JP7378464B2 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7378464B2
JP7378464B2 JP2021515645A JP2021515645A JP7378464B2 JP 7378464 B2 JP7378464 B2 JP 7378464B2 JP 2021515645 A JP2021515645 A JP 2021515645A JP 2021515645 A JP2021515645 A JP 2021515645A JP 7378464 B2 JP7378464 B2 JP 7378464B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
display
touch
display device
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021515645A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022501647A (ja
JPWO2020060014A5 (ja
Inventor
ビョンヨン キム，
スンヨン ソン，
シンス リュ，
デグン イ，
サンダク イ，
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of JP2022501647A publication Critical patent/JP2022501647A/ja
Publication of JPWO2020060014A5 publication Critical patent/JPWO2020060014A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7378464B2 publication Critical patent/JP7378464B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

本発明は表示装置に関する。
表示装置は、動画や静止映像を表示する装置として、モバイルフォン、スマートフォン、タブレットＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、およびスマートウォッチ、ウォッチフォン、移動通信端末機、電子手帳、電子ブック、ＰＭＰ（Ｐｏｒｔａｂｌｅ Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ Ｐｌａｙｅｒ）、ナビゲーション、ＵＭＰＣ（Ｕｌｔｒａ Ｍｏｂｉｌｅ ＰＣ）などのような携帯用電子機器だけでなくテレビ、ノートブック、モニタ、広告板、モノのインターネットなどの多様な製品の表示画面として使用することができる。
前記表示装置は、例えば、有機発光表示装置であり得る。前記有機発光表示装置などの表示装置の映像表示はすべて光の透過に起因する。特に光の透過率は表示装置の輝度などの表示品質に影響を及ぼす。したがって、表示装置をなす構成要素は少なくとも部分的に透明性部材、例えばガラス部材を含み得る。
有機発光表示装置は、前記ガラス部材として、ベース基板としての下部基板と封止基板としての上部基板を含み得る。通常、前記ガラス部材を結合するために前記上部および下部基板の間にフリット（ｆｒｉｔ）に介在してレーザを照射するレーザシーリング（ｌａｓｅｒ ｓｅａｌｉｎｇ）が利用されることができる。
一方、タッチスクリーンは前記上部基板に直接形成されることができる。通常、このような方式が適用された表示装置をタッチスクリーンパネル一体型表示装置という。前記タッチスクリーンは一側に複数のタッチ信号パッドを含むが、前記タッチパッドは外部装置、例えばタッチフレキシブル印刷回路基板と超音波ボンディングされ得る。
ただし、前記タッチスクリーンが形成された上部基板と前記下部基板を上述したレーザシーリングをする場合、上部基板に形成されたタッチ信号パッドによってレーザシーリングが円滑に行われないことがある。
本発明が解決しようとする課題は、タッチ信号パッドをシーリング領域と重ならないように配置させて上部基板と下部基板の接合性が改善した表示装置を提供することにある。
本発明の課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるであろう。
前記課題を解決するための一実施形態による表示装置は、表示領域および前記表示領域を囲む非表示領域を含む表示装置であって、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板として、前記第１基板と対向する第１面および前記第２基板の前記第１面の反対面である第２面を含む第２基板と、前記第２基板の前記第２面上に配置され、前記表示領域に位置するタッチ電極と、前記第２基板の前記第２面上に配置され、前記非表示領域に位置し、前記タッチ電極と電気的に接続されたタッチパッド端子と、前記第１基板と前記第２基板の間に介在し、前記第１基板と前記第２基板を結合するシーリング部材を含み、前記シーリング部材は前記非表示領域に位置し、前記タッチパッド端子は前記シーリング部材より内側に配置される。
前記タッチパッド端子は前記シーリング部材と重ならなくてもよい。
表示素子をさらに含み、前記第１基板は、前記第２基板に対向する第１面および前記第１基板の前記第１面の反対面である第２面を含み、前記表示素子は前記第１基板の前記第１面上に配置され得る。
前記表示素子は、アノード電極、カソード電極および前記アノード電極と前記カソード電極の間に配置された有機発光層を含み得る。
前記表示素子は、前記第１基板、前記第２基板および前記シーリング部材によって密封され得る。
前記第２基板は、それぞれガラスまたは石英を含む。
前記タッチ電極は前記第２基板の前記第２面のすぐ上に配置され得る。
前記シーリング部材は光学的に透明なフリットを含み得る。
前記タッチ電極は透明導電性酸化物を含む透明電極層を含み得る。
前記タッチパッド端子は、透明導電性酸化物を含む第１導電層および前記第１導電層上に配置されて不透明金属を含む第２導電層を含み得る。
前記透明電極層と前記第１導電層は同じ物質からなり得る。
前記第２導電層は、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／ＡｌＧｅ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕ、ＭｏＮｂのうち少なくともいずれか一つからなり得る。
前記第２基板の前記第２面上に取り付けられる回路基板をさらに含み得る。
前記回路基板は前記タッチパッド端子と接続するリード端子を含み得る。
前記タッチパッド端子と前記リード端子は超音波接合されることができる。
前記第１基板は前記第２基板の一端で前記第２基板の外側に延び得る。
前記回路基板は、前記第１基板の前記第２基板の一端で延びた領域を囲んで曲げられ、前記回路基板の一端は前記第１基板の第２面の下部に位置し得る。
前記課題を解決するための他の実施形態による表示装置は、表示領域、および前記表示領域を囲む非表示領域を含む表示装置であって、表示基板と、前記表示基板と対向する封止基板として、前記表示基板と対向する第１面、および前記封止基板の第１面の反対面である第２面を含む封止基板と、前記封止基板の前記第２面上に配置され、前記表示領域に位置するタッチ電極と、前記封止基板の前記第２面上に配置され、前記非表示領域に位置し、前記タッチ電極と電気的に接続されたタッチパッド端子と、前記表示基板の表示領域上に配置され、前記表示基板、前記シーリング部材、および前記封止基板によって密封される表示素子と、前記封止基板上に配置され、前記表示基板の表示領域と重なるタッチ素子と、を含み、前記タッチパッド端子は、前記表示基板のシーリング領域の一部と重なって、第１パッド導電層、および前記第１パッド導電層上に配置されて不透明な金属を含む第２パッド導電層を含む。
前記タッチ電極は透明導電性酸化物を含む透明電極層を含み得る。
前記透明電極層と前記第１パッド導電層とは同じ物質からなり得る。
前記第２パッド導電層は、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／ＡｌＧｅ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕ、ＭｏＮｂのうち少なくともいずれか一つからなり得る。
表示素子をさらに含み、前記表示基板は前記封止基板に対向する第１面および前記第１基板の前記第１面の反対面である第２面を含み、前記表示素子は前記表示基板の前記第１面上に配置され得る。
前記表示素子は、アノード電極、カソード電極および前記アノード電極と前記カソード電極の間に配置された有機発光層を含み得る。
前記表示素子は、前記表示基板、前記封止基板および前記シーリング部材によって密封され得る。
前記封止基板はそれぞれガラスまたは石英を含み、前記タッチ電極は前記封止基板の前記第２面のすぐ上に配置され得る。
前記シーリング部材は光学的に透明なフリットを含み得る。
前記封止基板の前記第２面上に取り付けられるタッチ回路基板をさらに含み、前記タッチ回路基板は前記タッチパッド端子と接続するリード端子を含み得る。
前記タッチパッド端子と前記リード端子は超音波接合され得る。
前記表示基板は前記封止基板の一端で前記封止基板の外側に延び得る。
前記タッチ回路基板は前記表示基板の前記封止基板の一端で延びた領域を囲んで曲げられ、前記タッチ回路基板の一端は前記表示基板の第２面の下部に位置し得る。
その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。
本発明の一実施形態による表示装置は、タッチ信号パッドがシーリング領域と重ならないように配置されて上部基板と下部基板の接合性を改善することができる。
本発明による効果は、以上で例示した内容によって制限されず、さらに多様な効果が本明細書内に含まれている。
一実施形態による表示装置の平面配置図である。 図１の表示装置の断面図である。 一実施形態による上部基板の平面配置図である。 一実施形態による感知領域のタッチ部材の断面図である。 変形例による感知領域のタッチ部材の断面図である。 一実施形態によるタッチ信号パッド端子の平面配置図である。 Ｘ１－Ｘ１’線に沿って切断した断面図である。 Ｘ２－Ｘ２’線、Ｘ３－Ｘ３’に沿って切断した断面図である。 一実施形態による上部基板と下部基板をシーリングする過程を示す斜視図である。 他の実施形態によるタッチ信号パッド端子の平面配置図である。 Ｘ４－Ｘ４’線に沿って切断した断面図である。 Ｘ５－Ｘ５’、Ｘ６－Ｘ６’線に沿って切断した断面図である。 また他の実施形態によるタッチ信号パッド端子の平面配置図である。 Ｘ７－Ｘ７’線に沿って切断した断面図である。 Ｘ８－Ｘ８’、Ｘ９－Ｘ９’線に沿って切断した断面図である。 また他の実施形態による上部基板の平面配置図である。 また他の実施形態による感知領域のタッチ部材の断面図である。 また他の実施形態によるタッチ信号パッド端子の平面配置図である。 Ｘ１０－Ｘ１０’線に沿って切断した断面図である。 Ｘ１１－Ｘ１１’、Ｘ１２－Ｘ１２’線に沿って切断した断面図である。 また他の実施形態による表示装置の断面図である。 また他の実施形態による上部基板の平面配置図である。 また他の実施形態による表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 タッチ信号パッド端子を形成する過程を示す斜視図である。 タッチ信号パッド端子を形成する過程を示す斜視図である。 タッチ信号パッド端子を形成する過程を示す斜視図である。
本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく他の形態で実現することもできる。すなわち、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層「の上（ｏｎ）」または「上（ｏｎ）」と称する場合、他の素子または層のすぐ上だけでなく中間に他の層または他の素子を介在する場合をすべて含む。反面、素子が「直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」または「すぐ上」と称する場合は中間に他の素子または層を介在しない場合を示す。
明細書全体にわたって同一または類似の部分に対しては同じ図面符号を使用する。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は一実施形態による表示装置の平面配置図であり、図２は図１の表示装置の断面図である。
図１および図２を参照すると、表示装置１は画像を表示する表示パネル１００、表示パネルの下部に配置されるパネル下部シート２００、表示パネル１００の上部に配置されるウィンドウ３００、表示パネル１００のパネルパッド領域Ｐ＿ＰＡに取り付けられる表示印刷回路基板４００、および表示パネル１００のタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡに取り付けられるタッチ印刷回路基板５００を含み得る。
