JP7304366B2 - 高周波伝送装置及び高周波信号伝送方法 - Google Patents
高周波伝送装置及び高周波信号伝送方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7304366B2 JP7304366B2 JP2020558160A JP2020558160A JP7304366B2 JP 7304366 B2 JP7304366 B2 JP 7304366B2 JP 2020558160 A JP2020558160 A JP 2020558160A JP 2020558160 A JP2020558160 A JP 2020558160A JP 7304366 B2 JP7304366 B2 JP 7304366B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- signal
- frequency
- ground
- signal conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/081—Microstriplines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/06—Coaxial lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B11/00—Communication cables or conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
- H01B7/30—Insulated conductors or cables characterised by their form with arrangements for reducing conductor losses when carrying alternating current, e.g. due to skin effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
- H01P11/003—Manufacturing lines with conductors on a substrate, e.g. strip lines, slot lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
- H01P11/005—Manufacturing coaxial lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/003—Coplanar lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/026—Coplanar striplines [CPS]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/085—Triplate lines
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B3/00—Line transmission systems
- H04B3/52—Systems for transmission between fixed stations via waveguides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R2103/00—Two poles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R24/00—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure
- H01R24/38—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts
- H01R24/40—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts specially adapted for high frequency
- H01R24/50—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts specially adapted for high frequency mounted on a PCB [Printed Circuit Board]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Near-Field Transmission Systems (AREA)
Description
なお、伝送路の誘電体に設けられた少なくとも一部と、伝送路の抵抗低下材料で構成された少なくとも一部とは、同じ部分であっても良いし、異なる部分であっても良い。
第2信号導体が第1導体部及び第4導体部を有する場合、第2信号導体の第4導体部は、第2信号導体の第1導体部に対して第1信号導体側に配置された構成とすることが可能である。この場合、第2信号導体側で高周波信号の伝送損失が軽減される。また、第2信号導体の直流抵抗値の低い第1導体部に電子部品、コネクタ、ケーブル又はピン等を接続することが可能になるので、第2信号導体の接続信頼性が向上する。
なお、導体ナノ粒子は、上記した液相レーザーアブレーション法以外の周知の液相法、又は周知の気相法によっても作成可能である。液相法としては、共沈法、ゾルゲル法、液相還元法又は水熱合成法などがあり、気相法としては、電気炉法、化学炎法、レーザー法又は熱プラズマ法などがある。
上記した何れかの方法で得られた導体ナノ粒子がバインダーに混入され、ペースト化される。この導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストが焼成される。この焼成によって、バインダーが除去されるため、上記多結晶体は導体ナノ粒子で構成されている。
環境温度下で、多結晶体に流される高周波信号(高周波電流)の周波数が上記一又は複数の特定周波数帯域以外の周波数帯域にある場合、その高周波信号により磁場が生じ、その磁場により多結晶体の中心部において高周波信号の流れを妨害する方向に誘導起電力(逆起電力)が生じる。この場合、多結晶体の透磁率の実部は正である。一方、多結晶体に流される高周波信号の周波数が上記一又は複数の特定周波数帯域にある場合、その高周波信号により磁場が生じ、その磁場により多結晶体の中心部において生じる誘導起電力(逆起電力)の向きが逆となる。この場合、多結晶体の透磁率の実部は負である。このように多結晶体の中心部において生じる誘導起電力(逆起電力)の向きが高周波信号の流れを妨害する方向に対して逆となることによって、高周波信号の流れを促進するように作用するため、多結晶体に流される高周波信号の周波数が上記一又は複数の特定周波数帯域にある場合、多結晶体に流される高周波信号の周波数が上記一又は複数の特定周波数帯域以外にある場合に比べて、多結晶体の交流抵抗値が急激に低下し、実質的に0Ω又はマイナス抵抗となる。高周波信号の一又は複数の特定周波数帯域は、高周波信号により生じた磁場の作用によって、多結晶体が磁気共鳴を生ずる周波数帯域であると考えられる。
なお、多結晶体の直流抵抗値は、多結晶化前の原料(すなわち、上記導体ナノ粒子の原料)より高い。以下、伝送路200に一又は複数の特定周波数帯域の高周波信号を伝送させるときを、「高周波信号の伝送時」と称する。
第1導体部は、上記多結晶体(第2導体部)の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第1導体部は、例えば、銅メッキ又は銅箔などで構成されていると良い。第1導体部の直流抵抗値は、第1導体部の長さ及び断面積に応じて適宜設定されると良い。
以下、説明の便宜上、信号導体Sの第1導体部に符号S1を付し、信号導体Sの第2導体部に符号S2を付し、グランド導体Gの第1導体部に符号G1を付し、グランド導体Gの第2導体部に符号G2を付してそれぞれ区別する。
なお、第1導体部S1の第1接続部及び第2接続部は、Z方向において第2導体部S2に覆われていない。第1導体部S1の第1接続部及び第2接続部の少なくとも一方の接続部は、特許請求の範囲の信号導体の第1導体部の接続部に相当する。この少なくとも一方の接続部のZ方向側の面が、コネクタの端子(接続対象)によって弾性接触又は摺動接触される場合、少なくとも一方の接続部のZ方向側の面上には第2導体部S2が設けられていないので、コネクタの端子の弾性接触又は摺動接触による第2導体部S2の摩耗や破損が防止される。
