JP7374026B2 - 基板処理装置及び基板処理装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本開示は、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法に関する。
特許文献１には、真空容器と、ターゲットホルダと、基板ホルダと、基板ホルダを回動軸まわりに回動させることにより基板をターゲットに対して傾斜させる傾斜手段と、真空容器の外側に設けられている圧縮装置と、基板を冷却する冷却装置と、を備える真空処理装置が開示されている。真空処理装置は、圧縮装置と冷却装置との間で冷媒が移送される移送部と、真空容器の外側において所定の曲率半径を越えない状態で移送部が収容される収容手段とをさらに備えている。収容手段は、一端が冷却装置と連結され、他端が移送部と連結されて、基板ホルダの回動動作に伴って回動する連結部と、連結部の回動動作に伴って移送部を所定の曲率半径を越えない範囲で屈曲させて案内する第１のガイド部とを備えている。
特許第５８１５７４３号公報
本開示は、圧縮装置と、圧縮装置に対して相対的に昇降する冷凍装置とを冷媒移送管が繋いでいる基板処理装置に関し、冷凍装置の昇降に当たり、圧縮装置に繋がる接続固定部に接続固定される冷媒移送管の破損を抑制できる、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、
基板が載置される載置台と、ターゲットを保持するターゲットホルダとを内部に備えている処理容器と、
前記載置台の下面との間に隙間を備えて配設され、冷凍機と前記冷凍機に積層される冷凍熱媒体とを備えている冷凍装置と、
前記冷凍装置を昇降させる第一昇降装置と、
前記冷凍装置の内部に設けられ、前記隙間に冷媒を供給する冷媒流路と、
前記冷媒流路に供給される冷媒を圧縮する圧縮装置と、
前記冷凍装置における前記冷媒流路の流路口である第一接続固定部と、前記圧縮装置に流体連通する第二接続固定部との双方に接続固定される冷媒移送管と、を有し、
前記冷媒移送管は、前記第一接続固定部と前記第二接続固定部との間において、少なくとも一部が湾曲した状態で延設しており、
前記第二接続固定部において、前記冷媒移送管がサポート部材の上に載置されている。
本開示によれば、圧縮装置と、圧縮装置に対して相対的に昇降する冷凍装置とを冷媒移送管が繋いでいる基板処理装置に関し、冷凍装置の昇降に当たり、圧縮装置に繋がる接続固定部に接続固定される冷媒移送管の破損を抑制できる。
実施形態に係る基板処理装置の一例を示す縦断面図である。 基板処理装置を構成する制御装置のハードウェア構成の一例を、周辺機器とともに示す図である。
以下、本開示の実施形態に係る基板処理装置とその製造方法について、添付の図面を参照しながら説明する。尚、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く場合がある。
［実施形態に係る基板処理装置とその製造方法］
図１及び図２を参照して、本開示の実施形態に係る基板処理装置とその製造方法の一例について説明する。ここで、図１は、実施形態に係る基板処理装置の一例を示す縦断面図であり、図２は、基板処理装置を構成する制御装置のハードウェア構成の一例を、周辺機器とともに示す図である。
図１に示す基板処理装置２００は、例えば、超高真空かつ極低温の雰囲気を形成し、処理ガスによる基板処理を実行する処理容器１０の内部において、被処理体である半導体ウエハ等の基板Ｗに対して磁性膜等を形成するＰＶＤ（Physical Vaper Deposition）装置である。ここで、超高真空とは、例えば１０－５Ｐａ以下の圧力雰囲気を意味しており、極低温とは、－３０℃以下で、例えば－２００℃程度の温度雰囲気を意味している。基板Ｗに形成される磁性膜は、例えばトンネル磁気抵抗（Tunneling Magneto Resistance：ＴＭＲ）素子に用いられる。
基板処理装置２００は、処理容器１０と、処理容器１０の内部において基板Ｗを載置する載置台２０と、冷凍装置３０と、載置台２０を回転させる回転装置４０と、載置台２０を昇降させる第二昇降装置７８と、冷凍装置３０を昇降させる第一昇降装置７７とを有する。基板処理装置２００はさらに、冷媒を圧縮する圧縮装置１４０と、冷凍装置３０、圧縮装置１４０，第一昇降装置７７等の各種装置を制御する制御装置１５０を有する。尚、図示例の基板処理装置２００は、載置台２０を昇降させる第二昇降装置７８と、冷凍装置３０を昇降させる第一昇降装置７７の二つの昇降装置を備えているが、載置台２０と冷凍装置３０が共通の昇降装置によって昇降される形態であってもよい。
処理容器１０の内部において、下方には載置台２０があり、載置台２０の上方には、複数のターゲットホルダ１１が水平面に対して所定の傾斜角θを有した状態で固定されている。そして、各ターゲットホルダ１１の下面には、異種のターゲットＴが取り付けられている。
また、処理容器１０は、真空ポンプ等の排気装置（図示せず）を作動することにより、その内部が超高真空に減圧されるように構成されている。さらに、処理容器１０には、処理ガス供給装置に連通するガス供給管（いずれも図示せず）を介して、スパッタ成膜に必要な処理ガス（例えばアルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、ネオン（Ｎｅ）等の希ガスや窒素（Ｎ２）ガス）が供給されるようになっている。
