JP7311469B2 - 気化器 - Google Patents

Description

本発明は、気化器に関する。

例えば、液体原料を気化して気化原料を生成する気化器を用いて、被処理基板の表面に薄膜を成形する技術が特許文献１に開示されている。特許文献１では、ヒータにより加熱された気化器の内部にキャリアガスを噴出させる。このとき、液体原料供給器から気化器の内部に供給される液体原料が、キャリアガスにおける気化器の内部への流れによって微粒化され、気化器の内部で瞬時に気化する。そして、気化器の内部で液体原料が気化したことにより生成された気化原料が、被処理基板が収容された反応室に導入されることにより、被処理基板の表面に薄膜が成形されるようになっている。

特開平８－１８６１０３号公報

ところで、特許文献１では、気化器を形成する壁材の内部にヒータが埋設されている。したがって、気化器の内部に供給された液体原料の気化は、ヒータからの熱と液体原料との壁材を介した熱交換が行われることにより生じるため、ヒータの熱と液体原料との熱交換が行われ難く、気化器の内部に供給された液体原料が十分に気化しない虞がある。その結果、気化器によって気化原料を安定的に生成することができない虞がある。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、気化原料を安定的に生成することができる気化器を提供することにある。

上記課題を解決する気化器は、本体部と、前記本体部に形成されるとともにキャリアガスが供給される供給ポートと、前記供給ポートからのキャリアガスが通過するガス通過空間を形成するヒータ素子を有し、前記ヒータ素子の発熱によって前記ガス通過空間を通過するキャリアガスを加熱するヒータと、前記ガス通過空間を通過したキャリアガスが導入されるガス導入空間を形成するとともに原料を保持する原料保持部材と、前記本体部に形成されるとともに前記ガス導入空間に導入されたキャリアガスによって前記原料が気化されることにより生成される気化原料を被処理基板の表面に向けて排出する排出ポートと、を備えた。

上記気化器において、前記ガス通過空間と前記ガス導入空間とは一直線上に位置しているとよい。
上記気化器において、前記ヒータは、前記ヒータ素子を複数有し、前記複数のヒータ素子は、列方向及び行方向にそれぞれ複数配列されてマトリクス状に配置されているとよい。

上記気化器において、前記ヒータは、前記列方向に複数配列されるとともに前記行方向に延び、各列で前記行方向に複数配列される前記ヒータ素子の一端にそれぞれ電気的に接続される複数の第１配線と、前記行方向に複数配列されるとともに前記列方向に延び、各行で前記列方向に複数配列された前記ヒータ素子の他端にそれぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、前記複数の第１配線にそれぞれ電気的に接続される複数の第１スイッチング素子と、前記複数の第２配線にそれぞれ電気的に接続される複数の第２スイッチング素子と、前記各第１配線と前記各ヒータ素子の一端との間、及び前記各第２配線と前記各ヒータ素子の他端との間のどちらか一方に設けられたダイオードと、を備えているとよい。

上記気化器において、前記各ヒータ素子は、正極電極、負極電極、及び前記正極電極と前記負極電極とを接続する発熱部を有し、前記正極電極及び前記負極電極は、同一平面上において前記発熱部の周囲にＬ字配置されているとよい。

上記気化器において、前記複数の第１スイッチング素子及び前記複数の第２スイッチング素子のオンオフ制御を行うとともに、前記複数の第１スイッチング素子のうちの少なくとも一つ及び前記複数の第２スイッチング素子のうちの少なくとも一つをオン状態とすることにより選択されたヒータ素子に対する通電をＰＷＭ制御にて行うマイコンを備えているとよい。

上記気化器において、前記ヒータが複数層配置されているとよい。
上記気化器において、前記ヒータ素子は、金属繊維であるとよい。
上記気化器において、前記原料保持部材は、種類の異なる原料を保持可能に構成されているとよい。

上記気化器において、前記本体部には、前記供給ポートが複数形成されているとよい。

この発明によれば、気化原料を安定的に生成することができる。

実施形態における気化器を備えた成膜装置を示す断面図。 気化器を模式的に示す断面図。 ヒータ素子の平面図。 複数のヒータ素子及び回路基板を示す平面図。 ヒータの回路図。 気化器の一部分を拡大して示す断面図。 別の実施形態における気化器を模式的に示す断面図。 別の実施形態における気化器を模式的に示す断面図。

以下、気化器を具体化した一実施形態を図１～図６にしたがって説明する。本実施形態の気化器は、被処理基板の表面に薄膜を成形する成膜装置を構成している。
図１に示すように、成膜装置１０は、装置本体１１、基板支持台２０、及び気化器３０を備えている。装置本体１１は、有底筒状のハウジング１３と、ハウジング１３の開口を閉塞する板状の閉塞部材１４と、を有している。ハウジング１３は、筒状の胴体部１３ａと、胴体部１３ａの軸方向の一端部に連続する半球状のドーム部１３ｂと、を有している。閉塞部材１４は、胴体部１３ａの軸方向の他端部に位置する開口を閉塞した状態で、胴体部１３ａに接合されている。そして、装置本体１１は、ハウジング１３と閉塞部材１４とによって区画される収容室１５を有している。

閉塞部材１４には、外部供給ポート１４ａが形成されている。外部供給ポート１４ａは、閉塞部材１４の中央部に形成されている。外部供給ポート１４ａの一端は、キャリアガスを供給するガス供給源１６に接続されている。具体的には、外部供給ポート１４ａの一端は、外部配管１７を介してガス供給源１６に接続されている。外部供給ポート１４ａの他端は、収容室１５に連通している。

基板支持台２０は、収容室１５に収容されている。基板支持台２０は、被処理基板１８を支持する。基板支持台２０は、柱状である複数の支持部２１と、板状の載置台２２と、を有している。各支持部２１の一端部は、閉塞部材１４における収容室１５側の端面である内端面１４１に接合されている。具体的には、各支持部２１の一端部は、閉塞部材１４の内端面１４１における外部供給ポート１４ａの周囲に接合されている。載置台２２は、各支持部２１の他端部に接合されている。載置台２２の厚み方向は、各支持部２１の軸方向に一致している。

載置台２２には、気化原料導入ポート２３が形成されている。気化原料導入ポート２３は、載置台２２を厚み方向に貫通している。気化原料導入ポート２３は、載置台２２の中央部に形成されている。気化原料導入ポート２３は、外部供給ポート１４ａに対して、胴体部１３ａの軸方向で重なる位置に配置されている。載置台２２における各支持部２１が接合されている面とは反対側の面は、被処理基板１８が載置される載置面２２ａになっている。被処理基板１８は、載置面２２ａに対して、気化原料導入ポート２３を閉塞するように載置されている。

