JP2002255647A - 酸化イットリウム焼結体およびウエハ保持具 - Google Patents
酸化イットリウム焼結体およびウエハ保持具Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造工程等に用いられるハロゲン含有
ガスプラズマ等の腐食雰囲気に対する耐食性が高く、金
属による汚染が生じ難い酸化イットリウム焼結体、およ
びこれらの特性に加え、パーティクルが生じ難いウエハ
保持具を提供すること。 【解決手段】 本発明に係る酸化イットリウム焼結体
は、金属微量成分の含有量が、重量基準で、Ｓｉ：２０
０ｐｐｍ以下、Ａｌ：１００ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｋ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉの総量：２００ｐｐｍ以下であ
る。またこの酸化イットリウム焼結体で腐食ガスまたは
そのプラズマを用いるウエハ処理プロセスにおいてウエ
ハを保持するウエハ保持具を構成し、少なくともウエハ
接触面の表面粗さをＲａで０．５μｍ以下とする。
ガスプラズマ等の腐食雰囲気に対する耐食性が高く、金
属による汚染が生じ難い酸化イットリウム焼結体、およ
びこれらの特性に加え、パーティクルが生じ難いウエハ
保持具を提供すること。 【解決手段】 本発明に係る酸化イットリウム焼結体
は、金属微量成分の含有量が、重量基準で、Ｓｉ：２０
０ｐｐｍ以下、Ａｌ：１００ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｋ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉの総量：２００ｐｐｍ以下であ
る。またこの酸化イットリウム焼結体で腐食ガスまたは
そのプラズマを用いるウエハ処理プロセスにおいてウエ
ハを保持するウエハ保持具を構成し、少なくともウエハ
接触面の表面粗さをＲａで０．５μｍ以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程等
に好適な高耐食性材料である酸化イットリウム焼結体、
およびそれを用いたウエハ保持具に関する。
に好適な高耐食性材料である酸化イットリウム焼結体、
およびそれを用いたウエハ保持具に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程においては、ウエハエッ
チングに代表される化学的腐食性の高い環境下での処理
が存在し、このような処理に用いられるベルジャー、チ
ャンバー、サセプター、クランプリング、フォーカスリ
ング等の部材には、石英ガラスや高純度アルミナ焼結体
が多用されている。最近では耐食性に優れたガーネット
型Ｙ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３化合物もこれら部材への採用が
検討されている。
チングに代表される化学的腐食性の高い環境下での処理
が存在し、このような処理に用いられるベルジャー、チ
ャンバー、サセプター、クランプリング、フォーカスリ
ング等の部材には、石英ガラスや高純度アルミナ焼結体
が多用されている。最近では耐食性に優れたガーネット
型Ｙ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３化合物もこれら部材への採用が
検討されている。
【０００３】しかしながら、近時、半導体の集積度向上
や生産性向上のため、より高密度プラズマでのエッチン
グ条件が求められてきており、従来用いられている石英
ガラスではプラズマによる腐食速度が著しく大きく部材
の寿命が短いという問題がある。また、高純度アルミナ
焼結体は石英ガラスよりは耐食性が高いもののデバイス
へのＡｌ成分汚染をもたらし、信頼性の観点から問題と
なるおそれがある。ガーネット型Ｙ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３
