JP7353510B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
特許文献1には、水平方向に実屈折率分布を有するリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置において、結晶の積層方向に1次以上の高次モードが許容される程の厚い光ガイド層を有し、リッジ構造の両側に、リッジ領域の実効屈折率よりも屈折率が低く、かつ、クラッド領域の屈折率よりも高い屈折率を有するテラス領域を、溝を介して設けることで、水平方向に許容されるモード数を少なくして、水平方向広がり角を狭くすることが開示されている。なお、ここで実屈折率分布とは、屈折率が実数で記述される屈折率分布を意味し、導波機構は屈折率導波路となり、波動方程式を解くことで得られる電界分布、磁界分布、伝搬定数等は実数となる。
前記リッジ領域は、幅が2Wiで表され、実効屈折率がna iであるリッジ内側領域と、前記リッジ内側領域の両側に設けられ、幅がWoで表され、実効屈折率がna oである、電流非注入構造を有するリッジ外側領域とで構成され、前記リッジ外側領域の両側に前記第2導電型のコンタクト層および前記第2導電型のクラッド層が少なくとも除去され、実効屈折率がncであるクラッド領域が設けられ、前記リッジ内側領域と前記リッジ外側領域の平均屈折率na eが、
先ず、本開示と比較例の相違点を、図1及び図2を用いて説明する。
図1は、比較例である実屈折率分布を有するリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置の光導波方向に直交する断面における電流Iの流れと屈折率分布を示す模式図である。
図1において、下側の半導体基板(図示せず)側から、活性層101、光ガイド層102、第1エッチングストップ層103(第1ESL層、Etching Stop Layer:ESL)、p型第1クラッド層104、第2エッチングストップ層105(第2ESL層)、p型第2クラッド層106、以上の各層で構成されている。
リッジ外側領域Ia oはリッジ領域Ia内でリッジ内側領域Ia iのリッジ幅方向の両側に設けられ、クラッド領域IIcはリッジ外側領域Ia oのリッジ幅方向の両側に設けられる。
水平方向に許容されるi次のモードをφi(x)とし、下記の式(3)のように正規化する。なお、許容されるモードφi(x)は、非特許文献2等から求めることができる。
図3では、説明の便宜上、xyz直交座標系が規定されている。z軸は、リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置500のレーザ光が出射される方向であり、また、リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置500が持つ共振器の長さ方向軸でもある。z方向を「共振器長方向」とも呼ぶ。y軸は、n型GaAs基板2の上面の法線と平行であるものとする。y軸方向は、n型GaAs基板2の上に形成される半導体層の結晶成長方向と一致している。y軸方向を「積層方向」とも呼ぶ。x軸は、yz平面と垂直な軸であり、リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置500の幅方向の軸と一致する。x軸方向を「リッジ幅方向」とも呼ぶ。x軸に沿って、リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置500に水平横モードが生ずる。上記の直交座標系に関する規則は、後述する他のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置の斜視図においても同様に適用される。
InGaAs量子井戸活性層7のIn組成比を0.119、層厚を8nmとしているのは、発振波長を略975nmとするためである。
また、リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置500の両端部にレーザ光を往復させる共振器を構成する前端面及び後端面が、例えば劈開などにより設けられている。
n型GaAs基板2上に、n型AlGaAsクラッド層3からp型GaAsコンタクト層14までの各半導体層を、有機金属気相成長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:MOCVD)等の結晶成長方法によって順次結晶成長する。
次に、リッジ内側領域Ia iをレジストで被覆して第2ESL層12までドライエッチングし、レジストを剥離する。
リッジ内側領域Ia iをレジストで被覆し、SiN膜15を成膜してリフトオフし、レジストを剥離する。
最後に、上面側にp型電極16、下面側にn型電極1をそれぞれ形成する。
また、InGaAs量子井戸活性層7を構成するIn組成比0.119のInGaAs及びSiN膜15を構成するSiNの屈折率は、経験上、それぞれ、3.542393及び2.00である。
すなわち、上記のリッジ内側領域幅の1/2であるWi、上記のリッジ外側領域幅Wo、式(4)で表される平均屈折率na e及び上記のクラッド領域IIcの実効屈折率ncが、下記の式(7)を満たす必要がある。
すなわち、n型AlGaAsクラッド層3の屈折率をncn、p型AlGaAs第1クラッド層11の屈折率をncpとし、n型AlGaAs低屈折率層4の層厚をdn、屈折率をn型AlGaAsクラッド層3の屈折率ncnよりも低いnnとし、p側光ガイド層81とp型AlGaAs第1クラッド層11の間に設けられたp型AlGaAs低屈折率層10の層厚をdp、屈折率をp型AlGaAs第1クラッド層11の屈折率よりも低いnpとした場合、下記の式(8)を満たす必要がある。
なお、電流は半導体層内を等方的に広がるので、リッジ外側領域幅Woは距離h1+h2(1.33μm)より広く、W(50μm)よりも狭い範囲であれば良い。
図6は、実施の形態1の変形例1による実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置510を示す斜視図である。
実施の形態1の変形例1によるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置510と実施の形態1によるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置500の相違点は、実施の形態1の変形例1によるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置510では第2ESL層12が設けられていない点、実施の形態1によるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置500のAl組成比0.20で層厚0.55μmのp型AlGaAs第1クラッド層11(第2導電型の第1クラッド層)に代えてAl組成比0.20で層厚1.5μmのp型AlGaAs第1クラッド層11a(第2導電型のクラッド層)が設けられている点、実施の形態1の変形例1によるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置510では電流非注入構造としてプロトン注入領域17が設けられている点が相違する。その他の層構成は、実施の形態1によるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置500と同一である。
n型GaAs基板2上に、n型AlGaAsクラッド層3からp型GaAsコンタクト層14までの各半導体層を、有機金属気相成長法(MOCVD)等の結晶成長方法で順次結晶成長する。
次に、リッジ内側領域Ia iをレジストで被覆してプロトンをイオン注入してプロトン注入領域17を形成し、レジストを剥離する。
リッジ内側領域Ia iとリッジ外側領域Ia oをレジストで被覆し、SiN膜15を成膜してリフトオフし、レジストを剥離する。
最後に、上面側にp型電極16、下面側にn型電極1をそれぞれ形成する。
図9は、実施の形態1の変形例2による実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置520を示す斜視図である。リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置520は、図9に示すように、膜厚0.2μmのSiN膜15aを有する。
n型GaAs基板2上に、n型AlGaAsクラッド層3からp型GaAsコンタクト層14までの各半導体層を、有機金属気相成長法(MOCVD)等の結晶成長方法で順次結晶成長する。
その後、リッジ内側領域Ia iをレジストで被覆し、SiN膜15aを成膜してリフトオフし、レジストを剥離する。
最後に、上面側にp型電極16、下面側にn型電極1をそれぞれ形成する。
図12は、実施の形態2による実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置530を示す斜視図である。実施の形態2による実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置530は、InGaAs量子井戸活性層7の位置を光ガイド層62、82の中央に配置する、つまり、InGaAs量子井戸活性層7に対して対称形である点に特徴がある。
リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置530の作製方法も実施の形態1と同様である。
なお、電流は等方的に広がるので、リッジ外側領域幅Woは距離h1+h2(1.48μm)より広く、W(50μm)よりも狭い範囲であれば良い。
図15は、実施の形態2の変形例1である実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置540を示す斜視図である。
図12に示される実施の形態2によるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置530と異なる点は、第2ESL層12が無いこと、リッジ外側領域Ia oをエッチング除去ではなく、プロトン注入による半導体層の絶縁化で形成する点である。
リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置540の作製方法は、実施の形態1の変形例1と同様である。
半導体層の絶縁体化の手段としてプロトン注入を用いると、エッチング工程が不必要となるので、作製工程数を少なくできる上、リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置の作製自体も容易となるという効果を奏する。
図18は、実施の形態2の変形例2である実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置550を示す斜視図である。
図12に示される実施の形態2によるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置530と異なる点は、第2ESL層12が無いこと、リッジ外側領域Ia oをエッチング除去ではなく、SiN膜15aをp型GaAsコンタクト層14のリッジ幅方向の両端の表面の一部にそれぞれ設けた点にある。
リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置550の作製方法は、実施の形態1の変形例2と同様である。
エッチングあるいはプロトン注入といった工程がないので、リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置の作製が極めて容易である。
図21は、実施の形態3による実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置560を示す斜視図である。
リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置560では、n型AlGaAsクラッド層3の屈折率をp型AlGaAs第1クラッド層11c及びp型AlGaAs第2クラッド層13bの屈折率よりも高くした非対称構造とすることにより、p型AlGaAs第1クラッド層11c及びp型AlGaAs第2クラッド層13bの側でのキャリアによる光吸収を減らしてスロープ効率を高めたものである。
リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置560の作製方法は、実施の形態1と同様である。
なお、電流は等方的に広がるので、リッジ外側領域幅Woは距離h1+h2(1.38μm)より広く、W(50μm)よりも狭い範囲であれば良い。
図24は、実施の形態3の変形例1である実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置570を示す斜視図である。
図24に示されるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置570は、Al組成比0.25で層厚1.5μmのp型AlGaAs第1クラッド層11d(第2導電型のクラッド層)を有する。
リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置570の作製方法は、実施の形態1の変形例1と同様である。
半導体層の絶縁体化の手段としてプロトン注入を用いると、エッチング工程が不必要となるので、作製工程数を少なくできる上、リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置の作製自体も容易となるという効果を奏する。
図27は、実施の形態3の変形例2である実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置580を示す斜視図である。
図21に示されるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置560と異なる点は、第2ESL層12が無いこと、リッジ外側領域Ia oをエッチング除去ではなく、SiN膜15aをp型GaAsコンタクト層14のリッジ幅方向の両端の表面の一部にそれぞれ設けた点にある。他の層構成は、実施の形態3の変形例1と同一である。
リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置580の作製方法は、実施の形態1の変形例2と同様である。
また、エッチングあるいはプロトン注入といった工程がないので、リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置の作製が極めて容易である。
図30は、実施の形態4による実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置590を示す斜視図である。
実施の形態4によるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置590は、n型AlGaAsクラッド層3の屈折率をp型AlGaAs第1クラッド層11e(第2導電型の第1クラッド層)及びp型AlGaAs第2クラッド層13c(第2導電型の第2クラッド層)の屈折率よりも高くした非対称構造とすることでp型AlGaAs第1クラッド層11e及びp型AlGaAs第2クラッド層13cにおけるキャリアによる光吸収を減らすと共に、InGaAs量子井戸活性層7の位置を光ガイド層61、81の中央からp型AlGaAs第1クラッド層11e及びp型AlGaAs第2クラッド層13cの側へ変位させることで、動作中に光ガイド層内に滞留するキャリアによる光吸収も減らしてスロープ効率を高めたものである。
リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置590の作製方法は、実施の形態1と同様である。
なお、電流は等方的に広がるので、リッジ外側領域幅Woは距離h1+h2(1.13μm)より広く、W(50μm)よりも狭い範囲であれば良い。
図33は、実施の形態4の変形例1による実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置600を示す斜視図である。
図30に示される実施の形態4によるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置590と異なる点は、第2ESL層12が無いこと、リッジ外側領域Ia oをエッチング除去ではなく、プロトン注入による半導体層の絶縁化で形成する点にある。
リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置600の作製方法は、実施の形態1の変形例1と同様である。
半導体層の絶縁体化の手段としてプロトン注入を用いると、エッチング工程が不必要となるので、作製工程数を少なくできる上、リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置の作製自体も容易となるという効果を奏する。
図36は、実施の形態4の変形例2による実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置610を示す斜視図である。
図30に示される実施の形態4によるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置590と異なる点は、第2ESL層12が無いこと、リッジ外側領域Ia oをエッチング除去ではなく、SiN膜15aをp型GaAsコンタクト層14のリッジ幅方向の両端の表面の一部にそれぞれ設けた点にある。
リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置610の作製方法は、実施の形態1の変形例2と同様である。
エッチングあるいはプロトン注入といった工程がないので、リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置の作製が極めて容易である。
図39は、実施の形態5による実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置620を示す斜視図である。
