JP7362409B2 - 照明装置およびカメラシステム - Google Patents

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Description

本発明は、電磁波を用いる照明装置およびカメラシステムに関する。
0.2THz以上30THz以下の周波数の電磁波であるテラヘルツ波は、可視光や赤外光と比較すると、波長が長いため、散乱の影響をより受けにくく、また、多くの物質に対してより強い透過性を有する。また、テラヘルツ波は、ミリ波と比較すると、波長が短いため、より高い分解能が得られるカメラの実現が期待されている。上記の周波数帯においては、生体分子や樹脂を始めとする様々な物質の構造や状態に由来する特徴的な吸収が多く存在する。そこで、テラヘルツ波の上記の特徴を活かし、X線に代わるイメージング技術へのテラヘルツ波の応用が期待されている。例えば、公共の場所におけるボディチェックや監視技術などへのテラヘルツ波の応用が挙げられる。
ミリ波やテラヘルツ波を検出するカメラの形態には、被写体が熱放射によって発生する電磁波(電波と光)のうち、所望の電磁波を選択的に検出するパッシブ型と、被写体に所望の電磁波を照射し、被写体から反射する電磁波を検出するアクティブ型とがある。被写体が熱放射によって発生する電磁波は微弱であるため、一般にパッシブ型のカメラには、ミキサ等の高周波回路を用いた検出電磁波の選択と高周波回路の低雑音化が求められる。特に、パッシブ型のカメラは、被写体と被写体周囲の環境との温度差を検知するため、できるだけ微小な温度差を検知できることが望ましい。このために、パッシブ型のカメラにおいては、SNR(信号雑音比)の改善が求められる。一方、アクティブ型のカメラは、被写体に照射した電磁波と被写体で反射されてカメラに到達する電磁波との強度比を検出するため、パッシブ型のカメラに比べて環境温度の影響を受けにくい。このことから、アクティブ型のカメラは、パッシブ型のカメラと比較すると、設置の自由度が高く、適用範囲が広い撮像装置であるといえる。
被写体が人体である場合、テラヘルツ波の波長は、被写体の皮膚表面の凹凸の大きさに対して、同等か長いため、被写体の皮膚はテラヘルツ波に対しては鏡面とみなすことができる。このことから、アクティブ型のカメラは、被写体に対して正反射する電磁波を検出して可視化する、正反射イメージングを行うカメラであるといえる。このような正反射イメージングを行うカメラにおいて、取得画像の輝点を増やして画像のSNRを高めるために、テラヘルツ波を発生する複数の発生素子を配置面に集積して配置した、面型の照明装置を提供する技術が提案されている(特許文献1)。
画像のSNRを高めるためには、テラヘルツ波の発生源の出力を高め、取得画像の輝点を明るくすることも有効である。テラヘルツ波の周波数帯において、可視光領域や赤外光領域の固体デバイスのように、室温で安定して動作する発生源を提供する技術は確立されていない。そこで、ミリ波デバイスのように共振回路を用いてテラヘルツ波を発生する技術が利用される。例えば、テラヘルツ波の周波数帯で利得を有する素子(例えば、トランジスタやダイオード)に外部の共振回路としてのアンテナを集積した発振素子をアレイ化した、テラヘルツ波発振器が提案されている(特許文献2)。
また、上記の発振器を高密度に実装する場合は、デバイスの動作をより安定させるために、デバイスの冷却技術が求められる。そこで、ライン型のLED(発光ダイオード)を集積する技術において、放熱フィンによる冷却効率の限界を補うため、LEDの配光角よりも外側に配置したノズルによって、流体をLEDに当てる冷却技術が提案されている(特許文献3)。
特開2018-87725号公報 特開2014-200065号公報 特開2013-206693号公報
上述したように、正反射イメージングを行うアクティブ型のカメラは、画像のSNRを高めるために、発振素子のアレイ化によりテラヘルツ波の発振器の出力を高めつつ、複数の発振器を配置面に集積して配置した面型の照明装置を用いる。この場合、テラヘルツ波の発振器は熱源でもあるため、発振器が消費する電力の増加と、発振器の集積度の増加に伴い、カメラの照明装置の発熱量が増加する。上記の技術を面型の照明装置に適用し、面内に配置した発振器の横側から流体を流すと、流体の流速と温度に面内分布が生じる。この結果、発振器の冷却効率にばらつきが生じる可能性がある。
本件開示の技術は上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、照明装置において発振器の冷却効率のばらつきを低減する技術を提供することである。
本件開示の技術に係る照明装置は、
筐体と、
前記筐体に収容され、2次元状に配置された、電磁波を発生する複数の発振器が実装されるパッケージと、
前記電磁波が出射される前記筐体の第1の側に配置された窓部と、
それぞれが1つまたは複数の発振器に対応し、前記窓部の前記電磁波が伝搬する位置に設けられた、流体を前記筐体内に流入させる複数の流入孔と、
前記筐体の前記第1の側とは反対側の第2の側に配置された、前記筐体内に流入した前記流体を前記筐体外に排出する排出部と、
前記パッケージが固定される基板と、
前記基板に設けられた、前記筐体内に流入した前記流体を前記排出部に流出させる複数の流出孔と、
を有し、
前記窓部と前記基板とが対向して配置されており、
前記窓部の上面視において、前記発振器が発生する前記電磁波の進行軸と重なる位置に前記流入孔位置し、
前記流入孔から前記筐体内に流入した前記流体が前記発振器に到達するように構成されており、
前記窓部の上面視において、前記流出孔が前記パッケージと重なる位置に設けられる
ことを特徴とする。