ターゲットホルダ１１には、プラズマ発生用電源（図示せず）からの交流電圧もしくは直流電圧が印加される。プラズマ発生用電源からターゲットホルダ１１及びターゲットＴに交流電圧が印加されると、処理容器１０の内部においてプラズマが発生し、処理容器１０の内部にある希ガス等がイオン化され、イオン化した希ガス元素等によりターゲットＴがスパッタリングされる。スパッタリングされたターゲットＴの原子もしくは分子は、ターゲットＴに対向して載置台２０に保持されている基板Ｗの表面に堆積する。
基板Ｗに対してターゲットＴが傾斜していることにより、ターゲットＴからスパッタされたスパッタ粒子が基板Ｗに入射する入射角を調整することができ、基板Ｗに成膜された磁性膜等の膜厚の面内均一性を高めることができる。尚、処理容器１０の内部において、各ターゲットホルダ１１が同一の傾斜角θで設置されている場合であっても、載置台２０を昇降させてターゲットＴと基板Ｗの間の距離ｔ１を変化させることにより、基板Ｗに対するスパッタ粒子の入射角を変化させることができる。従って、適用されるターゲットＴごとに、各ターゲットＴに好適な距離ｔ１となるように載置台２０が昇降制御されるようになっている。
ターゲットＴの数は特に限定されないが、一つの基板処理装置２００にて異種材料により形成される異種膜をシーケンシャルに成膜できる観点から、複数で異種のターゲットＴが処理容器１０の内部に存在するのが好ましい。例えば、磁性膜（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ等の強磁性体を含む膜）を堆積する場合、ターゲットＴの材料としては、例えばＣｏＦｅ、ＦｅＮｉ、ＮｉＦｅＣｏを用いることができる。また、ターゲットＴの材料として、これらの材料に別の元素が混入された材料を適用することもできる。
冷凍機３１と冷凍熱媒体３５が積層することにより構成される、冷凍装置３０の上方に、載置台２０が配設されている。より詳細には、冷凍熱媒体３５の上面との間に、隙間Ｇを備えた状態で載置台２０が配設されている。尚、冷凍熱媒体３５は、コールドリンクと称することもできる。
冷凍機３１は、冷凍熱媒体３５を保持し、冷凍熱媒体３５の上面を極低温に冷却する。冷凍機３１には、冷却能力の観点から、ＧＭ（Gifford-McMahon）サイクルを利用する形態が好ましい。
冷凍熱媒体３５は、冷凍機３１の上に固定されており、その上部が処理容器１０の内部に収容されている。冷凍熱媒体３５は、熱伝導性の高い銅（Ｃｕ）等により形成されており、その外形は略円柱状を呈している。冷凍熱媒体３５は、載置台２０の中心軸ＣＬにその中心が一致するように配置されている。
冷凍熱媒体３５と冷凍機３１の内部には、冷凍熱媒体３５と載置台２０の間の隙間Ｇに冷媒（冷却ガス）を供給する冷媒供給流路５１（冷媒流路の一例）と、載置台２０からの伝熱により昇温した冷媒を排出する冷媒排出流路５２（冷媒流路の一例）が配設されている。そして、冷媒供給流路５１と冷媒排出流路５２はそれぞれ、冷凍機３１の壁面にある第一接続固定部９１，９２に固定されている。第一接続固定部９１，９２にはそれぞれ、第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送管１１０（いずれも冷媒移送管の一例）が接続されている。
冷媒供給装置（図示せず）から供給され、圧縮装置１４０にて圧縮された冷媒は、第一冷媒移送管１００をＹ１方向に圧送され、冷凍装置３０の内部の冷媒供給流路５１を介して隙間Ｇに供給される。
一方、隙間Ｇから排出された冷媒は、冷媒排出流路５２をＹ３方向に流通し、第二冷媒移送管１１０を介して冷媒排出装置（図示せず）に排出される。尚、冷媒供給流路と冷媒排出流路が同じ流路により形成されていてもよい。載置台２０を冷却するべく隙間Ｇに供給される冷媒としては、高い熱伝導性を有するヘリウム（Ｈｅ）ガスが好適に用いられる。冷媒供給流路５１を介して隙間Ｇに冷媒が供給されることにより、載置台２０は極低温に冷却され得る。尚、冷媒には、冷却ガスに代えて、熱伝導性の良好な熱伝導グリースが適用されてもよい。
載置台２０は、基板Ｗが載置される上方の第一プレート２１と、下方の第二プレート２２が積層した構造を有しており、いずれのプレートともに熱伝導性の高い銅（Ｃｕ）により形成されている。第一プレート２１は静電チャックを含み、静電チャックは、誘電体膜内に埋設されたチャック電極２３を有する。チャック電極２３には、配線２５を介して所定の電位が与えられるようになっている。この構成により、基板Ｗを静電チャックにより吸着し、載置台２０の上面に基板Ｗを固定することができる。尚、載置台２０は、第一プレート２１と第二プレート２２の積層体以外にも、一つのプレートによって全体が形成されている形態であってもよいし、焼結等により全体が一体に成形されている形態であってもよい。
また、載置台２０には、第一プレート２１と第二プレート２２を上下に貫通する貫通孔２６が形成されている。貫通孔２６は、載置台２０の下方にある隙間Ｇに連通しており、隙間Ｇに供給された冷媒は、貫通孔２６を介して載置台２０（静電チャック）の上面と基板Ｗの下面との間へＹ２方向に供給されるようになっている。このことにより、冷媒や冷凍熱媒体３５の有する冷熱を、効率よく基板Ｗに伝達することが可能になる。尚、図示例は、冷媒供給流路５１を流通した冷媒が貫通孔２６を介して基板Ｗの下面に供給され、貫通孔２６を介して排出された冷媒が冷媒排出流路５２を流通して排出される形態を示しているが、その他の冷媒の供給及び排出形態であってもよい。例えば、貫通孔２６に対して冷媒供給流路５１や冷媒排出流路５２とは異なる独立した冷媒流路を設け、この独立した冷媒流路を介して、貫通孔２６を介した冷媒の供給や排出が行われてもよい。
