JP7333676B2 - マイクロナノ構造の製造方法 - Google Patents
マイクロナノ構造の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7333676B2 JP7333676B2 JP2022551796A JP2022551796A JP7333676B2 JP 7333676 B2 JP7333676 B2 JP 7333676B2 JP 2022551796 A JP2022551796 A JP 2022551796A JP 2022551796 A JP2022551796 A JP 2022551796A JP 7333676 B2 JP7333676 B2 JP 7333676B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- micro
- mask plate
- nano
- substrate
- fluid polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
2 マスク版;
3 マイクロナノパターン;
4 粘着防止層;
5 光透過領域;
6 流体ポリマー層;
7 反射層;
8 基板。
線幅分解能が200nmであり、深さが300nmであるフォトプリントパターンを製造し、その具体的な製造過程は以下のとおりである。
(1)厚さが0.35mmである石英基板をベースとして選択する。分子線エピタキシーと低温焼鈍とを結合するメッキ方式によって基板の表面に厚さが50nmである低損失銀反射層を堆積する。
(2)銀反射層の表面に厚さ300nmの高分解能流体ポリマー材料をスピンコーティングし、前述のステップS1に相当する。
(3)加熱蒸発の方式で線幅分解能が200nmであるクロムマスク版の表面に一層の均一な単分子粘着防止剤層を形成する。
(4)パッシブレベリング機械構造によって高分解能流体ポリマー材料がスピンコーティングされた基板と、線幅分解能が200nmであるクロムマスク版パターン面とをレベリングして接触させる。
(5)基板の裏面に0.2MPaの気圧を印加することにより、厚さが100nmである高分解能流体ポリマー材料の表面をマスク版パターンの光透過領域に押し込み、かつ加熱して硬化させ、前述のステップS2に相当する。
(6)中心波長が365nmである紫外線露光光源をオンにし、電力が0.2mW/cm2である条件で、20s露光する。反射層の作用で、マスク版パターンを通過したライトフィールドを光透過領域に局在させ、マスク版パターンの光透過領域と反射層との間に押し込まれた局所的な流体ポリマー材料を感光させる。
(7)露光が完了した後、基板とマスクを分離し、離型を実現する。基板を現像液に入れて22℃の温度条件で20s現像することにより、感光及び硬化されていないポリマー材料を除去し、分解能が200nmであって深さが300nmであるフォトプリントパターンを得て、前述のステップS3に相当する。
線幅分解能が30nmであって深さが50nmであるフォトプリントパターンを製造し、その具体的な製造過程は以下のとおりである。
(1)厚さが0.21mmであるシリコンウェハをベースとして選択する。アルミニウムと銅とのコスパッタのメッキ方式を採用して基板の表面に一層の厚さが60nmである低損失アルミニウム反射層を堆積する。
(2)アルミニウム反射層の表面に厚さが50nmである高分解能流体ポリマー材料をスピンコーティングし、前述のステップS1に相当する。
(3)加熱蒸発の方式で線幅分解能が30nmであるモリブデンマスク版の表面に一層の均一な単分子粘着防止剤層を形成する。
(4)三点アクティブレベリングシステムを採用して高分解能流体ポリマー材料がスピンコーティングされた基板と、線幅分解能が30nmであるモリブデンマスク版パターン面とをレベリングして接触させる。レベリング過程で、三点のギャップ値をリアルタイムに監視して調整する。
(5)圧電アクチュエータにより基板の裏面に200Nの圧力を印加し、厚さが20nmである高分解能流体ポリマー材料の表面をマスク版パターンの光透過領域に押し込み、加熱して硬化させ、前述のステップS2に相当する。
(6)中心波長が365nmである紫外線露光光源をオンにし、電力が0.2mW/cm2である条件で、10s露光する。反射層の作用でマスクパターンを通過したライトフィールドを光透過領域に局在させ、マスク版パターンの光透過領域と反射層との間に押し込まれた局所的な流体ポリマー材料を感光させる。
(7)露光が完了した後、基板とマスクを分離し、離型を実現する。基板を現像液に入れて0℃の温度条件で40s現像することにより、感光及び硬化されていないポリマー材料を除去し、分解能が30nmであって深さが50nmであるフォトプリントパターンを得て、前述のステップS3に相当する。
Claims (14)
- マイクロナノ構造の製造方法であって、
基板(8)の表面に順に反射層(7)、流体ポリマー層(6)を形成することと、
前記基板(8)とマイクロナノパターン付きのマスク版(2)とを加圧して貼り合わせ、前記流体ポリマー層(6)を、前記マスク版の光透過領域(5)全体を完全に充填させないように前記マスク版の光透過領域(5)に浅く押し込んで、前記流体ポリマー層(6)を硬化させることと、
露光を行い、透過光及び前記反射層の反射光の共同作用で前記光透過領域の流体ポリマーを感光させることと、
前記基板(8)を現像液に置いて現像し、感光硬化されていない流体ポリマーを除去して、前記マイクロナノ構造を得ることと、を含む
ことを特徴とするマイクロナノ構造の製造方法。 - 前記基板(8)とマイクロナノパターン付きのマスク版(2)とを加圧して貼り合わせることは、
精密圧力伝達により前記基板(8)とマイクロナノパターン付きのマスク版(2)とを加圧して貼り合わせ、前記流体ポリマー層(6)を前記マスク版の光透過領域(5)に均一に押し込むことを含む
ことを特徴とする請求項1に記載のマイクロナノ構造の製造方法。 - 精密圧力伝達により前記基板(8)とマイクロナノパターン付きのマスク版(2)とを加圧して貼り合わせることにおいて、精密圧力伝達の方法は、ピストン類機械伝達、圧電アクチュエータ伝達、エアフィルム伝達、気圧伝達を含む
ことを特徴とする請求項2に記載のマイクロナノ構造の製造方法。 - 前記基板(8)とマイクロナノパターン付きのマスク版(2)とを加圧して貼り合わせる前に、
前記基板(8)とマイクロナノパターン付きのマスク版(2)とをレベリングして接触させることをさらに含む
ことを特徴とする請求項1に記載のマイクロナノ構造の製造方法。 - 前記マスク版(2)のマイクロナノパターン(3)に一層の粘着防止層(4)がさらに含まれ、前記粘着防止層(4)の材料は、ダイヤモンドライクカーボンフィルム、フッ素ドープシランを含む
ことを特徴とする請求項1に記載のマイクロナノ構造の製造方法。 - 前記流体ポリマー層(6)は、高分解能の流体ポリマー材料であり、フッ素ドープケイ素基共重合体又は誘導体、ビニルエーテル共重合体、アクリル酸共重合体、カリクサレン分子ガラス、過酸解離活性アセタールポリマー、ポリp-ヒドロキシルスチレン共重合体を含む
ことを特徴とする請求項1に記載のマイクロナノ構造の製造方法。 - 前記基板(8)の表面に反射層(7)を形成する方法は、分子線エピタキシーと低温焼鈍との結合、コスパッタ、高温スパッタ法を含む
ことを特徴とする請求項1に記載のマイクロナノ構造の製造方法。 - 前記基板(8)の表面に流体ポリマー層(6)を形成することは、前記流体ポリマーを前記反射層(7)の表面にスピンコーティングして、流体ポリマー層を形成することを含む
ことを特徴とする請求項7に記載のマイクロナノ構造の製造方法。 - 前記反射層(7)は低損失銀反射層、低損失アルミニウム反射層を含む
ことを特徴とする請求項7に記載のマイクロナノ構造の製造方法。 - 基板の表面に一層の低損失の反射層を堆積するステップ1と、
高分解能の流体ポリマー材料を反射層の表面にスピンコーティングするステップ2と、
マイクロナノマスク版の表面に一層の粘着防止層を製造するステップ3と、
機械装置により、反射層の表面に高分解能流体ポリマー材料がスピンコーティングされた基板とマイクロナノマスク版パターン面とをレベリングして接触させるステップ4と、
精密圧力伝達方法により高分解能の流体ポリマー材料の表面浅層を、マスク版パターン光透過領域全体を完全に充填させないように前記マスク版パターン光透過領域に押し込むステップ5と、
露光を行い、反射層の作用でマスク版パターンを通過したライトフィールドを光透過領域に局在させ、マスク版パターンの光透過領域と反射層との間に押し込まれた局所的な流体ポリマー材料を感光し硬化させるステップ6と、
離型した後に基板を現像液に入れて現像し、感光及び硬化されていないポリマー材料を除去し、複製されたパターンを得るステップ7と、を含む
ことを特徴とする反射式ライトフィールド増強によるマイクロナノフォトプリント製造方法。 - 前記ステップ1における低損失の反射層の製造方法は、分子線エピタキシーと低温焼鈍との結合、コスパッタ、高温スパッタ法である
ことを特徴とする請求項10に記載の反射式ライトフィールド増強によるマイクロナノフォトプリント製造方法。 - 前記ステップ2における高分解能の流体ポリマー材料は、フッ素ドープケイ素基共重合体又は誘導体、ビニルエーテル共重合体、アクリル酸共重合体、カリクサレン分子ガラス、過酸解離活性アセタールポリマー、ポリp-ヒドロキシルスチレン共重合体である
ことを特徴とする請求項10に記載の反射式ライトフィールド増強によるマイクロナノフォトプリント製造方法。 - 前記ステップ3における粘着防止層は、ダイヤモンドライクカーボンフィルム、フッ素ドープシランである
ことを特徴とする請求項10に記載の反射式ライトフィールド増強によるマイクロナノフォトプリント製造方法。 - 前記ステップ5における精密圧力伝達方法は、ピストン類機械伝達、圧電アクチュエータ伝達、エアフィルム伝達、気圧伝達である
ことを特徴とする請求項10に記載の反射式ライトフィールド増強によるマイクロナノフォトプリント製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010354559.XA CN111522206B (zh) | 2020-04-29 | 2020-04-29 | 一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法 |
CN202010354559.X | 2020-04-29 | ||
PCT/CN2021/090554 WO2021219005A1 (zh) | 2020-04-29 | 2021-04-28 | 一种微纳结构的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023522560A JP2023522560A (ja) | 2023-05-31 |
JP7333676B2 true JP7333676B2 (ja) | 2023-08-25 |
Family
ID=71903753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022551796A Active JP7333676B2 (ja) | 2020-04-29 | 2021-04-28 | マイクロナノ構造の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11675273B2 (ja) |
EP (1) | EP4134743A4 (ja) |
JP (1) | JP7333676B2 (ja) |
CN (1) | CN111522206B (ja) |
WO (1) | WO2021219005A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111522206B (zh) * | 2020-04-29 | 2021-09-21 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004335910A (ja) | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Canon Inc | アライメント方法、該アライメント方法を用いた露光方法、露光用マスク、該マスクを備えた露光装置 |
JP2008516450A (ja) | 2004-10-07 | 2008-05-15 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | リソグラフィマスクアライメント |
JP2008539570A (ja) | 2005-04-27 | 2008-11-13 | オブデュキャット、アクチボラグ | パターンを被転写体に転写する手段 |
JP2009010188A5 (ja) | 2007-06-28 | 2011-05-12 | ||
JP2013069921A (ja) | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | インプリント方法 |