(1)信号導体Sが多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100の第1面101上に、周知の印刷法(例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法又はスプレー印刷法)を用いて導電ペーストを印刷する。
(2)信号導体Sが第1導体部S1及び第2導体部S2を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100の第1面101上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
(3)信号導体Sが多結晶体を含まない構成である場合、誘電体100の第1面101上に、上記周知の印刷法を用いて多結晶体を含まない導体を印刷する。
(4)グランド導体Gが多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100の第2面102上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
(5)グランド導体Gが第1導体部G1及び第2導体部G2を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100の第2面102上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
(6)グランド導体Gが多結晶体を含まない構成である場合、誘電体100の第2面102上に、上記周知の印刷法を用いて多結晶体を含まない導体を印刷する。
(A)伝送路200に伝送させる高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にあるとき、当該高周波信号の伝送損失(減衰)が軽減される。その理由は以下の通りである。
伝送路200の信号導体S及びグランド導体Gの少なくとも一方の導体の少なくとも一部を構成する多結晶体の交流抵抗値が、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、高周波信号の伝送損失が軽減される。
また、信号導体Sが多結晶体で構成された第2導体部S2を有する場合、高周波信号の伝送時に、信号導体Sにおいて、高周波信号の電流密度が高くなる部分(グランド導体G側の部分)が第2導体部S2で構成されている。第2導体部S2の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、信号導体S側で高周波信号の伝送損失が軽減される。グランド導体Gが多結晶体で構成された第2導体部G2を有する場合、高周波信号の伝送時に、グランド導体Gにおいて、高周波信号の電流密度が高くなる部分(信号導体S側の部分)が第2導体部G2で構成されている。第2導体部G2の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、グランド導体G側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
第1導体部S1が、上記多結晶体の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第1導体部S1に、送信部300、コネクタ、電子部品又は接続手段を電気的且つ機械的に接続させることができるので、送信部300、コネクタ、電子部品又は接続手段と伝送用基板D1の接続信頼性が向上する。
グランド導体Gが第1導体部G1及び第2導体部G2を有する場合、伝送用基板D1のグランド接続に対する接続信頼性が向上する。その理由は以下の通りである。
第1導体部G1が、上記多結晶体の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第1導体部G1をグランド接続させることができるので、伝送用基板D1のグランド接続に対する接続信頼性が向上する。
(ア)グランド導体G及びグランド導体G’は、その一部又は全部が多結晶体で構成されている。
(イ)グランド導体Gは、その一部又は全部が多結晶体で構成されており、且つ、グランド導体G’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。又は、その逆としても良い。
(ウ)グランド導体G及びグランド導体G’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。
又は、信号導体S’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成することが可能である。この場合、グランド導体G及びグランド導体G’は、以下の(エ)又は(オ)の構成とすること可能である。
(エ)グランド導体G及びグランド導体G’が、その一部又は全部が多結晶体で構成されている。
(オ)グランド導体Gが、その一部又は全部が多結晶体で構成されており、且つ、グランド導体G’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。又は、その逆としても良い。
第1導体部S1’、第2導体部S2’は、次の点を除き、伝送用基板D1の信号導体Sの第1導体部S1、第2導体部S2と同様の構成である。第1導体部S1’は、Z方向の平面視において誘電体100’内部の第1位置から第2位置へ延びている。
第2導体部S2’は、第1導体部S1’のZ’方向側の面上に設けられており且つZ方向の平面視において誘電体100’内部の第1位置から第2位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。すなわち、第2導体部S2’は、第1導体部S1’のZ’方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ第1導体部S1’に対してグランド導体G側に配置されている。
第3導体部S3’は、多結晶体で構成されており、第1導体部S1’のZ方向側の面上に設けられており且つZ方向の平面視において誘電体100’内部の第1位置から第2位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。すなわち、第3導体部S3’は、第1導体部S1’のZ方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ第1導体部S1’に対してグランド導体G’側に配置されている。
上記の通り、伝送路200’は、誘電体100’の内部に設けられているため、上記した「Z方向の平面視」は、その対象が伝送用基板D2のZ方向側から看者によって現実に視認されるわけではないことに留意されたい。
なお、第1導体部S1’の第1位置上の第1接続部及び第2位置上の第2接続部には、第2導体部S2’及び/又は第3導体部S3’が設けられていない。
(7)信号導体Sが第1導体部S1’及び第3導体部S3’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100’の下層部のZ方向側の面上に、上記周知の印刷法を用いて第1導体部S1’となる導体を印刷し、第1導体部S1’上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
(8)グランド導体G’が多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100’の第1面101’上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
(9)グランド導体G’が第1導体部G1’及び第2導体部G2’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100’の第1面101’上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
(10)グランド導体G’が多結晶体を含まない構成である場合、誘電体100’の第1面101’上に、上記周知の印刷法を用いて多結晶体を含まない導体を印刷する。
伝送路200’の信号導体S’、グランド導体G及びグランド導体G’のうちの少なくとも一つの導体の少なくとも一部を構成する多結晶体の交流抵抗値が、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、高周波信号の伝送損失が軽減される。
