JP7391736B2 - 表示装置及び半導体基板 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、表示装置及び半導体基板に関する。

近年、タッチセンサを内蔵した表示装置が種々提案されている。一例では、表示パネルに形成された複数の電極がタッチセンシングモードである場合にセンサ電極の役割を果たし、表示モードである場合に共通電極の役割を果たす表示装置が開示されている。タッチセンシング方式としては、相互容量方式及び自己容量方式のいずれかが適用される。タッチセンシングモードでは、タッチ駆動電圧が信号ラインを通じてセンサ電極に印加されることにより、センシングが行われるものである。

また、島状のセンサ電極がマトリクス状に並んだタッチセンサを備えた表示装置において、画素電極が、信号線と同層のドレイン電極、金属配線と同層の金属電極、センサ電極と同層の透明電極の３層の電極を介して半導体層と接続された構造が知られている。

特開２０１９－９５５７８号公報

本実施形態の目的は、画素の開口率を向上することが可能な表示装置を提供することにある。

本実施形態によれば、スイッチング素子と、前記スイッチング素子を覆う第１有機絶縁膜と、第１方向に並び前記第１方向と交差する第２方向に延出した第１金属配線と第２金属配線と、前記第１金属配線と前記第２金属配線との間に位置する島状の金属電極と、を備え、前記第１有機絶縁膜は、第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、前記スイッチング素子は、前記第１面によって覆われ、前記第１金属配線、前記第２金属配線、及び、前記金属電極は、前記第２面側に位置し、前記第１金属配線は、前記第２方向に延出した第１部分と、前記第１部分の幅より大きい幅を有する第２部分と、を有し、前記第２部分は、平面視において、円弧状の第１側縁と、前記第１側縁の反対側に位置し円弧状の第２側縁と、を有し、前記金属電極は、ｎ角形状もしくは楕円形状であり、ｎは４より大きい、半導体基板が提供される。

本実施形態によれば、第１方向に延出した走査線と、前記第１方向と交差する第２方向に延出した信号線と、前記信号線を覆う第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に配置され前記信号線と重なって延出する第１金属配線と、前記第１絶縁膜の上に配置され前記第１金属配線と同一材料によって形成された島状の金属電極と、前記第１金属配線及び前記金属電極を覆う第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上に位置する第１共通電極と、前記走査線と重なって前記第１方向に延出した第１遮光部と、前記信号線と重なって前記第２方向に延出した第２遮光部と、を有する遮光層と、を備え、前記第１金属配線は、前記第２遮光部と重なって前記第２方向に延出した第１部分と、前記第１遮光部と重なり前記第１部分の幅より大きい幅を有する第２部分と、を有し、前記第１共通電極は、前記第２部分と重なる位置において前記第２絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを介して前記第２部分に接し、前記第２部分は、平面視において、円弧状の第１側縁と、前記第１側縁の反対側に位置し円弧状の第２側縁と、を有する、表示装置が提供される。

図１は、本実施形態の表示装置の外観を示す平面図である。 図２は、タッチセンサの一構成例を示す平面図である。 図３は、画素と図２に示したセンサ電極との関係を示す平面図である。 図４は、画素の基本構成及び等価回路を示す図である。 図５は、画素レイアウトの一例を示す平面図である。 図６は、本実施形態の金属配線、及び、金属電極の形状を示す平面図である。 図７は、図６に示したＡ－Ｂ線に沿った表示パネルの断面図である。 図８は、図６に示した金属配線、及び、金属電極と、遮光層との位置関係を示す平面図である。 図９は、半導体層及びドレイン電極の形状を示す平面図である。 図１０は、図９に示したドレイン電極と、遮光層との位置関係を示す平面図である。 図１１は、共通電極及び透明電極の形状を示す平面図である。 図１２は、図１１に示したＣ－Ｄ線に沿った第１基板の断面図である。 図１３は、スペーサの位置を示す平面図である。 図１４は、図１３に示したＥ－Ｆ線に沿った表示パネルの断面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

まず、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰについて詳細に説明する。本実施形態においては、表示装置ＤＳＰが液晶表示装置である場合について説明する。

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの外観を示す平面図である。
一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。

ここでは、Ｘ－Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面図を示している。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、フレキシブルプリント回路基板１と、ＩＣチップ２と、回路基板３と、を備えている。

表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、遮光層ＢＭと、スペーサＳＰ１乃至ＳＰ４と、後述する液晶層ＬＣと、を備えている。また、表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示部ＤＡと、表示部ＤＡを囲む額縁状の非表示部ＮＤＡと、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１と対向している。第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも第２方向Ｙに延出した実装部ＭＡを有している。第１基板ＳＵＢ１は、後述するように複数の薄膜トランジスタを備えた半導体基板であり、アレイ基板と称されることもある。第２基板ＳＵＢ２は、後述するようにカラーフィルタＣＦを備え、カラーフィルタ基板と称されることもある。

シールＳＥは、非表示部ＮＤＡに位置し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。遮光層ＢＭは、非表示部ＮＤＡに位置している。シールＳＥは、平面視で、遮光層ＢＭと重畳する位置に設けられている。図１において、シールＳＥが配置された領域と、遮光層ＢＭが配置された領域とでは、互いに異なる斜線で示し、シールＳＥと遮光層ＢＭとが重畳する領域はクロスハッチングで示している。遮光層ＢＭは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。