また、本件開示の技術に係るカメラシステムは、
被写体からの電磁波の2次元分布を取得するカメラシステムであって、
前記被写体に前記電磁波を照射する、上記の照明装置と、
前記被写体によって反射された前記電磁波を結像する結像部と、
前記結像部によって結像された前記電磁波の2次元分布を検知するセンサ部と、
を有することを特徴とする。
本件開示の技術によれば、発振器の冷却効率のばらつきを低減して、照明装置の動作をより安定させることができる。
第1実施形態に係る照明装置の構成例を説明するための断面図。 第1実施形態に係る照明装置及び発振器の配置例を説明する図。 第1実施形態に係る発振器と流入孔の配置例を説明する図。 第1実施形態に係る発振器と流入孔の別の配置例を説明する図。 第1実施形態に係る発振器の発振素子の配置例を説明する図。 第1実施例に係る照明装置の構成例を説明する図。 第2実施形態に係る照明装置の窓部の構成例を説明する図。 第2実施形態に係る照明装置の窓部の別の態様を説明する図。 第3実施形態に係る照明装置の流入孔の形状を説明する図。 第3実施形態に係る照明装置の流入孔の別の態様を説明する図。 第3実施形態に係る照明装置の流入孔のさらに別の態様を説明する図。 第1実施形態に係る照明装置の窓部の表面形状の例を説明する図。 本件開示の技術に係るカメラシステムの構成例を説明する図。
以下に、図面を参照しつつ、本件開示の技術の好適な実施の形態について説明する。ただし、以下に記載されている構成部品の寸法、材質、形状およびそれらの相対配置等は、発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものである。よって、この発明の範囲を以下の記載に限定する趣旨のものではない。特に図示あるいは記述をしない構成や工程には、当該技術分野の周知技術または公知技術を適用することが可能である。また、重複する説明は省略する場合がある。
本件開示の技術に係る撮像装置の一例としてのテラヘルツ波カメラは、電磁波の一例であるテラヘルツ波を発生する発振器を2次元状に配置した面型の照明装置を有するアクティブ型のテラヘルツ波カメラである。図13に、本件開示の技術に係るテラヘルツ波カメラを用いるテラヘルツ波カメラシステムの構成の一例を示す。テラヘルツ波カメラシステム1300は、被写体1320からテラヘルツ波カメラ1310に到達するテラヘルツ波1391の2次元分布を取得するシステムである。
テラヘルツ波カメラシステム1300は、照明装置100とテラヘルツ波カメラ1310とを有する。照明装置100は、被写体1320にテラヘルツ波191を照射する面型の照明装置である。テラヘルツ波191の周波数は、0.2THz以上30THz以下である。また、テラヘルツ波カメラ1310は、被写体1320から反射するテラヘルツ波1391を受信してテラヘルツ波の2次元分布を取得する撮像装置である。なお、テラヘルツ波カメラ1310の具体的な構成の一例は、特許文献1に記載されている。テラヘルツ波カメラ1310は、被写体1320から反射するテラヘルツ波1391を結像する結像部1301を有する。結像部1301は、レンズ群やミラー群で構成される。結像部1301によって結像されたテラヘルツ波1391の2次元分布は、センサ部1302によって検知される。
センサ部1302は、テラヘルツ波を検知する素子を2次元状に配置したセンサである。テラヘルツ波を検知する素子として、整流型検知素子が利用できる。整流型検知素子の一例として、ショットキーバリアダイオード(Schottky Barrier Diode、SBD)や、セルフスイッチングダイオードや、MIM(Metal-Insulator-Metal)ダイオードなどが挙げられる。また、テラヘルツ波を検知する素子として、FET(Field Effect Transistor)やHEMT(High Electron Mobility Transistor)等のトランジスタ、量子井戸を用いた検知素子が利用できる。また、センサ部1302は、CMOSイメージセンサに用いられる、各画素に相当する素子の信号を読み出す回路を備えていてもよい。
センサ部1302によって検知された信号は、処理部1303に送られ、処理部1303によって画像データに変換される。また、処理部1303は、照明装置100が発生す
るテラヘルツ波191の照射タイミングを制御する。テラヘルツ波191の照射タイミングを制御することで、処理部1303が、相関2重サンプリング等の既知の信号処理を用いて画像データのSNR改善や固定パターンの除去を行うことができる。処理部1303によって変換された画像データは、例えば、外部の画像処理装置1330に送られ、画像処理装置1330の可視化処理や被写体1320の状態の判定処理に利用される。
被写体1320が携帯する秘匿物1322を監視する場合、照射されるテラヘルツ波は被写体1320が着用している衣服1321を透過することが望ましい。そこで、衣服1321に対するテラヘルツ波の透過性を踏まえると、本件開示の技術で用いるテラヘルツ波の周波数は1THz以下であることが望ましい。秘匿物1322の識別能を十分に確保する点では、センサ部1302の画素数は10000画素よりも多いことが望ましい。テラヘルツ波の波長は数100μmであるため、センサ部1302の画素サイズはこの波長に準じて決定される。したがって、センサ部1302の大きさは、典型的には数10mmである。また、センサ部1302の大きさにより、テラヘルツ波カメラ1310の光学系や機械の大きさが決まる。本願発明者らの検討によれば、ユーザによる持ち運び可能なカメラのサイズを維持しつつ、衣服1321に対する十分な透過性と秘匿物1322の識別能を両立するために、テラヘルツ波の周波数帯域は0.4THzから0.6THzであることがより好ましい。なお、テラヘルツ波の周波数帯域はこれに限定されず、テラヘルツ波カメラの適用対象に応じて適宜選択されてよい。