気化器３０は、収容室１５に収容されている。気化器３０は、本体部３１を備えている。本体部３１は、閉塞部材１４の内端面１４１と載置台２２との間に配置されている。本体部３１は、閉塞部材１４の内端面１４１に載置された状態で、閉塞部材１４に取り付けられている。本体部３１は、気化原料導入ポート２３及び外部供給ポート１４ａに対して、胴体部１３ａの軸方向で重なる位置に配置されている。本体部３１は、胴体部１３ａの軸方向で、外部供給ポート１４ａと気化原料導入ポート２３との間に位置している。

また、閉塞部材１４には、排気ポート１４ｂが形成されている。排気ポート１４ｂは、閉塞部材１４の外周部寄りに位置する部位に形成されている。排気ポート１４ｂは、複数の支持部２１に対して、閉塞部材１４の外周部寄りに位置している。排気ポート１４ｂは、図示しない真空発生器に接続されている。そして、真空発生器の駆動によって、収容室１５内の空気が、排気ポート１４ｂから排気されることにより、収容室１５内は真空引きされている。

図２に示すように、本体部３１は、板状の基部３３と、筒状の胴体部３４と、板状の蓋部３５と、を有している。基部３３は、胴体部３４の一端側の開口を閉塞した状態で胴体部３４の一端部に接合されている。基部３３には、供給ポート３６が形成されている。したがって、気化器３０は、供給ポート３６を備え、供給ポート３６は、本体部３１に形成されている。供給ポート３６は、基部３３の中央部に形成されている。供給ポート３６は、外部供給ポート１４ａに連通している。

蓋部３５は、胴体部３４の他端側の開口を閉塞した状態で胴体部３４の他端部に接合されている。蓋部３５には、排出ポート３７が形成されている。したがって、気化器３０は、排出ポート３７を備え、排出ポート３７は、本体部３１に形成されている。排出ポート３７は、蓋部３５の中央部に形成されている。供給ポート３６及び排出ポート３７は、胴体部３４の軸方向で重なる位置にそれぞれ配置されている。

気化器３０は、ヒータ４０を２つ備えている。各ヒータ４０は、ヒータ素子Ｒを複数有している。各ヒータ４０は、複数のヒータ素子Ｒが同一平面上に配置された面状ヒータである。各ヒータ４０は、胴体部３４の内側に配置されている。各ヒータ４０は、胴体部３４の軸方向に離間した状態で層状に配置されている。したがって、本実施形態の気化器３０は、ヒータ４０が複数層配置されている。ヒータ４０の積層方向は、胴体部３４の軸方向に一致している。

２つのヒータ４０の間には、板状の第１スペーサ４１が介在されている。第１スペーサ４１の一端面は、２つのヒータ４０の一方に接触している。第１スペーサ４１の他端面は、２つのヒータ４０の他方に接触している。したがって、２つのヒータ４０は、第１スペーサ４１の厚み分だけ、胴体部３４の軸方向に離間している。２つのヒータ４０の一方は、基部３３における胴体部３４側の面に接触している。第１スペーサ４１には、第１スペーサ孔４１ｈが形成されている。第１スペーサ孔４１ｈは、第１スペーサ４１の中央部に形成されている。第１スペーサ孔４１ｈは、胴体部３４の軸方向で供給ポート３６及び排出ポート３７それぞれに重なる位置に配置されている。

図３に示すように、各ヒータ素子Ｒは、板状の金属部材がパターニングされることにより形成されている。各ヒータ素子Ｒは、全て同一形状である。各ヒータ素子Ｒは、金属繊維である。各ヒータ素子Ｒは、正極電極５１、負極電極５２、及び発熱部５３を有している。発熱部５３は、正極電極５１と負極電極５２とを接続する。発熱部５３は、正極電極５１から発熱部５３を通過して負極電極５２へ電流が流れることにより発熱する。

正極電極５１は、平面視すると、長四角形状である。負極電極５２は、平面視すると、長四角形状である。正極電極５１の長手方向の長さと負極電極５２の長手方向の長さとは同じである。正極電極５１の短手方向の長さと負極電極５２の短手方向の長さとは同じである。

発熱部５３は、平面視すると、クランク形状（つづら折り形状）に折り曲げられた帯状である。発熱部５３の一端部は、正極電極５１の両長側縁部の一方であって、且つ正極電極５１の両短側縁部の一方寄りの端部に接続されている。発熱部５３の他端部は、負極電極５２の両長側縁部の一方であって、且つ負極電極５２の両短側縁部の一方寄りの端部に接続されている。

詳細には、発熱部５３は、正極電極５１の両長側縁部の一方であって、且つ正極電極５１の両短側縁部の一方寄りの端部から正極電極５１の短手方向に延びた後、正極電極５１の両短側縁部の他方側へ折り曲げられて、正極電極５１の両長側縁部の一方に沿って延びている。さらに、発熱部５３は、正極電極５１の両長側縁部の一方に沿って延びて、正極電極５１の両短側縁部の他方と正極電極５１の短手方向で重なる位置まで延びた後、正極電極５１の短手方向において正極電極５１に対して離間する方向に折り曲げられて、正極電極５１の短手方向に延びている。続けて、発熱部５３は、正極電極５１の短手方向に延びた後、正極電極５１の両短側縁部の一方側へ折り曲げられて、正極電極５１の両長側縁部の一方に沿って延びている。さらに、発熱部５３は、正極電極５１の両長側縁部の一方に沿って延びて、正極電極５１の両短側縁部の一方と正極電極５１の短手方向で重なる位置まで延びた後、正極電極５１の短手方向において正極電極５１に対して離間する方向に折り曲げられて、正極電極５１の短手方向に延びている。このように、発熱部５３は、クランク形状に繰り返し折り曲げられた後、さらに、正極電極５１の両短側縁部の他方側へ折り曲げられて、正極電極５１の両長側縁部の一方に沿って延び、発熱部５３の他端部が、負極電極５２の両長側縁部の一方であって、且つ正極電極５１の両短側縁部の一方寄りの端部に接続されている。

発熱部５３は、正極電極５１の長手方向に延びる延在部５３ａを複数有している。複数の延在部５３ａは、それぞれ平行に延びている。複数の延在部５３ａは、正極電極５１の短手方向に等間隔置きに配置されている。正極電極５１の短手方向で隣り合う延在部５３ａ同士の間には隙間５４が形成されている。したがって、ヒータ素子Ｒは、複数の隙間５４を形成している。

負極電極５２は、負極電極５２の長手方向が、正極電極５１の短手方向に一致するように、正極電極５１に対して配置されている。したがって、正極電極５１の長手方向と負極電極５２の長手方向とは互いに直交している。負極電極５２は、負極電極５２の両長側縁部の一方において、発熱部５３の他端部との接続位置が正極電極５１から最も遠い位置になるように、正極電極５１に対して配置されている。正極電極５１及び負極電極５２は、同一平面上において発熱部５３の周囲にＬ字配置されている。ヒータ素子Ｒは、正極電極５１の短手方向における正極電極５１及び発熱部５３を含んだ長さＬ１と、負極電極５２の短手方向における負極電極５２及び発熱部５３を含んだ長さＬ２とは、同じ長さになっている。

