JP7343707B2 - 試料保持具 - Google Patents

試料保持具 Download PDF

Info

Publication number
JP7343707B2
JP7343707B2 JP2022536277A JP2022536277A JP7343707B2 JP 7343707 B2 JP7343707 B2 JP 7343707B2 JP 2022536277 A JP2022536277 A JP 2022536277A JP 2022536277 A JP2022536277 A JP 2022536277A JP 7343707 B2 JP7343707 B2 JP 7343707B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
particles
aluminum
aluminum nitride
sample holder
aluminum oxynitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022536277A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2022014410A1 (ja
Inventor
義悟 楢崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of JPWO2022014410A1 publication Critical patent/JPWO2022014410A1/ja
Priority to JP2023140933A priority Critical patent/JP2023165726A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7343707B2 publication Critical patent/JP7343707B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/581Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3232Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6565Cooling rate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • C04B2235/85Intergranular or grain boundary phases

Description

本開示は、試料保持具に関するものである。
従来技術として、例えば、特開平6-128041号公報、特開平11-335173号公報および特開2020-88195号公報に示す窒化アルミニウム焼結体が知られている。
本開示の試料保持具は、複数の窒化アルミニウム粒子および該窒化アルミニウム粒子同士の結晶粒界に位置する酸窒化アルミニウム粒子を有する窒化アルミニウム基体と、該窒化アルミニウム基体に設けられた内部電極と、を備えており、前記酸窒化アルミニウム粒子にはチタンが固溶している。
本開示の試料保持具を示す縦断面図である。 図1に示す試料保持具の窒化アルミニウム基体における、窒化アルミニウム粒子、酸窒化アルミニウム粒子および酸窒化アルミニウム粒子に固溶しているチタンを示す摸式図である。 別の例の試料保持具の窒化アルミニウム基体における、窒化アルミニウム粒子、酸窒化アルミニウム粒子および酸窒化アルミニウム粒子に固溶しているチタンを示す摸式図である。 別の例の試料保持具の窒化アルミニウム基体における、窒化アルミニウム粒子、酸窒化アルミニウム粒子および酸窒化アルミニウム粒子に固溶しているチタンを示す摸式図である。 別の例の試料保持具の窒化アルミニウム基体における、窒化アルミニウム粒子、酸窒化アルミニウム粒子および酸窒化アルミニウム粒子に固溶しているチタンを示す摸式図である。 別の例の試料保持具を示す縦断面図である。
以下、本開示の試料保持具10の例について図面を用いて詳細に説明する。
図1に示す試料保持具10は、窒化アルミニウム粒子11および酸窒化アルミニウム粒子12を含む窒化アルミニウム基体1と、窒化アルミニウム基体1に設けられた内部電極2とを備えている。なお、本開示における粒子とは、連続した原子配列を有する結晶粒を示している。
窒化アルミニウム基体1は、試料を保持するための部材である。窒化アルミニウム基体1は、例えば板状の部材であってもよく、円板状または角板状であってもよい。窒化アルミニウム基体1は、例えば板状であるとき、一方の主面がウエハ載置面であってもよい。窒化アルミニウム基体1の寸法は、例えば窒化アルミニウム基体1が円板形状のときに、直径を200~500mmに、厚みを1~15mmにすることができる。
窒化アルミニウム基体1は、複数の窒化アルミニウム粒子11と酸窒化アルミニウム粒子12とを含んでいる。ここで、窒化アルミニウム粒子11は、窒化アルミニウムからなる粒子であるが、窒化アルミニウム以外の不純物または格子欠陥等を含んでいてもよい。また、酸窒化アルミニウム粒子12は酸窒化アルミニウム(AlON)からなる粒子であるが、酸窒化アルミニウム以外の不純物または格子欠陥等を含んでいてもよい。窒化アルミニウム基体1において、窒化アルミニウムおよび酸窒化アルミニウムの存在比率は、例えばX線回折(XRD:X-ray diffraction)で分析し、X線源としてCuKα線を用いた場合、窒化アルミニウムは2θ=33.2°付近に出現する(100)面のピーク、酸窒化アルミニウムは一例として27R-酸窒化アルミニウムであれば2θ=33.8°付近に出現する(101)面のメインピークとして、その強度を比較した時に、窒化アルミニウム粒子11は95%程度で、酸窒化アルミニウムは5%程度であってもよい。