面型の照明装置100には、テラヘルツ波の周波数帯域において利得を有する素子(例えば、トランジスタやダイオード)に外部共振回路としてのアンテナ構造を集積した発振素子をアレイ化した発振器が用いられる。例えば、上記利得を有する素子として共鳴トンネルダイオード(Resonant Tunneling Diode、RTD)が用いられる。また、この発振器の詳細な構成の一例は、特許文献2に示されている。
図1は、照明装置100の構成例を説明するための断面図である。図2は、照明装置100に用いる発振器101の配置例を説明する図である。面型の照明装置100では、複数の発振器101が2次元状に配置されている。例えば、図2のように、複数の発振器101が配置面上においてマトリクス状に配置されている。本件開示の技術では、図1に示すように、発振器101が発生するテラヘルツ波191の出射方向から、照明装置100の筐体102の外部の流体193(好適には空気)が筐体102の内部に引き込まれる。そして、流体193によって発振器101が冷却される。流体193の流速は、照明装置100の筐体外の流体193を筐体内に流入させる複数の流入孔104によって調整される。流入孔104は、筐体102の、テラヘルツ波191が出射される側であって、発振器101の近傍に設けられる。流入孔104と、流入孔104から流入した流体194によって冷却される発振器101とのそれぞれの組において、流入孔104から発振器101までの距離が略等しいため、発振器101に到達する流体194の流量や流速も略等しいといえる。このため、照明装置100では各発振器101の冷却効率のばらつきが低減することが期待できる。
以下に、本件開示の技術における実施形態について説明する。ただし、実施形態は以下に説明する構成に限定されず、本発明の課題を解決できる構成を実現するという、本発明の趣旨の範囲で種々の変形、変更などが可能である。
(第1実施形態)
第1実施形態に係る照明装置について説明する。なお、上記の説明と共通する部分の説明は省略する。
第1実施形態に係る照明装置は、図1に例示する照明装置100の構成を有する。照明
装置100は、発振器101、筐体102、窓部103、流入孔104、排出部105を有する。照明装置100は、2次元状に配置された複数の発振器101を有する。発振器101は、テラヘルツ波191を発生する。なお、発振器101は、テラヘルツ波191の代わりに、ミリ波等の電波や光などを発生してもよい。複数の発振器101が、照明装置100の筐体102に収容されている。
窓部103は、筐体102のテラヘルツ波191が出射される側に設けられ、筐体102と共に閉空間を構成する。筐体102のテラヘルツ波191が出射される側が、第1の側の一例である。好ましくは、窓部103はテラヘルツ波191に対して透過性を有する。窓部103の材料として、ポリスチレン、ポリエチレン、テフロン(登録商標)、ポリフォレフィンなどの樹脂材料が用いられる。テラヘルツ波191に対して透過性を有する材料を使用することで、窓部103によるテラヘルツ波191の損失を低減することができる。
窓部103には、複数の流入孔104が設けられる。それぞれの流入孔104は、発振器101が発生するテラヘルツ波191が伝搬する位置に設けられる。より具体的には、流入孔104は、テラヘルツ波191の進行軸192と窓部103とが略重なる位置に配置される。流体193は、流入孔104を通過して筐体102内に流入する。なお、以下の説明では、筐体102内に流入した流体193を、第1の流体194とも呼ぶ。
流入孔104は、窓部103に設けられた開口部である。図1の流入孔104の形状は、窓部103の上面視において円形である。なお、流入孔104の形状は、円形に限らず、多角形状、複数の曲線が組み合わされた形状、多角形状と曲線形状とが組み合わされた形状などが適用できる。本実施形態では、図1に示すように、流入孔104の最小幅をDとする。流入孔104が円形の場合、最小幅Dは円の直径である。流入孔104の形状が多角形状と曲線形状を組み合わせた形状である場合、最小幅Dは、流入孔104が形成される窓部103の上面に平行な方向における最小距離である。図1の流入孔104は、窓部103の上面に垂直な方向に延在するように形成されているが、窓部103の上面に対して傾斜した方向に延在するように形成されてもよい。
窓部103の表面は、図12に示すような凹凸構造1223を有していてもよい。図12では、凹凸構造1223が窓部103の下面に形成されているが、窓部103の上面に形成されてもよい。凹凸構造1223は、窓部103の上面または下面を、テラヘルツ波191の波長よりも小さい間隔で凹凸が繰り返されるように加工することで得られる。この構造により、テラヘルツ波191に対する窓部103の屈折率の変化がなだらかになり、窓部103におけるテラヘルツ波191の損失を低減することができる。
また、筐体102には、テラヘルツ波191が出射される窓部103が配置される側とは反対側に、排出部105が配置されている。筐体102のテラヘルツ波191が出射される側とは反対側が、筐体102の第2の側の一例である。排出部105はファンを有し、ファンの駆動によって筐体102内を負圧にすることで、筐体102外の空気の筐体102内への流入を促すとともに、筐体102内に流入した流体を排出部105から筐体102外に排出する。排出部105の流体を筐体102外に排出する構成は、ファンの他に、真空ポンプを用いて実現されてもよい。以下の説明では、パッケージ108の周囲を流れて流出孔106を通った流体を筐体内の流体195とも呼ぶ。さらに、排出部105から筐体102外に排出される流体を、第2の流体196とも呼ぶ。