スペーサＳＰ１乃至ＳＰ４は、いずれも非表示部ＮＤＡに位置している。スペーサＳＰ１は、表示パネルＰＮＬの最外周に位置している。スペーサＳＰ２は、スペーサＳＰ１よりも表示部ＤＡ側に位置している。スペーサＳＰ１及びＳＰ２は、シールＳＥと重畳している。スペーサＳＰ３及びＳＰ４は、シールＳＥよりも表示部ＤＡ側に位置している。

表示部ＤＡは、遮光層ＢＭによって囲まれた内側に位置している。表示パネルＰＮＬは、表示部ＤＡにおいて、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。

フレキシブルプリント回路基板１は、実装部ＭＡに実装され、回路基板３に接続されている。ＩＣチップ２は、フレキシブルプリント回路基板１に実装されている。なお、ＩＣチップ２は、実装部ＭＡに実装されてもよい。ＩＣチップ２は、画像を表示する表示モードにおいて画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。また、図示した例では、ＩＣチップ２は、表示装置ＤＳＰへの物体の接近又は接触を検出するタッチセンシングモードを制御するタッチコントローラＴＣを内蔵している。図中において、ＩＣチップ２は一点鎖線で示し、ディスプレイドライバＤＤ及びタッチコントローラＴＣは点線で示している。

本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。

また、表示パネルＰＮＬの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルＰＮＬは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モード、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。ここでの基板主面とは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面と平行な面である。

図２は、タッチセンサＴＳの一構成例を示す平面図である。ここでは、自己容量方式のタッチセンサＴＳについて説明するが、タッチセンサＴＳは相互容量方式であってもよい。

タッチセンサＴＳは、マトリクス状に配置された複数のセンサ電極Ｒｘ（Ｒｘ１、Ｒｘ２…）と、複数のセンサ配線Ｌ（Ｌ１、Ｌ２…）と、を備えている。複数のセンサ電極Ｒｘは、表示部ＤＡに位置し、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。１つのセンサ電極Ｒｘは、１つのセンサブロックＢを構成している。センサブロックＢとは、タッチセンシングが可能な最小単位である。複数のセンサ配線Ｌは、表示部ＤＡにおいて、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに並んでいる。センサ配線Ｌの各々は、例えば後述する信号線Ｓと重畳する位置に設けられている。また、センサ配線Ｌの各々は、非表示部ＮＤＡに引き出され、フレキシブルプリント回路基板１を介してＩＣチップ２に電気的に接続されている。

ここで、第１方向Ｘに並んだセンサ配線Ｌ１乃至Ｌ３と、第２方向Ｙに並んだセンサ電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ３との関係に着目する。センサ配線Ｌ１は、センサ電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ３と重畳し、センサ電極Ｒｘ１と電気的に接続されている。

センサ配線Ｌ２は、センサ電極Ｒｘ２及びＲｘ３と重畳し、センサ電極Ｒｘ２と電気的に接続されている。ダミー配線Ｄ２０は、センサ配線Ｌ２から離間している。ダミー配線Ｄ２０は、センサ電極Ｒｘ１と重畳し、センサ電極Ｒｘ１と電気的に接続されている。センサ配線Ｌ２及びダミー配線Ｄ２０は、同一の信号線上に位置している。

センサ配線Ｌ３は、センサ電極Ｒｘ３と重畳し、センサ電極Ｒｘ３と電気的に接続されている。ダミー配線Ｄ３１は、センサ電極Ｒｘ１と重畳し、センサ電極Ｒｘ１と電気的に接続されている。ダミー配線Ｄ３２は、ダミー配線Ｄ３１及びセンサ配線Ｌ３から離間している。ダミー配線Ｄ３２は、センサ電極Ｒｘ２と重畳し、センサ電極Ｒｘ２と電気的に接続されている。センサ配線Ｌ３、ダミー配線Ｄ３１及びＤ３２は、同一の信号線上に位置している。

タッチセンシングモードにおいては、タッチコントローラＴＣは、センサ配線Ｌにタッチ駆動電圧を印加する。これにより、センサ電極Ｒｘにはタッチ駆動電圧が印加され、センサ電極Ｒｘでのセンシングが行われる。センサ電極Ｒｘでのセンシング結果に対応したセンサ信号は、センサ配線Ｌを介してタッチコントローラＴＣに出力される。タッチコントローラＴＣあるいは外部のホストは、センシング信号に基づいて、表示装置ＤＳＰへの物体の接近又は接触の有無及び物体の位置座標を検出する。
なお、表示モードにおいては、センサ電極Ｒｘは、コモン電圧（Ｖｃｏｍ）が印加された共通電極として機能する。コモン電圧は、例えばディスプレイドライバＤＤに含まれる電圧供給部からセンサ配線Ｌを介して印加される。

図３は、画素ＰＸと図２に示したセンサ電極Ｒｘとの関係を示す平面図である。図３において、第２方向Ｙに対して反時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ１と定義し、第２方向Ｙに対して時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ２と定義する。なお、第２方向Ｙと方向Ｄ１とのなす角度θ１は、第２方向Ｙと方向Ｄ２とのなす角度θ２とほぼ同一である。

１つのセンサ電極Ｒｘは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。図示した例では、第２方向Ｙに沿って奇数行目に位置する画素ＰＸは、方向Ｄ１に沿って延出している。また、第２方向Ｙに沿って偶数行目に位置する画素ＰＸは、方向Ｄ２に沿って延出している。なお、ここでの画素ＰＸとは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、副画素と称する場合がある。また、カラー表示を実現するための最小単位を主画素ＭＰと称する場合がある。主画素ＭＰは、互いに異なる色を表示する複数の副画素ＰＸを備えて構成されるものである。一例では、主画素ＭＰは、副画素ＰＸとして、赤色を表示する赤画素、緑色を表示する緑画素、及び、青色を表示する青画素を備えている。また、主画素ＭＰは、白色を表示する白画素を備えていてもよい。
一例では、１つのセンサ電極Ｒｘには、第１方向Ｘに沿って６０～７０個の主画素ＭＰが配置され、第２方向に沿って６０～７０個の主画素ＭＰが配置されている。

図４は、画素ＰＸの基本構成及び等価回路を示す図である。
複数の走査線Ｇは、走査線駆動回路ＧＤに接続されている。複数の信号線Ｓは、信号線駆動回路ＳＤに接続されている。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。例えば、信号線Ｓは、その一部が屈曲していたとしても、第２方向Ｙに延出しているものとする。

共通電極ＣＥは、センサブロックＢ毎にそれぞれ設けられている。共通電極ＣＥは、コモン電圧（Ｖｃｏｍ）の電圧供給部ＣＤに接続され、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。また、共通電極ＣＥは、それぞれ上記の通りタッチコントローラＴＣにも接続され、タッチセンシングモードにおいてタッチ駆動電圧が印加されるセンサ電極Ｒｘを形成している。

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。

図５は、画素レイアウトの一例を示す平面図である。
走査線Ｇ１乃至Ｇ３は、それぞれ第１方向Ｘに沿って直線的に延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。信号線Ｓ１乃至Ｓ３は、それぞれ概ね第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。また、表示パネルＰＮＬは、それぞれ概ね第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んだ金属配線ＭＬ１乃至ＭＬ３を備えている。金属配線ＭＬ１乃至ＭＬ３は、それぞれ信号線Ｓ１乃至Ｓ３と重なって延出している。また、後述するが、金属配線ＭＬ１乃至ＭＬ３は、それぞれ共通電極ＣＥ１及びＣＥ２と接続するために拡張された拡張部分（第２部分ＰＴ２）を有している。

画素電極ＰＥ１及びＰＥ２は、走査線Ｇ１及びＧ２の間に配置されている。画素電極ＰＥ１及びＰＥ２は、第１方向Ｘに沿って並んでいる。画素電極ＰＥ３及びＰＥ４は、走査線Ｇ２及びＧ３の間に配置されている。画素電極ＰＥ３及びＰＥ４は、第１方向Ｘに沿って並んでいる。画素電極ＰＥ１及びＰＥ３は信号線Ｓ１及びＳ２の間に配置され、画素電極ＰＥ２及びＰＥ４は信号線Ｓ２及びＳ３の間に配置されている。

画素電極ＰＥ１及びＰＥ２は、それぞれ方向Ｄ１に沿って延出した帯電極Ｐａ１及びＰａ２を有している。画素電極ＰＥ３及びＰＥ４は、それぞれ方向Ｄ２に沿って延出した帯電極Ｐａ３及びＰａ４を有している。図示した例では、帯電極Ｐａ１乃至Ｐａ４は、３本であるが、２本以下であってもよいし、４本以上であってもよい。

共通電極ＣＥ１は、画素ＰＸ１及びＰＸ２に亘って配置されている。共通電極ＣＥ２は、画素ＰＸ３及びＰＸ４に亘って配置されている。共通電極ＣＥ１及びＣＥ２は、第２方向Ｙに並んでいる。共通電極ＣＥ１及びＣＥ２は、図２に示した１つのセンサ電極Ｒｘに含まれている。共通電極ＣＥ１は、信号線Ｓ１乃至Ｓ３の上に重畳している。画素電極ＰＥ１及びＰＥ２は、共通電極ＣＥ１の上に重畳している。共通電極ＣＥ２は、信号線Ｓ１乃至Ｓ３の上に重畳している。画素電極ＰＥ３及びＰＥ４は、共通電極ＣＥ２の上に重畳している。図示した例では、走査線Ｇ２は、共通電極ＣＥ１及びＣＥ２の間に位置している。

また、共通電極ＣＥ１は、スリットＳＬ１を有し、共通電極ＣＥ２は、スリットＳＬ２を有している。スリットＳＬ１及びＳＬ２は、主画素ＭＰと主画素ＭＰとの境界に位置している。すなわち、共通電極ＣＥ１は、１つの主画素ＭＰに重なる部分ＣＥ１ａがスリットＳＬ１によって区切られている。同様に、共通電極ＣＥ２は、１つの主画素ＭＰに重なる部分ＣＥ２ａがスリットＳＬ２によって区切られている。部分ＣＥ１ａは、互いにコネクト部ＣＮによって繋がっている。同様に、部分ＣＥ２ａは、互いにコネクト部ＣＮによって繋がっている。共通電極ＣＥ１及びＣＥ２のコネクト部ＣＮは、図示した例では、信号線Ｓ１及び金属配線ＭＬ１と重なっている。また、後述するが、共通電極ＣＥ１及びＣＥ２は、それぞれ第２方向Ｙに突出した複数の突出部ＰＲを有している。突出部ＰＲは、金属配線ＭＬ１及びＭＬ２の拡張部分（第２部分ＰＴ）と重なっている。

