JP7378105B1 - Acoustic wave device and module comprising the elastic wave device - Google Patents
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Abstract
【課題】耐電力が向上した弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板上に形成されたバンドパスフィルタを構成する複数の共振器とを備え、前記複数の共振器の少なくとも１つは、直列に分割された、入力される電気信号が最初に入力される第１分割共振器と、入力される電気信号が最後に入力される第２分割共振器と、前記第１分割共振器と前記第２分割共振器の間に配置された第３分割共振器とを含む多段分割共振器であり、前記多段分割共振器の共振周波数は、前記バンドパスフィルタ周波数帯域のうち、高周波側であり、前記第１分割共振器の共振周波数および前記第２分割共振器の共振周波数は、前記第３分割共振器の共振周波数よりも低い弾性波デバイス。
【選択図】図３
An object of the present invention is to provide an acoustic wave device with improved power resistance.
The present invention includes a piezoelectric substrate and a plurality of resonators forming a bandpass filter formed on the piezoelectric substrate, and at least one of the plurality of resonators is divided in series and receives an input signal. A first divided resonator into which an electric signal is inputted first, a second divided resonator into which an inputted electric signal is inputted last, and arranged between the first divided resonator and the second divided resonator. The resonant frequency of the multi-stage divided resonator is on the high frequency side of the bandpass filter frequency band, and the resonant frequency of the first divided resonator is higher than the resonant frequency of the first divided resonator. and an elastic wave device in which the resonant frequency of the second divided resonator is lower than the resonant frequency of the third divided resonator.
[Selection diagram] Figure 3
Description
本開示は、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールに関連する。 The present disclosure relates to an acoustic wave device and a module comprising the acoustic wave device.
近年の技術的進歩により、移動体通信端末に代表されるスマートフォンなどは、目覚ましく小型化、軽量化されている。このような移動通信端末に用いられる弾性波デバイスとしては、小型化が可能な弾性波デバイスが用いられている。また、移動体通信システムとして、同時送受信する通信システムが急増しデュプレクサの需要が急増している。 Due to recent technological advances, mobile communication terminals such as smartphones have become significantly smaller and lighter. As elastic wave devices used in such mobile communication terminals, elastic wave devices that can be miniaturized are used. In addition, the number of mobile communication systems that perform simultaneous transmission and reception is rapidly increasing, and the demand for duplexers is rapidly increasing.
移動通信システムの変化に伴い、弾性波デバイスの要求仕様がより厳しくなってきている。すなわち、従来に比してより小型化された弾性波デバイスが必要となっている。しかし、弾性波デバイスを小型化すると、ＳＡＷ共振器を小型化せざるを得ず、耐電力が低下する。 As mobile communication systems change, the required specifications for acoustic wave devices are becoming more stringent. That is, there is a need for acoustic wave devices that are more compact than conventional ones. However, if the acoustic wave device is made smaller, the SAW resonator must be made smaller, and the power resistance will be reduced.
ＳＡＷ共振器の電極は印加電圧及び周波数に応じて内部応力を繰り返し受けることになるが、応力によって電極を構成する金属原子が粒界に沿って拡散移動し易く、突起生成による短絡や空隙生成による断線を引き起こして、特性が著しく劣化してしまう問題がある。この現象は一般的にストレスマイグレーションと呼ばれている。したがって、弾性波デバイスの小型化に伴い、ＳＡＷ共振器の電極の耐電力性を向上させる必要がある。 The electrodes of a SAW resonator are repeatedly subjected to internal stress depending on the applied voltage and frequency, but the stress tends to cause the metal atoms that make up the electrodes to diffuse and move along grain boundaries, causing short circuits due to protrusion formation and void formation. There is a problem in that it causes wire breakage and significantly deteriorates the characteristics. This phenomenon is generally called stress migration. Therefore, as acoustic wave devices become smaller, it is necessary to improve the power durability of the electrodes of SAW resonators.
特許文献１には、耐電力性を向上させるため、ＳＡＷ共振器を直列に分割する技術が開示されている。 Patent Document 1 discloses a technique of dividing a SAW resonator into series in order to improve power durability.
しかしながら、特許文献１に記載の弾性波デバイスにおいては、３つ以上に分割された直列分割共振器において、内側に配置された分割共振器の熱が逃げにくい。このため、内側に配置された分割共振器にストレスマイグレーションが生じやすく、弾性波デバイスの耐電力が十分でない。 However, in the acoustic wave device described in Patent Document 1, in the series divided resonator divided into three or more, heat from the divided resonator arranged inside is difficult to escape. For this reason, stress migration is likely to occur in the divided resonators arranged inside, and the power resistance of the acoustic wave device is not sufficient.
本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、耐電力向上を目的として採用された直列分割共振器のストレスマイグレーションをさらに抑制し、より耐電力性が向上した弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供することである。また、より消費電力が少ない、環境性能に優れた弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供することである。 The present disclosure has been made to solve the above problems. An object of the present disclosure is to further suppress stress migration of a series-divided resonator adopted for the purpose of improving power durability, and to provide an acoustic wave device with improved power durability and a module including the elastic wave device. be. Another object of the present invention is to provide an acoustic wave device that consumes less power and has excellent environmental performance, and a module that includes the elastic wave device.
本開示に係る弾性波デバイスは、
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成されたバンドパスフィルタを構成する複数の共振器と、
前記圧電基板上に形成された入力パッドと、
前記圧電基板上に形成された出力パッドと、
前記圧電基板上に形成されたグランドパッドと、
を備え、
前記複数の共振器の少なくとも１つは、直列に分割された、前記入力パッドから入力される電気信号が最初に入力される第１分割共振器と、前記入力パッドから入力される電気信号が最後に入力される第２分割共振器と、前記第１分割共振器と前記第２分割共振器の間に配置された第３分割共振器とを含む多段分割共振器であり、
前記第１分割共振器の共振周波数および前記第２分割共振器の共振周波数は、前記第３分割共振器の共振周波数よりも低く、
前記第３分割共振器のキャパシタンスは、前記第１分割共振器のキャパシタンスおよび前記第２分割共振器のキャパシタンスよりも大きい弾性波デバイスとした。
The elastic wave device according to the present disclosure includes:
a piezoelectric substrate;
a plurality of resonators forming a bandpass filter formed on the piezoelectric substrate ;
an input pad formed on the piezoelectric substrate;
an output pad formed on the piezoelectric substrate;
a ground pad formed on the piezoelectric substrate;
Equipped with
At least one of the plurality of resonators includes a first divided resonator divided in series, into which the electrical signal input from the input pad is first input, and a first divided resonator into which the electric signal input from the input pad is input last. a multi-stage divided resonator including a second divided resonator that is input to the second divided resonator, and a third divided resonator arranged between the first divided resonator and the second divided resonator,
The resonant frequency of the first divided resonator and the second divided resonator are lower than the resonant frequency of the third divided resonator,
The capacitance of the third divided resonator is larger than the capacitance of the first divided resonator and the capacitance of the second divided resonator.