図1に示す例では、複数の発振器101が発生するテラヘルツ波191が、複数の発振器101の配置面に対し略垂直の方向に出射される。流入孔104を、テラヘルツ波191の進行軸192と重なる位置に設けることで、流入孔104が発振器101と対向する
ように配置される。ここで、図1に示すように、流入孔104から発振器101までの距離をLとする。また、流入孔104から発振器101までの距離Lを、発振器101と流入孔104の距離Lと呼ぶこともある。
排出部105によって、筐体内の流体195が、第2の流体196として筐体102外に排出されるとともに、筐体外の流体193が、流入孔104を通って第1の流体194として筐体102内に流入する。流入孔104と発振器101は、各流入孔104から筐体102内に流入した第1の流体194が、流入孔104に対向する発振器101に到達するように構成されている。発振器101から流入孔104までのそれぞれの距離Lが略同じである場合、発振器101に導かれる第1の流体194の流速もそれぞれ略同じとなる。これにより、複数の発振器101に対する冷却効率のばらつきが抑制される。
基板107の一部には、複数の流出孔106が設けられている。図1に示すように、流出孔106は、発振器101および流入孔104と対向する位置に設けられている。好ましくは、流出孔106は、窓部103の上面視において、パッケージ108と重なる位置に設けられる。これにより、パッケージ108に対して、発信機101と流出孔106とが対向するように配置される。第1の流体194は、発振器101およびパッケージ108の周囲を迂回しながら流出孔106に流れ込む。そして、第1の流体194は、流出孔106を通って筐体内の流体195として筐体102内を移動する。この構成によれば、流入孔104と流出孔106によって、第1の流体194の経路が、発振器101、パッケージ108、放熱部109の周囲に形成され、第1の流体194の流速が高まることが期待できる。この結果、発振器101に対する冷却効率の改善が期待できる。
図1に示すように、発振器101はパッケージ108に実装されている。また、パッケージ108から生じる熱を放熱する放熱部109が、パッケージ108の底面に密着するように設けられている。放熱部109は、パッケージ108から生じる熱を外部に逃がすための部材であり、金属などの熱伝導率が高い材料で構成される。好ましくは、放熱部109に、ヒートシンクなどのような、部材の表面積をより大きくするための凹凸構造が設けられているとよい。発振器101と放熱部109との間に介在するパッケージ108の熱抵抗を小さくするため、発振器101のグランド配線が放熱部109と接続されている。パッケージ108は、筐体102内の基板107に固定される。発振器101から発生した熱の一部は、パッケージ108を経由して基板107に伝達する。したがって、基板107は、筐体102と接するように配置されていることが好ましい。これにより、パッケージ108から基板107に伝達した熱の一部を筐体102に逃がすことができる。
図2は、図1に示す照明装置100の上面図である。より詳細には、図2は、窓部103を除いた照明装置100の上面図である。本実施形態では、パッケージ108は、筐体102内の基板107上にマトリクス状に配置される。パッケージ108の配置はこれに限らず、直線状の配置であってもよい。また、パッケージ108の配置には、その他の幾何学的な形状による配置が採用されてもよい。本実施形態では、パッケージ108に2つの発振器101が実装されている。なお、パッケージ108に実装される発振器101の数はこれに限らない。例えば、1つのパッケージ108に1つの発振器101が実装されてもよい。パッケージ108に設けられる放熱部109は板状の部材であり、照明装置100の上面視において、放熱部109の大きさはパッケージ108よりも大きい。このように放熱部109の大きさをパッケージ108よりも大きくすることで、放熱面積を大きくして冷却効率の改善を図ることができる。放熱部109の構造は、板状の構造に限らず、部材の表面積を大きくする目的で、凹凸構造やフィン構造が採用されてよい。これにより、複数の発振器101の間で冷却効率のばらつきを抑制することができる。また、発振器101の動作がより安定するため、発振器101をより高密度に配置することができる。
図3は、図1および図2に示す照明装置100の上面図である。図3には、窓部103も示されている。より詳細には、図3は、発振器101と流入孔104の配置の一例を示す。図3に示すように、窓部103の上面視において、発振器101は窓部103に設けられた流入孔104の中心と略重なる位置に配置されている。これにより、窓部103から発振器101を見て、発振器101の少なくとも一部が流入孔104の内側に位置する。また、発振器101と流入孔104は、互いに1対1に対応するように配置されている。窓部103の上面視において、発振器101が発生するテラヘルツ波191の進行軸192と、流入孔104の中心とは略一致している。また、発振器101と流入孔104とが互いに1対1に対応するように配置されていることで、発振器101と流入孔104のそれぞれの距離Lが略同じになる。これにより、発振器101に到達する第1の流体194の流速のばらつきが抑制され、各発振器101の冷却効率のばらつきも抑制される。さらに、窓部103の上面視において、流入孔104の略中心に発振器101が配置されていることで、テラヘルツ波191が流入孔104の略中心を伝搬する。したがって、テラヘルツ波191が伝搬する範囲と窓部103とが重なる領域が、流入孔104が形成されている領域分小さくなるため、窓部103によるテラヘルツ波191の損失も小さくなる。