JP2015169803A (ja) | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 株式会社東芝 | マスク及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8728380B2 (en) | 1995-11-15 | 2014-05-20 | Regents Of The University Of Minnesota | Lithographic method for forming a pattern |
US6653030B2 (en) * | 2002-01-23 | 2003-11-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical-mechanical feature fabrication during manufacture of semiconductors and other micro-devices and nano-devices that include micron and sub-micron features |
JP5271486B2 (ja) * | 2006-08-16 | 2013-08-21 | 株式会社ブリヂストン | 離型剤、これを用いた凹凸パターンの形成方法及び光情報記録媒体の製造方法、並びに光情報記録媒体 |
KR100843342B1 (ko) * | 2007-02-12 | 2008-07-03 | 삼성전자주식회사 | Uv 나노 임프린트 리소그래피 수행 공정 및 장치 |
JP5570688B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2014-08-13 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 微細レジストパターン形成方法及びナノインプリントモールド構造 |
CN101131537B (zh) * | 2007-09-13 | 2011-04-20 | 苏州苏大维格数码光学有限公司 | 一种精密数字化微纳米压印的方法 |
CN102211441B (zh) * | 2010-02-23 | 2014-02-12 | 乐金显示有限公司 | 辊模、制造辊模的方法及采用辊模形成薄膜图案的方法 |
US9452574B2 (en) * | 2011-12-19 | 2016-09-27 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Fabrication of seamless large area master templates for imprint lithography using step and repeat tools |
JP5774536B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2015-09-09 | 株式会社東芝 | 近接場露光用マスクおよびパターン形成方法 |
CN103488046B (zh) * | 2013-09-26 | 2019-10-22 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种纳米压印光刻装置及其方法 |
CN103631089B (zh) * | 2013-12-08 | 2016-08-17 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种紫外光固化纳米压印聚合物模板的制备方法 |
JP6750188B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2020-09-02 | デクセリアルズ株式会社 | マスターフィルム付きナノ構造フィルム及びその製造方法 |
US10468249B2 (en) * | 2015-09-28 | 2019-11-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Patterning process of a semiconductor structure with a middle layer |
US10497564B1 (en) * | 2017-07-17 | 2019-12-03 | Northrop Grumman Systems Corporation | Nano-imprinting using high-pressure crystal phase transformations |
CN107561857A (zh) * | 2017-09-20 | 2018-01-09 | 南方科技大学 | 一种基于纳米压印制备光学超构表面的方法 |
JP7023744B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2022-02-22 | キヤノン株式会社 | インプリント方法及び製造方法 |
CN109283788B (zh) * | 2018-10-11 | 2022-05-20 | 中国石油大学(华东) | 一种用于旋转式近场光刻的纳米图形加工***及方法 |
CN111522206B (zh) * | 2020-04-29 | 2021-09-21 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法 |
-
2020
- 2020-04-29 CN CN202010354559.XA patent/CN111522206B/zh active Active
-
2021
- 2021-04-28 WO PCT/CN2021/090554 patent/WO2021219005A1/zh unknown
- 2021-04-28 US US17/997,102 patent/US11675273B2/en active Active
- 2021-04-28 JP JP2022551796A patent/JP7333676B2/ja active Active
- 2021-04-28 EP EP21795876.8A patent/EP4134743A4/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004335910A (ja) | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Canon Inc | アライメント方法、該アライメント方法を用いた露光方法、露光用マスク、該マスクを備えた露光装置 |
JP2008516450A (ja) | 2004-10-07 | 2008-05-15 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | リソグラフィマスクアライメント |
JP2008539570A (ja) | 2005-04-27 | 2008-11-13 | オブデュキャット、アクチボラグ | パターンを被転写体に転写する手段 |
JP2009010188A5 (ja) | 2007-06-28 | 2011-05-12 | ||
JP2013069921A (ja) | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | インプリント方法 |
JP2015169803A (ja) | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 株式会社東芝 | マスク及びパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4134743A1 (en) | 2023-02-15 |
US20230132100A1 (en) | 2023-04-27 |
CN111522206B (zh) | 2021-09-21 |
JP2023522560A (ja) | 2023-05-31 |
CN111522206A (zh) | 2020-08-11 |
US11675273B2 (en) | 2023-06-13 |
WO2021219005A1 (zh) | 2021-11-04 |
EP4134743A4 (en) | 2023-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2488188C2 (ru) | Способ и устройство нанесения нанорисунка на большие площади | |
CN108761600B (zh) | 一种预应力辅助纳米压印制作高密度衍射光栅的方法 | |
JP2022547391A (ja) | ニアアイディスプレイの回折格子導波路の製造方法 | |
JPH11326603A (ja) | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに表示装置 | |
KR101020634B1 (ko) | 기능성 나노패턴을 갖는 렌즈의 제조방법 | |
JP2001201609A (ja) | 平板状マイクロレンズの製造方法及びこの方法で製造された平板状マイクロレンズ | |
KR101200562B1 (ko) | 광정렬 일체형 대면적 금속 스탬프의 제조 방법 그리고 그를 이용한 고분자 광소자의 제조 방법 | |
KR20090003601A (ko) | 플렉시블 포토마스크 및 이의 제조방법 | |
JP7333676B2 (ja) | マイクロナノ構造の製造方法 | |
KR20120067170A (ko) | 나노임프린트용 스탬프 제조방법 | |
CN113126428A (zh) | 一种纳米压印方法 | |
CN113484945A (zh) | 一种基于pdms/pua相互复制的可变线密度光栅制作方法 | |
JP4307040B2 (ja) | 微細表面構造をもつ物品の製造方法 | |
JP5503804B2 (ja) | 2次元高分子光導波路の製造方法 | |
JP4641835B2 (ja) | 位相シフター光学素子の製造方法及び得られる素子 | |
JPWO2008062836A1 (ja) | 光導波路モジュール及びその製造方法 | |
CN108957611B (zh) | 一种光栅片的制造方法、光栅片及显示设备 | |
CN101131538A (zh) | 应用热压印技术制作微光学元件的方法 | |
KR100731737B1 (ko) | 섀도우 마스크 기능을 갖는 자외선 경화 수지 몰딩용 복합몰드 및 그 제조 방법과 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
KR100934239B1 (ko) | 임프린트용 대면적 스탬프 제작방법 | |
CN101231463A (zh) | 基于紫外压印的多相位与连续浮雕结构光学元件制作方法 | |
KR101542142B1 (ko) | 나노리소그래피용 마이크로팁 어레이, 이의 제조방법 및 이를 이용한 나노리소그래피 방법 | |
Wen et al. | Innovative rapid replication of microlens arrays using electromagnetic force-assisted UV imprinting | |
CN112363367A (zh) | 一种多阶图形纳米压印的方法 | |
KR101937555B1 (ko) | 마이크로 나노 복합체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광 디바이스 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221031 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221031 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20221031 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20221031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230630 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230725 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230807 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7333676 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |