JP7379425B2 - 固体撮像装置、および電子装置 - Google Patents

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Description

本技術は、固体撮像装置、および電子装置に関し、特に、基板上に所定の電子チップを搭載し、前記基板と前記電子チップの間にアンダーフィル（液状硬化性樹脂）を充填することにより両者間の電極を封止、保護するようにした固体撮像装置、および電子装置に関する。
従来、電子装置を構成する基板において、その上に所定の電子チップを載置し、前記基板と前記電子チップの間にアンダーフィルを充填することにより両者間の電極を封止、保護する技術が存在する。
また、充填するアンダーフィルが必要以上に広がることを防ぐための構造として、基板上に溝を形成する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１０－８７２３９号公報
ところで、特許文献１で提案されている技術では、アンダーフィルが必要以上に広がることを防ぐための溝が、チップを取り囲む枠状に形成されており、その溝の分だけチップ面積が広く確保された構成となっていた。
本技術はこのような状況に鑑みてなされたものであり、基板の小型化を実現するとともに、アンダーフィル中のボイドリスクを下げられるようにするものである。
本技術の第１の側面である固体撮像装置は、基板の光入射面側に配置された光電変換領域を有する光学層と、前記光学層が形成される領域とは異なる領域において前記基板の光入射面側に配置された電子チップとを備え、前記基板と前記電子チップとは電極により電気的に接続され、前記電子チップと前記基板との間にアンダーフィルが配置され、平面視において前記光学層と前記電子チップとの間に前記電子チップを取り囲まずに、前記基板に形成されたアンダーフィル流入防止部が配置され、前記アンダーフィル流入防止部は、複数本の凹状溝部により形成され、それぞれの前記凹状溝部どうしの間隔が非同一ピッチ、または、それぞれの前記凹状溝部の幅が非同一幅となるように構成される。
本技術の第２の側面である電子装置は、固体撮像装置が採用されている電子装置において、前記固体撮像装置は、基板の光入射面側に配置された光電変換領域を有する光学層と、前記光学層が形成される領域とは異なる領域において前記基板の光入射面側に配置された電子チップとを備え、前記基板と前記電子チップとは電極により電気的に接続され、前記電子チップと前記基板との間にアンダーフィルが配置され、平面視において前記光学層と前記電子チップとの間に前記電子チップを取り囲まずに、前記基板に形成されたアンダーフィル流入防止部が配置され、前記アンダーフィル流入防止部は、複数本の凹状溝部により形成され、それぞれの前記凹状溝部どうしの間隔が非同一ピッチ、または、それぞれの前記凹状溝部の幅が非同一幅となるように構成される。
本技術の第１および第２の側面においては、アンダーフィル流入防止部によって保護対象部に対するアンダーフィルの流入が抑止される。
基板上に溝を形成した構成の一例を示す断面図である。 基板上に溝を形成した構成の一例を示す上面図である。 固体撮像素子を構成する基板に、図１および図２を参照して説明した技術を適用した場合の構成の一例を示す上面図である。 本技術を適用した固体撮像素子の基板の構成例を示す上面図である。 流入防止部を凹状の溝とした場合の断面図を示している。 流入防止部を凸状の壁とした場合の断面図を示している。 第１の変形例を示す上面図である。 第２の変形例を示す上面図である。 第３の変形例を示す断面図である。 アンダーフィルおよび光学層の間における構造の第１の構成例を説明する図である。 アンダーフィルおよび光学層の間における構造の第２の構成例を説明する図である。 アンダーフィルおよび光学層の間における構造の第３の構成例を説明する図である。 アンダーフィルおよび光学層の間における構造の第４の構成例を説明する図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
以下、本技術を実施するための最良の形態（以下、実施の形態と称する）について、図面を参照しながら詳細に説明する。
＜固体撮像素子の構成例＞
まず、本実施の形態の固体撮像素子について説明する前に、図１乃至図３を参照して、本技術が必要となる元となった固体撮像素子の構成について説明する。
図１は、基板上に溝を形成した固体撮像素子の構成の一例を示す断面図である。図２は、図１に対応する上面図である。
図１に示されるように、基板１１上には電子チップ１３が載置され、基板１１と電子チップ１３の間には、基板１１と電子チップ１３とを電気的に接続する電極１２を封止するためのアンダーフィル１４が充填されている。また、基板１１には、図２に示されるように、電子チップ１３が載置されている位置を取り囲む枠状に溝１５が形成されており、溝１５により、アンダーフィル１４の広がりが抑止されている。
図３は、固体撮像素子を構成する基板に、図１および図２を参照して説明した技術を適用した場合の構成の一例を示す上面図である。
図３においては、Ｓｉ等から成る基板１１の表面にＰＤ（フォトダイオード）等の受光素子から成る光学層２１が形成されている。また、基板１１の上には各種の信号を外部機器に伝達するためのワイヤ等が接続される接続パッド２２が形成されている。さらに、基板１１の上にはロジック回路等を有する電子チップ１３が載置されている。
基板１１と電子チップ１３の間には、基板１１と電子チップ１３とを電気的に接続する電極１２を封止するためのアンダーフィル１４が充填されている。また、基板１１の電子チップ１３が載置されている位置の周囲には枠状に溝１５が形成されている。溝１５が形成されることにより、アンダーフィル１４が、光学層２１や接続パッド２２にまで広がることが抑止される。
上述したような構成の場合、溝１５に取り囲まれている範囲内に確実にアンダーフィル１４を留める必要があるとともに、アンダーフィル１４の充填を開始する位置を設ける必要があるので、溝１５による枠のサイズは電子チップ１３のサイズに対して大きめに形成する必要がある。このため、電子チップ１３を取り囲むように溝１５を形成する方法では、基板１１の面積効率を上げることが難しく、基板１１を小型化する際の妨げとなっていた。
また、アンダーフィル１４の充填量は溝１５による枠のサイズに依存して制限されるので、該枠のサイズによってはアンダーフィル１４を十分に充填できないことも起こり得る。十分な体積をアンダーフィルが持たない場合では毛細管現象に伴うフロー特性の低下が起こり、その場合、アンダーフィル１４の中にボイドが発生してしまい、基板１１と電子チップ１３の間の電極１２を確実に封止、保護できないことが起こり得た。
＜本実施の形態である固体撮像素子の構成例＞
図４は、本実施の形態である固体撮像素子の基板の構成例を示す上面図である。ただし、図４においては、図３に示された固体撮像素子の構成の一例と共通する構成要素については同一の符号をつけている。
図４においては、Ｓｉ等から成る基板３１の上にロジック回路等の電子チップ１３が載置されている。また、基板３１の表面にはＰＤ（フォトダイオード）等の受光素子から成る光学層２１が形成されている。
電子チップ１３と基板３１との間には、電子チップ１３と基板３１とを電気的に接続する電極４１（図５）を封止、保護するためのアンダーフィル１４が充填されている。また、基板３１の電子チップ１３が載置される位置と光学層２１との間には、アンダーフィル１４が光学層２１に対して流入することを防ぐための流入防止部３２が形成されている。なお、流入防止部３２は、基板３１に対して凹状の溝を形成してもよいし、凸状の壁を形成してもよい。
またさらに、基板３１には、各種信号を伝達するためのワイヤ等が接続される接続パッド２２が形成されている。また、基板３１の接続パッド２２の周囲には、アンダーフィル１４が接続パッド２２に対して流入することを防ぐための流入防止部３３が形成されている。
