JP7381185B2 - 回路基板及び多層回路基板 - Google Patents
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Description
本発明の回路基板において、前記接着層は、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含有する接着性ポリイミドを有しており、
前記接着性ポリイミドは、前記ジアミン残基の100モル部に対して、
ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級のアミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を40モル部以上含有することを特徴とする。
下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を合計で90モル部以上含有することを特徴とする。
前記ダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル部以上99モル部以下の範囲内で含有してもよく、
下記の一般式(B1)~(B7)で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも1種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を1モル部以上50モル部以下の範囲内で含有してもよい。
本実施の形態の回路基板は、液晶ポリマーからなる絶縁性基材層の少なくとも片面に導体回路層を有し、前記導体回路層は、接着層で被覆されている。本実施の形態の回路基板の高周波特性は、接着性ポリイミドで形成された接着層と内部に埋め込まれる導体回路層により確保することができ、該接着層は液晶ポリマーとの低温接着性も良好なため、液晶ポリマーの誘電特性に悪影響を及ぼさない。導体回路層を被覆する接着層は、導体回路層の表面を部分的に被覆するものでもよいし、導体回路層の全表面に亘って被覆するものでもよい。また、本実施の形態の回路基板は、接着層で被覆されている導体回路層以外に、任意の導体回路層を有してもよい。
絶縁性基材層は、液晶ポリマーによって構成されている。液晶ポリマーは、市販の液晶ポリマーフィルム又は市販の銅張積層板に絶縁性基材層として用いられている液晶ポリマー等の各種の液晶ポリマーの中から選定して用いることができる。液晶ポリマーフィルムは、クラレ社製のベクスター(商品名)、プライマテック社製のBIAC Film(商品名)などを用いることができる。また、銅張積層板としては、パナソニック社製のR-F705T(商品名)などを用いることができる。
本実施の形態の回路基板における導体回路層は、導電性の材料から構成されるものであれば特に制限はないが、例えば、銅、ステンレス、鉄、ニッケル、ベリリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、銀、金、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉛、マグネシウム、マンガン及びこれらの合金等の金属が好ましい。この中でも、特に銅又は銅合金が好ましい。
接着層は、導体回路層を被覆するものである。また、接着層の上に必要に応じて、保護層としてカバーレイフィルム若しくはソルダーレジストが設けられてもよい。液晶ポリマーで構成される絶縁性基材層の片面又は両面に所定パターンの導体回路層を形成した後、接着層を積層する。
接着性ポリイミドは、テトラカルボン酸残基の100モル部に対して、下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、「テトラカルボン酸残基(1)」、「テトラカルボン酸残基(2)」と記すことがある)を、合計で90モル部以上含有することが好ましい。本発明では、テトラカルボン酸残基(1)及び/又は(2)を、テトラカルボン酸残基の100モル部に対して合計で90モル部以上含有させることによって、接着性ポリイミドに溶剤可溶性を付与するとともに、接着性ポリイミドの柔軟性と耐熱性の両立が図りやすく好ましい。テトラカルボン酸残基(1)及び/又は(2)の合計が90モル部未満では、接着性ポリイミドの溶剤溶解性が低下する傾向になる。
接着性ポリイミドは、ジアミン残基の100モル部に対して、ダイマー酸型ジアミンから誘導されるダイマー酸型ジアミン残基を40モル部以上、例えば50モル部以上99モル部以下の範囲内、好ましくは60モル部以上、例えば60モル部以上99モル部以下の範囲内で含有する。ダイマー酸型ジアミン残基を上記の量で含有することによって、接着層の誘電特性を改善させるとともに、接着層のガラス転移温度の低温化(低Tg化)による熱圧着特性の改善及び低弾性率化による内部応力を緩和することができる。ジアミン残基の100モル部に対して、ダイマー酸型ジアミン残基が40モル部未満であると、液晶ポリマーとの十分な接着性が得られないことがある。
なお、「独立に」とは、上記式(B1)~(B7)の内の一つにおいて、または二つ以上において、複数の連結基A、複数のR1若しくは複数のn1が、同一でもよいし、異なっていてもよいことを意味する。また、式(B1)~(B7)において、末端の二つのアミノ基における水素原子は置換されていてもよく、例えば-NR2R3(ここで、R2,R3は、独立してアルキル基などの任意の置換基を意味する)であってもよい。