また、信号導体S’が多結晶体で構成された第2導体部S2’及び/又は第3導体部S3’を有する場合、高周波信号の伝送時に、信号導体S’において、高周波信号の電流密度が高くなる部分(グランド導体G側の部分及び/又はグランド導体G’側の部分)が第2導体部S2’及び/又は第3導体部S3’で構成されている。第2導体部S2’及び/又は第3導体部S3’の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、信号導体S’側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
グランド導体Gが多結晶体で構成された第2導体部G2を有する場合、高周波信号の伝送時に、グランド導体Gにおいて、高周波信号の電流密度が高くなる部分(信号導体S’側の部分)が第2導体部G2で構成されている。第2導体部G2の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、グランド導体G側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
グランド導体G’が多結晶体で構成された第2導体部G2’を有する場合、高周波信号の伝送時に、グランド導体G’において、高周波信号の電流密度が高くなる部分(信号導体S’側の部分)が第2導体部G2’で構成されている。第2導体部G2’の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、グランド導体G’側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
なお、伝送用基板D2は、伝送用基板D1の上記(B)と同様の技術的特徴及び効果も奏する。
(ア)第1グランド導体G’’及び第2グランド導体G’’は、その一部又は全部が多結晶体で構成されている。
(イ)第1グランド導体G’’は、その一部又は全部が多結晶体で構成されており、且つ第2グランド導体G’’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。又は、その逆としても良い。
(ウ)第1グランド導体G’’及び第2グランド導体G’’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。
又は、信号導体S’’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成することが可能である。この場合、第1グランド導体G’’及び第2グランド導体G’’は、以下の(エ)又は(オ)の構成とすること可能である。
(エ)第1グランド導体G’’及び第2グランド導体G’’が、その一部又は全部が多結晶体で構成されている。
(オ)第1グランド導体G’’が、その一部又は全部が多結晶体で構成されており、且つ、第2グランド導体G’’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。又は、その逆としても良い。
第1導体部S1’’は、誘電体100の第1面101上に設けられており且つ第1位置から第2位置へ延びている以外、伝送用基板D1の第1導体部S1と同様の構成である。
第2導体部S2’’は多結晶体で構成されている。第2導体部S2’’は、誘電体100の第1面101上に設けられ、第1導体部S1’’のX方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ第1導体部S1’’に対して第1グランド導体G’’側に配置されている。第2導体部S2’’は、第1導体部S1’’のX方向側の面に沿って第1位置から第2位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。すなわち、第2導体部S2’’が、高周波信号の伝送時に、信号導体S’’のうちの第1グランド導体G’’との電気的な結合が強い部分(高周波信号の電流密度が高い部分)を構成している。
第3導体部S3’’は多結晶体で構成されている。第3導体部S3’’は、誘電体100の第1面101上に設けられ、第1導体部S1’’のX’方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ第1導体部S1’’に対して第2グランド導体G’’側に配置されている。第3導体部S3’’は、第1導体部S1’’のX’方向側の面に沿って第1位置から第2位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。すなわち、第3導体部S3’’が、高周波信号の伝送時に、信号導体S’’のうちの第2グランド導体G’’との電気的な結合が強い部分(高周波信号の電流密度が高い部分)を構成している。
なお、第1導体部S1’’の第1接続部及び第2接続部は、Z方向において第2導体部S2’’及び第3導体部S3’’に覆われていない。よって、第1導体部S1’’の第1接続部及び第2接続部の少なくとも一方の接続部は、特許請求の範囲の信号導体の第1導体部の接続部に相当する。この少なくとも一方の接続部のZ方向側の面が、コネクタの端子(接続対象)によって弾性接触又は摺動接触される場合、少なくとも一方の接続部のZ方向側の面上には第2導体部S2’’及び第3導体部S3’’が設けられていないので、コネクタの端子の弾性接触又は摺動接触による第2導体部S2’’及び第3導体部S3’’の摩耗や破損が防止される。
第1、第2グランド導体G’’の第1導体部G1’’は、誘電体100の第1面101上で信号導体S’’に沿って延びており且つ信号導体S’’のX方向側、X’方向側に間隔をあけて配置されている。第1、第2グランド導体G’’の第2導体部G2’’は、誘電体100の第1面101上に設けられ、第1、第2グランド導体G’’の第1導体部G1’’のX’方向側の面、X方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ当該第1導体部G1’’よりも信号導体S’’側に配置されている。第1、第2グランド導体G’’の第2導体部G2’’は、信号導体S’’のX方向側、X’方向側に間隔をあけて配置されている。第1、第2グランド導体G’’の第2導体部G2’’は、第1導体部G1’’のX’方向側の面、X方向側の面に沿って第1位置から第2位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。すなわち、第1、第2グランド導体G’’の第2導体部G2’’は、高周波信号の伝送時に、第1、第2グランド導体G’’のうちの信号導体S’’との電気的な結合が強い部分(高周波信号の電流密度が高い部分)を構成している。
(1)信号導体S’’が多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100の第1面101上に、周知の印刷法(例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法又はスプレー印刷法)を用いて導電ペーストを印刷する。
(2)信号導体S’’が第1導体部S1’’及び第2導体部S2’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100の第1面101上に、上記周知の印刷法を用いて、第1導体部S1’’となる導体及びそのX方向側に第2導体部S2’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
(3)信号導体S’’が第1導体部S1’’及び第3導体部S3’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100の第1面101上に、上記周知の印刷法を用いて、第1導体部S1’’となる導体及びそのX’方向側に第3導体部S3’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
(4)信号導体S’’が第1導体部S1’’、第2導体部S2’’及び第3導体部S3’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100の第1面101上に、上記周知の印刷法を用いて、第1導体部S1’’となる導体、当該導体のX方向側に第2導体部S2’’となる導電ペースト及び当該導体のX’方向側に第3導体部S3’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
(5)信号導体S’’が多結晶体を含まない構成である場合、誘電体100の第1面101上に、上記周知の印刷法を用いて多結晶体を含まない導体を印刷する。