図39に示されるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置620は、Al組成比0.55で層厚40nmのp型AlGaAs第1ESL層21(p型AlGaAs低屈折率層、あるいは第2導電型の低屈折率層とも呼ぶ)、Al組成比0.20で層厚0.10μmのp型AlGaAs第1クラッド層22、Al組成比0.55で層厚40nmのp型AlGaAs第2ESL層23、Al組成比0.20で層厚0.75μmのp型AlGaAs第2クラッド層24、Al組成比0.55で層厚40nmのp型AlGaAs第3ESL層25、Al組成比0.20で層厚0.65μmのp型AlGaAs第3クラッド層26(第2導電型の第2クラッド層)、層厚0.2μmのp型GaAsコンタクト層27、膜厚0.4μmのSiN膜28、p型電極29を有する。
その他の層構成は、実施の形態1の図3に示されるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置500と同一である。
なお、p型AlGaAs第1クラッド層22とp型AlGaAs第2クラッド層24を合わせて第2導電型の第1クラッド層と呼ぶ。
n型GaAs基板2上に、n型AlGaAsクラッド層3からp型GaAsコンタクト層27までの各半導体層を、有機金属気相成長法(MOCVD)等の結晶成長方法で順次結晶成長する。
次に、リッジ内側領域Ia iをレジストで被覆して第3ESL層25までドライエッチングし、レジストを剥離する。
その後、リッジ内側領域Ia iとリッジ外側領域Ia oをレジストで被覆して第2ESL層23までドライエッチングし、レジストを剥離する。
そして、リッジ内側領域Ia iをレジストで被覆し、SiN膜28を成膜してリフトオフし、レジストを剥離する。
最後に、上面側にp型電極16、下面側にn型電極1をそれぞれ形成する。
なお、電流は等方的に広がるので、リッジ外側領域幅Woは距離h1+h2(1.57μm)より広く、W(50μm)よりも狭い範囲であれば良い。
図42は、実施の形態5の変形例1による実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置630を示す斜視図である。
図42に示されるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置630は、Al組成比0.20で層厚1.40μmのp型AlGaAs第2クラッド層24a(第2導電型のクラッド層)、膜厚0.4μmのSiN膜28a、プロトン注入領域30を有する。
n型GaAs基板2上に、n型AlGaAsクラッド層3からp型GaAsコンタクト層27までの各半導体層を、有機金属気相成長法(MOCVD)等の結晶成長方法で順次結晶成長する。
その後、リッジ内側領域Ia iとリッジ外側領域Ia oをレジストで被覆して第2ESL層23までドライエッチングし、レジストを剥離する。このとき、クラッド領域IIc及びテラス領域IItのプロトン注入領域30もエッチングされて消失する。
さらに、リッジ内側領域Ia iとリッジ外側領域Ia oをレジストで被覆し、SiN膜28aを成膜してリフトオフし、レジストを剥離する。
最後に、上面側にp型電極16、下面側にn型電極1をそれぞれ形成する。
リッジ外側領域幅Woであるリッジ外側領域Ia oの実効屈折率は3.41741なので、許容されるモード数は実施の形態5と同一である。
半導体層の絶縁体化の手段としてプロトン注入を用いると、エッチング工程が不必要となるので、作製工程数を少なくできる上、リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置の作製自体も容易となるという効果を奏する。
図45は、実施の形態5の変形例2による実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置640を示す斜視図である。
図45に示されるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置640は、膜厚0.4μmのSiN膜28bを有する。
n型GaAs基板2上に、n型AlGaAsクラッド層3からp型GaAsコンタクト層27までの各半導体層を、有機金属気相成長法(MOCVD)等の結晶成長方法で順次結晶成長する。
次に、リッジ内側領域Ia iとリッジ外側領域Ia oをレジストで被覆して第2ESL層23までドライエッチングし、レジストを剥離する。
その後、リッジ内側領域Ia iをレジストで被覆し、SiN膜28bを成膜してリフトオフし、レジストを剥離する。
最後に、上面側にp型電極16、下面側にn型電極1をそれぞれ形成する。
また、エッチングあるいはプロトン注入といった工程がないので、リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置の作製が極めて容易である。
図48は、実施の形態6による実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置650を示す斜視図である。
図48に示されるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置650は、Al組成比0.20で層厚0.10μmのp型AlGaAs第1クラッド層31、Al組成比0.55で層厚40nmのp型AlGaAs第1ESL層32(p型AlGaAs低屈折率層、あるいは第2導電型の低屈折率層とも呼ぶ)、Al組成比0.20で層厚0.75μmのp型AlGaAs第2クラッド層33、Al組成比0.55で層厚40nmのp型AlGaAs第2ESL層34、Al組成比0.20で層厚0.65μmのp型AlGaAs第3クラッド層35(第2導電型の第2クラッド層)、層厚0.2μmのp型GaAsコンタクト層36、膜厚0.2μmのSiN膜37、p型電極38、を有する。
なお、p型AlGaAs第1クラッド層31とp型AlGaAs第2クラッド層33を合わせて第2導電型の第1クラッド層と呼ぶ。
リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置650の作製方法も実施の形態1と同様である。InGaAs量子井戸活性層7の上端部から第1ESL層32の上端部までの距離h2は0.74μm、第2ESL層34の上端部から第1ESL層32の上端部までの距離h1は0.79μmである。
図49は、実施の形態6の変形例1による実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置660を示す斜視図である。
プロトンをp型GaAsコンタクト層36の表面から深さ0.6μmまで注入した場合は、第1ESL層32の上端部からプロトン注入領域40の下端部までの距離h1は1.0μmとなる。
リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置660の作製方法は、実施の形態1の変形例1と同様である。
半導体層の絶縁体化の手段としてプロトン注入を用いると、エッチング工程が不必要となるので、作製工程数を少なくできる上、リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置の作製自体も容易となるという効果を奏する。
図50は、実施の形態6の変形例2による実屈折率分布を有する975nm帯のリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置670を示す斜視図である。
図50に示されるリッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置670は、膜厚0.2μmのSiN膜37bを有する。
リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置670の作製方法は、実施の形態1の変形例2と同様である。
なお、本実施の形態には、エッチングあるいはプロトン注入といった工程がないので、リッジ型ブロードエリア半導体レーザ装置の作製が極めて容易である。
Claims (13)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記第1導電型の半導体基板上に積層された第1導電型のクラッド層、第1導電型側の光ガイド層、活性層、第2導電型側の光ガイド層、第2導電型のクラッド層及び第2導電型のコンタクト層と、
レーザ光を往復させる前端面と後端面からなる共振器と、
前記前端面と前記後端面の間で前記レーザ光を導波し、幅が2Wで表されるリッジ領域と、を備え、発振波長がλであり、前記各層の積層方向において、1次以上の高次モードが許容される半導体レーザ装置であって、
前記リッジ領域は、
幅が2Wiで表され、実効屈折率がna iであるリッジ内側領域と、
前記リッジ内側領域の両側に設けられ、幅がWoで表され、実効屈折率がna oである、電流非注入構造を有するリッジ外側領域と、で構成され、
前記リッジ外側領域の両側に前記第2導電型のコンタクト層および前記第2導電型のクラッド層が少なくとも除去され、実効屈折率がncであるクラッド領域が設けられ、
前記リッジ内側領域と前記リッジ外側領域の平均屈折率na eが、
- 前記クラッド領域の上端部から前記電流非注入構造の下端部までの距離が、前記距離によって許容されるモードの数と前記リッジ領域および前記クラッド領域を有する構造によって許容されるモードの数が同一となる長さに設定されることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記リッジ領域のリッジ幅方向において許容されるモードの数は、前記リッジ領域と前記クラッド領域を有する構造によって許容されるモードの数と同一であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第2導電型のクラッド層が、第2導電型の第1クラッド層及び第2導電型の第2クラッド層で構成され、
前記電流非注入構造は、前記リッジ外側領域において少なくとも前記第2導電型のコンタクト層及び前記第2導電型の第2クラッド層が除去された露出面を被覆する絶縁膜を有することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記電流非注入構造はプロトン注入領域からなることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記電流非注入構造は、前記リッジ外側領域の前記第2導電型のコンタクト層のリッジ幅方向の両端の表面の一部をそれぞれ被覆する絶縁膜からなることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第1導電型側の光ガイド層の層厚が、前記第2導電型側の光ガイド層の層厚よりも厚いことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第1導電型側の光ガイド層の層厚は、前記第2導電型側の光ガイド層の層厚と同一であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第1導電型のクラッド層の屈折率ncnが、前記第2導電型のクラッド層の屈折率ncpよりも高いことを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第1導電型のクラッド層の屈折率ncnが、前記第2導電型のクラッド層の屈折率ncpよりも高く、かつ、前記第1導電型側の光ガイド層の層厚が、前記第2導電型側の光ガイド層の層厚よりも厚いことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第2導電型側の光ガイド層と前記第2導電型のクラッド層の間または前記第2導電型のクラッド層内に、前記第2導電型のクラッド層の屈折率よりも低い第2導電型の低屈折率層を有することを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
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