JP7317912B2 - 炉口部構造、基板処理装置、および半導体装置の製造方法 - Google Patents

炉口部構造、基板処理装置、および半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7317912B2
JP7317912B2 JP2021153668A JP2021153668A JP7317912B2 JP 7317912 B2 JP7317912 B2 JP 7317912B2 JP 2021153668 A JP2021153668 A JP 2021153668A JP 2021153668 A JP2021153668 A JP 2021153668A JP 7317912 B2 JP7317912 B2 JP 7317912B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
upper inlet
temperature
section
reaction tube
inlet section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021153668A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023045325A (ja
Inventor
慎也 森田
誠世 中嶋
賢卓 阿部
和宏 原田
保信 越
慎吾 野原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Priority to JP2021153668A priority Critical patent/JP7317912B2/ja
Priority to TW111126569A priority patent/TWI819705B/zh
Priority to CN202210870323.0A priority patent/CN115841937A/zh
Priority to KR1020220099274A priority patent/KR20230042552A/ko
Priority to US17/885,076 priority patent/US20230089509A1/en
Publication of JP2023045325A publication Critical patent/JP2023045325A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7317912B2 publication Critical patent/JP7317912B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

本開示は、炉口部構造、基板処理装置、および半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成する処理が行われることがある（例えば特許文献１，２参照）。この場合に、炉口部を構成する部品を発生源とするパーティクルや金属汚染が生じることがある。
特開２００７－２６６３３７号公報 国際公開第２０１６/１２５６２６号
本開示は、炉口部を構成する部品を発生源とする基板の金属汚染を抑制する技術を提供する。
本開示の一態様によれば、
反応管の下部に設けられる第１突部と第１シール部材を介して接続され、前記反応管を下から支持するように構成される上側インレット部と、
該上側インレット部と第２シール部材を介して接続される下側インレット部と、
該上側インレット部と連結し、前記第１突部を上から固定する固定リングと、
を備え、
前記上側インレット部は、前記反応管の下部に設けられる排気管の下方に配置され、
前記上側インレット部及び前記固定リングのそれぞれの内部に設けられる流路に冷却媒体を流通させることにより前記第１突部を冷却可能に構成される、
技術が提供される。
本開示によれば、炉口部を構成する部品を発生源とする基板の金属汚染を抑制することが可能となる。
本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の概略構成図である。 本開示の実施形態で好適に用いられる反応管の下端であって、炉口部周辺を示す断面図である。 本開示の実施形態で好適に用いられる反応管の下端であって、排気管の接続の炉口部周辺を示す断面図である。 本開示の実施形態で好適に用いられる固定リングと上側インレット部を説明する斜視図である。 本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図であり、コントローラの制御系を示すブロック図である。 比較例に係る下側インレット部の外壁の温度を示すグラフである。 比較例に係る下側インレット部の下側に対応するシールキャップの下部分の温度を示すグラフである。 本開示に係る下側インレット部の外壁の温度を示すグラフである。 本開示に係る下側インレット部の下側に対応するシールキャップの下部分の温度を示すグラフである。
＜本開示の実施態様＞
以下、本開示の実施態様について、主に、図１～図５を参照しつつ説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。
図１に示されるように、基板処理装置１００の処理炉２０２は加熱手段（加熱機構）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベースに支持されることにより垂直に据え付けられている。
ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応管２０３が配設されている。反応管２０３は、アウターチューブ（外管とも言う）２０３１とアウターチューブ２０３１の内部に設けられたインナーチューブ（内管とも言う）２０３２とから構成される。反応管２０３（２０３１，２０３２）は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料から構成される。アウターチューブ２０３１は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ２０３１は、インナーチューブ２０３２の外側にインナーチューブ２０３２を囲うように設けられる。アウターチューブ２０３１の下方（下端）には、外周側全周に突出した突出部（第１突部またはフランジとも言う）２０３Ａと、この突出部２０３Ａよりも下方に延伸した延伸部（第２突部とも言う）２０３Ｂが形成されている。インナーチューブ２０３２は、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０３２の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を、基板保持具としてのボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
反応管２０３の下方には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、圧力検出器としての圧力センサ２４５及び圧力調整器としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４３を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されており、圧力センサ２４５により検出された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４３の開度を調整することで、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。なお、ＡＰＣバルブ２４３は弁を開閉して処理室２０１内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調整して処理室２０１内の圧力を調整することができるよう構成されている開閉弁である。
