JP7390389B2 - Ｓａｗモジュールを備えた香味吸引器具およびｓａｗモジュールを備えた香味吸引器具の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、ＳＡＷモジュール、香味吸引器具およびＳＡＷモジュールの製造方法に関する。
従来、櫛形電極対によって構成されるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）を有する圧電素子基板を用いて表面弾性波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を発生させることによって液体を霧化するＳＡＷモジュールが知られている（例えば、特許文献１～２参照）。
また、このようなＳＡＷモジュールを香味吸引器具に用いる技術も提案されている（例えば、特許文献３参照）。さらに、ＩＤＴの表面に絶縁性のコーティング層を形成する技術も提案されている（例えば、特許文献４参照）。
特開２０１２－２４６４６号公報 特表２０１６－５１３９９２号公報 米国特許２０１７／０２８０７７１号明細書 特開平１１－１１４４６７号公報
第１の特徴は、ＳＡＷモジュールであって、圧電体を含む圧電素子基板と、圧電素子基板の表面上に設けられ、櫛形電極対によって構成されるＩＤＴと、圧電素子基板およびＩＤＴを被覆するコーティング層と、を備え、コーティング層は、圧電素子基板の表面、圧電素子基板の端面、および圧電素子基板の表面と圧電素子基板の端面との間の角部に設けられていることを要旨とする。
第２の特徴は、第１の特徴において、コーティング層は、圧電素子基板の表面において、６００ｎｍ～１４００ｎｍの厚みを有することを要旨とする。
第３の特徴は、第１の特徴または第２の特徴において、コーティング層は、圧電素子基板の端面において、６００ｎｍ以上であって、かつ圧電素子基板の表面におけるコーティング層の厚みの５０％以上の厚みを有することを要旨とする。
第４の特徴は、第１の特徴から第３の特徴のいずれかにおいて、コーティング層は、圧電素子基板の表面と圧電素子基板の端面との間の角部において、６００ｎｍ以上であって、かつ圧電素子基板の表面におけるコーティング層の厚みの５０％以上の厚みを有することを要旨とする。
第５の特徴は、第１の特徴から第４の特徴のいずれかにおいて、コーティング層は、ＳｉＯ２およびＳｉＮのいずれかを含むことを要旨とする。
第６の特徴は、第１の特徴から第５の特徴のいずれかのＳＡＷモジュールを備えた香味吸引器具であることを要旨とする。
第７の特徴は、ＳＡＷモジュールの製造方法であって、圧電体を含む圧電素子基板のウエハの表面に、櫛形電極対によって構成されるＩＤＴを複数形成する工程と、ウエハをモジュール単位に切断する工程と、切断された圧電素子基板およびＩＤＴを被覆するコーティング層を形成する工程と、を有し、コーティング層を形成する工程では、圧電素子基板の表面、圧電素子基板の端面、および圧電素子基板の表面と圧電素子基板の端面との間の角部にコーティング層を形成することを要旨とする。
第８の特徴は、第７の特徴において、コーティング層を形成する工程では、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法およびスプレーコーティングのいずれかによりコーティング層を形成することを要旨とする。
第９の特徴は、第７の特徴または第８の特徴において、コーティング層に親水性を高める処理を行う工程をさらに有することを要旨とする。
実施形態に係るＳＡＷモジュールを示す図である。 ＳＡＷモジュールを圧電素子基板の表面側から見た平面視を示す図である。 ＳＡＷモジュールの断面を示す図である。 ＳＡＷの振動により剥離したコーティング層を示す図である。 圧電素子基板の表面に１０００ｎｍのコーティング層を形成し、ＳＡＷモジュールを２５０回駆動させた後のＳＡＷモジュールの断面を示す図である。 圧電素子基板の表面に１０００ｎｍのコーティング層を形成し、ＳＡＷモジュールを２５０回駆動させた後のＳＡＷモジュールの断面の表面側の一部を示す図である。 圧電素子基板の表面に１０００ｎｍのコーティング層を形成し、ＳＡＷモジュールを２５０回駆動させた後のＳＡＷモジュールの断面の端面の一部を示す図である。 圧電素子基板の表面に１０００ｎｍのコーティング層を形成し、ＳＡＷモジュールを２５０回駆動させた後のＳＡＷモジュールの断面の裏面側の一部を示す図である。 コーティング層の厚み毎に、コーティング層の剥離および圧電素子基板のクラックの発生を確認した結果を示す図である。 圧電素子基板の端面や角部において剥離したコーティング層を示す図である。
以下において、実施形態について説明する。なお、以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一または類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なる場合があることに留意すべきである。
したがって、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれる場合があることは勿論である。
［開示の概要］
背景技術で説明したように、ＩＤＴの表面に絶縁性のコーティング層を形成する技術が提案されている。しかしながら、圧電素子基板の端面で液体を霧化させる場合には、ＳＡＷの振動によりＩＤＴの表面に形成したコーティング層が剥離することがある。また、圧電素子基板の表面にマイクロクラックが入っている場合には、ＳＡＷの振動により圧電素子基板にクラックを生じることがある。そのため、ＳＡＷモジュールの耐久性についてさらなる改善が望まれている。
開示の概要に係るＳＡＷモジュールは、圧電体を含む圧電素子基板と、圧電素子基板の表面上に設けられ、櫛形電極対によって構成されるＩＤＴと、圧電素子基板およびＩＤＴを被覆するコーティング層と、を備える。コーティング層は、圧電素子基板の表面、圧電素子基板の端面、および圧電素子基板の表面と圧電素子基板の端面との間の角部に設けられている。
開示の概要によれば、コーティング層は、圧電素子基板の表面、圧電素子基板の端面、および圧電素子基板の表面と圧電素子基板の端面との間の角部に設けられている。したがって、コーティング層の剥離や圧電素子基板のクラックの発生を抑制し、ＳＡＷモジュールの耐久性を向上させることができる。
［実施形態］
（ＳＡＷモジュール）
以下において、実施形態に係るＳＡＷモジュールについて説明する。図１は、実施形態に係るＳＡＷモジュール３０を示す図である。図２は、ＳＡＷモジュール３０を圧電素子基板３１の表面側から見た平面視を示す図である。図３は、ＳＡＷモジュール３０の断面を示す図である。ＳＡＷモジュール３０は、例えば図示しない香味吸引器具に用いられ、例えば図示しない液貯蔵部から供給される、霧化すべき液体を霧化する。
図１～図３に示すように、ＳＡＷモジュール３０は、圧電素子基板３１と、電極（本体部分３２および櫛形電極対３３によって構成されるＩＤＴ）と、コーティング層３４と、放熱機構３５とを有する。圧電素子基板３１は、櫛形電極対３３に高周波数（共振周波数）で電圧を印加することによって生じるＳＡＷの振動によって液体を霧化するように構成される。
圧電素子基板３１は、本体部分３２および櫛形電極対３３が配置される表面３１Ｆと、表面３１Ｆの反対側に設けられる裏面３１Ｂと、表面３１Ｆと裏面３１Ｂとを接続する端面３１Ｅと、表面３１Ｆと端面３１Ｅとの間の角部３１Ｃとを有する。圧電素子基板３１は、電圧の印加によって伸縮する圧電体を含む。圧電素子基板３１のうち、櫛形電極対３３が配置される部分を配置部分３０Ａと称することもある。圧電体は、少なくとも表面３１Ｆを構成していればよい。圧電体としては、石英、チタン酸バリウム、ニオブ酸リチウム等のセラミック等によって構成される既知の圧電体を用いることができる。
本体部分３２は、図示しない香味吸引器具の電源と電気的に接続される。本体部分３２は、櫛形電極対３３の一方である第１櫛形電極３３Ａと一体である第１本体部分３２Ａと、櫛形電極対３３の他方である第２櫛形電極３３Ｂと一体である第２本体部分３２Ｂとを有する。第１本体部分３２Ａおよび第２本体部分３２Ｂは、ＳＡＷの進行方向Ａに対する直交方向Ｂにおいて配置部分３０Ａを挟んで配置される。電源から出力される電力は、本体部分３２を通じて櫛形電極対３３に供給される。
