JP7325550B2 - めっき処理方法およびめっき処理装置 - Google Patents
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Description
最初に、図1を参照しながら、実施形態に係るめっき処理装置1の構成について説明する。図1は、実施形態に係るめっき処理装置1の構成の概略を示す図である。
つづいて、図2A~図7を参照しながら、実施形態に係るめっき処理装置1で行うめっき処理の詳細について説明する。実施形態に係るめっき処理では、最初に、基板保持処理および第1供給処理が行われる。図2Aは、実施形態に係る基板保持処理および第1供給処理の概要を示す図である。
つづいて、実施形態の各種変形例について、図8~図13を参照しながら説明する。なお、以下の各種変形例において、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。
つづいて、実施形態に係る基板処理の手順について、図14~図16を参照しながら説明する。図14は、実施形態に係るめっき処理装置1が実行するめっき処理の手順を示すフローチャートである。
1 めっき処理装置
10 基板保持部
20 めっき処理部
30 電圧印加部
40 処理液供給部
41 第1供給部
42 第2供給部
43 第3供給部
L1 めっき液
L2 導電性液体
L3 洗浄液
Claims (8)
- 表面にビアが形成された基板を保持する基板保持工程と、
保持された前記基板上にめっき液を供給する第1供給工程と、
前記基板に供給された前記めっき液上に、前記めっき液とは異なる導電性液体を供給する第2供給工程と、
前記基板と前記導電性液体との間に電圧を印加して、前記ビアの内部の少なくとも一部にめっき膜を形成する電圧印加工程と、
を含むめっき処理方法。 - 前記第1供給工程の後に、前記基板上の前記めっき液を減少させるめっき液減少工程をさらに含む
請求項1に記載のめっき処理方法。 - 前記第1供給工程の後に、前記めっき液の濃度を低下させる濃度低下工程をさらに含む
請求項1に記載のめっき処理方法。 - 前記第1供給工程から前記電圧印加工程までの各工程は、順次繰り返して行われる
請求項1~3のいずれか一つに記載のめっき処理方法。 - 前記導電性液体は、前記めっき液よりも比重が小さい
請求項1~4のいずれか一つに記載のめっき処理方法。 - 前記導電性液体は、前記めっき液よりも主成分の含有量が少ないめっき液である
請求項5に記載のめっき処理方法。 - 前記導電性液体は、アンモニアまたはCO2を含有する液体である
請求項5に記載のめっき処理方法。 - 表面にビアが形成された基板を保持する基板保持部と、
前記基板上にめっき液を供給する第1供給部と、
前記基板上に前記めっき液とは異なる導電性液体を供給する第2供給部と、
電圧を印加する電圧印加部と、
各部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記基板保持部によって前記基板を保持し、
保持された前記基板上に前記第1供給部によって前記めっき液を供給し、
前記基板に供給された前記めっき液上に、前記第2供給部によって前記導電性液体を供給し、
前記電圧印加部によって前記基板と前記導電性液体との間に電圧を印加して、前記ビアの内部の少なくとも一部にめっき膜を形成する
めっき処理装置。
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