載置台２０を構成する第二プレート２２の下面には、冷凍熱媒体３５側に向かって突出する凸部２４が形成されている。図示例の凸部２４は、載置台２０の中心軸ＣＬを取り囲む円環状の凸部である。凸部２４の高さは、例えば４０ｍｍ乃至５０ｍｍに設定することができ、凸部２４の幅は、例えば６ｍｍ乃至７ｍｍに設定することができる。尚、凸部２４の形状は特に限定されないが、冷凍熱媒体３５との間の熱交換効率を高めるという観点から、表面積が大きくなるような形状であることが好ましい。例えば、凸部２４は、その外面が波打った形状であってもよいし、凸部２４の外面にブラスト処理等によって凹凸加工が施されていてもよい。いずれも、凸部２４の表面積を大きくすることができ、冷凍熱媒体３５との間の熱交換効率を高めることができる。
冷凍熱媒体３５の上面、すなわち、載置台２０の有する凸部２４と対向する面には、凸部２４が遊嵌する凹部３７が形成されている。図示例の凹部３７は、載置台２０の中心軸ＣＬを取り囲む円環状を有している。凹部３７の高さは、凸部２４の高さと同じであってよく、例えば４０ｍｍ乃至５０ｍｍとすることができる。また、凹部３７の幅は、例えば凸部２４の幅よりも僅かに広い幅とすることができ、例えば７ｍｍ乃至９ｍｍであることが好ましい。尚、凹部３７の形状は、凸部２４の形状と対応するように設定されるのが好ましい。例えば、凸部２４の外面が波打った形状である場合、凹部３７の内面も対応した波打ち形状とすることが好ましい。また、凹部３７の内面においても、ブラスト処理等により凹凸加工が施されていることが好ましく、このような凹凸加工により、凹部３７の表面積が大きくなり、載置台２０との間の熱交換効率を高めることができる。
凹部３７に凸部２４が遊嵌した状態において、凹部３７と凸部２４の間には、隙間Ｇが形成される。
載置台２０は、外筒６３により支持されている。外筒６３は、冷凍熱媒体３５の上部の外周面を覆うように配設されており、その上部が処理容器１０の内部に進入し、処理容器１０の内部において載置台２０を支持する。外筒６３は、冷凍熱媒体３５の外径よりも僅かに大きい内径を有する円筒部６１と、円筒部６１の下面において外径方向に延びるフランジ部６２とを有し、円筒部６１が載置台２０を直接支持する。円筒部６１とフランジ部６２は、例えばステンレス等の金属により形成されている。
フランジ部６２の下面には、断熱部材６４が接続されている。断熱部材６４は、フランジ部６２と同軸に延在する略円筒状を有し、フランジ部６２の下面に固定されている。断熱部材６４は、アルミナ等のセラミックスにより形成されている。断熱部材６４の下面には、磁性流体シール部６９が設けられている。
磁性流体シール部６９は、回転部６５と、内側固定部６６と、外側固定部６７と、加熱部６８とを有する。回転部６５は、断熱部材６４と同軸に延在する略円筒状を有し、断熱部材６４の下面に固定されている。言い換えると、回転部６５は、断熱部材６４を介して外筒６３に接続されている。この構成により、外筒６３の有する冷熱の回転部６５への伝熱が断熱部材６４によって遮断されることになり、磁性流体シール部６９の磁性流体の温度が低下してシール性能が悪化したり、結露が発生することを抑制できる。
内側固定部６６は、冷凍熱媒体３５と回転部６５との間において、磁性流体を介して設けられている。内側固定部６６は、その内径が冷凍熱媒体３５の外径よりも大きく、その外径が回転部６５の内径よりも小さい略円筒状を有する。外側固定部６７は、回転部６５の外側において、磁性流体を介して設けられている。外側固定部６７は、その内径が回転部６５の外径よりも大きい略円筒状を有する。加熱部６８は、内側固定部６６の内部に埋め込まれており、磁性流体シール部６９の全体を加熱する。この構成により、磁性流体シール部６９の磁性流体の温度が低下してシール性能が悪化したり、結露が発生することを抑制できる。これらの構成により、磁性流体シール部６９では、回転部６５が、内側固定部６６と外側固定部６７に対して気密状態で回転自在となっている。すなわち、外筒６３は、磁性流体シール部６９を介して回転自在に支持されている。
外側固定部６７の上面と処理容器１０の下面との間には、略円筒状のベローズ７５が設けられている。ベローズ７５は、上下方向に伸縮自在な金属製の蛇腹構造体である。ベローズ７５は、冷凍熱媒体３５の上部、外筒６３の下部、及び断熱部材６４を包囲し、減圧自在な処理容器１０の内部空間と処理容器１０の外部空間とを分離する。
磁性流体シール部６９の下方には、スリップリング７３が設けられている。スリップリング７３は、金属リングを含む回転体７１と、ブラシを含む固定体７２とを有する。回転体７１は、磁性流体シール部６９の回転部６５と同軸に延在する略円筒状を有し、回転部６５の下面に固定されている。固定体７２は、その内径が回転体７１の外径よりも僅かに大きい略円筒状を有する。スリップリング７３は、直流電源（図示せず）と電気的に接続されており、直流電源から供給される電力を、固定体７２のブラシと回転体７１の金属リングを介して、配線２５に供給する。この構成により、配線２５にねじれ等を発生させることなく、直流電源からチャック電極に電位を与えることができる。スリップリング７３を構成する回転体７１は、回転装置４０に取り付けられている。尚、スリップリングは、ブラシ構造以外の構造であってもよく、例えば、非接触給電構造や、無水銀や導電性液体を有する構造等であってもよい。