窒化アルミニウム基体1は、表面または内部に内部電極2を有している。試料保持具10を静電チャックとして用いる場合においては、内部電極2は、静電吸着用電極であってもよい。このときに、内部電極2の材料は、白金、またはタングステン等の金属であってもよい。また、内部電極2の寸法は、例えば厚みを0.01mm~0.5mmに、面積を30000mm~190000mmにすることができる。また、内部電極2は、発熱抵抗体であってもよい。このときに、内部電極2は、銀パラジウム等の金属成分と、ケイ素、ビスマス、カルシウム、アルミニウムおよびホウ素等の材料の酸化物を有するガラス成分とを含んでいてもよい。このときに、内部電極2の寸法は、例えば厚みを0.01mm~0.1mmに、幅を0.5mm~5mmに長さを1000mm~50000mmにすることができる。また、窒化アルミニウム基体1は、複数の内部電極2を有していてもよい。また、窒化アルミニウム基体1は、静電吸着用電極と、ヒータ電極3とを、それぞれ有していてもよい。
本開示の窒化アルミニウム基体1は、窒化アルミニウム粒子11と酸窒化アルミニウム粒子12とを含み、酸窒化アルミニウム粒子12には、チタン13が固溶している。つまり、本開示の試料保持具10は、複数の窒化アルミニウム粒子11および該窒化アルミニウム粒子11同士の結晶粒界に位置する酸窒化アルミニウム粒子12を有する窒化アルミニウム基体1と、該窒化アルミニウム基体1に設けられた内部電極2と、を備えており、前記酸窒化アルミニウム粒子12にはチタン13が固溶している。これにより、窒化アルミニウム基体1の体積固有抵抗を高めることができる。理由を以下に説明する。
まず、チタン13が固溶している酸窒化アルミニウム粒子12は、通常の酸窒化アルミニウム粒子12と比較して、チタン13の欠陥が電気的にプラスである。これは、酸窒化アルミニウム粒子12のアルミニウムがチタン13に置き換わることで電子が1つ不足するためである。また、窒化アルミニウム粒子11はアルミニウム空孔を有し、アルミニウム空孔は、電気的にマイナスである。このように、酸窒化アルミニウム粒子12のチタン欠陥と窒化アルミニウム粒子11のアルミニウム空孔とは、逆の電荷を有する。そのため、チタン13が固溶している酸窒化アルミニウム粒子12は、窒化アルミニウム粒子11内の粒界付近に存在するアルミニウム空孔を静電気的にピン止めすることができる。その結果、チタン13が酸窒化アルミニウム粒子12に固溶していない場合と比較して、窒化アルミニウム基体1の体積固有抵抗を高めることができる。
図2は、酸窒化アルミニウム粒子12および窒化アルミニウム粒子11の基体中での存在形態の例を模式的に表している。図2においては、ハッチングされた領域を酸窒化アルミニウム粒子12とし、それ以外の領域を、窒化アルミニウム粒子11とする。また、酸窒化アルミニウム粒子12内部に存在し、丸く囲って示したものを、チタン13としている。
図2に示すように、本開示の窒化アルミニウム基体1は、窒化アルミニウム粒子11と酸窒化アルミニウム粒子12とを含み、酸窒化アルミニウム粒子12には、チタン13が固溶している。チタン13は、酸窒化アルミニウム粒子12の中に、複数の領域に分かれて固溶していてもよい。また、窒化アルミニウム基体1は、チタン13が固溶していない酸窒化アルミニウム粒子12を有していてもよい。また、チタン13は、窒化アルミニウム粒子11と酸窒化アルミニウム粒子12との粒界に存在していてもよい。また、チタン13は、窒化アルミニウム粒子11の粒界に存在していてもよい。また、チタン13は、酸窒化アルミニウム粒子12と酸窒化アルミニウム粒子12との粒界に存在していてもよい。
また、図3に示すように、酸窒化アルミニウム粒子12は、細長い形状であってもよい。または、窒化アルミニウム基体1中において、酸窒化アルミニウム粒子12の存在領域が細長く存在していてもよい。この場合は、粒界の広範囲において、チタン13が固溶している酸窒化アルミニウム粒子12が存在するため、チタン13が存在する酸窒化アルミニウム粒子12は、窒化アルミニウム粒子11の粒界に存在するアルミニウム空孔を、より多く静電気的にピン止めすることができる。その結果、窒化アルミニウム基体1の体積固有抵抗をより高めることができる。
なお、窒化アルミニウム基体1が窒化アルミニウム粒子11と酸窒化アルミニウム粒子12とを含み、酸窒化アルミニウム粒子12にチタン13が固溶していることは、以下の手法により構造解析することで確認することができる。まず、窒化アルミニウム基体1の所定の部位を切削、切断、研磨等の公知の手法で取り出す。次に、取り出した部位を、アルゴンイオンミリング法等の公知の手法で薄片化し、試料とする。そして、その試料を、透過型電子顕微鏡(TEM)、電子回折、エネルギー分散型X線分光法(EDS)、電子エネルギー損失分光法(EELS)、マッピング分析またはX線回折(XRD:X-ray diffraction)等の公知の手法により構造解析することで、焼結体中の酸窒化アルミニウムと同時に酸窒化アルミニウムに含まれる酸素)を特定する。次に、上記の手法または飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF-SIMS:Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)等の手法により、焼結体中のチタン13を特定する。酸素とチタン13の分布が重なっていれば、酸窒化アルミニウム粒子12にチタン13が固溶しているものとすることができる。
また、酸窒化アルミニウム粒子12は、内部電極2の周辺にあってもよい。このことにより、内部電極2周辺でのアルミニウム空孔をピン止めすることができるため、電圧印加時に窒化アルミニウムから内部電極2への電荷の移動を抑止できる。その結果、窒化アルミニウム基体1の体積固有抵抗をより高めることができる。例えば、酸窒化アルミニウム粒子12は、内部電極2の表面から0.01~1.5mmの位置にあってもよい。
また、酸窒化アルミニウム粒子12は、内部電極2に接していてもよい。このことにより、電圧印加時に窒化アルミニウム基体1から電極へ向かって移動してくる電荷をピン止めして電荷の補償を行うことができる。これにより、内部電極2に接する部位の体積固有抵抗を高めることができる。その結果、試料の着脱性をより高めることができる。
また、酸窒化アルミニウム粒子12は、試料保持具1のウエハ載置面側よりも内部電極2側に多く存在していてもよい。このことにより、ウエハ載置面側の領域よりも内部電極2側の領域のピン止め効果を大きくすることができる。そのため、電極に給電した場合の電荷の移動にメリハリがつき応答速度を高めることができる。その結果、試料保持具1の静電吸着用電極への電圧印可を停止した後の分極を低減し、試料を脱着しやすくすることができる。
ここでいう「ウエハ載置面側」とは、ウエハ載置面から0.01~1.5mmの領域を意味している。また、ここでいう「内部電極2側」とは、内部電極2から0.01~1.5mmの領域を意味している。酸窒化アルミニウム粒子12がウエハ載置面側よりも内部電極2側に多く存在していることは、例えば分析装置として波長分散型X線分光法(WDS)またはX線光電子分光法(XPS)を用いて、試料保持具1のウエハ載置面側および内部電極2側の酸素の存在箇所を検出することにより確認することができる。
また、図4に示すように、酸窒化アルミニウム粒子12は、窒化アルミニウム粒子11に接している部分にチタンが偏析している部位を有していてもよい。これにより、より効率的に窒化アルミニウム粒子11内の粒界付近に存在するアルミニウム空孔を静電気的にピン止めすることができる。これにより、窒化アルミニウム基体1の体積固有抵抗をより高めることができる。
また、図5に示すように、窒化アルミニウム粒子11は、酸窒化アルミニウム粒子12に接している部分にチタン13が偏析している部位を有していてもよい。このことにより、窒化アルミニウム粒子11内のチタン欠陥がアルミニウム空孔を静電気的にピン止めすることができる。これにより、窒化アルミニウム基体1の体積固有抵抗をより高めることができる。
また、内部電極2は、窒化アルミニウムを含んでいてもよい。このことにより内部電極2に含まれる窒化アルミニウムと、内部電極2を挟んだウエハ保持面側および反対側の窒化アルミニウム粒子11との間で、電荷の補償を取り合うことができる。そのため、試料保持具10内部で電荷の偏りを低減することができる。
また、図6に示すように、内部電極2は静電吸着用電極であって、窒化アルミニウム基体1は、ヒータ電極3を更に備えており、ヒータ電極3の周辺に、チタン13が固溶している酸窒化アルミニウム粒子12を更に有していてもよい。これにより、温度が高くなり窒化アルミニウム粒子11からの電荷の発生が多くなる部位のピン止め効果を高めることができる。その結果、窒化アルミニウム基体1の体積固有抵抗をより高めることができる。例えば、酸窒化アルミニウム粒子12は、ヒータ電極3の表面から0.01~1.5mmの位置にあってもよい。また、酸窒化アルミニウム粒子12は、ヒータ電極3に接していてもよい。
以下に、本開示の試料保持具10に用いられる窒化アルミニウム基体1の製法について示す。まず、窒化アルミニウム粉体と、酸化アルミニウム粉体と、酸化チタン粉体と、バインダー等の焼成時に炭素を生成しうる物質と、を混合し、所定の形状に成形する。次に、成形体を2000℃以上で焼成し、100℃まで冷却する。この時に、例えば、冷却速度を3.5~5.0℃毎分とすることにより、過冷却にすることができる。このときに、過冷却でなければ生じないはずのチタン13が固溶した27R-酸窒化アルミニウムが、窒化アルミニウム焼結体中に析出する。これにより、チタン13が固溶している酸窒化アルミニウム粒子12を含む窒化アルミニウム基体1を得ることができる。以上の製法により、チタン13が固溶した酸窒化アルミニウム粒子12を含む試料1を作成した。
また、チタン13が固溶してない酸窒化アルミニウム粒子12を含む試料2を通常の過冷却を行わない製法で作成した。これらの体積固有抵抗を、以下の方法で評価した。まず、窒化アルミニウム焼結体から縦50~60mm横50~60mm厚み0.5~2mmのサンプルを切り出し、酸・アルカリ洗浄を行い乾燥させた。次にこのサンプルに主電極、リング電極、対向電極を印刷し焼付けを行い、3端子法(JIS C 2141:1992)を用いて体積固有抵抗を測定した。その結果を表1に示す。
Figure 0007343707000001
表1に示すように、チタン13が固溶している酸窒化アルミニウム粒子12を含まない試料2は、400℃における体積抵抗値が5×10Ωcmである。これに対し、チタン13が固溶している酸窒化アルミニウム粒子12を含む試料1は、400℃における体積抵抗値が5×10Ωcmである。このように、チタン13が固溶している酸窒化アルミニウム粒子12を含むことで、試料保持具10に用いる窒化アルミニウム基体1の体積固有抵抗を高めることができる。このような窒化アルミニウム基体1を試料保持具10として用いることで、静電吸着用電極への電圧印可を停止した後の分極が解消し、ウエハの脱着を容易に行うことができる。
1:窒化アルミニウム基体
11:窒化アルミニウム粒子
12:酸窒化アルミニウム粒子
13:チタン
2:内部電極
3:ヒータ電極
10:試料保持具