(6)第1グランド導体G’’及び/又は第2グランド導体G’’が多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100の第1面101上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
(7)第1グランド導体G’’及び/又は第2グランド導体G’’が第1導体部G1’’及び第2導体部G2’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100の第1面101上に、上記周知の印刷法を用いて、第1導体部G1’’となる導体及びそのX’方向側及び/又はX方向側に第2導体部G2’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
(8)第1グランド導体G’’及び/又は第2グランド導体G’’が多結晶体を含まない構成である場合、誘電体100の第2面102上に、上記周知の印刷法を用いて多結晶体を含まない導体を印刷する。
伝送路200’’の信号導体S’’、 第1グランド導体G’’及び第2グランド導体G’’のうちの少なくとも一つの導体の少なくとも一部を構成する多結晶体の交流抵抗値が、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、高周波信号の伝送損失が軽減される。
また、信号導体S’’が多結晶体で構成された第2導体部S2’’及び/又は第3導体部S3’’を有する場合、高周波信号の伝送時に、信号導体S’’において、高周波信号の電流密度が高くなる部分(第1グランド導体G’’側の部分及び/又は第2グランド導体G’’側の部分)が第2導体部S2’’及び/又は第3導体部S3’’で構成されている。第2導体部S2’’及び/又は第3導体部S3’’の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、信号導体S’’側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
第1グランド導体G’’及び/又は第2グランド導体G’’が多結晶体で構成された第2導体部G2’’を有する場合、高周波信号の伝送時に、第1グランド導体G’’及び/又は第2グランド導体G’’において、高周波信号の電流密度が高くなる部分(信号導体S’’側の部分)が第2導体部G2’’で構成されている。第2導体部G2’’の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、第1グランド導体G’’及び/又は第2グランド導体G’’側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
なお、伝送用基板D3は、伝送用基板D1の上記(B)と同様の技術的特徴及び効果も奏する。
第1信号導体S’’’及び/又は第2信号導体S’’’の第1導体部S1’’’は、誘電体100の第1面101上に設けられており且つ第1位置から第2位置へ延びている以外、伝送用基板D1の第1導体部S1と同様の構成である。
第1信号導体S’’’及び/又は第2信号導体S’’’の第4導体部S4’’’は多結晶体で構成されている。
第1信号導体S’’’の第4導体部S4’’’は、誘電体100の第1面101上に設けられ、第1信号導体S’’’の第1導体部S1’’’のX’方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ当該第1導体部S1’’’に対して第2信号導体S’’’側に配置されている。このように第1信号導体S’’’の第4導体部S4’’’が、高周波信号の伝送時に、第1信号導体S’’’のうちの第2信号導体S’’’との電気的な結合が強い部分(高周波信号の電流密度が高い部分)を構成している。第1信号導体S’’’の第4導体部S4’’’は、第1信号導体S’’’の第1導体部S1’’’のX’方向側の面に沿って第1位置から第2位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。
第2信号導体S’’’の第4導体部S4’’’は、誘電体100の第1面101上に設けられ、第2信号導体S’’’の第1導体部S1’’’のX方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ当該第1導体部S1’’’に対して第1信号導体S’’’側に配置されている。このように第2信号導体S’’’の第4導体部S4’’’が、高周波信号の伝送時に、第2信号導体S’’’のうちの第1信号導体S’’’との電気的な結合が強い部分(高周波信号の電流密度が高い部分)を構成している。第2信号導体S’’’の第4導体部S4’’’は、第2信号導体S’’’の第1導体部S1’’’のX方向側の面に沿って第1位置から第2位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。
なお、第1導体部S1’’’の第1接続部及び第2接続部は、Z方向において第4導体部S4’’’に覆われていない。よって、第1導体部S1’’’の第1接続部及び第2接続部の少なくとも一方の接続部は、特許請求の範囲の信号導体の第1導体部の接続部に相当する。この少なくとも一方の接続部のZ方向側の面が、コネクタの端子(接続対象)によって弾性接触又は摺動接触される場合、少なくとも一方の接続部のZ方向側の面上には第4導体部S4’’’が設けられていないので、コネクタの端子の弾性接触又は摺動接触による第4導体部S4’’’の摩耗や破損が防止される。
(1)第1信号導体S’’’が多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100の第1面101上に、周知の印刷法(例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法又はスプレー印刷法)を用いて導電ペーストを印刷する。
(2)第1信号導体S’’’が第1導体部S1’’’及び第4導体部S4’’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100の第1面101上に、上記周知の印刷法を用いて、第1導体部S1’’’となる導体及びそのX’方向側に第4導体部S4’’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
(3)第2信号導体S’’’が多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100の第1面101上に、周知の印刷法(例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法又はスプレー印刷法)を用いて導電ペーストを印刷する。
(4)第2信号導体S’’’が第1導体部S1’’’及び第4導体部S4’’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体100の第1面101上に、上記周知の印刷法を用いて、第1導体部S1’’’となる導体及びそのX方向側に第4導体部S4’’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
伝送路200’’’の一対の信号導体S’’’のうちの少なくとも一方の導体の少なくとも一部を構成する多結晶体の交流抵抗値が、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、高周波信号の伝送損失が軽減される。
また、第1信号導体S’’’及び/又は第2信号導体S’’’が多結晶体で構成された第4導体部S4’’’を有する場合、高周波信号の伝送時に、第1信号導体S’’’及び/又は第2信号導体S’’’において、高周波信号の電流密度が高くなる部分(第2信号導体S’’’及び/又は第1信号導体S’’’側の部分)が第4導体部S4’’’で構成されている。第1信号導体S’’’及び/又は第2信号導体S’’’の第4導体部S4’’’の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、第1信号導体S’’’及び/又は第2信号導体S’’’側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
なお、伝送用基板D4は、伝送用基板D1の上記(B)と同様の技術的特徴及び効果も奏する。