回転装置４０は、ロータ４１と、ステータ４５とを有する、ダイレクトドライブモータである。ロータ４１は、スリップリング７３の有する回転体７１と同軸に延在する略円筒状を有し、回転体７１に固定されている。ステータ４５は、その内径がロータ４１の外径よりも大きい略円筒状を有する。以上の構成により、ロータ４１が回転すると、回転体７１、回転部６５、外筒６３、及び載置台２０が、冷凍熱媒体３５に対して相対的にＸ３方向に回転する。尚、回転装置は、ダイレクトドライブモータ以外の形態であってもよく、サーボモータと伝達ベルトを備えている形態等であってもよい。
また、冷凍機３１と冷凍熱媒体３５の周囲には、真空断熱二重構造を有する断熱体７４が設けられている。図示例では、断熱体７４は、冷凍機３１とロータ４１との間、及び冷凍熱媒体３５の下部とロータ４１との間に設けられている。この構成により、冷凍機３１と冷凍熱媒体３５の冷熱がロータ４１に伝熱されることを抑制できる。
また、冷凍機３１は、第一昇降装置７７に対して昇降自在に取り付けられている第一支持台７０Ａの上面に固定されている。一方、回転装置４０や断熱体７４は、第二昇降装置７８に対して昇降自在に取り付けられている第二支持台７０Ｂの上面に固定されている。そして、第一支持台７０Ａの上面と第二支持台７０Ｂの下面の間には、冷凍機３１を包囲する略円筒状のベローズ７６が設けられている。ベローズ７６もベローズ７５と同様に、上下方向に伸縮自在な金属製の蛇腹構造体である。
また、冷凍機３１と冷凍熱媒体３５の周囲には、冷媒供給流路５１を流通する冷却ガス（例えば第一冷却ガス）とは異なる冷却ガス（例えば、第二冷却ガス）を供給する第二冷却ガス供給部（図示せず）が設けられてもよい。この第二冷却ガス供給部は、冷凍熱媒体３５と外筒６３との間の空間に第二冷却ガスを供給する。この第二冷却ガスは、冷媒供給流路５１を流通する第一冷却ガスと熱伝導率が異なるガスであり、好ましくは熱伝導率が相対的に低いガスであることにより、第二冷却ガスの温度を、冷媒供給流路５１を流通する第一冷却ガスの温度よりも相対的に高くすることができる。このことにより、隙間Ｇから側方の空間に漏れ出す第一冷却ガスが磁性流体シール部６９に侵入することを防止できる。言い換えると、第二冷却ガスは、隙間Ｇから漏れ出す第一冷却ガスに対するカウンターフローとして機能する。この構成により、磁性流体シール部６９の磁性流体の温度が低下してシール性能が悪化したり、結露が発生することを抑制できる。また、カウンターフローとしての機能を高めるという観点から、第二冷却ガス供給部から供給される第二冷却ガスの供給圧力は、冷媒供給流路５１を流通する第一冷却ガスの供給圧力と略同一、もしくは僅かに高い圧力であることが好ましい。尚、第二冷却ガスとしては、アルゴンガスやネオン等の低沸点ガスを用いることができる。
冷凍熱媒体３５の上部には、隙間Ｇ等の温度を検出するための温度センサ８２と、隙間Ｇ等の圧力を検出する圧力センサ８３が設けられている。温度センサ８２としては、例えばシリコンダイオード温度センサや、白金抵抗温度センサ等の低温用温度センサを用いることができる。温度センサ８２と圧力センサ８３にて計測された計測データは、制御装置１５０に随時送信されるようになっている。
また、基板処理装置２００の構成要素のうち、冷凍装置３０は第一昇降装置７７によりＸ１方向に昇降自在に構成されており、冷凍装置３０と処理容器１０以外の他の構成要素は、第二昇降装置７８によりＸ２方向に昇降自在に構成されている。
第一昇降装置７７にて冷凍装置３０を昇降することにより、載置台２０と冷凍熱媒体３５の間の隙間Ｇが変化することを解消できる。具体的には、冷凍熱媒体３５は、その冷熱によって数ｍｍ程度収縮し、この熱収縮により、隙間Ｇの高さ（もしくは幅）が変化し得る。成膜処理に際し、所定の高さにて固定されている載置台２０に対して、冷凍熱媒体３５が熱収縮して隙間Ｇが変化する際に、第一昇降装置７７にて冷凍装置３０を精緻に昇降制御する。この制御により、隙間Ｇの変化を解消し、初期の隙間Ｇを維持しながら成膜処理を継続することが可能になる。
一方、第二昇降装置７８にて、例えば載置台２０が処理容器１０の内部で昇降することにより、ターゲットＴと基板Ｗとの間の距離ｔ１を調整することができる。この距離ｔ１の調整は、適用されるターゲットＴの種類に応じて適宜変更される。載置台２０を昇降させて距離ｔ１を調整する際には、制御装置１５０により、第一昇降装置７７と第二昇降装置７８の同期制御が実行される。この制御装置１５０による第一昇降装置７７と第二昇降装置７８の同期制御により、載置台２０と冷凍装置３０が初期の隙間Ｇを維持した状態で、双方の昇降を制御することができる。
制御装置１５０は、コンピュータにより構成される。図２に示すように、制御装置１５０は、接続バスにより相互に接続されているＣＰＵ（Central Processing Unit）１５１、主記憶装置１５２、補助記憶装置１５３、入出力インターフェイス１５４、及び通信インターフェイス１５５を備えている。主記憶装置１５２と補助記憶装置１５３は、コンピュータが読み取り可能な記録媒体である。尚、上記の構成要素はそれぞれ個別に設けられてもよいし、一部の構成要素を設けないようにしてもよい。