なお、流入防止部３３は、基板３１に対して凹状の溝を形成してもよいし、凸状の壁を形成してもよい。
また、流入防止部３３は、１重ではなく２重以上の多重構造としてもよい。
図５は、流入防止部３２および３３を凹状の溝とした場合の断面図を示している。基板３１の表面に対する凹状の溝の傾斜角度θは、６０°乃至９０°とする。該傾斜角度θを急峻な６０°乃至９０°とすることにより、基板３１とアンダーフィル１４の摩擦力と、アンダーフィル１４の表面張力のバランスよりアンダーフィル１４の流入を該溝の上面で止めることができる。該溝の深さと幅については、深さと幅の比（深さ／幅）が０．５乃至１６０００の範囲に収まるように形成する。
図６は、流入防止部３２および３３を凸状の壁とした場合の断面図を示している。
なお、流入防止部３２および３３の一方を凹状の溝とし、他方を凸状の壁として形成するようにしてもよい。
＜構成の比較＞
図１乃至図３に示された固体撮像素子の構成では、枠状の溝１５によってアンダーフィル１４を囲い込むことによって流出を防いでいた。これに対して、本実施の形態である固体撮像素子の基板３１では、アンダーフィル１４が充填される領域（図４の場合、電子チップ１３の下部）とアンダーフィル１４が流入しては困る部位（図４の場合、光学層２１および接続パッド２２）との間に流入防止部３２および３３を設けることにより、アンダーフィル１４が流入しては困る部位に対してアンダーフィル１４の流入を防ぐようになされている。
このような構成を採用することにより、図１乃至図３の固体撮像素子の構成にあった、電子チップ１３のサイズよりも大きな枠状の溝１５を形成する必要が無いので、例えば、基板３１における光学層２１と電子チップ１３との距離を、図１乃至図３の固体撮像素子の構成と比較して近づけて配置できる。よって、基板３１の面積効率を上げることができ、基板３１を小型化することが可能となる。
また、枠状の溝１５を形成しないので、アンダーフィル１４を枠内に留める必要が無くなり、十分な量のアンダーフィル１４を充填することができることになり、アンダーフィル１４の中にボイドが発生することを抑止できる。よって、基板３１と電子チップ１３の間の電極４１を確実に封止、保護することができる。
なお、本技術は、固体撮像素子を構成する基板に限らず、一般的な電子装置を構成する基板に対して適用できる。
ただし、固体撮像素子等の光学デバイスに限っては、光学層２１の画素近傍までアンダーフィル１４が流れ来ることになり、光学層２１を形成する材料次第ではあるがフレアやゴースト等の画質劣化が起こり得る。これに対しては材料選択や、塗布材料の多層化等によりそのリスクを下げる方法を適用すればよい。例えば、1層目をアンダーフィルとし、２層目を画素近くのみ遮光材等を用いるようにしてもよい。
＜第１の変形例＞
図４に示された構成例では、各接続パッド２２を囲むように流入防止部３３を形成していた。
図７は、複数の接続パッド２２を囲むように流入防止部３３を形成した構成例（第１の変形例）を示す上面図である。すなわち、図７においては、２個の接続パッド２２を囲む流入防止部３３１と、５個の接続パッド２２を囲む流入防止部３３２が形成されている。
同図の場合、枠状の溝１５を形成する必要が無いので、基板５１の面積効率を上げることができ、基板５１を小型化することが可能となる。また、基板５１と電子チップ１３の間の電極４１を確実に封止、保護することができる。
さらに、各接続パッド２２に対してアンダーフィル１４が流入することを抑止することが可能となる。
＜第２の変形例＞
図８は、基板６１上に複数の電子チップ１３を載置し、それらと基板６１の間に一体的にアンダーフィル１４を充填した構成例（第２の変形例）を示す上面図である。すなわち、図８においては、３個の電子チップ１３－１乃至１３－３と基板６１の間に一体的にアンダーフィル１４が充填されている。
同図の場合、各電子チップ１３それぞれを枠状の溝１５で囲む必要が無いので、基板６１の面積効率を上げることができ、基板６１を小型化することが可能となる。また、基板６１と各電子チップ１３の間の電極４１を確実に封止、保護することができる。
＜第３の変形＞
図９は、複数の基板７１を積層した構成例（第３の構成例）場合を示す断面図である。
すなわち、図９においては、基板７１－１と７１－２の間、および基板７１－２と７１－３の間が中継はんだボール７２を介して積層され、各基板７１においては電子チップ１３が載置され、電子チップ１３と基板７１の間にはアンダーフィル１４が充填されている。また、各基板７１のアンダーフィル１４が充填される領域（電子チップ１３の下部）とアンダーフィル１４が流入しては困る部位（図９の場合、表面部品７３および中継はんだボール７２）との間に流入防止部３２が形成されている。
同図の場合においても、上述した構成例や変形例と同様の効果を得ることができる。
＜アンダーフィルおよび光学層の間における構造の第１の構成例＞
図１０を参照して、アンダーフィル１４および光学層２１の間における構造の第１の構成例について説明する。
図１０のＡには、アンダーフィル１４および光学層２１の間の一部分を拡大した上面図が示されており、図１０のＢには、図１０のＡに対応する断面図が示されている。
例えば、図４を参照して説明したように、アンダーフィル１４および光学層２１の間には、アンダーフィル１４が光学層２１に対して流入することを防ぐための流入防止部３２が形成されている。なお、アンダーフィル１４における表面反射を抑制するために、アンダーフィル１４の表面に対して、図示しないブラックカラーフィルタを積層してもよく、以下で説明する全ての構成例に、ブラックカラーフィルタを積層してもよい。
上述したように、流入防止部３２は、凹状の溝（図５）または凸状の壁（図６）により形成するような構成とする他、それらが２重以上の多重構造とすることができる。
図１０に示す流入防止部３２ａは、５本の凹状溝部８１－１乃至８１－５が形成された構成となっている。また、図１０に示す例では、凹状溝部８１－１および８１－２が、アンダーフィル１４により覆われており、即ち、凹状溝部８１－１および８１－２にアンダーフィル１４が入り込むことで、光学層２１へのアンダーフィル１４の流入が防止された状態となっている。
そして、流入防止部３２ａは、アンダーフィル１４により覆われない部分における反射光および干渉光による影響を抑制するために、複数本の凹状溝部８１それぞれを配置する間隔が、非同一ピッチとなるように形成することが好ましい。
例えば、図示するように、アンダーフィル１４から光学層２１に向かうに従って凹状溝部８１どうしの間隔が狭くなるように、複数本の凹状溝部８１が非同一ピッチで配置される。なお、アンダーフィル１４から光学層２１に向かうに従って複数本の凹状溝部８１どうしの間隔が広くなるような非同一ピッチで、または、複数本の凹状溝部８１どうしの間隔がランダムとなるような非同一ピッチで、複数本の凹状溝部８１を配置してもよい。
さらに、流入防止部３２ａの寸法について、凹状溝部８１の幅と、凹状溝部８１どうしの間隔（ピッチ）とは、光学層２１に入射する入射光の中心波長λに対して、λ／８乃至３０λの範囲となるように加工することが好適である。例えば、中心波長550ｎｍに対して、凹状溝部８１の幅、および、凹状溝部８１どうしの間隔は、70ｎｍから16,500ｎｍまでの範囲となるように加工される。具体的には、凹状溝部８１－１乃至８１－５の幅が、それぞれ3,000ｎｍに加工され、凹状溝部８１－１と８１－２との間隔が10,000ｎｍに加工され、凹状溝部８１－２と８１－３との間隔が7,000ｎｍに加工され、凹状溝部８１－３と８１－４との間隔が5,000ｎｍに加工され、凹状溝部８１－４と８１－５との間隔が3,000ｎｍに加工される。
また、流入防止部３２ａおよび光学層２１の間には、溝などの加工が行われない平坦領域８２が設けられている。そして、平坦領域８２の幅ｄ、即ち、流入防止部３２ａから光学層２１まで距離は、反射光または干渉光の影響を抑制するために、光学層２１に入射する入射光の中心波長λに対して、λ／８乃至３０λの範囲となるように形成することが好適である。例えば、中心波長550ｎｍに対して、平坦領域８２の幅ｄは、70ｎｍから16,500ｎｍまでの範囲とするのが好適である。
以上のように、アンダーフィル１４および光学層２１の間において、非同一ピッチで配置される複数本の凹状溝部８１により流入防止部３２ａを構成するとともに、平坦領域８２の幅ｄが所定範囲内となるような構造が採用される。これにより、アンダーフィル１４の光学層２１への流入を防止し、アンダーフィル１４および光学層２１の間における反射光および干渉光による影響を抑制することができ、例えば、フレアやゴースト等による画質の劣化を回避することができる。
＜アンダーフィルおよび光学層の間における構造の第２の構成例＞
図１１を参照して、アンダーフィル１４および光学層２１の間における構造の第２の構成例について説明する。なお、図１１に示す構造のうち、図１０に示す構造と共通する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図１１のＡには、アンダーフィル１４および光学層２１の間の一部分を拡大した上面図が示されており、図１１のＢには、図１１のＡに対応する断面図が示されている。
図１１に示す流入防止部３２ｂは、５本の凹状溝部８１－１乃至８１－５が形成された構成となっている。また、図１１に示す例では、凹状溝部８１－１および８１－２が、アンダーフィル１４により覆われており、即ち、凹状溝部８１－１および８１－２にアンダーフィル１４が入り込むことで、光学層２１へのアンダーフィル１４の流入が防止された状態となっている。
そして、流入防止部３２ｂは、アンダーフィル１４により覆われない部分における反射光および干渉光による影響を抑制するために、複数本の凹状溝部８１が非同一幅となり、かつ、それぞれを配置する間隔が非同一ピッチとなるように形成することが好ましい。即ち、流入防止部３２ｂは、複数本の凹状溝部８１の幅がそれぞれ異なり、かつ、複数本の凹状溝部８１どうしの間隔がそれぞれ異なるように構成されている。
例えば、図示するように、アンダーフィル１４から光学層２１に向かうに従って、凹状溝部８１の幅が狭くなるとともに、凹状溝部８１どうしの間隔が狭くなるように、複数本の凹状溝部８１が非同一幅および非同一ピッチで配置される。なお、アンダーフィル１４から光学層２１に向かうに従って、凹状溝部８１の幅が広くなるとともに、凹状溝部８１どうしの間隔が広くなるような非同一ピッチで、または、それらがランダムとなるような非同一ピッチで、複数本の凹状溝部８１を配置してもよい。
さらに、流入防止部３２ｂの寸法について、凹状溝部８１の幅と、凹状溝部８１どうしの間隔（ピッチ）とは、光学層２１に入射する入射光の中心波長λに対して、λ／８乃至３０λの範囲となるように加工することが好適である。例えば、中心波長550ｎｍに対して、凹状溝部８１の幅、および、凹状溝部８１どうしの間隔は、70ｎｍから16,500ｎｍまでの範囲に加工される。具体的には、凹状溝部８１－１の幅が10,000ｎｍに加工され、凹状溝部８１－２の幅が7,000ｎｍに加工され、凹状溝部８１－３の幅が5,000ｎｍに加工され、凹状溝部８１－４の幅が3,000ｎｍに加工され、凹状溝部８１－５の幅が1,000ｎｍに加工される。また、凹状溝部８１－１と８１－２との間隔が10,000ｎｍに加工され、凹状溝部８１－２と８１－３との間隔が7,000ｎｍに加工され、凹状溝部８１－３と８１－４との間隔が5,000ｎｍに加工され、凹状溝部８１－４と８１－５との間隔が3,000ｎｍに加工される。
また、流入防止部３２ｂおよび光学層２１の間に設けられる平坦領域８２の幅ｄは、図１０を参照して説明したのと同様に、光学層２１に入射する入射光の中心波長λに対して、λ／８乃至３０λの範囲となるように形成することが好適である。
以上のように、アンダーフィル１４および光学層２１の間において、非同一幅および非同一ピッチで配置される複数本の凹状溝部８１により流入防止部３２ｂを構成するとともに、平坦領域８２の幅ｄを所定範囲内となるような構造が採用される。これにより、アンダーフィル１４の光学層２１への流入を防止し、アンダーフィル１４および光学層２１の間における反射光および干渉光による影響を抑制することができ、例えば、フレアやゴースト等による画質の劣化を回避することができる。
＜アンダーフィルおよび光学層の間における構造の第３および第４の構成例＞
図１２および図１３を参照して、アンダーフィル１４および光学層２１の間における構造の第３および第４の構成例について説明する。なお、図１２および図１３に示す構造のうち、図１０に示す構造と共通する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図１２には、アンダーフィル１４および光学層２１の間における構造の第３の構成例の上面図が示されており、図１３には、アンダーフィル１４および光学層２１の間における構造の第４の構成例の上面図が示されている。
図１２に示す流入防止部３２ｃは、複数の円形の凹状部９１が不連続となるような配置で形成された構成となっている。また、図１２に示す例では、複数の円形の凹状部９１のうちの、一部分の円形の凹状部９１が、アンダーフィル１４により覆われている。即ち、その一部分の円形の凹状部９１にアンダーフィル１４が入り込むことで、光学層２１へのアンダーフィル１４の流入が防止された状態となっている。
そして、流入防止部３２ｃは、アンダーフィル１４により覆われない部分における反射光および干渉光による影響を抑制するために、複数の円形の凹状部９１が、非同一サイズかつ非同一ピッチとなるように加工することが好ましい。即ち、流入防止部３２ｃは、複数の円形の凹状部９１の直径ａがそれぞれ異なり、かつ、複数の円形の凹状部９１どうしの間隔ｂがそれぞれ異なるように加工され、それぞれの直径ａおよび間隔ｂがランダムとなるように加工されている。
さらに、流入防止部３２ｃの寸法について、円形の凹状部９１の直径ａと、円形の凹状部９１どうしの間隔ｂとは、光学層２１に入射する入射光の中心波長λに対して、λ／８乃至３０λの範囲となるように加工することが好適である。例えば、中心波長550ｎｍに対して、円形の凹状部９１の直径ａ、および、円形の凹状部９１どうしの間隔ｂは、70ｎｍから16,500ｎｍまでの範囲となるように加工される。具体的には、複数の円形の凹状部９１の直径ａは、それぞれ10,000ｎｍ、7,000ｎｍ、5,000ｎｍ、3,000ｎｍ、および1,000ｎｍとなるようにランダムに加工され、円形の凹状部９１どうしの間隔ｂは、5,000ｎｍ、3,000ｎｍ、および1,000ｎｍとなるようにランダムに加工される。
また、流入防止部３２ｃおよび光学層２１の間に設けられる平坦領域８２の幅ｄは、図１０を参照して説明したのと同様に、光学層２１に入射する入射光の中心波長λに対して、λ／８乃至３０λの範囲となるように形成することが好適である。
なお、図１３に示す流入防止部３２ｄは、複数の矩形の凹状部９２が、図１２に示す流入防止部３２ｃの円形の凹状部９１と同様にランダムに形成された構成となっており、その他の点で、同様の構成となっている。なお、流入防止部３２としては、円形および矩形以外の凹状部がランダムに配置された構成となっていてもよい。
また、アンダーフィル１４と光学層２１との間が、全て平坦となるような構成ではなく、必ず、流入防止部３２ｃに形成される円形の凹状部９１の一部分、または、流入防止部３２ｄに形成される矩形の凹状部９２の一部分が現れるような構成とすることが好ましい。
以上のように、アンダーフィル１４および光学層２１の間において、ランダムに配置される円形の凹状部９１により流入防止部３２ｃを構成し、または、矩形の凹状部９２により流入防止部３２ｄを構成するとともに、平坦領域８２の幅ｄを所定範囲内となるような構造が採用される。これにより、アンダーフィル１４の光学層２１への流入を防止し、アンダーフィル１４および光学層２１の間における反射光および干渉光による影響を抑制することができ、例えば、フレアやゴースト等による画質の劣化を回避することができる。