第2導体部520Sは、上記多結晶体で構成されており且つ第1導体部510Sの少なくとも一部の外周面の上に設けられており且つ第1導体部510Sに対してグランド導体500G側に位置している。例えば、第2導体部520Sは、図5に示されるように、第1導体部510Sの中間部512Sの外周面に設けられており且つZ-Z’方向において断面視略環状体をなしていても良い。
第1導体部510Gは、シェル本体であって、上記多結晶体の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第1導体部510Gは、例えば、金属板などで構成されている。
第2導体部520Gは、上記多結晶体で構成され、第1導体部510Gの少なくとも一部の内周面の上に設けられており且つ第1導体部510Gに対して信号導体500S側に位置している。例えば、図5に示されるように、第1導体部510GがY-Y’方向に延びた筒部を有している場合、第2導体部520Gは、第1導体部510Gの筒部の内周面に設けられており且つZ-Z’方向において断面視略環状体をなしていても良い。
第1導体部510Gは、第2導体部520Gに覆われていない接続部を更に有していても良い。この第1導体部510G接続部は、例えば、シェル本体の脚部やシェル本体のY’方向の端部などであって、上記基板又はケーブルのグランド導体に接続可能となっていると良い。
(a)図6A及び図6Bに示すように、中間部512Sは、Y-Y’方向に延びる筒状である。先端部511Sは、中間部512SからY方向に延びた一対のアーム(図示一つ)を有する。テール部513Sは、中間部512SからY’方向に延びた略L字状の板である。この場合、先端部511Sのアームの内面が第1導体部510Sの第1接続部であり、テール部513Sの後端部が第1導体部510Sの第2接続部となっている。第1導体部510Sの第1接続部は、アーム間に挿入される図示しない相手方コネクタの端子の先端部に弾性接触可能な部分であり、第1導体部510Sの第2接続部は、図示しない基板に電気的且つ機械的に接続可能な部分である。
(b)第1導体部510Sの先端部511S及び中間部512Sは、Y-Y’方向に延びた直線状の棒又は平板であり、第1導体部510Sのテール部513Sは、中間部512SからY’方向に延びた略L字状の棒又は板である。この場合、先端部511Sの外周面が第1導体部510Sの第1接続部であり、テール部513Sの後端部が第1導体部510Sの第2接続部となっている。
(c)テール部513Sが、略L字状の板ではなく、Y’方向に延びた直線状である以外、第1導体部510Sは、上記(a)の構成と同様の構成である。
(d)テール部513Sは、略L字状の板ではなく、Y’方向に延びた直線状である以外、第1導体部510Sは、上記(b)の構成と同様の構成である。
なお、(c)及び(d)の場合、第1導体部510Sの第2接続部は、基板ではなく、ケーブルなどに接続可能な部分となる。
何れの態様による場合であっても、信号導体500Sの先端部511Sのアームの第1接続部は、第2導体部520Sに覆われていない。この信号導体500Sの先端部511Sの第1接続部が、特許請求の範囲の信号導体の第1導体部の接続部に相当する。信号導体500Sの先端部511Sのアームが、その間に相手方コネクタの端子の先端部が挿入されることによって、当該端子の先端部に弾性接触するが、信号導体500Sの先端部511Sのアームの第1接続部上には第2導体部520Sが設けられていないので、相手方コネクタの端子の先端部による第2導体部520Sの摩耗や破損が防止される。信号導体500Sの先端部511Sのアームの外面も第2導体部520Sに覆われていない場合、信号導体500Sの先端部511Sのアームが弾性変形することによって、第2導体部520Sが破損しない。
この場合、信号導体500Sの先端部511Sの第1接続部は、第2導体部520Sに覆われていない。すなわち、この信号導体500Sの先端部511Sの第1接続部は、特許請求の範囲の信号導体の第1導体部の接続部に相当する。信号導体500Sの先端部511Sの第1接続部が、相手方コネクタの端子によって弾性接触又は摺動接触されることになるが、信号導体500Sの先端部511Sの第1接続部上には第2導体部520Sが設けられていないので、相手方コネクタの端子の弾性接触又は摺動接触による第2導体部520Sの摩耗や破損が防止される。
(1)信号導体500Sが多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、図示しない金型に導電ペーストを充填し、当該金型を上記電気式加熱調理器具や上記電気炉で上記の通り加熱し、導電ペーストを焼成する。その後、金型から焼成された導電ペーストを取り外す。この焼成された導電ペーストが上記多結晶体(信号導体500S)となる。
(2)信号導体500Sが第1導体部510S及び第2導体部520Sを有する場合、第1導体部510Sを用意する。そして、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、第1導体部510Sの少なくとも一部の外周面上に導電ペーストを塗布、吹きつけ又は印刷する。その後、導電ペースト付きの第1導体部510Sを上記電気式加熱調理器具や上記電気炉で上記の通り加熱し、導電ペーストを焼成する。焼成された導電ペーストが上記多結晶体(第2導体部520S)となる。
(3)信号導体500Sが多結晶体を含まない構成である場合、信号導体500Sを周知の端子の製造方法を用いて得る。
(4)グランド導体500Gが多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、図示しない金型に導電ペーストを充填し、当該金型を上記電気式加熱調理器具や上記電気炉で上記の通り加熱し、導電ペーストを焼成する。その後、金型から焼成された導電ペーストを取り外す。この焼成された導電ペーストが上記多結晶体(グランド導体500G)となる。
(5)グランド導体500Gが第1導体部510G及び第2導体部520Gを有する場合、第1導体部510Gを用意する。そして、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、第1導体部510Gの少なくとも一部の内周面上に導電ペーストを塗布、吹きつけ又は印刷する。その後、導電ペースト付きの第1導体部510Gを上記電気式加熱調理器具や上記電気炉で上記の通り加熱し、導電ペーストを焼成する。焼成された導電ペーストが上記多結晶体(第2導体部520G)となる。
(6)グランド導体500Gが多結晶体を含まない構成である場合、グランド導体500Gを周知のシェルの製造方法を用いて得る。
(A)伝送路500に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、当該高周波信号の伝送損失(減衰)が軽減される。その理由は以下の通りである。
伝送路500の信号導体500S及びグランド導体500Gの少なくとも一方の導体の少なくとも一部を構成する多結晶体の交流抵抗値が、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、高周波信号の伝送損失が軽減される。
また、信号導体500Sが多結晶体で構成された第2導体部520Sを有する場合、高周波信号の伝送時に、信号導体500Sにおいて、高周波信号の電流密度が高くなる部分(グランド導体500G側の部分)が第2導体部520Sで構成されている。第2導体部520Sの交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、信号導体500S側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
グランド導体500Gが多結晶体で構成された第2導体部520Gを有する場合、高周波信号の伝送時に、グランド導体500Gにおいて、高周波信号の電流密度が高くなる部分(信号導体500S側の部分)が第2導体部520Gで構成されている。第2導体部520Gの交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、グランド導体500G側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
グランド導体500Gが第1導体部510G及び第2導体部520Gを有する場合、コネクタD5のグランド接続に対する接続信頼性が向上する。その理由は以下の通りである。
第1導体部510Gが、上記多結晶体の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第1導体部510Gをグランド接続させることができる。