前記多段分割共振器の共振周波数は、前記バンドパスフィルタ周波数帯域のうち、前記バンドパスフィルタ周波数帯域の中央周波数よりも高周波側であることが、本発明の一形態とされる。 In one form of the present invention, the resonant frequency of the multi-stage divided resonator is on a higher frequency side than the center frequency of the band-pass filter frequency band, among the band-pass filter frequency bands .
前記多段分割共振器は、前記第１分割共振器と前記第３分割共振器の間に配置された第４分割共振器と、前記第２分割共振器と前記第３分割共振器の間に配置された第５分割共振器とを含み、前記第３分割共振器、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器の共振周波数は、前記第１分割共振器および前記第２分割共振器の共振周波数よりも高いことが、本発明の一形態とされる。 The multistage divided resonator includes a fourth divided resonator arranged between the first divided resonator and the third divided resonator, and a fourth divided resonator arranged between the second divided resonator and the third divided resonator. The resonant frequencies of the third divided resonator, the fourth divided resonator, and the fifth divided resonator are equal to those of the first divided resonator and the second divided resonator. One form of the present invention is that the frequency is higher than the resonant frequency.
前記第３分割共振器の共振周波数は、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器の共振周波数よりも高いことが、本発明の一形態とされる。 In one form of the present invention, the resonant frequency of the third divided resonator is higher than the resonant frequencies of the fourth divided resonator and the fifth divided resonator.
前記第３分割共振器、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器のキャパシタンスは、前記第１分割共振器および前記第２分割共振器のキャパシタンスよりも大きいことが、本開示の一形態とされる。 In one embodiment of the present disclosure, the capacitances of the third divided resonator, the fourth divided resonator, and the fifth divided resonator are larger than the capacitances of the first divided resonator and the second divided resonator. It is said that
前記第３分割共振器のキャパシタンスは、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器のキャパシタンスよりも大きいことが、本開示の一形態とされる。 In one form of the present disclosure, the capacitance of the third divided resonator is larger than the capacitance of the fourth divided resonator and the fifth divided resonator.
前記圧電基板は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムの単結晶からなる基板であることが、本開示の一形態とされる。 In one form of the present disclosure, the piezoelectric substrate is a substrate made of a single crystal of lithium niobate or lithium tantalate.
前記圧電基板の前記複数の共振器が形成された主面とは反対の主面に支持基板を備え、前記支持基板は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる基板であることが、本開示の一形態とされる。 A support substrate may be provided on a main surface of the piezoelectric substrate opposite to the main surface on which the plurality of resonators are formed, and the support substrate may be a substrate made of sapphire, silicon, alumina, spinel, crystal, or glass. , is considered as one form of the present disclosure.
前記複数の共振器はラダー型のバンドパスフィルタを構成する複数の直列共振器と複数の並列共振器を含み、前記多段分割共振器は、前記複数の直列共振器のうち、入力される電気信号が最初または二番目に入力される直列共振器であることが、本開示の一形態とされる。 The plurality of resonators include a plurality of series resonators and a plurality of parallel resonators constituting a ladder-type bandpass filter, and the multistage divided resonator is one of the plurality of series resonators that receives an input electric signal. In one embodiment of the present disclosure, the resonator is a series resonator that is inputted first or second.
前記複数の共振器は、デュプレクサとして機能することが、本開示の一形態とされる。 In one embodiment of the present disclosure, the plurality of resonators function as a duplexer.
前記弾性波デバイスを備えるモジュールが、本開示の一形態とされる。 A module including the acoustic wave device is one form of the present disclosure.
本開示によれば、弾性波デバイスの耐電力性を向上することができる。 According to the present disclosure, the power durability of an acoustic wave device can be improved.
実施の形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。 Embodiments will be described according to the attached drawings. In each figure, the same or corresponding parts are given the same reference numerals. Duplicate explanations of the relevant parts will be simplified or omitted as appropriate.
実施の形態１．
図１は実施の形態１における弾性波デバイスの縦断面図である。
Embodiment 1.
FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view of an acoustic wave device according to a first embodiment.
図１に示すように、弾性波デバイス２０は、配線基板２３、外部接続端子２４、デバイスチップ２５、電極パッド２６、バンプ２７および封止部２８を備える。 As shown in FIG. 1, the acoustic wave device 20 includes a wiring board 23, external connection terminals 24, a device chip 25, electrode pads 26, bumps 27, and a sealing part 28.
例えば、配線基板２３は、樹脂からなる多層基板である。例えば、配線基板２３は、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板である。 For example, the wiring board 23 is a multilayer board made of resin. For example, the wiring board 23 is a low temperature co-fired ceramics (LTCC) multilayer board including a plurality of dielectric layers.
外部接続端子２４は、配線基板２３の下面に複数形成される。 A plurality of external connection terminals 24 are formed on the lower surface of the wiring board 23.
電極パッド２６は、配線基板２３の主面に複数形成される。例えば、電極パッド２６は、銅または銅を含む合金で形成される。例えば、電極パッド２６の厚みは、１０μｍから２０μｍである。 A plurality of electrode pads 26 are formed on the main surface of the wiring board 23. For example, the electrode pad 26 is formed of copper or an alloy containing copper. For example, the thickness of the electrode pad 26 is 10 μm to 20 μm.
バンプ２７は、電極パッド２６のそれぞれの上面に形成される。例えば、バンプ２７は、金バンプである。例えば、バンプ２７の高さは、１０μｍから５０μｍである。 Bumps 27 are formed on the upper surface of each electrode pad 26. For example, bump 27 is a gold bump. For example, the height of the bump 27 is 10 μm to 50 μm.
配線基板２３とデバイスチップ２５の間は、空隙２９が形成されている。 A gap 29 is formed between the wiring board 23 and the device chip 25.
デバイスチップ２５は、バンプ２７を介して、配線基板２３にフリップチップボンディングにより実装される。デバイスチップ２５は、複数のバンプ２７を介して複数の電極パッド２６と電気的に接続される。 The device chip 25 is mounted on the wiring board 23 via the bumps 27 by flip-chip bonding. The device chip 25 is electrically connected to a plurality of electrode pads 26 via a plurality of bumps 27 .