図１に示す様に、反応管２０３の下部には、反応管２０３と同心円状に形成された炉口部（インレットまたはマニホールドという場合もある）２０９が配設されている。炉口部２０９は、例えば、ステンレス（ＳＵＳ材）、ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属から構成される。炉口部２０９は、上側インレット部２０９１と下側インレット部２０９２とから構成され、各々は上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。
また、図１では、第１ノズル２３３ａと第２ノズル２３３ｂと第３ノズル２３３ｃは、１本のノズルと示されている。そして、第１ノズル２３３ａ(第２ノズル２３３ｂと第３ノズル２３３ｃ)は、それぞれ水平部と垂直部とを有するＬ字形状であり、水平部が炉口部２０９の側壁に接続され、垂直部がインナーチューブ２０３２の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、インナーチューブ２０３２の下部より上部の内壁に沿って、ウエハ２００の積載方向に向かって立ち上がるように設けられている。第１ノズル２３３ａ(第２ノズル２３３ｂ、第３ノズル２３３ｃ)の垂直部の側面には、処理ガスを供給する供給孔である第１ガス供給孔２４８ａ(第２ガス供給孔２４８ｂ、第３ガス供給孔２４８ｃ)がそれぞれ設けられている。
本実施形態では、第１ノズル２３３ａには、第１の処理ガスを供給するガス供給部２３２ａが接続され、第２ノズル２３３ｂには、第２の処理ガスを供給するガス供給部２３２ｂが接続される。第３ノズル２３３ｃには、第３の処理ガスを供給するガス供給部２３２ｃが接続される。
上側インレット部２０９１は、アウターチューブ２０３１の下端部に設けられた突出部（第１突部またはフランジとも言う)２０３Ａを下側から支持するように設けられている。上側インレット部２０９１の上面とアウターチューブ２０３１の突出部２０３Ａの下面との間には、第１シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。上側インレット部２０９１は、反応管２０３の下部に設けられる排気管２３１の下方に配置されている。
下側インレット部２０９２は上面２０９２ｃを有し、下側インレット部２０９２の上面２０９２ｃは、上側インレット部２０９１の下端部およびインナーチューブ２０３２の下端部を下側から支持するように設けられている。上側インレット部２０９１の下面と下側インレット部２０９２の上面２０９２ｃとの間には、第２シール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。
固定リング（リング部とも言う）２２９が、上側インレット部２０９１の上側およびアウターチューブ２０３１の突出部２０３Ａの上側に設けられている。上側インレット部２０９１の上側に設けられた固定リング２２９が、上側インレット部２０９１と連結し、突出部２０３Ａを上から固定するように構成されている。上側インレット部２０９１と固定リング２２９の接続部の断面形状は、コの字形状（横向きのＵ字形状）である。これにより、アウターチューブ２０３１が安定的に固定されている。
上側インレット部２０９１と固定リング２２９のそれぞれの内部には、液体(例えば、水)などの冷却媒体を流通させることが可能な流路２４０，２４１（第１流路２４０，第２流路２４１）が設けられる。流路２４０，２４１に冷却媒体を流通させることにより突出部２０３Ａを冷却可能に構成されている。これにより、炉口部２０９を構成する各部品（上側インレット部２０９１，下側インレット部２０９２等）の温度を所定の温度範囲にする構成を提供することができる。また、冷却媒体を液体にすることで、空冷（空気などの気体による冷却）と比較して反応管２０３や炉口部２０９を構成する各部品（上側インレット部２０９１，下側インレット部２０９２等）の温度を効率よく冷却することができる。また、第１シール部材２２０ａは、流路２４０に流れる冷却媒体により、熱から保護されるように構成されている。
流路２４０，２４１は、アウターチューブ２０３１の突出部２０３Ａを上下から挟むように配置されている。つまり、上側インレット部２０９１の流路２４１は、突出部２０３Ａの下側に配置され、固定リング２２９の流路２４１は、突出部２０３Ａの上側に配置される。流路２４０，２４１が反応管２０３の第１突部である突出部２０３Ａを挟み込むように構成されるので、冷却媒体が突出部２０３Ａの上下に配置されている構成とされる。反応管２０３の突出部２０３Ａとの接触面積を大きくすることができ、反応管２０３を効率よく冷却することができる。
図２に示す様に、アウターチューブ２０３１の下端部には、上側インレット部２０９１の内壁２０９１ｂの少なくとも一部を覆うことが可能なように構成された突出部（第２突部とも言う）２０３Ｂが設けられている。突出部２０３Ｂは、下側インレット部２０９２の上面２０９２ｃに当接しないように、かつ、上側インレット部２０９１の内壁２０９１ｂを覆うように、アウターチューブ２０３１の下端部に突出するよう構成されている。これにより、減圧状態の反応管２０３の構成を有する処理空間で生成されてしまう副生成物が上側インレット部２０９１の内壁２０９１ｂに付着するのを抑制することができる。また、突出部２０３Ｂと上側インレット部２０９１の内壁２０９１ｂとの間の距離を小さく（または、狭く）することにより、上側インレット部２０９１の内壁２０９１ｂの余分な温度低下を抑制することができるので、上側インレット部２０９１の内壁２０９１ｂに副生成物が付着するのを抑制することができる。
突出部２０３Ｂを上側インレット部２０９１の内壁２０９１ｂに接近させて、上側インレット部２０９１の内壁２０９１ｂの表面の温度を温めるように構成されている。また、突出部２０３Ｂを下側インレット部２０９２に接近させて、上側インレット部２０９１の内壁２０９１ｂの表面と(排気)ガスとの接触を抑えるように構成されている。
下側インレット部２０９２の下方（下端）には、下側インレット部２０９２の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ（蓋体とも言う）２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、下側インレット部２０９２の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、下側インレット部２０９２の下端（下側インレット部２０９２の下面２０９２ｄ）と当接する第３シール部材としてのＯリング２２０ｃが設けられている。反応管２０３、上側インレット部２０９１、下側インレット部２０９２、蓋体２１９で囲まれる空間は、第１シール部材２２０ａ、第２シール部材２２０ｂおよび第３シール部材２２０ｃにより減圧可能に密閉される。これにより、反応管２０３と炉口部２０９（２０９１，２０９２）とシールキャップ２１９により反応容器が形成される。
インレットヒータ２０７ａと、温度センサ（温度スイッチとも言う）２０８とが下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａの外側に設けられている。インレットヒータ２０７ａは、下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａを加熱するための加熱部として利用される。温度センサ２０８は、下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａの温度を計測するために利用される。インレットヒータ２０７ａにより、下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａを加熱することができるので、冷却媒体により冷却される上側インレット部２０９１からの影響による下側インレット部２０９２の過冷却を抑制することが可能になる。また、下側インレット部２０９２の(外壁２０９２ａを加熱しつつ)外壁２０９２ａの温度を温度センサ２０８により検知することにより、下側インレット部２０９２トの過冷却を検知することが可能なので、冷却媒体(例えば、液体)により冷却される上側インレット部２０９１からの影響による下側インレット部２０９２の過冷却を抑制することができる。なお、シールキャップ２１９を加熱するシールキャップヒータがシールキャップ２１９の下側に設けられた構成とされてもよい。
シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、後述するボート２１７を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通して、ボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。ボート２１７及びシールキャップ２１９は、反応管２０３の外部に配置された昇降機構としてのボートエレベータ２１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１内に対し搬入搬出することが可能となっている。ボート２１７は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等からなる。
なお、ボート２１７の下部には、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱材料からなる断熱部材２１８が設けられており、ヒータ２０７からの熱がシールキャップ２１９側に伝わりにくくなるように構成されている。
図３に示すように、反応管２０３のアウターチューブ２０３１の下端部には、排気管２３１が設けられる。アウターチューブ２０３１において、排気管２３１が設けられる部分のアウターチューブ２０３１の厚さｔ１は、アウターチューブ２０３１の排気管２３１が設けられる部分以外の他の部分の厚さｔ２よりも大きく構成している（ｔ１＞ｔ２）。また、排気管２３１の下部には対応する部分、つまり、アウターチューブ２０３１の突出部２０３Ａの上側には、を固定リング２２９が設けられていない構成とされる。これにより、反応管２０３に排気管２３１を設けることができるので、炉口部２０９を構成する金属部品（固定リング２２９）を低減することができるため、金属汚染のリスクを抑制することが可能になる。
図４に示すように、固定リング２２９は、排気管２３１が設けられる領域部分２３１Ｒが削除されたＣ字形状の構成とされている。固定リング２２９には、冷却媒体を供給される冷媒供給部ＩＮ１と、冷媒供給部ＩＮ１から供給された冷却媒体が出力される連結出力部OUT1と、連結出力部OUT1に連結された連結入力部ＩＮ２と、入力部ＩＮ２に供給された冷却媒体が出力される冷媒排出部ＯＵＴ２と有する。一方、上側インレット部２０９１は、冷却媒体を供給される冷媒供給部ＩＮ３と、冷媒供給部ＩＮ３から供給された冷却媒体が出力される冷媒排出部OUT３と、を有する。つまり、上側インレット部２０９１および固定リング２２９のそれぞれには、個別に冷却媒体を供給する冷媒供給部ＩＮ１，ＩＮ３が設けられている。このように構成することで、炉口部を構成する各部品(上側インレット部２０９１、下側インレット部２０９２等)を所定の温度範囲にする構成を提供することができる。
(コントローラ)
図５に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ２８０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２８０ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）２８０ｂ、記憶装置２８０ｃ、Ｉ／Ｏポート２８０ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２８０ｂ、記憶装置２８０ｃ、Ｉ／Ｏポート２８０ｄは、内部バス２８０ｅを介して、ＣＰＵ２８０ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ２８０には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。
記憶装置２８０ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２８０ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ２８０に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。ＲＡＭ２８０ｂは、ＣＰＵ２８０ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
Ｉ／Ｏポート２８０ｄは、上述したガス供給部２３２ａ、２３２ｂ、２３２ｃを流れるガスの流量をそれぞれ制御する流量制御装置としての不図示のＭＦＣ（マスフローコントローラ）及び開閉バルブ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４３、真空ポンプ２４６、ヒータ２０７，２０７ａ、温度センサ２０８、回転機構２６７、ボートエレベータ２１５等に接続されている。
ＣＰＵ２８０ａは、記憶装置２８０ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２８０ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ２８０ａは、読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、ＡＰＣバルブ２４３、ヒータ２０７、２０７ａ、真空ポンプ２４６、回転機構２６７、ボートエレベータ２１５等の動作を制御する。ＣＰＵ２８０ａは、温度センサ２０８からの信号によりインレットヒータ２０７ａの制御を実行可能に構成されている。ＣＰＵ２８０ａは、温度センサ２０８の検出温度に基づいて、インレットヒータ２０７ａのオン及びオフを制御する。
記憶部２８０ｃは、加熱機構であるヒータ２０７の設定温度(処理温度)と上側インレット部２０９１の予め指定された部分および下側インレット部２０９２の予め指定された部分の温度との相関関係を示すデータを記憶する。ヒータ２０７の設定温度は第１の温度（４２０℃）以上に調整可能にされている。
そして、ＣＰＵ２８０ａは、その相関関係を示すデータを参照し、ヒータ２０７の設定温度に応じて、下側インレット部２０９２に設けられるインレットヒータ２０７ａを制御する。ヒータ２０７の設定温度が、例えば、第１の温度（Ｔ１）以上であれば、下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａに設けられるインレットヒータ２０７ａをオフにする。一方、ヒータ２０７の設定温度が第１の温度（Ｔ１）より小さければ、インレットヒータ２０７ａをオンにし、炉口部２０９を構成する各部品（上側インレット部２０９１、下側インレット部２０９２）の温度を所定の温度範囲に制御することができる。また、外壁２０９２ａを加熱することができるので、冷却媒体による上側インレット部２０９１及び下側インレット部２０９２の内壁の過冷却を抑制する構成を提供することができる。
ここで、所定の温度範囲とは、炉口部２０９を構成する各部品に副生成物が付着しない(副生成物の気化温度）温度以上であり、炉口部２０９を構成する各部品に金属汚染が生じない温度以下である。例えば、所定の温度範囲は、１８０℃以上、３５０℃以下の温度範囲とすることができる。したがって、炉口部２０９を構成する各部品(上側インレット部２０９１、下側インレット部２０９２等)を所定の温度範囲にする構成を提供することができる。
また、本実施形態では、炉口部２０９を構成する各部品(上側インレット部２０９１、下側インレット部２０９２等)の温度を所定の温度範囲にする構成を有するので、二重反応管２０３（２０３１，２０３２）の構成を有する処理空間で生成されてしまう副生成物の付着を抑制できる。
コントローラ２８０は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）１２３を用意し、この外部記憶装置１２３を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態のコントローラ２８０を構成することができる。但し、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置１２３を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置１２３を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。記憶装置２８０ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２８０ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。加熱機構であるヒータ２０７の設定温度(処理温度)と上側インレット部２０９１の予め指定された部分および下側インレット部２０９２の予め指定された部分の温度との相関関係を示すデータは、外部記憶装置１２３に記憶させて、コントローラ２８０（ＣＰＵ２８０ａ）に参照させる構成としても良い。
次に、図６から図９を用いて、下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａの温度および下側インレット部２０９２の下側に対応するシールキャップ２１９の下部分（外側）の温度について、比較例と本開示の構成例とについて説明する。ここで、図６、図７は、下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａにインレットヒータ２０７ａが設けられない場合である。図８、図９は、下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａにインレットヒータ２０７ａが設けられた場合である。
図６から図９では、炉内ヒータと示されているヒータ２０７の設定温度がＴ０(３５０℃)からＴ２(８５０℃)の場合で、かつ、冷却媒体としての冷却水の温度が５０℃一定とした場合の各部（下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａ、下側インレット部２０９２の下側に対応するシールキャップ２１９の下部分）の温度を示している。図８、図９において、インレットヒータ２０７ａの設定温度は１８０℃とされており、炉内ヒータ２０７の設定温度がＴ０からＴ１の時のみ（つまり、ヒータ２０７の設定温度が第1の温度としてのＴ１以下の場合）、インレットヒータ２０７ａがオン状態に制御され、炉内ヒータ２０７の設定温度が第1の温度としてのＴ１以上の時はインレットヒータ２０７ａがオフ状態に制御される場合である。
図６に示すように、下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａの温度は、ヒータ２０７の設定温度がｔ１以下では、冷やしすぎによる温度低下（１８０℃以下）とされており、副生成物付着のリスクがある。一方、下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａの温度は、ヒータ２０７の設定温度がｔ２の場合でも、金属汚染の発生する温度（３５０℃）より低く抑えられるので、金属汚染リスクは低減されている。
図７に示すように、シールキャップ２１９の下部分の温度は、ヒータ２０７の設定温度がｔ３以下では、冷やしすぎによる温度低下（１８０℃以下）とされており、副生成物付着のリスクがある。また、シールキャップ２１９の下部分の温度は、ヒータ２０７の設定温度が約ｔ４以上で、金属汚染の発生する温度（３５０℃）より高くなるので、金属汚染リスクがある。
図８に示すように、下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａの温度は、インレットヒータ２０７ａなどを使用して、ヒータ２０７の設定温度がＴ０～Ｔ２の範囲では、所定の温度範囲、つまり、副生成物が付着しない(副生成物の気化温度：ここでは１８０℃)温度以上であり、金属汚染が生じない温度以下(ここでは３５０℃以下)の温度範囲にされている。したがって、下側インレット部２０９２の接ガス部(内壁)も同様に、ヒータ２０７の設定温度がＴ０～Ｔ２の範囲では、所定の温度範囲にされており、副生成物付着のリスクが低減され、また、金属汚染リスクも低減されている。下側インレット部２０９２の接ガス部(内壁)に、コーティング処理を行ってコーティング膜を形成するのが好ましい。このように、下側インレット部２０９２の接ガス部(内壁)にコーティング膜を形成すれば、さらに、下側インレット部２０９２の接ガス部(内壁)に対する副生成物の付着を防止することができる。ここで、下側インレット部２０９２の接ガス部(内壁)とは、反応管２０３と炉口部２０９（２０９１，２０９２）とシールキャップ２１９により形成された反応容器の内壁において、ガスが接する部分の内壁を示している。
図９に示すように、シールキャップ２１９の下部分の温度は、インレットヒータ２０７ａなどを使用して、ヒータ２０７の設定温度がＴ０～Ｔ２’の範囲では、所定の温度範囲にされている。
図８、図９に示すように、インレットヒータ２０７ａなどを使用して、ヒータ２０７の設定温度がＴ０～Ｔ２’の範囲では、下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａの温度やシールキャップ２１９の下部分の温度を、所定の温度範囲にすることができるので、副生成物の付着および金属汚染を低減できる。
（基板処理工程）
続いて、本開示の一実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。導体装置の製造方法では、図１に示すＣＶＤ装置である基板処理装置１００を準備（基板処理装置の準備工程）して、基板２００を基板処理装置１００の処理室２０１に搬入（基板の処理室への搬入工程）し、処理室２０１内において、ウエハ２００にアンモニアアニール処理をし、その後、連続して窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）を成膜する処理を行う工程（基板の処理工程）を一例として説明する。
複数枚のウエハ２００はボート２１７に互いに平行で中心線が揃った状態にウエハ移載装置によって装填（ウエハチャージング）される。図１に示されるように、複数枚のウエハ２００が装填されたボート２１７は、シールキャップ２１９のボートエレベータ２１５による上昇に伴って炉口部２０９から処理室２０１に搬入されて行き、シールキャップ２１９に支持されたままの状態で処理室２０１に存置される（ボートローディング）。
この時、処理室２０１の温度が所定の温度に均一または所定の温度分布になるように、ヒータ２０７によって加熱される。この状態で、シールキャップ２１９のＯリング２２０ｃは炉口部２０９を気密シールした状態になる。この際、冷却水が流路２４１、２４０にそれぞれ流通され、上側インレット部２０９１や固定リング２２９が冷却される。このとき、コントローラ２８０は、ヒータ２０７の設定温度や温度センサ２０８からの温度検出結果に基づいて、インレットヒータ２０７ａを制御して、下側インレット部２０９２およびシールキャップ２１９の外周縁辺部の温度を予め設定された所定値に維持する。
続いて、処理室２０１の圧力が所定の圧力（数十Ｐａ～大気圧付近）に排気管２３１によって排気される。また、処理室２０１の温度が所定の温度に均一または所定の温度分布になるように、ヒータ２０７によって昇温される。この際、冷却水が流路２４１、２４０にそれぞれ流通され、上側インレット部２０９１、固定リング２２９、下側インレット部２０９２が冷却される。コントローラ２８０は、ヒータ２０７の設定温度や温度センサ２０８からの温度検出結果に基づいて、インレットヒータ２０７ａを制御して、下側インレット部２０９２およびシールキャップ２１９の外周縁辺部の温度を予め設定された所定値に維持する。
処理室２０３の温度や圧力が安定すると、アニール用ガスがインナーチューブ２０３２の処理室２４にガス供給部２３２ａを通じて供給される。少なくともアニール処理中は、ボート２１７が回転機構２６７によって回転される。
供給されたアニール用ガスはインナーチューブ２０３２の処理室２０１を上昇し、上端開口からインナーチューブ２０３２とアウターチューブ２０３１との隙間によって形成された排気路に流出して排気管２３１から排気される。アニール用ガスが処理室２０１に充填された状態で、ウエハ２００の表面がアニール処理される。
アニール処理が実施される予め設定された処理時間が経過すると、続いて、処理室２０１が所定の真空度（数十～数万Ｐａ）に排気される。
処理室２０１の温度が所定の温度に均一または所定の温度分布になるように、ヒータユニット２０７によって降温される。この際、冷却水が流路２４１、２４０にそれぞれ流通され、上側インレット部２０９１、固定リング２２９、下側インレット部２０９２が冷却される。このとき、コントローラ２８０は、ヒータ２０７の設定温度や温度センサ２０８からの温度検出結果に基づいて、インレットヒータ２０７ａを制御して、下側インレット部２０９２およびシールキャップ２１９の外周縁辺部の温度を予め設定された所定値に維持する。
処理室２０１の温度や圧力が安定すると、成膜ガスがインナーチューブ２０３２の処理室２０１にガス供給部２３２ｂ、２３２ａを通じて供給される。処理中には、ボート２１７が回転機構２６７によって回転される。
供給された成膜ガスはインナーチューブ２０３２の処理室２０１を上昇し、上端開口からインナーチューブ２０３２とアウターチューブ２０３１との隙間によって形成された排気路に流出して排気管２３１から排気される。成膜ガスは処理室２０１を通過する際にウエハ２００の表面に接触する。このウエハ２００との接触に伴う成膜ガスによる熱反応により、ウエハ２００の表面には膜が堆積（デポジション）する。
膜が所望の膜厚だけ堆積する予め設定された処理時間が経過すると、ガス供給部２３２ｃから処理室２０１へ置換ガスとして、例えば、窒素ガス等の不活性ガスが供給され、成膜ガスと反応ガスとを処理室２０１から排気し、不活性ガスに置換する。完全に置換され、処理室２０１が大気圧状態になると、シールキャップ２１９が下降されて炉口部２０９が開口されるとともに、ボート２１７に保持された状態でウエハ２００群が炉口部２０９から反応管２０３の真下の待機室に搬出（ボートアンローディング）される。
本実施形態によれは、以下の１または複数の効果を得ることができる。
（１）上側インレット部２０９１及び固定リング２２９のそれぞれの内部に設けられる流路２４０，２４１に冷却媒体を流通させることにより第１突部２０３Aを冷却可能に構成した。これにより、炉口部を構成する各部品（上側インレット部２０９１及び下側インレット部２０９２）の温度を所定の温度範囲にする構成を提供することができる。
（２）反応管２０３（アウターチューブ２０３１）の下端は、上側インレット部２０９１の内壁２０９１ｂの少なくとも一部を覆うことが可能なように構成される第２突部２０３Ｂを有する。また、第２突部２０３Ｂは、下側インレット部２０９２に当接しないように、上側インレット部２０９２の内壁２０９１ｂを覆うように、反応管２０３（アウターチューブ２０３１）の下側に突出するよう構成されている。これにより、上側インレット部２０９１の内壁２０９１ｂに副生成物が付着するのを抑制することができる。特に、第２突部２０３Ｂと内壁２０９１ｂとの間を小さく（または、狭く）することにより、内壁２０９１ｂの余分な温度低下を抑制することができるので、上側インレット部２０９１の内壁２０９１ｂに副生成物が付着するのを抑制することができる。
（３）流路２４０，２４１に流通させる冷却媒体は、水などの液体で構成する(水冷）。冷却媒体を液体にすることで、空冷(気体による冷却)と比較して反応管２０３の温度を効率よく冷却することができる。
（４）下側インレット部２０９２には、下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａを加熱する加熱部(ヒータ２０７ａ）が設けられる。外壁２０９２ａを加熱することができるので、冷却媒体(例えば、液体)により冷却される上側インレット部２０９１からの影響による下側インレット部２０９２の過冷却を抑制することが可能になる。
（５）反応管２０３（アウターチューブ２０３１）は、排気管２３１が設けられる部分の厚さ（ｔ１）を、他の部分の厚さ（ｔ２）よりも大きく構成している（ｔ１＞ｔ２）。これにより、反応管２０３に排気管２３１を設けることができるので、炉口部２０９を構成する金属部品（Ｃ字形状の固定リング２２９）を低減することができるため、金属汚染のリスクを抑制することが可能になる。
（６）下側インレット部２０９２と第３シール部材２２０ｃを介して接続される蓋体２１９が設けられ、反応管２０３、上側インレット部２０９１、下側インレット２０９２、蓋体２１９で囲まれる空間は、第１シール部材２２０ａ、第２シール部材２２０ｂおよび第３シール部材２２０ｃにより減圧可能に密閉される。炉口部２０９を構成する各部品（上側インレット部２０９１、下側インレット２０９２）の温度を所定の温度範囲にする構成を有するので、減圧状態の処理空間で生成されてしまう副生成物の付着を抑制できる。
（７）上側インレット部２０９１とリング部(固定リング２２９)の断面形状は、コの字形状（横向きのＵ字形状）である。また、上側インレット部２０９１の流路２４０は、第１突部２０３Ａの下側に配置され、固定リング２２９の流路２４１は、第１突部２０３Ａの上側に配置される。これにより、流路２４０、２４１が反応管２０３（アウターチューブ２０３１）の第１突部２０３Ａを挟み込むように配置して構成する。このため、冷却媒体が第１突部２０３Ａの上下に配置されているので、反応管２０３との接触面積を大きくすることができ、効率よく反応管２０３を冷却することができる。
（８）反応管２０３は、基板２００を処理する処理室２０１を内部に設けるインナーチューブ(内管)２０３２と、内管２０３２の外側に内管２０３２を囲うように設けられるアウターチューブ(外管)２０３１と、を有する。上側インレット部２０９１は、アウターチューブ(外管)２０３１を支持し、下側インレット部２０９２は、インナーチューブ(内管)２０３２を支持するように構成される。炉口部２０９を構成する各部品（上側インレット部２０９１、下側インレット部２０９２）の温度を所定の温度範囲にする構成を有するので、二重反応管の構成を有する処理空間で生成されてしまう副生成物の付着を抑制できる。
（９）下側インレット部２０９２の内壁には、コーティング処理が行われる。炉口部２０９を構成する各部品（上側インレット部２０９１、下側インレット部２０９２）の内壁（接ガス部）をコーティングするので、副生成物の付着を抑制できる。
（１０）反応管２０３は、基板２００を処理する処理室２０１を内部に設けるインナーチューブ(内管)２０３２と、内管２０３２の外側に内管２０３２を囲うように設けられるアウターチューブ(外管)２０３１と、を有する。上側インレット部２０９１は、アウターチューブ(外管)２０３１を支持し、下側インレット部２０９２は、インナーチューブ(内管)２０３２を支持するように構成される。炉口部２０９を構成する各部品（上側インレット部２０９１、下側インレット部２０９２）の温度を所定の温度範囲にする構成を有するので、二重反応管の構成を有する処理空間で生成されてしまう副生成物の付着を抑制できる。
（１１）下側インレット部２０９２には、下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａを加熱する加熱部(ヒータ２０８）が設けられる。外壁２０９２ａを加熱することができるので、冷却媒体(例えば、液体)により冷却される上側インレット部２０９１からの影響による下側インレット部２０９２の過冷却を抑制することが可能になる。
（１２）下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａには、温度センサ(温度スイッチ)２０８が設けられ、予め設定される温度(例えば、加熱部２０７ａの設定温度：１８０℃)を検知することが可能に構成される。また、基板処理装置１００は、下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａの温度が、予め設定される温度(例えば、加熱部２０７ａの設定温度：１８０℃)より低い温度になると、温度センサ２０８からの信号により加熱部２０７ａを用いた加熱を実行可能に構成されている制御部２８０を更に有する。下側インレット部２０９２の(外壁２０９２ａを加熱しつつ)外壁２０９２ａの温度を検知することにより、下側インレット部２０９２の過冷却を検知することが可能なので、冷却媒体(例えば、液体)により冷却される上側インレット部２０９１からの影響による下側インレット部２０９２の過冷却を抑制することができる。