この第4設計変更コネクタは、図8Eに示すように、伝送路500’’’’’が、第1、第2信号導体500S’’’’のZ’方向側に配置される上記グランド導体500G’を更に備えており、第1、第2信号導体500S’’’’の各々が、上記第2導体部520Sを更に備えた構成とすることが可能である。
第1コネクタの信号導体500Sの先端部511Sの一対のアームは、その内面が第2導体部520Sに覆われていない。第2コネクタの信号導体500Sの先端部511Sも、その外周面が第2導体部520Sに覆われていない。そのため、第1コネクタの信号導体500Sの先端部511Sの一対のアームの内面が第2コネクタの信号導体500Sの先端部511Sの外周面に弾性接触したとしても、第2導体部520Sが摩耗したり破損したりしない。
更に、第1コネクタの信号導体500Sの先端部511Sの一対のアームは、その外面も第2導体部520Sに覆われていない場合、当該アームが弾性変形したとしても、第2導体部520Sが破損することもない。
100、100’:誘電体
101、101’:第1面
102、102’:第1面
200、200’、200’’、200’’’:伝送路
S、S’、S’’、S’’’:信号導体
S1、S1’、S1’’、S1’’’:信号導体の第1導体部
S2、S2’、S2’’:信号導体の第2導体部
S3’、S3’’:信号導体の第3導体部
S4’’’:信号導体の第4導体部
G:グランド導体(第1グランド導体)
G’:グランド導体(第2グランド導体)
G’’:グランド導体(第1、第2グランド導体)
G1、G1’、G1’’:グランド導体の第1導体部
G2、G2’、G2’’:グランド導体の第2導体部
300:送信部
D5:高周波伝送装置(コネクタ)
400:誘電体
500:伝送路
500S:信号導体
510S:信号導体の第1導体部
520S:信号導体の第2導体部
500G:グランド導体
510G:グランド導体の第1導体部
520G:グランド導体の第2導体部
Claims (21)
- 誘電体と、
高周波信号を伝送可能な伝送路とを備えており、
前記伝送路の少なくとも一部は、前記誘電体上又は前記誘電体内に位置しており、前記伝送路の少なくとも一部が、微粒子で構成された抵抗低下材料で構成されており、前記抵抗低下材料は、前記伝送路に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合に、交流抵抗値が急激に低下する物性を有しており、
前記伝送路は、少なくとも一部が前記誘電体上又は前記誘電体内に設けられた少なくとも一つの信号導体と、
前記少なくとも一つの信号導体の少なくとも一部に沿って延びる第1グランド導体とを備えており、
前記少なくとも一つの信号導体及び前記第1グランド導体のうちの何れか一方の導体は、前記抵抗低下材料の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する第1導体部と、前記抵抗低下材料で構成されており且つ前記第1導体部に対して他方の導体側に配置された第2導体部とを有している高周波伝送装置。 - 誘電体と、
高周波信号を伝送可能な伝送路とを備えており、
前記伝送路の少なくとも一部は、前記誘電体上又は前記誘電体内に位置しており、前記伝送路の少なくとも一部が、微粒子で構成された抵抗低下材料で構成されており、前記抵抗低下材料は、前記伝送路に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合に、前記高周波信号により磁場が生じ、前記磁場により前記抵抗低下材料の中心部において生じる誘導起電力(逆起電力)の向きが逆となる物性を有しており、
前記伝送路は、少なくとも一部が前記誘電体上又は前記誘電体内に設けられた少なくとも一つの信号導体と、
前記少なくとも一つの信号導体の少なくとも一部に沿って延びる第1グランド導体とを備えており、
前記少なくとも一つの信号導体及び前記第1グランド導体のうちの何れか一方の導体は、前記抵抗低下材料の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する第1導体部と、前記抵抗低下材料で構成されており且つ前記第1導体部に対して他方の導体側に配置された第2導体部とを有している高周波伝送装置。 - 誘電体と、
高周波信号を伝送可能な伝送路とを備えており、
前記伝送路の少なくとも一部は、前記誘電体上又は前記誘電体内に位置しており、前記伝送路の少なくとも一部が、微粒子で構成された抵抗低下材料で構成されており、前記抵抗低下材料は、前記伝送路に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合に、交流抵抗値が急激に低下する物性を有しており、
前記伝送路は、少なくとも一部が前記誘電体に設けられており且つ互いに隣り合うように配置された第1信号導体及び第2信号導体を備えており、
前記第1信号導体及び前記第2信号導体の何れか一方の導体は、前記抵抗低下材料の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する第1導体部と、前記抵抗低下材料で構成されており且つ前記一方の導体の前記第1導体部に対して他方の導体側に配置された第4導体部とを有している高周波伝送装置。 - 誘電体と、
高周波信号を伝送可能な伝送路とを備えており、
前記伝送路の少なくとも一部は、前記誘電体上又は前記誘電体内に位置しており、前記伝送路の少なくとも一部が、微粒子で構成された抵抗低下材料で構成されており、前記抵抗低下材料は、前記伝送路に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合に、前記高周波信号により磁場が生じ、前記磁場により前記抵抗低下材料の中心部において生じる誘導起電力(逆起電力)の向きが逆となる物性を有しており、
前記伝送路は、少なくとも一部が前記誘電体に設けられており且つ互いに隣り合うように配置された第1信号導体及び第2信号導体を備えており、
前記第1信号導体及び前記第2信号導体の何れか一方の導体は、前記抵抗低下材料の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する第1導体部と、前記抵抗低下材料で構成されており且つ前記一方の導体の前記第1導体部に対して他方の導体側に配置された第4導体部とを有している高周波伝送装置。 - 請求項1~4の何れかに記載の高周波伝送装置において、
前記微粒子が導体微粒子であり、
前記抵抗低下材料は、前記導体微粒子で構成された多結晶体で構成されている高周波伝送装置。 - 請求項1~4の何れかに記載の高周波伝送装置において、
前記微粒子は、半導体微粒子であり、
前記抵抗低下材料は、前記半導体微粒子で構成されている高周波伝送装置。 - 請求項1又は2記載の高周波伝送装置において、
前記他方の導体は、前記抵抗低下材料の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する第1導体部と、前記抵抗低下材料で構成された第2導体部とを有しており、
前記少なくとも一つの信号導体の前記第2導体部は、当該信号導体の前記第1導体部に対して前記第1グランド導体側に配置されており、
前記第1グランド導体の前記第2導体部は、前記第1グランド導体の前記第1導体部に対して前記少なくとも一つの信号導体側に配置されている高周波伝送装置。 - 請求項1、2又は7記載の高周波伝送装置において、
前記伝送路は、前記少なくとも一つの信号導体の少なくとも一部に沿って延びる第2グランド導体を更に備えており、
前記第1グランド導体は、前記少なくとも一つの信号導体の一方側に配置され、前記第2グランド導体は、前記少なくとも一つの信号導体の他方側に配置されている高周波伝送装置。 - 請求項8記載の高周波伝送装置において、
前記少なくとも一つの信号導体は、前記抵抗低下材料で構成された第3導体部を更に有しており、
前記少なくとも一つの信号導体の前記第2導体部は、当該信号導体の前記第1導体部に対して前記第1グランド導体側に配置され、当該信号導体の前記第3導体部は、当該信号導体の前記第1導体部に対して前記第2グランド導体側に配置されている高周波伝送装置。 - 請求項8又は9記載の高周波伝送装置において、
前記第2グランド導体は、前記抵抗低下材料の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する第1導体部と、前記抵抗低下材料で構成された第2導体部とを有しており、
前記第2グランド導体の前記第2導体部は、前記第2グランド導体の前記第1導体部に対して前記少なくとも一つの信号導体側に配置されている高周波伝送装置。 - 請求項1、2、7、8、9又は10記載の高周波伝送装置において、
