JP7327445B2 - 画像表示装置および虚像表示装置 - Google Patents
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Description
第2波長域を含む光を出射する第2発光素子を有する第2パネルと、
第3波長域を含む光を出射する第3発光素子を有する第3パネルと、
前記第1パネルと対向する第1面と、前記第2パネルと対向する第2面と、前記第3パネルと対向する第3面と、を有するプリズムと、
を備え、
前記第1発光素子、前記第2発光素子、および前記第3発光素子はそれぞれ、階調電位に応じた輝度で発光し、
前記第1パネルは、第1反射膜と、第1半反射半透過膜と、前記第1反射膜と前記第1半反射半透過膜との間に設けられる第1導電膜と、前記第1導電膜と前記第1半反射半透過膜との間に設けられる第1発光機能層と、前記第1反射膜と前記第1導電膜との間に設けられる第1光学調整層と、を有し、
前記第2パネルは、第2反射膜と、第2半反射半透過膜と、前記第2反射膜と前記第2半反射半透過膜との間に設けられる第2導電膜と、前記第2導電膜と前記第2半反射半透過膜との間に設けられる第2発光機能層と、前記第2反射膜と前記第2導電膜との間に設けられる第2光学調整層と、を有し、
前記第3パネルは、第3反射膜と、第3半反射半透過膜と、前記第3反射膜と前記第3半反射半透過膜との間に設けられる第3導電膜と、前記第3導電膜と前記第3半反射半透過膜との間に設けられる第3発光機能層と、前記第3反射膜と前記第3導電膜との間に設けられる第3光学調整層と、を有し、
前記第1導電膜の厚さと前記第1光学調整層の厚さとの和である第1の厚さは、前記第1発光機能層の厚さよりも厚く、
前記第2導電膜の厚さと前記第2光学調整層の厚さとの和である第2の厚さは、前記第2発光機能層の厚さよりも厚く、
前記第3導電膜の厚さと前記第3光学調整層の厚さとの和である第3の厚さは、前記第3発光機能層の厚さよりも厚く、
前記第1光学調整層、前記第2光学調整層、および前記第3光学調整層はそれぞれ、第1SiO2層と、前記第1SiO2層に積層されたSiN層と、前記SiN層に積層された第2SiO2層と、を有し、
前記第1光学調整層、前記第2光学調整層、および前記第3光学調整層において、前記第1SiO 2 層の厚さがそれぞれ同一、かつ、前記SiN層の厚さがそれぞれ同一であり、前記第2SiO 2 層の厚さがそれぞれ異なっている、
ことを特徴とする。
[第1実施形態]
(全体構成)
図1は、本発明の画像表示装置の第1実施形態を示す平面図、図2は、図1に示す第1着色層(R)等の透過率-波長特性を示すグラフ、図3は、図1に示す第1画像光LR等のスペクトラムを示すグラフ、図4は、図1に示す第1ダイクロイックミラー56の透過率-波長特性を示すグラフ、図5は、図1に示す第2ダイクロイックミラー57の透過率-波長特性を示すグラフである。
図6は、図1に示す第1パネル10の電気的構成を示す説明図、図7は、図6に示す第1表示領域111内の各画素(画素回路)の回路図である。なお、以下では、説明の都合上、図6中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」として説明を行う。
図8は、図1に示す第1パネル10の断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図8中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
第1電極E1(陽極)は、正孔輸送層に正孔を注入する電極である。この第1電極E1の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
第2電極E2(陰極)は、電子注入層を介して電子輸送層に電子を注入する電極である。この第2電極E2の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
正孔輸送層は、第1電極E1(陽極)から注入された正孔を発光層に輸送する機能を有するものである。
発光層は、第1発光素子15では、赤色の発光光を発光する赤色発光層で構成され、例えば、赤色に発光する赤色発光材料と、赤色発光材料を保持するホスト材料とを含んで構成されている。
電子輸送層は、第2電極E2(陰極)から電子注入層を介して注入された電子を発光層に輸送する機能を有するものである。
電子注入層は、第2電極E2(陰極)からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
図9は、図1に示す第2パネル20の断面図、図10は、図1に示す第3パネル30の断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図9、図10中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
青色発光層は、青色に発光する青色発光材料と、青色発光材料を保持するホスト材料とを含んで構成されている。
緑色発光層は、緑色に発光する緑色発光材料と、緑色発光材料を保持するホスト材料(第3のホスト材料)とを含んで構成されている。
以上のような画像表示装置1は、各種の虚像表示装置に組み込むことができる。
以下、本発明の虚像表示装置の一例として、画像表示装置1を備えるアイグラスディスプレイについて説明する。
次いで、本発明の虚像表示装置の一例として、画像表示装置1を備えるプロジェクターについて説明する。
虚像表示装置2000は、図14に示すように、画像表示装置1と、画像表示装置1から出射された合成光Lbをスクリーン等の被投射部材2020等に拡大して投射する投射光学系2010とを有するプロジェクターである。
1.発光素子の製造
(実施例1)
[赤色発光素子の製造]
<1> まず、平均厚さ0.5mmの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ150nmのAlCuで構成される第1電源導電体すなわち反射膜を形成した。
以上の工程により、赤色発光素子を製造した。