図４に示すように、各ヒータ４０は、回路基板５５を有している。回路基板５５には、複数のヒータ素子Ｒが実装されている。本実施形態のヒータ４０は、１６個のヒータ素子Ｒを有している。なお、以下の説明において、１６個のヒータ素子Ｒそれぞれを、「ヒータ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６」と記載することもある。また、以下の説明において、「ヒータ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６」を説明の便宜上、「ヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６」と記載することもある。複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６は、熱線（抵抗体）である。

複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６は、図４において矢印で示す列方向Ｙ１及び行方向Ｘ１にそれぞれ複数配列されてマトリクス状に配置されている。本実施形態において、複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６は、列方向Ｙ１に４列、行方向Ｘ１に４行配列された状態で配置されている。

具体的には、複数のヒータ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、１列目において行方向Ｘ１にヒータ素子Ｒ１、ヒータ素子Ｒ２、ヒータ素子Ｒ３、ヒータ素子Ｒ４の順に等間隔置きに配列されている。複数のヒータ素子Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８は、２列目において行方向Ｘ１にヒータ素子Ｒ５、ヒータ素子Ｒ６、ヒータ素子Ｒ７、ヒータ素子Ｒ８の順に等間隔置きに配列されている。複数のヒータ素子Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１２は、３列目において行方向Ｘ１にヒータ素子Ｒ９、ヒータ素子Ｒ１０、ヒータ素子Ｒ１１、ヒータ素子Ｒ１２の順に等間隔置きに配列されている。複数のヒータ素子Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６は、４列目において行方向Ｘ１にヒータ素子Ｒ１３、ヒータ素子Ｒ１４、ヒータ素子Ｒ１５、ヒータ素子Ｒ１６の順に等間隔置きに配列されている。

ヒータ素子Ｒ１、ヒータ素子Ｒ５、ヒータ素子Ｒ９、ヒータ素子Ｒ１３は、１行目において列方向Ｙ１にこの順で等間隔置きに配列されている。ヒータ素子Ｒ２、ヒータ素子Ｒ６、ヒータ素子Ｒ１０、ヒータ素子Ｒ１４は、２行目において列方向Ｙ１にこの順で等間隔置きに配列されている。ヒータ素子Ｒ３、ヒータ素子Ｒ７、ヒータ素子Ｒ１１、ヒータ素子Ｒ１５は、３行目において列方向Ｙ１にこの順で等間隔置きに配列されている。ヒータ素子Ｒ４、ヒータ素子Ｒ８、ヒータ素子Ｒ１２、ヒータ素子Ｒ１６は、４行目において列方向Ｙ１にこの順で等間隔置きに配列されている。

複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６は、正極電極５１の長手方向が列方向Ｙ１に一致するとともに、負極電極５２の長手方向が行方向Ｘ１に一致するように回路基板５５に実装されている。列方向Ｙ１で隣り合うヒータ素子Ｒそれぞれの発熱部５３同士の間には、列方向Ｙ１で隣り合うヒータ素子Ｒの一方の負極電極５２が配置されている。また、行方向Ｘ１で隣り合うヒータ素子Ｒそれぞれの発熱部５３同士の間には、行方向Ｘ１で隣り合うヒータ素子Ｒの一方の正極電極５１が配置されている。ここで、正極電極５１の短手方向の長さと負極電極５２の短手方向の長さとは同じであるため、列方向Ｙ１で隣り合うヒータ素子Ｒそれぞれの発熱部５３同士のピッチと、行方向Ｘ１で隣り合うヒータ素子Ｒそれぞれの発熱部５３同士のピッチとは、同じである。

回路基板５５には、図４において破線で示すように、ガス通過孔５５ｈが複数形成されている。複数のガス通過孔５５ｈは、列方向Ｙ１及び行方向Ｘ１にそれぞれ複数配列されてマトリクス状に配置されている。本実施形態において、複数のガス通過孔５５ｈは、列方向Ｙ１に４列、行方向Ｘ１に４行配列された状態で配置されている。各ガス通過孔５５ｈは、回路基板５５を厚み方向に貫通している。各ガス通過孔５５ｈは、各ヒータ素子Ｒの発熱部５３それぞれに対応する位置に配置されている。

図５に示すように、ヒータ４０は、複数の第１配線６１，６２，６３，６４を備えている。本実施形態のヒータ４０は、４つの第１配線を有している。なお、以下の説明においては、「第１配線６１，６２，６３，６４」を説明の便宜上、「第１配線６１～６４」と記載することもある。

複数の第１配線６１～６４は、列方向Ｙ１に複数配列されるとともに行方向Ｘ１に延び、各列で行方向Ｘ１に複数配列されるヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の一端にそれぞれ電気的に接続されている。

具体的には、第１配線６１は、１列目において行方向Ｘ１に延び、１列目で行方向Ｘ１に配列されるヒータ素子Ｒ１、ヒータ素子Ｒ２、ヒータ素子Ｒ３、ヒータ素子Ｒ４の一端にそれぞれ電気的に接続されている。よって、第１配線６１は、ヒータ素子Ｒ１、ヒータ素子Ｒ２、ヒータ素子Ｒ３、ヒータ素子Ｒ４の一端に接続される接続点６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄを有している。

第１配線６２は、２列目において行方向Ｘ１に延び、２列目で行方向Ｘ１に配列されるヒータ素子Ｒ５、ヒータ素子Ｒ６、ヒータ素子Ｒ７、ヒータ素子Ｒ８の一端にそれぞれ電気的に接続されている。よって、第１配線６２は、ヒータ素子Ｒ５、ヒータ素子Ｒ６、ヒータ素子Ｒ７、ヒータ素子Ｒ８の一端に接続される接続点６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄを有している。

第１配線６３は、３列目において行方向Ｘ１に延び、３列目で行方向Ｘ１に配列されるヒータ素子Ｒ９、ヒータ素子Ｒ１０、ヒータ素子Ｒ１１、ヒータ素子Ｒ１２の一端にそれぞれ電気的に接続されている。よって、第１配線６３は、ヒータ素子Ｒ９、ヒータ素子Ｒ１０、ヒータ素子Ｒ１１、ヒータ素子Ｒ１２の一端に接続される接続点６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄを有している。

第１配線６４は、４列目において行方向Ｘ１に延び、４列目で行方向Ｘ１に配列されるヒータ素子Ｒ１３、ヒータ素子Ｒ１４、ヒータ素子Ｒ１５、ヒータ素子Ｒ１６の一端にそれぞれ電気的に接続されている。よって、第１配線６４は、ヒータ素子Ｒ１３、ヒータ素子Ｒ１４、ヒータ素子Ｒ１５、ヒータ素子Ｒ１６の一端に接続される接続点６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄを有している。

