JP7385158B2 - 波長可変レーザダイオード - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 52
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 50
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 36
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 34
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 28
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 7
- 101150092874 DBR1 gene Proteins 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 2
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1003—Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
- H01S5/1007—Branched waveguides
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0601—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising an absorbing region
- H01S5/0602—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising an absorbing region which is an umpumped part of the active layer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
- H01S5/06246—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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Description
図3は、本発明の実施形態1に係る発振波長調整型のTLDに用いられる反射型位相調整器20の概略構成を示した模式図である。
実施形態1に係る発振波長調整型のTLDでは、波長調整制御において、理想的には可変波長フィルタ3の機能や反射型位相調整器20の制御に伴い、波長選択スペクトルや光路長のみが変化すれば良いものである。その反面、係る制御に伴って、レーザ共振器構造のレーザ共振器の損失が変化することは好ましくない。実施形態1の反射型位相調整器20の場合、識別子iの反射型遅延線24-0、24-1、24-2、24-3、24-4の透過率を変化させるため、結果的にレーザ共振器の損失が変化してしまう事態も生じ得る。しかし、一定の条件を満たせば、レーザ共振器の損失を変化させずに光路長を変化させることが可能になる。そこで、実施形態2に係る発振波長調整型のTLDでは、レーザ共振器の損失を変化させずに光路長を変化させることが可能な反射型位相調整器20について説明する。
実施形態1,2では、反射型位相調整器20の反射型遅延線アレー25が備える反射型遅延線24-0、24-1、24-2、24-3、24-4を往復する光の透過率を制御する手法を電界透過率tiの制御によるものとした。このため、反射型遅延線24-0、24-1、24-2、24-3、24-4には、電界吸収型光変調器(EAM-1~4)22を備える構成が必要になる。実施形態3では、電界透過率tiが光の波長によって変化することを想定してミラーMを工夫し、光電界反射率ri(i=0,1,2,…,N-1)の波長依存性を有する反射器の波長依存ミラー(DBR-0~4)27を備える構成とした。尚、ここでは、反射器として、波長依存ミラー(DBR-0~4)27を使用する場合を例示するが、波長依存性を有する反射器には、それ以外にエタロンフィルタ等の他のフィルタ構造を適用しても構わない。
Claims (6)
- 基板上に集積された発振波長調整型の波長可変レーザダイオードであって、
光を発生して増幅させる光利得導波路と、
M入力×N出力(Mは自然整数、Nは2以上の正の整数)ポートを有する多モード干渉導波路と、
前記多モード干渉導波路のN出力ポートを有する側に接続され、前記光を反射するミラーによって終端され、それぞれの長さが異なるN個の反射型遅延線を有する反射型遅延線アレーと、
前記N個の反射型遅延線の往復光路において、前記光の波長に応じて、透過光の強度を調整する強度変調器と
を備えたことを特徴とする波長可変レーザダイオード。 - 前記強度変調器は、外部からの電気信号によって前記透過光の強度を調整される
ことを特徴とする請求項1に記載の波長可変レーザダイオード。 - 前記強度変調器は、前記光の強度を調整する電界吸収型光変調器である
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の波長可変レーザダイオード。 - 前記電界吸収型光変調器は、前記N個の反射型遅延線における少なくとも2個以上の反射型遅延線に備えられ、且つ前記光の電界透過率をti(i=0,1,2,…,N―1)としたときに、前記tiの合計値が常に一定となるように、前記光の強度を制御可能である
ことを特徴とする請求項3に記載の波長可変レーザダイオード。 - 基板上に集積された発振波長調整型の波長可変レーザダイオードであって、
光を発生して増幅させる光利得導波路と、
M入力×N出力(Mは自然整数、Nは2以上の正の整数)ポートを有する多モード干渉導波路と、
前記多モード干渉導波路のN出力ポートを有する側に接続され、前記光を反射するミラーによって終端され、それぞれの長さが異なるN個の反射型遅延線を有する反射型遅延線アレーと
を備え、
前記ミラーは、前記光の電界反射率ri(i=0,1,2,…,N-1)の波長依存性を有する反射器である
ことを特徴とする波長可変レーザダイオード。 - 前記反射器のピーク波長と反射スペクトル形状とは、一定の波長区間において前記電界反射率riの合計値が常に一定となるように調整されている
ことを特徴とする請求項5に記載の波長可変レーザダイオード。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/020600 WO2021240614A1 (ja) | 2020-05-25 | 2020-05-25 | 波長可変レーザダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021240614A1 JPWO2021240614A1 (ja) | 2021-12-02 |
JP7385158B2 true JP7385158B2 (ja) | 2023-11-22 |
Family
ID=78723257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022527291A Active JP7385158B2 (ja) | 2020-05-25 | 2020-05-25 | 波長可変レーザダイオード |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230187903A1 (ja) |
JP (1) | JP7385158B2 (ja) |
WO (1) | WO2021240614A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050129361A1 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-16 | Kim Dong C. | Ultrahigh-frequency light source using dual-wavelength laser with 3-dB beam splitter and method of manufacturing the same |
JP2015184593A (ja) | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 日本電信電話株式会社 | 光波長フィルタ |
US20170163008A1 (en) | 2014-11-27 | 2017-06-08 | Weihua Guo | Tunable laser and tuning method using the same |
-
2020
- 2020-05-25 JP JP2022527291A patent/JP7385158B2/ja active Active
- 2020-05-25 WO PCT/JP2020/020600 patent/WO2021240614A1/ja active Application Filing
- 2020-05-25 US US17/926,462 patent/US20230187903A1/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050129361A1 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-16 | Kim Dong C. | Ultrahigh-frequency light source using dual-wavelength laser with 3-dB beam splitter and method of manufacturing the same |
JP2015184593A (ja) | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 日本電信電話株式会社 | 光波長フィルタ |
US20170163008A1 (en) | 2014-11-27 | 2017-06-08 | Weihua Guo | Tunable laser and tuning method using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230187903A1 (en) | 2023-06-15 |
WO2021240614A1 (ja) | 2021-12-02 |
JPWO2021240614A1 (ja) | 2021-12-02 |
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