櫛形電極対３３は、第１櫛形電極３３Ａおよび第２櫛形電極３３Ｂを有する。第１櫛形電極３３Ａおよび第２櫛形電極３３Ｂは、ＳＡＷの進行方向Ａにおいて交互に配置される。第１櫛形電極３３Ａは、第１本体部分３２Ａから直交方向Ｂに沿って延びる形状を有する。第２櫛形電極３３Ｂは、第２本体部分３２Ｂから直交方向Ｂに沿って延びる形状を有する。例えば、櫛形電極対３３は、スパッタ法や蒸着法で形成された金属等によって構成される。
図３において、コーティング層３４は、圧電素子基板３１の表面３１Ｆ、端面３１Ｅおよび角部３１Ｃを覆うように設けられ、圧電素子基板３１、本体部分３２および櫛形電極対３３を被覆する絶縁性の層である。なお、コーティング層３４は、ＳＡＷの進行方向Ａに平行な圧電素子基板３１の端面３１Ｅ等、液体の霧化に寄与しない領域において、一部省略されてもよい。
コーティング層３４は、液体の付着等に伴う圧電素子基板３１の変性を抑制する材料であって、かつ高い電気抵抗、低い水分透過率、並びに圧電素子基板３１と同等のヤング率、熱膨張係数および密度を有する材料によって構成されていればよい。例えば、コーティング層３４は、テフロン、パリレン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素およびアルミナのような材料によって構成されてもよい。また、コーティング層３４は、表面３１Ｆ、端面３１Ｅおよび角部３１Ｃに均一に付着する必要があるため、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法およびスプレーコーティングのいずれかにより形成されている。
上述したように、ＩＤＴの表面のみにコーティング層３４を形成した場合、圧電素子基板３１の端面３１Ｅで液体を霧化させると、ＳＡＷの振動によりコーティング層３４が剥離することがある。図４は、ＳＡＷの振動により剥離したコーティング層３４を示す図である。図４において、破線で囲んだ領域３６は、圧電素子基板３１の端面３１Ｅおいて液体が供給され、ＳＡＷの振動によりコーティング層３４が剥離した領域を示している。これは、圧電素子基板３１の表面３１Ｆとコーティング層３４との隙間から液体が浸入し、ＳＡＷの振動によって液体が霧化することにより、コーティング層３４が圧電素子基板３１の表面３１Ｆから押し上げられて剥離するものと考えられる。
そこで、コーティング層３４を、圧電素子基板３１の表面３１Ｆ、端面３１Ｅおよび角部３１Ｃを覆うように設けることにより、圧電素子基板３１への液体の接触を抑制することができる。また、コーティング層３４は、圧電素子基板３１の表面３１Ｆ、端面３１Ｅおよび角部３１Ｃに加えて、圧電素子基板３１の裏面３１Ｂに設けられてもよい。このような構成によれば、圧電素子基板３１への液体の接触をさらに抑制することができる。
また、コーティング層３４を設けることにより、圧電素子基板３１の表面３１Ｆにマイクロクラックが入っている場合であっても、コーティング層３４がマイクロクラックを覆って、ＳＡＷの振動による圧電素子基板３１のクラックの発生を抑制することができる。これは、コーティング層３４が、振動エネルギーの一部によって生じる温度変化による圧電素子基板３１の伸縮を抑制するためであると考えられる。
ここで、発明者等は、コーティング層３４の厚みを最適化する実験を行った。具体的には、発明者等は、ニオブ酸リチウムを圧電体として含む圧電素子基板３１に、二酸化ケイ素によって構成されたコーティング層３４をプラズマＣＶＤ法により形成して、ＳＡＷモジュール３０を製造し、コーティング層３４の剥離および圧電素子基板３１のクラックの発生を確認した。なお、コーティング層の成膜の条件は、圧力：６０Ｐａ、温度：３００℃、プラズマ印加電力のパワー：１．２Ｗ／ｃｍ２、プリカーサー（Ｂｉｓ（ｅｔｈｙｌｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｓｉｌａｎｅ）流量：５～１０ｓｃｃｍ、Ａｒ流量：１００ｓｃｃｍ、Ｏ２流量：１５０ｓｃｃｍ、ＥＳ（電極－基板）距離：３０ｍｍとした。
コーティング層３４の厚みを最適化する実験は、以下の２つの観点から行われたものである。１点目は、コーティング層３４が薄い場合に、ＳＡＷの振動により例えば圧電素子基板３１の角部３１Ｃにクラックが生じ、そこから液体が浸入してコーティング層３４が剥離したり、コーティング層３４が圧電素子基板３１の伸縮を抑制しきれず、圧電素子基板３１にクラックを生じたりすることである。
