JP7392487B2 - 光変調器および光変調器の制御方法 - Google Patents
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Description
図17に示す例では、受光器(PD)13とAC成分検出部14との間にコンデンサCが設けられる。このコンデンサCは、受光器13の出力信号からDC成分を除去する。したがって、AC成分検出部14は、マッハツェンダ変調器10の出力光に含まれるAC成分(即ち、低周波信号の周波数成分)を容易に抽出できる。
10 マッハツェンダ変調器
11 移相器
14 AC成分検出部
15 バンドパスフィルタ(BPF)
20 バイアス制御部
21 Iアームバイアス部
22 Qアームバイアス部
23 位相バイアス部
24 バイアス制御部
25 制御部
25a 振幅決定部
Claims (6)
- マッハツェンダ変調器と、
前記マッハツェンダ変調器のバイアスを制御するバイアス制御部と、を備え、
前記マッハツェンダ変調器は、
入力光を分岐して第1の光パスおよび第2の光パスに導く入力光回路と、
前記第1の光パス上に形成される第1のマッハツェンダ干渉計と、
前記第2の光パス上に形成される第2のマッハツェンダ干渉計と、
前記第1の光パスと前記第2の光パスとの間の位相差を調整する移相器と、
前記第1のマッハツェンダ干渉計の出力光および前記第2のマッハツェンダ干渉計の出力光を合波して光信号を出力する出力光回路と、を備え、
前記バイアス制御部は、
前記第1のマッハツェンダ干渉計の動作点を制御する第1のバイアス信号を出力する第1のバイアス部と、
前記第2のマッハツェンダ干渉計の動作点を制御する第2のバイアス信号を出力する第2のバイアス部と、
前記移相器の移相量を制御する、低周波信号が重畳された第3のバイアス信号を出力する第3のバイアス部と、
前記光信号に含まれる前記低周波信号の周波数成分が最小化されるように前記第1のバイアス信号を制御し、その後、前記光信号に含まれる前記低周波信号の周波数成分が最小化されるように前記第2のバイアス信号を制御し、さらにその後、前記光信号に含まれる前記低周波信号の周波数成分に基づいて、前記第3のバイアス信号を制御する制御部と、を備え、
前記第1のバイアス信号および前記第2のバイアス信号には、前記低周波信号は重畳されない
ことを特徴とする光変調器。 - 前記制御部は、前記第1のバイアス信号および前記第2のバイアス信号を制御した後、前記光信号に含まれる前記低周波信号の周波数成分を大きくするように、前記第3のバイアス信号を制御する
ことを特徴とする請求項1に記載の光変調器。 - 前記制御部は、前記光信号に含まれる前記低周波信号の周波数成分が最大化されるように前記第3のバイアス信号を制御する
ことを特徴とする請求項2に記載の光変調器。 - 前記マッハツェンダ変調器の出力光の強度が、前記第3のバイアス信号の電圧に対して所定の周期で変化する構成において、前記低周波信号の振幅は、前記周期に対応する電圧の2分の1に設定される
ことを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の光変調器。 - 前記制御部は、前記第3のバイアス信号の電圧を変化させながら前記マッハツェンダ変調器の出力光の強度が最大になる第1の電圧値および前記マッハツェンダ変調器の出力光の強度が最小になる第2の電圧値を取得し、
前記低周波信号の振幅として前記第1の電圧値と前記第2の電圧値との差分が設定される
ことを特徴とする請求項4に記載の光変調器。 - 入力光を分岐して第1の光パスおよび第2の光パスに導く入力光回路と、前記第1の光パス上に形成される第1のマッハツェンダ干渉計と、前記第2の光パス上に形成される第2のマッハツェンダ干渉計と、前記第1の光パスと前記第2の光パスとの間の位相差を調整する移相器と、前記第1のマッハツェンダ干渉計の出力光および前記第2のマッハツェンダ干渉計の出力光を合波して光信号を出力する出力光回路と、を備えるマッハツェンダ変調器を制御する方法であって、
低周波信号が重畳された位相バイアス信号を前記移相器に印加しながら前記光信号に含まれる前記低周波信号の周波数成分をモニタし、
前記光信号に含まれる前記低周波信号の周波数成分が最小化されるように前記第1のマッハツェンダ干渉計の動作点を制御する、前記低周波信号が重畳されていない第1のバイアス信号を制御し、
前記第1のバイアス信号の制御が終了した後に、前記光信号に含まれる前記低周波信号の周波数成分が最小化されるように前記第2のマッハツェンダ干渉計の動作点を制御する、前記低周波信号が重畳されていない第2のバイアス信号を制御し、
前記第2のバイアス信号の制御が終了した後に、前記光信号に含まれる前記低周波信号の周波数成分が最大化されるように前記位相バイアス信号を制御する
ことを特徴とする光変調器の制御方法。
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