ＣＰＵ１５１は、ＭＰＵ（Microprocessor）やプロセッサとも称され、単一のプロセッサであってもよいし、マルチプロセッサであってもよい。ＣＰＵ１５１は、制御装置１５０の全体の制御を行う中央演算処理装置である。ＣＰＵ１５１は、例えば、補助記憶装置１５３に記憶されたプログラムを主記憶装置１５２の作業領域にて実行可能に展開し、プログラムの実行を通じて周辺機器の制御を行うことにより、所定の目的に合致した機能を提供する。主記憶装置１５２は、ＣＰＵ１５１が実行するコンピュータプログラムや、ＣＰＵ１５１が処理するデータ等を記憶する。主記憶装置１５２は、例えば、フラッシュメモリ、ＲＡＭ（Random Access Memory）やＲＯＭ（Read Only Memory）を含む。補助記憶装置１５３は、各種のプログラム及び各種のデータを読み書き自在に記録媒体に格納し、外部記憶装置とも称される。補助記憶装置１５３には、例えば、ＯＳ（Operating System）、各種プログラム、各種テーブル等が格納され、ＯＳは、例えば、通信インターフェイス１５５を介して接続される外部装置等とのデータの受け渡しを行う通信インターフェースプログラムを含む。補助記憶装置１５３は、例えば、主記憶装置１５２を補助する記憶領域として使用され、ＣＰＵ１５１が実行するコンピュータプログラムや、ＣＰＵ１５１が処理するデータ等を記憶する。補助記憶装置１５３は、不揮発性半導体メモリ（フラッシュメモリ、ＥＰＲＯＭ（Erasable Programmable ROM））を含むシリコンディスク、ハードディスクドライブ（Hard Disk Drive：ＨＤＤ）装置、ソリッドステートドライブ装置等である。また、補助記憶装置１５３として、ＣＤドライブ装置、ＤＶＤドライブ装置、ＢＤドライブ装置といった着脱可能な記録媒体の駆動装置が例示される。この着脱可能な記録媒体として、ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤ、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）メモリ、ＳＤ（Secure Digital）メモリカード等が例示される。通信インターフェイス１５５は、制御装置１５０に接続するネットワークとのインターフェイスである。入出力インターフェイス１５４は、制御装置１５０に接続する機器との間でデータの入出力を行うインターフェイスである。入出力インターフェイス１５４には、例えば、キーボード、タッチパネルやマウス等のポインティングデバイス、マイクロフォン等の入力デバイス等が接続する。制御装置１５０は、入出力インターフェイス１５４を介し、入力デバイスを操作する操作者からの操作指示等を受け付ける。また、入出力インターフェイス１５４には、例えば、液晶パネル（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）や有機ＥＬパネル（ＥＬ：Electroluminescence）等の表示デバイス、プリンタ、スピーカ等の出力デバイスが接続する。制御装置１５０は、入出力インターフェイス１５４を介し、ＣＰＵ１５１により処理されるデータや情報、主記憶装置１５２、補助記憶装置１５３に記憶されるデータや情報を出力する。尚、温度センサ８２や圧力センサ８３は、有線にて入出力インターフェイス１５４に接続されてもよいし、ネットワークを介して通信インターフェイス１５５に接続されてもよい。
制御装置１５０は、各種の周辺機器の動作を制御する。この周辺機器には、冷媒供給装置１４５，圧縮装置１４０，冷媒排出装置１４７，冷凍装置３０，回転装置４０，第一昇降装置７７、第二昇降装置７８，温度センサ８２，圧力センサ８３，排気装置８５，及び処理ガス供給装置８７等が含まれる。ＣＰＵ１５１は、ＲＯＭ等の記憶領域に格納されたレシピに従い、所定の処理を実行する。レシピには、プロセス条件に対する基板処理装置２００の制御情報が設定されている。制御情報には、例えば、ガス流量や処理容器１０内の圧力、処理容器１０内の温度や載置台２０の温度、隙間Ｇに供給される冷媒の温度、隙間Ｇの高さや幅、各種のプロセス時間等が含まれる。
制御装置１５０は、温度センサ８２と圧力センサ８３による計測データ（モニタ情報）に基づき、隙間Ｇが初期の温度と圧力を維持するように、冷媒供給装置１４５，圧縮装置１４０，冷媒排出装置１４７，及び冷凍装置３０を制御する。
制御装置１５０は、第一昇降装置７７を昇降制御することにより、冷凍熱媒体３５の熱収縮に起因して隙間Ｇの高さ（もしくは幅）が変化する際に、この隙間Ｇの変化を解消するように冷凍装置３０を精緻に昇降させる。この冷凍熱媒体３５の熱収縮は、冷凍熱媒体３５に対して冷凍機３１から冷熱が伝熱されることや、冷媒供給流路５１を冷媒が流通することによりもたらされる。制御装置１５０によって初期の隙間Ｇが維持されることにより、基板Ｗを所望温度に制御しながら、成膜処理を継続することが可能になる。
さらに、制御装置１５０は、第一昇降装置７７と第二昇降装置７８を同期制御する。この同期制御により、初期の隙間Ｇを維持しながら、載置台２０（及び冷凍装置３０の上部）を処理容器１０の内部にて昇降させ、適用されるターゲットＴに好適なターゲットＴと基板Ｗの間の距離ｔ１の調整を行う。
次に、図１に戻り、第一接続固定部９１，９２と、圧縮装置１４０や冷媒排出装置（図示せず）とを接続する第一冷媒移送路１００及び第二冷媒移送路１１０と、第一冷媒移送路１００及び第二冷媒移送路１１０を収容する筐体１２０について詳説する。