接着性ポリイミドがケトン基を有する場合に、該ケトン基と、少なくとも2つの第1級のアミノ基を官能基として有するアミノ化合物のアミノ基を反応させてC=N結合を形成させることによって、架橋構造を形成することができる。架橋構造の形成によって、接着性ポリイミドの耐熱性を向上させることができる。ケトン基を有するポリイミドを形成するために好ましいテトラカルボン酸無水物としては、例えば3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)を、ジアミン化合物としては、例えば、4,4’―ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゾフェノン(BABP)、1,3-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン(BABB)等の芳香族ジアミンを挙げることができる。
接着性ポリイミドは、上記のテトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物を溶媒中で反応させ、ポリアミド酸を生成したのち加熱閉環させることにより製造できる。例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物をほぼ等モルで有機溶媒中に溶解させて、0~100℃の範囲内の温度で30分~24時間撹拌し重合反応させることで接着性ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が得られる。反応にあたっては、生成する前駆体が有機溶媒中に5~50重量%の範囲内、好ましくは10~40重量%の範囲内となるように反応成分を溶解する。重合反応に用いる有機溶媒としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N-ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N-ジエチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン(NMP)、2-ブタノン、ジメチルスホキシド(DMSO)、ヘキサメチルホスホルアミド、N-メチルカプロラクタム、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム、クレゾール等が挙げられる。これらの溶媒を2種以上併用して使用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。また、このような有機溶媒の使用量としては特に制限されるものではないが、重合反応によって得られるポリアミド酸溶液の濃度が5~50重量%程度になるような使用量に調整して用いることが好ましい。
接着層の厚みは、例えば5~125μmの範囲内にあることが好ましく、10~50μmの範囲内がより好ましい。接着層の厚みが上記下限値に満たないと、十分な電気絶縁性が担保出来ないなどの問題が生じることがある。一方、接着層の厚みが上記上限値を超えると、寸法安定性が低下するなどの不具合が生じる。
接着性ポリイミドは、高熱膨張性であり、CTEが、好ましくは35ppm/K以上、より好ましくは35ppm/K以上200ppm/K以下の範囲内、更に好ましくは35ppm/K以上150ppm/K以下の範囲内である。使用する原料の組合せ、厚み、乾燥・硬化条件を適宜変更することで所望のCTEを有する接着層とすることができる。
接着性ポリイミドは、高熱膨張であるが低弾性であるため、CTEが30ppm/Kを超えても、積層時に発生する内部応力を緩和することができる。本発明者らは、接着性ポリイミドの特徴として、40~250℃の範囲に、温度上昇に伴って貯蔵弾性率が急勾配で減少する温度域が存在することを見出した。このような特性が、熱圧着時の内部応力を緩和し、回路加工後の寸法安定性を保持する要因であると考えられる。
接着層は、誘電損失の悪化を抑制するために、10GHzにおける誘電正接(Tanδ)が、好ましくは0.004以下、より好ましくは0.0005以上0.004以下の範囲内、更に好ましくは0.001以上0.0035以下の範囲内がよい。接着層の10GHzにおける誘電正接が0.004を超えると、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。一方、接着層の10GHzにおける誘電正接の下限値は特に制限されない。
接着層は、インピーダンス整合性を確保するために、10GHzにおける誘電率が4.0以下であることが好ましい。接着層の10GHzにおける誘電率が4.0を超えると、接着層の誘電損失の悪化に繋がり、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。
接着層は、必要に応じて、フィラーを含有してもよい。フィラーとしては、例えば、例えば二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウム、有機ホスフィン酸の金属塩等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を混合して用いることができる。
本実施の形態の多層回路基板は、上記実施の形態に係る複数の回路基板を積層して形成される。また、本実施の形態の多層回路基板は、任意に多層回路基板の表面に露出する導体部を有してもよい。本明細書において、「導体回路層」とは、液晶ポリマーからなる絶縁性基材層の面方向に形成された面内接続電極(ランド電極)を意味し、導体回路層に接する層間接続電極(ビア電極)と区別している。
次に、図1(b),(c)に示すように、第1の回路基板1Aにおける導体回路層20を覆うように接着層30を積層形成して第2の回路基板2Aを形成する接着層形成工程が行われる。なお、第1の回路基板1Aが、絶縁性基材層10の両面にそれぞれ導体回路層20が形成されている両面回路基板である場合は、両面にそれぞれ接着層30を積層してもよい。
次に、図1(d),(e)に示すように、上記接着層30を片面又は両面に設けた複数の第2の回路基板2Aどうし、又は第2の回路基板2Aと他の回路基板(上記第1の回路基板1Aでもよい)を積層して多層回路基板100を得る積層工程が行われる。図1(d),(e)では、第2の回路基板2Aにおける接着層30どうしを対接するように積層する態様を示しているが、第2の回路基板2Aの接着層面と、他の第2の回路基板2Aの絶縁性基材層10側の面が対接するように積層してもよい。なお、本実施の形態では、2枚の回路基板を積層する例を示したが、3枚以上の回路基板を一度に積層する積層工程を行うこともできる。
必要に応じて、上記積層工程で得られた多層回路基板100を、図1(e),(f)に示すように、両側から加圧ローラやプレス装置等によって加圧することにより、上記接着層30の厚みを調整する厚み調整工程を行うこともできる。厚み調整工程により、厚みの精度を向上させることができる。
厚み調整工程において、接着層30の厚みを調整した後、好ましくは40~250℃、より好ましくは120℃以上180℃未満の温度で加熱する加熱工程を行う。加熱工程では、液晶ポリマーの熱劣化を抑制しピール強度の低下を抑制する観点から、130~170℃の温度で加熱することが特に好ましい。これにより、図1(g)に示すように、複数の回路基板が一体的に積層された多層回路基板101が製造される。この際、接着層30は、例えば接着性ポリイミドの加熱縮合によるイミン結合の架橋構造を形成させることもできる。
3mm×20mmのサイズのポリイミドフィルムを、サーモメカニカルアナライザー(Bruker社製、商品名;4000SA)を用い、5.0gの荷重を加えながら一定の昇温速度で30℃から300℃まで昇温させ、更にその温度で10分保持した後、5℃/分の速度で冷却し、250℃から100℃までの平均熱膨張係数(熱膨張係数)を求めた。
ガラス転移温度は、5mm×20mmのサイズのポリイミドフィルムを、動的粘弾性測定装置(DMA:ユー・ビー・エム社製、商品名;E4000F)を用いて、30℃から400℃まで昇温速度4℃/分、周波数11Hzで測定を行い、弾性率変化(tanδ)が最大となる温度をガラス転移温度とした。
銅箔の表面粗度は、AFM(ブルカー・エイエックスエス社製、商品名:Dimension Icon型SPM)、プローブ(ブルカー・エイエックスエス社製、商品名:TESPA(NCHV)、先端曲率半径10nm、ばね定数42N/m)を用いて、タッピングモードで、銅箔表面の80μm×80μmの範囲について測定し、十点平均粗さ(Rzjis)を求めた。
誘電率及び誘電正接は、空洞共振器摂動法誘電率評価装置(Agilent社製、商品名;ベクトルネットワークアナライザE8363C)及びスプリットポスト誘電体共振器(SPDR共振器)を用いて、周波数10GHzにおける樹脂シートの誘電率および誘電正接を測定した。なお、測定に使用した樹脂シートは、温度;24~26℃、湿度;45~55%の条件下で、24時間放置したものである。
レーザー加工性の評価は、以下の方法で行った。UV-YAG、第3高調波355nmのレーザー光を周波数60kHz、1.0Wの強度で、サンプルの多層回路基板の積層方向に照射して有底ビア加工し、接着層に抉れやアンダーカットが発生しないものを「良好」、接着層に抉れやアンダーカットが発生したものを「不良」と評価した。
リフロー耐熱は、以下の方法で行った。サンプルの多層回路基板を40℃、湿度90%、96時間で吸湿後、120℃、2時間加熱前処理したものを、150℃から180℃に105秒、220℃以上に65秒、245℃に7秒の熱がかかるプロファイルで試験を行った。サンプルの層間に膨れが発生しないものや層の剥がれが発生しないものを「良好」、サンプルの層間に膨れの発生や層の剥がれが発生したものを「不可」と評価した。
ピール強度は、以下の方法で行った。引張試験機(東洋精機製作所製、ストログラフVE)を用いて、試験片幅5mmのサンプルを接着層の90°方向に、速度50mm/minで引っ張ったときの剥離強度を測定した。なお、ピール強度が0.9kN/m以上を「良」、ピール強度が0.4kN/m以上0.9kN/m未満を「可」、ピール強度が0.4kN/m未満を「不可」と評価した。
反りの評価は、以下の方法で行った。10cm×10cmのフィルムを置き、フィルムの4隅の反り上がっている高さの平均を測定し、10mm以下を「良」、10mmを超える場合を「不可」とした。
BTDA:3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
PMDA:ピロメリット酸二無水物
APB:1,3-ビス(3‐アミノフェノキシ)ベンゼン
BAPP:2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
DDA:炭素数36の脂肪族ジアミン(クローダジャパン株式会社製、商品名;PRIAMINE1074、アミン価;210mgKOH/g、環状構造及び鎖状構造のダイマージアミンの混合物、ダイマー成分の含有量;95重量%以上)
ODPA:4,4’-オキシジフタル酸無水物(別名;5,5’-オキシビス-1,3-イソベンゾフランジオン)
N-12:ドデカン二酸ジヒドラジド
NMP:N-メチル-2-ピロリドン
<接着用の樹脂溶液の調製>
1000mlのセパラブルフラスコに、57.68gのBTDA(0.179モル)、87.10gのDDA(0.163モル)、5.26gのAPB(0.018モル)、210gのNMP及び140gのキシレンを装入し、40℃で1時間良く混合して、ポリアミド酸溶液を調製した。このポリアミド酸溶液を190℃に昇温し、4時間加熱、攪拌し、140gのキシレンを加えてイミド化を完結したポリイミド溶液1(固形分;30重量%、粘度;6,100cps、重量平均分子量;63,900)を調製した。
<接着層用の樹脂溶液の調製>
表1に示す原料組成とした他は、合成例1と同様にしてポリイミド溶液2~9を調製した。
<接着層用の樹脂溶液の調製>
合成例1で調製したポリイミド溶液1の100g(固形分として30g)に1.1gのN-12(0.004モル)を配合し、0.1gのNMP及び10gのキシレンを加えて希釈し、更に1時間攪拌することでポリイミド溶液10を調製した。