ヒータ４０は、複数の第２配線７１，７２，７３，７４を備えている。本実施形態のヒータ４０は、４つの第２配線を有している。なお、以下の説明においては、「第２配線７１，７２，７３，７４」を説明の便宜上、「第２配線７１～７４」と記載することもある。

複数の第２配線７１～７４は、行方向Ｘ１に複数配列されるとともに列方向Ｙ１に延び、各行で列方向Ｙ１に複数配列されるヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の他端に各ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６，Ｄ７，Ｄ８，Ｄ９，Ｄ１０，Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ１３，Ｄ１４，Ｄ１５，Ｄ１６を介してそれぞれ電気的に接続されている。なお、以下の説明においては、「ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６，Ｄ７，Ｄ８，Ｄ９，Ｄ１０，Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ１３，Ｄ１４，Ｄ１５，Ｄ１６」を説明の便宜上、「ダイオードＤ１～Ｄ１６」と記載することもある。本実施形態では、各第２配線７１～７４と各ヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の他端との間に各ダイオードＤ１～Ｄ１６が設けられている。各ダイオードＤ１～Ｄ１６のアノードは各ヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の他端に電気的に接続されるとともに、各ダイオードＤ１～Ｄ１６のカソードは各第２配線７１～７４に電気的に接続されている。

具体的には、第２配線７１は、１行目において列方向Ｙ１に延び、１行目で列方向Ｙ１に配列されるヒータ素子Ｒ１、ヒータ素子Ｒ５、ヒータ素子Ｒ９、ヒータ素子Ｒ１３の他端に各ダイオードＤ１，Ｄ５，Ｄ９，Ｄ１３を介してそれぞれ電気的に接続されている。第２配線７１は、ヒータ素子Ｒ１、ヒータ素子Ｒ５、ヒータ素子Ｒ９、ヒータ素子Ｒ１３の他端に接続された各ダイオードＤ１，Ｄ５，Ｄ９，Ｄ１３のカソードと接続される接続点７１ａ，７１ｂ，７１ｃ，７１ｄを有している。

第２配線７２は、２行目において列方向Ｙ１に延び、２行目で列方向Ｙ１に配列されるヒータ素子Ｒ２、ヒータ素子Ｒ６、ヒータ素子Ｒ１０、ヒータ素子Ｒ１４の他端に各ダイオードＤ２，Ｄ６，Ｄ１０，Ｄ１４を介してそれぞれ電気的に接続されている。第２配線７２は、ヒータ素子Ｒ２、ヒータ素子Ｒ６、ヒータ素子Ｒ１０、ヒータ素子Ｒ１４の他端に接続された各ダイオードＤ２，Ｄ６，Ｄ１０，Ｄ１４のカソードと接続される接続点７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄを有している。

第２配線７３は、３行目において列方向Ｙ１に延び、３行目で列方向Ｙ１に配列されるヒータ素子Ｒ３、ヒータ素子Ｒ７、ヒータ素子Ｒ１１、ヒータ素子Ｒ１５の他端に各ダイオードＤ３，Ｄ７，Ｄ１１，Ｄ１５を介してそれぞれ電気的に接続されている。第２配線７３は、ヒータ素子Ｒ３、ヒータ素子Ｒ７、ヒータ素子Ｒ１１、ヒータ素子Ｒ１５の他端に接続された各ダイオードＤ３，Ｄ７，Ｄ１１，Ｄ１５のカソードと接続される接続点７３ａ，７３ｂ，７３ｃ，７３ｄを有している。

第２配線７４は、４行目において列方向Ｙ１に延び、４行目で列方向Ｙ１に配列されるヒータ素子Ｒ４、ヒータ素子Ｒ８、ヒータ素子Ｒ１２、ヒータ素子Ｒ１６の他端に各ダイオードＤ４，Ｄ８，Ｄ１２，Ｄ１６を介してそれぞれ電気的に接続されている。第２配線７４は、ヒータ素子Ｒ４、ヒータ素子Ｒ８、ヒータ素子Ｒ１２、ヒータ素子Ｒ１６の他端に接続された各ダイオードＤ４，Ｄ８，Ｄ１２，Ｄ１６のカソードと接続される接続点７４ａ，７４ｂ，７４ｃ，７４ｄを有している。

ヒータ４０は、複数の第１配線６１～６４にそれぞれ電気的に接続される複数の第１スイッチング素子Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３，Ｌ１４を備えている。本実施形態のヒータ４０は、４つの第１スイッチング素子を有している。なお、以下の説明においては、「第１スイッチング素子Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３，Ｌ１４」を説明の便宜上、「第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４」と記載することもある。

各第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４は、パワーＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳ電界効果トランジスタ）である。各第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４は、ゲート電極Ｇ、ドレイン電極Ｄ、及びソース電極Ｓをそれぞれ有している。各第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４のドレイン電極Ｄは、正極母線Ｌｐを介して回路電源Ｖｃにそれぞれ電気的に接続されている。各第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４のソース電極Ｓは、各第１配線６１～６４に電気的に接続されている。

ヒータ４０は、複数の第２配線７１～７４にそれぞれ電気的に接続される複数の第２スイッチング素子Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３，Ｌ２４を備えている。本実施形態のヒータ４０は、４つの第２スイッチング素子を有している。なお、以下の説明においては、「第２スイッチング素子Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３，Ｌ２４」を説明の便宜上、「第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４」と記載することもある。

各第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４は、パワーＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳ電界効果トランジスタ）である。各第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４は、ゲート電極Ｇ、ドレイン電極Ｄ、及びソース電極Ｓをそれぞれ有している。各第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４のドレイン電極Ｄは、各第２配線７１～７４に電気的に接続されている。各第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４のソース電極Ｓは、負極母線Ｌｎを介してグランドに接続されている。

複数の第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４のゲート電極Ｇ、及び複数の第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４のゲート電極Ｇは、マイコン６０に電気的に接続されている。マイコン６０は、グランドに接続されている。マイコン６０は、複数の第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４及び複数の第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４のオンオフ制御を行う。

例えば、ヒータ素子Ｒ１を発熱させたい場合、マイコン６０は、第１スイッチング素子Ｌ１１と第２スイッチング素子Ｌ２１とが同時にオン状態となるように、第１スイッチング素子Ｌ１１及び第２スイッチング素子Ｌ２１のオンオフ制御を行う。すると、回路電源Ｖｃからの電流が第１スイッチング素子Ｌ１１→第１配線６１→ヒータ素子Ｒ１→ダイオードＤ１→第２配線７１→第２スイッチング素子Ｌ２１の順に流れてグランドに至る。これにより、ヒータ素子Ｒ１に対する通電が行われて、ヒータ素子Ｒ１が発熱する。