表示パネル１００は、下部基板１０１、上部基板１３０、下部基板１０１に配置される多様なエレメント、および上部基板１３０に配置される多様なエレメントを含み得る。
下部基板１０１は平面上の角が垂直である長方形であり得る。下部基板１０１は平面上の長辺と短辺を有し得る。下部基板１０１の長辺は第２方向ＤＲ２に延びた辺であり得る。下部基板１０１の短辺は第１方向ＤＲ１に延びた辺であり得る。下部基板１０１は上部基板１３０の一側で一方向に内側に湾入されて形成され得る。例えば、下部基板１０１は下側一端部で第２方向ＤＲ２に上部基板１３０の一端部に比べて内側に後退して形成され得る。
上部基板１３０は下部基板１０１の平面上の形状と実質的に同一であり得る。すなわち、上部基板１３０は平面上の角が垂直である長方形であり得る。上部基板１３０は平面上の長辺と短辺を有し得る。上部基板１３０の長辺は第２方向ＤＲ２に延びた辺であり得る。上部基板１３０の短辺は第１方向ＤＲ１に延びた辺であり得る。上部基板１３０は下部基板１０１の一側で一方向にさらに延びて配置され得る。例えば、上部基板１３０の一側、または一端部は第２方向ＤＲ２に下部基板１０１の一側に比べて突出して延び得る。前記下部基板１０１の前記延びた領域には後述する表示パッド領域Ｄ＿ＰＡが位置し得る。
下部基板１０１が上部基板１３０に比べて突出した領域を除いて、下部基板１０１と上部基板１３０の側面は厚さ方向に整列され得る。ただし、これに制限されず下部基板１０１と上部基板１３０の側面は前記突出した領域を含んで厚さ方向に整列せず下部基板１０１の側面がさらに突出して形成され得る。
表示パネル１００の平面プロファイルは下部基板１０１と上部基板１３０の平面上のプロファイルにより定まる。一実施形態で表示パネル１００は下部基板１０１の平面上の大きさと同一であり、下部基板１０１の平面形状に従い長方形であり得る。平面上、表示パネル１００は上部基板１３０および下部基板１０１が重なる領域と下部基板１０１が上部基板１３０に比べて突出した領域、すなわち、下部領域１０１が上部領域１５０に比べて第２方向ＤＲ２にさらに延びた領域を含んで形成され得る。
下部基板１０１は表示領域ＤＡ、表示領域ＤＡの周辺に配置された非表示領域ＮＡを含み得る。下部基板１０１の非表示領域ＮＡはシーリング領域ＳＡ、表示パッド領域Ｄ＿ＰＡを含み得る。
表示領域ＤＡは平面上の角が垂直である長方形または角が丸い長方形形状であり得る。表示領域ＤＡは短辺と長辺を有し得る。表示領域ＤＡの短辺は第１方向ＤＲ１に延びた辺であり得る。表示領域ＤＡの長辺は第２方向ＤＲ２に延びた辺であり得る。ただし、表示領域ＤＡの平面形状は長方形に制限されるものではなく、円形、楕円形やその他多様な形状を有することができる。
非表示領域ＮＡは表示領域ＤＡの周辺に配置され得る。非表示領域ＮＡは表示領域ＤＡの両短辺および両長辺に隣接して配置され得る。この場合、表示領域ＤＡのすべての辺を囲み、表示領域ＤＡの縁を構成することができる。ただし、これに制限されず、非表示領域ＮＡは表示領域ＤＡの両短辺または両長辺にのみ隣接して配置されてもよい。
シーリング領域ＳＡは上部基板１３０と下部基板１０１が厚さ方向に重なる領域に配置され得る。シーリング領域ＳＡは上部基板１３０の縁部、または縁領域に沿って位置し得る。シーリング領域ＳＡは上部基板１３０の縁領域に沿って連続的に配置された四角い枠形状であり得る。
シーリング領域ＳＡは第１ないし第４シーリング領域ＳＡ１－ＳＡ４を含み得る。第１シーリング領域ＳＡ１は表示パネル１００の上側短辺に隣接して配置され得る。すなわち、第１シーリング領域ＳＡ１は上部基板１３０と下部基板１０１の上側短辺、または上側一端部に隣接して配置され得る。
第２シーリング領域ＳＡ２は表示パネル１００の下側短辺に隣接して配置され得る。すなわち、第２シーリング領域ＳＡ２は上部基板１３０と下部基板１０１の下側短辺、または下側一端部に隣接して配置され得る。
第３シーリング領域ＳＡ３は表示パネル１００の左側長辺に隣接して配置され得る。すなわち、第３シーリング領域ＳＡ３は上部基板１３０と下部基板１０１の左側長辺、または左側一端部に隣接して配置され得る。
第４シーリング領域ＳＡ４は表示パネル１００の右側長辺に隣接して配置され得る。すなわち、第４シーリング領域ＳＡ４は上部基板１３０と下部基板１０１の右側長辺に隣接して配置され得る。
シーリング領域ＳＡ１－ＳＡ４は、下部基板１０１と上部基板１３０の間にフリット（ｆｒｉｔ）が介在して上部基板１３０と下部基板１０１が接合された領域であり得る。これについては後述する。
表示パッド領域Ｄ＿ＰＡは前述したように下部基板１０１の上部基板１３０に比べて突出した領域上に位置し得る。すなわち、表示パッド領域Ｄ＿ＰＡは上部基板１３０と重ならない領域であり、下部基板１０１の下側短辺または下側一端部に隣接して配置され得る。
上部基板１３０は感知領域ＴＡと感知領域ＴＡの周辺に配置された非表示領域ＮＡを含み得る。
上部基板１３０の感知領域ＴＡは後述するように上部基板１３０の複数のタッチ電極１５１，１６１，１６２，１６３が配置される領域であり得る。平面上、感知領域ＴＡは表示領域ＤＡと実質的に同じ形状を有し得る。すなわち、感知領域ＴＡは長辺と短辺を有し得る長方形として、表示領域ＤＡと厚さ方向に概して重なってもよい。ただし、これに制限されず、感知領域ＴＡは表示パネル１００の表示領域ＤＡに比べて平面上の大きさが小さくてもよく、表示領域ＤＡと部分的に重なってもよい。
上部基板１３０の非表示領域ＮＡはシーリング領域ＳＡおよびタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡを含み得る。
上部基板１３０のシーリング領域ＳＡは下部基板１５０のシーリング領域ＳＡと同じ領域をいう。すなわち、シーリング領域ＳＡは上部基板１３０と下部基板１０１が厚さ方向に重なる領域に配置され得る。シーリング領域ＳＡは上部基板１３０の縁部、または縁領域に沿って位置し得る。シーリング領域ＳＡは上部基板１３０の縁領域に沿って連続的に配置された四角い枠形状であり得る。
タッチパッド領域Ｔ＿ＰＡは、上部基板１３０の感知領域ＴＡと第２シーリング領域ＳＡ２の間に配置され得る。タッチパッド領域Ｔ＿ＰＡは表示パネル１００の第２シーリング領域ＳＡ２と厚さ方向に重ならない。後述するようにタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡには複数のタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥが配置され得る。タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥは第２シーリング領域ＳＡ２と重ならない。これによって上部基板１３０と下部基板１０１のシーリング不良が改善することができる。これについては後述する。
表示パネル１００は、例えば、有機発光表示パネルが適用されることができる。以下の実施形態では表示パネル１００として有機発光表示パネルが適用された場合を例示するが、これに制限されず、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、量子ドット有機発光表示パネル（ＱＤ－ＯＬＥＤ）、量子ドット液晶ディスプレイ（ＱＤ－ＬＣＤ）、量子ナノ発光表示パネル（ＱＮＥＤ）、マイクロＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）など異なる種類の表示パネルが適用されることもできる。
図１のように、表示パネル１００の表示パッド領域Ｄ＿ＰＡには表示印刷回路基板４００が配置され得る。表示印刷回路基板４００は表示パッド領域Ｄ＿ＰＡに取り付けられ得る。表示印刷回路基板４００の一端は表示パッド領域Ｄ＿ＰＡに取り付けられ得る。
表示印刷回路基板４００は第１ベース基板４１０、複数の表示信号リード端子Ｄ＿ＬＥとデータ駆動チップＤ＿ＩＣを含み得る。
第１ベース基板４１０はフレキシブル基板であり得る。一実施形態で第１ベース基板４１０はポリイミドなどのフレキシブルな物質を含む。
複数の表示信号リード端子Ｄ＿ＬＥは表示パッド領域Ｄ＿ＰＡの表示信号パッド端子Ｄ＿ＰＥと直接接続され得る。後述するように表示信号リード端子Ｄ＿ＬＥは表示パッド端子Ｄ＿ＬＥと超音波ボンディングされ得る。複数の表示信号リード端子Ｄ＿ＬＥは表示信号パッド端子Ｄ＿ＰＥとの間に任意の構成や層を介在せず、直接接続することができる。表示信号パッド端子Ｄ＿ＰＥは表示信号リード端子Ｄ＿ＬＥと接続されることによって表示印刷回路基板４００と電気的に接続され得る。表示信号パッド端子Ｄ＿ＰＥおよび表示信号リード端子Ｄ＿ＬＥの超音波ボンディングについてはタッチ信号パッド端子Ｄ＿ＰＥとタッチ信号リード端子Ｄ＿ＬＥとの超音波ボンディングで説明する。
表示信号リード端子Ｄ＿ＬＥはデータ駆動チップＤ＿ＩＣと信号配線を介して電気的に接続され得る。図面ではデータ駆動集積回路が駆動チップとして適用され、フレキシブル印刷回路基板を介して表示パネル１００と接続される場合を例示する。ただし、これに制限されず、データ駆動集積回路は駆動チップで実現されるが、リジッドな表示パネル１００に直接実装されるＣＯＧ（チップオングラス、Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）が適用されることができる。また、データ駆動集積回路は表示パネル１００がフレキシブルである場合にはフレキシブルな表示パネル１００に直接実装されるＣＯＰ（チップオンプラスチック、Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｐｌａｓｔｉｃ）が適用されることもできる。以下ではデータ駆動集積回路がデータ駆動チップＤ＿ＩＣで実現され、ＣＯＦ（チップオンフィルム、Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）が適用された場合を中心に説明する。
同様に、表示パネル１００のタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡにはタッチ印刷回路基板５００が配置され得る。タッチ印刷回路基板５００はタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡに取り付けられ得る。タッチ印刷回路基板５００の一端はタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡに取り付けられ得る。
タッチ印刷回路基板５００は表示パネル１００の一面で表示印刷回路基板４００と厚さ方向に部分的に重なってもよい。タッチ印刷回路基板５００は表示パッド領域Ｄ＿ＰＡ、第２シーリング領域ＳＡ２と厚さ方向に重なって、上部で覆うことができる。
タッチ印刷回路基板５００は第２ベース基板５１０、第２ベース基板５１０上に配置された複数のタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥを含み得る。
第２ベース基板５１０はフレキシブル基板であり得る。一実施形態で第２ベース基板５１０はポリイミドなどのフレキシブルな物質を含む。
複数のタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥはタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡのタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥと直接接続され得る。後述するようにタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥはタッチパッド端子Ｔ＿ＬＥと超音波ボンディングされ得る。複数のタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥはタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥとの間に任意の構成や層を介在せず、直接接続することができる。タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥはタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥと接続されることによってタッチ印刷回路基板５００と電気的に接続され得る。タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥとタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥの超音波ボンディングについては後述する。
表示印刷回路基板４００とタッチ印刷回路基板５００の他端はメイン回路ボード６００に取り付けられ得る。表示印刷回路基板４００は下部基板１０１の一側面の外側で前記一側面を取り囲むように曲げられて下部基板１０１の下面に配置され得る。タッチ印刷回路基板５００は上部基板１０１の一側面、表示印刷回路基板４００、下部基板１０１の一側面を取り囲むように曲げられて下部基板１０１の下面に配置され得る。メイン回路ボード６００は後述するパネル下部シート２００の下面に取り付けられ得る。
パネル下部シート２００は表示パネル１００の下部に配置され得る。パネル下部シート２００は少なくとも一つの機能層を含む。前記機能層は放熱機能、電磁波遮蔽機能、接地機能、緩衝機能、強度補強機能、支持機能および／またはディジタイジング機能などを行う層であり得る。機能層はシートからなるシート層、フィルムからなるフィルム層、薄膜層、コート層、パネル、プレートなどであり得る。一つの機能層は単一層からなることもできるが、積層された複数の薄膜やコート層からなることもできる。機能層は例えば、支持基材、放熱層、電磁波遮蔽層、衝撃吸収層、デジタイザなどであり得る。上記したメイン回路ボード６００は後述するパネル下部シート２００の下面に取り付けられ得る。
表示パネル１００の上部にはウィンドウ３００が配置される。ウィンドウ３００は表示パネル１００の上部に配置されて表示パネル１００を保護する一方、表示パネル１００で出射される光を透過させる。ウィンドウ３００はガラスなどからなる。
平面上、ウィンドウ３００は表示パネル１００に重なって、表示パネル１００の前面をカバーするように配置され得る。ウィンドウ３００は表示パネル１００より大きくてもよい。例えば、表示装置１の両短辺でウィンドウ３００は表示パネル１００より外側に突出し得る。表示装置１の両長辺でもウィンドウ３００が表示パネル１００から突出し得るが、突出距離は両短辺の場合がより大きい。また、ウィンドウ３００は表示パネル１００に曲げられた状態で取り付けられる表示印刷回路基板４００およびタッチ印刷回路基板５００の外側にさらに延びてこれらをカバーすることができる。
表示パネルは前述したように、下部基板１０１、上部基板１３０を含み、回路駆動層１１０、有機発光素子層１２０、タッチ電極層１４０および偏光層ＰＯＬを含み得る。
下部基板１０１および上部基板１３０はリジッドな基板であり得る。上部基板１３０はガラス、石英などの物質を含む。上部基板１３０は図２に示すように、表示パッド領域Ｄ＿ＰＡを除いて、概して下部基板１０１と重なってもよい。すなわち、上部基板１３０は第１シーリング領域ＳＡ１で第２シーリング領域ＳＡ２に配置され得る。
上部基板１３０は第１シーリング領域ＳＡ１および第２シーリング領域ＳＡ２で下部基板１０１と接合または封合され得る。上部基板１３０と下部基板１０１の接合または封合はセルシールＣＳを介して行われる。該当領域での上部基板１３０の下面と下部基板１０１の上面はセルシールＣＳを介して接合または封合し得る。上部基板１３０と下部基板１０１の接合はレーザシーリング工程によって行われる。セルシールＣＳはフリット（ｆｒｉｔ）などの物質が溶融して再び固化されることにより上部基板１３０と下部基板１０１を互いに結合させることができる。
具体的に説明すると、表示パネル１００のシーリング領域ＳＡの下部基板１０１と上部基板１３０の間にフリット（ｆｒｉｔ）が介在し得る。以後、レーザシーリング装置（図９「８００」を参照）を介してシーリング領域ＳＡにレーザが照射されると該当領域のフリット（ｆｒｉｔ）が溶融され得る。前記溶融されたフリット（ｆｒｉｔ）は固化されることにより下部基板１０１と上部基板１３０が接合または封合されることができる。
図面では下部基板１０１と上部基板１３０の間にフリット（ｆｒｉｔ）が介在してシーリング工程を行うことが示されているが、これに制限されず、下部基板１０１と上部基板１３０の間の任意の構成や層を介在せず直接結合または接合されることができる。すなわち、レーザシーリング装置８００が下部基板１０１と上部基板１３０の間のシーリング領域ＳＡにレーザを照射すると下部基板１０１と上部基板１３０の界面が溶融して固化されることにより該当領域の下部基板１０１および上部基板１３０が接合され得る。この場合、レーザはフェムト秒（ｆｓ）レーザであり得るが、これに制限されるものではない。
表示領域ＤＡ、タッチパッド領域Ｔ＿ＰＡで上部基板１３０は第１シーリング領域ＳＡ１および第２シーリング領域ＳＡ２より上側に凹んだ形状を有し得る。すなわち、上部基板１３０の表示領域ＤＡおよびタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡでの下面は第１シーリング領域ＳＡ１および第２シーリング領域ＳＡ２での下面に比べて上部に凹み得る。表示領域ＤＡとタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡで上部基板１３０と下部基板１０１は互いに離隔され得る。すなわち、上部基板１３０と下部基板１０１は表示領域ＤＡとタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡで離隔した空間を有し得る。前記離隔した空間には回路駆動層１１０および有機発光素子層１２０が配置され得る。
回路駆動層１１０は上部基板１３０と下部基板１０１が互いに離隔した空間内に配置され得る。回路駆動層１１０は下部基板１０１の一面上に配置され得る。回路駆動層１１０は表示領域ＤＡに配置され得る。回路駆動層１１０は有機発光素子層１２０に信号を提供するための素子を含む。回路駆動層１１０は多様な信号線、例えば、スキャン線（図示せず）、データ線（図示せず）、電源線（図示せず）、発光線（図示せず）を含み得る。回路駆動層１１０は複数のトランジスタとキャパシタを含み得る。トランジスタは一つの画素（図示せず）ごとに備えられたスイッチングトランジスタ（図示せず）と駆動トランジスタＱｄを含み得る。
有機発光素子層１２０は回路駆動層１１０上に配置され得る。有機発光素子層１２０は上部基板１３０と下部基板１０１が互いに離隔された空間内に配置され得る。有機発光素子層１２０は表示領域ＤＡに配置され得る。有機発光素子層１２０で作られた光は表示面を介して外部に出射され得る。例えば、有機発光素子層１２０で作られた光は上側方向、例えば第３方向ＤＲ３に出射され得る。
複数の表示信号パッド端子Ｄ＿ＰＥは下部基板１０１の表示パッド領域Ｄ＿ＰＡ上に配置され得る。複数の表示信号パッド端子Ｄ＿ＰＥは第２シーリング領域ＳＡ２に比べて第２方向ＤＲ２の外側に配置され得る。複数の表示信号パッド端子Ｄ＿ＰＥは第２シーリング領域ＳＡ２と重ならない。
上部基板１３０上にはタッチ電極層１４０および偏光層ＰＯＬが配置され得る。タッチ電極層１４０は上部基板１３０の表示領域ＤＡ上に配置され得る。前述したように、感知領域ＴＡは表示領域ＤＡと概して重なるので、タッチ電極層１４０は上部基板１３０の感知領域ＴＡ上に配置されると解釈することができる。タッチ電極層１４０は複数のタッチ電極と複数の絶縁層を含み得る。これについては後述する。
偏光層ＰＯＬはタッチ電極層１４０上に配置され得る。偏光層ＰＯＬは偏光フィルムであり得る。偏光層ＰＯＬは結合層を介してタッチ電極層１４０と結合することができる。偏光層ＰＯＬは表示領域ＤＡまたは感知領域ＴＡに配置され得る。偏光層ＰＯＬは表示装置１の外部から入る光を選択的に透過および／または吸収する機能をして外光の反射防止機能をすることができる。一実施形態で偏光層ＰＯＬは吸収型偏光フィルムであり得る。偏光層ＰＯＬはポリビニルアルコール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ；ＰＶＡ）などの延性材料を含み得る。
ただし、これに制限されず、偏光フィルム２３０は外光の偏光成分を選択的に透過および／または反射する機能を有する反射型偏光フィルムであり得る。
上部基板１３０のタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡには上述したタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥが配置され得る。タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥはタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡに配置され得る。タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥは第２シーリング領域ＳＡ２と厚さ方向に重ならない。前述したように、タッチ印刷回路基板５００はタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡに取り付けられ得る。タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥはタッチ印刷回路基板５００のタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥと接続し得る。
一実施形態でタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥは不透明金属を含む。したがって、上部基板１３０に不透明金属を含んでタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥを形成した後、上部基板１３０と下部基板１０１のレーザシーリング工程をする場合、前記不透明金属を含むタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥにより前記レーザシーリングが円滑に行われない。例えば、レーザシーリング工程のためにシーリング領域ＳＡに照射されたレーザは不透明金属を含むタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥによりその一部が反射してタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥの下部に位置するシーリング領域ＳＡに十分な量が到達しない。これによって、上部基板１３０と下部基板１０１の接合不良が発生し得る。ただし、一実施形態のようにタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥをシーリング領域ＳＡと重ならないように配置するとタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ配置工程を行った後、レーザシーリング工程を行う場合にも上部基板１３０と下部基板１０１の接合不良を改善することができる。
以下、上部基板１３０上に配置されるタッチ電極層１４０について説明する。
図３は一実施形態による上部基板の平面配置図であり、図４は一実施形態による感知領域のタッチ部材の断面図である。
図３および図４を参照すると、上部基板１３０は前記した感知領域ＴＡおよびタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡを含む。
上部基板１３０の感知領域ＴＡは第１配線層１５０、第１配線層１５０上に配置された第１絶縁層１７１、第１絶縁層１７１上に配置された第２配線層１６０および第２配線層１６０上に配置された第２絶縁層１７２を含む。
上部基板１３０の一面上には第１配線層１５０が配置される。第１配線層１５０は第１接続配線１５１を含む。第１配線層１５０の第１接続配線１５１は後述する第２配線層１６０に配置されて互いに隣り合う第１タッチ電極１６２を電気的に接続する。
第１配線層１５０はタッチ駆動配線１５２および第１パッド電極１５３を含み得る。タッチ駆動配線１５２は第１タッチ電極１５１に接続されてタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡ側に延び、タッチパッド領域Ｔ＿ＰＡで第１パッド電極１５３をなす。第１パッド電極１５３はタッチ駆動配線１５２より多少拡張された形状を有し得るが、これに制限されるものではない。
第１配線層１５０は導電性物質からなる。例えば、第１配線層１５０はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などのような透明な導電性酸化物、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／ＡｌＧｅ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕ、ＭｏＮｂのような不透明な導電性金属、ＰＥＤＯＴなどのような伝導性高分子、金属ナノワイヤ、炭素ナノチューブ、グラフェンなどを含む。一実施形態で第１配線層１５０は、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／ＡｌＧｅ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕ、ＭｏＮｂなどを含む。
第１配線層１５０はタッチ駆動配線１５２および第１パッド電極１５３を含み得る。タッチ駆動配線１５２は第１タッチ電極１５１に接続されてタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡ側に延び、タッチパッド領域Ｔ＿ＰＡで第１パッド電極１５３をなす。第１パッド電極１５３はタッチ駆動配線１５２より多少拡張された形状を有し得るが、これに制限されるものではない。
