JP7371177B2 - 給電装置 - Google Patents
給電装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7371177B2 JP7371177B2 JP2022115560A JP2022115560A JP7371177B2 JP 7371177 B2 JP7371177 B2 JP 7371177B2 JP 2022115560 A JP2022115560 A JP 2022115560A JP 2022115560 A JP2022115560 A JP 2022115560A JP 7371177 B2 JP7371177 B2 JP 7371177B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage battery
- value
- function
- power supply
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 117
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 claims description 94
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 138
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 33
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 29
- 210000002569 neuron Anatomy 0.000 description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N (3R,4R)-3,4-dihydroxycyclohexa-1,5-diene-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1C=CC(C(O)=O)=C[C@H]1O HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013527 convolutional neural network Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 101150046766 BGL2 gene Proteins 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013529 biological neural network Methods 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000013135 deep learning Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000306 recurrent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/0013—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries acting upon several batteries simultaneously or sequentially
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
- H02J50/10—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
- H02J50/40—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using two or more transmitting or receiving devices
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
- H02J50/40—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using two or more transmitting or receiving devices
- H02J50/402—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using two or more transmitting or receiving devices the two or more transmitting or the two or more receiving devices being integrated in the same unit, e.g. power mats with several coils or antennas with several sub-antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/00032—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries characterised by data exchange
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/00032—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries characterised by data exchange
- H02J7/00034—Charger exchanging data with an electronic device, i.e. telephone, whose internal battery is under charge
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/02—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries for charging batteries from ac mains by converters
- H02J7/04—Regulation of charging current or voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/34—Special means for preventing or reducing unwanted electric or magnetic effects, e.g. no-load losses, reactive currents, harmonics, oscillations, leakage fields
- H01F27/346—Preventing or reducing leakage fields
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
- H02J50/10—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling
- H02J50/12—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling of the resonant type
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/0047—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with monitoring or indicating devices or circuits
- H02J7/0048—Detection of remaining charge capacity or state of charge [SOC]
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/02—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries for charging batteries from ac mains by converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の給電装置について説明する。