＜応用例＞
本技術は、例えば、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械（トラクタ）などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図１４は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システム７０００の概略的な構成例を示すブロック図である。車両制御システム７０００は、通信ネットワーク７０１０を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１４に示した例では、車両制御システム７０００は、駆動系制御ユニット７１００、ボディ系制御ユニット７２００、バッテリ制御ユニット７３００、車外情報検出ユニット７４００、車内情報検出ユニット７５００、及び統合制御ユニット７６００を備える。これらの複数の制御ユニットを接続する通信ネットワーク７０１０は、例えば、ＣＡＮ（Controller Area Network）、ＬＩＮ（Local Interconnect Network）、ＬＡＮ（Local Area Network）又はＦｌｅｘＲａｙ（登録商標）等の任意の規格に準拠した車載通信ネットワークであってよい。
各制御ユニットは、各種プログラムにしたがって演算処理を行うマイクロコンピュータと、マイクロコンピュータにより実行されるプログラム又は各種演算に用いられるパラメータ等を記憶する記憶部と、各種制御対象の装置を駆動する駆動回路とを備える。各制御ユニットは、通信ネットワーク７０１０を介して他の制御ユニットとの間で通信を行うためのネットワークＩ／Ｆを備えるとともに、車内外の装置又はセンサ等との間で、有線通信又は無線通信により通信を行うための通信Ｉ／Ｆを備える。図１４では、統合制御ユニット７６００の機能構成として、マイクロコンピュータ７６１０、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０、音声画像出力部７６７０、車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０及び記憶部７６９０が図示されている。他の制御ユニットも同様に、マイクロコンピュータ、通信Ｉ／Ｆ及び記憶部等を備える。
駆動系制御ユニット７１００は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット７１００は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。駆動系制御ユニット７１００は、ＡＢＳ（Antilock Brake System）又はＥＳＣ（Electronic Stability Control）等の制御装置としての機能を有してもよい。
駆動系制御ユニット７１００には、車両状態検出部７１１０が接続される。車両状態検出部７１１０には、例えば、車体の軸回転運動の角速度を検出するジャイロセンサ、車両の加速度を検出する加速度センサ、あるいは、アクセルペダルの操作量、ブレーキペダルの操作量、ステアリングホイールの操舵角、エンジン回転数又は車輪の回転速度等を検出するためのセンサのうちの少なくとも一つが含まれる。駆動系制御ユニット７１００は、車両状態検出部７１１０から入力される信号を用いて演算処理を行い、内燃機関、駆動用モータ、電動パワーステアリング装置又はブレーキ装置等を制御する。
ボディ系制御ユニット７２００は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット７２００は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット７２００には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット７２００は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
バッテリ制御ユニット７３００は、各種プログラムにしたがって駆動用モータの電力供給源である二次電池７３１０を制御する。例えば、バッテリ制御ユニット７３００には、二次電池７３１０を備えたバッテリ装置から、バッテリ温度、バッテリ出力電圧又はバッテリの残存容量等の情報が入力される。バッテリ制御ユニット７３００は、これらの信号を用いて演算処理を行い、二次電池７３１０の温度調節制御又はバッテリ装置に備えられた冷却装置等の制御を行う。
車外情報検出ユニット７４００は、車両制御システム７０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット７４００には、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０のうちの少なくとも一方が接続される。撮像部７４１０には、ＴｏＦ（Time Of Flight）カメラ、ステレオカメラ、単眼カメラ、赤外線カメラ及びその他のカメラのうちの少なくとも一つが含まれる。車外情報検出部７４２０には、例えば、現在の天候又は気象を検出するための環境センサ、あるいは、車両制御システム７０００を搭載した車両の周囲の他の車両、障害物又は歩行者等を検出するための周囲情報検出センサのうちの少なくとも一つが含まれる。
環境センサは、例えば、雨天を検出する雨滴センサ、霧を検出する霧センサ、日照度合いを検出する日照センサ、及び降雪を検出する雪センサのうちの少なくとも一つであってよい。周囲情報検出センサは、超音波センサ、レーダ装置及びＬＩＤＡＲ（Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging）装置のうちの少なくとも一つであってよい。これらの撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０は、それぞれ独立したセンサないし装置として備えられてもよいし、複数のセンサないし装置が統合された装置として備えられてもよい。
ここで、図１５は、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０の設置位置の例を示す。撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６，７９１８は、例えば、車両７９００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部のうちの少なくとも一つの位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部７９１０及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として車両７９００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部７９１２，７９１４は、主として車両７９００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部７９１６は、主として車両７９００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
