JP7363742B2 - オニウム塩化合物、化学増幅レジスト組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
1.下記式(1)で表されるオニウム塩化合物。
Rf1及びRf2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であるが、少なくとも一方は、フッ素原子又はトリフルオロメチル基である。
L1は、単結合又はカルボニル基である。
Arは、置換基を有していてもよい炭素数3~15の(n+1)価の芳香族基である。
nは、1≦n≦5を満たす整数である。
M+は、アンモニウムカチオン、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンである。
Rは、下記式(R-1)、(R-2)、(R-3)、(R-4)又は(R-5)で表される基である。
Rr5及びRr6は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~5のヒドロカルビル基である。また、Rr4、Rr5及びRr6のいずれか2つが、互いに結合してこれらが結合する原子と共に環を形成してもよい。
破線は、式(1)中のArとの結合手である。)
2.下記式(2)で表される1のオニウム塩化合物。
n及びmは、1≦n≦5、0≦m≦4及び1≦n+m≦5を満たす整数である。
R3は、水素原子又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~10のヒドロカルビル基である。
R4は、水素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、ヒドロキシ基、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~10のヒドロカルビル基であり、該ヒドロカルビル基中の-CH2-が、エーテル結合又はカルボニル基で置換されていてもよい。mが2以上のとき、各R4は、互いに同一であっても異なっていてもよく、2つのR4が互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。)
3.R3が、水素原子、イソプロピル基、アダマンチル基又は置換されていてもよいフェニル基である2のオニウム塩化合物。
4.Rが、式(R-1)又は(R-2)で表される基である1~3のいずれかのオニウム塩化合物。
5.M+が、下記式(M-1)~(M-4)のいずれかで表されるカチオンである1~4のいずれかのオニウム塩化合物。
L2及びL3は、それぞれ独立に、単結合、メチレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、スルフィニル基、スルホニル基又は-N(RN)-である。RNは、水素原子又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~10のヒドロカルビル基であり、該ヒドロカルビル基中の-CH2-が、エーテル結合、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよい。
p、q、r、s及びtは、それぞれ独立に、0~5の整数である。pが2以上のとき、各RM1は、互いに同一でも異なっていてもよく、2つのRM1が互いに結合してこれらが結合するベンゼン環上の炭素原子と共に環を形成してもよい。qが2以上のとき、各RM2は、互いに同一でも異なっていてもよく、2つのRM2が互いに結合してこれらが結合するベンゼン環上の炭素原子と共に環を形成してもよい。rが2以上のとき、各RM3は、互いに同一でも異なっていてもよく、2つのRM3が互いに結合してこれらが結合するベンゼン環上の炭素原子と共に環を形成してもよい。sが2以上のとき、各RM4は、互いに同一でも異なっていてもよく、2つのRM4が互いに結合してこれらが結合するベンゼン環上の炭素原子と共に環を形成してもよい。tが2以上のとき、各RM5は、互いに同一でも異なっていてもよく、2つのRM5が互いに結合してこれらが結合するベンゼン環上の炭素原子と共に環を形成してもよい。)
6.下記式(3)又は(4)で表される5のオニウム塩化合物。
R5は、水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1~5のヒドロカルビル基であり、該ヒドロカルビル基中の-CH2-が、エーテル結合又はカルボニル基で置換されていてもよい。mが2以上のとき、各R5は、互いに同一であっても異なっていてもよく、2つのR5が互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。)
7.1~6のいずれかのオニウム塩化合物からなる酸拡散抑制剤。
8.(A)酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するベースポリマー、(B)光酸発生剤、(C)1~6のいずれかのオニウム塩化合物を含む酸拡散抑制剤、及び(D)有機溶剤を含む化学増幅レジスト組成物。