図4は、発振器101と流入孔104の別の配置例を示す照明装置100の上面図である。より詳細には、発振器101と流入孔104は、N対1(Nは自然数)で対応するように配置されている。図4に示す例ではNが2であり、発振器101と流入孔104とが2対1で対応するように配置されている。窓部103の上面視において、発振器101の一部が、流入孔104が形成されている領域と重なる。また、窓部103の上面視において、発振器101が占有する領域の略半分の領域が、流入孔104が形成されている領域と重なっている。なお、図4には、Nが2である場合の例を示すが、Nはその他の自然数であってもよい。
発振器101に到達する第1の流体194の流速は、窓部103の面積に対する流入孔104の面積の比(開口率とも呼ぶ)に反比例する。理論的には、開口率が変わらなければ第1の流体194の流速は変わらない。ただし、流入孔104が小さくなると、第1の流体194の流量が小さくなる結果、第1の流体194の流速も小さくなる可能性がある。言い換えると、筐体外の流体193が流入孔104を通る際に、筐体外の流体193の一部が窓部103によって遮られる結果、第1の流体194の圧力が低下する。これを流体の圧力損失と呼ぶ。図4に示すように、発振器101と流入孔104とがN対1で対応するように配置することで、発振器101と流入孔104とが1対1で対応するように配置される場合に比べて、流入孔104を大きくすることができる。これにより、第1の流体194の圧力損失を低減することができ、発振器101の冷却効率が向上する。
図5は、発振器101の発振素子504の配置例を示す。図5に示す例では、照明装置100の正面におけるテラヘルツ波の強度を高めるため、36個の発振素子504をアレイ化した発振器101の概略構成の一例を示す。発振素子504は、テラヘルツ波の周波数帯域において利得を有する素子501とアンテナ構造502によって構成される。隣接する発振素子504は、空間結合によって結合する。また、隣接する発振素子504の間隔に応じて、各発振素子504から発生するテラヘルツ波の位相が特定の状態で同期する。テラヘルツ波の位相の同期を利用することで、照明装置100の正面におけるテラヘルツ波の強度、指向性、照射方向などを制御することができる。アレイ化される発振素子504の個数は、テラヘルツ波の必要な強度や指向性によって適宜選択される。また、隣接する発振素子504の結合は、配線を用いて達成することもできる。なお、発振素子504に用いられる素子501には、RTDに限らず、ガンダイオード(Gunn Diode)やインパットダイオード(IMPATT Diode)のように、テラヘルツ波の周
波数帯域において利得を有する素子も使用できる。また、dはアンテナ開口とも呼ぶ。
1個の発振器101において4個の発振素子504をマトリクス状に配置して各発振素子504から発生するテラヘルツ波の位相を同期させる場合、電磁界解析によれば、テラヘルツ波の指向性は約43度である。ここで、テラヘルツ波の指向性とは、テラヘルツ波の電力に関する半値角であり、テラヘルツ波の最大放射方向の電力に対して半分の電力となる角度である。そして、1個の発振器101における発振素子504の個数を16個、36個と増やすと、テラヘルツ波の指向性は、23度、約16度と鋭くなっていく。このように、テラヘルツ波191の位相を同期させる発振素子504の個数を増やすことで、テラヘルツ波191の指向性をより鋭くすることができる。
窓部103の上面視において、流入孔104が形成される領域と重なるように発振器101を配置する場合、上記のようにテラヘルツ波191の指向性を鋭くすることで、テラヘルツ波191が流入孔104内を伝搬する割合を高めることができる。この結果、窓部103によるテラヘルツ波191の損失を低減することができる。また、テラヘルツ波191が流入孔104内を伝搬する割合を高めることで、窓部103には導電性の金属を用いることができる。窓部103を金属によって構成することで、照明装置100において発生するノイズが外部に漏れる可能性を小さくすることができる。
一般に発熱体の温度上昇ΔT[K]は、熱伝達率h[W/mK]に反比例する。そのため、熱伝達率hが大きくなる程、発熱体の冷却効率は高くなる。図1において、第1の流体194の流速をU[m/s]とするとき、第1の流体194が層流である場合は、熱伝達率hは流速Uの0.5乗に比例する。また、第1の流体194が乱流である場合は、熱伝達率hは流速Uの0.8乗に比例する。このことから、第1の流体194は乱流であることが好ましく、第1の流体194を乱流とすることで発振器101の冷却効率が向上する。
流体に乱流が発生するか否かは、レイノルズ数Reを用いて判断することができる。一般的に、レイノルズ数Reが2000を超えると、流体は層流から乱流に遷移する。ここで、第1の流体194の密度をρ[kg/m]、第1の流体194の粘性係数をμ[Kg/m・s]、流入孔104の最小幅をD[m]とするとき、レイノルズ数Reは、ρUD/μで表される。このことから、第1の流体194が乱流となる場合の流入孔104の最小幅Dの条件は、第1の流体194の流速Uを用いて以下の式(1)により決まる。
Figure 0007362409000001
また、排出部105の換気量をA[m/s]、筐体102内の断面積をS[m]、流入孔104の総面積と筐体102内の断面積Sの比(開口率)をaとするとき、換気量Aと第1の流体194の流速Uの関係は、以下の式(2)により算出される。
Figure 0007362409000002
式(1)と式(2)とから、式(1)は、排出部105の換気量Aを用いて以下の式(3)に示すように変形することができる。