なお、図１５には、それぞれの撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲ａは、フロントノーズに設けられた撮像部７９１０の撮像範囲を示し、撮像範囲ｂ，ｃは、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部７９１２，７９１４の撮像範囲を示し、撮像範囲ｄは、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部７９１６の撮像範囲を示す。例えば、撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両７９００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
車両７９００のフロント、リア、サイド、コーナ及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２２，７９２４，７９２６，７９２８，７９３０は、例えば超音波センサ又はレーダ装置であってよい。車両７９００のフロントノーズ、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２６，７９３０は、例えばＬＩＤＡＲ装置であってよい。これらの車外情報検出部７９２０～７９３０は、主として先行車両、歩行者又は障害物等の検出に用いられる。
図１４に戻って説明を続ける。車外情報検出ユニット７４００は、撮像部７４１０に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像データを受信する。また、車外情報検出ユニット７４００は、接続されている車外情報検出部７４２０から検出情報を受信する。車外情報検出部７４２０が超音波センサ、レーダ装置又はＬＩＤＡＲ装置である場合には、車外情報検出ユニット７４００は、超音波又は電磁波等を発信させるとともに、受信された反射波の情報を受信する。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、降雨、霧又は路面状況等を認識する環境認識処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、車外の物体までの距離を算出してもよい。
また、車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等を認識する画像認識処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに対して歪補正又は位置合わせ等の処理を行うとともに、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを合成して、俯瞰画像又はパノラマ画像を生成してもよい。車外情報検出ユニット７４００は、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを用いて、視点変換処理を行ってもよい。
車内情報検出ユニット７５００は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部７５１０が接続される。運転者状態検出部７５１０は、運転者を撮像するカメラ、運転者の生体情報を検出する生体センサ又は車室内の音声を集音するマイク等を含んでもよい。生体センサは、例えば、座面又はステアリングホイール等に設けられ、座席に座った搭乗者又はステアリングホイールを握る運転者の生体情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００は、運転者状態検出部７５１０から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。車内情報検出ユニット７５００は、集音された音声信号に対してノイズキャンセリング処理等の処理を行ってもよい。
統合制御ユニット７６００は、各種プログラムにしたがって車両制御システム７０００内の動作全般を制御する。統合制御ユニット７６００には、入力部７８００が接続されている。入力部７８００は、例えば、タッチパネル、ボタン、マイクロフォン、スイッチ又はレバー等、搭乗者によって入力操作され得る装置によって実現される。統合制御ユニット７６００には、マイクロフォンにより入力される音声を音声認識することにより得たデータが入力されてもよい。入力部７８００は、例えば、赤外線又はその他の電波を利用したリモートコントロール装置であってもよいし、車両制御システム７０００の操作に対応した携帯電話又はＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等の外部接続機器であってもよい。入力部７８００は、例えばカメラであってもよく、その場合搭乗者はジェスチャにより情報を入力することができる。あるいは、搭乗者が装着したウェアラブル装置の動きを検出することで得られたデータが入力されてもよい。さらに、入力部７８００は、例えば、上記の入力部７８００を用いて搭乗者等により入力された情報に基づいて入力信号を生成し、統合制御ユニット７６００に出力する入力制御回路などを含んでもよい。搭乗者等は、この入力部７８００を操作することにより、車両制御システム７０００に対して各種のデータを入力したり処理動作を指示したりする。
記憶部７６９０は、マイクロコンピュータにより実行される各種プログラムを記憶するＲＯＭ（Read Only Memory）、及び各種パラメータ、演算結果又はセンサ値等を記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）を含んでいてもよい。また、記憶部７６９０は、ＨＤＤ（Hard Disc Drive）等の磁気記憶デバイス、半導体記憶デバイス、光記憶デバイス又は光磁気記憶デバイス等によって実現してもよい。
汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、外部環境７７５０に存在する様々な機器との間の通信を仲介する汎用的な通信Ｉ／Ｆである。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、ＧＳＭ（Global System of Mobile communications）、ＷｉＭＡＸ、ＬＴＥ（Long Term Evolution）若しくはＬＴＥ－Ａ（LTE－Advanced）などのセルラー通信プロトコル、又は無線ＬＡＮ（Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）ともいう）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などのその他の無線通信プロトコルを実装してよい。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えば、基地局又はアクセスポイントを介して、外部ネットワーク（例えば、インターネット、クラウドネットワーク又は事業者固有のネットワーク）上に存在する機器（例えば、アプリケーションサーバ又は制御サーバ）へ接続してもよい。また、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えばＰ２Ｐ（Peer To Peer）技術を用いて、車両の近傍に存在する端末（例えば、運転者、歩行者若しくは店舗の端末、又はＭＴＣ（Machine Type Communication）端末）と接続してもよい。
専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、車両における使用を目的として策定された通信プロトコルをサポートする通信Ｉ／Ｆである。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、例えば、下位レイヤのＩＥＥＥ８０２．１１ｐと上位レイヤのＩＥＥＥ１６０９との組合せであるＷＡＶＥ（Wireless Access in Vehicle Environment）、ＤＳＲＣ（Dedicated Short Range Communications）、又はセルラー通信プロトコルといった標準プロトコルを実装してよい。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、典型的には、車車間（Vehicle to Vehicle）通信、路車間（Vehicle to Infrastructure）通信、車両と家との間（Vehicle to Home）の通信及び歩車間（Vehicle to Pedestrian）通信のうちの１つ以上を含む概念であるＶ２Ｘ通信を遂行する。
測位部７６４０は、例えば、ＧＮＳＳ（Global Navigation Satellite System）衛星からのＧＮＳＳ信号（例えば、ＧＰＳ（Global Positioning System）衛星からのＧＰＳ信号）を受信して測位を実行し、車両の緯度、経度及び高度を含む位置情報を生成する。なお、測位部７６４０は、無線アクセスポイントとの信号の交換により現在位置を特定してもよく、又は測位機能を有する携帯電話、ＰＨＳ若しくはスマートフォンといった端末から位置情報を取得してもよい。
ビーコン受信部７６５０は、例えば、道路上に設置された無線局等から発信される電波あるいは電磁波を受信し、現在位置、渋滞、通行止め又は所要時間等の情報を取得する。なお、ビーコン受信部７６５０の機能は、上述した専用通信Ｉ／Ｆ７６３０に含まれてもよい。
車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、マイクロコンピュータ７６１０と車内に存在する様々な車内機器７７６０との間の接続を仲介する通信インタフェースである。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＮＦＣ（Near Field Communication）又はＷＵＳＢ（Wireless USB）といった無線通信プロトコルを用いて無線接続を確立してもよい。また、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、図示しない接続端子（及び、必要であればケーブル）を介して、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）、ＨＤＭＩ（High-Definition Multimedia Interface）、又はＭＨＬ（Mobile High-definition Link）等の有線接続を確立してもよい。車内機器７７６０は、例えば、搭乗者が有するモバイル機器若しくはウェアラブル機器、又は車両に搬入され若しくは取り付けられる情報機器のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。また、車内機器７７６０は、任意の目的地までの経路探索を行うナビゲーション装置を含んでいてもよい。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、これらの車内機器７７６０との間で、制御信号又はデータ信号を交換する。
車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、マイクロコンピュータ７６１０と通信ネットワーク７０１０との間の通信を仲介するインタフェースである。車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、通信ネットワーク７０１０によりサポートされる所定のプロトコルに則して、信号等を送受信する。
統合制御ユニット７６００のマイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、各種プログラムにしたがって、車両制御システム７０００を制御する。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット７１００に対して制御指令を出力してもよい。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行ってもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行ってもよい。
マイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、車両と周辺の構造物や人物等の物体との間の３次元距離情報を生成し、車両の現在位置の周辺情報を含むローカル地図情報を作成してもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される情報に基づき、車両の衝突、歩行者等の近接又は通行止めの道路への進入等の危険を予測し、警告用信号を生成してもよい。警告用信号は、例えば、警告音を発生させたり、警告ランプを点灯させたりするための信号であってよい。
音声画像出力部７６７０は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１３の例では、出力装置として、オーディオスピーカ７７１０、表示部７７２０及びインストルメントパネル７７３０が例示されている。表示部７７２０は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。表示部７７２０は、ＡＲ（Augmented Reality）表示機能を有していてもよい。出力装置は、これらの装置以外の、ヘッドホン、搭乗者が装着する眼鏡型ディスプレイ等のウェアラブルデバイス、プロジェクタ又はランプ等の他の装置であってもよい。出力装置が表示装置の場合、表示装置は、マイクロコンピュータ７６１０が行った各種処理により得られた結果又は他の制御ユニットから受信された情報を、テキスト、イメージ、表、グラフ等、様々な形式で視覚的に表示する。また、出力装置が音声出力装置の場合、音声出力装置は、再生された音声データ又は音響データ等からなるオーディオ信号をアナログ信号に変換して聴覚的に出力する。
なお、図１４に示した例において、通信ネットワーク７０１０を介して接続された少なくとも二つの制御ユニットが一つの制御ユニットとして一体化されてもよい。あるいは、個々の制御ユニットが、複数の制御ユニットにより構成されてもよい。さらに、車両制御システム７０００が、図示されていない別の制御ユニットを備えてもよい。また、上記の説明において、いずれかの制御ユニットが担う機能の一部又は全部を、他の制御ユニットに持たせてもよい。つまり、通信ネットワーク７０１０を介して情報の送受信がされるようになっていれば、所定の演算処理が、いずれかの制御ユニットで行われるようになってもよい。同様に、いずれかの制御ユニットに接続されているセンサ又は装置が、他の制御ユニットに接続されるとともに、複数の制御ユニットが、通信ネットワーク７０１０を介して相互に検出情報を送受信してもよい。
以上説明した車両制御システム７０００において、本実施の形態である固体撮像素子は、図１４に示した応用例の統合制御ユニット７６００に適用することができる。
また、本実施の形態である固体撮像素子の少なくとも一部の構成要素は、図１４に示した統合制御ユニット７６００のためのモジュール（例えば、一つのダイで構成される集積回路モジュール）において実現されてもよい。あるいは、本実施の形態である固体撮像素子が、図１４に示した車両制御システム７０００の複数の制御ユニットによって実現されてもよい。
なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
基板に載置された電子チップと、
前記基板と前記電子チップとの間に存在し、前記基板と前記電子チップとを電気的に接続する電極と、
前記基板と前記電子チップとの間に充填されることによって前記電極を封止、保護するアンダーフィルと、
前記基板上に形成された、前記アンダーフィルの流入から保護すべき保護対象部と、
前記保護対象部の全体または一部分を囲むように前記基板に形成されたアンダーフィル流入防止部と
を備える電子基板。
（２）
前記アンダーフィル流入防止部は、多重構造を有する
前記（１）に記載の電子基板。
（３）
前記アンダーフィル流入防止部は、凹状の溝である
前記（１）または（２）に記載の電子基板。
（４）
前記凹状の溝は、前記基板の表面に対して６０°乃至９０°の傾斜角を有する
前記（３）に記載の電子基板。
（５）
前記凹状の溝の深さ／幅は、０．５乃至１６０００である
前記（３）または（４）に記載の電子基板。
（６）
前記アンダーフィル流入防止部は、凸状の壁である
前記（１）または（２）に記載の電子基板。
（７）
前記保護対象部は、外部機器との接続パッドである
前記（１）から（６）のいずれかに記載の電子基板。
（８）
前記保護対象部は、受光層であり、
前記電子チップは、機能回路を有する半導体チップであり、
前記電子基板は、固体撮像素子の構成要素である
前記（１）から（７）のいずれかに記載の電子基板。
（９）
前記アンダーフィル流入防止部は、１または複数の前記保護対象部の全体または一部分を囲むように前記基板に形成されている
前記（１）から（８）のいずれかに記載の電子基板。
（１０）
前記アンダーフィルから前記受光層までの間に設けられる平坦部の幅が、前記受光層に入射する入射光の中心波長λに対して、λ／８乃至３０λの範囲である
前記（８）に記載の電子基板。
（１１）
前記アンダーフィル流入防止部は、複数本の凹状溝部により形成され、それぞれの前記凹状溝部を配置する間隔が非同一ピッチとなるように構成される
前記（１０）に記載の電子基板。
（１２）
複数本の前記凹状溝部どうしの間隔が、前記受光層に入射する入射光の中心波長λに対して、λ／８乃至３０λの範囲である
前記（１１）に記載の電子基板。
（１３）
複数本の前記凹状溝部が、それぞれ異なる幅で形成される
前記（１１）または（１２）に記載の電子基板。
（１４）
複数本の前記凹状溝部それぞれの幅が、前記受光層に入射する入射光の中心波長λに対して、λ／８乃至３０λの範囲である
前記（１１）から（１３）のいずれかに記載の電子基板。
（１５）
電子基板が採用されている電子装置において、
前記電子基板は、
基板に載置された電子チップと、
前記基板と前記電子チップとの間に存在し、前記基板と前記電子チップとを電気的に接続する電極と、
前記基板と前記電子チップとの間に充填されることによって前記電極を封止、保護するアンダーフィルと、
前記基板上に形成された、前記アンダーフィルの流入から保護すべき保護対象部と、 前記保護対象部の全体または一部分を囲むように前記基板に形成されたアンダーフィル流入防止部とを備える
電子装置。
１１ 基板， １２ 電極， １３ 電子チップ， １４ アンダーフィル， １５ 溝， ２１ 光学層， ２２ 接続パッド， ３１ 基板， ３２ 流入防止部，３３ 流入防止部， ４１ 電極， ７１ 基板， ７２ 中継はんだボール

Claims (13)

  1. 基板の光入射面側に配置された光電変換領域を有する光学層と、
    前記光学層が形成される領域とは異なる領域において前記基板の光入射面側に配置された電子チップと
    を備え、
    前記基板と前記電子チップとは電極により電気的に接続され、
    前記電子チップと前記基板との間にアンダーフィルが配置され、
    平面視において前記光学層と前記電子チップとの間に前記電子チップを取り囲まずに、前記基板に形成されたアンダーフィル流入防止部が配置され、
    前記アンダーフィル流入防止部は、複数本の凹状溝部により形成され、それぞれの前記凹状溝部どうしの間隔が非同一ピッチ、または、それぞれの前記凹状溝部の幅が非同一幅となるように構成される
    固体撮像装置。
  2. 前記アンダーフィルは、前記基板と前記電子チップとの間に充填されることによって前記電極を封止、保護し、
    前記アンダーフィル流入防止部は、前記基板上に形成された、前記アンダーフィルの流入から保護すべき保護対象部の全体または一部分を囲むように形成される
    請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. 前記アンダーフィル流入防止部は、多重構造を有する
    請求項１に記載の固体撮像装置。
  4. 前記凹状溝部は、前記基板の表面に対して６０°乃至９０°の傾斜角を有する
    請求項１に記載の固体撮像装置。
  5. 前記凹状溝部の深さ／幅は、０．５乃至１６０００である
    請求項１に記載の固体撮像装置。
  6. 前記アンダーフィル流入防止部は、複数本の前記凹状溝部に替えて、複数本の凸状溝部により形成される
    請求項１に記載の固体撮像装置。
  7. 前記保護対象部は、外部機器との接続パッドである
    請求項２に記載の固体撮像装置。
  8. 前記保護対象部は、前記光学層であり、
    前記電子チップは、機能回路を有する半導体チップである
    請求項２に記載の固体撮像装置。
  9. 前記アンダーフィル流入防止部は、１または複数の前記保護対象部の全体または一部分を囲むように前記基板に形成されている
    請求項２に記載の固体撮像装置。
  10. 前記アンダーフィルから前記保護対象部までの間に設けられる平坦部の幅が、前記保護対象部である光学層に入射する入射光の中心波長λに対して、λ／８乃至３０λの範囲である
    請求項２に記載の固体撮像装置。
  11. 複数本の前記凹状溝部どうしの間隔が、前記光学層に入射する入射光の中心波長λに対して、λ／８乃至３０λの範囲である
    請求項１に記載の固体撮像装置。
  12. 複数本の前記凹状溝部それぞれの幅が、前記光学層に入射する入射光の中心波長λに対して、λ／８乃至３０λの範囲である
    請求項１に記載の固体撮像装置。
  13. 固体撮像装置が採用されている電子装置において、
    前記固体撮像装置は、
    基板の光入射面側に配置された光電変換領域を有する光学層と、
    前記光学層が形成される領域とは異なる領域において前記基板の光入射面側に配置された電子チップと
    を備え、
    前記基板と前記電子チップとは電極により電気的に接続され、
    前記電子チップと前記基板との間にアンダーフィルが配置され、
    平面視において前記光学層と前記電子チップとの間に前記電子チップを取り囲まずに、前記基板に形成されたアンダーフィル流入防止部が配置され、
    前記アンダーフィル流入防止部は、複数本の凹状溝部により形成され、それぞれの前記凹状溝部どうしの間隔が非同一ピッチ、または、それぞれの前記凹状溝部の幅が非同一幅となるように構成される
    電子装置。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11676929B2 (en) 2016-10-21 2023-06-13 Sony Semiconductor Solutions Corporation Electronic substrate and electronic apparatus
WO2018074581A1 (ja) * 2016-10-21 2018-04-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 電子基板、および電子装置
WO2020079997A1 (ja) * 2018-10-15 2020-04-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置および電子機器
US20230036259A1 (en) * 2020-01-14 2023-02-02 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging element and electronic device

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005259725A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板および電子部品実装体
