JP7328835B2 - 溶接方法 - Google Patents
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Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)~図1(c)に表したように、実施形態に係る溶接方法は、準備工程と、溶接工程と、を含む。
図2に表したように、表面処理加工は、例えば、レーザアブレーションにより行われる。レーザアブレーションは、レーザ光の照射により部材の表面を加工する技術である。レーザアブレーションにおいては、レーザ装置50から照射されたレーザ光をレンズ55で集光し、母材1aの一部及び母材1bの一部に照射する。
図3に表したように、溶接工程においては、例えば、レーザ装置51から照射されたレーザ光をレンズ55で集光し、第1被溶接材料10aの第2部分12a及び第2被溶接材料10bの第2部分12bに照射する。
図5は、実施形態に係る溶接方法における被溶接材料の第2部分の一部を拡大して表す電子顕微鏡写真の一例である。
図4は、図1(b)に示したA1-A2線による断面図である。
図4及び図5に表したように、第2部分12は凹凸を有する。例えば、第2部分12の表面粗さは、第1部分11の表面粗さよりも大きい。
図7は、実施形態に係る溶接方法における被溶接材料の第2部分の断面を拡大して表す電子顕微鏡写真の一例である。
図8は、実施形態の変形例に係る溶接方法における被溶接材料の第2部分の断面を拡大して表す電子顕微鏡写真の一例である。
図5は、酸素含有雰囲気下でレーザアブレーションを行った場合の第2部分12の一部を表している。また、図7は、酸素含有雰囲気下でレーザアブレーションを行った場合の第2部分12の断面を表している。一方、図6は、不活性ガス雰囲気下でレーザアブレーションを行った場合の第2部分12の一部を表している。また、図8は、不活性ガス雰囲気下でレーザアブレーションを行った場合の第2部分12の断面を表している。
Claims (4)
- 第1被溶接材料及び第2被溶接材料を準備する準備工程と、
前記第1被溶接材料及び前記第2被溶接材料の少なくとも一方にレーザ光を照射することで、前記第1被溶接材料及び前記第2被溶接材料を溶接する溶接工程と、
を備え、
前記第1被溶接材料及び前記第2被溶接材料の前記少なくとも一方は、第1部分と、前記第1部分のレーザ光吸収率よりも高いレーザ光吸収率を有する第2部分と、を有し、
前記溶接工程において、前記第2部分に前記レーザ光を照射することで、前記第1被溶接材料及び前記第2被溶接材料を溶接し、
前記準備工程において、母材の一部にレーザ光吸収率を向上させるための表面処理加工を施すことで、前記第1部分及び前記第2部分を有する前記第1被溶接材料及び前記第2被溶接材料の少なくとも一方を作製し、
前記第2部分は、粒状の突起を有し、
前記粒状の突起の密度は、1万個/mm 2 以上100万個/mm 2 以下であり、
前記粒状の突起の外接円の直径の平均は、10nm以上100nm以下である、溶接方法。 - 前記表面処理加工は、レーザアブレーションにより行われる、請求項1記載の溶接方法。
- 前記レーザアブレーションにおいて照射されるレーザ光のパルス幅は、100ピコ秒以下である、請求項2記載の溶接方法。
- 前記表面処理加工による加工の深さは、0.1mm以下である、請求項1~3のいずれか1つに記載の溶接方法。
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