JP7308244B2 - 電界発光表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、電界発光表示装置に関するものであって、特に大面積および高解像度の電界発光表示装置に関するものである。

フラットパネル表示装置の１つである電界発光表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）は、自己発光型であるため、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）に比べ、視野角などに優れており、バックライトが不要であることから、軽量・薄型が可能である上に、消費電力の面でも有利である。

また、電界発光表示装置は、直流低電圧で駆動が可能であり、応答速度が速く、構成要素が全て固体であるため、外部からの衝撃に強く、使用温度の範囲も広い。特に、製造コストが安価であるというメリットがある。

電界発光表示装置は、赤・緑・青色の副画素で構成される複数の画素を含み、赤・緑・青色の副画素を選択的に発光させ、多様なカラー映像を表示する。

赤・緑・青色の副画素は、それぞれ赤・緑・青色の発光層を含み、一般的に各発光層は、ファインメタルマスクを用いて発光物質を選択的に蒸着する真空熱蒸着（ｖａｃｕｕｍ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）工程を経て形成される。

ところが、かかる蒸着工程は、マスク準備などのため、製造コストが増加する。また、マスク製造におけるばらつき、たわみ、そして影の影響などにより、大面積および高解像度の表示装置への適用が困難である。

特開２０２０－９２０８８号公報

本発明は、前述の問題を解決するためのものであって、大面積および高解像度の電界発光表示装置を提供することを目的とする。

上述の目的を達成するため、本発明の電界発光表示装置は、基板と、前記基板の上部に位置する第１電極と、前記基板の上部に、前記第１電極と同じ物質で形成される接続パターンと、前記第１電極および前記接続パターンの端部を覆うバンクと、前記第１電極の上部に位置する発光層と、前記発光層と前記バンクおよび前記接続パターンの上部に位置する第２電極と、前記第２電極と前記接続パターンの間の補助パターンを含み、前記補助パターンの側面は、前記バンクの側面より大きい傾斜角を持つ。

前記発光層は、第１電荷補助層、発光物質層および第２電荷補助層を含み、前記第１電荷補助層と前記発光物質層のそれぞれは、少なくとも一側面が前記バンクで取り囲まれ、前記第２電荷補助層の一部は、前記バンクと前記第２電極の間、および前記補助パターンと前記第２電極の間に位置し、前記補助パターンの側面における前記第２電荷補助層の厚さが、前記バンクの側面における前記第２電荷補助層の厚さより小さい。

本発明の他の電界発光表示装置は、基板と、前記基板の上部に位置する第１電極と、前記基板の上部に、前記第１電極と同じ物質で形成される接続パターンと、前記第１電極および前記接続パターンの端部を覆うバンクと、前記第１電極の上部に位置する発光層と、前記発光層と前記バンクおよび前記接続パターンの上部に位置する第２電極と、前記第２電極と前記接続パターンの間の補助パターンを含み、前記発光層は、第１電荷補助層、発光物質層および第２電荷補助層を含み、前記第２電荷補助層は、前記補助パターンと前記第２電極の間に位置し、前記補助パターンの側面における前記第２電荷補助層の厚さが、前記バンクの側面における前記第２電荷補助層の厚さより小さい。

前記補助パターンは、前記接続パターンを露出する。

前記バンクは、前記接続パターンを露出する補助コンタクトホールを有し、前記補助パターンは、前記補助コンタクトホールを介して露出された前記接続パターンを完全に覆う。

前記バンクは、前記接続パターンを露出する補助コンタクトホールを有し、前記補助パターンは、前記補助コンタクトホールの少なくとも一側に対応して形成される。

前記第２電極は、前記補助パターンの側面と接触する。

前記補助パターンの側面における前記第２電極の厚さが、前記バンクの側面における前記第２電極の厚さより小さい。

前記補助パターンの側面は、その傾斜角が７５度～１０５度である。

前記基板と前記第１電極の間に、少なくとも１つの薄膜トランジスタをさらに含み、前記第１電極は、前記少なくとも１つの薄膜トランジスタに接続される。

前記バンクは、親水性の第１バンクと疎水性の第２バンクを含む。

前記第１バンクと前記第２バンクは、一体に形成される。

前記補助パターンは、前記第１バンクと前記第２バンクの間に位置する。

一方向に沿って隣接する画素領域の発光層は、互いに繋がり、一体に形成される。

本発明では、各副画素の発光層を溶液工程により形成することで、マスクを省略し、製造コストを減らすことができ、大面積および高解像度の表示装置を実現することができる。

また、同色の副画素同士の発光層が互いに繋がり、一体に形成されるようにすることで、ノズル間における滴下量のばらつきを最小化することができ、各副画素に形成される発光層の厚さを均一にすることができる。その結果、ムラを防止し、表示装置の画質低下を防ぐことができる。

さらに、接続パターンを介し、第２電極を補助電極に接続することで、第２電極の抵抗を下げることができ、第２電極と接続パターンの間に補助パターンを形成し、第２電極と接続パターンの間の電気的接触特性を向上させることができる。

かかる補助パターンは、その側面の傾斜を制御することで、様々な構造に適用することができる。

本発明の実施例にかかる電界発光表示装置における１つの画素領域を示す回路図である。 本発明の実施例にかかる電界発光表示装置を概略的に示す平面図である。 本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置を、図２のＩ－Ｉ’線に沿って概略的に示す断面図である。 図３のＡ１領域に対応する、本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置の補助パターンを拡大して概略的に示す平面図である。 図４のＩＩ－ＩＩ’線に沿った断面図である。 本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置の製造過程において、電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。 本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置の製造過程において、電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。 本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置の製造過程において、電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。 本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置の製造過程において、電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。 本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置の製造過程において、電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。 本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置の製造過程において、電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。 本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置の製造過程において、電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。 本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置の製造過程において、電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。 本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置の製造過程において、電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。 本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置の製造過程において、電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。 図３のＡ１領域に対応する、本発明の第２実施例にかかる電界発光表示装置の補助パターンを拡大して概略的に示す平面図である。 図７のＩＩＩ－ＩＩＩ’線に沿った断面図である。 図３のＡ１領域に対応する、本発明の第３実施例にかかる電界発光表示装置の補助パターンを拡大して概略的に示す平面図である。 図９のＩＶ－ＩＶ’線に沿った断面図である。 図３のＡ１領域に対応する、本発明の第４実施例にかかる電界発光表示装置の補助パターンを拡大して概略的に示す断面図である。 図３のＡ１領域に対応する、本発明の第５実施例にかかる電界発光表示装置の補助パターンを拡大して概略的に示す断面図である。 図３のＡ１領域に対応する、本発明の第６実施例にかかる電界発光表示装置の補助パターンを拡大して概略的に示す断面図である。

以下、図面を参照し、本発明の実施例にかかる電界発光表示装置について詳細に説明する。

本発明の実施例にかかる電界発光表示装置は、映像を表示するため、複数の画素（ｐｉｘｅｌ）を含む。各画素は、赤・緑・青色の副画素（ｓｕｂ ｐｉｘｅｌ）を含み、各副画素に対応する画素領域は、図１に示すような構成を有することができる。

図１は、本発明の実施例にかかる電界発光表示装置における１つの画素領域を示す回路図である。

図１に示すように、本発明の電界発光表示装置は、互いに交差して画素領域Ｐを定義するゲート配線ＧＬおよびデータ配線ＤＬを含み、各画素領域Ｐにはスイッチング薄膜トランジスタＴｓと駆動薄膜トランジスタＴｄ、ストレージキャパシタＣｓｔ、そして発光ダイオードＤｅが形成される。

さらに詳細に説明すると、スイッチング薄膜トランジスタＴｓのゲート電極はゲート配線ＧＬに接続され、ソース電極はデータ配線ＤＬに接続される。駆動薄膜トランジスタＴｄのゲート電極は、スイッチング薄膜トランジスタＴｓのドレイン電極に接続され、ソース電極は高電位電圧ＶＤＤに接続される。発光ダイオードＤｅのアノードは駆動薄膜トランジスタＴｄのドレイン電極に接続され、カソードは低電位電圧ＶＳＳに接続される。ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動薄膜トランジスタＴｄのゲート電極およびドレイン電極に接続される。

かかる電界発光表示装置が映像を表示する動作について説明すると、ゲート配線ＧＬを介して印加されたゲート信号に応じ、スイッチング薄膜トランジスタＴｓがオンする。このとき、データ配線ＤＬに印加されたデータ信号がスイッチング薄膜トランジスタＴｓを介し、駆動薄膜トランジスタＴｄのゲート電極およびストレージキャパシタＣｓｔの一電極に印加される。

駆動薄膜トランジスタＴｄは、データ信号に応じてオンし、発光ダイオードＤｅを流れる電流を制御し、映像を表示する。発光ダイオードＤｅは、駆動薄膜トランジスタＴｄを介して供給される高電位電圧ＶＤＤの電流により発光する。

すなわち、発光ダイオードＤｅを流れる電流の量はデータ信号の大きさに比例し、発光ダイオードＤｅからの光の強度は、発光ダイオードＤｅを流れる電流の量に比例するため、画素領域Ｐはデータ信号の大きさに応じて異なる階調を表示し、その結果、電界発光表示装置は、映像を表示する。

ストレージキャパシタＣｓｔは、データ信号に対応する電荷を１フレームの間に維持し、発光ダイオードＤｅを流れる電流の量を一定にすることで、発光ダイオードＤｅが表示する階調を一定に維持させる役割を果たす。

一方、画素領域Ｐには、スイッチング薄膜トランジスタＴｓおよび駆動薄膜トランジスタＴｄ、そしてストレージキャパシタＣｓｔの他に、別の薄膜トランジスタとキャパシタをさらに設けることができる。

電界発光表示装置では、データ信号が駆動薄膜トランジスタＴｄのゲート電極に印加され、発光ダイオードＤｅが発光し、階調を表示する相対的に長時間、駆動薄膜トランジスタＴｄがオン状態を維持するが、このようなデータ信号の長時間印加により、駆動薄膜トランジスタＴｄは劣化し得る。そのため、駆動薄膜トランジスタＴｄの移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）および／または閾値電圧（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｖｏｌｔａｇｅ：Ｖｔｈ）が変わり、電界発光表示装置の画素領域Ｐは、同じデータ信号に対し、異なる階調を表示することになり、その結果、輝度のばらつきが生じ、電界発光表示装置の画質が低下する。

したがって、かかる駆動薄膜トランジスタＴｄの移動度、および／または閾値電圧の変化を補償するため、各画素領域Ｐに電圧変化を感知するための少なくとも１つのセンシング薄膜トランジスタ、および／またはキャパシタをさらに設けることができる。センシング薄膜トランジスタ、および／またはキャパシタは、基準電圧を印加し、センシング電圧を出力するための基準配線に接続することができる。