図1には給電装置140と、給電装置140と無線により通信する機能を有する電子機器120と、のそれぞれのブロック図の一例を示す。また図2(A)には給電装置140および電子機器120の上面図の一例を示し、図2(B)には図2(A)に対応する斜視図の一例を示す。
図5に示すフローチャートを用いて本発明の一態様の給電装置の動作を説明する。
次に、図6に示すフローを用いて、本発明の一態様の給電装置の動作を説明する。
次に、図7に示すフローチャートを用いて、本発明の一態様の給電装置の動作を説明する。図7に示すフローチャートでは、給電装置に蓄電池、あるいは蓄電池を有する電子機器が複数、配置される例を示す。
ニューラルネットワークの結合強度(重み)の更新の一例を説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態に述べた電子機器120の一例について説明する。
本実施の形態では、上記の実施の形態で説明したニューラルネットワークに用いることが可能な半導体装置の構成例について説明する。
図13に、ニューラルネットワークの演算を行う機能を有する半導体装置MACの構成例を示す。半導体装置MACは、ニューロン間の結合強度(重み)に対応する第1のデータと、入力データに対応する第2のデータの積和演算を行う機能を有する。なお、第1のデータ及び第2のデータはそれぞれ、アナログデータ又は多値のデジタルデータ(離散的なデータ)とすることができる。また、半導体装置MACは、積和演算によって得られたデータを活性化関数によって変換する機能を有する。
上記の半導体装置MACを用いて、第1のデータと第2のデータの積和演算を行うことができる。以下、積和演算を行う際の半導体装置MACの動作例を説明する。
まず、時刻T01-T02において、配線WL[1]の電位がハイレベル(High)となり、配線WD[1]の電位が接地電位(GND)よりもVPR-VW[1,1]大きい電位となり、配線WDrefの電位が接地電位よりもVPR大きい電位となる。また、配線RW[1]、及び配線RW[2]の電位が基準電位(REFP)となる。なお、電位VW[1,1]はメモリセルMC[1,1]に格納される第1のデータに対応する電位である。また、電位VPRは参照データに対応する電位である。これにより、メモリセルMC[1,1]及びメモリセルMCref[1]が有するトランジスタTr11がオン状態となり、ノードNM[1,1]の電位がVPR-VW[1,1]、ノードNMref[1]の電位がVPRとなる。
次に、時刻T05-T06において、配線RW[1]の電位が基準電位よりもVX[1]大きい電位となる。このとき、メモリセルMC[1,1]、及びメモリセルMCref[1]のそれぞれの容量素子C11には電位VX[1]が供給され、容量結合によりトランジスタTr12のゲートの電位が上昇する。なお、電位VX[1]はメモリセルMC[1,1]及びメモリセルMCref[1]に供給される第2のデータに対応する電位である。
本実施の形態は、本発明の一態様のOSトランジスタ、およびそれを用いた不揮発性メモリについて説明する。先の実施の形態で述べたメモリ132として、OSトランジスタを用いた不揮発性メモリを用いることができる。
図17(A)はNOSRAMの構成例を示すブロック図である。NOSRAM240には、パワードメイン242、243、パワースイッチ245乃至247が設けられている。パワードメイン242には、メモリセルアレイ250が設けられ、パワードメイン243にはNOSRAM240の周辺回路が設けられている。周辺回路は、制御回路251、行回路252、列回路253を有する。
DOSRAMとは、1T1C型のメモリセルを有するRAMのことであり、Dynamic Oxide Semiconductor RAMの略称である。以下、図19を参照して、DOSRAMについて説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態で示した電子機器の一例を説明する。
Claims (4)
- ニューラルネットワークを用いて、第1の蓄電池および第2の蓄電池に無線で充電を行う機能を有する給電装置であって、
給電コイルと、
前記給電コイルと接続された制御回路と、を有し、
前記制御回路は、整流回路と、復調回路と、変調回路と、定電圧回路と、を有し、
前記制御回路は、
前記第1の蓄電池の第1の残容量値と、前記第2の蓄電池の第2の残容量値とを推定する第1の機能と、
推定した前記第1の残容量値および推定した前記第2の残容量値を、前記ニューラルネットワークに与える第2の機能と、
前記ニューラルネットワークから出力された第1の値および第2の値に応じて、前記第1の蓄電池および前記第2の蓄電池のいずれかを選択し、選択された蓄電池への充電を行う第3の機能と、を有し、
前記第1の値は、前記第1の残容量値に応じた値であり、
前記第2の値は、前記第2の残容量値に応じた値である、給電装置。 - ニューラルネットワークを用いて、第1の蓄電池および第2の蓄電池に無線で充電を行う機能を有する給電装置であって、
給電コイルと、
前記給電コイルと接続された制御回路と、を有し、
前記制御回路は、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを複数有し、
前記制御回路は、
前記第1の蓄電池の第1の残容量値と、前記第2の蓄電池の第2の残容量値とを推定する第1の機能と、
推定した前記第1の残容量値および推定した前記第2の残容量値を、前記ニューラルネットワークに与える第2の機能と、
前記ニューラルネットワークから出力された第1の値および第2の値に応じて、前記第1の蓄電池および前記第2の蓄電池のいずれかを選択し、選択された蓄電池への充電を行う第3の機能と、を有し、
前記第1の値は、前記第1の残容量値に応じた値であり、
前記第2の値は、前記第2の残容量値に応じた値である、給電装置。 - ニューラルネットワークを用いて、第1の蓄電池および第2の蓄電池に無線で充電を行う機能を有する給電装置であって、
給電コイルと、
前記給電コイルと接続された制御回路と、
前記制御回路と接続されたメモリと、を有し、
前記制御回路は、整流回路と、復調回路と、変調回路と、定電圧回路と、を有し、
前記制御回路は、
前記第1の蓄電池の第1の残容量値と、前記第2の蓄電池の第2の残容量値とを推定する第1の機能と、
推定した前記第1の残容量値および推定した前記第2の残容量値を、前記ニューラルネットワークに与える第2の機能と、
前記ニューラルネットワークから出力された第1の値および第2の値に応じて、前記第1の蓄電池および前記第2の蓄電池のいずれかを選択し、選択された蓄電池への充電を行う第3の機能と、を有し、
前記第1の値は、前記第1の残容量値に応じた値であり、
前記第2の値は、前記第2の残容量値に応じた値であり、
前記メモリは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有する、給電装置。 - ニューラルネットワークを用いて、第1の蓄電池および第2の蓄電池に無線で充電を行う機能を有する給電装置であって、
給電コイルと、
前記給電コイルと接続された制御回路と、
前記制御回路と接続されたメモリと、を有し、
前記制御回路は、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを複数有し、
前記制御回路は、
前記第1の蓄電池の第1の残容量値と、前記第2の蓄電池の第2の残容量値とを推定する第1の機能と、
推定した前記第1の残容量値および推定した前記第2の残容量値を、前記ニューラルネットワークに与える第2の機能と、
前記ニューラルネットワークから出力された第1の値および第2の値に応じて、前記第1の蓄電池および前記第2の蓄電池のいずれかを選択し、選択された蓄電池への充電を行う第3の機能と、を有し、
前記第1の値は、前記第1の残容量値に応じた値であり、
前記第2の値は、前記第2の残容量値に応じた値であり、
前記メモリは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有する、給電装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017213048 | 2017-11-02 | ||
JP2017213048 | 2017-11-02 | ||
PCT/IB2018/058280 WO2019087010A1 (ja) | 2017-11-02 | 2018-10-24 | 給電装置及び電子機器、並びに給電装置の動作方法 |
JP2019549674A JP7110223B2 (ja) | 2017-11-02 | 2018-10-24 | 給電装置およびその動作方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019549674A Division JP7110223B2 (ja) | 2017-11-02 | 2018-10-24 | 給電装置およびその動作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022140531A JP2022140531A (ja) | 2022-09-26 |