また、例えば、ヒータ素子Ｒ１及びヒータ素子Ｒ２を発熱させたい場合、マイコン６０は、第１スイッチング素子Ｌ１１、第２スイッチング素子Ｌ２１、及び第２スイッチング素子Ｌ２２が同時にオン状態となるように、第１スイッチング素子Ｌ１１、第２スイッチング素子Ｌ２１、及び第２スイッチング素子Ｌ２２のオンオフ制御を行う。すると、回路電源Ｖｃからの電流が第１スイッチング素子Ｌ１１→第１配線６１→ヒータ素子Ｒ１→ダイオードＤ１→第２配線７１→第２スイッチング素子Ｌ２１の順に流れてグランドに至る。また、回路電源Ｖｃからの電流が第１スイッチング素子Ｌ１１→第１配線６１→ヒータ素子Ｒ２→ダイオードＤ２→第２配線７２→第２スイッチング素子Ｌ２２の順に流れてグランドに至る。これにより、ヒータ素子Ｒ１及びヒータ素子Ｒ２に対する通電が行われて、ヒータ素子Ｒ１及びヒータ素子Ｒ２が発熱する。

さらに、例えば、全てのヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６を発熱させたい場合、マイコン６０は、各第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４及び各第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４がそれぞれ同時にオン状態となるように、各第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４及び各第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４のオンオフ制御を行う。すると、回路電源Ｖｃからの電流が各第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４→各第１配線６１～６４→各ヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６→各ダイオードＤ１～Ｄ１６→各第２配線７１～７４→各第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４の順にそれぞれ流れてグランドに至る。これにより、全てのヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６に対する通電が行われて、全てのヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６が発熱する。

また、マイコン６０は、複数の第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４のＰＷＭ制御を行う。マイコン６０は、複数の第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４をＰＷＭ制御して、複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６に対して印加される電圧をパルス状とする。そして、例えば、マイコン６０は、ヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６に対する通電によって生じるヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の発熱量を大きくしたい場合には、複数の第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４をＰＷＭ制御する際のデューティ比を大きくする。また、マイコン６０は、ヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６に対する通電によって生じるヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の発熱量を小さくしたい場合には、複数の第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４をＰＷＭ制御する際のデューティ比を小さくする。

負極母線Ｌｎには、シャント抵抗６６が設けられている。そして、シャント抵抗６６に電流が流れることにより、シャント抵抗６６の両端に電位差が生じる。マイコン６０は、シャント抵抗６６の両端の間の電圧に基づいて、各ヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の発熱量が目標の発熱量となるように各第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４のデューティ比を算出し、各第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４のＰＷＭ制御を行う。

このように、マイコン６０は、複数の第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４のうちの少なくとも一つ及び複数の第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４のうちの少なくとも一つをオン状態とすることにより選択されたヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６に対する通電をＰＷＭ制御にて行う。マイコン６０は、複数の第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４の少なくとも一つをＰＷＭ制御するとともに、複数の第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４の少なくとも一つをオン状態とし、オン状態とした第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４においては、オン状態を保持する。

図２に示すように、気化器３０は、原料保持部材８０を備えている。原料保持部材８０は、胴体部３４の内側に配置されている。原料保持部材８０は、２つのヒータ４０よりも蓋部３５側に配置されている。

２つのヒータ４０のうち、第１スペーサ４１よりも蓋部３５側に位置するヒータ４０と原料保持部材８０との間には、板状の第２スペーサ４２が介在されている。第２スペーサ４２の一端面は、２つのヒータ４０のうち、第１スペーサ４１よりも蓋部３５側に位置するヒータ４０に接触している。第２スペーサ４２の他端面は、原料保持部材８０に接触している。第２スペーサ４２には、第２スペーサ孔４２ｈが形成されている。第２スペーサ孔４２ｈは、第２スペーサ４２の中央部に形成されている。第２スペーサ孔４２ｈは、胴体部３４の軸方向で供給ポート３６、第１スペーサ孔４１ｈ、及び排出ポート３７それぞれに重なる位置に配置されている。

原料保持部材８０は、原料８１を保持する。本実施形態において、原料８１は、顆粒状の固体である。原料保持部材８０は、板状である上流側スペーサ８２と、板状である下流側スペーサ８３と、板状である保持本体部材８４と、を有している。保持本体部材８４は、上流側スペーサ８２と下流側スペーサ８３とによって挟持されている。上流側スペーサ８２、下流側スペーサ８３、及び保持本体部材８４それぞれの厚み方向は一致している。上流側スペーサ８２、下流側スペーサ８３、及び保持本体部材８４の積層方向は、胴体部３４の軸方向に一致している。上流側スペーサ８２、下流側スペーサ８３、及び保持本体部材８４の積層方向は、ヒータ４０の積層方向に一致している。上流側スペーサ８２は、保持本体部材８４よりも第２スペーサ４２側に位置している。

上流側スペーサ８２は、複数の孔８２ｈが形成されたメッシュ状である。なお、上流側スペーサ８２の孔８２ｈの径は、原料８１が孔８２ｈを通過することができない径に予め設定されている。下流側スペーサ８３は、複数の孔８３ｈが形成されたメッシュ状である。なお、下流側スペーサ８３の孔８３ｈの径は、原料８１が孔８３ｈを通過することができない径に予め設定されている。

保持本体部材８４には、原料収容孔８４ｈが形成されている。原料収容孔８４ｈは、保持本体部材８４の中央部に形成されている。原料収容孔８４ｈは、胴体部３４の軸方向で供給ポート３６、第１スペーサ孔４１ｈ、第２スペーサ孔４２ｈ、及び排出ポート３７それぞれに重なる位置に配置されている。原料８１は、原料収容孔８４ｈ、上流側スペーサ８２、及び下流側スペーサ８３によって区画される空間８５に収容された状態で保持本体部材８４に保持されている。

図６に示すように、各ヒータ素子Ｒが形成する各隙間５４は、各ガス通過孔５５ｈに重なっている。さらに、各ヒータ素子Ｒが形成する各隙間５４は、胴体部３４の軸方向で上流側スペーサ８２の各孔８２ｈに重なっている。各隙間５４と上流側スペーサ８２の各孔８２ｈとは一直線上に位置している。また、各ヒータ素子Ｒが形成する各隙間５４は、胴体部３４の軸方向で供給ポート３６、第１スペーサ孔４１ｈ、第２スペーサ孔４２ｈ、及び排出ポート３７それぞれに重なる位置に配置されている。

次に、本実施形態の作用について説明する。
ガス供給源１６からのキャリアガスが、外部配管１７を介して外部供給ポート１４ａに供給されると、外部供給ポート１４ａに供給されたキャリアガスは、外部供給ポート１４ａから供給ポート３６に供給される。したがって、供給ポート３６には、キャリアガスが供給される。

供給ポート３６に供給されたキャリアガスは、１層目のヒータ４０の各ヒータ素子Ｒによって形成される各隙間５４を通過して、第１スペーサ孔４１ｈに供給されるとともに、第１スペーサ孔４１ｈに供給されたキャリアガスは、２層目のヒータ４０の各ヒータ素子Ｒによって形成される各隙間５４を通過して、第２スペーサ孔４２ｈに供給される。よって、各ヒータ素子Ｒが形成する各隙間５４は、供給ポート３６からのキャリアガスが通過するガス通過空間である。したがって、各ヒータ素子Ｒは、供給ポート３６からのキャリアガスが通過するガス通過空間を形成する。

ヒータ４０では、マイコン６０が、複数の第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４のうちの少なくとも一つ及び複数の第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４のうちの少なくとも一つをオン状態とすることにより、複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６のうちの少なくとも一つが選択されて発熱する。そして、マイコン６０は、選択されたヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６に対する通電をＰＷＭ制御にて行う。よって、一つのマイコン６０によって、複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６に対する通電をそれぞれ独立して制御することが可能となり、複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６それぞれの発熱量が適宜調整される。したがって、複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の発熱による温度分布を均一にしたり、局所的に温度を高めたり低くしたりすることが可能である。

また、ヒータ４０は、マイコン６０によって、複数の第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４及び複数の第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４がオン状態となるタイミングをずらすことにより、複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６それぞれを時間差で温めることも可能である。さらには、マイコン６０は、複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の部品特性のばらつきに応じて、複数の第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４のＰＷＭ制御を行うことで、複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の部品特性のばらつきに応じた発熱量の調整が可能である。

各ヒータ４０の各ヒータ素子Ｒによって形成される各隙間５４を通過するキャリアガスは、各ヒータ素子Ｒの発熱によって加熱される。したがって、各ヒータ４０は、各ヒータ素子Ｒの発熱によって各隙間５４を通過するキャリアガスを加熱する。１層目のヒータ４０の各ヒータ素子Ｒによって形成される各隙間５４を通過するキャリアガスは、１層目のヒータ４０の各ヒータ素子Ｒの発熱によって加熱される。さらに、２層目のヒータ４０の各ヒータ素子Ｒによって形成される各隙間５４を通過するキャリアガスは、２層目のヒータ４０の各ヒータ素子Ｒの発熱によってさらに加熱される。そして、２層目のヒータ４０の各ヒータ素子Ｒによって形成される各隙間５４を通過したキャリアガスは、第２スペーサ孔４２ｈを介して上流側スペーサ８２の各孔８２ｈに導入される。したがって、上流側スペーサ８２の各孔８２ｈは、各隙間５４を通過したキャリアガスが導入されるガス導入空間である。よって、上流側スペーサ８２は、各隙間５４を通過したキャリアガスが導入されるガス導入空間を形成する。ガス通過空間とガス導入空間とは一直線上に位置している。

上流側スペーサ８２の各孔８２ｈに導入されたキャリアガスは、各孔８２ｈを通過して原料８１に接触する。このキャリアガスにおける原料８１に対する接触が行われることにより、原料８１が昇華し、原料８１は瞬時に気化する。そして、原料８１が気化されることにより気化原料が生成される。気化原料は、下流側スペーサ８３の各孔８３ｈを通過して排出ポート３７に排出される。そして、排出ポート３７に排出された気化原料は、排出ポート３７から気化原料導入ポート２３に向けて収容室１５を流れ、気化原料導入ポート２３に導入されて被処理基板１８の表面に至る。したがって、排出ポート３７は、上流側スペーサ８２の各孔８２ｈに導入されたキャリアガスによって原料８１が気化されることにより生成される気化原料を被処理基板１８の表面に向けて排出する。そして、被処理基板１８の表面に気化原料が接触することにより、被処理基板１８の表面に薄膜が形成される。

上記実施形態では以下の効果を得ることができる。
（１）各ヒータ４０は、各ヒータ素子Ｒの発熱によって各隙間５４を通過するキャリアガスを加熱する。そして、各隙間５４を通過したキャリアガスが、上流側スペーサ８２の各孔８２ｈに導入され、各孔８２ｈに導入されたキャリアガスによって原料８１が気化する。原料８１が気化されることにより生成される気化原料は、排出ポート３７から被処理基板１８の表面に向けて排出される。このように、各隙間５４を通過するキャリアガスを各ヒータ素子Ｒからの熱によって直接加熱することができるため、気化原料を安定的に生成することができる。

（２）各隙間５４と上流側スペーサ８２の各孔８２ｈとが一直線上に位置している。これによれば、各隙間５４を通過する際に各ヒータ素子Ｒの発熱によって加熱されたキャリアガスが、上流側スペーサ８２の各孔８２ｈにスムーズに導入される。したがって、各孔８２ｈに導入されるキャリアガスによって原料８１がさらに気化し易くなるため、気化原料をさらに安定的に生成することができる。

（３）複数のヒータ素子Ｒは、列方向Ｙ１及び行方向Ｘ１にそれぞれ複数配列されてマトリクス状に配置されている。これによれば、各ヒータ素子Ｒの配置スペースの省スペース化を図ることができるため、ヒータ４０を小型化することができる。

（４）複数の第１配線６１～６４は、各列で行方向Ｘ１に複数配列されるヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の一端にそれぞれ電気的に接続されており、複数の第２配線７１～７４は、各行で列方向Ｙ１に複数配列されたヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の他端にそれぞれ電気的に接続されている。よって、各列で行方向Ｘ１に複数配列されるヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の一端に対して配線を１つずつ接続し、各行で列方向Ｙ１に複数配列されたヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の他端に対して配線を１つずつ接続する場合に比べて、配線の数を減らすことができる。

（５）正極電極５１及び負極電極５２は、同一平面上において発熱部５３の周囲にＬ字配置されている。これによれば、列方向Ｙ１で隣り合うヒータ素子Ｒそれぞれの発熱部５３同士のピッチと、行方向Ｘ１で隣り合うヒータ素子Ｒそれぞれの発熱部５３同士のピッチとを、同等にし易くすることができるため、各ヒータ素子Ｒの配置スペースの省スペース化を図ることができ、ヒータ４０を小型化することができる。

（６）マイコン６０は、選択されたヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６に対する通電をＰＷＭ制御にて行う。よって、一つのマイコン６０によって、複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６に対する通電をそれぞれ独立して制御することができる。したがって、回路構成が複雑化することを回避しつつも、複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６に対する通電をそれぞれ独立して制御することができる。

（７）ヒータ４０が複数層配置されている。これによれば、例えば、ヒータ４０が１層のみである場合に比べると、供給ポート３６から供給されたキャリアガスを効率良く加熱することができる。

（８）ヒータ素子Ｒは、金属繊維である。これによれば、繊維同士の隙間に対しても供給ポート３６からのキャリアガスが通過するため、キャリアガスがヒータ４０を効率良く通過しつつも、ヒータ素子Ｒの発熱によってキャリアガスを効率良く加熱することができる。

（９）本実施形態の成膜装置１０では、基板支持台２０が、気化器３０と共に収容室１５に収容されており、収容室１５で生成された気化原料が基板支持台２０に支持された被処理基板１８の表面に至ることで、被処理基板１８の表面に薄膜が形成される。これによれば、気化器３０が収容されている収容室１５とは別の室に被処理基板１８が配置されており、収容室１５で生成された気化原料を、例えば、配管を介して収容室１５から被処理基板１８が配置されている室に供給する場合に比べて、構成を簡素化することができる。

なお、上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

・ 図７に示すように、原料保持部材８０が、原料８１を予め収容可能な収容ケース８６と、収容ケース８６を保持する保持スペーサ部材８７と、を有する構成であってもよい。収容ケース８６は、四角箱状である。収容ケース８６は、複数の孔８６ｈが形成されたメッシュ状である。なお、収容ケース８６の孔８６ｈの径は、原料８１が孔８６ｈを通過することができない径に予め設定されている。

保持スペーサ部材８７は板状である。保持スペーサ部材８７には、保持収容孔８７ｈが形成されている。保持収容孔８７ｈは、保持スペーサ部材８７の中央部に形成されている。保持収容孔８７ｈは、胴体部３４の軸方向で供給ポート３６及び排出ポート３７それぞれに重なる位置に配置されている。収容ケース８６は、例えば、保持収容孔８７ｈに嵌め込まれることにより保持スペーサ部材８７に保持されている。収容ケース８６の各孔８６ｈは、各ヒータ素子Ｒによって形成される各隙間５４を通過したキャリアガスが導入されるガス導入空間である。これによれば、原料８１を予め収容ケース８６に収容するとともに、原料８１が収容された収容ケース８６を保持スペーサ部材８７に保持した状態で、気化器３０の本体部３１に保持スペーサ部材８７を組み付けることができるため、組み付け性を向上させることができる。

・ 図８に示すように、本体部３１に、供給ポート３６が複数形成されていてもよい。この場合、原料保持部材８０は、原料８１を予め収容可能な収容ケース８６を保持する保持スペーサ部材８８を有し、保持スペーサ部材８８に、収容ケース８６が挿入される挿入孔８８ａが、各供給ポート３６に対応して複数形成されている構成であってもよい。具体的には、原料保持部材８０は、各挿入孔８８ａに挿入された各収容ケース８６を支持する板状の支持部材８９を有している。支持部材８９は、複数の孔８９ｈが形成されたメッシュ状である。

また、気化器３０は、各供給ポート３６に対応して、ヒータ４０をそれぞれ有していてもよい。各ヒータ４０は、板状のヒータ保持部材９０によってそれぞれ保持されている。ヒータ保持部材９０と支持部材８９との間には、板状のスペーサ９１が介在されている。スペーサ９１には、各供給ポート３６に対応して連通孔９１ｈが複数形成されている。各供給ポート３６に供給されたキャリアガスは、各ヒータ４０によって加熱された後、各連通孔９１ｈ、支持部材８９の各孔８９ｈ、及び各収容ケース８６の各孔８６ｈを通過して、各収容ケース８６に収容された各原料８１に接触する。これにより、各原料８１がそれぞれ独立して瞬時に気化し、各原料８１から各々の気化原料が生成される。

このように、本体部３１に供給ポート３６が複数形成されていることにより、各供給ポート３６から供給されるキャリアガスを、各ヒータ４０によって独立に加熱することができ、各供給ポート３６から供給されるキャリアガスそれぞれの加熱度合を調整することができる。なお、各供給ポート３６から供給されるキャリアガスを、各ヒータ４０それぞれによって加熱する必要はなく、例えば、一つのヒータ４０を用いて加熱してもよい。この場合、ヒータ４０の各ヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６に対する通電をＰＷＭ制御にて行い、各ヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の発熱量を適宜調整することで、各供給ポート３６から供給されるキャリアガスを独立に加熱することが可能であるため、各供給ポート３６から供給されるキャリアガスそれぞれの加熱度合を調整することができる。

また、各収容ケース８６に収容されている原料８１が、それぞれ種類の異なる原料８１であってもよい。このように、原料保持部材８０が、種類の異なる原料８１を保持可能に構成されていてもよい。これによれば、一つの気化器３０で種類の異なる気化原料を生成することができる。

・ 実施形態において、各第２配線７１～７４と各ヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の他端との間に各ダイオードＤ１～Ｄ１６が設けられておらず、各第１配線６１～６４と各ヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の一端との間に各ダイオードＤ１～Ｄ１６が設けられていてもよい。この場合、複数の第１配線６１～６４は、各列で行方向Ｘ１に複数配列されるヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の一端に各ダイオードＤ１～Ｄ１６を介してそれぞれ電気的に接続されている。各ダイオードＤ１～Ｄ１６のアノードは各ヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の一端に電気的に接続されるとともに、各ダイオードＤ１～Ｄ１６のカソードは各第１配線６１～６４に電気的に接続されている。また、各第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４のドレイン電極Ｄは、各第１配線６１～６４に電気的に接続され、各第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４のソース電極Ｓは、グランドに接続されている。各第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４のドレイン電極Ｄは、回路電源Ｖｃに接続され、各第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４のソース電極Ｓは各第２配線７１～７４に電気的に接続されている。そして、例えば、ヒータ素子Ｒ１を発熱させたい場合、マイコン６０は、第１スイッチング素子Ｌ１１と第２スイッチング素子Ｌ２１とが同時にオン状態となるように、第１スイッチング素子Ｌ１１及び第２スイッチング素子Ｌ２１のオンオフ制御を行う。すると、回路電源Ｖｃからの電流が第２スイッチング素子Ｌ２１→第２配線７１→ヒータ素子Ｒ１→ダイオードＤ１→第１配線６１→第１スイッチング素子Ｌ１１の順に流れてグランドに至る。これにより、ヒータ素子Ｒ１に対する通電が行われて、ヒータ素子Ｒ１が発熱する。要は、各ダイオードＤ１～Ｄ１６は、各第１配線６１～６４と各ヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の一端との間、及び各第２配線７１～７４と各ヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の他端との間のどちらか一方に設けられていればよい。

・ 実施形態において、マイコン６０は、複数の第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４においてはＰＷＭ制御を行わずに、複数の第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４のＰＷＭ制御を行うようにしてもよい。この場合、マイコン６０は、複数の第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４の少なくとも一つをオン状態とし、オン状態とした第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４においては、オン状態を保持するとともに、複数の第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４の少なくとも一つをＰＷＭ制御する。

・ 実施形態において、ヒータ素子Ｒの数は特に限定されるものではない。
・ 実施形態において、第１配線の数は特に限定されるものではなく、列方向Ｙ１に配列されるヒータ素子Ｒの数によって適宜変更してもよい。

・ 実施形態において、第２配線の数は特に限定されるものではなく、行方向Ｘ１に配列されるヒータ素子Ｒの数によって適宜変更してもよい。
・ 実施形態において、第１スイッチング素子の数は特に限定されるものではなく、第１配線の数によって適宜変更してもよい。

・ 実施形態において、第２スイッチング素子の数は特に限定されるものではなく、第２配線の数によって適宜変更してもよい。
・ 実施形態において、複数の第１スイッチング素子Ｌ１１～Ｌ１４及び複数の第２スイッチング素子Ｌ２１～Ｌ２４は、パワーＭＯＳＦＥＴに限らず、例えば、ＩＧＢＴであってもよい。

・ 実施形態において、ヒータ４０は、複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６が同一平面上に配置された面状ヒータでなくてもよい。つまり、複数のヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の配置位置は、同一平面上に限られず、ヒータ４０の形状は特に限られるものではない。

・ 実施形態において、複数のヒータ素子Ｒが、マトリクス状に配置されていなくてもよく、複数のヒータ素子Ｒの配置は特に限定されるものではない。
・ 実施形態において、各列で行方向Ｘ１に複数配列されるヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の一端に対して配線を１つずつ接続し、各行で列方向Ｙ１に複数配列されたヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６の他端に対して配線を１つずつ接続するようにしてもよい。

・ 実施形態において、正極電極５１及び負極電極５２は、同一平面上において発熱部５３の周囲にＬ字配置されていなくてもよく、例えば、各ヒータ素子Ｒは、平面視したときに、正極電極５１、発熱部５３、及び負極電極５２が一直線上に配置されている構成であってもよい。

・ 実施形態において、各隙間５４と上流側スペーサ８２の各孔８２ｈとが一直線上に位置していなくてもよく、各隙間５４と上流側スペーサ８２の各孔８２ｈとが胴体部３４の軸方向で重なっていなくてもよい。

・ 実施形態において、マイコン６０は、選択されたヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６に対する通電をＰＷＭ制御にて行わなくてもよく、予め定められた一定の電流をヒータ素子Ｒ１～Ｒ１６に通電するようにしてもよい。この場合、例えば、発熱部５３の太さを調整することで、ヒータ素子Ｒの発熱量を調整してもよい。

・ 実施形態において、気化器３０は、ヒータ４０が複数層配置されていなくてもよく、ヒータ４０が１層のみである構成であってもよい。
・ 実施形態において、ヒータ素子Ｒは、金属繊維でなくてもよく、例えば、金属板であってもよい。

・ 実施形態において、ヒータ素子Ｒは、例えば、ステンレス繊維シートであってもよい。
・ 実施形態において、ヒータ素子Ｒが、例えば、ニクロム等の導体であってもよい。

・ 実施形態において、ヒータ素子Ｒは、ヒータ素子Ｒ自体に、ガス通過空間としての貫通孔が形成されている構成であってもよい。
・ 実施形態において、成膜装置１０は、例えば、気化器３０が収容されている収容室１５とは別の室に被処理基板１８が配置されており、収容室１５で生成された気化原料を、例えば、配管を介して収容室１５から被処理基板１８が配置されている室に供給する構成であってもよい。

１８…被処理基板、３０…気化器、３１…本体部、３６…供給ポート、３７…排出ポート、４０…ヒータ、５１…正極電極、５２…負極電極、５３…発熱部、５４…ガス通過空間である隙間、６０…マイコン、６１，６２，６３，６４…第１配線、７１，７２，７３，７４…第２配線、８０…原料保持部材、８１…原料、８２ｈ…ガス導入空間である孔、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６，Ｄ７，Ｄ８，Ｄ９，Ｄ１０，Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ１３，Ｄ１４，Ｄ１５，Ｄ１６…ダイオード、Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３，Ｌ１４…第１スイッチング素子、Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３，Ｌ２４…第２スイッチング素子、Ｒ，Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６…ヒータ素子。

Claims (10)

1. 本体部と、
   前記本体部に形成されるとともにキャリアガスが供給される供給ポートと、
   前記供給ポートからのキャリアガスが通過するガス通過空間を形成するヒータ素子を有し、前記ヒータ素子の発熱によって前記ガス通過空間を通過するキャリアガスを加熱するヒータと、
   前記ガス通過空間を通過したキャリアガスが導入されるガス導入空間を形成するとともに原料を保持する原料保持部材と、
   前記本体部に形成されるとともに前記ガス導入空間に導入されたキャリアガスによって前記原料が気化されることにより生成される気化原料を被処理基板の表面に向けて排出する排出ポートと、を備え、
   前記ヒータ素子は、平面視すると、互いに隙間を形成しつつクランク形状に折り曲げられた帯状の発熱部を有し、
   前記隙間は、前記ガス通過空間を形成する気化器。
2. 前記ガス通過空間と前記ガス導入空間とは一直線上に位置している請求項１に記載の気化器。
3. 前記ヒータは、前記ヒータ素子を複数有し、
   前記複数のヒータ素子は、列方向及び行方向にそれぞれ複数配列されてマトリクス状に配置されている請求項１又は請求項２に記載の気化器。
4. 前記ヒータは、
   前記列方向に複数配列されるとともに前記行方向に延び、各列で前記行方向に複数配列される前記ヒータ素子の一端にそれぞれ電気的に接続される複数の第１配線と、
   前記行方向に複数配列されるとともに前記列方向に延び、各行で前記列方向に複数配列された前記ヒータ素子の他端にそれぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
   前記複数の第１配線にそれぞれ電気的に接続される複数の第１スイッチング素子と、
   前記複数の第２配線にそれぞれ電気的に接続される複数の第２スイッチング素子と、
   前記各第１配線と前記各ヒータ素子の一端との間、及び前記各第２配線と前記各ヒータ素子の他端との間のどちらか一方に設けられたダイオードと、を備えている請求項３に記載の気化器。
5. 前記各ヒータ素子は、正極電極、負極電極、及び前記正極電極と前記負極電極とを接続する発熱部を有し、
   前記正極電極及び前記負極電極は、同一平面上において前記発熱部の周囲にＬ字配置されている請求項４に記載の気化器。
6. 前記複数の第１スイッチング素子及び前記複数の第２スイッチング素子のオンオフ制御を行うとともに、前記複数の第１スイッチング素子のうちの少なくとも一つ及び前記複数の第２スイッチング素子のうちの少なくとも一つをオン状態とすることにより選択されたヒータ素子に対する通電をＰＷＭ制御にて行うマイコンを備えている請求項４又は請求項５に記載の気化器。
7. 前記ヒータが複数層配置されている請求項１～請求項６のいずれか一項に記載の気化器。
8. 前記ヒータ素子は、金属繊維である請求項１～請求項７のいずれか一項に記載の気化器。
9. 前記原料保持部材は、種類の異なる原料を保持可能に構成されている請求項１～請求項８のいずれか一項に記載の気化器。
10. 前記本体部には、前記供給ポートが複数形成されている請求項１～請求項９のいずれか一項に記載の気化器。