デバイスチップ２５は、例えば表面弾性波デバイスチップである。デバイスチップ２５は、圧電材料で形成された圧電基板を備えている。圧電基板は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶で形成された基板である。 The device chip 25 is, for example, a surface acoustic wave device chip. The device chip 25 includes a piezoelectric substrate made of piezoelectric material. The piezoelectric substrate is a substrate formed of a piezoelectric single crystal such as lithium tantalate, lithium niobate, or quartz.
圧電基板の厚みは、例えば、１００μｍから３００μｍとすることができる。別の例によれば、圧電基板は、圧電セラミックスで形成された基板である。 The thickness of the piezoelectric substrate can be, for example, 100 μm to 300 μm. According to another example, the piezoelectric substrate is a substrate made of piezoelectric ceramics.
さらに別の例によれば、デバイスチップ２５は、圧電基板と支持基板とが接合された基板である。支持基板は、例えば、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスで形成された基板である。この場合の圧電基板の厚みは、例えば、０．３μｍから５μｍとすることができる。 According to yet another example, the device chip 25 is a substrate in which a piezoelectric substrate and a support substrate are bonded. The supporting substrate is, for example, a substrate made of sapphire, silicon, alumina, spinel, crystal, or glass. The thickness of the piezoelectric substrate in this case can be, for example, 0.3 μm to 5 μm.
圧電基板上に、弾性波素子５２が形成される。例えば、デバイスチップ２５の主面において、複数の弾性波素子５２を含む、送信用フィルタまたは受信用フィルタが形成される。 An acoustic wave element 52 is formed on the piezoelectric substrate. For example, a transmission filter or a reception filter including a plurality of acoustic wave elements 52 is formed on the main surface of the device chip 25.
別の例によれば、デバイスチップ２５の主面上に、送信フィルタおよび受信用フィルタを含むデュプレクサが形成される。 According to another example, a duplexer including a transmission filter and a reception filter is formed on the main surface of the device chip 25.
送信用フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、送信用フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。 The transmission filter is formed so that electrical signals in a desired frequency band can pass therethrough. For example, the transmission filter is a ladder type filter including a plurality of series resonators and a plurality of parallel resonators.
受信用フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、受信用フィルタは、ラダー型フィルタである。 The reception filter is formed so that electrical signals in a desired frequency band can pass therethrough. For example, the reception filter is a ladder type filter.
封止部２８は、デバイスチップ２５を覆うように形成される。例えば、封止部２８は、合成樹脂等の絶縁体により形成される。例えば、封止部２８は、金属で形成される。 The sealing portion 28 is formed to cover the device chip 25. For example, the sealing portion 28 is formed of an insulator such as synthetic resin. For example, the sealing portion 28 is made of metal.
封止部２８が合成樹脂で形成される場合、当該合成樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミドなどである。好ましくは、封止部２８は、エポキシ樹脂を用い、低温硬化プロセスを用いてエポキシ樹脂で形成される。 When the sealing portion 28 is made of synthetic resin, the synthetic resin is epoxy resin, polyimide, or the like. Preferably, the sealing portion 28 is formed of an epoxy resin using a low temperature curing process.
次に、図２を用いて、デバイスチップ２５上に形成された弾性波素子５２の例を説明する。図２は実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子（共振器）の例を示す図である。 Next, an example of the acoustic wave element 52 formed on the device chip 25 will be described using FIG. 2. FIG. 2 is a diagram showing an example of an elastic wave element (resonator) of the elastic wave device according to the first embodiment.
図２に示されるように、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極５２ａと一対の反射器５２ｂとは、デバイスチップ２５の主面に形成される。ＩＤＴ電極５２ａと一対の反射器５２ｂは、弾性波（主にＳＨ波）を励振し得るように設けられる。 As shown in FIG. 2, an IDT (Interdigital Transducer) electrode 52a and a pair of reflectors 52b are formed on the main surface of the device chip 25. The IDT electrode 52a and the pair of reflectors 52b are provided to excite elastic waves (mainly SH waves).
例えば、ＩＤＴ電極５２ａと一対の反射器５２ｂとは、アルミニウムと銅の合金で形成される。例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、アルミニウム、モリブデン、イリジウム、タングステン、コバルト、ニッケル、ルテニウム、クロム、ストロンチウム、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金で形成される。 For example, the IDT electrode 52a and the pair of reflectors 52b are formed of an alloy of aluminum and copper. For example, the IDT 52a and the pair of reflectors 52b are made of a suitable metal such as aluminum, molybdenum, iridium, tungsten, cobalt, nickel, ruthenium, chromium, strontium, titanium, palladium, silver, or an alloy thereof.
例えば、ＩＤＴ電極５２ａと一対の反射器５２ｂとは、複数の金属層が積層した積層金属膜により形成される。例えば、ＩＤＴ電極５２ａと一対の反射器５２ｂとの厚みは、１５０ｎｍから４５０ｎｍである。 For example, the IDT electrode 52a and the pair of reflectors 52b are formed of a laminated metal film in which a plurality of metal layers are laminated. For example, the thickness of the IDT electrode 52a and the pair of reflectors 52b is 150 nm to 450 nm.
ＩＤＴ電極５２ａは、一対の櫛形電極５２ｃを備える。一対の櫛形電極５２ｃは、互いに対向する。櫛形電極５２ｃは、複数の電極指５２ｄとバスバー５２ｅとを備える。 The IDT electrode 52a includes a pair of comb-shaped electrodes 52c. A pair of comb-shaped electrodes 52c face each other. The comb-shaped electrode 52c includes a plurality of electrode fingers 52d and a bus bar 52e.
複数の電極指５２ｄは、長手方向を合わせて配置される。バスバー５２ｅは、複数の電極指５２ｄを接続する。 The plurality of electrode fingers 52d are arranged with their longitudinal directions aligned. The bus bar 52e connects the plurality of electrode fingers 52d.
一対の反射器５２ｂの一方は、ＩＤＴ電極５２ａの一側に隣接する。一対の反射器５２ｂの他方は、ＩＤＴ電極５２ａの他側に隣接する。 One of the pair of reflectors 52b is adjacent to one side of the IDT electrode 52a. The other of the pair of reflectors 52b is adjacent to the other side of the IDT electrode 52a.