化合物はさらに耐食性が優れるもののＡｌを構成成分と
しているため、やはりＡｌ成分汚染をもたらす。特に、
ウエハに直接接触するクランプリング等のウエハ保持具
においてこのような傾向が顕著である。また、ウエハ保
持具の場合にはウエハに直接接触するため、パーティク
ル発生の問題もある。
や生産性向上のため、より高密度プラズマでのエッチン
グ条件が求められてきており、従来用いられている石英
ガラスではプラズマによる腐食速度が著しく大きく部材
の寿命が短いという問題がある。また、高純度アルミナ
焼結体は石英ガラスよりは耐食性が高いもののデバイス
へのＡｌ成分汚染をもたらし、信頼性の観点から問題と
なるおそれがある。ガーネット型Ｙ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３
化合物はさらに耐食性が優れるもののＡｌを構成成分と
しているため、やはりＡｌ成分汚染をもたらす。特に、
ウエハに直接接触するクランプリング等のウエハ保持具
においてこのような傾向が顕著である。また、ウエハ保
持具の場合にはウエハに直接接触するため、パーティク
ル発生の問題もある。
【０００４】一方、Ａｌによる汚染が生じない耐食材料
として酸化イットリウムが検討されている。しかしなが
ら、従来の酸化イットリウム焼結体では、必ずしも満足
な耐食性が得られておらず、また汚染の問題が生じるこ
ともあるのが現状である。
として酸化イットリウムが検討されている。しかしなが
ら、従来の酸化イットリウム焼結体では、必ずしも満足
な耐食性が得られておらず、また汚染の問題が生じるこ
ともあるのが現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、半導体製造工程等に用い
られるハロゲン含有ガスプラズマ等の腐食雰囲気に対す
る耐食性が高く、金属による汚染が生じ難い酸化イット
リウム焼結体、およびこれらの特性に加え、パーティク
ルが生じ難いウエハ保持具を提供することを目的とす
る。
鑑みてなされたものであって、半導体製造工程等に用い
られるハロゲン含有ガスプラズマ等の腐食雰囲気に対す
る耐食性が高く、金属による汚染が生じ難い酸化イット
リウム焼結体、およびこれらの特性に加え、パーティク
ルが生じ難いウエハ保持具を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく検討を重ねた結果、不純物として存在する
特定の金属成分を特定の範囲に制限することにより、ハ
ロゲン含有ガスプラズマ等の腐食雰囲気に対して優れた
耐食性を有し、しかもデバイスの汚染が実質的に生じな
い酸化イットリウム焼結体が得られることを見出した。
また、このような酸化イットリウムで構成され、しかも
ウエハ接触面の表面粗さを特定の範囲に規定してウエハ
保持具を構成することにより、腐食雰囲気に対して優れ
た耐食性を有し、しかもデバイスの汚染が実質的に生じ
ず、さらにパーティクルの発生が少ないウエハ保持具が
得られることを見出した。
を解決すべく検討を重ねた結果、不純物として存在する
特定の金属成分を特定の範囲に制限することにより、ハ
ロゲン含有ガスプラズマ等の腐食雰囲気に対して優れた
耐食性を有し、しかもデバイスの汚染が実質的に生じな
い酸化イットリウム焼結体が得られることを見出した。
また、このような酸化イットリウムで構成され、しかも
ウエハ接触面の表面粗さを特定の範囲に規定してウエハ
保持具を構成することにより、腐食雰囲気に対して優れ
た耐食性を有し、しかもデバイスの汚染が実質的に生じ
ず、さらにパーティクルの発生が少ないウエハ保持具が
得られることを見出した。
【０００７】本発明はこのような知見に基づいて完成さ
れたものであり、第１発明として、金属微量成分の含有
量が、重量基準で、Ｓｉ：２００ｐｐｍ以下、Ａｌ：１
００ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｋ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉの
総量：２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする酸化イ
ットリウム焼結体を提供する。
れたものであり、第１発明として、金属微量成分の含有
量が、重量基準で、Ｓｉ：２００ｐｐｍ以下、Ａｌ：１
００ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｋ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉの
総量：２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする酸化イ
ットリウム焼結体を提供する。
【０００８】また、第２発明として、腐食ガスまたはそ
のプラズマを用いるウエハ処理プロセスにおいてウエハ
を保持するウエハ保持具であって、少なくともウエハ接
触面が、金属微量成分の含有量が、重量基準で、Ｓｉ：
２００ｐｐｍ以下、Ａｌ：１００ｐｐｍ以下、Ｎａ、
Ｋ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉの総量：２００ｐｐｍ以下
であり、かつ表面粗さがＲａで０．５μｍ以下の酸化イ
ットリウム焼結体で構成されていることを特徴とするウ
エハ保持具を提供する。
のプラズマを用いるウエハ処理プロセスにおいてウエハ
を保持するウエハ保持具であって、少なくともウエハ接
触面が、金属微量成分の含有量が、重量基準で、Ｓｉ：
２００ｐｐｍ以下、Ａｌ：１００ｐｐｍ以下、Ｎａ、
Ｋ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉの総量：２００ｐｐｍ以下
であり、かつ表面粗さがＲａで０．５μｍ以下の酸化イ
ットリウム焼結体で構成されていることを特徴とするウ
エハ保持具を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明について具体的に説
明する。本発明に係る酸化イットリウムは、金属微量成
分の含有量が、重量基準で、Ｓｉ：２００ｐｐｍ以下、
Ａｌ：１００ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｋ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆ
ｅ、Ｎｉの総量：２００ｐｐｍ以下である。
明する。本発明に係る酸化イットリウムは、金属微量成
分の含有量が、重量基準で、Ｓｉ：２００ｐｐｍ以下、
Ａｌ：１００ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｋ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆ
ｅ、Ｎｉの総量：２００ｐｐｍ以下である。
【００１０】不純物として酸化イットリウム焼結体に含
有される微量金属成分は、主として粒界層に凝縮され、
プラズマ等の腐食環境下においては、これらの微量成分
の腐食速度が酸化イットリウムよりも大きいため、これ
ら微量成分の腐食が先に進行し、粒界成分が飛散すると
ともに粒界成分の腐食消失によりマトリックス部の酸化
イットリウム粒子の脱落も生じる。このようなことを引
き起こす微量成分としては、Ｓｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｎｉがあるが、これら微量成分のうちＳｉを
２００ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｋ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ
の総量を２００ｐｐｍ以下と規制することにより、この
ような粒界における微量成分の腐食に伴う粒界成分の飛
散量を大幅に低下させることができ、マトリックス部の
粒子脱落による腐食損傷をも低下させることが可能とな
る。
有される微量金属成分は、主として粒界層に凝縮され、
プラズマ等の腐食環境下においては、これらの微量成分