本発明の実施例にかかる電界発光表示装置における発光ダイオードＤｅは、第１電極、発光層、および第２電極を含む。第１電極と発光層、および第２電極は、基板上に順次形成することができ、スイッチング薄膜トランジスタＴｓと駆動薄膜トランジスタＴｄ、およびストレージキャパシタＣｓｔは、基板と第１電極の間に形成することができる。このような本発明の実施例にかかる電界発光表示装置は、発光ダイオードＤｅの発光層からの光が基板とは反対方向、すなわち、第２電極を介し、外部へ出射するトップエミッション型であり得る。トップエミッション型は、同じ面積のボトムエミッション型に比べ、より広い発光領域を有し得るため、輝度を向上させ、消費電力を低下させることができる。

ところが、光を透過させるため、第２電極は、金属物質で比較的に薄い厚さに形成するか、または透明導電性物質で形成しなければならない。そのため、第２電極の抵抗が増加し、それにより電圧が降下して輝度のばらつきが生じ得る。

したがって、本発明は、第２電極の抵抗を低下させるべく、第２電極を補助電極と電気的に接続する。このとき、第２電極と補助電極は、接続パターンを介し、電気的に接続されるが、接続パターンと第２電極の間の接触抵抗を減らし、電気的接触特性を向上させるため、接続パターンと第２電極の間に補助パターンを形成する。

図２は、本発明の実施例にかかる電界発光表示装置を概略的に示す平面図であって、バンクの構成を中心に示している。

図２に示すように、本発明の実施例にかかる電界発光表示装置において、図面上の横方向である第１方向（Ｘ軸方向）に沿って赤・緑・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂが順次位置し、第１方向（Ｘ軸方向）に垂直な第２方向（Ｙ軸方向）に沿って、同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂが位置する。赤・緑・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂは、１つの画素を構成し、赤・緑・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれは、図１の画素領域Ｐの回路構成を有することができる。

ここで、赤・緑・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂは、それぞれの角が丸みを帯びた矩形状になっているが、これに限定されるものではなく、角のある矩形や楕円形など、様々な形状を有することができる。

赤・緑・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂは、それぞれの面積が互いに異なってもよい。かかる赤・緑・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの面積は、各副画素に設けられた発光ダイオードの寿命を考慮し、決定される。例えば、緑色の副画素Ｇの面積は、赤色の副画素Ｒの面積より大きく、かつ青色の副画素Ｂの面積より小さい。しかしながら、本発明がこれに限定されるものではなく、赤・緑・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの面積は同じであってもよい。

かかる赤・緑・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂは、バンク１７２、１７４によって定義することができる。バンク１７２、１７４は、親水性の第１バンク１７２と疎水性の第２バンク１７４を含む。

より詳細に説明すると、第１バンク１７２は、隣接する同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの間、および隣接する異色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの間に位置する。かかる第１バンク１７２は各副画素Ｒ、Ｇ、Ｂを取り囲むよう、形成することができる。

あるいは、第１バンク１７２は、隣接する異色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの間において省略してもよい。すなわち、第１バンク１７２は、第１方向（Ｘ軸方向）に延伸し、第２方向（Ｙ軸方向）に沿って隣接する同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの間のみに位置してもよい。

次に、第１バンク１７２の上部に第２バンク１７４が形成される。第２バンク１７４は、同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ列に対応して開口部１７４ａを有し、第１方向（Ｘ軸方向）に沿って隣接する異色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの間に位置する。

したがって、開口部１７４ａは第２方向（Ｙ軸方向）に沿って延伸し、第２方向（Ｙ軸方向）の長さは第１方向（Ｘ軸方向）の長さ、すなわち、幅より長い。かかる開口部１７４ａは、第１方向（Ｘ軸方向）に平行な短辺と、第２方向（Ｙ軸方向）に平行な長辺を有する。このとき、第１方向（Ｘ軸方向）に沿って隣接する異色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの間において、第２バンク１７４は、第１バンク１７２よりその幅が狭くてもよい。

また、第２バンク１７４は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿って延伸した延長部１７４ｃを有することができる。例えば、延長部１７４ｃは、第２方向（Ｙ軸方向）に沿って隣接する青色の副画素Ｂ間に位置し、第１バンク１７２と重なってもよい。

一方、第１バンク１７２と第２バンク１７４は、延長部１７４ｃに対応し、それぞれ第１補助コンタクトホール１７２ｂと第２補助コンタクトホール１７４ｂを有する。

ここで、延長部１７４ｃと第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂは、赤・緑・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂを含む１つの画素に対応し、１つずつ形成することができるが、これに限定されるものではない。延長部１７４ｃ、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの位置と数は変えることができる。

図２に示していないが、かかる第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂが形成された延長部１７４ｃに対応し、補助電極および接続パターンが形成され、接続パターンは、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介し、露出される。また、接続パターンと第２電極の間には補助パターンが形成される。したがって、発光ダイオードの第２電極は、接続パターンを介して補助電極と電気的に接続され、補助パターンにより、接続パターンと第２電極の間の接触抵抗を減らすことができる。

かかる本発明の実施例にかかる電界発光表示装置の構成について図面を参照し、詳細に説明する。

第１実施例
図３は、本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置を概略的に示す断面図であって、図２のＩ－Ｉ’線に対応し、１つの画素領域を示す。

図３に示すように、バッファー層１２０が、実質的に基板１００の上部全面に形成される。基板１００は、ガラス基板であってもよく、プラスチック基板であってもよい。例えば、プラスチック基板にはポリイミドを用いることができるが、これに限定されるものではない。

バッファー層１２０は、酸化シリコンＳｉＯ_２や窒化シリコンＳｉＮ_Ｘのような無機絶縁物質から単層、または多層に形成することができる。

バッファー層１２０の上部には、金属のような導電性物質からなる第１ゲート電極１２２と第２ゲート電極、キャパシタ電極１２６、そして第１補助電極１２８が形成される。

第１ゲート電極１２２と第２ゲート電極１２４、キャパシタ電極１２６、そして第１補助電極１２８は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、またはこれらの合金のうち、少なくとも１つを用いて、単層、または多層に形成することができる。例えば、第１ゲート電極１２２と第２ゲート電極１２４、キャパシタ電極１２６、そして第１補助電極１２８は、モリブデン・チタニウム合金（ＭｏＴｉ）の下部層と、銅（Ｃｕ）の上部層を含む二層構造にすることができ、上部層が下部層より厚くてもよい。

ここで、第１補助電極１２８は、平面視において、基板１００に平行な第１方向（Ｘ軸方向）に延伸することができる。したがって、第１補助電極１２８は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿って配列された複数の画素領域に対応するよう、形成することができる。しかしながら、本発明がこれに限定されるものではない。

一方、第１ゲート電極１２２および第２ゲート電極１２４と同じ層に同じ物質で、ゲート配線（不図示）をさらに形成することができる。ゲート配線は、第１方向（Ｘ方向）に延伸して形成することができ、この場合、ゲート配線と第１補助電極１２８は、互いに平行にすることができる。

ゲート絶縁膜１３０は、第１ゲート電極１２２と第２ゲート電極１２４、キャパシタ電極１２６、そして第１補助電極１２８の上部に、絶縁物質から形成される。ゲート絶縁膜１３０は、実質的に基板１００の全面に位置し、酸化シリコンＳｉＯ_２や窒化シリコンＳｉＮ_ｘのような無機絶縁物質から形成することができる。

ゲート絶縁膜１３０は、第１ゲート電極１２２を露出する第１コンタクトホール１３０ａと、第１補助電極１２８を露出する第２コンタクトホール１３０ｂを有する。

ゲート絶縁膜１３０の上部には、第１半導体層１３２および第２半導体層１３４が形成される。第１半導体層１３２は第１ゲート電極１２２と重なり、第２半導体層１３４は第２ゲート電極１２４と重なる。第１半導体層１３２と第２半導体層１３４は、第１コンタクトホール１３０ａと離隔している。

第１半導体層１３２および第２半導体層１３４は、酸化物半導体物質から形成することができる。この場合、ゲート絶縁膜１３０は、酸化シリコンＳｉＯ_２から形成することが好ましい。

あるいは、第１半導体層１３２および第２半導体層１３４は、非晶質シリコンから形成してもよい。

第１半導体層１３２および第２半導体層１３４の上部には、金属のような導電性物質からなる第１ソース電極１４０および第１ドレイン電極１４２、そして第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４６が形成される。

さらに詳細に説明すると、第１半導体層１３２の上部には第１ソース電極１４０および第１ドレイン電極１４２が形成され、第２半導体層１３４の上部には第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４６が形成される。第１ソース電極１４０および第１ドレイン電極１４２は、第１半導体層１３２と重なって接触し、第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４６は、第２半導体層１３４と重なって接触する。

第１ソース電極１４０および第１ドレイン電極１４２、そして第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４６は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、またはこれらの合金のうち、少なくとも１つを用いて、単層、または多層に形成することができる。例えば、第１ソース電極１４０および第１ドレイン電極１４２、そして第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４６は、モリブデン・チタニウム合金（ＭｏＴｉ）の下部層と、銅（Ｃｕ）の上部層を含む二層構造にすることができ、上部層が下部層より厚くてもよい。あるいは、第１ソース電極１４０および第１ドレイン電極１４２、そして第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４６は三層構造にすることもできる。

第１ドレイン電極１４２はキャパシタ電極１２６と重なり、ストレージキャパシタを構成する。また、第２ドレイン電極１４６は第１ゲート電極１２２と重なり、第１コンタクトホール１３０ａを介し、第１ゲート電極１２２と接触する。

第１ゲート電極１２２、第１半導体層１３２、第１ソース電極１４０および第１ドレイン電極１４２は、第１薄膜トランジスタＴ１を構成し、第２ゲート電極１２４、第２半導体層１３４、第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４６は、第２薄膜トランジスタＴ２を構成する。

かかる第１薄膜トランジスタＴ１および第２薄膜トランジスタＴ２は、半導体層１３２、１３４の下部にゲート電極１２２、１２４が位置し、半導体層１３２、１３４の上部にソース電極１４０、１４４およびドレイン電極１４２、１４６が位置する逆スタガード構造であり得る。

あるいは、第１薄膜トランジスタＴ１および第２薄膜トランジスタＴ２は、半導体層の一側、すなわち、半導体層の上部にゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極が位置するコプラナー構造であってもよい。この場合、半導体層は、酸化物半導体物質からなってもよく、多結晶シリコンからなってもよい。半導体層が多結晶シリコンからなる場合、半導体層の両端部には不純物がドープされることがある。

ここで、第１薄膜トランジスタＴ１は、図１の駆動薄膜トランジスタＴｄに対応し、第２薄膜トランジスタＴ２は、図１のスイッチング薄膜トランジスタＴｓに対応する。図に示していないが、第１薄膜トランジスタＴ１および第２薄膜トランジスタＴ２と同じ構成を有するセンシング薄膜トランジスタをさらに形成することができる。

また、ゲート絶縁膜１３０の上部には、第１ソース電極１４０および第１ドレイン電極１４２、そして第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４６と同じ物質からなる第２補助電極１４８がさらに形成される。第２補助電極１４８は、第１補助電極１２８と重なり、第２コンタクトホール１３０ｂを介し、第１補助電極１２８と接触する。かかる第２補助電極１４８は、第１方向（Ｘ軸方向）と交差する第２方向（Ｙ軸方向）に沿って延伸し、第２方向（Ｙ軸方向）に沿って配列された複数の画素領域に対応するよう形成することができる。しかしながら、本発明がこれに限定されるものではない。

一方、ゲート絶縁膜１３０の上部には、第１ソース電極１４０および第１ドレイン電極１４２、そして第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４６と同じ物質で、データ配線（不図示）および高電位配線（不図示）をさらに形成することができる。かかるデータ配線および高電位配線は、第２方向（Ｙ軸方向）に沿って延伸することができる。したがって、データ配線と高電位配線、そして第２補助電極１４８を互いに平行にすることができる。

図に示していないが、基板１００とバッファー層１２０の間に遮光パターンをさらに形成することができる。遮光パターンは、第１半導体層１３２および第２半導体層１３４と重なり、第１半導体層１３２および第２半導体層１３４へ入射する光を遮断して、該半導体層が光により劣化することを防止する。このとき、複数の遮光パターンが第１半導体層１３２と第２半導体層１３４にそれぞれ重なってもよく、１つの遮光パターンが第１半導体層１３２と第２半導体層１３４の両方と重なってもよい。

かかる遮光パターンは、金属のような導電性物質で形成することができる。

また、遮光パターンと同じ物質で補助配線（不図示）をさらに形成することもできる。補助配線は、第１補助電極１２８および第２補助電極１４８と重なり、電気的に繋がることができる。

かかる補助配線は、第１方向（Ｘ軸方向）および／または第２方向（Ｙ軸方向）に延伸することができる。例えば、補助配線を第１方向（Ｘ軸方向）に沿って延伸し、第１方向（Ｘ軸方向）に沿って配列された複数の画素領域に対応するよう形成することができる。また、補助配線を第１方向（Ｘ軸方向）と交差する第２方向（Ｙ軸方向）に沿って延伸し、第２方向（Ｙ軸方向）に沿って配列された複数の画素領域に対応するよう形成することができる。あるいは、補助配線を、第１方向（Ｘ軸方向）および第２方向（Ｙ軸方向）に沿って延伸し、格子構造にすることもできる。しかしながら、本発明がこれに限定されるものではない。

次に、第１ソース電極１４０および第１ドレイン電極１４２、第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４６、そして第２補助電極１４８の上部に、絶縁物質からなる保護層１５０が実質的に基板１００の全面に形成される。保護層１５０は、酸化シリコンＳｉＯ_２や窒化シリコンＳｉＮｘのような無機絶縁物質から形成することができる。

続いて、保護層１５０の上部には、絶縁物質からなるオーバーコート層１５５が、実質的に基板１００の全面に形成される。オーバーコート層１５５はフォトアクリルやベンゾシクロブテンのような有機絶縁物質で形成することができる。かかるオーバーコート層１５５は下部膜による段差を解消し、実質的に平坦な上面を有する。

ここで、保護層１５０とオーバーコート層１５５のうち、一方を省略することができる。例えば、保護層１５０を省略することができるが、これに限定されるものではない。

オーバーコート層１５５は、保護層１５０と共に第１ドレイン電極１４２を露出するドレインコンタクトホール１５５ａを有する。また、オーバーコート層１５５は、保護層１５０と共に第２補助電極１４８を露出する第３コンタクトホール１５５ｂを有する。

オーバーコート層１５５の上部には、比較的に高い仕事関数を有する第１電極１６０が形成される。第１電極１６０は、ドレインコンタクトホール１５５ａを介し、第１ドレイン電極１４２と接触する。

図に示していないが、第１電極１６０は、多層構造にすることができる。例えば、第１電極１６０は、オーバーコート層１５５の上部に順次積層された第１層、第２層、および第３層を含むことができる。その結果、第１層がオーバーコート層１５５と接触し、第２層が第１層と第３層の間に位置することができる。

ここで、第３層は、比較的に仕事関数が高い導電性物質からなる。例えば、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）のような透明導電性物質で形成することができる。また、第２層は、比較的に反射率の高い金属物質からなる。例えば、銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）、またはアルミニウム・パラジウム・銅（Ａｌ‐Ｐｄ‐Ｃｕ：ＡＰＣ）合金で形成することができる。かかる第３層の仕事関数は、第２層の仕事関数より高い。

一方、第１層は、第２層とオーバーコート層１５５の間の接着特性を改善するためのものであって、省略することもできる。例えば、第１層は、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電性物質で形成することができるが、これに限定されるものではない。

このとき、第２層は、第３層より厚くてもよい。例えば、第２層の厚さは８０ｎｍ～１００ｎｍであり、第３層の厚さは１０ｎｍ～８０ｎｍであり得るが、これに限定されるものではない。また、第１層の厚さは第２層の厚さより小さく、かつ第３層の厚さより小さい、もしくは同じであり得る。例えば、第１層の厚さは１０ｎｍであり得るが、これに限定されるものではない。

また、オーバーコート層１５５の上部には、第１電極１６０と同じ物質からなる接続パターン１６２が形成される。したがって、接続パターン１６２は、第１層、第２層、および第３層を含むことができる。このとき、第２層は、第１層と第３層の間に位置し、第１層は、第２層と基板１００の間、より詳細に第２層とオーバーコート層１５５の間に位置することができる。接続パターン１６２は、第３コンタクトホール１５５ｂを介し、第２補助電極１４８と接触する。

一方、前述した通り、第１電極１６０の第１層が省略され、第１電極１６０が二層となる場合、接続パターン１６２の第１層も省略され、接続パターン１６２は二層構造となる。

第１電極１６０および接続パターン１６２の上部には、絶縁物質からなるバンク１７２、１７４が形成される。バンク１７２、１７４は、親水性の第１バンク１７２と疎水性の第２バンク１７４を含む。

さらに詳細に説明すると、第１バンク１７２は、第１電極１６０の端部と重なって第１電極１６０の端部を覆い、第１電極１６０の中央部を露出する。また、第１バンク１７２は、接続パターン１６２の上部にも形成され、接続パターン１６２の端部を覆い、接続パターン１６２の中央部を露出する第１補助コンタクトホール１７２ｂを有する。

かかる第１バンク１７２は、親水性を示す物質、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質から形成することができる。あるいは、第１バンク１７２は、ポリイミドで形成することもできる。

第１バンク１７２の上部には、第２バンク１７４が形成される。このとき、第２バンク１７４の少なくとも上面は疎水性であり、第２バンク１７４の側面は疎水性、または親水性であり得る。

第２バンク１７４は、第１電極１６０の中央部を露出する開口部１７４ａを有する。前述した通り、第２バンク１７４の開口部１７４ａは、同色の副画素列に対応して形成することができる。

第２バンク１７４は、第１バンク１７２よりその幅が狭く、第１バンク１７２の上部に位置し、第１バンク１７２の端部を露出する。また、第２バンク１７４は、第１バンク１７２より厚くてもよい。

かかる第２バンク１７４は、疎水性の有機絶縁物質で形成することができる。あるいは、第２バンク１７４は、親水性の有機絶縁物質で形成し、疎水性処理を施すこともできる。

また、第２バンク１７４は、第１補助コンタクトホール１７２ｂに対応して第２補助コンタクトホール１７４ｂを有し、接続パターン１６２は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介し、露出される。

他の画素領域において、かかる接続パターン１６２と第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを省略することができる。すなわち、接続パターン１６２と第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂは、一部の画素領域のみに形成することができる。

例えば、赤・緑・青色の副画素を含む１つの画素に対応し、１つの接続パターン１６２と１つの第１補助コンタクトホール１７２ｂ、および１つの第２補助コンタクトホール１７４ｂを形成することができ、接続パターン１６２と第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂは、青色の副画素に対応して形成することができる。しかしながら、本発明がこれに限定されるものではない。

一方、図に示していない第１電極１６０の他方の端上部には、第１バンク１７２のみを配置することができる。

また、図３には、第１バンク１７２と第２バンク１７４が異なる物質で分離形成されているが、親水性の第１バンク１７２と疎水性の第２バンク１７４を同一物質で一体に形成することもできる。例えば、上面が疎水性を示す有機層を基板１００の全面に形成した後、透過部と遮断部、そして半透過部を含むハーフトーンマスクを使用し、パターニングすることで、幅と厚さが互いに異なる第１バンク１７２および第２バンク１７４を形成することもできる。

露出された第１電極１６０の上部に発光層１８０が形成される。発光層１８０は、第１電極１６０の上部に順次位置する第１電荷補助層１８２と、発光物質層１８４、そして第２電荷補助層１８６を含むことができる。発光物質層１８４は、赤・緑・青色の発光物質のうち、いずれか１つからなり得るが、これに限定されるものではない。かかる発光物質は、燐光化合物、または蛍光化合物のような有機発光物質であってもよく、量子ドットのような無機発光物質であってもよい。

第１電荷補助層１８２は、正孔補助層であり得る。そして、正孔補助層は、正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）と正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）のうち、少なくとも１つを含むことができる。また、第２電荷補助層１８６は、電子補助層であり得る。そして、電子補助層は、電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）と電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）のうち、少なくとも１つを含むことができる。しかしながら、本発明がこれに限定されるものではない。

ここで、第１電荷補助層１８２と発光物質層１８４のそれぞれは、溶液工程により形成することができる。したがって、工程を単純化し、大面積および高解像度の表示装置を提供することができる。溶液工程には、スピンコート法やインクジェットプリント法、スクリーンプリント法を利用することができるが、これに限定されるものではない。

前述した通り、第２バンク１７４の開口部１７４ａは、同色の副画素列に対応して形成されるため、異なるノズルを介し、同色の副画素列に対応する各画素領域に滴下した溶液は互いに繋がる。該溶液を乾燥させ、第１電荷補助層１８２および発光物質層１８４を形成する。その結果、第１電荷補助層１８２と発光物質層１８４のそれぞれは、同色の副画素列に対応する隣接する画素領域において互いに繋がり、一体に形成される。したがって、ノズル間における滴下量のばらつきを最小化し、各画素領域に形成される薄膜の厚さを均一にすることができる。

溶液が乾燥するとき、第２バンク１７４に隣接する部分と、他の部分とでは溶媒の蒸発速度に差がある。すなわち、第２バンク１７４付近の方が他の部分に比べ、溶媒の蒸発速度が速く、その結果、第２バンク１７４に隣接する部分において、第１電荷補助層１８２と発光物質層１８４の高さは、第２バンク１７４に近づくほど高くなる。

一方、第２電荷補助層１８６は、熱蒸着工程により形成することができる。したがって、第２電荷補助層１８６は、実質的に基板１００の全面に形成することができる。すなわち、第２電荷補助層１８６は、第２バンク１７４の上面および側面にも形成することができ、接続パターン１６２の上部にも形成することができる。