<接着層用の樹脂溶液の調製>
ポリイミド溶液2を用いた他は、合成例10と同様にしてポリイミド溶液11を調製した。
<接着層用の樹脂溶液の調製>
ポリイミド溶液3を用いた他は、合成例10と同様にしてポリイミド溶液12を調製した。
<接着層用の樹脂溶液の調製>
ポリイミド溶液4を用いた他は、合成例10と同様にしてポリイミド溶液13を調製した。
<接着層用の樹脂溶液の調製>
ポリイミド溶液5を用いた他は、合成例10と同様にしてポリイミド溶液14を調製した。
<接着層用の樹脂溶液の調製>
ポリイミド溶液6を用いた他は、合成例10と同様にしてポリイミド溶液15を調製した。
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液10を離型処理されたPETフィルムの片面に塗布し、80℃で15分間乾燥を行った後、剥離することによって、樹脂シート1(厚さ;25μm)を調製した。樹脂シート1のガラス転移温度は41.2℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.69及び0.0023であった。
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液11を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート2を調製した。樹脂シート2のガラス転移温度は48.0℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.50及び0.0022であった。
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液12を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート3を調製した。樹脂シート3のガラス転移温度は60.2℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.63及び0.0025であった。
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液13を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート4を調製した。樹脂シート4のガラス転移温度は72.0℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.70及び0.0028であった。
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液14を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート5を調製した。樹脂シート5のガラス転移温度は39.6℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.61及び0.0025であった。
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液15を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート6を調製した。樹脂シート6のガラス転移温度は48.2℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.61及び0.0023であった。
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液7を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート7を調製した。樹脂シート7のガラス転移温度は236.3℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、3.11及び0.0050であった。
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液8を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート8を調製した。樹脂シート8のガラス転移温度は164.8℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.90及び0.0039であった。
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液9を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート9を調製した。樹脂シート9のガラス転移温度は195.8℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.90及び0.0041であった。
<カバーレイの調製>
ポリイミド溶液7をポリイミドフィルム(東レデュポン社製、商品名;カプトンEN―S、厚さ;25μm、CTE;16ppm/K、Dk;3.79、Df;0.0126)の片面に塗布し、80℃で15分間乾燥を行い、カバーレイ10(接着層の厚さ;25μm)を調製した。
<カバーレイの調製>
ポリイミド溶液8を用いた他は、作製例7と同様にしてカバーレイ11を調製した。
<カバーレイの調製>
ポリイミド溶液9を用いた他は、作製例7と同様にしてカバーレイ12を調製した。
液晶ポリマーフィルム(クラレ社製、商品名;CT-Z、厚さ;50μm、CTE;18ppm/K、熱変形温度;300℃、Dk;3.40、Df;0.0022)を絶縁性基材とし、その両面に銅箔(電解銅箔、厚さ;9μm、表面粗度Rz;2.0μm)が設けられた両面フレキシブル銅張積層板1を準備し、その片面の銅箔にエッチングによる回路加工を施し、導体回路層を形成した配線基板1を調製した。併せて、両面フレキシブル銅張積層板1の片面の銅箔をエッチング除去し、片面フレキシブル銅張積層板1’を調製した。
