JP7317704B2 - 化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターンの形成方法 - Google Patents
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Description
特に明記しない限り、明細書および特許請求の範囲において使用される以下の用語は、本出願の目的のために以下の意味を有する。
表1に示す処方に従って、ベース樹脂としてのポリマー、酸発生剤、塩基性化合物、および界面活性剤を選択し、それらを有機溶媒に溶解し、そして0.05μmの孔サイズを有する膜を介して濾過することによって、化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。この化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を8インチのシリコンウエハ(マーク-8、東京エレクトロン社製)上にスピンコートし、そして150℃で180秒間プリベークし、溶媒を除去して、膜厚9μmを有する化学増幅型ポジ型フォトレジスト膜を形成した。耐クラック性試験の結果は、表2に示される。
表1に示された、異なるポリマーまたは異なる処方を用いること以外は実施例におけるように、それらを有機溶媒に溶解し、そして0.05μmの孔サイズを有する膜を介して濾過することによって、化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。この化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を8インチのシリコンウエハ上にスピンコートし(マーク-8、東京エレクトロン社製)、そして150℃で180秒間プリベークし、溶媒を除去して、膜厚9μmを有する化学増幅型ポジ型フォトレジスト膜を形成した。耐クラック性試験の結果は、表2に示される。
表1に示す処方に従って、ベース樹脂としてのポリマー、酸発生剤、塩基性化合物、および界面活性剤を選択し、それらを有機溶媒に溶解し、そして0.05μmの孔サイズを有する膜を介して濾過することによって、化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。この組成物の粘度は、25℃で98mPa・sに調整した。この化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を8インチのシリコンウエハ(マーク-8、東京エレクトロン社製)上に1000rpmでスピンコートし、そして150℃で180秒間プリベークし、溶媒を除去して、膜厚9μmを有する化学増幅型ポジ型フォトレジスト膜を形成した。膜厚はスペクトロメトリー膜厚測定システムVM-1210(SCREENセミコンダクターソリューションズ社製)を用いて測定した。結果は表3に示される。
化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を8インチのシリコンウエハ(マーク8、東京エレクトロン社製)上に供給し、150℃で180秒間プリベークし、溶剤を除去することによって、フォトレジスト膜を形成した。膜厚はVM-1210(SCREENセミコンダクターソリューションズ社製)を用いて測定した。KrFステッパーFPA3000-EX5(キヤノン社製)を用いて、7.5μmのフォトレジスト膜に、レチクルを介してKrF線に曝した。露光したシリコンウエハをクリーンルーム(25℃、50%RH)内で1分間および30分間放置した。この7.5μmのフォトレジスト膜を110℃で180秒間ベーク(PEB)し、そして2.38重量%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(AZ300MIF現像液)で現像した。パターン形状の観察およびパターンのラインアンドスペースのサイズの測定をSEM下で行なった。
モビタールB16H:ポリビニルブチラール Mw10,000~20,000(クラレ社製)
RS700:ポリエーテルエステル Mw550(アデカ社製)
100gのジオキサンに、60gのビニルフェノール、21.3gのtert-ブチルアクリレートおよび17.3gのスチレンを溶解し、そして次いでそこに、8.3gの2,2’-アゾビスイソブチロニトリルを加え、その後得られた溶液を30分間窒素ガスでバブリングした。その後、バブリングを7時間継続しながら、溶液を60℃に加熱し、重合を達成した。重合後、溶液を大量のヘキサン中に注ぎ、ポリマーを凝固させ、そしてポリマーを回収した。このポリマーをアセトンに溶解し、次いで得られた溶液を、再びヘキサンに注ぎ、ポリマーを凝固させた。この操作を数回繰り返して、未反応モノマーを完全に除去し、その後、ポリマーを真空下、50℃で一晩乾燥させた。このようにして得られたポリマーは白色で、収率は58%であった。H-NMRおよび13C-NMR分析の結果として、このポリマーの組成はビニルフェノール、tert-ブチルアクリレートおよびスチレンを約3:1:1の割合で共重合させたものであることがわかった。Mwは12,000であり、そしてMw/Mnは2.8であった。このポリマーを、以下、ポリマー(1)という。
100gのジオキサンに、50gのビニルフェノール、14.8gのtert-ブチルメタクリレートおよび21.7gのスチレンを溶解し、そして次いでそこに、7.7gの2,2’-アゾビスイソブチロニトリルを加え、その後得られた溶液を30分間窒素ガスでバブリングした。その後、バブリングを10時間継続しながら、溶液を60℃に加熱し、重合を達成した。重合後、溶液を大量のヘキサン中に注ぎ、ポリマーを凝固させ、そしてポリマーを回収した。このポリマーをアセトンに溶解し、次いで得られた溶液を、再びヘキサンに注ぎ、ポリマーを凝固させた。この操作を数回繰り返して、未反応モノマーを完全に除去し、その後、ポリマーを真空下、50℃で一晩乾燥させた。このようにして得られたポリマーは白色で、収率は58%であった。H-NMRおよび13C-NMR分析の結果として、このポリマーの組成はビニルフェノール、tert-ブチルメタクリレートおよびスチレンを約4:1:2の割合で共重合させたものであることがわかった。Mwは36,000であり、そしてMw/Mnは3.2であった。このポリマーを、以下、ポリマー(2)という。