前記工程<2>において、平均厚さ155nmのSiO2層に代えて、平均厚さ30nmのSiO2層を形成し、前記工程<4>において、平均厚さ50nmの正孔輸送層を形成し、前記工程<5>において、発光材料(ゲスト材料)として下記式(5)で示されるジスチリルジアミン系化合物を用い、ホスト材料として下記式(6)に示すようなアントラセン誘導体を用い、発光材料(ドーパント)の含有量(ドープ濃度)を6.0wt%として発光層を形成し、前記工程<6>において、平均厚さ20nmの電子輸送層を形成したこと以外は、前記赤色発光素子と同様にして青色発光素子を製造した。
前記工程<2>において、平均厚さ155nmのSiO2層に代えて、平均厚さ75nmのSiO2層を形成し、前記工程<4>において、平均厚さ40nmの正孔輸送層を形成し、前記工程<5>において、発光材料(ゲスト材料)として下記式(7)に示すキナクリドン誘導体を用い、ホスト材料として上記式(6)に示すようなアントラセン誘導体を用いて発光層を形成し、前記工程<6>において、平均厚さ30nmの電子輸送層を形成したこと以外は、前記赤色発光素子と同様にして緑色発光素子を製造した。
赤色発光素子、青色発光素子および緑色発光素子を構成する各層の厚さを表1、表2に示すように変更したこと以外は、前記実施例1と同様にして、実施例2~4、比較例の赤色発光素子、青色発光素子および緑色発光素子を製造した。
各実施例および比較例の赤色発光素子、青色発光素子、緑色発光素子について、一定電流電源(KEITHLEY社製 KEITHLEY2400)を用いて、各発光素子に100mA/cm2の定電流を流し、そのときの発光ピーク波長における発光強度を、高速分光放射計(コニカミノルタ社製CS-2000)を用いて測定した。そして、実施例1の各発光素子で測定された発光強度を1として、他の実施例および比較例の各発光素子で測定された発光強度を規格化した。また、各発光素子に100mA/cm2の定電流を流し、そのときの駆動電圧を、デジタルマルチメーター(KEITHLEY社製KEITHLEY2400)を用いて測定した。
これらの測定結果を表1、表2に示す。
Claims (7)
- 第1波長域を含む光を出射する第1発光素子を有する第1パネルと、
第2波長域を含む光を出射する第2発光素子を有する第2パネルと、
第3波長域を含む光を出射する第3発光素子を有する第3パネルと、
前記第1パネルと対向する第1面と、前記第2パネルと対向する第2面と、前記第3パネルと対向する第3面と、を有するプリズムと、
を備え、
前記第1発光素子、前記第2発光素子、および前記第3発光素子はそれぞれ、階調電位に応じた輝度で発光し、
前記第1パネルは、第1反射膜と、第1半反射半透過膜と、前記第1反射膜と前記第1半反射半透過膜との間に設けられる第1導電膜と、前記第1導電膜と前記第1半反射半透過膜との間に設けられる第1発光機能層と、前記第1反射膜と前記第1導電膜との間に設けられる第1光学調整層と、を有し、
前記第2パネルは、第2反射膜と、第2半反射半透過膜と、前記第2反射膜と前記第2半反射半透過膜との間に設けられる第2導電膜と、前記第2導電膜と前記第2半反射半透過膜との間に設けられる第2発光機能層と、前記第2反射膜と前記第2導電膜との間に設けられる第2光学調整層と、を有し、
前記第3パネルは、第3反射膜と、第3半反射半透過膜と、前記第3反射膜と前記第3半反射半透過膜との間に設けられる第3導電膜と、前記第3導電膜と前記第3半反射半透過膜との間に設けられる第3発光機能層と、前記第3反射膜と前記第3導電膜との間に設けられる第3光学調整層と、を有し、
前記第1導電膜の厚さと前記第1光学調整層の厚さとの和である第1の厚さは、前記第1発光機能層の厚さよりも厚く、
前記第2導電膜の厚さと前記第2光学調整層の厚さとの和である第2の厚さは、前記第2発光機能層の厚さよりも厚く、
前記第3導電膜の厚さと前記第3光学調整層の厚さとの和である第3の厚さは、前記第3発光機能層の厚さよりも厚く、
前記第1光学調整層、前記第2光学調整層、および前記第3光学調整層はそれぞれ、第1SiO2層と、前記第1SiO2層に積層されたSiN層と、前記SiN層に積層された第2SiO2層と、を有し、
前記第1光学調整層、前記第2光学調整層、および前記第3光学調整層において、前記第1SiO 2 層の厚さがそれぞれ同一、かつ、前記SiN層の厚さがそれぞれ同一であり、前記第2SiO 2 層の厚さがそれぞれ異なっている、
ことを特徴とする画像表示装置。 - 前記第1パネルと前記第1面との間に設けられる第1接着剤と、
前記第2パネルと前記第2面との間に設けられる第2接着剤と、
前記第3パネルと前記第2面との間に設けられる第3接着剤と、
を備える、
請求項1に記載の画像表示装置。 - 前記第1パネルと、前記第2パネルと、前記第3パネルとにおいて、前記第1光学調整層、前記第2光学調整層、および前記第3光学調整層は、それぞれ、2層以上の積層体で構成される、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の画像表示装置。 - 前記第1発光素子と、前記第2発光素子と、前記第3発光素子とは、それぞれ、有機エレクトロルミネッセンス素子である、
ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の画像表示装置。 - 前記第1発光機能層と、前記第2発光機能層と、前記第3発光機能層との間における厚さの誤差は、±20%以下である、
ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の画像表示装置。 - 前記第1光学調整層の厚さは前記第1導電膜の厚さよりも厚く、
前記第2光学調整層の厚さは前記第2導電膜の厚さよりも厚く、
前記第3光学調整層の厚さは前記第3導電膜の厚さよりも厚い、
ことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の画像表示装置。 - 請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の画像表示装置を備えることを特徴とする虚像表示装置。
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