JP2006140327A (ja) 2004-11-12 2006-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板およびこれを用いた電子部品の実装方法
JP2006294986A (ja) 2005-04-13 2006-10-26 Fuji Photo Film Co Ltd 基板実装構造、及び、カメラモジュール
JP2008252026A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2009177061A (ja) 2008-01-28 2009-08-06 Nec Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2010087516A (ja) 2008-09-29 2010-04-15 Samsung Electronics Co Ltd インクジェット方式のダムを具備する半導体パッケージ及びその製造方法
JP2014103198A (ja) 2012-11-19 2014-06-05 J Devices:Kk 半導体装置及びその製造方法
JP2015023163A (ja) 2013-07-19 2015-02-02 ソニー株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法。
WO2016039173A1 (ja) 2014-09-11 2016-03-17 ソニー株式会社 固体撮像素子、撮像装置、電子機器、および半導体装置
JP2016163011A (ja) 2015-03-05 2016-09-05 ソニー株式会社 半導体装置および製造方法、並びに電子機器
WO2018074581A1 (ja) 2016-10-21 2018-04-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 電子基板、および電子装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09205103A (ja) * 1996-01-24 1997-08-05 Toshiba Corp 半導体装置
JP3362249B2 (ja) * 1997-11-07 2003-01-07 ローム株式会社 半導体装置、およびその製造方法
JP2002050642A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Hitachi Aic Inc プリント配線板の製造方法
JP2003234362A (ja) * 2002-02-12 2003-08-22 Yokogawa Electric Corp 半導体装置
WO2008078746A1 (ja) * 2006-12-26 2008-07-03 Panasonic Corporation 半導体素子の実装構造体及び半導体素子の実装方法
US7883937B1 (en) * 2007-04-30 2011-02-08 Altera Corporation Electronic package and method of forming the same
JP2010087239A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Alps Electric Co Ltd 電子モジュール
US8441123B1 (en) * 2009-08-13 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with metal dam and fabricating method
JP2011071381A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Toshiba Corp 積層型半導体装置およびその製造方法
US8952552B2 (en) * 2009-11-19 2015-02-10 Qualcomm Incorporated Semiconductor package assembly systems and methods using DAM and trench structures
JP2011243612A (ja) * 2010-05-14 2011-12-01 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法並びに電子機器
WO2015056430A1 (ja) * 2013-10-16 2015-04-23 パナソニック株式会社 半導体装置
TWI556387B (zh) * 2015-04-27 2016-11-01 南茂科技股份有限公司 多晶片封裝結構、晶圓級晶片封裝結構及其製程
CN107533984B (zh) * 2015-07-01 2020-07-10 三菱电机株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
US20170179049A1 (en) * 2015-12-16 2017-06-22 Freescale Semiconductor, Inc. Power grid balancing apparatus, system and method
US9842788B2 (en) * 2015-12-31 2017-12-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Underfill control structures and method

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005259725A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板および電子部品実装体
JP2006140327A (ja) 2004-11-12 2006-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板およびこれを用いた電子部品の実装方法
JP2006294986A (ja) 2005-04-13 2006-10-26 Fuji Photo Film Co Ltd 基板実装構造、及び、カメラモジュール
JP2008252026A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2009177061A (ja) 2008-01-28 2009-08-06 Nec Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2010087516A (ja) 2008-09-29 2010-04-15 Samsung Electronics Co Ltd インクジェット方式のダムを具備する半導体パッケージ及びその製造方法
JP2014103198A (ja) 2012-11-19 2014-06-05 J Devices:Kk 半導体装置及びその製造方法
JP2015023163A (ja) 2013-07-19 2015-02-02 ソニー株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法。
WO2016039173A1 (ja) 2014-09-11 2016-03-17 ソニー株式会社 固体撮像素子、撮像装置、電子機器、および半導体装置
JP2016163011A (ja) 2015-03-05 2016-09-05 ソニー株式会社 半導体装置および製造方法、並びに電子機器
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