100gのジオキサンに、60gのビニルフェノール、9.1gのtert-ブチルアクリレートおよび25.2gの4-tert-ブトキシスチレンを溶解し、そして次いでそこに、8.3gの2,2’-アゾビスイソブチロニトリルを加え、その後得られた溶液を30分間窒素ガスでバブリングした。その後、バブリングを7時間継続しながら、溶液を60℃に加熱し、重合を達成した。重合後、溶液を大量のヘキサン中に注ぎ、ポリマーを凝固させ、そしてポリマーを回収した。このポリマーをアセトンに溶解し、次いで得られた溶液を、再びヘキサンに注ぎ、ポリマーを凝固させた。この操作を数回繰り返して、未反応モノマーを完全に除去し、その後、ポリマーを真空下、50℃で一晩乾燥させた。このようにして得られたポリマーは白色で、収率は62%であった。H-NMRおよび13C-NMR分析の結果として、このポリマーの組成はビニルフェノール、tert-ブチルアクリレートおよび4-tert-ブトキシスチレンを約7:1:2の割合で共重合させたものであることがわかった。Mwは12,200であり、そしてMw/Mnは2.9であった。このポリマーを、以下、ポリマー(3)という。
重量平均分子量は、GPCカラムを使用し、1.0mL/分の流量、テトラヒドロフランの溶出溶媒、および単分散ポリスチレンを標準として用いた40℃のカラム温度を含む分析条件の下にゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)によって決定した。
粘度は、キャノン・フェンスケ粘度計(VMC-45、離合社製)により25℃で測定した。
化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を8インチのシリコンウエハ(Mark-8、東京エレクトロン社製)に供給し、150℃で180秒間プリベークし、溶剤を除去することによって、フォトレジスト膜を形成した。膜厚はスペクトロメトリー膜厚測定システムVM-1210(SCREENセミコンダクターソリューションズ社製)を用いて測定した。フォトレジスト膜表面を光学顕微鏡で観察した。
Claims (9)
- (A)アルカリ可溶性樹脂、
(B)ポリビニルエーテル、ポリビニルブチラール、およびポリエーテルエステル、ならびにそれらの混合物から選択される、少なくとも1つの可塑剤、
(C)光酸発生剤、
(D)有機溶剤、および
(E)塩基性化合物
を含んでなり、
アルカリ可溶性樹脂(A)が、一般式(4)、一般式(5)、および一般式(6)で表される繰り返し単位を含んでなるポリマーを含んでなり、4,000~200,000の重量平均分子量を有するものであり、
可塑剤(B)の含有量が、アルカリ可溶性樹脂(A)100質量部に対して、2~10質量部であり、
光酸発生剤(C)の含有量が、アルカリ可溶性樹脂(A)100質量部に対して、1~10質量部であり、
塩基性化合物(E)の含有量が、アルカリ可溶性樹脂(A)100質量部に対して、0.01~1質量部であり、
有機溶剤(D)が、プロピレングリコールモノメチルエーテルとプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルとメチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルとメチルエチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルと酢酸n-ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルとシクロペンチルメチルエーテル、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルとプロピオン酸プロピルから選択される有機溶剤の組み合わせであり、かつ
有機溶剤(D)の含有量が、質量基準で、全固形分の1~20倍である、化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物。
- 可塑剤(B)が、500~200,000の重量平均分子量を有する、請求項1に記載の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物。
- 有機溶剤(D)が25℃で1.0mPa・sより低い粘度の溶剤を含んでなる、請求項1または2に記載の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物。
- 界面活性剤をさらに含んでなり、前記界面活性剤の含有量が、アルカリ可溶性樹脂(A)100質量部に対して、2質量部以下である、請求項1~3のいずれか一項に記載の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物。
- 請求項1~4のいずれか一項に記載の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物の、半導体デバイスを製造するための、使用。
- a)請求項1~4のいずれか一項に記載の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を基板に塗布し、そしてプリベークして、レジスト膜を形成すること;
b)レジスト膜をフォトマスクを介して500nmまでの波長を有するUV照射にさらすこと;および
c)所望によりベークし、そして現像液で現像してレジストパターンを形成すること
を含んでなる、レジストパターンの形成方法。 - 248nmの波長を有するUV照射である、請求項6に記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物が、25℃で100mPa・sより低い粘度を有するものであり、かつ前記レジスト膜の厚さが2~20μmである、請求項6または7に記載のレジストパターンの形成方法。
- 請求項5~8のいずれか一項に記載のレジストパターンの形成方法を含んでなる、半導体デバイスの製造方法。
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