樹脂シート1に代えて樹脂シート2を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板2を調製した。回路基板2の反りは「良」、ピール強度は「良」、レーザー加工性は「良好」であった。
樹脂シート1に代えて樹脂シート3を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板3を調製した。回路基板3の反りは「良」、ピール強度は「良」、レーザー加工性は「良好」であった。
樹脂シート1に代えて樹脂シート4を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板4を調製した。回路基板4の反りは「良」、ピール強度は「良」、レーザー加工性は「良好」であった。
樹脂シート1に代えて樹脂シート5を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板5を調製した。回路基板5の反りは「良」、ピール強度は「良」、レーザー加工性は「良好」であった。
樹脂シート1に代えて樹脂シート6を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板6を調製した。回路基板6の反りは「良」、ピール強度は「良」、レーザー加工性は「良好」であった。
樹脂シート1に代えて樹脂シート7を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板7を調製した。回路基板7の反りは「不可」、ピール強度は「不可」、レーザー加工性は「良好」であった。
樹脂シート1に代えて樹脂シート8を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板8を調製した。回路基板8の反りは「良」、ピール強度は「可」、レーザー加工性は「不可」であった。
樹脂シート1に代えて樹脂シート9を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板9を調製した。回路基板9の反りは「不可」、ピール強度は「不可」、レーザー加工性は「良好」であった。
実施例1と同様にして、配線基板7及び配線基板7’(いずれも、配線基板1と同じもの)を準備した。配線基板7及び配線基板7’のそれぞれの導体回路層側の面に、2枚のカバーレイ10の接着層面をそれぞれ重ね合わせて積層し、カバーレイが積層した回路基板7及び回路基板7’を調製した。回路基板7のカバーレイ側の面と、回路基板7’のカバーレイ側の面との間に樹脂シート1を挟み、重ね合わせた状態で、温度;160℃、圧力;4MPa、時間;60分間の条件で真空ラミネートし、その後オーブンにて温度;160℃、時間;1時間の条件で熱圧着することで、多層回路基板7を調製した。多層回路基板7の反りは「良」、レーザー加工性及びリフロー耐性も「良好」であった。
カバーレイ10に代えてカバーレイ11を使用し、樹脂シート1に代えて樹脂シート2を使用したこと以外、実施例7と同様にして、多層回路基板8を調製した。多層回路基板8の反りは「良」、レーザー加工性及びリフロー耐性も「良好」であった。
カバーレイ10に代えてカバーレイ12を使用し、樹脂シート1に代えて樹脂シート3を使用したこと以外、実施例7と同様にして、多層回路基板9を調製した。多層回路基板9の反りは「良」、レーザー加工性及びリフロー耐性も「良好」であった。
熱圧着の温度を160℃に代えて180℃にしたこと以外、実施例1と同様にして回路基板10を調製した。回路基板10の反りは「良」、ピール強度は「不可」であった。
熱圧着の温度を160℃に代えて180℃にしたこと以外、実施例7と同様にして回路基板11を調製した。回路基板11の反りは「良」、ピール強度は「不可」であった。
Claims (3)
- 液晶ポリマーからなる絶縁性基材層と、前記絶縁性基材層の少なくとも片面に形成された導体回路層と、前記導体回路層を被覆する接着層とを備えた回路基板であって、
前記接着層は、スプリットポスト誘電体共振器を用いて測定される周波数10GHzにおける誘電正接が0.004以下であるとともに、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含有する接着性ポリイミドを有しており、
前記接着性ポリイミドは、前記ジアミン残基の100モル部に対して、
ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級のアミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル部以上99モル部以下の範囲内で含有し、
下記の一般式(B1)~(B7)で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも1種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を1モル部以上50モル部以下の範囲内で含有することを特徴とする回路基板。
- 前記接着性ポリイミドは、前記テトラカルボン酸残基の100モル部に対して、
下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を合計で90モル部以上含有することを特徴とする請求項1に記載の回路基板。
- 複数の回路基板を積層した多層回路基板であって、
前記回路基板が、請求項1又は2に記載の回路基板であることを特徴とする多層回路基板。
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