JP7371177B2 true JP7371177B2 (ja) | 2023-10-30 |
Family
ID=66331553
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019549674A Active JP7110223B2 (ja) | 2017-11-02 | 2018-10-24 | 給電装置およびその動作方法 |
JP2022115560A Active JP7371177B2 (ja) | 2017-11-02 | 2022-07-20 | 給電装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019549674A Active JP7110223B2 (ja) | 2017-11-02 | 2018-10-24 | 給電装置およびその動作方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11431199B2 (ja) |
JP (2) | JP7110223B2 (ja) |
WO (1) | WO2019087010A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9711994B2 (en) * | 2014-01-31 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and its operation system |
JP7245788B2 (ja) | 2018-02-01 | 2023-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US11204533B2 (en) | 2018-03-06 | 2021-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP2023007765A (ja) * | 2021-07-02 | 2023-01-19 | トヨタ自動車株式会社 | 給電システム、及び給電方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5714866A (en) | 1994-09-08 | 1998-02-03 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for fast battery charging using neural network fuzzy logic based control |
JP2007240308A (ja) | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Toyota Motor Corp | バッテリーの制御装置 |
CN101924385A (zh) | 2010-08-24 | 2010-12-22 | 浙江黄岩东兴塑业有限公司 | 全自动智能充电器 |
WO2011061809A1 (ja) | 2009-11-17 | 2011-05-26 | トヨタ自動車株式会社 | 車両および車両の制御方法 |
JP2012029470A (ja) | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Sony Corp | 制御装置および方法、発電装置および方法、蓄電装置および方法、並びに電力制御システム |
JP2014135884A (ja) | 2012-12-13 | 2014-07-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 蓄電システム、蓄電装置 |
JP2015080408A (ja) | 2010-03-31 | 2015-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015095983A (ja) | 2013-11-13 | 2015-05-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 充放電管理システム |
US20150180241A1 (en) | 2012-07-27 | 2015-06-25 | Thoratec Corporation | Computer modeling for resonant power transfer systems |
WO2017141141A1 (ja) | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 測定システム、評価システム、測定方法、及び評価方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04347536A (ja) * | 1991-05-22 | 1992-12-02 | Honda Motor Co Ltd | 車両用電気的負荷制限装置 |
US6064180A (en) * | 1996-10-29 | 2000-05-16 | General Motors Corporation | Method and apparatus for determining battery state-of-charge using neural network architecture |
JP2000504477A (ja) * | 1996-11-21 | 2000-04-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | バッテリー管理システム及びバッテリー・シミュレータ |
JPH11146569A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Staff Kk | 非接触電力伝送システム |
JP2008232758A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Nippon Soken Inc | 二次電池の内部状態検出装置及びニューラルネット式状態量推定装置 |
JP4631880B2 (ja) * | 2007-07-30 | 2011-02-16 | ミツミ電機株式会社 | 電池状態検知方法 |
JP5430046B2 (ja) | 2007-12-18 | 2014-02-26 | パナソニック株式会社 | 充電台 |
JP5362330B2 (ja) * | 2007-12-18 | 2013-12-11 | 三洋電機株式会社 | 充電台 |
US9502920B2 (en) | 2011-11-16 | 2016-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power receiving device, power transmission device, and power feeding system |
US8796098B1 (en) * | 2013-02-26 | 2014-08-05 | Cypress Semiconductor Corporation | Embedded SONOS based memory cells |
US9660649B2 (en) * | 2014-11-17 | 2017-05-23 | Qualcomm Incorporated | Voltage scaling for holistic energy management |
US20170373500A1 (en) * | 2014-12-22 | 2017-12-28 | Robert Bosch Gmbh | Method for Adaptive Demand Charge Reduction |
JP6674838B2 (ja) | 2015-05-21 | 2020-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子装置 |
US9960625B2 (en) * | 2016-03-31 | 2018-05-01 | Robert Bosch Gmbh | Battery management system with multiple observers |
US11368030B2 (en) * | 2016-07-22 | 2022-06-21 | Eos Energy Storage Llc | Battery management system |
