JP7381404B2 - レーザモジュール及びファイバレーザ装置 - Google Patents
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- 239000000835 fiber Substances 0.000 title claims description 32
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 149
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 72
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 42
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 33
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 25
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 8
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 10
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 101100456571 Mus musculus Med12 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 ytterbium (Yb) Chemical class 0.000 description 1
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- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
θ3<θ1<θ2
θ2-θ1≦2θH
θ1-θ3≦2θH
が満たされていればよい。
2 増幅用光ファイバ
3 光共振器
4A,4B 励起光源
5A,5B 光コンバイナ
6 デリバリファイバ
7 レーザ出力部
8A,8B 光ファイバ
9A 高反射部
9B 低反射部
10,210 レーザモジュール
12 筐体
14 光ファイバ
16 ファイバ保持部
20 レーザ生成部
21 台座
22A~22F 段部
23 サブマウント
24 半導体レーザ素子
25 ファースト軸コリメートレンズ
26 スロー軸コリメートレンズ
27 ミラー
40A (第1の)波長安定化素子
40B (第2の)波長安定化素子
40C (第3の)波長安定化素子
51 ファースト軸集光レンズ
52 スロー軸集光レンズ
124 活性層
124A 高反射端面
124B 出射端面
140A,140B,140C 反射面
D 基準方向
L レーザ光
Claims (8)
- 光ファイバと、
出射端面からレーザ光を出射する少なくとも1つの半導体レーザ素子と、
前記レーザ光を集光して前記光ファイバに結合させる少なくとも1つの集光レンズと、
前記レーザ光の光路上に位置する反射面を有する少なくとも2つの波長安定化素子であって、前記反射面が前記レーザ光の光軸に垂直な基準方向に対して-θHから+θHまでの範囲内の角度で配置されたときに前記反射面と前記少なくとも1つの半導体レーザ素子の前記出射端面との間で外部共振器を形成して前記レーザ光の波長を特定の波長に狭帯域化できるように構成された少なくとも2つの波長安定化素子と
を備え、
前記少なくとも2つの波長安定化素子は、
前記反射面が前記基準方向に対して角度θ1で配置される第1の波長安定化素子と、
前記反射面が前記基準方向に対して前記角度θ1よりも大きな角度θ2で配置される第2の波長安定化素子と
を含み、
θ1及びθ2の少なくとも一方が-θHから+θHまでの範囲にあり、
θ2-θ1≦2θH
である、
レーザモジュール。 - θ1=0、θ2=2θHである、請求項1に記載のレーザモジュール。
- θ1の絶対値はθ2の絶対値よりも小さく、
前記第1の波長安定化素子は、前記レーザ光の光路において前記第2の波長安定化素子よりも上流側に位置している、
請求項1又は2に記載のレーザモジュール。 - 前記少なくとも2つの波長安定化素子は、前記反射面が前記基準方向に対して前記角度θ1よりも小さな角度θ3で配置される第3の波長安定化素子をさらに含み、
θ1-θ3≦2θH
である、
請求項1から3のいずれか一項に記載のレーザモジュール。 - θ1=0、θ3=-2θHである、請求項4に記載のレーザモジュール。
- θ1の絶対値は、θ2の絶対値及びθ3の絶対値よりも小さく、
前記第1の波長安定化素子は、前記レーザ光の光路において前記第2の波長安定化素子及び前記第3の波長安定化素子よりも上流側に位置している、
請求項4又は5に記載のレーザモジュール。 - 前記基準方向は、前記レーザ光のファースト軸に沿った方向である、請求項1から6のいずれか一項に記載のレーザモジュール。
- 請求項1から7のいずれか一項に記載のレーザモジュールを含む励起光源と、
前記レーザモジュールの前記光ファイバと光学的に接続され、希土類元素イオンが添加されたコアを有する増幅用光ファイバと
を備える、ファイバレーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020091096A JP7381404B2 (ja) | 2020-05-26 | 2020-05-26 | レーザモジュール及びファイバレーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020091096A JP7381404B2 (ja) | 2020-05-26 | 2020-05-26 | レーザモジュール及びファイバレーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021190452A JP2021190452A (ja) | 2021-12-13 |
JP7381404B2 true JP7381404B2 (ja) | 2023-11-15 |
Family
ID=78847403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020091096A Active JP7381404B2 (ja) | 2020-05-26 | 2020-05-26 | レーザモジュール及びファイバレーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7381404B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004165592A (ja) | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Taida Electronic Ind Co Ltd | チューナブル光源モジュール |
JP2009266959A (ja) | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Sharp Corp | レーザ光源装置とそれを用いた情報記録再生装置および電子機器 |
JP2015115509A (ja) | 2013-12-12 | 2015-06-22 | ウシオ電機株式会社 | レーザ光源装置及びスクリーン投影装置 |
WO2017134911A1 (ja) | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 古河電気工業株式会社 | レーザ装置 |
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- 2020-05-26 JP JP2020091096A patent/JP7381404B2/ja active Active
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JP2004165592A (ja) | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Taida Electronic Ind Co Ltd | チューナブル光源モジュール |
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JP2015115509A (ja) | 2013-12-12 | 2015-06-22 | ウシオ電機株式会社 | レーザ光源装置及びスクリーン投影装置 |
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