Figure 0007362409000003
最小幅Dの流入孔104から筐体102内に流入する第1の流体194の速度Uは、流入孔104の開口から離れるに従って小さくなる。一般に、第1の流体194の速度について、流速Uが一定とみなせる流入孔104からの距離は5D以下である。このことから、熱源である発振器101は、流入孔104からの距離が5D以内の範囲内の位置に配置することで、第1の流体194が流速Uで発振器101に到達するよう構成することが可能となる。より詳細には、図1において、流入孔104から発振器101までの距離をLとする場合、Lは以下の式(4)に示す関係を満たすことが好ましい。
Figure 0007362409000004
上記の関係を満たす位置に発振器101を配置することで、流速が最大となる条件で第1の流体194が発振器101に到達する構成とすることが可能となり、発振器101の冷却効率がより高まることが期待できる。
次に、発振器101の発振動作をより安定させるための距離Lについて説明する。図5に示すように、発振器101を構成する発振素子504は、利得素子である素子501とアンテナ構造502とを有する。アンテナ構造502は、発振素子504が所望の周波数で発振するための位相条件を調整し、テラヘルツ波を発生する役割を有する。また、アンテナ構造502は、発生したテラヘルツ波を外部に送り出すためのインピーダンス整合器としての役割も有する。また、互いに隣接する発振素子504は空間で結合し、各発振素子504から発生するテラヘルツ波の位相が特定の状態で同期する。テラヘルツ波の位相の同期を利用することで、照明装置100の正面におけるテラヘルツ波の強度、指向性、照射方向などを制御することができる。
発振器101には、種々のアンテナ構造が採用でき、アンテナの近傍界(フレネル領域)に部材を配置すると、アンテナの特性が変化してテラヘルツ波の状態も変化する。そのため、アンテナの近傍界には部材を配置しないことが好ましい。図5に示す例において、発振器101の複数のアンテナ構造502のアンテナ開口をd[m]、テラヘルツ波の波長をλ[m]とするとき、発振器101の近傍界は2d/λとなる。例えば、図1に示す窓部103は、発振器101のアンテナの近傍界の外側に配置することが好ましい。より詳細には、図1において、流入孔104から発振器101までの距離Lは、以下の式(5)に示す関係を満たすことが好ましい。
Figure 0007362409000005
上記関係を満たす位置に窓部103と流入孔104を設けることで、発振器101のアンテナ特性の影響を抑制して、発振器101の発振動作をより安定させることができる。
また、式(4)と式(5)より、Lは以下の式(6)に示す関係を満たすことが好ましい。
Figure 0007362409000006
発振器101と流入孔104との位置関係を、式(6)を満たす関係とすることで、発振器101の動作をより安定させつつ、発振器101の冷却効率を向上させることが可能となる。
(第1実施例)
次に、第1実施形態の一態様である第1実施例について説明する。より詳細には、流入孔104の最小幅Dと、流入孔104から発振器101までの距離Lの設計例を示す。なお、以下の説明において、上記の説明と共通する部分については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
図6A、図6Bに、第1実施例における照明装置100の構成例を示す。なお、図6Bは、図6AのA-A’線による照明装置100の断面図である。筐体外の流体193、第1の流体194、筐体内の流体195、第2の流体196は空気である。第1の流体194の密度ρは、1.206kg/m、第1の流体194の粘性係数μは、1.83×10-5kg/m・sである。
筐体102はアルミニウムで構成し、筐体102の内寸法(発振器101が配置される基板107の面と平行な方向における寸法)は100mm×100mmである。筐体102内の断面積Sは、0.01mである。放熱の効率を上げるため、アルミニウムはアルマイト処理などによる黒色のメッキが施されることが好ましい。排出部105は、DCファンであり、筐体102に設けられる30mm×30mmの開口に設置される。この場合のDCファンの換気量は0.36m/minであると考えられる。ただし、流入孔104や流出孔106の構造による流体の圧力損失を考慮して、本実施例でのDCファンの換気量は、その半分の換気量、すなわち換気量Aは0.18m/min(0.003m/s)であるとする。
発振器101は、半導体ウエハから3mm×3mmのサイズに切り出され、1つのパッケージ108に1個実装される。発振器101の構成は図5と同じである。図5に示すように、発振器101は、テラヘルツ波を発振する36個の発振素子504がマトリクス状に配置される。アンテナ構造502は、150μm×150μmのパッチアンテナ構造である。アンテナ開口dは1.65mmである。また、発振素子504が発振するテラヘルツ波の波長λは、600μm(周波数0.5THz)である。基板107には、24個のパッケージ108が配置され、照明装置100は、24個の発振器101で構成される。
窓部103は、厚さ3mmの高密度ポリエチレンで構成される。窓部103に形成される流入孔104は、円形状の開口を有し、図6A、図6Bに示すように、流入孔104と発振器101とが1対1で対応するように設けられる。より詳細には、流入孔104は24個あり、窓部103の上面視において、発振器101の中心と流入孔104の中心とが略一致するように設けられる。
流入孔104の最小幅がD、流入孔104の数がN個であるとき、開口率aは、以下の式(7)により算出できる。
Figure 0007362409000007
そして、式(3)と式(7)を用いることで、第1の流体194が乱流となる流入孔104の穴径Dが式(8)によって求められる。
Figure 0007362409000008
図6Aに示すように、本実施例では流入孔104の数は24個(N=24)である。また、第1の流体194は空気(密度ρは1.206kg/m、粘性係数μは1.83×10-5kg/m・s)である。また、排出部105の換気量Aは0.003m/sである。このとき、流入孔104の穴径である最小幅Dが5.24mmより小さい場合に第1の流体194は乱流となる。そこで、本実施例では、流入孔104の最小幅Dを5mmとする。
式(6)より、発振器101のアンテナ開口dが1.65mm、テラヘルツ波の波長λが600μm(周波数0.5THz)であるとき、流入孔104から発振器101までの距離Lは、9mm<L<25mmである。そこで、本実施例では、流入孔104から発振器101までの距離Lを10mmとする。
以上の照明装置100の構成により、テラヘルツ波を出射する発振器の冷却効率のばらつきを低減して、より安定した動作が可能な照明装置を提供することができる。
(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係る照明装置について説明する。より詳細には、本実施形態では、第1実施形態に係る照明装置において窓部103の代わりに窓部603が用いられている。なお、以下の説明において、上記の説明と共通する部分については同一の符号を付し詳細な説明は省略する。
図7A、図7Bは、本実施形態における窓部703の断面図と上面図をそれぞれ示す。図7A、図7Bに示すように、窓部703は、装置外部のゴミが筐体102内に入ることを防止する防塵部721を有する。防塵部721は、テラヘルツ波に対して透過性を有し、いわゆる連続多孔質構造を有する材料で構成されている。防塵部621には、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、テフロン(登録商標)等の連続多孔性あるいは発泡性を有する樹脂シートが使用される。また、図7A、図7Bに示すように、防塵部721は、流入孔104の開口を覆うように窓部703に配置される。より詳細には、防塵部721は、発振器100が発生するテラヘルツ波の進行軸192と交差して、流入孔104の上端部に接するように配置される。
防塵部721を窓部703の流入孔104に配置することで、筐体外の流体193が筐体102内に流入する際に、防塵部721が、装置外部のゴミが流入孔104を通って筐体102内に移動することを防止する。この結果、図7A、図7Bには示されていない発振器101にゴミが衝突することが防止される。したがって、ゴミが発振器101に衝突して発振器101が故障する現象が回避されるため、第1の流体194の流速をより大き
くすることができる。これにより、本実施形態によれば、発振器101の冷却効率をさらに高めることができる。
また、筐体外の流体193が防塵部721を通過する際、筐体外の流体193の流れが防塵部721の多孔質構造によって不規則に乱れ、その後、流体193は防塵部721の細孔を通って流入孔104に流れ込む。したがって、防塵部721を設けることで、流入孔104内にさらに複数の流入孔を形成する構成と実質的に同じ構成を実現できる。そのため、第1の流体194が乱流になりやすくなり、発振器101の冷却効率がさらに高まることが期待できる。
図8A、図8Bは、窓部703の変形例である窓部803の断面図と上面図をそれぞれ示す。図8A、図8Bに示すように、窓部803は防塵部821を有する。そして、防塵部821の一部が、流入孔104に嵌入されている。この構造は、例えば、ポリエチレン板、ポリスチレン板、テフロン(登録商標)板を、流入孔104の形状に合わせて凸部を有する構造に加工し、加工された凸部を流入孔104に圧入することで実現できる。
防塵部821を用いる場合、防塵部721に比べて、流入孔104に嵌入されている分、流体193が通過する領域を増やすことができるので、防塵部821の強度も防塵部721に比べて高くすることができる。この結果、第1の流体194の流速をより大きくすることで、発振器101の冷却効率をさらに高めることができる。
(第3実施形態)
次に、第3実施形態に係る照明装置について説明する。より詳細には、本実施形態に係る照明装置は、第1実施形態に係る照明装置の窓部103の代わりに窓部903を有する。窓部803には、窓部103の流入孔104の代わりに流入孔904が設けられている。なお、以下の説明において、上記の説明と共通する部分については同一の符号を付し詳細な説明は省略する。
図9A、図9Bは、本実施形態における流入孔904の構成を説明するための、窓部903の断面図と上面図をそれぞれ示す。図9Aに示すように、流入孔904は、開口径(直径)が不図示の発振器101の方向(紙面下方向)に向かって小さくなるテーパ形状を有する。言い換えると、筐体外の流体193が流れ込む側の流入孔904の開口径(直径)D91が、流体193が第1の流体194として流れ出る側の流入孔904の開口径(直径)D92に比べて大きい。
流入孔904の側壁が上記テーパ形状となるように傾斜していることで、筐体外の流体193が流れ込む側の開口がより広くなる。このため、筐体外の流体193が流入孔904に流入してから第1の流体194として流入孔904から流出するまでの過程における流入孔904の構造の変化がより緩やかになる。これにより、流体193の圧力損失が軽減され、流入孔904が流出する第1の流体194の流速低下も抑制され、不図示の発振器101の冷却効率がさらに高まることが期待できる。
次に、図10A、図10Bは、窓部903の別の一態様である窓部1003の断面図と上面図をそれぞれ示す。窓部1003には流入孔1004が設けられている。図10A、図10Bに示すように、流入孔1004は、開口径(直径)が互いに異なる2つの開口部1004a、1004bによって構成されている。より詳細には、筐体外の流体193が流れ込む開口部1004aの開口径(直径)D101が、流体193が第1の流体194として流れ出る開口部1004bの開口径(直径)D102に比べて大きい。
次に、図11A、図11Bは、窓部903、1003の別の一態様である窓部1103
の断面図と上面図をそれぞれ示す。図11Aに示すように、流入孔1104は、側壁に筐体内に向かって(紙面下方向)螺旋状の溝が形成されている螺旋構造を有する。この螺旋構造により、筐体外の流体193が流入孔1104を通過するときに、矢印1110で示すように流体193に回転力が加わることで流体193の流速がより大きくなる。この結果、流入孔1104から流れ出る第1の流体194に乱流が生じやすくなる。したがって、上記の説明の通り、第1の流体194に乱流が生じることによる発振器101の冷却効率の向上が期待できる。
100・・・照明装置、101・・・発振器、102・・・筐体、103・・・窓部、104・・・流入孔、105・・・排出部

Claims (13)

  1. 筐体と、
    前記筐体に収容され、2次元状に配置された、電磁波を発生する複数の発振器が実装されるパッケージと、
    前記電磁波が出射される前記筐体の第1の側に配置された窓部と、
    それぞれが1つまたは複数の発振器に対応し、前記窓部の前記電磁波が伝搬する位置に設けられた、流体を前記筐体内に流入させる複数の流入孔と、
    前記筐体の前記第1の側とは反対側の第2の側に配置された、前記筐体内に流入した前記流体を前記筐体外に排出する排出部と、
    前記パッケージが固定される基板と、
    前記基板に設けられた、前記筐体内に流入した前記流体を前記排出部に流出させる複数の流出孔と、
    を有し、
    前記窓部と前記基板とが対向して配置されており、
    前記窓部の上面視において、前記発振器が発生する前記電磁波の進行軸と重なる位置に前記流入孔位置し、
    前記流入孔から前記筐体内に流入した前記流体が前記発振器に到達するように構成されており、
    前記窓部の上面視において、前記流出孔が前記パッケージと重なる位置に設けられる
    ことを特徴とする照明装置。
  2. 前記窓部は、前記電磁波に対して透過性を有する材料で構成されることを特徴とする請求項1に記載の照明装置。
  3. 前記電磁波に対して透過性を有する材料で構成され、連続多孔質構造を有する防塵部をさらに有し、
    前記防塵部は、前記複数の流入孔を覆うように配置される
    ことを特徴とする請求項1または2に記載の照明装置。
  4. 前記防塵部の一部が、前記複数の流入孔に嵌入されていることを特徴とする請求項に記載の照明装置。
  5. 前記複数の流入孔の少なくとも1つが、互いに開口径が異なる複数の開口部によって構成されていることを特徴とする請求項1からのいずれか一項に記載の照明装置。
  6. 前記複数の流入孔の少なくとも1つが、開口径が前記筐体内に向かって小さくなるテーパ形状を有することを特徴とする請求項1からのいずれか一項に記載の照明装置。
  7. 前記複数の流入孔の少なくとも1つの側壁に、螺旋状の溝が形成されていることを特徴とする請求項1からのいずれか一項に記載の照明装置。
  8. 前記流入孔の最小幅をD(m)、前記流入孔から流出する前記流体の流速をU(m/s)、前記流体の密度をρ(kg/m)、前記流体の粘性係数をμ(kg/m・s)とすると、以下の式(1)が成り立つ
    Figure 0007362409000009
    ことを特徴とする請求項1からのいずれか一項に記載の照明装置。
  9. 前記流入孔から前記発振器までの距離をL(m)、前記流入孔の最小幅をD(m)とすると、以下の式(2)が成り立つ
    Figure 0007362409000010
    ことを特徴とする請求項1からのいずれか一項に記載の照明装置。
  10. 前記発振器は、
    前記電磁波の周波数帯域において利得を有する素子と、アンテナとを有し、前記電磁波を発振する複数の発振素子
    を有し、
    前記複数の発振素子のうち隣接する発振素子が結合して、前記隣接する発振素子によって発振されるそれぞれの前記電磁波の位相が同期する
    ことを特徴とする請求項1からのいずれか一項に記載の照明装置。
  11. 前記流入孔から前記発振器までの距離をL(m)、前記アンテナのアンテナ開口をd(m)、前記電磁波の波長をλ(m)とすると、以下の式(3)が成り立つ
    Figure 0007362409000011
    ことを特徴とする請求項10に記載の照明装置。
  12. 前記電磁波の周波数は、0.2THz以上30THz以下であることを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の照明装置。
  13. 被写体からの電磁波の2次元分布を取得するカメラシステムであって、
    前記被写体に前記電磁波を照射する、請求項1から12のいずれか一項に記載の照明装置と、
    前記被写体によって反射された前記電磁波を結像する結像部と、
    前記結像部によって結像された前記電磁波の2次元分布を検知するセンサ部と、
    を有することを特徴とするカメラシステム。
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