また、共通電極ＣＥは、共通電極ＣＥ１と共通電極ＣＥ２との間に位置するブリッジ部ＢＲを有している。図示した例では、ブリッジ部ＢＲは、信号線Ｓ３及び金属配線ＭＬ３に重畳している。ブリッジ部ＢＲは、共通電極ＣＥ１及び共通電極ＣＥ２と一体的に形成され、共通電極ＣＥ１及び共通電極ＣＥ２を電気的に接続している。ブリッジ部ＢＲは、共通電極ＣＥ１及び共通電極ＣＥ２と同様にセンサ電極Ｒｘに含まれている。

図６は、本実施形態の金属配線ＭＬ１及びＭＬ２、及び、金属電極ＭＥの形状を示す平面図である。
金属配線ＭＬ１及びＭＬ２は、第２方向Ｙに延出した第１部分と、第１部分ＰＴ１の幅Ｗ１１より大きい幅Ｗ１２を有する第２部分ＰＴ２と、を有している。第２部分ＰＴ２は、後述する絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールＣＨ１と重なっている。第２部分ＰＴ２は、コンタクトホールＣＨ１を介して共通電極と接続されている。第２部分ＰＴ２は、平面視において、円弧状の第１側縁ＥＧ１と、第１側縁ＥＧ１の反対側に位置し円弧状の第２側縁ＥＧ２と、を有している。また、図６の枠Ａの内側に示すように、第２部分ＰＴ２の形状を点線で規定すると、第２部分ＰＴ２は、円形状に形成されている。なお、第２部分ＰＴ２は、４辺より大きい多角形状に形成されていても良い。多角形状を構成する辺のうち、何辺かは曲線であっても良い。また、図６の枠Ｂの内側に示すように、第２部分ＰＴ２は、第１部分ＰＴ１の外形から突出した凸部Ｔ１及びＴ２を有しているとみなすことができる。図示した例では、凸部Ｔ１及びＴ２は半円状であるが、４辺より大きい多角形状であっても良い。

第２部分ＰＴ２は、金属電極ＭＥとの間に寄生容量が生じるのを抑制するために、金属電極ＭＥから所定距離Ｌ１及びＬ２だけ離間して位置している。第２部分ＰＴ２を円形状もしくは４辺より多い多角形状に形成することによって、第２部分ＰＴ２が矩形状である場合と比較して、第２部分ＰＴ２をより走査線Ｇ２側に近づけて配置することができる。その場合にも、第２部分ＰＴ２と金属電極ＭＥとの間の所定距離Ｌ１及びＬ２を維持することができる。

表示パネルＰＮＬは、金属配線ＭＬ１と金属配線ＭＬ２との間に位置し、島状に形成された金属電極ＭＥを備えている。金属電極ＭＥは、金属配線ＭＬ１及びＭＬ２と同一材料によって形成されている。金属電極ＭＥは、ｎを４より大きい整数とすると、ｎ角形状に形成されている。なお、多角形状を構成する辺のうち、何辺かは曲線であっても良い。また、金属電極ＭＥは、楕円形状に形成されていても良い。金属電極ＭＥを４辺より大きい多角形状もしくは楕円形状に形成することによって、所定距離Ｌ１及びＬ２を維持した状態で第２部分ＰＴ２をさらに走査線Ｇ２に近づけて配置することができる。

金属電極ＭＥは、辺Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５、Ｅ６を有している。図示した例では、辺Ｅ１及びＥ４は、第１方向Ｘに延出し、辺Ｅ１は辺Ｅ４より短く形成されている。また、金属電極ＭＥは、後述する絶縁膜１４に形成されたコンタクトホールＣＨ２と重なっている。金属電極ＭＥは、コンタクトホールＣＨ２を介して島状のドレイン電極と接続されている。また、金属電極ＭＥは、後述する絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールＣＨ３と重なっている。金属電極ＭＥは、コンタクトホールＣＨ３を介して島状の透明電極と接続されている。

図７は、図６に示したＡ－Ｂ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。
第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、絶縁膜１１乃至１６、信号線Ｓ１及びＳ２、金属配線ＭＬ１及びＭＬ２、共通電極ＣＥ１、画素電極ＰＥ１、配向膜ＡＬ１を備えている。

絶縁基板１０は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの光透過性を有する基板である。絶縁膜１１は、絶縁基板１０の上に位置している。絶縁膜１２は、絶縁膜１１の上に位置している。絶縁膜１３は、絶縁膜１２の上に位置している。

信号線Ｓ１及びＳ２は、絶縁膜１３の上に位置している。信号線Ｓ１及びＳ２は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、信号線Ｓ１及びＳ２は、チタン（Ｔｉ）を含む第１層、アルミニウム（Ａｌ）を含む第２層、及び、チタン（Ｔｉ）を含む第３層がこの順に積層された積層体である。

絶縁膜（第１有機絶縁膜、第１絶縁膜）１４は、信号線Ｓ１及びＳ２を覆っている。絶縁膜１４は、第１面ＳＦ１と、第１面ＳＦ１の反対側の第２面ＳＦ２と、を有している。金属配線ＭＬ１及びＭＬ２は、絶縁膜１４の第２面ＳＦ２上に配置されている。絶縁膜（第２絶縁膜）１５は、金属配線ＭＬ１及びＭＬ２を覆っている。すなわち、金属配線ＭＬ１及びＭＬ２は、絶縁膜１４と絶縁膜１５との間に位置している。金属配線ＭＬ１及びＭＬ２は、上記の金属材料や、上記の金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、金属配線ＭＬ１及びＭＬ２は、チタン（Ｔｉ）を含む第１層、アルミニウム（Ａｌ）を含む第２層、及び、チタン（Ｔｉ）を含む第３層がこの順に積層された積層体、あるいは、モリブデン（Ｍｏ）を含む第１層、アルミニウム（Ａｌ）を含む第２層、及び、モリブデン（Ｍｏ）を含む第３層がこの順に積層された積層体である。絶縁膜１５は、絶縁膜１６と絶縁膜１４の第２面ＳＦ２との間に設けられている。

共通電極ＣＥ１は、絶縁膜１５の上に位置している。共通電極ＣＥ１は、絶縁膜１５と絶縁膜１６との間に設けられている。共通電極ＣＥ１は、金属配線ＭＬ２の第２部分ＰＴ２と重なる位置において絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールＣＨ１を介して第２部分ＰＴ２に接している。共通電極ＣＥ１は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成された透明電極である。絶縁膜１６は、共通電極ＣＥ１を覆っている。なお、図示した例では、共通電極ＣＥ１は、金属配線ＭＬ２に接続されているが、共通電極ＣＥ１は、金属配線ＭＬ１に接続されていても良いし、金属配線ＭＬ１及びＭＬ２の両方に接続されていても良い。

画素電極ＰＥ１は、絶縁膜１６の上に位置し、配向膜ＡＬ１によって覆われている。すなわち、画素電極ＰＥ１は、絶縁膜１６と配向膜ＡＬ１との間に設けられている。画素電極ＰＥ１は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成された透明電極である。配向膜ＡＬ１は、絶縁膜１６も覆っている。

絶縁膜１１乃至１３、及び、絶縁膜１６は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁材料によって形成された無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁膜１４及び１５は、例えば、アクリル樹脂などの有機絶縁材料によって形成された有機絶縁膜である。

第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、配向膜ＡＬ２を備えている。

絶縁基板２０は、絶縁基板１０と同様に、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。カラーフィルタＣＦは、赤色のカラーフィルタＣＦＲ、緑色のカラーフィルタＣＦＧ、青色のカラーフィルタＣＦＢを有している。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂によって形成されている。配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２は、例えば、水平配向性を呈する材料によって形成されている。

上述した第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、所定のセルギャップが形成された状態でシールによって接着されている。液晶層ＬＣは、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間に保持されている。液晶層ＬＣは、液晶分子ＬＭを備えている。液晶層ＬＣは、ポジ型（誘電率異方性が正）の液晶材料、あるいは、ネガ型（誘電率異方性が負）の液晶材料によって構成されている。

偏光板ＰＬ１を含む光学素子ＯＤ１は、絶縁基板１０に接着されている。偏光板ＰＬ２を含む光学素子ＯＤ２は、絶縁基板２０に接着されている。なお、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。

このような表示パネルＰＮＬにおいては、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ＩＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された光は、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子ＬＭは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明装置ＩＬからの光の一部は、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２を透過し、明表示となる。

図８は、図６に示した金属配線ＭＬ１及びＭＬ２、及び、金属電極ＭＥと、遮光層ＢＭとの位置関係を示す平面図である。
遮光層ＢＭは、走査線Ｇ２と重なって第１方向Ｘに延出した第１遮光部ＢＭ１と、信号線Ｓ１及びＳ２と重なって第２方向Ｙに延出した第２遮光部ＢＭ２と、を有している。第１遮光部ＢＭ１の第２方向Ｙに沿った幅Ｗ２１は、第２遮光部ＢＭ２の第１方向Ｘに沿った幅Ｗ２２より大きい。第１遮光部ＢＭ１及び第２遮光部ＢＭ２で囲まれた領域は、画素ＰＸの開口部ＯＰに相当する。第１部分ＰＴ１は、第２遮光部ＢＭ２と重なって第２方向Ｙに延出している。図示した例では、第１部分ＰＴ１の一部は、第１遮光部ＢＭ１とも重なっている。また、第２部分ＰＴ２は、第１遮光部ＢＭ１と重なっている。図示した例では、第２部分ＰＴ２の一部は、第２遮光部ＢＭ２とも重なっている。金属電極ＭＥは、第１遮光部ＢＭ１と重なっている。

第２部分ＰＴ２の形状は、第１方向Ｘに対して角度θ１１の接線ＬＮ１、第１方向Ｘに対して角度θ１２の接線ＬＮ２、第１方向Ｘに対して角度θ１３の接線ＬＮ３に追従した形状となっても良い。角度θ１１及びθ１２は６５度以上、角度θ１３は７０度以上である。また、金属電極ＭＥの辺Ｅ３の第１方向Ｘに対する角度θ２１と、辺Ｅ５の第１方向Ｘに対する角度θ２２は、偏光解消が生じるのを抑制するために６５～７５度以上であることが望ましい。辺Ｅ３及び辺Ｅ５が走査線Ｇ２に対して傾斜していることで金属電極ＭＥの面積を低減させることができ、金属電極ＭＥと走査線Ｇ２との間の寄生容量を低減することができる。

例えば、第２部分ＰＴ２が矩形状であった場合、所定距離Ｌ１及びＬ２を確保するため、第２部分ＰＴ２が第２遮光部ＢＭ２の下に配置されるが、画素ＰＸの開口部ＯＰに第２部分ＰＴ２が重なってしまい、開口率を低下させる場合がある。また、第２部分ＰＴ２が矩形状である場合には、金属電極ＭＥとの間の寄生容量が増加し、歩留まりが低下する恐れがある。

本実施形態によれば、第２部分ＰＴ２の外形は円弧状に形成されている。もしくは、第２部分ＰＴ２は、円形状又は４辺より大きい多角形状に形成されている。そのため、所定距離Ｌ１及びＬ２を維持した状態で第２部分ＰＴ２を走査線Ｇ２に近づけることができ、第２部分ＰＴ２を第１遮光部ＢＭ１と重なる位置に配置することができる。したがって、上記した開口率の低下を抑制することができる。また、第２部分ＰＴ２の形状を円形状又は４辺より大きい多角形状に形成することによって、偏光解消する場合があるが、第２部分ＰＴ２は第１遮光部ＢＭ１と重なるため、表示のコントラスト低下を抑制することができる。また、寄生容量の発生による歩留り低下を抑制することができる。

なお、図６に示したように、絶縁膜１５のコンタクトホールＣＨ１は、全ての第２部分ＰＴ２と重なる位置に形成されていなくても良い。また、第２部分ＰＴ２は、共通電極と接続されない箇所においては形成されていなくても良い。

図９は、半導体層ＳＣ及びドレイン電極ＤＥの形状を示す平面図である。
表示パネルＰＮＬは、信号線Ｓ１及びＳ２と同一材料によって形成された島状のドレイン電極ＤＥを備えている。ドレイン電極ＤＥは、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間に配置されている。ドレイン電極ＤＥは、スイッチング素子ＳＷに備えられている。なお、スイッチング素子ＳＷにおいて、ドレイン電極ＤＥはソース電極と称される場合がある。ドレイン電極ＤＥは、金属電極ＭＥと平面視において重なっている。

半導体層ＳＣは、その一部分が信号線Ｓ２と重なるように配置され、他の部分が信号線Ｓ１及びＳ２の間に延出し、略Ｕ字状に形成されている。半導体層ＳＣは、信号線Ｓ２と重なる位置において走査線Ｇ２と交差し、信号線Ｓ１とＳ２との間においても走査線Ｇ２と交差している。走査線Ｇ２において、半導体層ＳＣと重畳する領域がそれぞれゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２として機能する。すなわち、図示した例のスイッチング素子ＳＷは、ダブルゲート構造を有している。半導体層ＳＣは、その一端部ＳＣＡにおいてコンタクトホールＣＨ１１を通じて信号線Ｓ２と電気的に接続され、また、その他端部ＳＣＢにおいてコンタクトホールＣＨ１２を通じてドレイン電極ＤＥと電気的に接続されている。表示パネルＰＮＬは、ゲート電極ＧＥ２に重なった遮光膜ＬＳを備えている。遮光膜ＬＳは、金属電極ＭＥの一部、ドレイン電極ＤＥの一部にも重なっている。

図１０は、図９に示したドレイン電極ＤＥと、遮光層ＢＭとの位置関係を示す平面図である。
ドレイン電極ＤＥは、第１遮光部ＢＭ１と重なっている。ドレイン電極ＤＥは、平面視で走査線Ｇ２と対向する円弧状の側縁ＤＥＥ（第３側縁）を有している。ドレイン電極ＤＥが円弧状の側縁ＤＥＥを有することで、ドレイン電極ＤＥと走査線Ｇ２との間の距離Ｌ３を部分的に拡大することができる。このため、ドレイン電極ＤＥと走査線Ｇ２との間の寄生容量を低減することができる。したがって、寄生容量の発生による歩留り低下を抑制することができる。また、金属電極ＭＥは、側縁ＤＥＥを覆っている。側縁ＤＥＥを円弧状に形成することによって偏光解消する場合があり、側縁ＤＥＥは第１遮光部ＢＭ１と重なっているが、第３方向Ｚに対して傾斜した視野角からコントラスト低下が視認される恐れがある。図示した例では、遮光層ＢＭより下層に位置する金属電極ＭＥが側縁ＤＥＥと重なるため、偏光解消によるコントラスト低下が傾斜した視野角から視認されるのを抑制することができる。

図１１は、共通電極ＣＥ１及びＣＥ２、及び、透明電極ＴＥの形状を示す平面図である。
透明電極ＴＥは、平面視において金属電極ＭＥと重なり、島状に形成されている。図示した例では、透明電極ＴＥは、楕円形状（非矩形状）である。なお、透明電極ＴＥは、４辺より大きい多角形状であっても良い。多角形状を構成する辺のうち、何辺かは曲線であっても良い。透明電極ＴＥは、共通電極ＣＥ１と同一材料によって形成されている。透明電極ＴＥは、絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールＣＨ３と重なっている。透明電極ＴＥは、コンタクトホールＣＨ３を介して金属電極ＭＥと接続されている。また、透明電極ＴＥは、絶縁膜１６に形成されたコンタクトホールＣＨ４と重なっている。透明電極ＴＥは、コンタクトホールＣＨ４を介して画素電極と接続されている。このように、透明電極ＴＥはコンタクトホールＣＨ３及びＣＨ４と重なり、第２方向Ｙよりも第１方向Ｘに長い形状となっている。すなわち、透明電極ＴＥは、平面視において、コンタクトホールＣＨ３及びＣＨ４を配置するための領域を維持した状態で略楕円形状（非矩形状）、もしくはｎを４より大きい整数として、ｎ角形状に形成されている。

透明電極ＴＥが楕円形状もしくは４辺より大きい多角形状に形成されることによって、透明電極ＴＥと共通電極ＣＥ１との間の距離Ｌ４、透明電極ＴＥと共通電極ＣＥ２との間の距離Ｌ５を拡大することができる。このため、透明電極ＴＥと共通電極ＣＥ１との間の寄生容量、及び、透明電極ＴＥと共通電極ＣＥ２との間の寄生容量を低減することができる。さらに、ブリッジ部ＢＲの隣に位置する透明電極ＴＥについては、透明電極ＴＥとブリッジ部ＢＲとの間の寄生容量を低減することができる。また、これらの寄生容量の発生による歩留り低下を抑制することができる。

金属電極ＭＥは、平面視において、共通電極ＣＥ１と共通電極ＣＥ２との間に位置している。共通電極ＣＥ１は、共通電極ＣＥ２側へ突出した突出部ＰＲを有している。突出部ＰＲは、第２部分ＰＴ２と重なっている。また、突出部ＰＲは、金属配線ＭＬ２の第２部分ＰＴ２と重なる位置でコンタクトホールＣＨ１と重なっている。突出部ＰＲは、コンタクトホールＣＨ１を介して第２部分ＰＴ２と接続されている。なお、共通電極ＣＥ１及び金属配線ＭＬが接続しない箇所においては、突出部ＰＲが形成されていなくても良い。

図１２は、図１１に示したＣ－Ｄ線に沿った第１基板ＳＵＢ１の断面図である。
遮光膜ＬＳは、絶縁基板１０の上に形成され、絶縁膜１１によって覆われている。絶縁膜１４の第１面ＳＦ１は、スイッチング素子ＳＷを覆っている。半導体層ＳＣは、絶縁膜１１の上に位置し、絶縁膜１２によって覆われている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されていてもよい。

走査線Ｇ２の一部であるゲート電極ＧＥ２は、絶縁膜１２の上に位置し、絶縁膜１３によって覆われている。ゲート電極ＧＥ２は、スイッチング素子ＳＷに備えられている。走査線Ｇ２は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、走査線Ｇ２は、モリブデン－タングステン合金によって形成されている。

ドレイン電極ＤＥは、絶縁膜１３の上に位置し、絶縁膜１４によって覆われている。ドレイン電極ＤＥは、絶縁膜１４の第１面ＳＦ１に接している。ドレイン電極は、絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールＣＨ１２を介して半導体層ＳＣに接している。金属電極ＭＥは、絶縁膜１４の第２面ＳＦ２上に配置され、絶縁膜１５によって覆われている。すなわち、金属電極ＭＥは、絶縁膜１４と絶縁膜１５との間に位置している。金属電極ＭＥは、絶縁膜１４に形成されたコンタクトホールＣＨ２において、ドレイン電極ＤＥに接している。透明電極ＴＥは、絶縁膜１５の上に配置され、絶縁膜１６によって覆われている。絶縁膜１６は、絶縁膜１４及び絶縁膜１５の上に位置している。透明電極ＴＥは、絶縁膜１４と絶縁膜１６との間に位置している。また、透明電極ＴＥは、絶縁膜１５と絶縁膜１６との間に位置している。透明電極ＴＥは、絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールＣＨ３において、金属電極ＭＥに接している。画素電極ＰＥは、絶縁膜１６の上に位置している。画素電極ＰＥは、絶縁膜１６に形成されたコンタクトホールＣＨ４において、透明電極ＴＥに接している。ドレイン電極ＤＥ、金属電極ＭＥ、透明電極ＴＥは、第３方向Ｚに重なっている。

図１３は、スペーサＳＰの位置を示す平面図である。図１３に示す構成は、図１１に示した構成と比較して、スペーサＳＰが金属配線ＭＬ１の第２部分ＰＴ２と重なる位置に配置されている点で相異している。
スペーサＳＰは、共通電極ＣＥ１の突出部ＰＲとも重なっている。なお、スペーサＳＰは、コンタクトホールＣＨ１と重なる位置には配置されない。

図１４は、図１３に示したＥ－Ｆ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。図１４に示す構成は、図７に示した構成と比較して、スペーサＳＰが配置されている点で相違している。
スペーサＳＰは、図示した例では、第２基板ＳＵＢ２に備えられている。スペーサＳＰは、第１基板ＳＵＢ１側に突出し、第１基板ＳＵＢ１に当接している。なお、スペーサＳＰは、第１基板ＳＵＢ１に接していなくても良い。このように、金属配線ＭＬの第２部分ＰＴ２と重なる位置であって、絶縁膜１５にコンタクトホールＣＨ１が形成されていない部分にはスペーサＳＰが配置されても良い。

以上説明したように、本実施形態によれば、画素の開口率を向上することが可能な表示装置を得ることができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、複数の薄膜トランジスタを備えた半導体基板に用いられ、表示装置を例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…表示装置、Ｇ…走査線、Ｓ…信号線、Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向、
１４、１５…絶縁膜、ＭＬ…金属配線、ＰＴ１…第１部分、ＰＴ２…第２部分、
Ｗ１１、Ｗ１２、Ｗ２１、Ｗ２２…幅、ＭＥ…金属電極、ＣＥ…共通電極、
ＢＭ…遮光層、ＢＭ１…第１遮光部、ＢＭ２…第２遮光部、ＣＨ…コンタクトホール、
ＥＧ１…第１側縁、ＥＧ２…第２側縁、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＥＥ…側縁、
ＴＥ…透明電極、ＰＲ…突出部。

Claims (15)

1. スイッチング素子と、
   前記スイッチング素子を覆う第１有機絶縁膜と、
   第１方向に並び前記第１方向と交差する第２方向に延出した第１金属配線と第２金属配線と、
   前記第１金属配線と前記第２金属配線との間に位置する島状の金属電極と、を備え、
   前記第１有機絶縁膜は、第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、
   前記スイッチング素子は、前記第１面によって覆われ、
   前記第１金属配線、前記第２金属配線、及び、前記金属電極は、前記第２面側に位置し、
   前記第１金属配線は、前記第２方向に延出した第１部分と、前記第１部分の幅より大きい幅を有する第２部分と、を有し、
   前記第２部分は、平面視において、円弧状の第１側縁と、前記第１側縁の反対側に位置し円弧状の第２側縁と、を有し、
   前記金属電極は、ｎ角形状もしくは楕円形状であり、ｎは４より大きい、半導体基板。
2. さらに、前記第１方向に延出した走査線を備え、
   前記スイッチング素子は、ドレイン電極と、前記走査線の一部であるゲート電極と、を備え、
   前記ドレイン電極は、前記第１有機絶縁膜の前記第１面に接し、
   前記金属電極は、前記第１有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続され、
   前記ドレイン電極は、平面視で前記走査線と対向する円弧状の第３側縁を有する、請求項１に記載の半導体基板。
3. さらに、前記第１有機絶縁膜の上に位置する無機絶縁膜と、前記第１有機絶縁膜と前記無機絶縁膜との間に位置する島状の透明電極と、を有し、
   前記透明電極は、前記金属電極に接続され、
   平面視において、前記透明電極はｎ角形状もしくは楕円形状であり、ｎは４より大きい、請求項２に記載の半導体基板。
4. さらに、前記無機絶縁膜を覆う配向膜と、前記無機絶縁膜と前記配向膜との間に設けられた画素電極と、を備え、
   前記画素電極は、前記無機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記透明電極に接続されている、請求項３に記載の半導体基板。
5. さらに、前記無機絶縁膜と前記第１有機絶縁膜の前記第２面との間に設けられた第２有機絶縁膜を備え、
   前記透明電極は、前記第２有機絶縁膜と前記無機絶縁膜との間に設けられ、
   前記透明電極は、前記第２有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し前記金属電極に接続される、請求項４に記載の半導体基板。
6. 前記ドレイン電極、前記金属電極及び前記透明電極は、平面視において互いに重なる、請求項３に記載の半導体基板。
7. さらに、前記第２有機絶縁膜と前記無機絶縁膜との間に設けられた共通電極を備え、
   前記共通電極は、前記画素電極に重なり、
   前記共通電極は、前記第２有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記第１金属配線もしくは前記第２金属配線に接続される、請求項５に記載の半導体基板。
8. 前記共通電極は、センサ電極である、請求項７に記載の半導体基板。
9. 第１方向に延出した走査線と、
   前記第１方向と交差する第２方向に延出した信号線と、
   前記信号線を覆う第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜の上に配置され前記信号線と重なって延出する第１金属配線と、
   前記第１絶縁膜の上に配置され前記第１金属配線と同一材料によって形成された島状の金属電極と、
   前記第１金属配線及び前記金属電極を覆う第２絶縁膜と、
   前記第２絶縁膜の上に位置する第１共通電極と、
   前記走査線と重なって前記第１方向に延出した第１遮光部と、前記信号線と重なって前記第２方向に延出した第２遮光部と、を有する遮光層と、を備え、
   前記第１金属配線は、前記第２遮光部と重なって前記第２方向に延出した第１部分と、前記第１遮光部と重なり前記第１部分の幅より大きい幅を有する第２部分と、を有し、
   前記第１共通電極は、前記第２部分と重なる位置において前記第２絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを介して前記第２部分に接し、
   前記第２部分は、平面視において、円弧状の第１側縁と、前記第１側縁の反対側に位置し円弧状の第２側縁と、を有し、
   前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、有機絶縁材料によって形成される、表示装置。
10. 前記第１遮光部の前記第２方向に沿った幅は、前記第２遮光部の前記第１方向に沿った幅より大きい、請求項９に記載の表示装置。
11. さらに、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に位置し前記第２方向に延出した第２金属配線を備え、
    前記金属電極は、前記第１金属配線と前記第２金属配線との間に位置し、前記第１遮光部と重なり、４辺より大きい多角形状もしくは楕円形状である、請求項９又は１０に記載の表示装置。
12. さらに、前記第１遮光部と重なり、前記信号線と同一材料によって形成された島状のドレイン電極を備え、
    前記金属電極は、前記第１絶縁膜に形成された第２コンタクトホールにおいて、前記ドレイン電極に接し、
    前記ドレイン電極は、平面視で前記走査線と対向する円弧状の第３側縁を有する、請求項９乃至１１の何れか１項に記載の表示装置。
13. 前記金属電極は、前記第３側縁を覆っている、請求項１２に記載の表示装置。
14. さらに、前記第２絶縁膜の上に位置し、前記金属電極と重なる島状の透明電極を備え、
    前記透明電極は、前記第２絶縁膜に形成された第３コンタクトホールにおいて、前記金属電極に接し、楕円形状もしくは４辺より大きい多角形状である、請求項９乃至１３の何れか１項に記載の表示装置。
15. さらに、前記第１共通電極の前記第２方向に並んで配置された第２共通電極を備え、
    前記金属電極は、平面視において、前記第１共通電極と前記第２共通電極との間に位置し、
    前記第１共通電極は、前記第２共通電極側へ突出した突出部を有し、
    前記突出部は、前記第１金属配線の前記第２部分と重なる、請求項９乃至１４の何れか１項に記載の表示装置。
    

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