US10447046B2 (en) * | 2016-09-22 | 2019-10-15 | Robert Bosch Gmbh | Secondary battery management system with remote parameter estimation |
US11527780B2 (en) * | 2016-10-12 | 2022-12-13 | CPS Technology Services LLC | Battery model and control application calibration systems and methods |
KR20180055192A (ko) * | 2016-11-16 | 2018-05-25 | 삼성전자주식회사 | 배터리 상태를 추정하는 방법 및 장치 |
US10564222B2 (en) * | 2017-07-20 | 2020-02-18 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | Methods and systems for battery state of power prediction |
-
2018
- 2018-10-24 JP JP2019549674A patent/JP7110223B2/ja active Active
- 2018-10-24 US US16/753,872 patent/US11431199B2/en active Active
- 2018-10-24 WO PCT/IB2018/058280 patent/WO2019087010A1/ja active Application Filing
-
2022
- 2022-07-20 JP JP2022115560A patent/JP7371177B2/ja active Active
- 2022-08-02 US US17/879,394 patent/US11817726B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5714866A (en) | 1994-09-08 | 1998-02-03 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for fast battery charging using neural network fuzzy logic based control |
JP2007240308A (ja) | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Toyota Motor Corp | バッテリーの制御装置 |
WO2011061809A1 (ja) | 2009-11-17 | 2011-05-26 | トヨタ自動車株式会社 | 車両および車両の制御方法 |
JP2015080408A (ja) | 2010-03-31 | 2015-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2012029470A (ja) | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Sony Corp | 制御装置および方法、発電装置および方法、蓄電装置および方法、並びに電力制御システム |
CN101924385A (zh) | 2010-08-24 | 2010-12-22 | 浙江黄岩东兴塑业有限公司 | 全自动智能充电器 |
US20150180241A1 (en) | 2012-07-27 | 2015-06-25 | Thoratec Corporation | Computer modeling for resonant power transfer systems |
JP2014135884A (ja) | 2012-12-13 | 2014-07-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 蓄電システム、蓄電装置 |
JP2015095983A (ja) | 2013-11-13 | 2015-05-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 充放電管理システム |
WO2017141141A1 (ja) | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 測定システム、評価システム、測定方法、及び評価方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2019087010A1 (ja) | 2020-11-12 |
US20220399726A1 (en) | 2022-12-15 |
JP2022140531A (ja) | 2022-09-26 |
US11431199B2 (en) | 2022-08-30 |
WO2019087010A1 (ja) | 2019-05-09 |
US11817726B2 (en) | 2023-11-14 |
US20200287414A1 (en) | 2020-09-10 |
JP7110223B2 (ja) | 2022-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7371177B2 (ja) | 給電装置 | |
US11205912B2 (en) | Power storage system, electronic device, vehicle, and estimation method | |
US11003986B2 (en) | Semiconductor device and system using the same | |
US10193563B2 (en) | Semiconductor device, wireless sensor, and electronic device | |
US11004882B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
US20170301376A1 (en) | Semiconductor device | |
US10319743B2 (en) | Semiconductor device, display system, and electronic device | |
WO2019097357A1 (ja) | 二次電池の寿命推定装置及び寿命推定方法および異常検出方法 | |
TW201604684A (zh) | 半導體裝置 | |
JP2019075532A (ja) | 半導体装置、表示装置、および半導体装置の作製方法 | |
JPWO2018215864A1 (ja) | 充電制御システム、及び充電制御装置 | |
JP7337782B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9842842B2 (en) | Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same | |
KR20200047527A (ko) | 반도체 장치 및 표시 장치 | |
JP2016119091A (ja) | 半導体装置、センサ装置及び電子機器 | |
TW201729540A (zh) | 電路、邏輯電路、處理器、電子組件、及電子裝置 | |
JP2023156292A (ja) | 半導体装置 | |
JP2019020687A (ja) | 表示装置 | |
WO2020031031A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の作製方法 | |
WO2023073488A1 (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220817 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220817 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230815 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230926 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231018 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7371177 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |