JP7335134B2 - 制御装置およびキャリブレーション方法 - Google Patents
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Description
10 タッチパネル
11 第1抵抗膜
12 第2抵抗膜
13 A/D変換器
20 タッチIC
22a 算出部
30 マイコン(制御装置の一例)
32a 第1校正部
32b 第2校正部
32c 補正部
Claims (4)
- 抵抗膜方式のタッチパネルに対するタッチ位置が2点である2点タッチ時のキャリブレーションを実施する第1校正部と、
前記タッチ位置が1点である1点タッチ時のキャリブレーションを実施する第2校正部と
を備え、
前記第1校正部は、前記タッチパネル内部の抵抗値の総和である総抵抗値の算出に使用するパラメータを設定し、
前記第2校正部は、前記パラメータを使用して算出された総抵抗値をもとに、前記1点タッチ時におけるキャリブレーションを実施する、
制御装置。 - 前記第1校正部は、
2点タッチ間の距離を基準距離とした場合における前記タッチパネルの端子間電圧をA/D変換した基準変換値を目標値へ設定するゲインパラメータを前記総抵抗値を算出するためのパラメータとして設定する、
請求項1に記載の制御装置。 - 抵抗膜方式のタッチパネルに対するタッチ位置が2点である2点タッチ時のキャリブレーションを実施する第1校正処理と、
前記タッチ位置が1点である1点タッチ時のキャリブレーションを実施する第2校正処理と、
を実行する制御部を備え、
前記制御部は、
前記第1校正処理において、前記タッチパネル内部の抵抗値の総和である総抵抗値の算出に使用するパラメータを設定し、
前記第2校正処理において、前記パラメータを使用して算出された総抵抗値をもとに、前記1点タッチ時におけるキャリブレーションを実施する、
制御装置。 - 抵抗膜方式のタッチパネルに対するタッチ位置が2点である2点タッチ時のキャリブレーションを実施する第1校正工程と、
前記タッチ位置が1点である1点タッチ時のキャリブレーションを実施する第2校正工程と
を含み、
前記第1校正工程は、前記タッチパネル内部の抵抗値の総和である総抵抗値の算出に使用するパラメータを設定し、
前記第2校正工程は、前記パラメータを使用して算出された総抵抗値をもとに、前記1点タッチ時におけるキャリブレーションを実施する、
キャリブレーション方法。
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