9.(A')酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、露光により酸を発生する機能を有する繰り返し単位を含むベースポリマー、(C)1~6のいずれかのオニウム塩化合物を含む酸拡散抑制剤、及び(D)有機溶剤を含む化学増幅レジスト組成物。
10.前記ベースポリマーが、下記式(a)で表される繰り返し単位又は下記式(b)で表される繰り返し単位を含むポリマーである8又は9の化学増幅レジスト組成物。
XAは、単結合、フェニレン基、ナフチレン基、又は(主鎖)-C(=O)-O-XA1-である。XA1は、ヒドロキシ基、エーテル結合、エステル結合又はラクトン環を含んでいてもよい炭素数1~15のヒドロカルビレン基である。
XBは、単結合又はエステル結合である。
AL1及びAL2は、それぞれ独立に、酸不安定基である。)
11.前記酸不安定基が、下記式(L1)~(L3)のいずれかで表される基である10の化学増幅レジスト組成物。
aは、1又は2である。
破線は、結合手である。)
12.前記ベースポリマーが、下記式(c)で表される繰り返し単位を含むポリマーである8~11のいずれかの化学増幅レジスト組成物。
YAは、単結合又はエステル結合である。
R21は、フッ素原子、ヨウ素原子又は炭素数1~10のヒドロカルビル基であり、該ヒドロカルビル基中の-CH2-が、エーテル結合又はカルボニル基で置換されていてもよい。
b及びcは、1≦b≦5、0≦c≦4及び1≦b+c≦5を満たす整数である。)
13.露光により酸を発生する機能を有する繰り返し単位が、下記式(d1)~(d4)で表されるものから選ばれる少なくとも1種である9の化学増幅レジスト組成物。
ZAは、単結合、フェニレン基、-O-ZA1-、-C(=O)-O-ZA1-又は-C(=O)-NH-ZA1-である。ZA1は、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~20のヒドロカルビレン基である。
ZB及びZCは、それぞれ独立に、単結合、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~20のヒドロカルビレン基である。
ZDは、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、-O-ZD1-、-C(=O)-O-ZD1-又は-C(=O)-NH-ZD1-である。ZD1は、置換されていてもよいフェニレン基である。
R31~R41は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~20のヒドロカルビル基である。また、ZA、R31及びR32のうちのいずれか2つが、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよく、R33、R34及びR35のうちのいずれか2つ、R36、R37及びR38のうちのいずれか2つ又はR39、R40及びR41のうちのいずれか2つが、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよい。
RHFは、水素原子又はトリフルオロメチル基である。
n1は、0又は1であるが、ZBが単結合のときは0である。n2は、0又は1であるが、ZCが単結合のときは0である。
Xa-は、非求核性対向イオンである。)
14.8~13のいずれかの化学増幅レジスト組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をKrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光、EB又はEUVで露光する工程と、前記露光したレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法。
15.現像液としてアルカリ水溶液を用いて、露光部を溶解させ、未露光部が溶解しないポジ型パターンを得る14のパターン形成方法。
16.現像液として有機溶剤を用いて、未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得る14のパターン形成方法。
17.前記現像液が、2-オクタノン、2-ノナノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、酢酸ブテニル、酢酸イソペンチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、ギ酸イソペンチル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸ペンチル、乳酸イソペンチル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、ギ酸ベンジル、ギ酸フェニルエチル、3-フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル及び酢酸2-フェニルエチルから選ばれる少なくとも1種である16のパターン形成方法。
本発明の化学増幅レジスト組成物は、
(A)酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するベースポリマー、
(B)光酸発生剤、