第一冷媒移送路１００は、冷媒供給装置（図示せず）に連通するコンプレッサ等の圧縮装置１４０と、冷凍装置３０の内部に配設される冷媒供給流路５１とを繋いでいる。第一冷媒移送路１００は、略Ｌ型のベント管である第一ハード管１０１（もしくはハードホース）と、第一ハード管１０１の端部に接続されて鉛直方向に延設する第二フレキ管１０２（もしくはフレキシブル管、フレキホース）を有する。第一冷媒移送路１００はさらに、第二フレキ管１０２が接続されるＵ型のベント管である第二ハード管１０３と、第二ハード管１０３が接続される長尺な第一フレキ管１０４を有する。尚、図示例では、第二昇降装置７８等の側方に第一冷媒移送路１００を図示するべく、第一ハード管１０１が側方に長い形態で示しているが、実際の第一ハード管１０１には側方に長くない略Ｌ型の管が適用でき、このことは、第二冷媒移送路１１０を構成する第一ハード管１１１に関しても同様である。
冷凍装置３０における冷媒供給流路５１の流路口である第一接続固定部９１に対して、第一ハード管１０１の一端が接続固定される。また、第一フレキ管１０４の一端が第二接続固定部１２１に接続される。第二接続固定部１２１には、別途のハード管１０５が接続され、ハード管１０５はさらに第三接続固定部１２３に接続される。第三接続固定部１２３には、さらに別途のハード管１０６が接続され、ハード管１０６は圧縮装置１４０に接続される。
第一冷媒移送路１００のうち、特に長尺な第一フレキ管１０４は、曲率を有した状態（湾曲した状態）でアルミニウム等の鋼製の筐体１２０に収容されている。湾曲した状態で延設している第一フレキ管１０４は、その曲率半径Ｒが材質等に応じた破損限界となる曲率半径の閾値よりも大きな状態で、筐体１２０に収容されている。
圧縮装置１４０から圧送された冷媒は、ハード管１０６，１０５を介し、第一冷媒移送管１００を介して、冷凍装置３０の内部にある冷媒供給流路５１へＹ１方向に供給され、冷媒供給流路５１を介して隙間Ｇへ供給される。
一方、第二冷媒移送路１１０は、冷媒排出装置（図示せず）と、冷凍装置３０の内部に配設される冷媒排出流路５２とを繋いでいる。第二冷媒移送路１１０も第一冷媒移送管１００と同様に、略Ｌ型のベント管である第一ハード管１１１と、第一ハード管１１１の端部に接続されて鉛直方向に延設する第二フレキ管１１２を有する。第二冷媒移送路１１０はさらに、第二フレキ管１１２が接続されるＵ型のベント管である第二ハード管１１３と、第二ハード管１１３に接続される長尺な第一フレキ管１１４を有する。
冷凍装置３０における冷媒排出流路５２の流路口である第一接続固定部９２に対して、第一ハード管１１１の一端が接続固定される。また、第一フレキ管１１４の一端が第二接続固定部１２２に接続される。第二接続固定部１２２には、別途のハード管１１５が接続され、ハード管１１５は冷媒排出装置（図示せず）に接続される。第一接続固定部９１，９２と、第二接続固定部１２１，１２２は、例えば、二つの半割り管がネジ締め等されることにより形成され、内部に貫通孔（いずれも図示せず）を備えている。そして、この貫通孔に各種のハード管やフレキ管の端部が嵌合されるようになっている。
第二冷媒移送路１１０のうち、長尺な第一フレキ管１１４も第一フレキ管１０４と同様に、曲率を有した状態で筐体１２０に収容されている。
冷媒排出流路５２から排出された冷媒は、第二冷媒移送路１１０を介し、ハード管１１５を介して、冷媒排出装置へＹ３方向に排出される。
図示例において、第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０のうち、第二フレキ管１０２，１１２，第一フレキ管１０４，１１４の一部と、第二ハード管１０３，１１３は、筐体１２０の天井から外部に配設されている。尚、第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０の全てが筐体１２０の内部に収容されていてもよい。
第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０の大部分が筐体１２０に収容されていることにより、第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０を筐体１２０にて防護することができる。また、筐体１２０の全体形状は、図示例のように、湾曲した第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０の線形に応じた略Ｌ型を呈しており、余裕をもって第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０を収容しながら、可及的に全体の寸法が小さくなるような形状である。
筐体１２０の内部において、例えば筐体１２０の壁面には、サポート部材１３１，１３２が取り付けられている。サポート部材１３１，１３２は、第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０を構成する第一フレキ管１０４，１１４の端部、より具体的には第一フレキ管１０４，１１４が第二接続固定部１２１，１２２と接続固定される端部の一定領域（長さｔ２の範囲）を支持する。サポート部材１３１，１３２は、例えば筐体１２０と同じ鋼製の部材であり、筐体１２０の壁面に対してボルトや溶接にて接続されている。ここで、サポート部材１３１，１３２により支持される第一フレキ管１０４，１１４の端部の一定領域の長さｔ２は、２，３ｃｍ乃至５０ｃｍ程度の範囲に設定できる。
サポート部材１３１，１３２は、第二接続固定部１２１，１２２と、第一フレキ管１０４，１１４の端部の一定領域を下方から支持する。
