦x0≦1、m0は任意数)で
表される結晶性の化合物が挙げられる。
、CAAC構造とは、複数のIGZOのナノ結晶がc軸配向を有し、かつa-b面におい
ては配向せずに連結した結晶構造である。
Ga、Zn、およびOを含む材料構成において、一部にGaを主成分とするナノ粒子状に
観察される領域と、一部にInを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞ
れモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、CAC-OSにおいて、結
晶構造は副次的な要素である。
。例えば、Inを主成分とする膜と、Gaを主成分とする膜との2層からなる構造は、含
まない。
が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
ム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデ
ン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグ
ネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、CAC-OSは、一
部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にInを主成分とす
るナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成
をいう。
成することができる。また、CAC-OSをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガス
として、不活性ガス(代表的にはアルゴン)、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれた
いずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素
ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を0%以上30%未満、好ま
しくは0%以上10%以下とすることが好ましい。
ひとつであるOut-of-plane法によるθ/2θスキャンを用いて測定したとき
に、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、X線回折から、測定領
域のa-b面方向、およびc軸方向の配向は見られないことが分かる。
照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該
リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、CAC-OS
の結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないnc(nano-
crystal)構造を有することがわかる。
線分光法(EDX:Energy Dispersive X-ray spectro
scopy)を用いて取得したEDXマッピングにより、GaOX3が主成分である領域
と、InX2ZnY2OZ2、またはInOX1が主成分である領域とが、偏在し、混合
している構造を有することが確認できる。
GZO化合物と異なる性質を有する。つまり、CAC-OSは、GaOX3などが主成分
である領域と、InX2ZnY2OZ2、またはInOX1が主成分である領域と、に互
いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
3などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、InX2Zn
Y2OZ2、またはInOX1が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸
化物半導体としての導電性が発現する。従って、InX2ZnY2OZ2、またはInO
X1が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効
果移動度(μ)が実現できる。
X1が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、GaOX3など
が主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好な
スイッチング動作を実現できる。
、InX2ZnY2OZ2、またはInOX1に起因する導電性とが、相補的に作用する
ことにより、高いオン電流(Ion)、および高い電界効果移動度(μ)を実現すること
ができる。
ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
み合わせて実施することができる。
10a 電子機器
10b 電子機器
10c 電子機器
11 筐体
15 直線
15a 交点
15b 交点
16 直線
16a 交点
16b 交点
21 表示部
22 表示部
22a 表示部
22b 表示部
25 リューズ
26 ボタン
31 バンド取付け部
32 バンド取付け部
41 バンド
42 バンド
51 時針
52 分針
53 秒針
54 インデックス
55 日時情報
56 通知情報
57 アイコン
61 表示装置
62 表示装置
63 FPC
63a FPC
63b FPC
64 部材
64a 部材
64b 部材
71 バッテリー
72 プリント基板
73 IC
74 振動モジュール
75 アンテナ
110a トランジスタ
110b トランジスタ
110c トランジスタ
110d トランジスタ
110e トランジスタ
110f トランジスタ
110g トランジスタ
110h トランジスタ
112 液晶層
113 電極
117 絶縁層
121 絶縁層
131 着色層
132 遮光層
133a 配向膜
133b 配向膜
134 着色層
135 偏光板
141 接着層
142 接着層
151 絶縁層
170 発光素子
180 液晶素子
191 電極
192 EL層
193 電極
194 絶縁層
201 トランジスタ
203 トランジスタ
204 接続部
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 接続部
211 絶縁層
212 絶縁層
213 絶縁層
214 絶縁層
216 絶縁層
217 絶縁層
218 絶縁層
220 絶縁層
221 導電層
221a 導電層
221b 導電層
222a 導電層
222b 導電層
223 導電層
231 半導体層
242 接続層
243 接続体
252 接続部
261 半導体層
263a 導電層
263b 導電層
281 トランジスタ
284 トランジスタ
285 トランジスタ
286 トランジスタ
300 表示装置
300A 表示装置
300B 表示装置
300C 表示装置
311 電極
311a 電極
311b 電極
340 液晶素子
351 基板
360 発光素子
360b 発光素子
360g 発光素子
360r 発光素子
360w 発光素子
361 基板
362 表示部
364 回路
365 配線
372 FPC
373 IC
381 作製基板
382 剥離層
383 絶縁層
400 表示装置
410 画素
451 開口
500 表示装置
501 表示部
530 画素ユニット
531B 表示素子
531G 表示素子
531p 画素
531R 表示素子
531W 表示素子
532B 表示素子
532G 表示素子
532W 表示素子
532p 画素
532R 表示素子
532Y 表示素子
535r 光
535t 光
535tr 光
651 タッチパネル
652 タッチパネル
661 演算部
662 バスライン
664 記憶装置
671 ディスプレイコントローラ
672 タッチセンサコントローラ
673 バッテリーコントローラ
674 受電部
675 バッテリーモジュール
676 サウンドコントローラ
677 音声入力部
678 音声出力部
681 通信モジュール
682 アンテナ
683 姿勢検出部
685 外部インターフェース
686 カメラモジュール
687 振動モジュール
688 センサモジュール
Claims (5)
- 第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上方に配置された領域を有する第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層の上方に配置された領域を有する第1の導電層と、
前記第1の導電層の上方に配置された領域を有する第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層の上方に配置された領域を有する第2の導電層と、
前記第2の導電層の上方に配置された領域を有する第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層の上方に配置された領域を有する第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上方に配置された領域を有する第4の絶縁層と、
前記第4の絶縁層の上方に配置された領域を有する第3の導電層と、
前記第3の導電層の上方に配置された領域を有する第5の絶縁層と、
前記第5の絶縁層の上方に配置された領域を有する第4の導電層と、
前記第4の導電層の上方に配置された領域を有する第6の絶縁層と、
前記第6の絶縁層の上方に配置された領域を有する第5の導電層と、を有し、
前記第1の半導体層は、第1のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第1の絶縁層は、前記第1のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第1の導電層は、前記第1のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
前記第2の絶縁層は、第1の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第2の導電層は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、且つ、第2のトランジスタの第1のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第3の絶縁層は、前記第2のトランジスタの第1のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第2の半導体層は、前記第2のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第4の絶縁層は、前記第2のトランジスタの第2のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第2のトランジスタの第2のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第2の導電層と電気的に接続され、
前記第5の絶縁層は、第2の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第4の導電層は、前記第5の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第2のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第5の導電層は、発光素子の画素電極として機能する領域を有し、