Claims (8)

  1. 複数の窒化アルミニウム粒子および該窒化アルミニウム粒子同士の結晶粒界に位置する酸窒化アルミニウム粒子を有する窒化アルミニウム基体と、
    該窒化アルミニウム基体に設けられた内部電極と、を備えており、
    前記酸窒化アルミニウム粒子にはチタンが固溶していることを特徴とする試料保持具。
  2. 前記酸窒化アルミニウム粒子は、前記内部電極の周辺にある請求項1に記載の試料保持具。
  3. 前記酸窒化アルミニウム粒子は、前記内部電極に接している請求項2に記載の試料保持具。
  4. 前記酸窒化アルミニウム粒子は、前記試料保持具のウエハ載置面側よりも内部電極側に多く存在している請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の試料保持具。
  5. 前記酸窒化アルミニウム粒子は、前記窒化アルミニウム粒子に接している部分にチタンが偏析している部位を有する請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の試料保持具。
  6. 前記窒化アルミニウム粒子は、前記酸窒化アルミニウム粒子に接している部分にチタンが偏析している部位を有する請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の試料保持具。
  7. 前記内部電極は、窒化アルミニウムを含む請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の試料保持具。
  8. 前記内部電極は静電吸着用電極であって、
    前記窒化アルミニウム基体は、ヒータ電極を更に備えており、
    該ヒータ電極の周辺に、チタンが固溶している酸窒化アルミニウム粒子を更に有する請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の試料保持具。
JP2022536277A 2020-07-13 2021-07-06 試料保持具 Active JP7343707B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023140933A JP2023165726A (ja) 2020-07-13 2023-08-31 試料保持具

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020120020 2020-07-13
JP2020120020 2020-07-13
JP2020174081 2020-10-15
JP2020174081 2020-10-15
PCT/JP2021/025470 WO2022014410A1 (ja) 2020-07-13 2021-07-06 試料保持具

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023140933A Division JP2023165726A (ja) 2020-07-13 2023-08-31 試料保持具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2022014410A1 JPWO2022014410A1 (ja) 2022-01-20
JP7343707B2 true JP7343707B2 (ja) 2023-09-12

Family

ID=79555375

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022536277A Active JP7343707B2 (ja) 2020-07-13 2021-07-06 試料保持具
JP2023140933A Pending JP2023165726A (ja) 2020-07-13 2023-08-31 試料保持具

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023140933A Pending JP2023165726A (ja) 2020-07-13 2023-08-31 試料保持具

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230245918A1 (ja)
JP (2) JP7343707B2 (ja)
KR (1) KR20230020514A (ja)
CN (2) CN117735995A (ja)
WO (1) WO2022014410A1 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018221504A1 (ja) 2017-05-30 2018-12-06 京セラ株式会社 窒化アルミニウム質焼結体、および半導体保持装置
KR102270157B1 (ko) 2020-12-24 2021-06-29 한국씰마스타주식회사 산질화알루미늄 세라믹 히터 및 그 제조 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3404813B2 (ja) * 1992-09-04 2003-05-12 住友電気工業株式会社 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JP3181006B2 (ja) * 1994-08-11 2001-07-03 京セラ株式会社 静電チャック
JPH07297265A (ja) * 1994-04-26 1995-11-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック
JP3559123B2 (ja) * 1995-08-04 2004-08-25 日本碍子株式会社 窒化アルミニウムおよび半導体製造用装置
JP3794823B2 (ja) * 1998-05-06 2006-07-12 電気化学工業株式会社 静電チャック及びその評価方法
JP2001278665A (ja) * 2000-03-29 2001-10-10 Kyocera Corp セラミック抵抗体及び基板支持体
KR101797232B1 (ko) * 2017-07-10 2017-11-13 주식회사 케이에스엠컴포넌트 정전척

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018221504A1 (ja) 2017-05-30 2018-12-06 京セラ株式会社 窒化アルミニウム質焼結体、および半導体保持装置
KR102270157B1 (ko) 2020-12-24 2021-06-29 한국씰마스타주식회사 산질화알루미늄 세라믹 히터 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023165726A (ja) 2023-11-17
WO2022014410A1 (ja) 2022-01-20
JPWO2022014410A1 (ja) 2022-01-20
CN115812069B (zh) 2023-12-19
CN115812069A (zh) 2023-03-17
CN117735995A (zh) 2024-03-22
KR20230020514A (ko) 2023-02-10
US20230245918A1 (en) 2023-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101644000B1 (ko) 정전 척
KR20180108637A (ko) 세라믹스 재료, 정전 척 장치
KR101689054B1 (ko) 알루미나 소결체, 이것을 구비하는 부재 및 반도체 제조장치
JP6424954B2 (ja) 静電チャック装置
US9543184B2 (en) Electrostatic chuck
JP6441733B2 (ja) 試料保持具
JP2002255647A (ja) 酸化イットリウム焼結体およびウエハ保持具
US20190385884A1 (en) Composite sintered body, electrostatic chuck member, and electrostatic chuck device
KR20150106429A (ko) 시료 유지구
US20220340442A1 (en) Garnet compound, sintered body and sputtering target containing same
US10460970B2 (en) Electrostatic chuck
WO2017170738A1 (ja) 吸着部材
JP7343707B2 (ja) 試料保持具
TW201237199A (en) Divided sputtering target and method of producing the same
JP2017157328A (ja) セラミック構造体、その製法及び半導体製造装置用部材
JP6449916B2 (ja) 試料保持具
JP5872956B2 (ja) 炭化珪素質焼結体およびこの炭化珪素質焼結体からなる静電吸着部材ならびに半導体製造装置用部材
CN105378869A (zh) 固体离子电容器
TW201835360A (zh) AlO濺鍍靶及其製造方法
JPH08208338A (ja) 耐蝕性部材およびウエハ保持装置
JP2002329774A (ja) ウエハ支持部材
US10090183B2 (en) Sample holder

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230801

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230831

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7343707

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150