の腐食速度が酸化イットリウムよりも大きいため、これ
ら微量成分の腐食が先に進行し、粒界成分が飛散すると
ともに粒界成分の腐食消失によりマトリックス部の酸化
イットリウム粒子の脱落も生じる。このようなことを引
き起こす微量成分としては、Ｓｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｎｉがあるが、これら微量成分のうちＳｉを
２００ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｋ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ
の総量を２００ｐｐｍ以下と規制することにより、この
ような粒界における微量成分の腐食に伴う粒界成分の飛
散量を大幅に低下させることができ、マトリックス部の
粒子脱落による腐食損傷をも低下させることが可能とな
る。
【００１１】一方、酸化イットリウム焼結体中にＡｌが
含まれている場合には、その量が微量であってもウエハ
に付着してデバイスに悪影響を及ぼすおそれがある。し
かし、その量が１００ｐｐｍであれば、Ａｌはウエハに
ほとんど付着せずデバイスに対する悪影響は実質的に生
じない。
含まれている場合には、その量が微量であってもウエハ
に付着してデバイスに悪影響を及ぼすおそれがある。し
かし、その量が１００ｐｐｍであれば、Ａｌはウエハに
ほとんど付着せずデバイスに対する悪影響は実質的に生
じない。
【００１２】したがって、本発明の酸化イットリウム焼
結体は、ウエハと直接接触する部材に有効であり、ウエ
ハ保持具として好適なものとなる。
結体は、ウエハと直接接触する部材に有効であり、ウエ
ハ保持具として好適なものとなる。
【００１３】微量金属元素を上記範囲にするためには、
原料粉末の製造工程から混入する不純物を極力抑制する
とともに、成形および焼結の際に上記微量金属元素が混
入しないように治具や炉を厳密に管理する等の対策を講
じる。
原料粉末の製造工程から混入する不純物を極力抑制する
とともに、成形および焼結の際に上記微量金属元素が混
入しないように治具や炉を厳密に管理する等の対策を講
じる。
【００１４】ウエハ保持具は、腐食ガスまたはそのプラ
ズマを用いるウエハ処理プロセスにおいてウエハを保持
するものであり、少なくともウエハ接触面を上記酸化イ
ットリウム焼結体で構成するが、それに加え、ウエハの
接触面の表面粗さをＲａで０．５μｍ以下とする。
ズマを用いるウエハ処理プロセスにおいてウエハを保持
するものであり、少なくともウエハ接触面を上記酸化イ
ットリウム焼結体で構成するが、それに加え、ウエハの
接触面の表面粗さをＲａで０．５μｍ以下とする。
【００１５】表面粗さがＲａで０．５μｍを超える場合
には、ウエハの接触損傷によるパーティクルが多くなる
ため、ウエハ保持具としては好ましくない。Ｒａが０．
５μｍ以下であればウエハが接触することによるパーテ
ィクルの発生を実質的に問題のない値とすることが可能
である。
には、ウエハの接触損傷によるパーティクルが多くなる
ため、ウエハ保持具としては好ましくない。Ｒａが０．
５μｍ以下であればウエハが接触することによるパーテ
ィクルの発生を実質的に問題のない値とすることが可能
である。
【００１６】次に、図１および図２を参照して、ウエハ
保持具の一例について説明する。図１はウエハ保持具の
一例を示す平面図、図２はステージに載置されたウエハ
をウエハ保持具で保持している状態を示す垂直断面図で
ある。ウエハ保持具１は、本体２と、本体２から内側へ
突出して設けられ、ウエハ４をステージ５に保持する保
持部３とを備えている。保持部３は、図２に示すよう
に、ウエハ４に接触する接触部３ａを有しており、少な
くともこの接触部３ａが、本発明の酸化イットリウム焼
結体で構成され、かつ表面粗さがＲａで０．５μｍ以下
である。この場合に、接触部３ａを含む保持部３の一部
が酸化イットリウム焼結体で構成されていてもよいし、
保持部３全体が酸化イットリウム焼結体で構成されてい
てもよいし、ウエハ保持具１全体が酸化イットリウム焼
結体で構成されていてもよい。
保持具の一例について説明する。図１はウエハ保持具の
一例を示す平面図、図２はステージに載置されたウエハ
をウエハ保持具で保持している状態を示す垂直断面図で
ある。ウエハ保持具１は、本体２と、本体２から内側へ
突出して設けられ、ウエハ４をステージ５に保持する保
持部３とを備えている。保持部３は、図２に示すよう
に、ウエハ４に接触する接触部３ａを有しており、少な
くともこの接触部３ａが、本発明の酸化イットリウム焼
結体で構成され、かつ表面粗さがＲａで０．５μｍ以下
である。この場合に、接触部３ａを含む保持部３の一部
が酸化イットリウム焼結体で構成されていてもよいし、
保持部３全体が酸化イットリウム焼結体で構成されてい
てもよいし、ウエハ保持具１全体が酸化イットリウム焼
結体で構成されていてもよい。
【００１７】このウエハ保持具１によりウエハ４を保持
する場合には、ステージ５の上方の待機位置から、エア
シリンダ等の図示しない適宜の駆動機構によりウエハ保
持具１を下降させ、ウエハ４の周囲を上から押さえつけ
る。なお、ウエハ保持具としては図示した構成に限るも
のではない。
する場合には、ステージ５の上方の待機位置から、エア
シリンダ等の図示しない適宜の駆動機構によりウエハ保
持具１を下降させ、ウエハ４の周囲を上から押さえつけ
る。なお、ウエハ保持具としては図示した構成に限るも
のではない。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。所
定の原料粉末をポリエチレンポット中に、イオン交換
水、有機分散剤、有機バインダーおよび鉄芯入りナイロ
ンボールとともに装入し、２４時間混合した。得られた
スラリーをスプレードライヤーで乾燥し顆粒を作成し
た。顆粒をＣＩＰ成形後、所定温度で焼成して、円盤状
の焼結体を作製した。この円盤状焼結体の上面を鏡面研
磨し評価用試料とした。また、焼結体の微量成分をグロ
ー放電質量分析法（ＧＤ／ＭＳ）により分析した。
定の原料粉末をポリエチレンポット中に、イオン交換
水、有機分散剤、有機バインダーおよび鉄芯入りナイロ
ンボールとともに装入し、２４時間混合した。得られた
スラリーをスプレードライヤーで乾燥し顆粒を作成し
た。顆粒をＣＩＰ成形後、所定温度で焼成して、円盤状
の焼結体を作製した。この円盤状焼結体の上面を鏡面研
磨し評価用試料とした。また、焼結体の微量成分をグロ
ー放電質量分析法（ＧＤ／ＭＳ）により分析した。
【００１９】評価用試料は図３に示すようにチャンバー
内にセットし、プラズマガスとしてＣＦ４＋２０％Ｏ２
をチャンバー内に導入し、イオン衝撃強エネルギー１０
０ｅＶでシリコンウエハとともにプラズマ処理した。処
理後のウエハに対して全反射蛍光Ｘ線を用いて不純物分
析を行った。また、試料の耐食性はプラズマによるエッ
チング速度を測定することにより評価した。この際のエ
ッチング速度は、同様にして作製した研磨試料の表面の
一部をマスク処理してプラズマ処理を行い、プラズマ処
理前後の腐食深さを測定し、プラズマ暴露時間で除する
ことにより算出した。これらの結果を表１に示す。
内にセットし、プラズマガスとしてＣＦ４＋２０％Ｏ２
をチャンバー内に導入し、イオン衝撃強エネルギー１０
０ｅＶでシリコンウエハとともにプラズマ処理した。処
理後のウエハに対して全反射蛍光Ｘ線を用いて不純物分
析を行った。また、試料の耐食性はプラズマによるエッ
チング速度を測定することにより評価した。この際のエ
ッチング速度は、同様にして作製した研磨試料の表面の
一部をマスク処理してプラズマ処理を行い、プラズマ処
理前後の腐食深さを測定し、プラズマ暴露時間で除する
ことにより算出した。これらの結果を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１に示すように、本発明の範囲内である
酸化イットリウム焼結体であるＮｏ．１〜３ではウエハ
においてＡｌ成分は未検出であり、エッチング速度はサ
ファイアの１／２〜１／３程度と優れていた。Ｎｏ．４
は微量金属成分のうちＳｉが２００ｐｐｍを超えた比較
例であり、ウエハにおいてＡｌ成分は未検出であるが、
エッチング速度が若干高く、粒界成分の飛散による酸化
イットリウム粒子の脱落が見られた。また、Ｎｏ．５は
微量金属成分のうちＡｌが１００ｐｐｍを超えた比較例
であり、エッチング速度はサファイアの１／２程度であ
ったが、ウエハにおいてＡｌ成分が若干検出された。Ｎ
ｏ．６は微量金属成分のうち、Ｎａ、Ｋ、Ｔｉ、Ｃｒ、
Ｆｅ、Ｎｉの総量が２００ｐｐｍを超えた比較例であ
り、ウエハにおいてＡｌ成分は未検出であるが、エッチ
ング速度が若干高く、粒界成分の飛散による酸化イット
リウム粒子の脱落が見られた。Ｎｏ．７，８は構成材料
がイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）
である比較例であり、エッチング速度はサファイアの１
／３と耐食性に優れているが、Ａｌがマトリックス成分
として含まれているため、ウエハにおいてＡｌ成分の検
出量が高かった。Ｎｏ．９は構成材料がサファイアであ
る比較例であり、マトリックス成分がＡｌであるため、
ウエハにおいてＡｌ検出量が極めて高かった。Ｎｏ．１
０は構成材料がＳｉＯ２である比較例であり、ウエハに
おいてＡｌ成分は未検出であったが、エッチング速度が
著しく大きく、耐食性に劣っていた。
酸化イットリウム焼結体であるＮｏ．１〜３ではウエハ
においてＡｌ成分は未検出であり、エッチング速度はサ
ファイアの１／２〜１／３程度と優れていた。Ｎｏ．４
は微量金属成分のうちＳｉが２００ｐｐｍを超えた比較
例であり、ウエハにおいてＡｌ成分は未検出であるが、
エッチング速度が若干高く、粒界成分の飛散による酸化
イットリウム粒子の脱落が見られた。また、Ｎｏ．５は
微量金属成分のうちＡｌが１００ｐｐｍを超えた比較例
であり、エッチング速度はサファイアの１／２程度であ
ったが、ウエハにおいてＡｌ成分が若干検出された。Ｎ
ｏ．６は微量金属成分のうち、Ｎａ、Ｋ、Ｔｉ、Ｃｒ、
Ｆｅ、Ｎｉの総量が２００ｐｐｍを超えた比較例であ
り、ウエハにおいてＡｌ成分は未検出であるが、エッチ
ング速度が若干高く、粒界成分の飛散による酸化イット
リウム粒子の脱落が見られた。Ｎｏ．７，８は構成材料
がイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）
である比較例であり、エッチング速度はサファイアの１
／３と耐食性に優れているが、Ａｌがマトリックス成分
として含まれているため、ウエハにおいてＡｌ成分の検
出量が高かった。Ｎｏ．９は構成材料がサファイアであ
る比較例であり、マトリックス成分がＡｌであるため、
ウエハにおいてＡｌ検出量が極めて高かった。Ｎｏ．１
０は構成材料がＳｉＯ２である比較例であり、ウエハに
おいてＡｌ成分は未検出であったが、エッチング速度が
著しく大きく、耐食性に劣っていた。
【００２２】次に、上記Ｎｏ．２に使用した原料粉末を
ポリエチレンポット中に、イオン交換水、有機分散剤、
有機バインダーおよび鉄芯入りナイロンボールとともに
装入し、２４時間混合した。得られたスラリーをスプレ
ードライヤーで乾燥し顆粒を作成した。顆粒をＣＩＰ成
形後、所定温度で焼成し、研磨加工することにより、ウ
エハとの接触部の表面粗さを変化させた図１に示す構造
の４つのウエハ保持具を作製した。
ポリエチレンポット中に、イオン交換水、有機分散剤、
有機バインダーおよび鉄芯入りナイロンボールとともに
装入し、２４時間混合した。得られたスラリーをスプレ
ードライヤーで乾燥し顆粒を作成した。顆粒をＣＩＰ成
形後、所定温度で焼成し、研磨加工することにより、ウ
エハとの接触部の表面粗さを変化させた図１に示す構造
の４つのウエハ保持具を作製した。
【００２３】チャンバー内でこれらのウエハ保持具によ
りウエハを保持し、プラズマガスとしてＣＦ４＋２０％
Ｏ２をチャンバー内に導入し、イオン衝撃強エネルギー
１００ｅＶでシリコンウエハとともにプラズマ処理し、
ウエハ上に飛散したパーティクル数を計測した。その結
果を表２に示す。なお、表２において発生パーティクル
の評価はＮｏ．１２のパーティクル発生数に対する比で
示している。
りウエハを保持し、プラズマガスとしてＣＦ４＋２０％
Ｏ２をチャンバー内に導入し、イオン衝撃強エネルギー
１００ｅＶでシリコンウエハとともにプラズマ処理し、
ウエハ上に飛散したパーティクル数を計測した。その結
果を表２に示す。なお、表２において発生パーティクル
の評価はＮｏ．１２のパーティクル発生数に対する比で
示している。
【００２４】
【表２】
【００２５】表２に示すように、表面粗さがＲａで０．
５μｍ以下のＮｏ．１１〜１３ではパーティクル発生数
の比が０．８〜１．１であったのに対し、表面粗さＲａ
で０．５μｍを超えたＮｏ．１４はパーティクル発生数
の比が１．５と増加した。
５μｍ以下のＮｏ．１１〜１３ではパーティクル発生数
の比が０．８〜１．１であったのに対し、表面粗さＲａ
で０．５μｍを超えたＮｏ．１４はパーティクル発生数
の比が１．５と増加した。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
所定の金属微量成分を所定の範囲に規制することによ
り、半導体製造工程等に用いられるハロゲン含有ガスプ
ラズマ等の腐食雰囲気に対する耐食性が高く、金属によ
る汚染が生じ難い酸化イットリウム焼結体を得ることが
できる。また、このような酸化イットリウム焼結体によ
ってウエハ保持具を構成し、ウエハとの接触部の表面粗
さをＲａで０．５μｍ以下とすることにより、これらの
特性に加え、パーティクルが生じ難いウエハ保持具を得
ることができる。
所定の金属微量成分を所定の範囲に規制することによ
り、半導体製造工程等に用いられるハロゲン含有ガスプ
ラズマ等の腐食雰囲気に対する耐食性が高く、金属によ
る汚染が生じ難い酸化イットリウム焼結体を得ることが
できる。また、このような酸化イットリウム焼結体によ
ってウエハ保持具を構成し、ウエハとの接触部の表面粗
さをＲａで０．５μｍ以下とすることにより、これらの
特性に加え、パーティクルが生じ難いウエハ保持具を得
ることができる。
【図１】本発明のウエハ保持具の一例を示す平面図。
【図２】ステージに載置されたウエハをウエハ保持具で
保持している状態を示す垂直断面図。
保持している状態を示す垂直断面図。
【図３】実施例における評価用試料をチャンバー内にセ
ットした状態を示す平面図。
ットした状態を示す平面図。
１……ウエハ保持具 ２……本体 ３……保持部 ３ａ……接触部 ４……ウエハ ５……ステージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内野 栄一 宮城県仙台市泉区明通三丁目５番 株式会 社日本セラテック本社工場内 (72)発明者 岸 幸男 宮城県仙台市泉区明通三丁目５番 株式会 社日本セラテック本社工場内 Ｆターム(参考） 4K030 CA12 DA04 GA02 KA46 LA15 5F004 AA14 AA15 BA00 BB18 BB29
Claims (2)
- 【請求項１】 金属微量成分の含有量が、重量基準で、
Ｓｉ：２００ｐｐｍ以下、Ａｌ：１００ｐｐｍ以下、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉの総量：２００ｐｐｍ
以下であることを特徴とする酸化イットリウム焼結体。 - 【請求項２】 腐食ガスまたはそのプラズマを用いるウ
エハ処理プロセスにおいてウエハを保持するウエハ保持
具であって、少なくともウエハ接触面が、金属微量成分
の含有量が、重量基準で、Ｓｉ：２００ｐｐｍ以下、Ａ
ｌ：１００ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｋ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、
Ｎｉの総量：２００ｐｐｍ以下であり、かつ表面粗さが
Ｒａで０．５μｍ以下の酸化イットリウム焼結体で構成
されていることを特徴とするウエハ保持具。
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