前記第2導体部は、前記第1導体部の少なくとも一部上に固定されている高周波伝送装置。 - 請求項9記載の高周波伝送装置において、
前記少なくとも一つの信号導体の前記第3導体部は、当該信号導体の前記第1導体部の少なくとも一部上に固定されている高周波伝送装置。 - 請求項1、2又は7記載の高周波伝送装置において、
前記第1グランド導体は、その長さ方向に直交する直交方向において断面視略環状であって、前記少なくとも一つの信号導体の周りに配置されており、
前記少なくとも一つの信号導体の前記第2導体部は、前記直交する方向において断面視略環状であって、当該信号導体の前記第1導体部の少なくとも一部の外周面上に設けられている高周波伝送装置。 - 請求項1、2又は7記載の高周波伝送装置において、
前記第1グランド導体の前記第1導体部は、その長さ方向に直交する直交方向において断面視略環状であって、前記少なくとも一つの信号導体の周りに配置されており、
前記第1グランド導体の前記第2導体部は、前記直交方向において断面視略環状であって、前記第1グランド導体の前記第1導体部の少なくとも一部の内周面上に設けられている高周波伝送装置。 - 請求項1、2、7又は13記載の高周波伝送装置において、
前記少なくとも一つの信号導体の前記第1導体部は、当該信号導体の前記第2導体部によって覆われていない接続部を有しており、
前記接続部が、接続対象によって弾性接触又は摺動接触される高周波伝送装置。 - 請求項1、2、7又は13記載の高周波伝送装置において、
前記少なくとも一つの信号導体の前記第1導体部は、当該信号導体の前記第2導体部によって覆われていない接続部を有しており、
前記接続部が、接続対象に対して弾性接触可能な構成である高周波伝送装置。 - 請求項1、2、7、8、9又は10記載の高周波伝送装置において、
前記少なくとも一つの信号導体は、一対であって、互いに隣り合うように配置された第1信号導体及び第2信号導体を含み、
前記第1信号導体及び前記第2信号導体の何れか一方の導体は、前記抵抗低下材料で構成されており且つ前記第1信号導体及び前記第2信号導体の何れかの前記一方の導体の前記第1導体部に対して前記第1信号導体及び前記第2信号導体の他方の導体側に配置された第4導体部を更に有している高周波伝送装置。 - 請求項1、2、7、8、9又は10記載の高周波伝送装置において、
前記少なくとも一つの信号導体は、一対であって、互いに隣り合うように配置された第1信号導体及び第2信号導体を含み、
前記第1信号導体及び前記第2信号導体は、前記抵抗低下材料で構成された第4導体部を各々更に有しており、
前記第1信号導体の前記第4導体部は、当該第1信号導体の前記第1導体部に対して前記第2信号導体側に配置されており、
前記第2信号導体の前記第4導体部は、前記第2信号導体の前記第1導体部に対して
前記第1信号導体側に配置されている高周波伝送装置。 - 請求項3又は4記載の高周波伝送装置において、
前記他方の導体は、前記抵抗低下材料の直流抵抗値に対して小さい直流抵抗値を有する第1導体部と、前記抵抗低下材料で構成された第4導体部とを有しており、
前記第1信号導体の前記第4導体部は、当該第1信号導体の前記第1導体部に対して前記第2信号導体側に配置されており、
前記第2信号導体の前記第4導体部は、前記第2信号導体の前記第1導体部に対して前記第1信号導体側に配置されている高周波伝送装置。 - 請求項17~19の何れかに記載の高周波伝送装置において、
前記第4導体部は、前記第1導体部の少なくとも一部上に固定されている高周波伝送装置。 - 請求項1~20の何れかに記載の高周波伝送装置を用いて高周波信号を伝送する高周波信号伝送方法であって、
前記高周波伝送装置の前記伝送路に前記一又は複数の特定周波数帯域の周波数を有する高周波信号を伝送させることを備えている高周波信号伝送方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018222287 | 2018-11-28 | ||
JP2018222287 | 2018-11-28 | ||
PCT/JP2019/040518 WO2020110491A1 (ja) | 2018-11-28 | 2019-10-15 | 高周波伝送装置及び高周波信号伝送方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020110491A1 JPWO2020110491A1 (ja) | 2021-10-14 |
JP7304366B2 true JP7304366B2 (ja) | 2023-07-06 |
Family
ID=70853394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020558160A Active JP7304366B2 (ja) | 2018-11-28 | 2019-10-15 | 高周波伝送装置及び高周波信号伝送方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11791526B2 (ja) |
EP (1) | EP3890105B1 (ja) |
JP (1) | JP7304366B2 (ja) |
KR (1) | KR20210093929A (ja) |
CN (1) | CN113169431B (ja) |
TW (1) | TW202036978A (ja) |
WO (1) | WO2020110491A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114709025B (zh) * | 2022-03-29 | 2024-03-22 | 中铁电气化局集团有限公司 | 一种轨道交通信息传输电缆屏蔽保护方法及*** |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007221713A (ja) | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Seiji Kagawa | 高周波伝送線路 |
JP2013229851A (ja) | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Tdk Corp | 高周波伝送線路、アンテナ及び電子回路基板 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5160906A (en) * | 1991-06-24 | 1992-11-03 | Motorola, Inc. | Microstripe filter having edge flared structures |
US5534830A (en) * | 1995-01-03 | 1996-07-09 | R F Prime Corporation | Thick film balanced line structure, and microwave baluns, resonators, mixers, splitters, and filters constructed therefrom |
JP3125618B2 (ja) * | 1995-03-27 | 2001-01-22 | 株式会社村田製作所 | 超電導多層電極、超電導多層電極を用いた高周波伝送線路、高周波共振器、高周波フィルタ、高周波デバイス及び超電導多層電極の設計方法 |
US6774741B2 (en) * | 2002-05-28 | 2004-08-10 | Decorp Americas, Inc. | Non-uniform transmission line and method of fabricating the same |
AU2003252313A1 (en) * | 2002-08-01 | 2004-02-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transmission line and semiconductor integrated circuit device |
JP4182016B2 (ja) * | 2004-03-11 | 2008-11-19 | 日本電気株式会社 | 伝送線路型素子及びその作製方法 |
US20090173516A1 (en) * | 2005-04-22 | 2009-07-09 | Burke Peter J | Nanotubes as microwave frequency interconnects |
JP4468464B2 (ja) | 2008-03-28 | 2010-05-26 | 株式会社東芝 | フレキシブルプリント配線板および電子機器 |
WO2011018934A1 (ja) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | 株式会社村田製作所 | 信号線路 |
JP6080020B2 (ja) | 2012-03-31 | 2017-02-15 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 | 伝送線路及び配線基板、並びに、これらを用いた高周波装置 |
US8865604B2 (en) * | 2012-09-17 | 2014-10-21 | The Boeing Company | Bulk carbon nanotube and metallic composites and method of fabricating |
WO2014125988A1 (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-21 | 株式会社村田製作所 | 高周波信号伝送線路、電子機器及び高周波信号伝送線路の製造方法 |
JP6693655B2 (ja) | 2015-03-31 | 2020-05-13 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 | 伝送線路、配線基板、及び、これらを用いた高周波装置、並びに、伝送線路の設計方法 |
US10897068B2 (en) * | 2017-09-19 | 2021-01-19 | D-Wave Systems Inc. | Systems and devices for filtering electrical signals |
-
2019
- 2019-10-15 KR KR1020217017132A patent/KR20210093929A/ko unknown
- 2019-10-15 US US17/297,135 patent/US11791526B2/en active Active
- 2019-10-15 JP JP2020558160A patent/JP7304366B2/ja active Active
- 2019-10-15 WO PCT/JP2019/040518 patent/WO2020110491A1/ja unknown
- 2019-10-15 EP EP19890230.6A patent/EP3890105B1/en active Active
- 2019-10-15 CN CN201980078205.2A patent/CN113169431B/zh active Active
- 2019-10-31 TW TW108139394A patent/TW202036978A/zh unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007221713A (ja) | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Seiji Kagawa | 高周波伝送線路 |
JP2013229851A (ja) | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Tdk Corp | 高周波伝送線路、アンテナ及び電子回路基板 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
佐伯 拓,焼成ナノ構造金属の特殊な振る舞い-MHz体高周波での電気抵抗の消失-,プレリリース資料,日本,関西大学,2018年06月25日 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3890105A4 (en) | 2022-01-05 |
JPWO2020110491A1 (ja) | 2021-10-14 |
EP3890105A1 (en) | 2021-10-06 |
WO2020110491A1 (ja) | 2020-06-04 |
US11791526B2 (en) | 2023-10-17 |
KR20210093929A (ko) | 2021-07-28 |
CN113169431A (zh) | 2021-07-23 |
CN113169431B (zh) | 2022-06-07 |
EP3890105B1 (en) | 2023-09-27 |
TW202036978A (zh) | 2020-10-01 |
US20220029264A1 (en) | 2022-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5413467B2 (ja) | 広帯域アンテナ | |
CN103748741B (zh) | 天线和电子装置 | |
JP5408166B2 (ja) | アンテナ装置 | |
US6323824B1 (en) | Dielectric resonator antenna | |
US9064626B2 (en) | Thin film-type coil component and method of fabricating the same | |
KR20070037694A (ko) | 안테나, 무선장치, 안테나 설계 방법 및 안테나의 동작주파수 측정 방법 | |
Moro et al. | Novel inkjet-printed substrate integrated waveguide (SIW) structures on low-cost materials for wearable applications | |
Hsu et al. | 70 GHz Folded Loop Dual-Mode Bandpass Filter Fabricated Using 0.18$\mu $ m Standard CMOS Technology | |
JP2021101475A (ja) | 半導体素子実装用基板および半導体装置 | |
TW200417081A (en) | Dual-frequency antenna | |
JP7304366B2 (ja) | 高周波伝送装置及び高周波信号伝送方法 | |
CN108352363A (zh) | 布线基板、光半导体元件封装体以及光半导体装置 | |
US5683255A (en) | Radio frequency connector assembly | |
US8027146B2 (en) | Electric circuit device enabling impedance reduction | |
US20100077582A1 (en) | Method of manufacturing chip capacitor including ceramic/polymer composite | |
KR19980081048A (ko) | 저손실성 기판을 구비한 고주파 장치 | |
US11621489B2 (en) | Antenna device | |
KR20200078539A (ko) | 나선형 안테나 및 관련 제조 기술 | |
CN113381217B (zh) | 连接器和线缆 | |
US9634367B2 (en) | Filter | |
JP7015057B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2014150334A (ja) | 折り返しダイポールアンテナおよびそれを用いた通信装置 | |
JP2005217633A (ja) | アンテナ装置 | |
JP2020115637A (ja) | アンテナ装置 | |
CN113328220A (zh) | 基于陶瓷介质加载的高选择性平衡滤波器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230519 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230613 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230626 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7304366 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |