JP7317818B2 - ペン検出システム - Google Patents
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Description
2 センサパターン
2x 列電極
2xG 列電極群
2xGa 第1の部分列電極群
2xGb 第2の部分列電極群
2y 行電極
2yG 行電極群
2yGa 第1の部分行電極群
2yGb 第2の部分行電極群
3a,3b 集積回路
4 マスタコントローラ
5 ホストプロセッサ
10 ガラス
11 フレキシブル基板
12 回路基板
20 主線路
21 分岐線路
I1 ペン
I2 指
Claims (11)
- ペンから送信されたペン信号を検出して前記ペンの位置を検出するペン検出システムであって、
第1及び第2の部分列電極群を含む列電極群と第1及び第2の部分行電極群を含む部分行電極群とが2次元領域に重畳して配設されてなるセンサパターンと、
前記第1の部分列電極群に接続され、前記第1の部分列電極群における前記ペン信号のレベル分布を示す第1の列レベル分布を取得し、
前記第1の部分行電極群に接続され、前記第1の部分行電極群における前記ペン信号のレベル分布を示す第1の行レベル分布を取得する第1の集積回路と、
前記第2の部分列電極群に接続され、前記第2の部分列電極群における前記ペン信号のレベル分布を示す第2の列レベル分布を取得し、
前記第2の部分行電極群に接続され、前記第2の部分行電極群における前記ペン信号のレベル分布を示す第2の行レベル分布を取得する第2の集積回路と、を含み、
前記第1及び第2の列レベル分布に基づいて前記2次元領域における前記ペンの列方向位置を導出し、
前記第1及び第2の行レベル分布に基づいて前記2次元領域における前記ペンの行方向位置を導出し、
前記列電極群を構成する複数の列電極のうち前記第1の部分列電極群と前記第2の部分列電極群の境界近傍に位置する所定数の境界列電極は、前記第1及び第2の集積回路の両方に接続され、
前記第1及び第2の集積回路は、前記センサパターンが形成される基板とは異なる回路基板上に配置され、
前記回路基板には、
前記境界列電極と前記第1及び第2の集積回路の一方とを接続する主線路と、
前記回路基板内で前記主線路と前記第1及び第2の集積回路の他方とを接続する分岐線路と、が設けられる、
ペン検出システム。 - 前記第1の部分列電極群は前記第2の部分行電極群と重なり、
前記第2の部分列電極群は前記第1の部分行電極群と重なる、
請求項1に記載のペン検出システム。 - 前記第1の集積回路から前記第1の部分行電極群に対し指検出用信号の供給を開始したことに対応して、前記第1の集積回路により前記第1の部分行電極群と前記第1の部分列電極群とが交差する第1象限部分のクロスポイント容量変化を検出するとともに、前記第2の集積回路により前記第1の部分行電極群と前記第2の部分列電極群とが交差する第2象限部分のクロスポイント容量変化を検出する、
請求項1に記載のペン検出システム。 - 前記第2の集積回路から前記第2の部分行電極群に対し指検出用信号の供給を開始したことに対応して、前記第1の集積回路により前記第2の部分行電極群と前記第1の部分列電極群とが交差する第3象限部分のクロスポイント容量変化を検出するとともに、前記第2の集積回路により前記第2の部分行電極群と前記第2の部分列電極群とが交差する第4象限部分のクロスポイント容量変化を検出する、
請求項3に記載のペン検出システム。 - 前記所定数は、前記列電極群を構成する列電極の本数未満の数である、
請求項1に記載のペン検出システム。 - 前記第1及び第2の集積回路の一方は、前記第1及び第2の集積回路の他方が前記境界列電極における前記ペン信号のレベルを検出しているときに、該境界列電極に接続された端子をハイインピーダンスに設定する、
請求項1に記載のペン検出システム。 - 前記第1及び第2の集積回路の一方は、前記第1及び第2の集積回路の他方が前記境界列電極における前記ペン信号のレベルを検出しているときに、該境界列電極における前記ペン信号のレベルの検出を行わない、
請求項1に記載のペン検出システム。 - 前記境界列電極でない列電極を前記第1又は第2の集積回路に接続する第1の配線経路に、該第1の配線経路と、前記境界列電極を前記第1及び第2の集積回路に接続する第2の配線経路との間の入力インピーダンス差を縮小するための均等化手段を有する、
請求項1に記載のペン検出システム。 - 前記均等化手段は、前記第1の配線経路に接続された追加線路又はコンデンサである、
請求項8に記載のペン検出システム。 - ペンから送信されたペン信号を検出して前記ペンの位置を検出するペン検出システムであって、
第1及び第2の部分電極群を含む電極群が配設されてなるセンサパターンと、
前記第1の部分電極群に接続され、前記第1の部分電極群における前記ペン信号のレベル分布を取得する第1の集積回路と、
前記第2の部分電極群に接続され、前記第2の部分電極群における前記ペン信号のレベル分布を取得する第2の集積回路と、
前記電極群を構成する複数の電極のうち前記第1の部分電極群と前記第2の部分電極群の境界近傍に位置する所定数の境界電極は、前記第1及び第2の集積回路の両方に接続され、
前記第1及び第2の集積回路は、前記センサパターンとは異なる回路基板に配置され、
前記回路基板には、
前記境界電極と前記第1及び第2の集積回路の一方とを接続する主線路と、
前記回路基板内で前記主線路と前記第1及び第2の集積回路の他方とを接続する分岐線路と、が設けられる、
ペン検出システム。 - 前記第1及び第2の集積回路の一方は、前記第1及び第2の集積回路の他方が前記境界電極における前記ペン信号のレベルを検出しているときに、該境界電極に接続された端子をハイインピーダンスに設定する、
請求項10に記載のペン検出システム。
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