JP7360592B2 - 発光素子の製造方法及び発光素子 - Google Patents
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Description
図2は、半導体積層体10の第2面10b側の模式平面図である。図3は、図2のIII-III線における模式断面図である。
図4は、図2と同じ領域の模式平面図である。図5は、図4のV-V線における模式断面図である。
図6は、図2と同じ領域の模式平面図である。図7は、図6のVII-VII線における模式断面図である。
図8は、図2と同じ領域の模式平面図である。図9は、図8のIX-IX線における模式断面図である。
図10は、図2と同じ領域の模式平面図である。図11は、図10のXI-XI線における模式断面図である。
図12は、図2などに示す2つの素子領域100のうちの1つの素子領域100の模式平面図である。以降の工程においても1つの素子領域を示す。図13は、図12のXIII-XIII線における模式断面図である。
図16は、図12と同じ領域の模式平面図である。図17は、図16のXVII-XVII線における模式断面図である。
半導体積層体10の複数の素子領域100を溝80によって互いに分離する。溝80に半導体積層体10(第1半導体層11)の側面が露出する。この後に、素子領域100の第1面(光取り出し面)10aの反対側の面以外の部分(第1半導体層11の側面を含む)を覆うレジストマスクを形成し、CVD法やスパッタ法などで反射層を形成する。素子領域100の第1面10aの反対側の面はレジストマスクの開口部に露出する。反射層はレジストマスクの開口部を通じて、素子領域100の第1面10aの反対側の面に形成される。さらに、レジストマスク上にも反射層は形成される。そして、レジストマスクをリフトオフすることで、素子領域100の第1面10aの反対側の面に反射層が形成され、第1半導体層11の側面には反射層が形成されない構造が得られる。
また、第1面10aの反対側の面側に反射層が設けられ、第1半導体層11の側面に反射層が設けられない構造を形成する方法の第2の比較例として、半導体積層体10の複数の素子領域100を溝80によって互いに分離した後、第1半導体層11の側面を含めた全面に反射層を形成する。そして、素子領域100の第1面10aの反対側の面を覆うマスクを形成して、第1半導体層11の側面に形成された反射層をエッチングして除去する方法が考えられる。この第2の比較例の方法においては、第1半導体層11の側面の反射層を除去する難易度が高い。つまり、溝80のように比較的大きい段差に形成された反射層を除去することは難易度が高い。
Claims (11)
- 第1半導体層と、前記第1半導体層上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられた第2半導体層と、を有し、前記第1半導体層の一部、前記活性層の一部、及び、前記第2半導体層の一部を含み、それぞれが離隔した複数の素子領域を含む半導体積層体を有するウェーハを準備する工程と、
複数の前記素子領域の前記第2半導体層と、複数の前記素子領域のうち隣り合う前記素子領域の間に位置する前記第2半導体層と、に連続して誘電体多層膜を含む第1反射層を形成する工程と、
複数の前記素子領域の上方に位置する前記第1反射層を覆う複数の第1マスクを形成する工程と、
複数の前記第1マスクのうち隣り合う前記第1マスクの間の領域の前記第1反射層及び前記半導体積層体の一部を前記第1半導体層が露出するように除去し、複数の前記素子領域のうち隣り合う前記素子領域の間に位置する前記半導体積層体に溝を形成する工程と、
を備える発光素子の製造方法。 - 前記溝を形成する前記工程において、RIE法により前記第1反射層及び前記半導体積層体の前記一部を除去する請求項1に記載の発光素子の製造方法。
- 前記溝を形成する前記工程は、
フッ素を含むガスを用いたエッチングにより、前記第1マスクの間の領域の前記第1反射層を除去する工程と、
塩素を含むガスを用いたエッチングにより、前記第1マスクの間の領域の前記半導体積層体の前記一部を除去する工程と、
を有する請求項2に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第1反射層を形成した後に、前記第1反射層の上に第2反射層を形成する工程をさらに備える請求項1から3のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第2反射層を形成する前記工程は、
前記溝を形成した後、前記溝を覆う第2マスクを形成する工程と、
前記第2マスク上及び前記第1反射層上に前記第2反射層を形成する工程と、
前記第2マスク及び前記第2マスク上の前記第2反射層を除去する工程と、を有する請求項4に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第2反射層を形成する前記工程は、
前記溝を形成する前に、前記第1反射層上に連続して前記第2反射層を形成する工程と、
複数の前記素子領域の上方に位置する前記第2反射層を覆う第3マスクを形成する工程と、
前記第3マスクの間の領域の前記第2反射層を除去する工程と、を有する請求項4に記載の発光素子の製造方法。 - 前記ウェーハを準備する前記工程は、前記第1半導体層の前記一部上に第1電極を形成する工程と、前記第2半導体層の前記一部上に第2電極を形成する工程とを有し、
前記第1反射層を形成する前記工程において、前記第1電極上及び前記第2電極上に連続して前記第1反射層を形成する請求項1から6のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第1反射層に、前記第1電極と前記第2電極を露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部に導電部材を形成する工程と、
をさらに備える請求項7に記載の発光素子の製造方法。 - 前記導電部材を形成する工程の前に、前記第1反射層、前記開口部を画定する前記第1反射層の側面、及び、前記溝を画定する前記半導体積層体の側面を覆う絶縁層を形成する工程と、
をさらに備える請求項8に記載の発光素子の製造方法。 - 前記ウェーハを準備する工程は、第1基板上に、前記第1半導体層、前記活性層、及び前記第2半導体層を順に形成する工程を有し、
前記溝を形成した後、樹脂部材を介して前記半導体積層体と第2基板とを接合する工程と、
前記半導体積層体と前記第2基板とを接合した後、前記第1基板を除去して、前記第1半導体層の表面を露出させる工程と、
をさらに備える請求項1から9のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。 - 第1半導体層と、第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に位置する活性層と、を有する半導体積層体であって、前記第1半導体層の表面である第1面と、前記第1面の反対側に位置し、前記第2半導体層の表面である第2面と、前記第1面の反対側に位置し、前記第1半導体層の一部が前記第2半導体層及び前記活性層から露出する前記第1半導体層の表面である第3面と、前記第1面と前記第2面とを接続し、且つ前記第1面と前記第3面とを接続する側面と、を有する半導体積層体と、
前記第3面に電気的に接続する第1電極と、
前記第2面に電気的に接続する第2電極と、
前記第1電極の上面、前記第1電極の側面、前記第2電極の上面、前記第2電極の側面、前記第2面及び前記第3面を覆い、前記側面に配置されず、誘電体多層膜を含む第1反射層と、
を備え、
前記第1反射層は、前記半導体積層体の前記側面に接続する端面を含む端部を有し、
前記第1反射層の前記端部以外の部分の膜厚はほぼ同じである発光素子。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003179301A (ja) | 2001-09-17 | 2003-06-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子およびその形成方法 |
JP2008140918A (ja) | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Eudyna Devices Inc | 発光素子の製造方法 |
WO2011027418A1 (ja) | 2009-09-01 | 2011-03-10 | 株式会社 東芝 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JP2015138836A (ja) | 2014-01-21 | 2015-07-30 | スタンレー電気株式会社 | 発光素子の製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003179301A (ja) | 2001-09-17 | 2003-06-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子およびその形成方法 |
JP2008140918A (ja) | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Eudyna Devices Inc | 発光素子の製造方法 |
WO2011027418A1 (ja) | 2009-09-01 | 2011-03-10 | 株式会社 東芝 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JP2015138836A (ja) | 2014-01-21 | 2015-07-30 | スタンレー電気株式会社 | 発光素子の製造方法 |
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