既述するように、冷凍装置３０は、冷凍熱媒体３５の熱収縮に起因する隙間Ｇの変化を解消するべく、第一昇降装置７７によりＸ１方向に昇降される。また、載置台２０が第二昇降装置７８によりＸ２方向に昇降される際にも、冷凍装置３０は、隙間Ｇを一定に維持するべく、第一昇降装置７７によりＸ１方向に昇降される。このように、冷凍装置３０が昇降する際には、第一接続固定部９１，９２に接続されている第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０も同期してＸ４方向とＸ５方向に昇降することになる。
一方、圧縮装置１４０や冷媒排出装置（図示せず）は床面に固定されており、第二接続固定部１２１，１２２は、ハード管１０５，１０６，１１５を介して、圧縮装置１４０や冷媒排出装置に固定されている。
従って、冷凍装置３０の昇降に応じて第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０が昇降すると、第二接続固定部１２１，１２２に接続固定される第一フレキ管１０４，１１４の端部（接続固定部）は、圧縮装置１４０や冷媒排出装置に間接的に固定されている第二接続固定部１２１，１２２に対して相対変位する。この第一フレキ管１０４，１１４の端部の相対変位に起因して、第一フレキ管１０４，１１４の端部やその近傍には、曲げやせん断が作用し、繰り返しの曲げやせん断により、第一フレキ管１０４，１１４の端部やその近傍が破損し得る。
基板処理装置２００では、筐体１２０の内部にサポート部材１３１，１３２が取り付けられ、第二接続固定部１２１，１２２と、この第二接続固定部１２１，１２２に対して接続固定される第一フレキ管１０４，１１４の端部の一定領域とを、サポート部材１３１，１３２が支持している。この構成により、冷凍装置３０の昇降の際に、第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０のほぼ全域が同期して昇降した場合でも、第二接続固定部１２１，１２２と接続固定される第一フレキ管１０４，１１４の端部が昇降することが解消される。この結果、第二接続固定部１２１，１２２と接続固定される第一フレキ管１０４，１１４の端部やその近傍に曲げやせん断が作用することが解消され、第一フレキ管１０４，１１４の破損が防止される。
また、第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０が鉛直方向に延設する第二フレキ管１０２，１１２を備えていることにより、冷凍装置３０の昇降の際の衝撃を、第二フレキ管１０２，１１２が吸収することができる。さらに、第二フレキ管１０２，１１２が伸縮することにより、第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０の他の構成管の昇降を抑制することができる。
また、第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０がそれらの途中にＵ型の第二ハード管１０３，１１３を有することにより、例えば冷媒移送管の全体がフレキ管により形成される場合に、冷媒移送管の全長が長くなることを解消できる。既述するように、フレキ管には、その材質等に応じた曲率半径が設定されていることから、複数の曲がり部（図示例では、第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０は四箇所の曲がり部を有する）において設定された曲率半径を充足させると、自ずとフレキ管の全長は長くなる。そして、フレキ管の全長が長くなることにより、冷媒移送管を収容する筐体の寸法も大きくならざるを得ないが、これらのことがＵ型の第二ハード管１０３，１１３を適用することにより解消される。
さらに、基板処理装置２００では、第二接続固定部１２１と圧縮装置１４０の間に第三接続固定部１２３を備え、第二接続固定部１２１と直接接続されるハード管１０５が圧縮装置１４０に直接接続されない構成となっている。この構成により、圧縮装置１４０の作動時の振動を第二接続固定部１２１に伝播され難くすることができ、この振動によって第二接続固定部１２１に接続されるフレキ管１０４の端部が繰り返し振動を受け、第一フレキ管１０４の端部が破損することを防止できる。
次に、実施形態に係る基板処理装置の製造方法のうち、特徴的な工程を説明すると、以下の通りである。すなわち、図１に示す基板処理装置２００を製造する過程において、筐体１２０の内部に第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０に対応したサポート部材１３１，１３２を取り付ける。そして、第一接続固定部９１，９２と第二接続固定部１２１，１２２に対して、第一冷媒移送管１００と第二冷媒移送路１１０を湾曲した状態で接続固定する。この際、第二接続固定部１２１，１２２と接続固定される第一フレキ管１０４，１１４の端部の一定領域（長さｔ２の範囲）と、第二接続固定部１２１，１２２を、サポート部材１３１，１３２の上に設置し、サポート部材１３１，１３２に支持させる（冷媒移送管をサポート部材の上に載置する工程）。
この製造方法にて製造された基板処理装置２００によれば、冷凍装置３０の昇降の際に、第二接続固定部１２１，１２２と接続固定される第一フレキ管１０４，１１４の端部及びその近傍（長さｔ２の範囲）が昇降することを解消できる。その結果、第二接続固定部１２１，１２２と接続固定される第一フレキ管１０４，１１４の端部やその近傍に曲げやせん断が作用することが解消され、第一フレキ管１０４，１１４の破損を防止することができる。
上記実施形態に挙げた構成等に対し、その他の構成要素が組み合わされるなどした他の実施形態であってもよく、また、本開示はここで示した構成に何等限定されるものではない。この点に関しては、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
例えば、上記の実施形態では、基板処理装置２００が成膜装置である場合を例に挙げて説明したが、基板処理装置２００が例えばエッチング装置等であってもよい。
１０：処理容器
１１：ターゲットホルダ
２０：載置台
３０：冷凍装置
３１：冷凍機
３５：冷凍熱媒体
５１：冷媒供給流路（冷媒流路）
７７：第一昇降装置
９１，９２：第一接続固定部
１００：冷媒移送管（第一冷媒移送管）
１１０：冷媒移送管（第二冷媒移送管）
１２１，１２２：第二接続固定部
１３１，１３２：サポート部材
１４０：圧縮装置
２００：基板処理装置
Ｗ：基板
Ｔ：ターゲット
Ｇ：隙間

Claims (8)

  1. 基板が載置される載置台と、ターゲットを保持するターゲットホルダとを内部に備えている処理容器と、
    前記載置台の下面との間に隙間を備えて配設され、冷凍機と前記冷凍機に積層される冷凍熱媒体とを備えている冷凍装置と、
    前記冷凍装置を昇降させる第一昇降装置と、
    前記冷凍装置の内部に設けられ、前記隙間に冷媒を供給する冷媒流路と、
    前記冷媒流路に供給される冷媒を圧縮する圧縮装置と、
    前記冷凍装置における前記冷媒流路の流路口である第一接続固定部と、前記圧縮装置に流体連通する第二接続固定部との双方に接続固定される冷媒移送管と、を有し、
    前記冷媒移送管は、前記第一接続固定部と前記第二接続固定部との間において、少なくとも一部が湾曲した状態で延設しており、
    前記第二接続固定部において、前記冷媒移送管がサポート部材の上に載置されており、
    少なくとも、前記冷媒移送管と前記第二接続固定部と前記サポート部材が、筐体の内部に収容されている、基板処理装置。
  2. 前記第一昇降装置が前記冷凍装置と前記載置台をともに昇降させる、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記載置台を昇降させる第二昇降装置と、制御装置とをさらに有し、
    前記制御装置は、前記第一昇降装置と前記第二昇降装置の同期制御を実行して、前記ターゲットと前記載置台の間の距離を調整する、請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記圧縮装置と前記第二接続固定部の間に第三接続固定部があり、
    前記圧縮装置と前記第三接続固定部が流体連通し、前記第三接続固定部と前記第二接続固定部が流体連通している、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 前記冷媒移送管が、前記第一接続固定部に接続固定される第一ハード管と、前記第二接続固定部に接続固定される第一フレキ管とを有し、前記第一フレキ管が湾曲した状態で延設している、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記第一ハード管と前記第一フレキ管の間に、鉛直方向に延設する第二フレキ管とＵ型の第二ハード管とを有し、
    前記第一ハード管に前記第二フレキ管の一端が接続され、前記第二フレキ管の他端に前記第二ハード管の一端が接続され、前記第二ハード管の他端に前記第一フレキ管の一端が固定されている、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記冷媒流路は、前記冷媒を前記隙間に供給する供給流路と、前記載置台の冷却により昇温した前記冷媒を前記隙間から排出する排出流路と、を備え、
    前記冷媒移送管は、前記供給流路に前記冷媒を供給する第一冷媒移送路と、前記排出流路から前記冷媒を排出する第二冷媒移送路と、を備え、
    前記第一冷媒移送路と前記第二冷媒移送路が、それぞれに固有の前記サポート部材の上に載置されている、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 基板が載置される載置台と、ターゲットを保持するターゲットホルダとを内部に備えている処理容器と、
    前記載置台の下面との間に隙間を備えて配設され、冷凍機と前記冷凍機に積層される冷凍熱媒体とを備えている冷凍装置と、
    前記冷凍装置を昇降させる第一昇降装置と、
    前記冷凍装置の内部に設けられ、前記隙間に冷媒を供給する冷媒流路と、
    前記冷媒流路に供給される冷媒を圧縮する圧縮装置と、
    前記冷凍装置における前記冷媒流路の流路口である第一接続固定部と、前記圧縮装置に流体連通する第二接続固定部との双方に接続固定される冷媒移送管と、を有する、基板処理装置の製造方法であって、
    前記冷媒移送管を、前記第一接続固定部と前記第二接続固定部との間において、少なくとも一部が湾曲した状態で延設し、前記第二接続固定部において、前記冷媒移送管をサポート部材の上に載置し、少なくとも、前記冷媒移送管と前記第二接続固定部と前記サポート部材を、筐体の内部に収容する工程を有する、基板処理装置の製造方法。
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