次に、図３を用いて、デバイスチップ２５上に形成された送信フィルタの例を説明する。図３は実施の形態１における弾性波デバイスの例を示す図である。 Next, an example of a transmission filter formed on the device chip 25 will be described using FIG. 3. FIG. 3 is a diagram showing an example of an acoustic wave device in the first embodiment.
図３に示されるように、デバイスチップ２５上に、バンドパスフィルタである送信フィルタ３０が形成されている。送信フィルタ３０は、例えば、複数の直列共振器である、第１直列共振器Ｓ１および第２直列共振器Ｓ２を含んでいる。送信フィルタ３０は、例えば複数の並列共振器である、第１並列共振器Ｐ１および第２並列共振器Ｐ２を含み、また、入力パッドＩＮ、アンテナパッドＡＮＴおよびグランドパッドＧＮＤを含む、ラダー型フィルタである。 As shown in FIG. 3, a transmission filter 30, which is a bandpass filter, is formed on the device chip 25. The transmission filter 30 includes, for example, a first series resonator S1 and a second series resonator S2, which are a plurality of series resonators. The transmission filter 30 is a ladder-type filter that includes, for example, a first parallel resonator P1 and a second parallel resonator P2, which are a plurality of parallel resonators, and also includes an input pad IN, an antenna pad ANT, and a ground pad GND. be.
第１直列共振器Ｓ１は、複数の直列分割共振器を含んでいる。第２直列共振器Ｓ２は、複数の直列分割共振器、すなわち、第１直列分割共振器Ｄ１、第２直列分割共振器Ｄ２、第３直列分割共振器Ｄ３、第４直列分割共振器Ｄ４および第５直列分割共振器Ｄ５を含んでいる。 The first series resonator S1 includes a plurality of series divided resonators. The second series resonator S2 includes a plurality of series-divided resonators, namely, a first series-divided resonator D1, a second series-divided resonator D2, a third series-divided resonator D3, a fourth series-divided resonator D4, and a fourth series-divided resonator D4. It includes five series divided resonators D5.
第１直列分割共振器Ｄ１、第２直列分割共振器Ｄ２、第３直列分割共振器Ｄ３、第４直列分割共振器Ｄ４および第５直列分割共振器Ｄ５は、ＩＤＴ電極を含むことができる。 The first series-divided resonator D1, the second series-divided resonator D2, the third series-divided resonator D3, the fourth series-divided resonator D4, and the fifth series-divided resonator D5 may include IDT electrodes.
第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第１直列分割共振器Ｄ１は、入力パッドＩＮに印加された電気信号が最初に印加される位置に配置された直列分割共振器である。第１直列分割共振器Ｄ１のキャパシタンスと共振周波数は、例えば、Ｂａｎｄ７の送信フィルタにおいて、例えば、２．５４ｐＦ、２５４３．２ＭＨｚとすることができる。 Among the series-divided resonators of the second series resonator S2, the first series-divided resonator D1 is a series-divided resonator disposed at a position where the electrical signal applied to the input pad IN is first applied. The capacitance and resonance frequency of the first series-divided resonator D1 can be, for example, 2.54 pF and 2543.2 MHz in a Band 7 transmission filter.
第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第２直列分割共振器Ｄ２は、入力パッドＩＮに印加された電気信号が最後に印加される位置に配置された直列分割共振器である。第２直列分割共振器Ｄ２のキャパシタンスと共振周波数は、例えば、Ｂａｎｄ７の送信フィルタにおいて、例えば、２．５４ｐＦ、２５４３．２ＭＨｚとすることができる。 Among the series-divided resonators of the second series resonator S2, the second series-divided resonator D2 is a series-divided resonator disposed at a position where the electrical signal applied to the input pad IN is finally applied. The capacitance and resonance frequency of the second series-divided resonator D2 can be, for example, 2.54 pF and 2543.2 MHz in a Band 7 transmission filter.
第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第３直列分割共振器Ｄ３は、第１直列分割共振器Ｄ１と第２直列分割共振器Ｄ２の間に配置された直列分割共振器である。第３直列分割共振器Ｄ３のキャパシタンスと共振周波数は、例えば、Ｂａｎｄ７の送信フィルタにおいて、例えば、２．６１ｐＦ、２５４９．３ＭＨｚとすることができる。 Among the series-divided resonators of the second series-divided resonator S2, the third series-divided resonator D3 is a series-divided resonator disposed between the first series-divided resonator D1 and the second series-divided resonator D2. . The capacitance and resonance frequency of the third series-divided resonator D3 can be, for example, 2.61 pF and 2549.3 MHz in a Band 7 transmission filter, for example.
第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第４直列分割共振器Ｄ４は、第１直列分割共振器Ｄ１と第３直列分割共振器Ｄ３の間に配置された直列分割共振器である。第４直列分割共振器Ｄ４のキャパシタンスと共振周波数は、例えば、Ｂａｎｄ７の送信フィルタにおいて、例えば、２．５６ｐＦ、２５４６．２ＭＨｚとすることができる。 Among the series-divided resonators of the second series-divided resonator S2, the fourth series-divided resonator D4 is a series-divided resonator disposed between the first series-divided resonator D1 and the third series-divided resonator D3. . The capacitance and resonance frequency of the fourth series-divided resonator D4 can be, for example, 2.56 pF and 2546.2 MHz in a Band 7 transmission filter.
第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第５直列分割共振器Ｄ５は、第２直列分割共振器Ｄ２と第３直列分割共振器Ｄ３の間に配置された直列分割共振器である。第５直列分割共振器Ｄ５のキャパシタンスと共振周波数は、例えば、Ｂａｎｄ７の送信フィルタにおいて、例えば、２．５６ｐＦ、２５４６．２ＭＨｚとすることができる。
Among the series-divided resonators of the second series-divided resonator S2, the fifth series-divided resonator D5 is a series-divided resonator arranged between the second series-divided resonator D2 and the third series-divided resonator D3. . The capacitance and resonance frequency of the fifth series-divided resonator D5 can be, for example, 2.56 pF and 2546.2 MHz in a Band 7 transmission filter.
入力パッドＩＮ、アンテナパッドＡＮＴおよびグランドパッドＧＮＤには、それぞれにバンプ２７が配置され、配線基板２３上に形成されたバンプパッド２６と電気的に接続される。 A bump 27 is arranged on each of the input pad IN, the antenna pad ANT, and the ground pad GND, and is electrically connected to a bump pad 26 formed on the wiring board 23.
ここで、直列分割共振器を含む共振器は、電気信号が印加され、励起することで発熱する。放熱が十分でないと、高温状態が長く継続することで、ストレスマイグレーション現象が生じやすく、共振器は、破壊されやすい。共振器は、主に配線を通してバンプから放熱される。また、圧電基板を通しても放熱するものの、圧電基板は熱伝導性が一般的に悪く、放熱されにくい。 Here, the resonators including the series-divided resonators generate heat by being excited by applying an electric signal. If heat dissipation is insufficient, the high temperature state continues for a long time, stress migration phenomenon tends to occur, and the resonator is easily destroyed. The heat of the resonator is radiated from the bump mainly through the wiring. Furthermore, although heat is radiated through the piezoelectric substrate, piezoelectric substrates generally have poor thermal conductivity and are difficult to radiate heat.
ここで、第１直列分割共振器Ｄ１と第２直列分割共振器Ｄ２は、第３直列分割共振器Ｄ３と比べて、入力パッドＩＮに形成されるバンプ２７との距離、第グランドパッドＧＮＤに形成されるバンプ２７との距離よりも小さい。よって、第１直列分割共振器Ｄ１と第２直列分割共振器Ｄ２は、第３直列分割共振器Ｄ３よりも放熱されやすい。 Here, the first series-divided resonator D1 and the second series-divided resonator D2 are closer to the bump 27 formed on the input pad IN than the third series-divided resonator D3. The distance to the bump 27 is smaller than the distance to the bump 27. Therefore, heat is more easily radiated from the first series-divided resonator D1 and the second series-divided resonator D2 than from the third series-divided resonator D3.
換言すれば、第３直列分割共振器Ｄ３は、第１直列分割共振器Ｄ１と第２直列分割共振器Ｄ２よりも放熱されにくく、放熱の観点からより耐電力が要請される。 In other words, the third series-divided resonator D3 is less likely to radiate heat than the first series-divided resonator D1 and the second series-divided resonator D2, and is required to have higher power resistance from the viewpoint of heat dissipation.
さらに、第３直列分割共振器Ｄ３は、中央に配置された直列分割共振器である。第３直列分割共振器Ｄ３が励起し発熱するときは、第１直列分割共振器Ｄ１および第２直列分割共振器Ｄ２も励起し発熱する。第３直列分割共振器Ｄ３は、発熱体に挟まれ、かつ、放熱経路から放熱できる放熱量が第１直列分割共振器Ｄ１および第２直列分割共振器Ｄ２に比較して少ない。 Further, the third series-divided resonator D3 is a series-divided resonator placed at the center. When the third series-divided resonator D3 is excited and generates heat, the first series-divided resonator D1 and the second series-divided resonator D2 are also excited and generate heat. The third series-divided resonator D3 is sandwiched between the heating elements, and the amount of heat that can be radiated from the heat radiation path is smaller than that of the first series-divided resonator D1 and the second series-divided resonator D2.
よって、第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、中央に配置された第３直列分割共振器Ｄ３は、放熱の観点から、より耐電力が要請される。 Therefore, among the series-divided resonators of the second series resonator S2, the third series-divided resonator D3 located at the center is required to have higher power resistance from the viewpoint of heat dissipation.
第４直列分割共振器Ｄ４は、第１直列分割共振器Ｄ１と第３直列分割共振器Ｄ３の間に配置された直列分割共振器である。第４直列分割共振器Ｄ４が励起し発熱するときは、第１直列分割共振器Ｄ１および第３直列分割共振器Ｄ３も励起し発熱する。第４直列分割共振器Ｄ４は、発熱体に挟まれ、かつ、放熱経路から放熱できる放熱量が第１直列分割共振器Ｄ１に比較して少ないが、第３直列分割共振器Ｄ３に比較すると放熱されやすい。 The fourth series-divided resonator D4 is a series-divided resonator arranged between the first series-divided resonator D1 and the third series-divided resonator D3. When the fourth series-divided resonator D4 is excited and generates heat, the first series-divided resonator D1 and the third series-divided resonator D3 are also excited and generate heat. The fourth series-divided resonator D4 is sandwiched between heating elements, and the amount of heat that can be radiated from the heat radiation path is smaller than that of the first series-divided resonator D1, but compared to the third series-divided resonator D3. easy to be
よって、第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第４直列分割共振器Ｄ４は、放熱の観点から、第１直列分割共振器Ｄ１より耐電力が要請されるが、第３直列分割共振器Ｄ３よりは耐電力が要請されない。 Therefore, among the series-divided resonators of the second series-divided resonator S2, the fourth series-divided resonator D4 is required to have higher power resistance than the first series-divided resonator D1 from the viewpoint of heat dissipation; It is not required to withstand more power than the resonator D3.
第５直列分割共振器Ｄ５は、第２直列分割共振器Ｄ２と第３直列分割共振器Ｄ３の間に配置された直列分割共振器である。第５直列分割共振器Ｄ５が励起し発熱するときは、第２直列分割共振器Ｄ２および第３直列分割共振器Ｄ３も励起し発熱する。第５直列分割共振器Ｄ５は、発熱体に挟まれ、かつ、放熱経路から放熱できる放熱量が第２直列分割共振器Ｄ２に比較して少ないが、第３直列分割共振器Ｄ３に比較すると放熱されやすい。 The fifth series-divided resonator D5 is a series-divided resonator arranged between the second series-divided resonator D2 and the third series-divided resonator D3. When the fifth series-divided resonator D5 is excited and generates heat, the second series-divided resonator D2 and the third series-divided resonator D3 are also excited and generate heat. The fifth series-divided resonator D5 is sandwiched between heating elements, and the amount of heat that can be radiated from the heat radiation path is smaller than that of the second series-divided resonator D2, but compared to the third series-divided resonator D3. easy to be
よって、第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第５直列分割共振器Ｄ５は、放熱の観点から、第２直列分割共振器Ｄ２より耐電力が要請されるが、第３直列分割共振器Ｄ３よりは耐電力が要請されない。 Therefore, among the series-divided resonators of the second series-divided resonator S2, the fifth series-divided resonator D5 is required to have higher power resistance than the second series-divided resonator D2 from the viewpoint of heat dissipation; It is not required to withstand more power than the resonator D3.
ここで、一般に、共振器は、キャパシタンスが大きいほど、ＩＤＴ電極の変位量が小さくなり、耐電力が大きくなる。よって、第３直列分割共振器Ｄ３は、第１直列分割共振器Ｄ１と第２直列分割共振器Ｄ２よりもキャパシタンスを大きくした。これにより、第２直列共振器Ｓ２の耐電力が向上する。 Here, in general, the larger the capacitance of a resonator, the smaller the amount of displacement of the IDT electrode, and the larger the withstand power. Therefore, the third series-divided resonator D3 has a larger capacitance than the first series-divided resonator D1 and the second series-divided resonator D2. This improves the power resistance of the second series resonator S2.