(C-1)本発明のオニウム塩化合物からなる酸拡散抑制剤、及び
(D)有機溶剤
を必須成分として含み、必要に応じて、
(C-2)本発明のオニウム塩化合物以外の酸拡散抑制剤、
(E)界面活性剤、及び
(F)その他の成分
を含んでもよい。
(C-1)本発明のオニウム塩化合物からなる酸拡散抑制剤、及び
(D)有機溶剤
を必須成分として含み、必要に応じて、
(B)光酸発生剤、
(C-2)本発明のオニウム塩化合物以外の酸拡散抑制剤、
(E)界面活性剤、及び
(F)その他の成分
を含んでもよい。
(A)成分のベースポリマーとしては、下記式(a)で表される繰り返し単位(以下、繰り返し単位aともいう。)又は下記式(b)で表される繰り返し単位(以下、繰り返し単位bともいう。)を含むポリマーが好ましい。
(I)繰り返し単位a及びbから選ばれる1種又は2種以上を好ましくは10~70モル%、より好ましくは20~65モル%、更に好ましくは30~60モル%含み、必要に応じ、
(II)繰り返し単位cの1種又は2種以上を好ましくは0~90モル%、より好ましくは15~80モル%、更に好ましくは30~60モル%含み、必要に応じ、
(III)繰り返し単位d1~d4から選ばれる1種又は2種以上を好ましくは0~30モル%、より好ましくは0~20モル%、更に好ましくは0~15モル%含み、必要に応じ、
(IV)繰り返し単位e及び他の繰り返し単位から選ばれる1種又は2種以上を好ましくは0~80モル%、より好ましくは0~70モル%、更に好ましくは0~50モル%含むことができる。
nが異なる2種以上を組み合わせて使用することができる。また、(A)成分のベースポリマーとして、前記ポリマーに加えて、開環メタセシス重合体の水素添加物を含んでいてもよい。開環メタセシス重合体の水素添加物としては、特開2003-66612号公報に記載のものを用いることができる。
本発明のレジスト組成物は、前記ベースポリマーが繰り返し単位d1~d4から選ばれる少なくとも1つを含まない場合、必須成分として(B)光酸発生剤(以下、添加型光酸発生剤ともいう。)を含む。なお、前記ベースポリマーが繰り返し単位d1~d4から選ばれる少なくとも1つを含む場合であっても、添加型光酸発生剤は含まれていてもよい。
本発明のレジスト組成物は、(C)成分として酸拡散抑制剤(クエンチャー)を含む。(C)成分は、式(1)で表されるオニウム塩化合物を必須成分(C-1)として含むが、式(1)で表されるオニウム塩化合物以外の酸拡散抑制剤(C-2)を含んでもよい。なお、本発明において酸拡散抑制剤とは、光酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物を意味する。
本発明の化学増幅レジスト組成物は、(D)成分として有機溶剤を含んでもよい。前記有機溶剤としては、前述した各成分や後述する各成分が溶解可能な有機溶剤であれば特に限定されない。このような有機溶剤としては、例えば、特開2008-111103号公報の段落[0144]~[0145]に記載のシクロヘキサノン、メチル-2-n-ペンチルケトン等のケトン類;3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール、ジアセトンアルコール等のアルコール類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類;γ-ブチロラクトン等のラクトン類及びこれらの混合溶剤が挙げられる。アセタール系の酸不安定基を用いる場合は、アセタールの脱保護反応を加速させるために高沸点のアルコール系溶剤、具体的にはジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、1,4-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール等を加えることもできる。
本発明のレジスト組成物は、前記成分以外に、(E)成分として、塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤を含んでもよい。
-C(=O)-O-Rs5A
(式中、Rs5Aは、炭素数1~20のフッ素化ヒドロカルビル基である。)
で表される基である。Rs6は、炭素数1~15のヒドロカルビル基又は炭素数1~15のフッ素化ヒドロカルビル基であり、炭素-炭素結合間に、エーテル結合又はカルボニル基が介在していてもよい。
本発明の化学増幅レジスト組成物は、(F)その他成分として、酸により分解して酸を発生する化合物(酸増殖化合物)、有機酸誘導体、フッ素置換アルコール、架橋剤、酸の作用により現像液への溶解性が変化する重量平均分子量3,000以下の化合物(溶解阻止剤)、アセチレンアルコール類等を含んでいてもよい。具体的には、前記酸増殖化合物に関しては、特開2009-269953号公報、特開2010-215608号公報に詳しく、その含有量は、(A)ベースポリマー100質量部に対し、0~5質量部が好ましく、0~3質量部がより好ましい。含有量が多すぎると、酸拡散制御が難しく、解像性の劣化やパターン形状の劣化を招く可能性がある。その他の添加剤に関しては、特開2008-122932号公報の段落[0155]~[0182]、特開2009-269953号公報、特開2010-215608号公報に詳しい。
本発明のパターン形成方法は、前述したレジスト組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を、高エネルギー線で露光する工程、及び前記露光したレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程を含む。
19F-NMR(500MHz, DMSO-d6): δ= -115.2 (1F, dd), -107.5 (1F, dd) ppm
IR(D-ATR): ν= 3061, 2975, 2953, 2878, 1716, 1658, 1604, 1505, 1477, 1448, 1392, 1369, 1315, 1269, 1257, 1212, 1158, 1098, 1036, 997, 927, 897, 850, 805, 751, 701, 685, 504 cm-1
飛行時間型質量分析(TOFMS; MALDI)
POSITIVE M+263.1 (C18H15S+相当)
NEGATIVE M-343.1 (C17H21F2O5 -相当)
19F-NMR(500MHz, DMSO-d6): δ= -115.2 (1F, dd), -107.6 (1F, dd) ppm
IR(D-ATR): ν= 3369, 3086, 2966, 2935, 2860, 1718, 1653, 1603, 1505, 1475, 1464, 1448, 1429, 1389, 1341, 1313, 1265, 1243, 1153, 1098, 1036, 1012, 998, 964, 896, 849, 798, 767, 739, 708, 680, 526, 489 cm-1
飛行時間型質量分析(TOFMS; MALDI)
POSITIVE M+261.1 (C18H13S+相当)
NEGATIVE M-383.2 (C20H25F2O5 -相当)
窒素雰囲気下、メタクリル酸1-tert-ブチルシクロペンチル22g、メタクリル酸2-オキソテトラヒドロフラン-3-イル17g、V-601(和光純薬工業(株)製)0.48g、2-メルカプトエタノール0.41g及びメチルエチルケトン50gをとり、単量体-重合開始剤溶液を調製した。窒素雰囲気とした別のフラスコにメチルエチルケトン23gをとり、撹拌しながら80℃まで加熱した後、前記単量体-重合開始剤溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま2時間撹拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液を激しく撹拌したメタノール640g中に滴下し、析出した固体を濾別した。前記固体をメタノール240gで2回洗浄した後、50℃で20時間真空乾燥することで、白色粉末状のポリマーP-1を得た(収量36g、収率90%)。ポリマーP-1のMwは8,200、Mw/Mnは1.63であった。
下記表1~5に示す各成分を、界面活性剤Polyfox636(オムノバ社製)0.01質量%を含む溶剤中に溶解させ、得られた溶液を0.2μmのテフロン(登録商標)製フィルターで濾過することで、レジスト組成物を調製した。
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
GBL:γ-ブチロラクトン
CyHO:シクロヘキサノン
DAA:ジアセトンアルコール
Mw=7,700
Mw/Mn=1.82
シリコン基板上に反射防止膜溶液(日産化学(株)製ARC-29A)を塗布し、180℃で60秒間ベークして反射防止膜(膜厚100nm)を形成した。各レジスト組成物(R-1~R-21、R-54、CR-1~CR-10)を前記反射防止膜上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、膜厚90nmのレジスト膜を形成した。ArFエキシマレーザースキャナー((株)ニコン製NSR-S610C、NA=1.30、σ0.94/0.74、Dipole-35deg照明、6%ハーフトーン位相シフトマスク)を用いて液浸露光を行った。なお、液浸液としては水を用いた。その後、90℃で60秒間ベーク(PEB)を施し、2.38質量%TMAH水溶液で60秒間現像を行い、ラインアンドスペース(LS)パターンを形成した。
感度として、ライン幅40nm、ピッチ80nmのLSパターンが得られる最適露光量Eop(mJ/cm2)を求めた。この値が小さいほど感度が高い。
Eopで照射して得たLSパターンを、ラインの長手方向に10箇所の寸法を測定し、その結果から標準偏差(σ)の3倍値(3σ)をLWRとして求めた。この値が小さいほど、ラフネスが小さく均一なライン幅のパターンが得られる。本評価においては、LWRが2.5nm以下のものを良好とし、2.5nmを超えるものを不良とした。
現像後に形成されたパターン中の欠陥数を欠陥検査装置KLA2905(KLA-Tencor社製)により検査し、次式に従って欠陥密度を求めた。
欠陥密度(個/cm2)=検出された総欠陥数/検査面積
欠陥検査条件:光源UV、検査ピクセルサイズ0.22μm、アレイモード
本評価においては、◎:0.03個/cm2未満、△:0.03個/cm2以上0.05個/cm2未満、×:0.05個/cm2以上とした。
各レジスト組成物(R-22~R-53、R-55、CR-11~CR-20)を、信越化学工業(株)製ケイ素含有スピンオンハードマスクSHB-A940(ケイ素の含有量が43質量%)を膜厚20nmで形成したシリコン基板上にスピンコートし、ホットプレートを用いて105℃で60秒間プリベークして膜厚50nmのレジスト膜を作製した。これを、ASML社製EUVスキャナーNXE3300(NA0.33、σ0.9/0.6、クアドルポール照明、ウエハー上寸法がピッチ46nm、+20%バイアスのホールパターンのマスク)を用いて露光(露光量20~40mJ/cm2)し、ホットプレート上で85℃で60秒間PEBを行い、2.38質量%TMAH水溶液で30秒間現像を行い、寸法23nmのホールパターンを形成した。
感度として、ホール寸法が23nmで形成されるときの最適露光量Eop(mJ/cm2)を求めた。この値が小さいほど感度が高い。
Eopで照射して得たホールパターンを、同一露光量ショット内50箇所の寸法を測定し、その結果から標準偏差(σ)の3倍値(3σ)をCDUとして求めた。この値が小さいほど、ホールパターンの寸法均一性が優れる。本評価においては、CDUが3.0nm以下のものを良好とし、3.0nmを超えるものを不良とした。
現像後に形成されたパターン中の欠陥数を欠陥検査装置KLA2905(KLA-Tencor社製)により検査し、次式に従って欠陥密度を求めた。
欠陥密度(個/cm2)=検出された総欠陥数/検査面積
欠陥検査条件:光源UV、検査ピクセルサイズ0.22μm、アレイモード
本評価においては、◎:0.04個/cm2未満、△:0.04個/cm2以上0.06個/cm2未満、×:0.06個/cm2以上とした。
Claims (17)
- 下記式(1)で表されるオニウム塩化合物。
Rf1及びRf2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であるが、少なくとも一方は、フッ素原子又はトリフルオロメチル基である。
L1は、単結合又はカルボニル基である。
Arは、置換基を有していてもよい炭素数3~15の(n+1)価の芳香族基である。
nは、1≦n≦5を満たす整数である。
M+は、アンモニウムカチオン、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンである。
Rは、下記式(R-1)、(R-2)、(R-3)、(R-4)又は(R-5)で表される基である。
Rr5及びRr6は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~5のヒドロカルビル基である。また、Rr4、Rr5及びRr6のいずれか2つが、互いに結合してこれらが結合する原子と共に環を形成してもよい。
破線は、式(1)中のArとの結合手である。) - 下記式(2)で表される請求項1記載のオニウム塩化合物。
n及びmは、1≦n≦5、0≦m≦4及び1≦n+m≦5を満たす整数である。
R3は、水素原子又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~10のヒドロカルビル基である。
R4は、水素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、ヒドロキシ基、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~10のヒドロカルビル基であり、該ヒドロカルビル基中の-CH2-が、エーテル結合又はカルボニル基で置換されていてもよい。mが2以上のとき、各R4は、互いに同一であっても異なっていてもよく、2つのR4が互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。) - R3が、水素原子、イソプロピル基、アダマンチル基又は置換されていてもよいフェニル基である請求項2記載のオニウム塩化合物。
- Rが、式(R-1)又は(R-2)で表される基である請求項1~3のいずれか1項記載のオニウム塩化合物。
- M+が、下記式(M-1)~(M-4)のいずれかで表されるカチオンである請求項1~4のいずれか1項記載のオニウム塩化合物。
L2及びL3は、それぞれ独立に、単結合、メチレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、スルフィニル基、スルホニル基又は-N(RN)-である。RNは、水素原子又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~10のヒドロカルビル基であり、該ヒドロカルビル基中の-CH2-が、エーテル結合、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよい。
p、q、r、s及びtは、それぞれ独立に、0~5の整数である。pが2以上のとき、各RM1は、互いに同一でも異なっていてもよく、2つのRM1が互いに結合してこれらが結合するベンゼン環上の炭素原子と共に環を形成してもよい。qが2以上のとき、各RM2は、互いに同一でも異なっていてもよく、2つのRM2が互いに結合してこれらが結合するベンゼン環上の炭素原子と共に環を形成してもよい。rが2以上のとき、各RM3は、互いに同一でも異なっていてもよく、2つのRM3が互いに結合してこれらが結合するベンゼン環上の炭素原子と共に環を形成してもよい。sが2以上のとき、各RM4は、互いに同一でも異なっていてもよく、2つのRM4が互いに結合してこれらが結合するベンゼン環上の炭素原子と共に環を形成してもよい。tが2以上のとき、各RM5は、互いに同一でも異なっていてもよく、2つのRM5が互いに結合してこれらが結合するベンゼン環上の炭素原子と共に環を形成してもよい。) - 請求項1~6のいずれか1項記載のオニウム塩化合物からなる酸拡散抑制剤。
- (A)酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するベースポリマー、(B)光酸発生剤、(C)請求項1~6のいずれか1項記載のオニウム塩化合物を含む酸拡散抑制剤、及び(D)有機溶剤を含む化学増幅レジスト組成物。
- (A')酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、露光により酸を発生する機能を有する繰り返し単位を含むベースポリマー、(C)請求項1~6のいずれか1項記載のオニウム塩化合物を含む酸拡散抑制剤、及び(D)有機溶剤を含む化学増幅レジスト組成物。
- 露光により酸を発生する機能を有する繰り返し単位が、下記式(d1)~(d4)で表されるものから選ばれる少なくとも1種である請求項9記載の化学増幅レジスト組成物。
ZAは、単結合、フェニレン基、-O-ZA1-、-C(=O)-O-ZA1-又は-C(=O)-NH-ZA1-である。ZA1は、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~20のヒドロカルビレン基である。
ZB及びZCは、それぞれ独立に、単結合、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~20のヒドロカルビレン基である。
ZDは、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、-O-ZD1-、-C(=O)-O-ZD1-又は-C(=O)-NH-ZD1-である。ZD1は、置換されていてもよいフェニレン基である。
R31~R41は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~20のヒドロカルビル基である。また、ZA、R31及びR32のうちのいずれか2つが、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよく、R33、R34及びR35のうちのいずれか2つ、R36、R37及びR38のうちのいずれか2つ又はR39、R40及びR41のうちのいずれか2つが、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよい。
RHFは、水素原子又はトリフルオロメチル基である。
n1は、0又は1であるが、ZBが単結合のときは0である。n2は、0又は1であるが、ZCが単結合のときは0である。
Xa-は、非求核性対向イオンである。) - 請求項8~13のいずれか1項記載の化学増幅レジスト組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をKrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光、電子線又は極端紫外線で露光する工程と、前記露光したレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法。
- 現像液としてアルカリ水溶液を用いて、露光部を溶解させ、未露光部が溶解しないポジ型パターンを得る請求項14記載のパターン形成方法。
- 現像液として有機溶剤を用いて、未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得る請求項14記載のパターン形成方法。
- 前記現像液が、2-オクタノン、2-ノナノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、酢酸ブテニル、酢酸イソペンチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、ギ酸イソペンチル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸ペンチル、乳酸イソペンチル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、ギ酸ベンジル、ギ酸フェニルエチル、3-フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル及び酢酸2-フェニルエチルから選ばれる少なくとも1種である請求項16記載のパターン形成方法。
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