第１配線層１５０上には第１絶縁層１７１が配置される。第１絶縁層１７１は第１配線層１５０を覆って保護する。第１絶縁層１７１は上部基板１３０の前面にかけて配置され得る。第１絶縁層１７１は第１接続電極１５１を露出するコンタクトホールＣＨを含み得る。後述する第１タッチ電極１６１はコンタクトホールＣＨを介して露出した第１接続電極１５１と電気的に接続され得る。第１絶縁層１７１は感知領域ＴＡに配置される第１サブ絶縁層１７１ａおよびタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡに配置される第２サブ絶縁層１７１ｂを含み得る。
第１絶縁層１７１の一面上には第２配線層１６０が配置される。第２配線層１６０は複数の第１タッチ電極１６１、複数の第２タッチ電極１６２および複数の第２接続電極１６３を含む。第１タッチ電極１６１と第２タッチ電極１６２は自己容量（ｓｅｌｆ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）方式および／または相互容量（ｍｕｔｕａｌ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）方式でタッチされた地点の位置情報を取得することができる。
第１タッチ電極１６１と第２タッチ電極１６２はマトリックス形状に配列される。第１タッチ電極１６１と第２タッチ電極１６２は菱形形状であり得るが、これに制限されるものではない。第１タッチ電極１６１は行方向（短辺方向）に沿って電気的に接続され、第２タッチ電極１６２は列方向（長辺方向）に沿って電気的に接続され得る。しかし、これに制限されるものではなく、第１タッチ電極１６１が列方向に沿って電気的に接続されて第２タッチ電極１６２が行方向に沿って電気的に接続されてもよい。第１タッチ電極１６１と第２タッチ電極１６２は相互絶縁されて離隔する。
第２配線層１６０は第２タッチ電極１６２を接続する第２接続配線１６３を含む。列方向に隣接する第２タッチ電極１６２は第２接続配線１６３を介して物理的に接続される。第２接続配線１６３の幅は第２タッチ電極１６２の幅に比べて小さくてもよい。第２配線層１６０はコンタクトホールＣＨと物理的に接続され得る。コンタクトホールＣＨが第２配線層１６０の物質で形成された場合、コンタクトホールＣＨと第１タッチ電極１６１の間の境界は観察されない。ただし、コンタクトホールＣＨは第１配線層１５０の物質で形成されてもよく、第１配線層１５０および第２配線層１６０と他の物質で形成されてもよい。この場合、コンタクトホールＣＨは第１接続電極１５１および第１タッチ電極１６１との境界が観察され得る。
第２配線層１６０で行方向に隣接する第１タッチ電極１６１は物理的に分離する。第２配線層１６０の第２接続配線１６３は隣り合う第２タッチ電極１６２を電気的に接続する。第２配線層１６０の第２接続配線１６３の幅は第２タッチ電極１６２の幅に比べて小さくてもよい。
第２配線層１６０は上述した第１配線層１５０の例示した物質を含む。一実施形態で第２配線層１６０は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などのような透明な導電性酸化物を含む。
第２配線層１６０上には第２絶縁層１７２が配置される。第２絶縁層１７２は第２配線層１６０を覆って保護する。第２絶縁層１７２は基材３１０の前面にかけて配置され得る。
第１絶縁層１７１および第２絶縁層１７２はそれぞれ単層または多層構造を有し得る。また、第１絶縁層１７１および第２絶縁層１７２それぞれは無機物または有機物または複合材料を含み得る。一実施形態で、第１絶縁層１７１および第２絶縁層１７２のうち少なくともいずれか一つは無機膜を含み得る。前記無機膜はアルミニウムオキシド、チタニウムオキシド、シリコンオキシド、シリコンオキシナイトライド、ジルコニウムオキシド、およびハフニウムオキシドのうち少なくとも一つを含み得る。
他の実施形態で、第１絶縁層１７１および第２絶縁層１７２のうち少なくともいずれか一つは有機膜を含み得る。前記有機膜はアクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリイソプレン、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、セルロース系樹脂、シロキサン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂およびペリレン系樹脂のうち少なくともいずれか一つを含み得る。
第１パッド電極１５３はタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡでタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥを構成することができる。一実施形態で第１パッド電極１５３は、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／ＡｌＧｅ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕ、ＭｏＮｂを含む。上述した金属は第２配線層１６０が含む物質に比べて相対的に抵抗が低い金属であり得る。
図５は変形例による感知領域のタッチ部材の断面図である。図５は第１絶縁層１７１＿１が上部に配置される第２配線層１６０の外側に延びず、第２配線層１６０が第１絶縁層１７１＿１の外側に延び得ることを例示する。
以下、タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥについて詳しく説明する。
図６は一実施形態によるタッチ信号パッド端子の平面配置図であり、図７はＸ１－Ｘ１’線に沿って切断した断面図であり、図８はＸ２－Ｘ２’線、Ｘ３－Ｘ３’に沿って切断した断面図である。
図６ないし図８を参照すると、タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥは第１パッド電極１５３、第２サブ絶縁層１７１ｂおよび第２パッド電極１８０を含んで形成され得る。第１パッド電極１５３はタッチ駆動配線１５２と物理的および電気的に接続され得る。第１パッド電極１５３は長辺端部と短辺端部を有する長方形形状であり得る。第２サブ絶縁層１７１ｂは第１パッド電極１５３上に配置され、第１パッド電極１５３と平面上同じ形状を有し得る。平面上、第２サブ絶縁層１７１ｂは第１パッド電極１５３の平面上の広さより大きくてもよい。第２サブ絶縁層１７１ｂは第１パッド電極１５３の外側に延びて形成され得る。第２サブ絶縁層１７１ｂは長辺端部と短辺端部を有し得る。第２サブ絶縁層１７１ｂの長辺端部と短辺端部は第１パッド電極１５３のそれと同様にそれぞれ第２方向ＤＲ２および第１方向ＤＲ１に延び得る。第２サブ絶縁層１７１ｂの長辺端部と短辺端部は第１パッド電極１５３の長辺端部と短辺端部に比べてそれぞれさらに大きくてもよい。
第２サブ絶縁層１７１ｂの外側には上述した第１サブ絶縁層１１２ａが配置され得る。第１サブ絶縁層１１２ａは第２サブ絶縁層１７１ｂの両長辺および短辺端部を囲むことができる。
第２サブ絶縁層１７１ｂはビアホールＶＩＡを有し得る。ビアホールＶＩＡは第２サブ絶縁層１７１ｂの表面で厚さ方向に形成されて第１パッド電極１５３の上面を露出し得る。
ビアホールＶＩＡは第１方向ＤＲ１に延び、第２方向ＤＲ２に離隔して分離し得る。図５では１３個のビアホールＶＩＡが示されているが、個数は制限されるものではない。これに制限されず、ビアホールＶＩＡは第２方向ＤＲ２に延び、第１方向ＤＲ１に離隔して分離し得る。
ビアホールＶＩＡは平面上の長辺と短辺を有し得る。ビアホールＶＩＡは第１方向ＤＲ１に長辺を有し、第２方向ＤＲ２に短辺を有し得る。ただし、これに制限されず、ビアホールＶＩＡの長辺は第２方向ＤＲ２に延び得、短辺は第１方向ＤＲ１に延び得る。平面上、ビアホールＶＩＡは第１パッド電極１５３の内側に配置され得る。第１パッド電極１５３は前記絶縁パターンを囲み得る。
隣接するビアホールＶＩＡの間には第２サブ絶縁層１７１ｂの前記絶縁パターンが形成され得る。前記絶縁パターンは第１パッド電極１５３上に配置され、さらに第１パッド電極１５３の外側に延びて配置され得る。前記絶縁パターンは第１パッド電極１５３上ではビアホールＶＩＡを取り囲む形状を有し、第１パッド電極１５３の外側では平面上第１パッド電極１５３を外側で取り囲む形状を有し得、第１パッド電極１５３の縁を形成することができる。
第２パッド電極１８０は第１パッド電極１５３および第２サブ絶縁層１７１ｂ上に配置され得る。第２パッド電極１８０は第１パッド電極１５３の外側に突出して延び得る。第２パッド電極１８０は第２サブ絶縁層１７１ｂを覆い得る。第２パッド電極１８０のすべての側面は第２サブ絶縁層１７１ｂの各側面と厚さ方向に重なって整列され得る。また、平面上、第１サブ絶縁層１１２ａは第２パッド電極１８０の外側に配置されて第２パッド電極１８０のすべての辺を外側で取り囲むことができる。すなわち、第１サブ絶縁層１１２ａは第２パッド電極１８０の縁を構成することができる。第２パッド電極１８０は第２サブ絶縁層１７１ｂの複数の絶縁パターンの上面および側面を覆い得る。第２パッド電極１８０は前記絶縁パターンの間に配置されたビアホールＶＩＡ上に配置され、露出した第１パッド電極１５３を覆い得る。第２パッド電極１８０はビアホールＶＩＡを介して第１パッド電極１５３と電気的に接続され得る。
第２パッド電極１８０は第２サブ絶縁層１７１ｂが形成する下部段差を部分的にコンフォーマルに反映することができる。すなわち、第２パッド電極１８０は前記絶縁パターンが配置された領域で表面が突出する凸部を有し、前記絶縁パターンが配置されていない領域、すなわちビアホールＶＩＡが形成された領域で表面が湾入する凹部を有し得る。すなわち、下部に所定の段差を有する第２サブ絶縁層１７１ｂが配置され、第２パッド電極１８０は表面に凹凸形状を有し得る。
第２パッド電極１８０は第１パッド電極１５０の例示した物質の中で選択され得る。すなわち、第２パッド電極１８０は一実施形態でアルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／ＡｌＧｅ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕ、ＭｏＮｂを含む。前記物質はタッチ印刷回路基板５００上に配置されたタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥと超音波ボンディングされ得る。これについて具体的に説明する。
再び図２を参照すると、超音波装置７００は所定の振動方向に振動することにより、タッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥを前記振動方向に振動させることができる。ただし、この場合、タッチ信号リード端子Ｄ＿ＬＥは前記タッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥを介して伝達される振動により微小に前記振動方向に振動し得るが、その振動する幅は微小である。一実施形態で前記振動方向は第２方向ＤＲ２であり得る。すなわち、前記振動方向はタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥとタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥの長辺が延長する方向であり得る。
タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥの一面上でタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥを超音波振動させるとタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥの一面とタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥの一面の界面で所定の摩擦力が発生し、前記摩擦力により摩擦熱が発生し得る。前記摩擦熱がタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥとタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥをなす物質を溶かすほど充分である場合、タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥのタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥと隣接する第１溶融領域Ｔ＿ＬＥｂとタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥのタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥと隣接する第２溶融領域Ｔ＿ＰＥｂは溶融し得る。すなわち、タッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥは第１非溶融領域Ｔ＿ＬＥａと第１溶融領域Ｔ＿ＬＥｂを含み得る。また、タッチ信号パッド端子Ｄ＿ＰＥは第２非溶融領域Ｔ＿ＰＥａと第２溶融領域Ｔ＿ＰＥｂを含み得る。
第１非溶融領域Ｔ＿ＬＥａはタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥが含む物質のみを含む領域であり得る。第１溶融領域Ｔ＿ＬＥｂはタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥの物質とタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥが含む物質を含む領域であり得る。
第２非溶融領域Ｔ＿ＬＥａはタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥが含む物質のみを含む領域であり得る。第２溶融領域Ｔ＿ＬＥｂはタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥの物質とタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥが含む物質を含む領域であり得る。
第１溶融領域Ｔ＿ＬＥｂはタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥが含む物質が拡散されてタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥの物質とタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥの物質が混ざっている領域であり、第２溶融領域Ｔ＿ＰＥｂはタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥが含む物質が拡散されてタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥの物質とタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥの物質が混ざっている領域であり得る。例えば、タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥが銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）を含み、タッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥがＴｉ／Ａｌ／Ｔｉを含む場合、第１溶融領域Ｔ＿ＬＥｂおよび第２溶融領域Ｔ＿ＰＥｂはタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥのＴｉおよび／またはＡｌとタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥの銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）が混ざっている領域であり得る。
第１溶融領域Ｔ＿ＬＥｂと第２溶融領域Ｔ＿ＰＥｂでタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥとタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥは凝固を経ることにより結合され得る。
タッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥとタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥの界面、すなわち第１溶融領域Ｔ＿ＬＥｂと第２溶融領域Ｔ＿ＰＥｂの界面は非平坦な形状を有し得る。
タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥは前述したように、第２パッド電極１８０を含み得る。第２パッド電極１８０は不透明であり得る。
図９は一実施形態による上部基板と下部基板をシーリングする過程を示す斜視図である。図９は一実施形態による表示装置１の効果を説明するために参照される。
前述したように、上部基板１３０と下部基板１０１の接合はレーザシーリング工程によって行われる。セルシールＣＳはフリット（ｆｒｉｔ）などの物質が溶融して再び固化されることにより上部基板１３０と下部基板１０１を互いに結合させることができる。レーザシーリング工程はレーザシーリング装置９００により行われ得る。レーザシーリング装置９００は一方向に移動し、上部基板１３０と下部基板１０１のシーリング領域ＳＡを照射し、上部基板１３０と下部基板１０１を接合させることができる。
また、上記したタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥの第２パッド電極１８０は、タッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥと超音波ボンディングのためにアルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／ＡｌＧｅ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕ、ＭｏＮｂのような不透明な金属材質を含み得る。
ただし、タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥの第２パッド電極１８０として、不透明な金属材質を含むとレーザシーリング装置９００でシーリング領域ＳＡ、例えば第２シーリング領域ＳＡ２に照射されたレーザがタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥを透過できず、上面の第２パッド電極１８０により一部が反射または吸収され、きわめて一部のレーザのみがシーリング領域ＳＡに到達することができる。
この場合、上部基板１３０と下部基板１０１のシーリング領域ＳＡに介在したフリット（ｆｒｉｔ）が上部基板１３０および下部基板１０１を結合するほど溶融できず、これによって上部基板１３０および下部基板１０１の接合性は顕著に低くなる。
ただし、一実施形態による表示装置１はタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡが表示パネル１００のシーリング領域ＳＡと厚さ方向に重ならない。すなわち、複数のタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥはシーリング領域ＳＡと重ならなくてもよい。これによって、シーリング領域ＳＡに照射されたレーザはタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥによりその一部が反射または吸収されず、上部基板１３０をすぐに透過することができる。その結果、シーリング領域ＳＡに配置されたフリット（ｆｒｉｔ）を十分に溶融させることができる。したがって、シーリング光であるレーザの強度や照射時間を増やさなくても十分に上部基板１３０と下部基板１０１を接合させることができる。
以下、他の実施形態について説明する。以下の実施形態で既に説明した実施形態と同じ構成については同じ参照符号を付け、その説明は省略または簡略化する。
図１０は他の実施形態によるタッチ信号パッド端子の平面配置図であり、図１１はＸ４－Ｘ４’線に沿って切断した断面図であり、図１２はＸ５－Ｘ５’、Ｘ６－Ｘ６’線に沿って切断した断面図である。
図１０ないし図１２を参照すると、本実施形態によるタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿１は第３パッド電極１６４、第４サブ絶縁層１７２ｂをさらに含む点で図６ないし図８によるタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥとは差がある。
より具体的に説明すると、タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿１は第１パッド電極１５３、第１パッド電極１５３上に配置される第２サブ絶縁層１７１ｂ、第２サブ絶縁層１７１ｂ上に配置された第３パッド電極１６４、第３パッド電極１６４上に配置された第４サブ絶縁層１７２ｂ、第４サブ絶縁層１７２ｂ上に配置された第２パッド電極１８０を含み得る。
第３パッド電極１６４は第２サブ絶縁層１７１ｂの一面に配置されて第２サブ絶縁層１７１ｂの複数の絶縁パターンが形成する下部段差を少なくとも部分的にコンフォーマルに反映することができる。これによって、第３パッド電極１６４は表面凹凸形状を有することができる。第３パッド電極１６４は第２サブ絶縁層１７１ｂの第１ビアホールＶＩＡ１を介して第１パッド電極１５３と電気的に接続され得る。
第３パッド電極１６４は感知領域ＴＡの第２配線層１６０上に配置され得る。第３パッド電極１６４は第２配線層１６０が含む物質からなる。例えば、第３パッド電極１６４は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などのような透明な導電性酸化物を含む。
平面上、第３パッド電極１６４は第１パッド電極１５３より大きく、第２パッド電極１８０より小さくてもよい。第３パッド電極１６４は第１パッド電極１５３の少なくとも一側面から外側に延びて配置され得る。第３パッド電極１６４は第１パッド電極１５３のすべての側面から外側に延び得る。第２パッド電極１８０は第３パッド電極１６４の少なくとも一側面から外側に延びて配置され得る。第２パッド電極１８０は第３パッド電極１６４のすべての側面から外側に延び得る。
第４サブ絶縁層１７２ｂは第３パッド電極１６４の一面に配置され得る。第４サブ絶縁層１７２ｂは複数の絶縁パターンと隣接する絶縁パターンの間に配置された第２ビアホールＶＩＡ２を有することができる。第４サブ絶縁層１７２ｂは感知領域ＴＡの第２絶縁層１７２と同じ層に配置され得る。すなわち、第２絶縁層１７２は第３サブ絶縁層１７２ａと第４サブ絶縁層１７２ｂを含み得る。
第２パッド電極１８０は第４サブ絶縁層１７２ｂの複数の第２ビアホールＶＩＡ２を介して第３パッド電極１６４と電気的に接続され得る。第２パッド電極１８０は第４サブ絶縁層１７２ｂが形成する段差を少なくとも部分的にコンフォーマルに反映して表面に凹凸形状を有し得る。
本実施形態の場合にも、タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿１の第２パッド電極１８０として、不透明な金属材質を含むとレーザシーリング装置９００でシーリング領域ＳＡ、例えば第２シーリング領域ＳＡ２に照射されたレーザがタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿１を透過できず、上面の第２パッド電極１８０により一部が反射または吸収され、きわめて一部のレーザのみがシーリング領域ＳＡに到達することができる。
この場合、上部基板１３０と下部基板１０１のシーリング領域ＳＡに介在したフリット（ｆｒｉｔ）が上部基板１３０および下部基板１０１を結合するほど溶融できず、これによって上部基板１３０および下部基板１０１の接合性は顕著に低くなる。
ただし、本実施形態によるタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡは表示パネル１００のシーリング領域ＳＡと厚さ方向に重ならない。すなわち、複数のタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿１はシーリング領域ＳＡと重ならなくてもよい。これによって、シーリング領域ＳＡに照射されたレーザはタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿１によりその一部が反射または吸収されず、上部基板１３０をすぐに透過することができる。その結果、シーリング領域ＳＡに配置されたフリット（ｆｒｉｔ）を十分に溶融させることができる。したがって、シーリング光であるレーザの強度や照射時間を増やさなくても十分に上部基板１３０と下部基板１０１を接合させることができる。
図１３はまた他の実施形態によるタッチ信号パッド端子の平面配置図であり、図１４はＸ７－Ｘ７’線に沿って切断した断面図であり、図１５はＸ８－Ｘ８’、Ｘ９－Ｘ９’線に沿って切断した断面図である。
図１３ないし図１５を参照すると、本実施形態によるタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿２は第３パッド電極１６４を含まない点で図１０ないし図１２によるタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿１とは差がある。
より具体的に説明すると、本実施形態によるタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿１は第１パッド電極１５３、第１パッド電極１５３の一面に配置された第２サブ絶縁層１７１ｂ、第２サブ絶縁層１７１ｂの一面に配置された第３パッド電極１６４、第３パッド電極１６４の一面に配置された第２パッド電極１８０を含み得る。
本実施形態の場合にも、タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿２の第２パッド電極１８０として、不透明な金属材質を含むとレーザシーリング装置９００でシーリング領域ＳＡ、例えば第２シーリング領域ＳＡ２に照射されたレーザがタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿２を透過できず、上面の第２パッド電極１８０により一部が反射または吸収され、きわめて一部のレーザのみがシーリング領域ＳＡに到達することができる。
この場合、上部基板１３０と下部基板１０１のシーリング領域ＳＡに介在したフリット（ｆｒｉｔ）が上部基板１３０および下部基板１０１を結合するほど溶融できず、これによって上部基板１３０および下部基板１０１の接合性は顕著に低くなる。
ただし、本実施形態によるタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡは表示パネル１００のシーリング領域ＳＡと厚さ方向に重ならない。すなわち、複数のタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿２はシーリング領域ＳＡと重ならなくてもよい。これによって、シーリング領域ＳＡに照射されたレーザはタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿２によりその一部が反射または吸収されず、上部基板１３０をすぐに透過することができる。その結果、シーリング領域ＳＡに配置されたフリット（ｆｒｉｔ）を十分に溶融させることができる。したがって、シーリング光であるレーザの強度や照射時間を増やさなくても十分に上部基板１３０と下部基板１０１を接合させることができる。
図１６はまた他の実施形態による上部基板の平面配置図であり、図１７はまた他の実施形態による感知領域のタッチ部材の断面図であり、図１８はまた他の実施形態によるタッチ信号パッド端子の平面配置図であり、図１９はＸ１０－Ｘ１０’線に沿って切断した断面図であり、図２０はＸ１１－Ｘ１１’、Ｘ１２－Ｘ１２’線に沿って切断した断面図である。
図１６ないし図２０はタッチ素子層およびタッチ信号パッド端子を構成する配線層が多様に変形され得ることを例示する。
図１６ないし図２０を参照すると、本実施形態による表示装置２はタッチ素子層１４０＿１およびタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿３を含む点で一実施形態による表示装置１とは差がある。
より具体的に説明すると、本実施形態によるタッチ素子層１４０＿１は、第１配線層１６０＿１および第２配線層１５０＿１を含み得る。第１配線層１６０＿１は一実施形態によるタッチ素子層１４０の第２配線層１６０と同じ構成および物質を含むが、その配置は相違する。第２配線層１５０＿１も一実施形態によるタッチ素子層１４０の第１配線層１５０と同じ構成および物質を含むが、その配置は相違する。具体的に説明すると、第１配線層１６０＿１は第１タッチ電極１６１＿１、第２タッチ電極１６２＿１および第２接続電極１６３＿１を含み得る。第２配線層１５０＿１は第１接続電極１５１＿１、タッチ駆動配線１５２＿１および第１パッド電極１５３＿１を含み得る。第１配線層１６０＿１は上部基板１３０の一面に配置され得る。
第１絶縁層１７１は第１配線層１６０＿１の一面に配置され得る。第２配線層１５０＿１は第１絶縁層１７１上に配置され得る。第２配線層１５０＿１の第１接続電極１５１＿１はコンタクトホールＣＨ＿１を介して第１配線層１６０＿１と電気的に接続され得る。すなわち、第１接続電極１５１＿１はコンタクトホールＣＨ＿１を介して第１タッチ電極１６１＿１と電気的に接続され得る。
タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿３は第１パッド電極１５３＿１を含む点で一実施形態によるタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥとは差がある。
本実施形態の場合にも、タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿３の第２パッド電極１８０として、不透明な金属材質を含むとレーザシーリング装置９００でシーリング領域ＳＡ、例えば第２シーリング領域ＳＡ２に照射されたレーザがタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿３を透過できず、上面の第２パッド電極１８０により一部が反射または吸収され、きわめて一部のレーザのみがシーリング領域ＳＡに到達することができる。
この場合、上部基板１３０と下部基板１０１のシーリング領域ＳＡに介在したフリット（ｆｒｉｔ）が上部基板１３０および下部基板１０１を結合するほど溶融できず、これによって上部基板１３０および下部基板１０１の接合性は顕著に低くなる。
ただし、本実施形態によるタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡは表示パネル１００のシーリング領域ＳＡと厚さ方向に重ならない。すなわち、複数のタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿３はシーリング領域ＳＡと重ならなくてもよい。これによって、シーリング領域ＳＡに照射されたレーザはタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿３によりその一部が反射または吸収されず、上部基板１３０をすぐに透過することができる。その結果、シーリング領域ＳＡに配置されたフリット（ｆｒｉｔ）を十分に溶融させることができる。したがって、シーリング光であるレーザの強度や照射時間を増やさなくても十分に上部基板１３０と下部基板１０１を接合させることができる。
図２１はまた他の実施形態による表示装置の断面図であり、図２２はまた他の実施形態による上部基板の平面配置図である。図２１および図２２は上部基板１３０と下部基板１０１のシーリング工程を行った後、上部基板１３０にタッチ素子層１４０およびタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿４を形成する場合に適用することができる。
図２１および図２１を参照すると、本実施形態による表示装置３はタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡ＿１と第２シーリング領域ＳＡ２が部分的に厚さ方向に重なる点で一実施形態による表示装置１とは差がある。
より具体的に説明すると、タッチパッド領域Ｔ＿ＰＡ＿１の非表示領域ＮＡと隣接する一側は第２シーリング領域ＳＡ２の非表示領域ＮＡと隣接する一側と整列され得る。タッチパッド領域Ｔ＿ＰＡ＿１の感知領域ＴＡと隣接する他側は第２シーリング領域ＳＡ２の感知領域ＴＡと隣接する他側よりさらに延びて配置され得る。
タッチパッド領域Ｔ＿ＰＡ＿１にはタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿４が配置され得る。タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿４は第２シーリング領域ＳＡ２と部分的に重なってもよい。
タッチ印刷回路基板５００はタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡ＿１に取り付けられ得る。タッチ印刷回路基板５００上に配置されたタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥはタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿４と接続され得る。タッチ印刷回路基板５００は第２シーリング領域ＳＡ２と厚さ方向に重なってもよい。
前述したように、本実施形態は上部基板１３０と下部基板１０１のシーリング工程を行った後、タッチ素子層１４０およびタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿４を形成する場合に適用することができる。タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿４の第２パッド電極１８０はタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥと超音波ボンディングのために不透明な金属材質を含み得る。
タッチ素子層１４０およびタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥは上部基板１３０に蒸着およびパターニングなどの工程によって形成され、上部基板１３０はレーザシーリング工程によって下部基板１０１と接合させる工程を行う場合に前述したように、第２シーリング領域ＳＡ２に照射されたレーザがタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿３を透過することができず、上面の不透明な第２パッド電極１８０により一部が反射または吸収され、きわめて一部のレーザのみがシーリング領域ＳＡに到達することができる。
この場合、上部基板１３０と下部基板１０１のシーリング領域ＳＡに介在したフリット（ｆｒｉｔ）が上部基板１３０および下部基板１０１を結合するほど溶融できず、これによって上部基板１３０および下部基板１０１の接合性は顕著に低くなる。
ただし、本実施形態による表示装置３は、上部基板１３０および下部基板１０１のレーザシーリング工程を行った後に上部基板１３０の一面にタッチ素子層１４０およびタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿４が蒸着およびパターニングなどの工程によって形成されることができる。この場合、タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿４は不透明金属材質、例えばアルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／ＡｌＧｅ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕ、ＭｏＮｂを含んで、レーザ透過性が低くてもレーザシーリング工程後に形成されるのでシーリング領域ＳＡと重なって配置され得る。
これによって、表示装置３の感知領域ＴＡおよび表示領域ＤＡが一側にさらに延びて配置され得る。すなわち、タッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿４は第２シーリング領域ＳＡ２と重なって配置されるために感知領域ＴＡは相対的にその面積が広くなる。また、表示領域ＤＡは外部で有機発光素子層１２０から出射された光を視認できる領域であり、タッチパッド領域Ｔ＿ＰＡ＿１およびタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿４が第２シーリング領域ＳＡ２と重なって配置されることによって相対的にその面積が広くなる。その結果、表示装置３のベゼルを減らすと同時にディスプレイ視認領域を増やすことができる。以下では本実施形態による表示装置３の製造方法について説明する。
図２３はまた他の実施形態による表示装置の製造方法を示すフローチャートであり、図２４ないし図２６はタッチ信号パッド端子を形成する過程を示す斜視図である。
図２３ないし図２６を参照すると、本実施形態による表示装置の製造方法は、第１基板１０１および第２基板１５０を含む対象パネル１００として、第１基板１０１と第２基板１５０の間にシーリング領域ＳＡを含む対象パネル１００を準備する段階（Ｓ１０）、シーリング領域ＳＡにシーリング光を入射させて、第１基板１０１および第２基板１５０をウェルディング（Ｗｅｌｄｉｎｇ）させる段階（Ｓ２０）、第１基板１０１および第２基板１５０をウェルディングさせた後、第２基板１５０のシーリング領域ＳＡと厚さ方向に重なるタッチパッド領域Ｔ＿ＰＡ＿１にタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿４を形成する段階（Ｓ３０）および第２基板１５０のタッチ信号パッド端子Ｔ＿ＰＥ＿４にタッチ印刷回路基板５００のタッチ信号リード端子Ｔ＿ＬＥを超音波ボンディングさせる段階（Ｓ４０）を含み得る。
図２４ないし図２６は第１パッド電極１５３＿２上に第２パッド電極１８０＿１を形成する工程を示す。第２パッド電極１８０＿１は第１パッド電極１５３＿２上に金属ペースト１８１の塗布および硬化（図２５）、金属ペースト１８１のパターニング工程（図２６）により形成されることができる。これと関連する多様な製造方法は本技術分野に広く知られているので、具体的な説明は省略する。
以上、本発明の実施形態を中心に説明したが、これは単に例示であるに過ぎず、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば本発明の実施形態の本質的な特性を逸脱しない範囲で、上で例示していない様々なものの変形と応用が可能であることがわかる。例えば、本発明の実施形態に具体的に示す各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形と応用に関連する差異点は添付する特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれると解釈されなければならない。

Claims (25)

  1. 表示領域および前記表示領域を囲む非表示領域を含む表示装置であって、
    第１基板と、
    前記第１基板と対向する第２基板として、前記第１基板と対向する第１面および前記第２基板の前記第１面の反対面である第２面を含む第２基板と、
    前記第２基板の前記第２面上に配置され、前記表示領域に位置するタッチ電極と、
    前記第２基板の前記第２面上に配置され、前記非表示領域に位置し、前記タッチ電極と電気的に接続されたタッチパッド端子と、
    前記第１基板と前記第２基板の間に介在し、前記第１基板と前記第２基板を結合するシーリング部材を含み、
    前記シーリング部材は前記非表示領域に位置し、
    前記タッチパッド端子は前記シーリング部材より内側に配置され、印刷回路基板のリード端子と接触する、表示装置。
  2. 前記タッチパッド端子は前記シーリング部材と重ならない、請求項１に記載の表示装置。
  3. 表示素子をさらに含み、
    前記第１基板は、前記第２基板に対向する第１面および前記第１基板の前記第１面の反対面である第２面を含み、
    前記表示素子は前記第１基板の前記第１面上に配置される、請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記表示素子は、アノード電極、カソード電極および前記アノード電極と前記カソード電極の間に配置された有機発光層を含む、請求項３に記載の表示装置。
  5. 前記表示素子は、前記第１基板、前記第２基板および前記シーリング部材によって密封される、請求項４に記載の表示装置。
  6. 前記第２基板は、それぞれガラスまたは石英を含む、請求項１に記載の表示装置。
  7. 前記タッチ電極は、前記第２基板の前記第２面のすぐ上に配置される、請求項６に記載の表示装置。
  8. 前記シーリング部材は光学的に透明なフリットを含む、請求項１に記載の表示装置。
  9. 前記タッチ電極は透明導電性酸化物を含む透明電極層を含む、請求項１に記載の表示装置。
  10. 前記タッチパッド端子は、透明導電性酸化物を含む第１導電層および前記第１導電層上に配置されて不透明金属を含む第２導電層を含む、請求項９に記載の表示装置。
  11. 前記透明電極層と前記第１導電層は同じ物質からなる、請求項１０に記載の表示装置。
  12. 前記第２導電層は、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／ＡｌＧｅ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕ、ＭｏＮｂのうち少なくともいずれか一つからなる、請求項１０に記載の表示装置。
  13. 前記第１基板は前記第２基板の一端で前記第２基板の外側に延びる、請求項１に記載の表示装置。
  14. 前記印刷回路基板は、前記第１基板の前記第２基板の一端で延びた領域を囲んで曲げられ、前記印刷回路基板の一端は前記第１基板の第２面の下部に位置する、請求項１に記載の表示装置。
  15. 表示領域、および前記表示領域を囲む非表示領域を含む表示装置であって、
    表示基板と、
    前記表示基板と対向する封止基板として、前記表示基板と対向する第１面、および前記封止基板の第１面の反対面である第２面を含む封止基板と、
    前記封止基板の前記第２面上に配置され、前記表示領域に位置するタッチ電極と、
    前記封止基板の前記第２面上に配置され、前記非表示領域に位置し、前記タッチ電極と電気的に接続されたタッチパッド端子と、
    前記表示基板の表示領域上に配置され、前記表示基板、前記表示基板のシーリング部材、および前記封止基板によって密封される表示素子と、
    前記封止基板上に配置され、前記表示基板の表示領域と重なるタッチ素子と、を含み、
    前記タッチパッド端子は、前記表示基板のシーリング領域の一部と重なって、第１パッド導電層、および前記第１パッド導電層上に配置されて不透明な金属を含む第２パッド導電層を含み、
    前記第２パッド導電層は、前記タッチパッド端子に接続される印刷回路基板のリード端子と接触する、表示装置。
  16. 前記タッチ電極は、透明導電性酸化物を含む透明電極層を備える、請求項１５に記載の表示装置。
  17. 前記透明電極層と前記第１パッド導電層とは同じ物質からなる、請求項１６に記載の表示装置。
  18. 前記第２パッド導電層は、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／ＡｌＧｅ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕ、ＭｏＮｂのうち少なくともいずれか一つからなる、請求項１６に記載の表示装置。
  19. 表示素子をさらに含み、
    前記表示基板は前記封止基板に対向する第１面および前記表示基板の前記第１面の反対面である第２面を含み、前記表示素子は前記表示基板の前記第１面上に配置される、請求項１５に記載の表示装置。
  20. 前記表示素子は、アノード電極、カソード電極および前記アノード電極と前記カソード電極の間に配置された有機発光層を含む、請求項１９に記載の表示装置。
  21. 前記表示素子は、前記表示基板、前記封止基板および前記シーリング部材によって密封される、請求項２０に記載の表示装置。
  22. 前記封止基板はそれぞれガラスまたは石英を含み、前記タッチ電極は前記封止基板の前記第２面のすぐ上に配置される、請求項１５に記載の表示装置。
  23. 前記シーリング部材は光学的に透明なフリットを含む、請求項１５に記載の表示装置。
  24. 前記表示基板は前記封止基板の一端で前記封止基板の外側に延びる、請求項１５に記載の表示装置。
  25. 前記印刷回路基板は前記表示基板の前記封止基板の一端で延びた領域を囲んで曲げられ、
    前記印刷回路基板の一端は前記表示基板の第２面の下部に位置する、請求項２３に記載の表示装置。
JP2021515645A 2018-09-21 2019-07-08 表示装置 Active JP7378464B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0114433 2018-09-21
KR1020180114433A KR20200034908A (ko) 2018-09-21 2018-09-21 표시 장치
PCT/KR2019/008349 WO2020060014A1 (ko) 2018-09-21 2019-07-08 표시 장치

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2022501647A JP2022501647A (ja) 2022-01-06
JPWO2020060014A5 JPWO2020060014A5 (ja) 2022-07-15
JP7378464B2 true JP7378464B2 (ja) 2023-11-13

Family

ID=69887372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021515645A Active JP7378464B2 (ja) 2018-09-21 2019-07-08 表示装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210357060A1 (ja)
EP (1) EP3855502A4 (ja)
JP (1) JP7378464B2 (ja)
KR (1) KR20200034908A (ja)
CN (1) CN112771675A (ja)
WO (1) WO2020060014A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220069483A (ko) * 2020-11-20 2022-05-27 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 장치
CN113391476A (zh) * 2021-04-19 2021-09-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置
CN113471240A (zh) * 2021-06-30 2021-10-01 上海天马微电子有限公司 发光模组及其制备方法、显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010020315A (ja) 2008-07-11 2010-01-28 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光ディスプレイ装置
JP2011118331A (ja) 2009-12-03 2011-06-16 Samsung Mobile Display Co Ltd タッチスクリーンパネル一体型平板表示装置
JP2017097163A (ja) 2015-11-24 2017-06-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2017215499A (ja) 2016-06-01 2017-12-07 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置の製造方法
US20180182838A1 (en) 2016-12-26 2018-06-28 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8928597B2 (en) * 2008-07-11 2015-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP5308749B2 (ja) * 2008-09-05 2013-10-09 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US8816981B2 (en) * 2009-08-31 2014-08-26 Nissha Printing Co., Ltd. Mount structure of touch panel with vibration function
JP5687570B2 (ja) * 2011-06-10 2015-03-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US9928762B2 (en) * 2012-09-28 2018-03-27 Apple Inc. Electronic devices with flexible circuit light shields
KR102307253B1 (ko) * 2014-08-19 2021-10-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102457248B1 (ko) * 2016-01-12 2022-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010020315A (ja) 2008-07-11 2010-01-28 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光ディスプレイ装置
JP2011118331A (ja) 2009-12-03 2011-06-16 Samsung Mobile Display Co Ltd タッチスクリーンパネル一体型平板表示装置
JP2017097163A (ja) 2015-11-24 2017-06-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2017215499A (ja) 2016-06-01 2017-12-07 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置の製造方法
US20180182838A1 (en) 2016-12-26 2018-06-28 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device

Also Published As

Publication number Publication date
EP3855502A4 (en) 2022-06-22
WO2020060014A1 (ko) 2020-03-26
US20210357060A1 (en) 2021-11-18
JP2022501647A (ja) 2022-01-06
EP3855502A1 (en) 2021-07-28
KR20200034908A (ko) 2020-04-01
CN112771675A (zh) 2021-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6531033B2 (ja) 表示装置
KR102603403B1 (ko) 표시 장치
US8890830B2 (en) Display device-integrated touch screen panel
JP5370944B2 (ja) タッチパネルおよびその製造方法
US8698776B2 (en) Electrostatic capacitance-type input device, method of manufacturing electrostatic capacitance-type input device, and electro-optical apparatus provided with input function
CN107665880B (zh) 电子设备及其制造方法
JP7378464B2 (ja) 表示装置
JP2018018007A (ja) 電子機器
CN106980198B (zh) 具有传感器的显示装置
JP6815781B2 (ja) 電子機器
JP2018018008A (ja) 表示装置
JP2018017984A (ja) 電子機器
TWI639878B (zh) 電子機器及其製造方法
US11696473B2 (en) Display device
JP2018017978A (ja) 表示装置
JP2018017975A (ja) 電子機器の製造方法
CN111463234A (zh) 显示装置、显示面板及印刷电路板
KR20200130550A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20210027704A (ko) 표시 장치
JP6797970B2 (ja) 表示装置
JP2019135514A (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
US11825600B2 (en) Printed circuit board, display device, and manufacturing method of display device
JP2021043457A (ja) 表示装置
KR102288835B1 (ko) 인쇄회로기판 및 이를 포함하는 터치 윈도우
KR20200095627A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220706

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220706

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230328

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230411

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230704

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231003

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231031

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7378464

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150