JP7390779B2 - フレキシブル配線回路基板および撮像装置 - Google Patents
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Description
1.撮像素子実装基板
本発明のフレキシブル配線回路基板の一実施形態である撮像素子実装基板1(以下、単に実装基板1とも略する。)を説明する。
実装基板1は、図3A~図4Fに示すように、例えば、金属支持体用意工程、ベース絶縁層形成工程、導体パターン形成工程、第1カバー絶縁層形成工程、シールド層形成工程、第2カバー絶縁層形成工程、および、金属支持体除去工程を順に実施することにより得られる。
次に、図5を参照して、実装基板1を備える撮像装置20を説明する。
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図3Aに示すように、厚み18μmのステンレスを材料とする金属支持体19を用意した。
第1バリア層42Aおよび第2バリア層42Bのそれぞれを、チタンを材料とする厚み0.03μmの薄膜(スパッタ膜)に変更した以外は、実施例1と同様にして、実装基板1を得た。
第2バリア層42Bを、ニッケルを材料とする厚み0.08μmの薄膜(スパッタ膜)に変更した以外は、実施例1と同様にして、実装基板1を得た。
第1バリア層42Aおよび第2バリア層42Bのそれぞれを、ステンレス鋼(SUS)を材料とする厚み0.05μmの薄膜(スパッタ膜)に変更した以外は、実施例1と同様にして、実装基板1を得た。
第1バリア層42Aおよび第2バリア層42Bのそれぞれを形成しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、実装基板1を得た。つまり、導電層41を、第1カバー絶縁層6の上面と、グランド開口部16から露出するグランド配線15の上面とに形成し、第2カバー絶縁層31を、導電層41の上面に形成した。
各実施例および各比較例の実装基板1について、以下の項目を評価した。その結果を表1に記載する。
各実施例および各比較例の実装基板1におけるシールド層40のシールド特性をKEC法により測定した。そして、シールド特性を下記の基準で評価した。
○:-40db以下(1GHz)
△:-40db超過-30db以下(1GHz)
×:-30db超過(1GHz)
<密着性>
各実施例および各比較例の実装基板1におけるシールド層40の密着性を、JIS K-5600-5-6(クロスカット法)に準拠して測定した。具体的には、所定の切り込み工具およびスペーサを用いて、第2カバー絶縁層31に格子パターンが形成されるように切り込み(縦6本×横6本)を設けた後、長さが約75mmの付着テープを、第2カバー絶縁層31における格子にカットした部分に貼り付けた。次いで、付着テープを通して第2カバー絶縁層31が透けて見えるように、付着テープを指でしっかりとこすり、付着テープと第2カバー絶縁層31とを正しく接触させた。その後、付着テープを付着して5分以内に、付着テープの折れ曲り角度が60°に近い角度(剥離角度約120°)で0.5秒から1.0秒で、付着テープを第2カバー絶縁層31から確実に引き離した。その後、試験部分を、JIS K-5600-5-6の8.3における表1に示される図例と比較して、6段階(0~5)に分類した。そして、密着性を下記の基準で評価した。
○:分類0(剥離なし)
△:分類1-2
×:分類3-5
4 ベース絶縁層
6 第1カバー絶縁層
9 配線
20 撮像装置
21 撮像素子
31 第2カバー絶縁層
40 シールド層
41 導電層
42 バリア層
50 実装基板
51 第3カバー絶縁層
54 第2配線
Claims (7)
- 第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の厚み方向一方側に配置される配線と、
前記配線の厚み方向一方側に配置される第2絶縁層と、
前記第2絶縁層の厚み方向一方側に配置されるシールド層と、
前記シールド層の厚み方向一方側に配置される第3絶縁層と、を備え、
前記シールド層は、
導電層と、
前記導電層を前記厚み方向に挟む2つのバリア層と、を備え、
前記導電層は、周期表第11族、かつ、第4周期および第5周期に属する金属から選択され、
前記バリア層は、周期表第4族~第10族、かつ、第4周期~第6周期に属する金属から選択され、
前記配線は、前記第1絶縁層と直接接触し、
前記第2絶縁層は、前記配線と直接接触し、
前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層は、前記第2絶縁層と直接接触し、
前記導電層は、前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層と直接接触し、
前記導電層に対して前記厚み方向の一方側に位置するバリア層は、前記導電層と直接接触し、
前記第3絶縁層は、前記導電層に対して前記厚み方向の一方側に位置するバリア層と直接接触し、
前記導電層の厚みが、0.05μm以上、0.3μm以下であり、
前記シールド層は、前記第2絶縁層の厚み方向一方面全体に接触することを特徴とする、フレキシブル配線回路基板。 - 前記第2絶縁層および前記第3絶縁層のそれぞれの材料は、ポリイミドであることを特徴とする、請求項1に記載のフレキシブル配線回路基板。
- 前記バリア層は、チタン、クロム、ニッケル、パラジウムおよびタンタルからなる群から選択される1種の金属であることを特徴とする、請求項2に記載のフレキシブル配線回路基板。
- 前記配線は、グランド配線を含み、
前記シールド層は、前記バリア層が前記グランド配線と接触することにより、前記グランド配線と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板。 - 第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の厚み方向一方側に配置される配線と、
前記配線の厚み方向一方側に配置される第2絶縁層と、
前記第2絶縁層の厚み方向一方側に配置されるシールド層と、
前記シールド層の厚み方向一方側に配置される第3絶縁層と、を備え、
前記シールド層は、
導電層と、
前記導電層を前記厚み方向に挟む2つのバリア層と、を備え、
前記厚み方向において、前記配線と前記第2絶縁層との間に配置される第4絶縁層および第2配線をさらに備え、
前記導電層は、周期表第11族、かつ、第4周期および第5周期に属する金属から選択され、
前記バリア層は、周期表第4族~第10族、かつ、第4周期~第6周期に属する金属から選択され、
前記配線は、前記第1絶縁層と直接接触し、
前記第4絶縁層は、前記配線と直接接触し、
前記第2配線は、前記第4絶縁層と直接接触し、
前記第2絶縁層は、前記2配線と直接接触し、
前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層は、前記第2配線および前記第2絶縁層と直接接触し、
前記導電層は、前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層と直接接触し、
前記導電層に対して前記厚み方向の一方側に位置するバリア層は、前記第3絶縁層と直接接触し、
前記導電層の厚みが、0.05μm以上、0.3μm以下であり、
前記シールド層は、前記第2絶縁層の厚み方向一方面全体に接触することを特徴とする、フレキシブル配線回路基板。 - 撮像素子を実装するための撮像素子実装基板であることを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板。
- 請求項1~5のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板と、
前記フレキシブル配線回路基板に実装される撮像素子と、を備えることを特徴とする、撮像装置。
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