前記第5の導電層は、前記第6の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第4の導電層と電気的に接続される、表示装置。 - 第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上方に配置された領域を有する第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層の上方に配置された領域を有する第1の導電層と、
前記第1の導電層の上方に配置された領域を有する第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層の上方に配置された領域を有する第2の導電層と、
前記第2の導電層の上方に配置された領域を有する第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層の上方に配置された領域を有する第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上方に配置された領域を有する第4の絶縁層と、
前記第4の絶縁層の上方に配置された領域を有する第3の導電層と、
前記第3の導電層の上方に配置された領域を有する第5の絶縁層と、
前記第5の絶縁層の上方に配置された領域を有する第4の導電層と、
前記第4の導電層の上方に配置された領域を有する第6の絶縁層と、
前記第6の絶縁層の上方に配置された領域を有する第5の導電層と、を有し、
前記第1の半導体層は、第1のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第1の絶縁層は、前記第1のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第1の導電層は、前記第1のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
前記第2の絶縁層は、第1の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第2の導電層は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、且つ、第2のトランジスタの第1のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第3の絶縁層は、前記第2のトランジスタの第1のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第3の絶縁層は、窒化シリコンを有し、
前記第2の半導体層は、前記第2のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第4の絶縁層は、前記第2のトランジスタの第2のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第2のトランジスタの第2のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第2の導電層と電気的に接続され、
前記第5の絶縁層は、第2の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第4の導電層は、前記第5の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第2のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第5の導電層は、発光素子の画素電極として機能する領域を有し、
前記第5の導電層は、前記第6の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第4の導電層と電気的に接続される、表示装置。 - 第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上方に配置された領域を有する第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層の上方に配置された領域を有する第1の導電層と、
前記第1の導電層の上方に配置された領域を有する第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層の上方に配置された領域を有する第2の導電層と、
前記第2の導電層の上方に配置された領域を有する第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層の上方に配置された領域を有する第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上方に配置された領域を有する第4の絶縁層と、
前記第4の絶縁層の上方に配置された領域を有する第3の導電層と、
前記第3の導電層の上方に配置された領域を有する第5の絶縁層と、
前記第5の絶縁層の上方に配置された領域を有する第4の導電層と、
前記第4の導電層の上方に配置された領域を有する第6の絶縁層と、
前記第6の絶縁層の上方に配置された領域を有する第5の導電層と、を有し、
前記第1の半導体層は、第1のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第1の絶縁層は、前記第1のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第1の導電層は、前記第1のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
前記第2の絶縁層は、第1の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第2の導電層は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、且つ、第2のトランジスタの第1のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第3の絶縁層は、前記第2のトランジスタの第1のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第3の絶縁層は、窒化シリコンを有し、
前記第2の半導体層は、前記第2のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第4の絶縁層は、前記第2のトランジスタの第2のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第2のトランジスタの第2のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第2の導電層と電気的に接続され、
前記第5の絶縁層は、第2の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第4の導電層は、前記第5の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第2のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第6の絶縁層は、樹脂を有し、
前記第5の導電層は、発光素子の画素電極として機能する領域を有し、
前記第5の導電層は、前記第6の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第4の導電層と電気的に接続される、表示装置。 - 第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上方に配置された領域を有する第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層の上方に配置された領域を有する第1の導電層と、
前記第1の導電層の上方に配置された領域を有する第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層の上方に配置された領域を有する第2の導電層と、
前記第2の導電層の上方に配置された領域を有する第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層の上方に配置された領域を有する第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上方に配置された領域を有する第4の絶縁層と、
前記第4の絶縁層の上方に配置された領域を有する第3の導電層と、
前記第3の導電層の上方に配置された領域を有する第5の絶縁層と、
前記第5の絶縁層の上方に配置された領域を有する第4の導電層と、
前記第4の導電層の上方に配置された領域を有する第6の絶縁層と、
前記第6の絶縁層の上方に配置された領域を有する第5の導電層と、を有し、
前記第1の半導体層は、第1のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第1の絶縁層は、前記第1のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第1の導電層は、前記第1のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
前記第2の絶縁層は、第1の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第2の導電層は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、且つ、第2のトランジスタの第1のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第3の絶縁層は、前記第2のトランジスタの第1のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第3の絶縁層は、窒化シリコンを有し、
前記第2の半導体層は、前記第2のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第4の絶縁層は、前記第2のトランジスタの第2のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第2のトランジスタの第2のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第2の導電層と電気的に接続され、
前記第5の絶縁層は、第2の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第4の導電層は、前記第5の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第2のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第6の絶縁層は、樹脂を有し、
前記第5の導電層は、発光素子の画素電極として機能する領域を有し、
前記第5の導電層は、導電性酸化物を有し、
前記第5の導電層は、前記第6の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第4の導電層と電気的に接続される、表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の表示装置の作製方法であって、
前記第2の半導体層は、酸化物半導体を有し、
前記第2の半導体層は、原子層堆積法を用いて形成されたものである、表示装置の作製方法。
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