（１３）外管２０３１の外側に処理室２０１を加熱する加熱機構２０７を備え、加熱機構２０７の設定温度が第１の温度（Ｔ１）以上に調整可能に構成される。また、上側インレット部２０９１およびリング部(固定リング２２９)に個別に冷却媒体を供給する冷媒供給部（ＩＮ１，ＩＮ３：図４参照）を有する。加熱機構２０７の設定温度が第１の温度以上であれば、炉口部２０９を構成する各部品(上側インレット部２０９１、下側インレット部２０９２等)を所定の温度範囲（ここでは、１８０℃～３５０℃）にする構成を提供することができる。
（１４）加熱機構２０７の設定温度が第１の温度（Ｔ１）以上であれば、下側インレット部２０９２の外壁２０９２ａに設けられるインレットヒータ２０７ａをオフにし、加熱機構２０７の設定温度が第１の温度（Ｔ１）より小さければ、インレットヒータ２０７ａをオンにし、炉口部２０９を構成する各部品(上側インレット部２０９１、下側インレット部２０９２等)の温度を所定の温度範囲（ここでは、１８０℃～３５０℃）に制御する制御部２８０を有する。加熱機構２０７の設定温度が第１の温度（Ｔ１）以上の場合、炉口部２０９を構成する各部品(上側インレット、下側インレット等)を所定の温度範囲（ここでは、１８０℃～３５０℃）にする構成を提供することができる。また、インレットヒータ２０７ａで外壁２０９２ａを加熱することができるので、冷却媒体による上側インレット部２０９１及び下側インレット部２０９２の内壁の過冷却を抑制する構成を提供することができる。
以上、本開示を実施例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態および実施例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。
本開示は、半導体製造装置だけでなくＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。また、成膜処理には、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜、またはその両方を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理等を含む。本開示は、成膜処理に限定されず、更に、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理にも適用できる。
以下、本開示の好適な実施態様の特徴を付記する。
（付記１）
本開示の一態様によれば、
反応管の下部に設けられる第１突部と第１シール部材を介して接続され、前記反応管を下から支持するように構成される上側インレット部と、
該上側インレット部と第２シール部材を介して接続される下側インレット部と、
該上側インレット部と連結し、前記第１突部を上から固定する固定リングと、
を備え、
前記上側インレット部は、前記反応管の下部に設けられる排気管の下方に配置され、
前記上側インレット部及び前記固定リングのそれぞれの内部に設けられる流路に冷却媒体を流通させることにより前記第１突部を冷却可能に構成される、
炉口部構造が提供される。
（付記２）
好ましくは、付記１において、
前記反応管の下端に設けられ、前記上側インレット部の内壁の少なくとも一部を覆うことが可能なように構成される第２突部を有する。
（付記３）
好ましくは、付記２において、
前記第２突部は、前記下側インレット部に当接しないように、前記上側インレット部の内壁を覆うように下側に突出するよう構成されている。
（付記４）
好ましくは、付記１において、
前記冷却媒体は、液体である。
（付記５）
好ましくは、付記１において、
前記下側インレット部には、外壁を加熱する加熱部が設けられる。
（付記６）
好ましくは、付記１において、
前記反応管は、前記排気管が設けられる部分の厚さを、他の部分よりも大きく構成している。
（付記７）
更に、好ましくは、付記１において、
前記下側インレット部と第３シール部材を介して接続される蓋体が設けられ、
前記反応管、前記上側インレット部、前記下側インレット部、前記蓋体で囲まれる空間は、前記第１シール部材、前記第２シール部材および前記第３シール部材により減圧可能に密閉される。
（付記８）
好ましくは、付記１において、
前記上側インレット部と前記固定リングの（接続部の）断面形状は、コの字形状である。
（付記９）
好ましくは、付記８において、
前記上側インレット部の前記流路は、前記第１突部の下側に配置され、
前記固定リングの前記流路は、前記第１突部の上側に配置される。
（付記１０）
好ましくは、付記１において、
前記反応管は、基板を処理する処理室を内部に設けるインナーチューブ(内管)と、前記内管の外側に前記内管を囲うように設けられるアウターチューブ(外管)と、を有し、
前記上側インレット部は、前記アウターチューブ(外管)を支持し、
前記下側インレット部は、前記インナーチューブ(内管)を支持するように構成される。
（付記１１）
好ましくは、付記１において、
前記下側インレット部の内壁には、コーティング処理が行われる。
（付記１２）
本開示の他の一態様によれば、
付記１の炉口部構造を備えた基板処理装置が提供される。
（付記１３）
好ましくは、付記１２において、
前記反応管は、基板を処理する処理室を内部に設けるインナーチューブ(内管)と、
前記内管の外側に前記内管を囲うように設けられるアウターチューブ(外管)と、を有し、
前記上側インレット部は、前記アウターチューブ(外管)を支持し、
前記下側インレット部は、前記インナーチューブ(内管)を支持するように構成される。
（付記１４）
好ましくは、付記１２において、
前記下側インレット部の外壁には、該外壁を加熱する加熱部が設けられる。
（付記１５）
更に好ましくは、付記１４において、
前記下側インレット部の外壁には、温度センサ(温度スイッチ)が設けられ、
予め設定される温度(例えば、前記加熱部の設定温度)を検知することが可能に構成される。
（付記１６）
更に好ましくは、付記１５において、
前記予め設定される温度(例えば、前記加熱部の設定温度)より低い温度になると、前記温度センサからの信号により前記加熱部を実行可能に構成されている制御部を更に有する。
（付記１７）
好ましくは、付記１３において、
前記外管の外側に処理室を加熱する加熱機構を備え、
前記加熱機構の設定温度が第１の温度以上に調整可能に構成される。
（付記１８）
更に好ましくは、付記１７において、
前記上側インレット部および前記リング部(固定リング)に個別に冷却媒体を供給する冷媒供給部を有する。
（付記１９）
更に好ましくは、付記１７において、
前記加熱機構の設定温度が前記第１の温度以上であれば、前記下側インレット部の外壁に設けられるインレットヒータをオフにし、
前記加熱機構の設定温度が前記第１の温度より小さければ、前記インレットヒータをオンにし、
前記炉口部を構成する各部品（上側インレット部、下側インレット部）の温度を所定の温度範囲に制御することが可能な制御部を有する。
（付記２０）
更に好ましくは、付記１３において、
前記外管の外側に処理室を加熱する加熱機構と、
該加熱機構の設定温度(処理温度)と前記上側インレット部の予め指定された部分および前記下側インレット部の予め指定された部分の温度との相関関係を示すデータを記憶する記憶部と、
前記加熱機構の設定温度に応じて前記下側インレット部に設けられるインレットヒータを制御することが可能な制御部と、を有する。
（付記２１）
本開示のさらに他の一態様によれば、
付記１２の基板処理装置を準備する工程と、
基板を少なくとも前記反応管、前記炉口部構造の内部に構成される処理室に搬入する工程と、
前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
１００：基板処理装置
２０３：反応管
２０９：炉口部
２０９１：上側インレット部
２０９２：下側インレット部
２２９：固定リング（リング部）

Claims (22)

  1. 反応管の下部に設けられる第１突部と第１シール部材を介して接続され、前記反応管を下から支持するように構成される上側インレット部と、
    該上側インレット部と第２シール部材を介して接続される下側インレット部と、
    該上側インレット部と連結し、前記第１突部を上から固定する固定リングと、
    前記反応管の下端に設けられ、前記上側インレット部の内壁の少なくとも一部を覆うことが可能なように構成される第２突部と、
    を備えた炉口部構造。
  2. 前記上側インレット部は、前記反応管の下部に設けられる排気管の下方に配置され、
    前記上側インレット部及び前記固定リングのそれぞれの内部に設けられる流路に冷却媒体を流通させることにより前記第１突部を冷却可能に構成される請求項１記載の炉口部構造。
  3. 前記第２突部は、前記下側インレット部に当接しないように、前記上側インレット部の内壁を覆うように下側に突出するよう構成されている請求項１記載の炉口部構造。
  4. 前記冷却媒体は、液体である請求項２記載の炉口部構造。
  5. 前記下側インレット部には、外壁を加熱する加熱部が設けられる請求項１記載の炉口部構造。
  6. 前記反応管は、前記排気管が設けられる部分の厚さを、他の部分よりも大きく構成している請求項２記載の炉口部構造。
  7. 前記下側インレット部と第３シール部材を介して接続される蓋体が設けられ、
    前記反応管、前記上側インレット部、前記下側インレット部、前記蓋体で囲まれる空間は、前記第１シール部材、前記第２シール部材および前記第３シール部材により減圧可能に密閉される請求項１記載の炉口部構造。
  8. 前記上側インレット部と前記固定リングの断面形状は、コの字形状で構成される請求項１記載の炉口部構造。
  9. 前記上側インレット部の前記流路は、前記第１突部の下側に配置され、
    前記固定リングの前記流路は、前記第１突部の上側に配置されるように構成される請求項２記載の炉口部構造。
  10. 前記反応管は、基板を処理する処理室を内部に設ける内管と、前記内管の外側に前記内管を囲うように設けられる外管と、を有し、
    前記上側インレット部は、前記外管を支持し、
    前記下側インレット部は、前記内管を支持するように構成される請求項１記載の炉口部構造。
  11. 前記下側インレット部の内壁には、コーティング処理が行われる請求項１記載の炉口部構造。
  12. 反応管の下部に設けられる第１突部と第１シール部材を介して接続され、前記反応管を下から支持するように構成される上側インレット部と、
    該上側インレット部と第２シール部材を介して接続される下側インレット部と、
    該上側インレット部と連結し、前記第１突部を上から固定する固定リングと、
    前記反応管の下端に設けられ、前記上側インレット部の内壁の少なくとも一部を覆うことが可能なように構成される第２突部と、を備えた炉口部構造を備えた基板処理装置。
  13. 前記上側インレット部は、前記反応管の下部に設けられる排気管の下方に配置され、
    前記上側インレット部及び前記固定リングのそれぞれの内部に設けられる流路に冷却媒体を流通させることにより前記第１突部を冷却可能に構成される、請求項１２記載の基板処理装置。
  14. 前記反応管は、基板を処理する処理室を内部に設ける内管と、前記内管の外側に前記内管を囲うように設けられる外管と、を有し、
    前記上側インレット部は、前記外管を支持し、
    前記下側インレット部は、前記内管を支持するように構成される、請求項１２記載の基板処理装置。
  15. 前記下側インレット部の外壁には、該外壁を加熱する加熱部が設けられる、請求項１２記載の基板処理装置。
  16. 前記下側インレット部の外壁には、温度センサが設けられ、予め設定される温度を検知することが可能に構成される請求項１５記載の基板処理装置。
  17. 前記予め設定される温度より低い温度になると、前記温度センサからの信号により前記加熱部を実行可能に構成されている制御部を有する請求項１６記載の基板処理装置。
  18. 前記外管の外側に処理室を加熱する加熱機構を備え、
    前記加熱機構の設定温度が第１の温度以上に調整可能に構成される請求項１４記載の基板処理装置。
  19. 前記上側インレット部および前記固定リングに個別に冷却媒体を供給する冷媒供給部を有する請求項１２記載の基板処理装置。
  20. 前記加熱機構の設定温度が前記第１の温度以上であれば、前記下側インレット部の外壁に設けられるインレットヒータをオフにし、
    前記加熱機構の設定温度が前記第１の温度より小さければ、前記インレットヒータをオンにし、
    前記炉口部構造を構成する各部品の温度を所定の温度範囲に制御することが可能な制御部を有する請求項１８記載の基板処理装置。
  21. 前記外管の外側に処理室を加熱する加熱機構と、
    該加熱機構の設定温度と前記上側インレット部の予め指定された部分および前記下側インレット部の予め指定された部分の温度との相関関係を示すデータを記憶する記憶部と、
    前記加熱機構の設定温度に応じて前記下側インレット部に設けられるインレットヒータを制御することが可能な制御部と、を有する請求項１４記載の基板処理装置。
  22. 反応管と、
    前記反応管の下部に設けられる第１突部と第１シール部材を介して接続され、前記反応管を下から支持するように構成される上側インレット部と、
    該上側インレット部と第２シール部材を介して接続される下側インレット部と、
    該上側インレット部と連結し、前記第１突部を上から固定する固定リングと、
    前記反応管の下端に設けられ、前記上側インレット部の内壁の少なくとも一部を覆うことが可能なように構成される第２突部と、
    を備えた炉口部構造との内部に形成される処理室に基板を搬入する工程と、
    前記基板を処理する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
JP2021153668A 2021-09-21 2021-09-21 炉口部構造、基板処理装置、および半導体装置の製造方法 Active JP7317912B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021153668A JP7317912B2 (ja) 2021-09-21 2021-09-21 炉口部構造、基板処理装置、および半導体装置の製造方法
TW111126569A TWI819705B (zh) 2021-09-21 2022-07-15 爐口部構造、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
CN202210870323.0A CN115841937A (zh) 2021-09-21 2022-07-18 炉口部结构、基板处理装置以及半导体装置的制造方法
KR1020220099274A KR20230042552A (ko) 2021-09-21 2022-08-09 노구부 구조, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US17/885,076 US20230089509A1 (en) 2021-09-21 2022-08-10 Furnace opening structure, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021153668A JP7317912B2 (ja) 2021-09-21 2021-09-21 炉口部構造、基板処理装置、および半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023045325A JP2023045325A (ja) 2023-04-03
JP7317912B2 true JP7317912B2 (ja) 2023-07-31

Family

ID=85572400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021153668A Active JP7317912B2 (ja) 2021-09-21 2021-09-21 炉口部構造、基板処理装置、および半導体装置の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230089509A1 (ja)
JP (1) JP7317912B2 (ja)
KR (1) KR20230042552A (ja)
CN (1) CN115841937A (ja)
TW (1) TWI819705B (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002334868A (ja) 2001-05-10 2002-11-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2007266337A (ja) 2006-03-29 2007-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2021052092A (ja) 2019-09-25 2021-04-01 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理装置の洗浄方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2912248B2 (ja) * 1996-08-16 1999-06-28 山形日本電気株式会社 横型ベーク炉装置
JP5933399B2 (ja) * 2012-09-07 2016-06-08 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR101688046B1 (ko) 2015-04-22 2016-12-20 조인셋 주식회사 표면실장형 전기접속단자
JP6146886B2 (ja) * 2014-03-26 2017-06-14 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP6257008B2 (ja) * 2015-02-04 2018-01-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置および反応管
WO2019044013A1 (ja) * 2017-08-30 2019-03-07 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 保護プレート、基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002334868A (ja) 2001-05-10 2002-11-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2007266337A (ja) 2006-03-29 2007-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2021052092A (ja) 2019-09-25 2021-04-01 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理装置の洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023045325A (ja) 2023-04-03
TW202314908A (zh) 2023-04-01
CN115841937A (zh) 2023-03-24
US20230089509A1 (en) 2023-03-23
TWI819705B (zh) 2023-10-21
KR20230042552A (ko) 2023-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11495477B2 (en) Substrate processing apparatus
US11104995B2 (en) Substrate processing apparatus
US10351951B2 (en) Substrate treatment apparatus including reaction tube with opened lower end, furnace opening member, and flange configured to cover upper surface of the furnace opening member
KR102076643B1 (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7236922B2 (ja) 熱処理装置、熱処理方法及び成膜方法
JP2020017757A (ja) 基板処理装置、反応容器および半導体装置の製造方法
US20220356580A1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
US20180087709A1 (en) Substrate processing apparatus and heat insulating pipe structure
JP7317912B2 (ja) 炉口部構造、基板処理装置、および半導体装置の製造方法
CN111850512A (zh) 成膜方法和成膜装置
US11866822B2 (en) Vaporizer, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
WO2018150537A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
KR102133547B1 (ko) 기판 처리 장치, 이음부 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2010159471A (ja) Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法および記憶媒体
JP2010245422A (ja) 半導体製造装置
JP7240557B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよびインナーチューブ
JP7364547B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
WO2021192090A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、記録媒体およびインナーチューブ
US20220005712A1 (en) Substrate Processing Apparatus, Method of Manufacturing Semiconductor Device and Method of Processing Substrate Support
KR102674572B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 프로그램 및 온도 조정 방법
JP7344942B2 (ja) 基板処理装置、クリーニング方法、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP7184857B2 (ja) 気化装置、基板処理装置、クリーニング方法、半導体装置の製造方法、プログラム、および基板処理方法
TW202339054A (zh) 基板處理裝置、基板處理方法、半導體裝置之製造方法、程式及氣體供給單元
JP2000021799A (ja) 枚葉式熱処理装置
JP2015183260A (ja) クリーニング方法、基板処理装置およびプログラム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220314

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230314

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230424

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230627

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230719

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7317912

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150