２点目は、コーティング層３４が厚い場合に、圧電素子基板３１とコーティング層３４との熱膨張率の差による影響が大きくなり、圧電素子基板３１とコーティング層３４との間にひずみが発生して、圧電素子基板３１にクラックを生じることである。
図５Ａ～図５Ｄは、圧電素子基板３１の表面３１Ｆ、端面３１Ｅおよび角部３１Ｃに１０００ｎｍのコーティング層３４を形成し、ＳＡＷモジュール３０を２５０回（１７５０ｓｅｃ）駆動させた後のＳＡＷモジュール３０の断面を示す図である。図５Ａは、ＳＡＷモジュール３０の断面を示し、図５Ｂは、ＳＡＷモジュール３０の断面の表面３１Ｆ側の一部を示し、図５Ｃは、ＳＡＷモジュール３０の断面の端面３１Ｅの一部を示し、図５Ｄは、ＳＡＷモジュール３０の断面の裏面３１Ｂ側の一部を示している。
ＳＡＷモジュール３０の駆動条件は、液体の供給速度：３ｕｌ／ｓｅｃ、駆動電力：９Ｗとした。図５Ａ～図５Ｄに示すように、圧電素子基板３１の表面３１Ｆ、端面３１Ｅおよび角部３１Ｃに１０００ｎｍのコーティング層３４を形成した場合には、圧電素子基板３１の表面３１Ｆ、端面３１Ｅおよび角部３１Ｃのいずれにおいても、コーティング層３４の剥離も圧電素子基板３１のクラックも発生していないことが分かる。
図６は、コーティング層３４の厚み毎に、コーティング層３４の剥離および圧電素子基板３１のクラックの発生を確認した結果を示す図である。図６に示すように、コーティング層３４の表面３１Ｆの厚みが６００ｎｍ～１４００ｎｍの範囲において、コーティング層３４の剥離も圧電素子基板３１のクラックも発生していないことが確認された。
図６において、◎は、ＳＡＷモジュール３０を２５０回（１７５０ｓｅｃ）駆動させた後であっても、コーティング層３４の剥離または圧電素子基板３１のクラックが発生していないことを示している。また、○は、ＳＡＷモジュール３０を１５０回（１２５０ｓｅｃ）程度駆動させた場合に、コーティング層３４の剥離または圧電素子基板３１のクラックが発生したことを示している。また、×は、ＳＡＷモジュール３０の駆動が１０回（５０ｓｅｃ）未満で、コーティング層３４の剥離または圧電素子基板３１のクラックが発生したことを示している。なお、図６において○であっても、ＳＡＷモジュール３０の駆動電力を低くした場合には、コーティング層３４の剥離は発生しにくくなる。
図７は、圧電素子基板３１の端面３１Ｅや角部３１Ｃにおいて剥離したコーティング層３４を示す図である。図７では、圧電素子基板３１の表面３１Ｆに１０００ｎｍのコーティング層３４を形成し、圧電素子基板３１の端面３１Ｅおよび角部３１Ｃに４００ｎｍのコーティング層３４を形成している。
図７に示すように、圧電素子基板３１の表面３１Ｆにおけるコーティング層３４の厚みに対して、圧電素子基板３１の端面３１Ｅおよび角部３１Ｃにおけるコーティング層３４の厚みが薄い場合には、圧電素子基板３１の端面３１Ｅや角部３１Ｃにおいて、コーティング層３４の剥離が発生することが分かる。
これら結果と、圧電素子基板３１の端面３１Ｅおよび角部３１Ｃには、圧電素子基板３１の表面３１Ｆよりもコーティング層３４が形成されにくいことに基づいて、発明者等は、圧電素子基板３１の表面３１Ｆ、端面３１Ｅおよび角部３１Ｃにおけるコーティング層３４の所望の厚みが、以下の通りであることを見出した。
すなわち、圧電素子基板３１の表面３１Ｆにおいて、最適なコーティング層３４の厚みは、６００ｎｍ～１４００ｎｍ、好ましくは１０００ｎｍ～１４００ｎｍである。また、圧電素子基板３１の端面３１Ｅにおいて、最適なコーティング層３４の厚みは、６００ｎｍ以上であって、圧電素子基板３１の表面３１Ｆにおけるコーティング層３４の厚みの５０％以上である。また、圧電素子基板３１の角部３１Ｃにおいて、最適なコーティング層３４の厚みは、６００ｎｍ以上であって、圧電素子基板３１の表面３１Ｆにおけるコーティング層３４の厚みの５０％以上である。
圧電素子基板３１の表面３１Ｆ、端面３１Ｅおよび角部３１Ｃにおけるコーティング層３４の厚みを上記のようにすることにより、コーティング層３４の剥離および圧電素子基板３１のクラックの発生を抑制し、ＳＡＷモジュール３０の耐久性を向上させることができる。
図３に戻って、放熱機構３５は、圧電素子基板３１の角部３１Ｃにおける表面弾性波の反射によって生じる熱を奪うように構成された機構である。放熱機構３５は、圧電素子基板３１の熱伝導性よりも高い熱伝導性を有する材料によって構成される放熱層およびペルチェ素子の少なくともいずれか１つを含む。
図３に示す例では、放熱機構３５は、圧電素子基板３１の裏面３１Ｂに配置される放熱層である。しかしながら、実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、放熱機構３５は、圧電素子基板３１と接触していればよく、圧電素子基板３１の表面３１Ｆに配置されてもよい。放熱機構３５は、ペルチェ素子であってもよい。放熱機構３５は、放熱層およびペルチェ素子の双方を含んでもよい。
例えば、放熱層としては、アルミニウム、銅、鉄等の金属が用いられてもよく、カーボン、窒化アルミニウム、セラミックが用いられてもよい。例えば、ペルチェ素子は、接着剤（グリース、エポキシ樹脂、金属ペースト）によって圧電素子基板３１に貼り合わされてもよい。接着剤の熱伝導性は０．１Ｗ／ｍ／Ｋよりも高いことが好ましい。さらには、接着剤の熱伝導性は０．５Ｗ／ｍ／Ｋよりも高いことが好ましい。接着層は薄い方が望ましく、薄い接着層はスクリーン印刷によって実現可能である。
図３に示すように、圧電素子基板３１の裏面３１Ｂの側には、液体を圧電素子基板３１に供給するように構成された液供給部６０が設けられる。液供給部６０は、圧電素子基板３１の端面３１Ｅを介して液体を圧電素子基板３１の表面３１Ｆに供給する。例えば、液供給部６０は、シリンジポンプである。シリンジポンプは、手動式であってもよく、電動式であってもよい。なお、液供給部６０は毛管現象によって液体を供給する部材であってもよい。
また、櫛形電極対３３と液体が供給される圧電素子基板３１の端面３１Ｅとの間において、圧電素子基板３１の表面３１Ｆに形成されたコーティング層３４の少なくとも一部が、後述する親水性を高める処理によって親水化されてもよい。これにより、液供給部６０から供給される液体が圧電素子基板３１の表面３１Ｆの移動しやすく、霧化が促進される。
液供給部６０は、液貯蔵部がカートリッジである場合には、カートリッジの装着に応じて自動的に液体をＳＡＷモジュール３０に供給してもよい。液供給部６０は、香味吸引器具１を駆動するための電源スイッチが設けられる場合には、電源スイッチのオンに応じて自動的に液体をＳＡＷモジュール３０に供給してもよい。
（ＳＡＷモジュールの製造方法）
以下において、実施形態に係るＳＡＷモジュールの製造方法について説明する。まず、圧電体を含む圧電素子基板３１のウエハの表面に、櫛形電極対３３によって構成されるＩＤＴを複数形成する。続いて、ＩＤＴが形成されたウエハをＳＡＷモジュール３０のモジュール単位に切断する。
次に、切断された圧電素子基板３１およびＩＤＴを被覆するコーティング層３４を形成する。ここで、コーティング層３４を形成する工程では、圧電素子基板３１の表面３１Ｆ、圧電素子基板３１の端面３１Ｅ、および圧電素子基板３１の表面３１Ｆと端面３１Ｅとの間の角部３１Ｃにコーティング層３４を形成する。このとき、コーティング層３４は、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法およびスプレーコーティングのいずれかにより形成されてもよい。また、コーティング層３４に親水性を高める処理を行う工程をさらに有していてもよい。親水性を高める処理としては、例えばコーティング層３４の表面に親水性を有する素材をさらにコーティングしたり、コーティング層３４の表面に微細な凹凸を物理的な加工により設けたりすることが挙げられる。
このように、ウエハをＳＡＷモジュール３０のモジュール単位に切断した後に、圧電素子基板３１およびＩＤＴを被覆するコーティング層３４を形成することにより、圧電素子基板３１の表面３１Ｆ、端面３１Ｅおよび角部３１Ｃにコーティング層３４を形成することができる。その結果、コーティング層３４の剥離および圧電素子基板３１のクラックの発生を抑制し、ＳＡＷモジュール３０の耐久性を向上させることができる。
上記構成の香味吸引器具１によれば、ＳＡＷモジュール３０は、圧電体を含む圧電素子基板３１と、圧電素子基板３１の表面３１Ｆ上に設けられ、櫛形電極対３３によって構成されるＩＤＴと、圧電素子基板３１およびＩＤＴを被覆するコーティング層３４と、を備え、コーティング層３４は、圧電素子基板３１の表面３１Ｆ、圧電素子基板３１の端面３１Ｅ、および圧電素子基板３１の表面３１Ｆと圧電素子基板３１の端面３１Ｅとの間の角部３１Ｃに設けられている。そのため、コーティング層３４の剥離や圧電素子基板３１のクラックの発生を抑制し、ＳＡＷモジュール３０の耐久性を向上させることができる。
以上、本発明の一実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその均等物が含まれる。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の組み合わせ、または、省略が可能である。
１…香味吸引器具
３０…ＳＡＷモジュール
３１…圧電素子基板
３２…本体部分
３３…櫛形電極対
３４…コーティング層
３５…放熱機構
３１Ｂ…裏面
３１Ｃ…角部
３１Ｅ…端面
３１Ｆ…表面

Claims (8)

  1. ＳＡＷモジュールを備えた香味吸引器具であって、
    前記ＳＡＷモジュールは、
    圧電体を含む圧電素子基板と、
    前記圧電素子基板の表面上に設けられ、櫛形電極対によって構成されるＩＤＴと、
    前記圧電素子基板および前記ＩＤＴを被覆するコーティング層と、を備え、
    前記コーティング層は、前記圧電素子基板の表面、前記圧電素子基板の端面、および前記圧電素子基板の表面と前記圧電素子基板の端面との間の角部に設けられている
    香味吸引器具。
  2. 請求項１に記載の香味吸引器具であって、
    前記コーティング層は、前記圧電素子基板の表面において、６００ｎｍ～１４００ｎｍの厚みを有する
    香味吸引器具。
  3. 請求項１または請求項２に記載の香味吸引器具であって、
    前記コーティング層は、前記圧電素子基板の端面において、６００ｎｍ以上であって、かつ前記圧電素子基板の表面における前記コーティング層の厚みの５０％以上の厚みを有する
    香味吸引器具。
  4. 請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の香味吸引器具であって、
    前記コーティング層は、前記圧電素子基板の表面と前記圧電素子基板の端面との間の角部において、６００ｎｍ以上であって、かつ前記圧電素子基板の表面における前記コーティング層の厚みの５０％以上の厚みを有する
    香味吸引器具。
  5. 請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の香味吸引器具であって、
    前記コーティング層は、ＳｉＯ２およびＳｉＮのいずれかを含む
    香味吸引器具。
  6. ＳＡＷモジュールを備えた香味吸引器具の製造方法であって、
    圧電体を含む圧電素子基板のウエハの表面に、櫛形電極対によって構成されるＩＤＴを複数形成する工程と、
    前記ウエハをモジュール単位に切断する工程と、
    切断された前記圧電素子基板および前記ＩＤＴを被覆するコーティング層を形成する工程と、を有し、
    前記コーティング層を形成する工程では、前記圧電素子基板の表面、前記圧電素子基板の端面、および前記圧電素子基板の表面と前記圧電素子基板の端面との間の角部に前記コーティング層を形成する
    ＳＡＷモジュールを備えた香味吸引器具の製造方法。
  7. 請求項６に記載のＳＡＷモジュールを備えた香味吸引器具の製造方法であって、
    前記コーティング層を形成する工程では、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法およびスプレーコーティングのいずれかにより前記コーティング層を形成する
    ＳＡＷモジュールを備えた香味吸引器具の製造方法。
  8. 請求項６または請求項７に記載のＳＡＷモジュールを備えた香味吸引器具の製造方法であって、
    前記コーティング層に親水性を高める処理を行う工程をさらに有する
    ＳＡＷモジュールを備えた香味吸引器具の製造方法。
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