発光層１８０の上部、具体的に第２電荷補助層１８６の上部には、比較的に仕事関数の低い導電性物質からなる第２電極１９０が実質的に基板１００の全面に形成される。ここで、第２電極１９０は、アルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金で形成することができる。このとき、第２電極１９０は、発光層１８０からの光が透過できるよう、その厚さが相対的に薄い。例えば、第２電極１９０の厚さは、５ｎｍ～１０ｎｍであり得るが、これに限定されるものではない。

あるいは、第２電極１９０は、酸化インジウムガリウム（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ：ＩＧＯ）やＩＺＯのような透明導電性物質で形成することもできる。

第１電極１６０と発光層１８０、第２電極１９０は、発光ダイオードＤｅを構成する。ここで、第１電極１６０はアノードとして働き、第２電極１９０はカソードとして働くことができるが、これに限定されるものではない。

各画素領域の発光ダイオードＤｅは、放出する光の波長に応じ、マイクロキャビティ効果に該当する素子の厚さを有することができ、その結果、光効率を高めることができる。

一方、図に示していないが、実質的に基板１００の全面に亘り、第２電極１９０の上部にキャッピング層を形成することができる。キャッピング層は、比較的に屈折率の高い絶縁物質で形成することができる。キャッピング層に沿って移動する光の波長が表面プラズマ共振により増幅するため、ピークの強度が増加し、トップエミッション型の電界発光表示装置における光効率を向上させることができる。例えば、キャッピング層は、有機膜や無機膜の単一膜にしてもよく、有機無機積層膜にしてもよい。

前述した通り、本発明の電界発光表示装置は、発光ダイオードＤｅの発光層１８０からの光が基板１００とは反対方向、すなわち、第２電極１９０を通して外部へ出射するトップエミッション型であり得る。トップエミッション型は、同じ面積のボトムエミッション型に比べ、より広い発光領域を有し得るため、輝度を向上させ、消費電力を低下させることができる。

ところが、光を透過させるため、第２電極１９０は、金属物質で比較的に薄い厚さに形成するか、または透明導電性物質で形成するため、その抵抗が増加する。したがって、第２電極１９０の抵抗を低下させるべく、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介し、第２電極１９０を接続パターン１６２と電気的に接続する。その結果、第２電極１９０は、接続パターン１６２を介し、第１補助電極１２８および第２補助電極１４８と電気的に接続される。

このとき、第２電極１９０と接続パターン１６２の間には第２電荷補助層１８６が位置するが、第２電荷補助層１８６は絶縁特性を持ち、抵抗として作用するため、第２電極１９０と接続パターン１６２の接触特性が低下する。また、各画素領域における第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂに作用する抵抗の大きさが異なるため、画素領域間における発光にばらつきが引き起こされる。さらに、第１電極１６０および接続パターン１６２が銀（Ａｇ）を含む場合、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の高い抵抗により、銀（Ａｇ）が溶出するという問題が生じる。

しかしながら、本発明では、第２電極１９０と接続パターン１６２の間、さらに詳細に第２電荷補助層１８６と接続パターン１６２の間に補助パターン２００を形成し、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触特性を向上させ、各画素領域における発光を均一にすることができる。

これについて、図４および図５を参照し、詳細に説明する。

図４と図５は、それぞれ、図３のＡ１領域に対応する概略的な拡大平面図と断面図である。図４は、本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置における補助パターンの平面構造を示す上面図であり、図５は、図４のＩＩ－ＩＩ’線に対応する断面図である。

図４および図５に示すように、第１バンク１７２および第２バンク１７４の第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂに対応する接続パターン１６２と第２電極１９０の間に第２電荷補助層１８６が形成され、接続パターン１６２と第２電荷補助層１８６の間に補助パターン２００が形成される。

さらに詳細に説明すると、接続パターン１６２の上部に、第１補助コンタクトホール１７２ｂを有する第１バンク１７２と、第２補助コンタクトホール１７４ｂを有する第２バンク１７４が順次形成され、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介し、接続パターン１６２が露出される。

次に、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂに対応し、第１バンク１７２および第２バンク１７４の上部に補助パターン２００が形成される。補助パターン２００は、接続パターン１６２と接触し、第１バンク１７２の側面を覆いながら第１バンク１７２と接触する。また、補助パターン２００は、第１バンク１７２の上面および第２バンク１７４の側面とも接触することができる。あるいは、補助パターン２００は、第１バンク１７２の上面と接触しながら、第２バンク１７４の側面から離隔されてもよく、第１バンク１７２の上面および第２バンク１７４の側面から離隔されてもよい。

かかる補助パターン２００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの端部に沿って形成される。したがって、補助パターン２００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介して露出された接続パターン１６２の上面を露出する。

ここで、補助パターン２００は、導電性物質で形成される。例えば、補助パターン２００は、ＩＴＯやＩＺＯのような金属酸化物で形成するか、またはタングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）などのように大気状態で比較的に抵抗の低い金属で形成することができるが、これに限定されるものではない。

続いて、露出された接続パターン１６２と補助パターン２００、および第２バンク１７４の上部には、第２電荷補助層１８６と第２電極１９０が順次形成される。

本発明における補助パターン２００の側面は、第１バンク１７２の側面より大きい傾斜角を持つ。すなわち、補助パターン２００の側面は、基板（図３の１００）に並ぶ接続パターン１６２の上面に対し、第１傾斜角（ａ１）を有し、第１バンク１７２の側面は、基板（図３の１００）に並ぶ接続パターン１６２の上面に対し、第２傾斜角（ｂ１）を持つ。ここで、第１傾斜角（ａ１）が第２傾斜角（ｂ１）より大きい。かかる補助パターン２００の側面の第１傾斜角（ａ１）は、９０度より小さい正傾斜を持つことができる。例えば、第１傾斜角（ａ１）は７５度以上９０度未満であり得るが、これに限定されるものではない。

また、補助パターン２００の側面は、第２バンク１７４の側面より大きい傾斜角を持つことができる。このとき、第２バンク１７４の側面の傾斜角は、第１バンク１７２の側面の第２傾斜角（ｂ１）より小さくすることができる。しかしながら、本発明がこれに限定されるものではない。

かかる補助パターン２００の側面の傾斜角を比較的に大きくすることで、補助パターン２００の側面における第２電荷補助層１８６の厚さが、他の部分における第２電荷補助層１８６の厚さより薄くなる。すなわち、補助パターン２００の側面における第２電荷補助層１８６の厚さは、第２バンク１７４の上面および側面における第２電荷補助層１８６の厚さより小さく、接続パターン１６２と接する第２電荷補助層１８６の厚さよりも小さい。

したがって、補助パターン２００の側面において、補助パターン２００と第２電極１９０の間における第２電荷補助層１８６の厚さは、接続パターン１６２と第２電極１９０の間における第２電荷補助層１８６の厚さより小さい。すなわち、補助パターン２００の側面において、補助パターン２００と第２電極１９０の間の距離は、接続パターン１６２と第２電極１９０の間の距離より短い。両導電層間の距離が近づくほど接触抵抗が減少し、オーミック特性を示すため、補助パターン２００と第２電極１９０の間の接触抵抗は、接続パターン１６２と第２電極１９０の間の接触抵抗より小さい。

したがって、本発明の第１実施例にかかる補助パターン２００は、接続パターン１６２に比べ、第２電極１９０との距離を減少させ、接続パターン１６２と接触するので、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触抵抗を減少させることができる。

かかる補助パターン２００の高さ、すなわち、接続パターン１６２の上面から補助パターン２００の上面までの距離は、第２電荷補助層１８６および第２電極１９０の厚さの合計より大きいことが好ましい。例えば、補助パターン２００の高さは、１μｍ～１．５μｍであり得るが、これに限定されるものではない。

このように、本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置では、発光層１８０の一部を溶液工程により形成することで、ファインメタルマスクを省略し、製造コストを減らすことができ、大面積および高解像度の表示装置を実現することができる。

また、本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置は、トップエミッション型を採用することで、輝度を向上させ、消費電力を減らすことができる。ここで、第２電極１９０は、光を透過させるため、比較的に薄く形成され、抵抗が高くなるが、接続パターン１６２を介し、第２電極１９０を第１補助電極１２８および第２補助電極１４８と接続することにより、第２電極１９０の抵抗を減少させることができる。

このとき、第２電極１９０と接続パターン１６２の間、さらに詳細に、第２電荷補助層１８６と接続パターン１６２の間に導電性物質からなる補助パターン２００を形成することにより、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触特性を向上させることができる。

一方、第１補助電極１２８と第２補助電極１４８のうち、１つを省略することもできる。

かかる補助パターン２００は、マスク工程により形成することができるが、第１電極１６０の上部に導電性物質を直接蒸着し、パターニングする場合、第１電極１６０が損傷し、発光部に影響を及ぼすことがある。したがって、本発明は、発光部を保護しながら補助パターン２００を形成することができる方法を提示する。

本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置の製造方法について、図６ａ～図６ｊを参照し、詳細に説明する。

図６ａ～図６ｊは、本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置の製造過程における電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。

まず、図６ａに示すように、基板１００の上部に無機絶縁物質を蒸着し、実質的に基板１００の全面にバッファー層１２０を形成する。続いて、バッファー層１２０の上部に導電性物質を蒸着し、マスク工程によりパターニングすることで、第１ゲート電極１２２、第２ゲート電極１２４、キャパシタ電極１２６、そして第１補助電極１２８を形成する。

次に、第１ゲート電極１２２と第２ゲート電極１２４、キャパシタ電極１２６、そして第１補助電極１２８の上部に無機絶縁物質を蒸着してゲート絶縁膜１３０を形成し、マスク工程によりゲート絶縁膜１３０をパターニングすることで、第１ゲート電極１２２を露出する第１コンタクトホール１３０ａと、第１補助電極１２８を露出する第２コンタクトホール１３０ｂを形成する。

次に、ゲート絶縁膜１３０の上部に半導体物質を蒸着し、マスク工程によりパターニングすることで、第１半導体層１３２および第２半導体層１３４を形成する。第１半導体層１３２は第１ゲート電極１２２と重なり、第２半導体層１３４は第２ゲート電極１２４と重なる。

ここで、半導体物質は、酸化物半導体物質であってもよく、非晶質シリコンであってもよい。

次に、第１半導体層１３２および第２半導体層１３４の上部に導電性物質を蒸着し、マスク工程によりパターニングすることで、第１ソース電極１４０および第１ドレイン電極１４２、第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４６、そして第２補助電極１４８を形成する。

第１ソース電極１４０および第１ドレイン電極１４２は、第１半導体層１３２と重なって第１半導体層１３２と接触し、第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４６は、第２半導体層１３４と重なって第２半導体層１３４と接触する。ここで、第１ドレイン電極１４２は、キャパシタ電極１２６と重なってストレージキャパシタを構成し、第２ドレイン電極１４６は、第１ゲート電極１２２と重なり、第１コンタクトホール１３０ａを介して第１ゲート電極１２２と接触する。

第１ゲート電極１２２と第１半導体層１３２、第１ソース電極１４０および第１ドレイン電極１４２は、第１薄膜トランジスタＴ１を構成し、第２ゲート電極１２４と第２半導体層１３４、第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４６は、第２薄膜トランジスタＴ２を構成する。

また、第２補助電極１４８は第１補助電極１２８と重なり、第２コンタクトホール１３０ｂを介し、第１補助電極１２８と接触する。

次に、第１ソース電極１４０および第１ドレイン電極１４２、第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４６、そして第２補助電極１４８の上部に無機絶縁物質を蒸着して保護層１５０を形成し、保護層１５０の上部に有機絶縁物質を塗布してオーバーコート層１５５を形成する。続いて、マスク工程によりオーバーコート層１５５および保護層１５０をパターニングし、ドレインコンタクトホール１５５ａおよび第３コンタクトホール１５５ｂを形成する。

ドレインコンタクトホール１５５ａは第１ドレイン電極１４２の一部を露出し、第３コンタクトホール１５５ｂは第２補助電極１４８を露出する。

ここで、保護層１５０およびオーバーコート層１５５は、同じマスク工程によりパターニングすることになっているが、互いに別のマスク工程によりパターニングすることもできる。すなわち、無機絶縁物質を蒸着して保護層１５０を形成し、マスク工程により保護層１５０をパターニングした後、有機絶縁物質を塗布してオーバーコート層１５５を形成し、別のマスク工程によりオーバーコート層１５５をパターニングすることもできる。

次に、オーバーコート層１５５の上部に導電性物質を蒸着し、マスク工程によりパターニングし、第１電極１６０および接続パターン１６２を形成する。

ここで、第１電極１６０は、ドレインコンタクトホール１５５ａを介して第１ドレイン電極１４２と接触し、接続パターン１６２は、第３コンタクトホール１５５ｂを介して第２補助電極１４８と接触する。

かかる第１電極１６０および接続パターン１６２は、多層構造にすることができる。例えば、第１電極１６０および接続パターン１６２は、第１層、第２層および第３層を含むことができ、第１導電層と第２導電層、そして第３導電層を順次形成し、パターニングすることで、第１層、第２層、そして第３層を含む第１電極１６０および接続パターン１６２を形成することができる。ここで、第２導電層は銀（Aｇ）からなる。また、第１導電層および第３導電層は、ＩＴＯやＩＺＯからなり得るが、これに限定されるものではない。

次に、第１電極１６０および接続パターン１６２の上部に無機絶縁物質を蒸着し、マスク工程によりパターニングして、親水性の第１バンク１７２を形成する。第１バンク１７２は、第１電極１６０の端部と重なって第１電極１６０の端部を覆い、第１電極１６０の中央部を露出する。また、第１バンク１７２は、接続パターン１６２の端部を覆い、接続パターン１６２の中央部を露出する第１補助コンタクトホール１７２ｂを有する。

続いて、第１バンク１７２の上部に有機絶縁物質を塗布し、マスク工程によりパターニングして疎水性の第２バンク１７４を形成する。第２バンク１７４は、第１バンク１７２よりその幅が狭く、第１バンク１７２の上部に位置し、第１バンク１７２の端部を露出する。かかる第２バンク１７４は、第１電極１６０の中央部を露出する開口部１７４ａを有する。また、第２バンク１７４は、第１補助コンタクトホール１７２ｂに対応し、第２補助コンタクトホール１７４ｂを有し、接続パターン１６２は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介して露出される。

第２バンク１７４は、露光された箇所が現象後に残るネガ型感光性物質で形成することができる。あるいは、露光されていない箇所が現象後に残るポジ型感光性物質で形成することもできる。

一方、本発明では、親水性の第１バンク１７２と疎水性の第２バンク１７４を互いに別のマスク工程により形成することになっているが、同じマスク工程により形成することもできる。例えば、基板１００の全面に有機物層を形成した後、光透過部と光遮断部、そして半透過部を含むハーフトーンマスクを利用して露光し、パターニングすることで、互いに幅および厚さが異なる親水性の第１バンク１７２と疎水性の第２バンク１７４を一体に形成することができる。このとき、有機物層は疎水性を有することができる。あるいは、有機物層は親水性を有し、後で疎水性処理が施されてもよい。

次に、図６ｂに示すように、第１バンク１７２および第２バンク１７４の上部にフォトレジストを塗布し、第１フォトレジスト層３１０を形成する。続いて、第１フォトレジスト層３１０の上部に露光マスクＭ１を配置し、該マスクを介し、第１フォトレジスト層３１０を露光する。

露光マスクＭ１は、光透過部ＴＡと光遮断部ＢＡを含む。光透過部ＴＡは、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの端部に対応し、光遮断部ＢＡは、残る領域に対応する。ここで、第１フォトレジスト層３１０は、ポジ型感光性を有することができる。

あるいは、第１フォトレジスト層３１０は、ネガ型感光性を有することもできる。この場合、露光マスクＭ１における光透過部ＴＡと光遮断部ＢＡの位置は逆となる。すなわち、光遮断部ＢＡが、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの端部に対応し、光透過部ＴＡが、残る領域に対応する。

次に、図６ｃに示すように、露光された第１フォトレジスト層（図６ｂの３１０）を現象し、第１フォトレジストパターン３１２を形成する。このとき、第１フォトレジストパターン３１２は、露光マスク（図６ｂのＭ１）の光遮断部（図６ｂのＢＡ）に対応する領域に形成され、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの端部を露出する。また、第１フォトレジストパターン３１２は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介して露出される接続パターン１６２を覆う。

次に、図６ｄに示すように、第１フォトレジストパターン３１２の上部に導電性物質を蒸着し、補助パターン２００およびダミーパターン２１０を形成する。ここで、補助パターン２００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの端部に対応して形成される。すなわち、第１フォトレジストパターン３１２間に補助パターン２００が形成される。また、ダミーパターン２１０は、第１フォトレジストパターン３１２の上部に形成される。

このとき、補助パターン２００の側面の傾斜角は、７５度以上９０度未満であり得る。かかる補助パターン２００の側面の傾斜角は、第１フォトレジストパターン３１２の側面の傾斜角によって形成され、図６ｂの露光段階で露光角度を変更し、第１フォトレジストパターン３１２の側面の傾斜角を制御することができる。

次に、図６ｅに示すように、補助パターン２００およびダミーパターン２１０の上部にフォトレジストを塗布し、第２フォトレジスト層３２０を形成する。続いて、第２フォトレジスト層３２０の上部に露光マスクＭ１を配置し、該マスクを介して第２フォトレジスト層３２０を露光する。

このとき、露光マスクＭ１は、図６ｂのものと同じであり、光透過部ＴＡと光遮断部ＢＡを含む。光透過部ＴＡは、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの端部に対応し、光遮断部ＢＡは、残る領域に対応する。したがって、光透過部ＴＡは、補助パターン２００に対応し、光遮断部ＢＡは、ダミーパターン２１０に対応する。ここで、第２フォトレジスト層３２０は、ネガ型感光性を有することができる。

あるいは、第１フォトレジストパターン（図６ｂの３１０）がネガ型感光性を有する場合、第２フォトレジスト層３２０はポジ型感光性を有することができる。

次に、図６ｆに示すように、露光された第２フォトレジスト層（図６ｅの３２０）を現象し、第２フォトレジストパターン３２２を形成する。このとき、第２フォトレジストパターン３２２は、露光マスク（図６ｅのＭ１）の光透過部（図６ｅのＴＡ）に対応する領域に形成される。すなわち、第２フォトレジストパターン３２２は、補助パターン２００の上部に形成され、ダミーパターン２１０を露出する。

続いて、図６ｇに示すように、露出されたダミーパターン（図６ｆの２１０）を取り除き、第１フォトレジストパターン３１２を露出する。このとき、ダミーパターン（図６ｆの２１０）は、エッチング液を利用するウェットエッチングによって取り除くことができる。

次に、図６ｈに示すように、露出された第１フォトレジストパターン（図６ｇの３１２）および第２フォトレジストパターン（図６ｇの３２２）を取り除き、補助パターン２００を露出する。このとき、第１フォトレジストパターン（図６ｇの３１２）および第２フォトレジストパターン（図６ｇの３２２）は、アッシング工程により取り除くことができるが、これに限定されるものではない。

次に、図６ｉに示すように、第２バンク１７４を介して露出された第１電極１６０の上部に第１溶液を滴下し、乾燥させ、第１電荷補助層１８２を形成する。第１電荷補助層１８２の少なくとも一側面は第２バンク１７４で取り囲まれ、第１溶液が乾燥するとき、第２バンク１７４に隣接する部分と、その他の部分における溶媒の蒸発速度差により、第２バンク１７４に隣接する部分において、第２バンク１７４に近づくほど第１電荷補助層１８２の高さが高くなる。

かかる第１電荷補助層１８２は、正孔注入層（ＨＩＬ）および／または正孔輸送層（ＨＴＬ）であり得る。

続いて、第１電荷補助層１８２の上部に第２溶液を滴下し、乾燥させ、発光物質層１８４を形成する。発光物質層１８４の少なくとも一側面は、第２バンク１７４で取り囲まれ、第２溶液が乾燥するとき、第２バンク１７４に隣接する部分と、その他の部分における溶媒の蒸発速度差により、第２バンク１７４に隣接する部分において、第２バンク１７４に近づくほど発光物質層１８４の高さが高くなる。

次に、図６ｊに示すように、発光物質層１８４の上部に有機物質、および／または無機物質を蒸着し、第２電荷補助層１８６を形成する。第２電荷補助層１８６は、実質的に基板１００の全面に形成される。したがって、第２電荷補助層１８６は、第２バンク１７４と接続パターン１６２、そして補助パターン２００の上部にも形成される。

このとき、補助パターン２００の側面の傾斜角が比較的に大きいため、第２電荷補助層１８６の補助パターン２００の側面における厚さは、他の部分、例えば、第２バンク１７４の側面および上面における厚さより小さい。

かかる第２電荷補助層１８６は、電荷注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）、および／または電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）であり得る。

第１電荷補助層１８２と発光物質層１８４、および第２電荷補助層１８６は、発光層１８０を構成する。

続いて、第２電荷補助層１８６の上部に、金属のような導電性物質を蒸着し、第２電極１９０を形成する。

第１電極１６０、発光層１８０、および第２電極１９０は、発光ダイオードＤｅを構成する。ここで、第１電極１６０はアノードとして働き、第２電極１９０はカソードとして働くことができる。

第２電極１９０は、実質的に基板１００の全面に形成される。したがって、第２電極１９０は、第２バンク１７４と接続パターン１６２、および補助パターン２００の上部にも形成される。

ここで、補助パターン２００の側面の傾斜角が比較的に大きいため、第２電極１９０の補助パターン２００の側面における厚さは、他の部分、例えば、第２バンク１７４の側面および上面における厚さより小さくあり得る。

かかる第２電極１９０は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介し、接続パターン１６２と電気的に接続される。また、第２電極１９０は、補助パターン２００と電気的に接続される。このとき、第２電極１９０と補助パターン２００の間の距離は、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の距離より短く、補助パターン２００は接続パターン１６２と接触するため、第２電極１９０は補助パターン２００を介し、接続パターン１６２と電気的に接続され、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触抵抗を減少させることができる。

このように、本発明の第１実施例にかかる電界発光表示装置の製造方法では、発光ダイオードＤｅが位置する発光部を損傷することなく、接続パターン１６２と第２電荷補助層１８６の間に補助パターン２００を形成し、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触特性を改善することができる。このとき、ポジ型フォトレジストとネガ型フォトレジスト、および１つのマスクを利用することで、製造コストを節減することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。

あるいは、第１フォトレジストパターン３１２と第２フォトレジストパターン３２２は、同じ感光特性を持つことができ、互いに別の露光マスクを用いて形成することができる。このとき、第１フォトレジストパターン３１２の形成に用いられる露光マスクにおける光透過部および光遮断部の位置は、第２フォトレジストパターン３２２の形成に用いられる露光マスクにおける光透過部および光遮断部の位置とは反対となる。

第２実施例
図７と図８は、それぞれ図３のＡ１領域に対応する概略的な拡大平面図および断面図であって、図７は、本発明の第２実施例にかかる電界発光表示装置における補助パターンの平面構造を示す上面図であり、図８は、図７のＩＩＩ－ＩＩＩ’線に対応する断面図である。本発明の第２実施例にかかる電界発光表示装置は、補助パターンを除けば第１実施例と実質的に同じ構成である。同じ構成に対しては同じ符号を与え、それに対する説明は省略、または簡略にする。

図７および図８に示すように、第１バンク１７２および第２バンク１７４の第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂに対応する接続パターン１６２と第２電極１９０の間に第２電荷補助層１８６が形成され、接続パターン１６２と第２電荷補助層１８６の間に補助パターン３００が形成される。

補助パターン３００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介して露出された接続パターン１６２を覆いながら接続パターン１６２と接触し、第１バンク１７２の側面を覆いながら第１バンク１７２と接触する。また、補助パターン３００は、第１バンク１７２の上面および第２バンク１７４の側面とも接触することができる。あるいは、補助パターン３００は、第１バンク１７２の上面と接触しながら、第２バンク１７４の側面から離隔されてもよく、第１バンク１７２の上面および第２バンク１７４の側面から離隔されてもよい。

ここで、補助パターン３００は、導電性物質で形成される。例えば、補助パターン３００は、ＩＴＯやＩＺＯのような金属酸化物で形成するか、またはタングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）などのように大気状態で比較的に抵抗の低い金属で形成することができるが、これに限定されるものではない。

本発明における補助パターン３００の側面は、第１バンク１７２の側面より大きい傾斜角を持つ。すなわち、補助パターン３００の側面は、基板（図３の１００）に並ぶ接続パターン１６２の上面に対し、第１傾斜角（ａ２）を有し、第１バンク１７２の側面は、基板（図３の１００）に並ぶ接続パターン１６２の上面に対し、第２傾斜角（ｂ１）を持つ。ここで、第１傾斜角（ａ２）が第２傾斜角（ｂ１）より大きい。かかる補助パターン３００の側面の第１傾斜角（ａ２）は、９０度より小さい正傾斜を持つことができる。例えば、第１傾斜角（ａ２）は７５度以上９０度未満であり得るが、これに限定されるものではない。

また、補助パターン３００の側面は、第２バンク１７４の側面より大きい傾斜角を持つことができる。このとき、第２バンク１７４の側面の傾斜角を、第１バンク１７２の側面の第２傾斜角（ｂ１）より小さくすることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。

かかる補助パターン３００の側面の傾斜角を比較的に大きくすることで、補助パターン３００の側面における第２電荷補助層１８６の厚さが、他の部分における第２電荷補助層１８６の厚さより薄くなる。すなわち、補助パターン３００の側面における第２電荷補助層１８６の厚さは、第２バンク１７４の上面および側面における第２電荷補助層１８６の厚さより小さく、補助パターン３００の上面における第２電荷補助層１８６の厚さよりも小さい。

したがって、補助パターン３００の側面において、補助パターン３００と第２電極１９０の間における第２電荷補助層１８６の厚さは、接続パターン１６２と第２電極１９０の間における第２電荷補助層１８６の厚さより小さい。すなわち、補助パターン３００の側面において、補助パターン３００と第２電極１９０の間の距離は、接続パターン１６２と第２電極１９０の間の距離より短い。両導電層間の距離が近づくほど接触抵抗が減少し、オーミック特性を示すため、補助パターン３００と第２電極１９０の間の接触抵抗は、接続パターン１６２と第２電極１９０の間の接触抵抗より小さい。

したがって、本発明の第２実施例にかかる補助パターン３００は、接続パターン１６２に比べ、第２電極１９０との距離を減少させ、接続パターン１６２と接触するので、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触抵抗を減少させることができる。

かかる補助パターン３００の高さ、すなわち、接続パターン１６２の上面から第２バンク１７４と接触する補助パターン３００の上面までの距離は、第２電荷補助層１８６および第２電極１９０の厚さの合計より大きいことが好ましい。また、補助パターン３００の側面の長さ、すなわち、接続パターン１６２と接触する補助パターン３００の上面から、第２バンク１７４と接触する補助パターン３００の上面までの距離は、第２電荷補助層１８６および第２電極１９０の厚さの合計より大きいことが好ましい。例えば、補助パターン３００の側面の長さは、１μｍ～１．５μｍであり得るが、これに限定されるものではない。

このように、本発明の第２実施例にかかる電界発光表示装置は、トップエミッション型を採用することで、輝度を向上させ、消費電力を減らすことができ、接続パターン１６２を介し、第２電極１９０を第１補助電極１２８および第２補助電極１４８と接続することにより、第２電極１９０の抵抗を減少させることができる。

このとき、第２電極１９０と接続パターン１６２の間、さらに詳細に、第２電荷補助層１８６と接続パターン１６２の間に導電性物質からなる補助パターン３００を形成することにより、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触特性を向上させることができる。

第３実施例
図９と図１０は、それぞれ図３のＡ１領域に対応する概略的な拡大平面図および断面図であって、図９は、本発明の第３実施例にかかる電界発光表示装置における補助パターンの平面構造を示す上面図であり、図１０は、図９のＩＶ‐ＩＶ’線に対応する断面図である。本発明の第３実施例にかかる電界発光表示装置は、補助パターンを除けば第１実施例と実質的に同じ構成である。同じ構成に対しては同じ符号を与え、それに対する説明は省略、または簡略にする。

図９および図１０に示すように、第１バンク１７２および第２バンク１７４の第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂに対応する接続パターン１６２と第２電極１９０の間に第２電荷補助層１８６が形成され、接続パターン１６２と第２電荷補助層１８６の間に補助パターン４００が形成される。

補助パターン４００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの一側に対応し、形成することができる。補助パターン４００は、接続パターン１６２と接触し、第１バンク１７２の側面を覆いながら第１バンク１７２と接触する。また、補助パターン４００は、第１バンク１７２の上面および第２バンク１７４の側面とも接触することができる。あるいは、補助パターン４００は、第１バンク１７２の上面と接触しながら、第２バンク１７４の側面から離隔されてもよく、第１バンク１７２の上面および第２バンク１７４の側面から離隔されてもよい。

かかる補助パターン４００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの一端部に沿って形成される。したがって、補助パターン４００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介して露出された接続パターン１６２の上面を露出する。

ここで、補助パターン４００は、導電性物質で形成される。例えば、補助パターン４００は、ＩＴＯやＩＺＯのような金属酸化物で形成するか、またはタングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）などのように大気状態で比較的に抵抗の低い金属で形成することができるが、これに限定されるものではない。

本発明における補助パターン４００の側面は、第１バンク１７２の側面より大きい傾斜角を持つ。すなわち、補助パターン４００の側面は、基板（図３の１００）に並ぶ接続パターン１６２の上面に対し、第１傾斜角（ａ３）を有し、第１バンク１７２の側面は、基板（図３の１００）に並ぶ接続パターン１６２の上面に対し、第２傾斜角（ｂ１）を持つ。ここで、第１傾斜角（ａ３）が第２傾斜角（ｂ１）より大きい。例えば、第１傾斜角（ａ３）は９０度であり得るが、これに限定されるものではない。

また、補助パターン４００の側面は、第２バンク１７４の側面より大きい傾斜角を持つことができる。このとき、第２バンク１７４の側面の傾斜角を、第１バンク１７２の側面の第２傾斜角（ｂ１）より小さくすることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。

かかる補助パターン４００の側面が、９０度の第１傾斜角（ａ３）を持つようにすることで、第２電荷補助層１８６は補助パターン４００の側面において断線し得る。すなわち、補助パターン４００の側面には第２電荷補助層１８６が形成されず、実質的に補助パターン４００の側面における第２電荷補助層１８６の厚さは、他の部分における第２電荷補助層１８６の厚さより小さくあり得る。また、第２電極１９０も補助パターン４００の側面において断線し得る。

しかしながら、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介して露出された接続パターン１６２の上部に形成される第２電荷補助層１８６および第２電極１９０は、補助パターン４００の側面と接触する。

したがって、第２電極１９０が補助パターン４００と直接接触し、補助パターン４００が接続パターン１６２と直接接触するので、本発明の第３実施例にかかる補助パターン４００は、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触抵抗を減少させることができる。

かかる補助パターン４００の高さ、すなわち、接続パターン１６２の上面から第２バンク１７４と接触する補助パターン４００の上面までの距離は、第２電荷補助層１８６および第２電極１９０の厚さの合計より大きいことが好ましい。例えば、補助パターン４００の高さは、１μｍ～１．５μｍであり得るが、これに限定されるものではない。

このように、本発明の第３実施例にかかる電界発光表示装置は、トップエミッション型を採用することで、輝度を向上させ、消費電力を減らすことができ、接続パターン１６２を介し、第２電極１９０を第１補助電極１２８および第２補助電極１４８と接続することにより、第２電極１９０の抵抗を減少させることができる。

このとき、第２電極１９０と接続パターン１６２の間、さらに詳細に、第２電荷補助層１８６と接続パターン１６２の間に導電性物質からなる補助パターン４００を形成し、補助パターン４００が第２電極１９０および接続パターン１６２と直接接触するようにすることにより、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触特性を向上させることができる。

一方、本発明の第３実施例では、補助パターン４００が第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの一側に形成された場合について説明したが、これに限定されるものではない。補助パターン４００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの少なくとも一側を除いた他の端部に対応し、形成することもできる。

第４実施例
図１１は、図３のＡ１領域に対応する概略的な拡大断面図であって、本発明の第４実施例にかかる電界発光表示装置における第２電極と接続パターンの接続構造を示す。本発明の第４実施例にかかる電界発光表示装置は、図４に示す第１実施例にかかる電界発光表示装置と実質的に同じ平面構造を有する。かかる本発明の第４実施例にかかる電界発光表示装置は、補助パターンを除けば第１実施例と実質的に同じ構成である。同じ構成に対しては同じ符号を与え、それに対する説明は省略、または簡略にする。

図１１に示すように、第１バンク１７２および第２バンク１７４の第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂに対応する接続パターン１６２と第２電極１９０の間に第２電荷補助層１８６が形成され、接続パターン１６２と第２電荷補助層１８６の間に補助パターン５００が形成される。

補助パターン５００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂに対応し、第１バンク１７２および第２バンク１７４の上部に形成される。補助パターン５００は、接続パターン１６２と接触し、第１バンク１７２の側面を覆いながら第１バンク１７２と接触する。また、補助パターン５００は、第１バンク１７２の上面および第２バンク１７４の側面とも接触することができる。あるいは、補助パターン５００は、第１バンク１７２の上面と接触しながら、第２バンク１７４の側面から離隔されてもよく、第１バンク１７２の上面および第２バンク１７４の側面から離隔されてもよい。

かかる補助パターン５００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの端部に沿って形成される。したがって、補助パターン５００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介して露出された接続パターン１６２の上面を露出する。

ここで、補助パターン５００は、導電性物質で形成される。例えば、補助パターン５００は、ＩＴＯやＩＺＯのような金属酸化物で形成するか、またはタングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）などのように大気状態で比較的に抵抗の低い金属で形成することができるが、これに限定されるものではない。

本発明における補助パターン５００の側面は、第１バンク１７２の側面より大きい傾斜角を持つ。すなわち、補助パターン５００の側面は、基板（図３の１００）に並ぶ接続パターン１６２の上面に対し、第１傾斜角（ａ４）を有し、第１バンク１７２の側面は、基板（図３の１００）に並ぶ接続パターン１６２の上面に対し、第２傾斜角（ｂ１）を持つ。ここで、第１傾斜角（ａ４）が第２傾斜角（ｂ１）より大きい。かかる補助パターン５００の側面は、第１傾斜角（ａ４）が９０度より大きい逆傾斜を持つことができる。例えば、第１傾斜角（ａ４）は９０度より大きく、１０５度より小さくすることができるが、これに限定されるものではない。

また、補助パターン５００の側面は、第２バンク１７４の側面より大きい傾斜角を持つことができる。このとき、第２バンク１７４の側面の傾斜角は、第１バンク１７２の側面の第２傾斜角（ｂ１）より小さくすることができる。しかしながら、本発明がこれに限定されるものではない。

かかる補助パターン５００の側面が、逆傾斜を持つようにすることで、第２電荷補助層１８６は補助パターン５００の側面において断線し得る。すなわち、補助パターン５００の側面には第２電荷補助層１８６が形成されず、実質的に補助パターン５００の側面における第２電荷補助層１８６の厚さは、他の部分における第２電荷補助層１８６の厚さより小さくあり得る。

一方、第２電極１９０は、第２バンク１７４の上面および側面、そして補助パターン５００の上面だけでなく、補助パターン５００の側面にも形成することができる。このとき、補助パターン５００の側面における第２電極１９０の厚さを、他の部分における第２電極１９０の厚さより小さくすることができる。かかる第２電極１９０は、蒸着源と対象基板の間の角度を調整することにより形成することができる。

本発明の第４実施例では、第２電荷補助層１８６が補助パターン５００の側面において断線し、第２電極１９０が補助パターン５００の側面に形成されるので、第２電極１９０は、補助パターン５００の側面と接触する。

したがって、第２電極１９０が補助パターン５００と直接接触し、補助パターン５００が接続パターン１６２と直接接触するので、本発明の第４実施例にかかる補助パターン５００は、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触抵抗を減少させることができる。

かかる補助パターン５００の高さ、すなわち、接続パターン１６２の上面から第２バンク１７４と接触する補助パターン５００の上面までの距離は、第２電荷補助層１８６および第２電極１９０の厚さの合計より大きいことが好ましい。例えば、補助パターン５００の高さは、１μｍ～１．５μｍであり得るが、これに限定されるものではない。

このように、本発明の第４実施例にかかる電界発光表示装置は、トップエミッション型を採用することで、輝度を向上させ、消費電力を減らすことができ、接続パターン１６２を介し、第２電極１９０を第１補助電極１２８および第２補助電極１４８と接続することにより、第２電極１９０の抵抗を減少させることができる。

このとき、第２電極１９０と接続パターン１６２の間、さらに詳細に、第２電荷補助層１８６と接続パターン１６２の間に導電性物質からなる補助パターン５００を形成し、補助パターン５００が第２電極１９０および接続パターン１６２と直接接触するようにすることにより、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触特性を向上させることができる。

本発明の第４実施例では、補助パターン５００の側面に第２電荷補助層１８６が形成されないものと説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、第２電荷補助層１８６は補助パターン５００の側面に形成されてもよく、この場合、補助パターン５００の側面における第２電荷補助層１８６の厚さは、他の部分における第２電荷補助層１８６の厚さより小さい。したがって、補助パターン５００と第２電極１９０の間の距離が、接続パターン１６２と第２電極１９０の間の距離より短いため、補助パターン５００を介し、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触特性を向上させることができる。

一方、本発明の第４実施例では、補助パターン５００が、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介して露出された接続パターン１６２を露出するものと説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。第２実施例と同様、補助パターン５００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介して露出された接続パターン１６２を完全に覆いながら、接続パターン１６２と接触することもできる。

第５実施例
図１２は、図３のＡ１領域に対応する概略的な拡大断面図であって、本発明の第５実施例にかかる電界発光表示装置における第２電極と接続パターンの接続構造を示す。本発明の第５実施例にかかる電界発光表示装置は、図９に示す第３実施例にかかる電界発光表示装置と実質的に同じ平面構造を有する。かかる本発明の第５実施例にかかる電界発光表示装置は、補助パターンを除けば第１実施例と実質的に同じ構成である。同じ構成に対しては同じ符号を与え、それに対する説明は省略、または簡略にする。

図１２に示すように、第１バンク１７２および第２バンク１７４の第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂに対応する接続パターン１６２と第２電極１９０の間に第２電荷補助層１８６が形成され、接続パターン１６２と第２電荷補助層１８６の間に補助パターン６００が形成される。

補助パターン６００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの一側に対応し、形成することができる。補助パターン６００は、接続パターン１６２と接触し、第１バンク１７２の側面を覆いながら第１バンク１７２と接触する。また、補助パターン６００は、第１バンク１７２の上面および第２バンク１７４の側面とも接触することができる。あるいは、補助パターン６００は、第１バンク１７２の上面と接触しながら、第２バンク１７４の側面から離隔されてもよく、第１バンク１７２の上面および第２バンク１７４の側面から離隔されてもよい。

かかる補助パターン６００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの一端に沿って形成される。したがって、補助パターン６００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介して露出された接続パターン１６２の上面を露出する。

ここで、補助パターン６００は、導電性物質で形成される。例えば、補助パターン６００は、ＩＴＯやＩＺＯのような金属酸化物で形成するか、またはタングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）などのように大気状態で比較的に抵抗の低い金属で形成することができるが、これに限定されるものではない。

本発明における補助パターン６００の側面は、第１バンク１７２の側面より大きい傾斜角を持つ。すなわち、補助パターン６００の側面は、基板（図３の１００）に並ぶ接続パターン１６２の上面に対し、第１傾斜角（ａ５）を有し、第１バンク１７２の側面は、基板（図３の１００）に並ぶ接続パターン１６２の上面に対し、第２傾斜角（ｂ１）を持つ。ここで、第１傾斜角（ａ５）が第２傾斜角（ｂ１）より大きい。かかる補助パターン６００の側面は、第１傾斜角（ａ５）が９０度より大きい逆傾斜を持つことができる。例えば、第１傾斜角（ａ５）は９０度より大きく、１０５度より小さくすることができるが、これに限定されるものではない。

また、補助パターン６００の側面は、第２バンク１７４の側面より大きい傾斜角を持つことができる。このとき、第２バンク１７４の側面の傾斜角を、第１バンク１７２の側面の第２傾斜角（ｂ１）より小さくすることができる。しかしながら、本発明がこれに限定されるものではない。

かかる補助パターン６００の側面が、逆傾斜を持つようにすることで、第２電荷補助層１８６は補助パターン６００の側面において断線し得る。すなわち、補助パターン６００の側面には第２電荷補助層１８６が形成されず、実質的に補助パターン６００の側面における第２電荷補助層１８６の厚さは、他の部分における第２電荷補助層１８６の厚さより小さくあり得る。

一方、第２電極１９０は、第２バンク１７４の上面および側面、そして補助パターン６００の上面だけでなく、補助パターン６００の側面にも形成することができる。このとき、補助パターン６００の側面における第２電極１９０の厚さを、他の部分における第２電極１９０の厚さより小さくすることができる。かかる第２電極１９０は、蒸着源と対象基板の間の角度を調整することにより形成することができる。

本発明の第５実施例では、第２電荷補助層１８６が補助パターン６００の側面において断線し、第２電極１９０が補助パターン６００の側面に形成されるので、第２電極１９０は、補助パターン６００の側面と接触する。

したがって、第２電極１９０が補助パターン６００と直接接触し、補助パターン６００が接続パターン１６２と直接接触するので、本発明の第５実施例にかかる補助パターン６００は、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触抵抗を減少させることができる。

かかる補助パターン６００の高さ、すなわち、接続パターン１６２の上面から第２バンク１７４と接触する補助パターン６００の上面までの距離は、第２電荷補助層１８６および第２電極１９０の厚さの合計より大きいことが好ましい。例えば、補助パターン６００の高さは、１μｍ～１．５μｍであり得るが、これに限定されるものではない。

このように、本発明の第５実施例にかかる電界発光表示装置は、トップエミッション型を採用することで、輝度を向上させ、消費電力を減らすことができる。また、接続パターン１６２を介し、第２電極１９０を第１補助電極１２８および第２補助電極１４８と接続することにより、第２電極１９０の抵抗を減少させることができる。

このとき、第２電極１９０と接続パターン１６２の間、さらに詳細に、第２電荷補助層１８６と接続パターン１６２の間に導電性物質からなる補助パターン６００を形成し、補助パターン６００が第２電極１９０および接続パターン１６２と直接接触するようにすることにより、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触特性を向上させることができる。

本発明の第５実施例では、補助パターン６００の側面に第２電荷補助層１８６が形成されないものと説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、第２電荷補助層１８６は補助パターン６００の側面に形成されてもよく、この場合、補助パターン６００の側面における第２電荷補助層１８６の厚さは、他の部分における第２電荷補助層１８６の厚さより小さい。したがって、補助パターン６００と第２電極１９０の間の距離が、接続パターン１６２と第２電極１９０の間の距離より短いため、補助パターン６００を介し、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触特性を向上させることができる。

一方、本発明の第５実施例では、補助パターン６００が、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの一側に形成された場合について説明したが、補助パターン６００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの少なくとも一側を除いた他の端部に対応し、形成することもできる。

第６実施例
図１３は、図３のＡ１領域に対応する概略的な拡大断面図であって、本発明の第６実施例にかかる電界発光表示装置における第２電極と接続パターンの接続構造を示す。本発明の第６実施例にかかる電界発光表示装置は、図９に示す第３実施例にかかる電界発光表示装置と実質的に同じ平面構造を有する。かかる本発明の第６実施例にかかる電界発光表示装置は、補助パターンを除けば第１実施例と実質的に同じ構成である。同じ構成に対しては同じ符号を与え、それに対する説明は省略、または簡略にする。

図１３に示すように、第１バンク１７２および第２バンク１７４の第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂに対応する接続パターン１６２と第２電極１９０の間に第２電荷補助層１８６が形成され、接続パターン１６２と第２電荷補助層１８６の間に補助パターン７００が形成される。

補助パターン７００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの一側に対応し、形成することができる。補助パターン７００は、第１バンク１７２と第２バンク１７４の間に形成することができる。したがって、補助パターン７００は、接続パターン１６２と接触し、第１バンク１７２の側面を覆いながら第１バンク１７２と接触する。また、補助パターン７００は、第１バンク１７２の上面および第２バンク１７４の下面とも接触することができる。

かかる補助パターン７００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの一端に沿って形成される。したがって、補助パターン７００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介して露出された接続パターン１６２の上面を露出する。

ここで、補助パターン７００は、導電性物質で形成される。例えば、補助パターン７００は、ＩＴＯやＩＺＯのような金属酸化物で形成するか、またはタングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）などのように大気状態で比較的に抵抗の低い金属で形成することができるが、これに限定されるものではない。

本発明における補助パターン７００の側面は、第１バンク１７２の側面より大きい傾斜角を持つ。すなわち、補助パターン７００の側面は、基板（図３の１００）に並ぶ接続パターン１６２の上面に対し、第１傾斜角（ａ６）を有し、第１バンク１７２の側面は、基板（図３の１００）に並ぶ接続パターン１６２の上面に対し、第２傾斜角（ｂ１）を持つ。ここで、第１傾斜角（ａ６）が第２傾斜角（ｂ１）より大きい。例えば、第１傾斜角（ａ６）は９０度であり得るが、これに限定されるものではない。

また、補助パターン７００の側面は、第２バンク１７４の側面より大きい傾斜角を持つことができる。このとき、第２バンク１７４の側面の傾斜角を、第１バンク１７２の側面の第２傾斜角（ｂ１）より小さくすることができる。しかしながら、本発明がこれに限定されるものではない。

かかる補助パターン７００の側面が、９０度の第１傾斜角（ａ６）を持つようにすることで、第２電荷補助層１８６は補助パターン７００の側面において断線し得る。すなわち、補助パターン７００の側面には第２電荷補助層１８６が形成されず、実質的に補助パターン７００の側面における第２電荷補助層１８６の厚さは、他の部分における第２電荷補助層１８６の厚さより小さくあり得る。また、第２電極１９０も補助パターン７００の側面において断線し得る。

ところが、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂを介して露出された接続パターン１６２の上部に形成される第２電荷補助層１８６と第２電極１９０は、補助パターン７００の側面と接触する。

したがって、第２電極１９０が補助パターン７００と直接接触し、補助パターン７００が接続パターン１６２と直接接触するので、本発明の第６実施例にかかる補助パターン７００は、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触抵抗を減少させることができる。

かかる補助パターン７００の高さ、すなわち、接続パターン１６２の上面から第２バンク１７４と接触する補助パターン７００の上面までの距離は、第２電荷補助層１８６および第２電極１９０の厚さの合計より大きいことが好ましい。例えば、補助パターン７００の高さは、１μｍ～１．５μｍであり得るが、これに限定されるものではない。

このように、本発明の第６実施例にかかる電界発光表示装置は、トップエミッション型を採用することで、輝度を向上させ、消費電力を減らすことができる。また、接続パターン１６２を介し、第２電極１９０を第１補助電極１２８および第２補助電極１４８と接続することにより、第２電極１９０の抵抗を減少させることができる。

このとき、第２電極１９０と接続パターン１６２の間、さらに詳細に、第２電荷補助層１８６と接続パターン１６２の間に導電性物質からなる補助パターン７００を形成し、補助パターン７００が第２電極１９０および接続パターン１６２と直接接触するようにすることにより、第２電極１９０と接続パターン１６２の間の接触特性を向上させることができる。

本発明の第６実施例では、第１バンク１７２と第２バンク１７４の間に形成される補助パターン７００の側面が、９０度の第１傾斜角（ａ６）を持つことと説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、第１バンク１７２と第２バンク１７４の間に形成される補助パターン７００は、第１実施例および第２実施例のようにその側面が正傾斜を持ってもよく、第４実施例および第５実施例のようにその側面が逆傾斜を持ってもよい。

一方、本発明の第６実施例では、補助パターン７００が、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの一側に形成された場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。補助パターン７００は、第１補助コンタクトホール１７２ｂおよび第２補助コンタクトホール１７４ｂの少なくとも一側を除いた他の端部に対応し、形成することもできる。

以上、本発明の好適な実施例を参照し、説明したが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想および領域から逸脱しない範囲で、本発明を種々に修正および変更できることを理解できるであろう。

Ｒ、Ｇ、Ｂ…赤・緑・青色の副画素、１００…基板、１６０…第１電極、１６２…接続パターン、１７２…第１バンク、１７４…第２バンク、１７４ａ…開口部、１８０…発光層、１９０…第２電極、Ｄｅ…発光ダイオード、２００、３００、４００、５００、６００、７００…補助パターン

Claims (22)

1. 基板と、
   前記基板の上部に位置する第１電極と、
   前記基板の上部に、前記第１電極と同じ物質で形成される接続パターンと、
   前記第１電極および前記接続パターンの端部を覆うバンクと、
   前記第１電極の上部に位置する発光層と、
   前記発光層、前記バンクおよび前記接続パターンの上部に位置する第２電極と、
   前記第２電極と前記接続パターンの間の補助パターンを含み、
   前記補助パターンの側面は、前記バンクの側面より大きい傾斜角を有し、
   前記補助パターンの上面の幅が前記補助パターンの下面の幅よりも大きい、
   電界発光表示装置。
2. 前記発光層は、第１電荷補助層、発光物質層、および第２電荷補助層を含み、前記第１電荷補助層と前記発光物質層のそれぞれは、少なくとも一側面が前記バンクで取り囲まれ、前記第２電荷補助層の一部は、前記バンクと前記第２電極の間、および前記補助パターンと前記第２電極の間に位置し、
   前記補助パターンの側面における前記第２電荷補助層の厚さが、前記バンクの側面における前記第２電荷補助層の厚さより小さい、請求項１に記載の電界発光表示装置。
3. 前記補助パターンは、前記接続パターンを露出する、請求項１に記載の電界発光表示装置。
4. 前記バンクは、前記接続パターンを露出する補助コンタクトホールを有し、前記補助パターンは、前記補助コンタクトホールを介して露出された前記接続パターンを完全に覆う、請求項１に記載の電界発光表示装置。
5. 前記バンクは、前記接続パターンを露出する補助コンタクトホールを有し、前記補助パターンは、前記補助コンタクトホールの少なくとも一側に対応して形成される、請求項１に記載の電界発光表示装置。
6. 前記第２電極は、前記補助パターンの側面と接触する、請求項１に記載の電界発光表示装置。
7. 前記補助パターンの側面における前記第２電極の厚さが、前記バンクの側面における前記第２電極の厚さより小さい、請求項１に記載の電界発光表示装置。
8. 前記補助パターンの側面は、７５度～１０５度の傾斜角を持つ、請求項１に記載の電界発光表示装置。
9. 前記基板と前記第１電極の間に少なくとも１つの薄膜トランジスタをさらに含み、前記第１電極は、前記少なくとも１つの薄膜トランジスタと接続される、請求項１に記載の電界発光表示装置。
10. 前記バンクは、親水性の第１バンクと疎水性の第２バンクを含む、請求項１に記載の電界発光表示装置。
11. 前記第１バンクと前記第２バンクは、一体に形成される、請求項１０に記載の電界発光表示装置。
12. 前記補助パターンは、前記第１バンクと前記第２バンクの間に位置する、請求項１０に記載の電界発光表示装置。
13. 一方向に沿って隣接する画素領域の前記発光層は、互いに繋がり、一体に形成される、請求項１０に記載の電界発光表示装置。
14. 前記発光層は、第１電荷補助層、発光物質層および第２電荷補助層を含み、
    前記補助パターンの前記上面は前記第２電荷補助層と接触し、前記補助パターンの前記下面は前記接続パターンと接触している、
    請求項１に記載の電界発光表示装置。
15. 基板と、
    前記基板の上部に位置する第１電極と、
    前記基板の上部に、前記第１電極と同じ物質で形成される接続パターンと、
    前記第１電極および前記接続パターンの端部を覆うバンクと、
    前記第１電極の上部に位置する発光層と、
    前記発光層、前記バンクおよび前記接続パターンの上部に位置する第２電極と、
    前記第２電極と前記接続パターンの間の補助パターンを含み、
    前記発光層は、第１電荷補助層、発光物質層、および第２電荷補助層を含み、前記第２電荷補助層は、前記補助パターンと前記第２電極の間に位置し、
    前記補助パターンの側面における前記第２電荷補助層の厚さが、前記バンクの側面における前記第２電荷補助層の厚さより小さく、
    前記補助パターンの上面の幅が前記補助パターンの下面の幅よりも大きい、
    電界発光表示装置。
16. 前記補助パターンは、前記接続パターンを露出する、請求項１５に記載の電界発光表示装置。
17. 前記バンクは、前記接続パターンを露出する補助コンタクトホールを有し、前記補助パターンは、前記補助コンタクトホールを介して露出された前記接続パターンを完全に覆う、請求項１５に記載の電界発光表示装置。
18. 前記バンクは、前記接続パターンを露出する補助コンタクトホールを有し、前記補助パターンは、前記補助コンタクトホールの少なくとも一側に対応して形成される、請求項１５に記載の電界発光表示装置。
19. 前記第２電極は、前記補助パターンの側面と接触する、請求項１５に記載の電界発光表示装置。
20. 前記補助パターンの側面における前記第２電極の厚さが、前記バンクの側面における前記第２電極の厚さより小さい、請求項１５に記載の電界発光表示装置。
21. 前記補助パターンの側面は、７５度～１０５度の傾斜角を持つ、請求項１５に記載の電界発光表示装置。
22. 前記補助パターンの前記上面は前記第２電荷補助層と接触し、前記補助パターンの前記下面は前記接続パターンと接触している、請求項１５に記載の電界発光表示装置。

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