また、第４直列分割共振器Ｄ４および第５直列分割共振器Ｄ５は、第１直列分割共振器Ｄ１および第２直列分割共振器Ｄ２よりもキャパシタンスを大きくした。これにより、さらに第２直列共振器Ｓ２の耐電力が向上する。 Further, the fourth series-divided resonator D4 and the fifth series-divided resonator D5 have a larger capacitance than the first series-divided resonator D1 and the second series-divided resonator D2. This further improves the power resistance of the second series resonator S2.
このように、熱がたまりやすい中央に配置される直列分割共振器ほど、キャパシタンスを大きくして、変位量を下げる。そのかわり、外側に配置される直列分割共振器は、キャパシタンスが小さくならざるを得なくなり、変位量が大きくなり、耐電力が下がるが、共振器のサイズが限られたなかで、共振器の全体としてみたときに、耐電力がより高くなる。 In this way, the capacitance of the series-divided resonator placed in the center where heat tends to accumulate is increased to reduce the amount of displacement. Instead, the series-divided resonators placed outside have to have smaller capacitance, larger displacement, and lower power resistance, but given the limited size of the resonator, the overall resonator When you look at it, the power resistance is higher.
送信フィルタ３０の通過帯域は、例えば、Ｂａｎｄ７において、２５００ＭＨｚ～２５７０ＭＨｚとすることができる。実施の形態１における第２直列共振器Ｓ２の共振周波数は、２５４３．２～２５４９．３Ｈｚであり、バンドパスフィルタである送信フィルタ３０の周波数帯域のうち、高周波側である。 The passband of the transmission filter 30 can be, for example, 2500 MHz to 2570 MHz in Band 7. The resonant frequency of the second series resonator S2 in the first embodiment is 2543.2 to 2549.3 Hz, which is on the high frequency side of the frequency band of the transmission filter 30, which is a bandpass filter.
ここで、ラダー型フィルタの直列共振器は、その共振周波数が、通過帯域において最も高い周波数である２５７０ＭＨｚ（システム周波数）よりも高周波側において、２５７０ＭＨｚに近づくほど、発熱しやすい。 Here, the series resonator of the ladder type filter is more likely to generate heat as its resonant frequency approaches 2570 MHz on the higher frequency side than 2570 MHz (system frequency), which is the highest frequency in the passband.
よって、第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、耐電力が最も要求される第３直列分割共振器Ｄ３の共振周波数を２５４９．３ＭＨｚとし、第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、例えば最も放熱がよい第１直列分割共振器Ｄ１の共振周波数を２５４３．２ＭＨｚとした。これにより、さらに第２直列共振器Ｓ２の耐電力が向上する。 Therefore, among the series-divided resonators of the second series resonator S2, the resonant frequency of the third series-divided resonator D3, which requires the highest power resistance, is set to 2549.3 MHz, and the series-divided resonator of the second series resonator S2 Among them, for example, the resonant frequency of the first series-divided resonator D1 with the best heat dissipation was set to 2543.2 MHz. This further improves the power resistance of the second series resonator S2.
図４は、実施の形態１における第２直列共振器と比較例の共振器の耐電力を示す図である。実線は実施の形態１における第２直列共振器の耐電力を示している。破線は比較例における共振器の耐電力を示している。 FIG. 4 is a diagram showing the power resistance of the second series resonator in the first embodiment and the resonator of the comparative example. The solid line indicates the power resistance of the second series resonator in the first embodiment. The broken line indicates the power resistance of the resonator in the comparative example.
比較例における共振器は、いずれも同じキャパシタンスを有する５つの直列分割共振器を備える。 The resonator in the comparative example includes five series-divided resonators, all of which have the same capacitance.
ここで耐電力は、消費電力と電極指の変位量の積を、共振器の面積で除した値であるＳＤＶ値を用いて比較する。ＳＤＶ値は、ＳＡＷ ｄｕｒａｂｉｌｉｔｙ ｖａｌｕｅであって、共振器がその単位面積当たりにおいてかかる負荷を示しており、低い値ほど耐電力が高いことを意味する。 Here, the power resistance is compared using an SDV value, which is a value obtained by dividing the product of power consumption and the amount of displacement of the electrode fingers by the area of the resonator. The SDV value is a SAW durability value and indicates the load applied to the resonator per unit area, and the lower the value, the higher the power resistance.
図４に示す通り、実施の形態１における第２直列共振器のほうが、比較例の共振器よりも耐電力が優れていることがわかる。 As shown in FIG. 4, it can be seen that the second series resonator in the first embodiment has better power resistance than the resonator in the comparative example.
図５は、実施の形態１における第２直列共振器の５つの直列分割共振器のキャパシタンスをすべて同じ値にし、かつ、第３直列分割共振器Ｄ３の共振周波数を最も高くし、次いで、第４直列分割共振器Ｄ４および第５直列分割共振器Ｄ５の共振周波数を高くし、第１直列分割共振器Ｄ１および第２直列分割共振器Ｄ２の共振周波数を最も低くした変形例と、第２比較例の共振器の耐電力を示す図である。実線は実施の形態１における変形例の耐電力を示している。破線は第２比較例における共振器の耐電力を示している。 In FIG. 5, the capacitances of the five series-divided resonators of the second series resonator in Embodiment 1 are all set to the same value, and the resonant frequency of the third series-divided resonator D3 is set to be the highest, then the fourth A modification example in which the resonant frequencies of the series-divided resonator D4 and the fifth series-divided resonator D5 are made high, and the resonant frequencies of the first series-divided resonator D1 and the second series-divided resonator D2 are made the lowest, and a second comparative example FIG. 3 is a diagram showing the power resistance of the resonator. The solid line indicates the power resistance of the modified example of the first embodiment. The broken line indicates the power resistance of the resonator in the second comparative example.
第２比較例における共振器は、いずれも同じキャパシタンスおよび共振周波数を有する５つの直列分割共振器を備える。 The resonator in the second comparative example includes five series-divided resonators, all of which have the same capacitance and resonant frequency.
図５に示す通り、変形例の共振器ほうが第２比較例の共振器よりも耐電力が優れていることがわかる。 As shown in FIG. 5, it can be seen that the resonator of the modified example has better power resistance than the resonator of the second comparative example.
図６は、実施の形態１における第２直列共振器と比較例の共振器の消費電力を示す図である。実線は実施の形態１における第２直列共振器の消費電力を示している。破線は比較例における共振器の消費電力を示している。 FIG. 6 is a diagram showing the power consumption of the second series resonator in the first embodiment and the resonator of the comparative example. The solid line indicates the power consumption of the second series resonator in the first embodiment. The broken line indicates the power consumption of the resonator in the comparative example.
図６に示す通り、実施の形態１における第２直列共振器のほうが、比較例の共振器よりも消費電力が少なく、環境性能が優れていることがわかる。 As shown in FIG. 6, it can be seen that the second series resonator in Embodiment 1 consumes less power and has better environmental performance than the resonator in the comparative example.
図７は、変形例の共振器と第２比較例の共振器の消費電力を示す図である。実線は変形例の共振器の消費電力を示している。破線は第２比較例における共振器の消費電力を示している。 FIG. 7 is a diagram showing the power consumption of the resonator of the modified example and the resonator of the second comparative example. The solid line indicates the power consumption of the modified resonator. The broken line indicates the power consumption of the resonator in the second comparative example.
図７に示す通り、変形例の共振器のほうが、第２比較例の共振器よりも消費電力が少なく、環境性能が優れていることがわかる。 As shown in FIG. 7, it can be seen that the resonator of the modified example consumes less power and has better environmental performance than the resonator of the second comparative example.
以上で説明された実施の形態１によれば、耐電力が求められる直列分割共振器された共振器において、そのサイズを大きくしなくとも、耐電力を向上させることができる。よって、耐電力が向上した弾性波デバイスを提供することができる。また、消費電力が少ない、環境性能に優れた弾性波デバイスを提供することができる。 According to the first embodiment described above, in a series-divided resonator that requires high power resistance, the power resistance can be improved without increasing the size. Therefore, it is possible to provide an acoustic wave device with improved power resistance. Furthermore, it is possible to provide an acoustic wave device with low power consumption and excellent environmental performance.
実施の形態２．
図８は、実施の形態１の弾性波デバイスが適用されるモジュールの縦断面図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。
Embodiment 2.
FIG. 8 is a longitudinal cross-sectional view of a module to which the acoustic wave device of Embodiment 1 is applied. Note that parts that are the same as or equivalent to those in Embodiment 1 are given the same reference numerals. Description of this part will be omitted.
図８において、モジュール１００は、配線基板１３０と複数の外部接続端子１３１と集積回路部品ＩＣと弾性波デバイス２０とインダクタ１１１と封止部１１７とを備える。 In FIG. 8, the module 100 includes a wiring board 130, a plurality of external connection terminals 131, an integrated circuit component IC, an acoustic wave device 20, an inductor 111, and a sealing part 117.
複数の外部接続端子１３１は、配線基板１３０の下面に形成される。複数の外部接続端子１３１は、予め設定された移動通信端末のマザーボードに実装される。 A plurality of external connection terminals 131 are formed on the lower surface of the wiring board 130. The plurality of external connection terminals 131 are mounted on the motherboard of a preset mobile communication terminal.
例えば、集積回路部品ＩＣは、配線基板１３０の内部に実装される。集積回路部品ＩＣは、スイッチング回路とローノイズアンプとを含む。 For example, the integrated circuit component IC is mounted inside the wiring board 130. The integrated circuit component IC includes a switching circuit and a low noise amplifier.
弾性波デバイス２０は、配線基板１３０の主面に実装される。 Acoustic wave device 20 is mounted on the main surface of wiring board 130.
インダクタ１１１は、配線基板１３０の主面に実装される。インダクタ１１１は、インピーダンスマッチングのために実装される。例えば、インダクタ１１１は、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ（ＩＰＤ）である。 Inductor 111 is mounted on the main surface of wiring board 130. Inductor 111 is implemented for impedance matching. For example, inductor 111 is an integrated passive device (IPD).
封止部１１７は、弾性波デバイス２０を含む複数の電子部品を封止する。 The sealing section 117 seals a plurality of electronic components including the acoustic wave device 20.
以上で説明された実施の形態２によれば、モジュール１００は、弾性波デバイス２０を備える。このため、より耐電力が向上した弾性波デバイスを備えるモジュールを提供できる。 According to the second embodiment described above, the module 100 includes the acoustic wave device 20. Therefore, a module including an acoustic wave device with improved power resistance can be provided.
少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。 While several aspects of at least one embodiment have been described, it is to be understood that various alterations, modifications, and improvements will readily occur to those skilled in the art. Such alterations, modifications, and improvements are intended to be part of, and are intended to be within the scope of, this disclosure.
理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。 It should be understood that the method and apparatus embodiments described herein are not limited to application to the details of structure and arrangement of components described in the foregoing description or illustrated in the accompanying drawings. The methods and apparatus may be implemented in other embodiments and of being practiced or carried out in various ways.
特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。 Specific implementations are provided herein for illustrative purposes only and are not intended to be limiting.
本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。 The expressions and terminology used in this disclosure are for descriptive purposes and should not be considered limiting. The use of "comprising," "comprising," "having," "including" and variations thereof herein means the inclusion of the items listed below and their equivalents and additional items.
「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。 References to "or" shall be construed to mean that any term listed using "or" refers to one, more than one, and all of the listed terms. can be done.
前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。 References to front and back, left and right, top and bottom, horizontal and vertical, and front and back are intended for convenience of description. Such reference is not intended to limit the components of the present disclosure to any one positional or spatial orientation. Accordingly, the above description and drawings are illustrative only.
２０ 弾性波デバイス、 ２３ 配線基板、 ２４ 外部接続端子
２５ デバイスチップ、 ２６ 電極パッド、 ２７ バンプ ２８ 封止部
５２ 弾性波素子、 ５２a ＩＤＴ電極、 ５２ｂ 反射器
５２ｃ 櫛形電極、 ５２ｄ 電極指、 ５２ｅ バスバー
３０ 送信フィルタ、 Ｓ１ 第１直列共振器、 Ｓ２ 第２直列共振器
Ｐ１ 第１並列共振器、 Ｐ２ 第２並列共振器
ＩＮ 入力パッド、 ＡＮＴ アンテナパッド、 ＧＮＤ グランドパッド
Ｄ１ 第１直列分割共振器、 Ｄ２ 第２直列分割共振器、 Ｄ３ 第３直列分割共振器、 Ｄ４ 第４直列分割共振器、 Ｄ５ 第５直列分割共振器
１００ モジュール、 １３０ 配線基板、 １３１ 外部接続端子
ＩＣ 集積回路部品、 １１１ インダクタ、 １１７ 封止部
20 acoustic wave device, 23 wiring board, 24 external connection terminal 25 device chip, 26 electrode pad, 27 bump 28 sealing part 52 acoustic wave element, 52a IDT electrode, 52b reflector
52c comb-shaped electrode, 52d electrode finger, 52e bus bar 30 transmission filter, S1 first series resonator, S2 second series resonator
P1 first parallel resonator, P2 second parallel resonator
IN input pad, ANT antenna pad, GND ground pad D1 1st series split resonator, D2 2nd series split resonator, D3 3rd series split resonator, D4 4th series split resonator, D5 5th series split resonator DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 module, 130 wiring board, 131 external connection terminal IC integrated circuit component, 111 inductor, 117 sealing part
Claims (11)
前記圧電基板上に形成されたバンドパスフィルタを構成する複数の共振器と、
前記圧電基板上に形成された入力パッドと、
前記圧電基板上に形成された出力パッドと、
前記圧電基板上に形成されたグランドパッドと、
を備え、
前記複数の共振器の少なくとも１つは、直列に分割された、前記入力パッドから入力される電気信号が最初に入力される第１分割共振器と、前記入力パッドから入力される電気信号が最後に入力される第２分割共振器と、前記第１分割共振器と前記第２分割共振器の間に配置された第３分割共振器とを含む多段分割共振器であり、
前記第１分割共振器の共振周波数および前記第２分割共振器の共振周波数は、前記第３分割共振器の共振周波数よりも低く、
前記第３分割共振器のキャパシタンスは、前記第１分割共振器のキャパシタンスおよび前記第２分割共振器のキャパシタンスよりも大きい弾性波デバイス。 a piezoelectric substrate;
a plurality of resonators forming a bandpass filter formed on the piezoelectric substrate ;
an input pad formed on the piezoelectric substrate;
an output pad formed on the piezoelectric substrate;
a ground pad formed on the piezoelectric substrate;
Equipped with
At least one of the plurality of resonators includes a first divided resonator divided in series, into which the electrical signal input from the input pad is first input, and a first divided resonator into which the electric signal input from the input pad is input last. a multi-stage divided resonator including a second divided resonator that is input to the second divided resonator, and a third divided resonator arranged between the first divided resonator and the second divided resonator,
The resonant frequency of the first divided resonator and the second divided resonator are lower than the resonant frequency of the third divided resonator,
The capacitance of the third divided resonator is larger than the capacitance of the first divided resonator and the capacitance of the second divided resonator .
前記圧電基板上に形成されたバンドパスフィルタを構成する複数の共振器と、a plurality of resonators forming a bandpass filter formed on the piezoelectric substrate;
前記圧電基板上に形成された入力パッドと、an input pad formed on the piezoelectric substrate;
前記圧電基板上に形成された出力パッドと、an output pad formed on the piezoelectric substrate;
前記圧電基板上に形成されたグランドパッドと、a ground pad formed on the piezoelectric substrate;
を備え、Equipped with
前記複数の共振器の少なくとも１つは、直列に分割された、前記入力パッドから入力される電気信号が最初に入力される第１分割共振器と、前記入力パッドから入力される電気信号が最後に入力される第２分割共振器と、前記第１分割共振器と前記第２分割共振器の間に配置された第３分割共振器と、前記第１分割共振器と前記第３分割共振器の間に配置された第４分割共振器と、前記第２分割共振器と前記第３分割共振器の間に配置された第５分割共振器とを含む多段分割共振器であり、At least one of the plurality of resonators includes a first divided resonator divided in series, into which the electrical signal input from the input pad is first input, and a first divided resonator into which the electric signal input from the input pad is input last. a third divided resonator disposed between the first divided resonator and the second divided resonator; and the first divided resonator and the third divided resonator. A multi-stage divided resonator including a fourth divided resonator arranged between the second divided resonator and the third divided resonator,
前記第３分割共振器、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器の共振周波数は、前記第１分割共振器および前記第２分割共振器の共振周波数よりも高く、The resonant frequencies of the third divided resonator, the fourth divided resonator, and the fifth divided resonator are higher than the resonant frequencies of the first divided resonator and the second divided resonator,
前記第３分割共振器、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器のキャパシタンスは、前記第１分割共振器および前記第２分割共振器のキャパシタンスよりも大きい弾性波デバイス。The capacitance of the third divided resonator, the fourth divided resonator, and the fifth divided resonator is larger than the capacitance of the first divided resonator and the second divided resonator.
前記圧電基板上に形成されたバンドパスフィルタを構成する複数の共振器と、a plurality of resonators forming a bandpass filter formed on the piezoelectric substrate;
前記圧電基板上に形成された入力パッドと、an input pad formed on the piezoelectric substrate;
前記圧電基板上に形成された出力パッドと、an output pad formed on the piezoelectric substrate;
前記圧電基板上に形成されたグランドパッドと、a ground pad formed on the piezoelectric substrate;
を備え、Equipped with
前記複数の共振器の少なくとも１つは、直列に分割された、前記入力パッドから入力される電気信号が最初に入力される第１分割共振器と、前記入力パッドから入力される電気信号が最後に入力される第２分割共振器と、前記第１分割共振器と前記第２分割共振器の間に配置された第３分割共振器と、前記第１分割共振器と前記第３分割共振器の間に配置された第４分割共振器と、前記第２分割共振器と前記第３分割共振器の間に配置された第５分割共振器とを含む多段分割共振器であり、At least one of the plurality of resonators includes a first divided resonator divided in series, into which the electrical signal input from the input pad is first input, and a first divided resonator into which the electric signal input from the input pad is input last. a third divided resonator disposed between the first divided resonator and the second divided resonator; and the first divided resonator and the third divided resonator. A multi-stage divided resonator including a fourth divided resonator arranged between the second divided resonator and the third divided resonator,
前記第３分割共振器、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器の共振周波数は、前記第１分割共振器および前記第２分割共振器の共振周波数よりも高く、The resonant frequencies of the third divided resonator, the fourth divided resonator, and the fifth divided resonator are higher than the resonant frequencies of the first divided resonator and the second divided resonator,
前記第３分割共振器のキャパシタンスは、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器のキャパシタンスよりも大きい弾性波デバイス。The capacitance of the third divided resonator is larger than the capacitance of the fourth divided resonator and the fifth divided resonator.
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